JP4117270B2 - 照明システム及び照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム - Google Patents
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Description
特有のコンフィギュレーション及び配置について論じるが、これは例示的な目的でなされたものに過ぎないと解すべきである。当業者であれば本発明の着想及び範囲から逸脱することなく、他のコンフィギュレーション及び配置を使用できることは明らかであろう。当業者にとって本発明を他の種々の用途に使用できることは自明である。
図1は、本発明の実施形態によるマスクレスリソグラフィシステム100を示す。マスクレスリソグラフィシステム100は照明システム102を含み、この照明システム102はビームスプリッタ106及びSLM光学系108を介して反射性の空間光変調器104(例えばディジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、反射性の液晶ディスプレイ(LCD)など)に光を送出する。SLM104は慣例のリソグラフィシステムにおけるレチクルの代わりに光をパターニングするために使用される。SLM104から反射されたパターニング光はビームスプリッタ106及び投影光学系110を介して、対象(例えば基板、半導体ウェハ、フラットパネルディスプレイのためのガラス基板など)112に書き込まれる。
図5はSLM104のアレイを受ける支持デバイス502を含むアセンブリ500を示す。種々の実施形態では、以下においてより詳細に説明するように、SLM104のアレイはパルス毎の所望の露光数またはユーザの他の判定基準に基づいて可変数の列、行、列毎のSLM、行毎のSLMなどを有することができる。SLM104を支持デバイス502と接続することができる。支持デバイス502は関連分野においては公知のように熱制御領域504(例えば水又は空気の流路など)、制御ロジック及び関連する回路部品のための領域(例えば図4に示されているような、ASIC、A/D変換器、D/A変換器、データを流すためのファイバ光学系などの素子116及び素子402を参照されたい。)及びSLM104を受けるウィンドウ506(破線の内部に形成されている)を有する。支持デバイス502、SLM104及び周辺の冷却装置又は制御装置をアセンブリと称す。アセンブリ500は先行SLMと追従SLMについての所望のステッチ(例えば対象112におけるフィーチャの隣接する要素の接続)及びオーバラップを生成するためのステップサイズを考慮することができる。例えば、支持デバイス502は12インチ×12インチまたは10インチ×10インチでよい。支持デバイス502は温度安定材料から製造されているので熱管理に使用することができる。
図6は照明システム102の詳細を示す。照明システム102は光源600(例えばレーザ)及び調節システム602(例えば受動的な調節システム)を含む。ある実施形態においては、制御装置604をレーザ600と接続することができ、これは制御装置114又は付加的な制御装置でよい。調節システム602は非線形光学(NLO)減衰器606(例えば逆可飽和吸収体、カーレンズ、光学的な変調器など)を含み、また選択的に必要に応じて1つまたは複数の調節可能な減衰器を含むこともできる。NLO減衰器606を例えばシリコン、シリコンゲルマニウムなどの半導体材料から製造することができる。リソグラフィシステムによって使用される光の波長に基づき使用できる異なる材料も考えられる。
本発明の種々の実施形態を上記において述べたが、これらの実施形態は例を表しているに過ぎず、これに制限されるものではないと解すべきである。当業者には、本発明の着想及び観点から逸脱することなく、これらの実施形態において形状及び細部の種々の変更を行えることは明らかである。したがって、本発明の広さ及び範囲は上述の例示的な実施形態に制限すべきではなく、付属の請求項および同等のものによってのみ規定すべきである。
Claims (16)
- 照明システムにおいて、
第1の光ビームと第2の光ビームを出力する光源と、
前記第2の光ビームを調節する光減衰器を含む調節システムと、
調節された第2の光ビームと前記第1の光ビームとを結合して所望の光出力信号である第3の光ビームを生成する加算装置と、を包含し、
前記光源は、
第1のエネルギ値を有する第1の光ビームを生成する第1のレーザと、
前記第1の光ビームの光路における遅延装置と、
前記第1のエネルギ値よりも低い第2のエネルギ値を有する第2の光ビームを生成する第2のレーザとを包含し、
前記第1の光ビームは前記第2のエネルギ値を調節するために前記調節システムを通過し、
前記遅延装置は前記第2の光ビームに対して前記第1の光ビームを遅延させるものであり、
前記第1のレーザ及び前記第2のレーザを制御する制御装置と、
前記制御装置からの制御信号が前記第2のレーザによって受信される前に、該制御信号を受信して遅延させる第2の遅延装置とをさらに包含することを特徴とする照明システム。 - 前記光減衰器は所定の閾値よりも高いレベルのエネルギを吸収する非線形の減衰器を包含する、請求項1記載の照明システム。
- 前記光源は所定のエネルギレベルを上回るビームを生成し、前記非線形の減衰器は実質的に前記所定のエネルギレベルである光エネルギのクリップに使用される、請求項2記載のシステム。
- 前記調節システムはさらに、前記非線形の減衰器に後置されている調節可能な減衰器を包含する、請求項2記載の照明システム。
- マスクレスリソグラフィシステムと接続されている、請求項1ないし4のいずれかに記載の照明システム。
- 前記調節システムは受動的な調節システムである、請求項1ないし5のいずれかに記載の照明システム。
- 前記調節システムは能動的な調節システムである、請求項1ないし5のいずれかに記載の照明システム。
- 照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステムにおいて、
該照明システムは、
第1の光ビームと第2の光ビームを出力する光源と、
前記第2の光ビームを調節する光減衰器を含む調節システムと、
調節された第2の光ビームと前記第1の光ビームとを結合して所望の光出力信号である第3の光ビームを生成する加算装置と、を包含し、
前記光源は、
第1のエネルギ値を有する第1の光ビームを生成する第1のレーザと、
前記第1の光ビームの光路における遅延装置と、
前記第1のエネルギ値よりも低い第2のエネルギ値を有する第2の光ビームを生成する第2のレーザとを包含し、
前記第1の光ビームは前記第2のエネルギ値を調節するために前記調節システムを通過し、
前記遅延装置は前記第2の光ビームに対して前記第1の光ビームを遅延させることを特徴とする、照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。 - 前記調節システムは所定の閾値よりも高いレベルのエネルギを吸収する非線形の減衰器を包含する、請求項8記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
- 前記光源は所定のエネルギレベルを上回るビームを生成し、前記非線形の減衰器は実質的に前記所定のエネルギレベルにある光エネルギのクリップに使用される、請求項9記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
- 前記調節システムはさらに、前記非線形の減衰器に後置されている調節可能な減衰器を包含する、請求項9記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
- 前記調節システムは、
前記第2の光ビームの光路における調節可能な減衰器と、
前記第1のエネルギ値に基づき検出信号を生成するセンサと、
前記調節可能な減衰器を調節するために制御信号を生成するプロセッサとを包含する、請求項8ないし11のいずれかに記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。 - 前記第1の光ビームは前記第2の光ビームよりも時間的に早く生成される、請求項8ないし11のいずれかに記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
- 前記第1のレーザ及び前記第2のレーザを制御する制御装置と、
前記制御装置からの制御信号が前記第2のレーザによって受信される前に、該制御信号を受信して遅延させる遅延装置とをさらに包含する、請求項8ないし11のいずれかに記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。 - 前記調節システムは受動的な調節システムである、請求項8ないし14のいずれかに記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
- 前記調節システムは能動的な調節システムである、請求項8ないし14のいずれかに記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
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