JP2004356636A - 照明システム及び照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム - Google Patents

照明システム及び照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム Download PDF

Info

Publication number
JP2004356636A
JP2004356636A JP2004162317A JP2004162317A JP2004356636A JP 2004356636 A JP2004356636 A JP 2004356636A JP 2004162317 A JP2004162317 A JP 2004162317A JP 2004162317 A JP2004162317 A JP 2004162317A JP 2004356636 A JP2004356636 A JP 2004356636A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light beam
laser
attenuator
energy value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004162317A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4117270B2 (ja
Inventor
Jason D Hintersteiner
ディー ヒンタースタイナー ジェーソン
Karel Van Der Mast
ヴァン デア マスト カレル
Arno Bleeker
ブレーカー アルノ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of JP2004356636A publication Critical patent/JP2004356636A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4117270B2 publication Critical patent/JP4117270B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

【課題】マスクレスリソグラフィにおいて、パルス・ツー・パルスのドーズ変化を安定させる照明システムを提供する。
【解決手段】照明システム102は、制御装置604と接続した光源600と、非線形減衰器606、さらに必要に応じて調整可能な減衰器608を含む調整システム602で、構成され、動作時に非線形減衰器606は各レーザパルス定数の効果的な出力パルスエネルギプロファイルを形成する光学的な飽和器として動作することができる。
【選択図】図6

Description

本発明は、照明システム及び照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステムに関する。
リソグラフィは基板表面にフィーチャ(特徴的構造)を生成するために使用されるプロセスである。そのような基板はフラットパネルディスプレイ(例えば液晶ディスプレイ)、回路基板、種々の集積回路などの製造に使用される基板を含むことができる。そのような用途に頻繁に使用される基板は半導体ウェハまたはガラス基板である。この明細書は例示の目的で半導体ウェハに関して記載しているが、当業者であればこの明細書が、それら当業者に公知である他のタイプの基板にも適用されることは明らかである。
リソグラフィの間、ウェハステージに配置されているウェハはリソグラフィ装置内に設けられている露光光学系によってウェハの表面上に投影されるイメージに曝される。露光光学系がフォトリソグラフィの事例において使用される一方、異なるタイプの露光装置を特別な用途に依存して使用することができる。例えば、X線、イオン、電子、フォトンによるリソグラフィはそれぞれ、当業者には公知であるように異なる露光装置を必要とする可能性がある。フォトリソグラフィの特別の例をここでは例示的な説明を目的として論じるに過ぎない。
投影されるイメージによって、ウェハの表面上にデポジットされている例えばフォトレジストのような層の特性に変化が与えられる。この変化は露光中にウェハ上に投影されるフィーチャに相応する。露光に続いて、パターニングされた層を生成するために層をエッチングすることができる。パターンは露光中にウェハ上に投影されるこれらのフィーチャに相応する。このパターニングされた層は導電層、半導電層または絶縁層のようなウェハ内に配置されている構造層における露光された部分を除去するために、または更に処理するために使用される。その後このプロセスはウェハの表面又はウェハの種々の層において所望のフィーチャが形成されるまで、他のステップと共に繰り返される。
ステップ・アンド・スキャン技術は狭いイメージングスロットを有する投影光学系と関連して機能する。その際、同時にウェハ全体が露光されるのではなく、ウェハ上において1回毎に個々のフィールドがスキャンされる。このことは、スキャンの間にイメージングスロットがフィールドを横断するように、ウェハとレチクルを同時に移動させることによって達成される。この場合ウェハステージは、ウェハ表面全体にわたり露光すべきレチクルパターンを多数コピーできるようにするために、フィールド露光の間において非同期にステップされなければならない。このようにして、ウェハ上に投影されるイメージの品質が最大となる。
慣例のリソグラフィシステム及びリソグラフィ方法は半導体ウェハにイメージを形成する。このようなシステムは典型的にリソグラフィ室を有し、このリソグラフィ室は半導体ウェハ上にイメージを形成するプロセスを実行する装置を含むよう設計されている。リソグラフィ室は使用される光の波長に依存させて種々の気体混合物及び/又は真空度を有するように設計することができる。レチクルがリソグラフィ室内に配置されている。光ビームは(システム外に配置されている)照明源から光学系、レチクルにおけるイメージアウトライン、また第2の光学系を介した後に半導体ウェハと相互作用する。
複数のレチクルが基板上にデバイスを製作するために要求される。これらのレチクルはますます高価になっており、またフィーチャの大きさ及び小さいフィーチャに要求される正確な公差のために製造に時間を要する。また、レチクルは消耗されるまでの所定の期間しか使用できない。さらには、レチクルが所定の公差内に無い場合、またはレチクルが損傷した場合には常習的に失費を招く。したがって、レチクルを使用するウェハの製造はますます高価になっており、また場合によっては禁止的に高価である。
これらの欠点を克服するために、マスクレス(例えば直接的な書き込み、ディジタルなど)のリソグラフィシステムが開発された。マスクレスシステムではレチクルは空間光変調器(SLM)(例えばディジタルマイクロミラー装置(DMD)、液晶ディスプレイ(LCD)など)に置換される。SLMは、所望のパターンを形成するためにONまたはOFFであるアクティブ領域(例えばミラーまたは透過領域)のアレイを含む。所望の露光パターンを基礎とする所定の且つ事前に記憶されているアルゴリズムがアクティブ領域のON及びOFFの切り換えるに使用される。
慣例のSLMベースを基礎とする書き込みシステム(たとえばMicronic's Sigma 7000 series tools)はパターン生成器として1つのSLMを使用する。線幅及び線位置の仕様を達成するために、グレースケールが使用される。アナログSLMに関して、グレースケールはミラー傾斜角(例えばMicronic SLM)または偏光角(例えばLCD)を制御することによって達成される。ディジタルSLM(例えばTI DMD)に関して、グレースケールは複数のパス又はパルスによって達成され、各パス又は各パルスに関しては所望のグレースケールレベルに依存してピクセルをONまたはOFFに切り換えることができる。プリントされるべき基板における全ての領域、アクティブ領域間の間隔、光パルスのタイミング及び基板の移動のために、基板の種々のパスが所望の全ての領域を露光するために要求される。この結果スループット(個々の光学的なフィールドに含まれる複数のピクセル/基板全体に要求される複数の反復パス)は低くなり、デバイスを製造する時間は長くなる。さらにはSLMを1つしか使用しないということは、より多くの光のパルスを要求するか、グレースケールを上昇させるためにより長い露光時間を要求する。この結果スループットのレベルは許容できほど低くなる。
マスクレスリソグラフィシステムは合理的なスループットに応じるためのドーズを達成する最小限のパルスを使用することを要求する。したがって、許容可能なレーザパルス・ツー・パルス変化を達成するために、慣例のリソグラフィシステムのように平均して50パルスを利用することは不可能である。慣例のリソグラフィシステムは各フィーチャを書き込むために30〜50のパルスを使用する。典型的にマスクレスリソグラフィでは、合理的なスループットのために各フィーチャの書き込みに2〜4のパルスが使用される。僅かなパルスの使用が必要とされるのは、マスクレスリソグラフィにおける投影光学系の視野が、慣例のリソグラフィシステムにおける5mm×26mmの視野よりも小さい約5mm×1mmなためである。したがってシステムは領域が比較的小さいために、ウェハ上におけるフィーチャのパターニングのために要求される全てのエネルギを2つのパルスに供給する必要がある。これによってパルスを平均する能力は低減し、このことは各パルス内の雑音の効果を増大させる。典型的なリソグラフィレーザは9〜10%のパルス・ツー・パルス変化を持つ可能性があり、この変化によりパルスの平均化を欠いているために基板における露光エネルギ変化は許容できない結果となる。したがってそのような僅かなパルスが使用される場合に、マスクレスリソグラフィにおいてドーズ量(例えば各パルスの間に供給されるエネルギ)を制御することは非常に困難である。
本発明の課題は、パルス・ツー・パルスのドーズ変化を安定させる、マスクレスリソグラフィにおいてドーズを制御するための照明システム及び照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステムを提供することである。
照明システムに関する課題は、光源と、所望の光出力信号を生成するために光源からの光出力を調節する光学的な減衰器を含む調節システムとを包含することによって解決され、また光源と、光源からの光を減衰させる非線形の光学的な減衰器とを包含することによって解決され、また第1のエネルギ値を有する第1の光ビームを生成する第1の光源と、第2のエネルギ値を有する第2の光ビームを生成する第2の光源と、第1のエネルギ値に基づき第2の光ビームを調節する調節システムと、調節された第2の光ビームと第1の光ビームとを結合する結合装置とを包含することによって解決され、さらには光ビームを生成する光源と、光ビームを第1の光ビーム及び第2の光ビームに分岐させるビームスプリッタと、第1の光ビームのエネルギ値に基づき第2の光ビームを調節する調節システムと、第1の光ビームと調節された第2の光ビームとを結合させる結合装置とを包含することによって解決される。
照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステムに関する課題は、照明システムが、光源と、所望の光出力信号を生成するために光源からの光出力を調節する調節システムとを包含することによって解決される。
本発明においては光源及び調節システムを含む照明システムが設けられており、この調節システムは所望の光出力信号を形成するために光源からの光出力を調節する。
本発明においてはまた光源及び非線形の光学的な減衰器を含む照明システムが設けられており、この光学的な減衰器は光源からの光を減衰する。
さらに本発明においては、光源からの光出力を調節システムを迂回する第1のビームと調節システムを通過して送られる、第1のビームよりも実質的に高いエネルギを有する第2のビームとに分岐するビームスプリッタと、所望の光出力信号を生成するために第2のビームの調節システムの通過後に第1のビームと第2のビームとを結合する加算装置とを包含する照明システムが設けられており、調節システムが第2のビームのエネルギに基づき検出信号を生成するセンサと、調節システムの制御に使用される制御信号を検出信号に基づき生成するプロセッサとを包含し、光学的な減衰器は制御信号に基づき調節される調節可能な減衰器を包含する。
さらに本発明においては、第1のエネルギ値を有する第1の光ビームを生成する第1の光源と、第2のエネルギ値を有する第2の光ビームを生成する第2の光源と、第1のエネルギ値に基づいて第2の光ビームを調節する調節システムと、調節された第2の光ビームと第1の光ビームを結合する結合装置とを含む照明システムが設けられている。
さらに本発明においては、光ビームを生成する光源と、光ビームを第1の光ビーム及び第2の光ビームに分岐させるビームスプリッタと、第2の光ビームのエネルギ値に基づき第1の光ビームを調節する調節システムと、調節された第1の光ビームと第2の光ビームを結合する結合装置とを含む照明システムが設けられている。
さらに本発明により照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステムが提供され、照明システムは光源及び調節システムを含み、この調節システムは所望の光出力信号を生成するために光源からの光出力を調節する。
本発明の更なる実施形態、特徴及び利点並びに本発明の種々の実施形態の構造及び動作を以下では添付の図面を参照して詳細に説明する。
ここで本発明を添付の図面と関連させて説明する。図面において同一の参照番号は同一の要素又は機能的に類似する要素を示す。付加的に参照番号の一番左の数字によりその参照番号が最初に現れた図面を識別することができる。
概観
特有のコンフィギュレーション及び配置について論じるが、これは例示的な目的でなされたものに過ぎないと解すべきである。当業者であれば本発明の着想及び範囲から逸脱することなく、他のコンフィギュレーション及び配置を使用できることは明らかであろう。当業者にとって本発明を他の種々の用途に使用できることは自明である。
本発明の実施形態は、例えばマスクレスリソグラフィマシンにおいて、照明システムのパルス・ツー・パルスドーズ制御のためのシステム及び方法を提供する。システム及び方法はリソグラフィレーザにおけるレーザパルス・ツー・パルス変化を効果的に低減することに使用でき、最小限の数のパルス(例えば1パルス程度)を用いる適切なドーズ制御を可能にする。
マスクレスリソグラフィシステム
図1は、本発明の実施形態によるマスクレスリソグラフィシステム100を示す。マスクレスリソグラフィシステム100は照明システム102を含み、この照明システム102はビームスプリッタ106及びSLM光学系108を介して反射性の空間光変調器104(例えばディジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、反射性の液晶ディスプレイ(LCD)など)に光を送出する。SLM104は慣例のリソグラフィシステムにおけるレチクルの代わりに光をパターニングするために使用される。SLM104から反射されたパターニング光はビームスプリッタ106及び投影光学系110を介して、対象(例えば基板、半導体ウェハ、フラットパネルディスプレイのためのガラス基板など)112に書き込まれる。
関連分野においては公知であるように照明光学系を、照明システム102に収容できることは明らかである。また関連分野においては公知であるようにSLM光学系108及び投影光学系110が、SLM104及び/又は対象112の所望の領域上に光を指向させるために必要とされる光学的な要素のあらゆる組合せを含めることも明らかである。
択一的な実施形態においては、照明システム102及びSLM104の内の一方又は両方がそれぞれ制御装置114、116と接続されているか、それぞれ一体的な制御装置114、116を有する。制御装置114はリソグラフィシステム100からのフィードバックを基礎とする照明源102の調節または較正の実行に使用できる。制御装置116もまた調節及び/又は較正に使用できる。択一的に、上述したように、露光される対象112に使用されるパターンを生成するために、制御装置116をSLM104におけるアクティブデバイス(例えばピクセル、ミラー、ロケーションなど)302(図3を参照されたい)のON及びOFFの切換に使用できる。制御装置116は一体的なメモリを有することができるか、1つまたは複数のパターンを生成するために使用される所定の情報及び/又はアルゴリズムを有するメモリ素子(図示せず)と接続することができる。
図2は本発明の別の実施形態によるマスクレスリソグラフィシステム200を示す。マスクレスリソグラフィシステム200は照明源202を含み、この照明源202は光をパターニングするためにSLM204(例えば透過性のLCDなど)を介して光を送出する。パターニングされた光は対象212の表面にパターンを書き込むために投影光学系210を介して送出される。この実施形態においてはSLM204は例えば液晶ディスプレイなどのような透過性のSLMである。上記と類似して、照明源202及びSLM204の内の一方又は両方をそれぞれ制御装置214、216と接続することができるか、照明源202及びSLM204の内の一方又は両方は一体的な制御装置214、216を有する。制御装置214及び216は上述したように、また公知のように制御装置114及び116と同様の機能を実行することができる。
システム100または200において使用できるSLMの例はMicronic Laser Systems AB of Sweden及びFraunhofer Institute for Circuits and System of Germanyによって製造されている。
単に便宜上の理由から、以下ではシステム100のみを参照する。しかしながら当業者には明らかであるように、以下で説明する全てのコンセプトはシステム200にも適用できる。
図3は、SLM104のアクティブ領域300の詳細を示す。アクティブ領域300は(図面における点によって表されている)アクティブデバイスのアレイを含む。アクティブデバイス302はDMDにおけるミラーか、LCDにおけるロケーションでよい。アクティブデバイス302は関連分野においては公知のように、ピクセルと称することもできる。アクティブデバイス302の物理的な特性を調節することによって、これらのアクティブデバイス302をONまたはOFFとみなすことができる。所望のパターンを基礎とするディジタル又はアナログの入力信号は種々のアクティブデバイス302をON及びOFFに切り換えることに使用される。ある実施形態においては、対象112に書き込まれる目下のパターンを検出することができ、パターンが許容可能な公差を超えているか否かを判断することができる。許容可能な公差を超えている場合には、制御装置116はSLM104によって生成されるパターンをリアルタイムで良好に合わせる(例えば較正、調節など)ためにアナログ又はディジタルの制御信号を生成することに使用できる。
図4はSLM104の更なる詳細を示す。SLM104はアクティブ領域300を包囲する非アクティブのパッケージ400を含むことができる。また択一的な実施形態においては、SLMアレイの監視及び制御のために、主制御装置402を各SLM制御装置116と接続することができる(以下参照)。以下で述べるように、隣接するSLMを別の実施形態においては相互に考慮してずらすまたは互い違いに置くことができる。
空間光変調器アレイのコンフィギュレーション
図5はSLM104のアレイを受ける支持デバイス502を含むアセンブリ500を示す。種々の実施形態では、以下においてより詳細に説明するように、SLM104のアレイはパルス毎の所望の露光数またはユーザの他の判定基準に基づいて可変数の列、行、列毎のSLM、行毎のSLMなどを有することができる。SLM104を支持デバイス502と接続することができる。支持デバイス502は関連分野においては公知のように熱制御領域504(例えば水又は空気の流路など)、制御ロジック及び関連する回路部品のための領域(例えば図4に示されているような、ASIC、A/D変換器、D/A変換器、データを流すためのファイバ光学系などの素子116及び素子402を参照されたい。)及びSLM104を受けるウィンドウ506(破線の内部に形成されている)を有する。支持デバイス502、SLM104及び周辺の冷却装置又は制御装置をアセンブリと称す。アセンブリ500は先行SLMと追従SLMについての所望のステッチ(例えば対象112におけるフィーチャの隣接する要素の接続)及びオーバラップを生成するためのステップサイズを考慮することができる。例えば、支持デバイス502は12インチ×12インチまたは10インチ×10インチでよい。支持デバイス502は温度安定材料から製造されているので熱管理に使用することができる。
支持デバイス502を、SLM104の空間制御を保証する機械的なバックボーンとして、また回路部品及び熱制御領域504を組み込むために使用することができる。あらゆる電子機器を支持デバイス502の後部及び前部の一方又は両方に取り付けることができる。例えば、アナログベースのSLM又は電子機器を使用する場合には、ワイヤを制御システム又は結合システム504からアクティブ領域300まで接続することができる。支持デバイス502上に取り付けられているのでこれらのワイヤは比較的短くて良く、回路装置が支持デバイス502によって遠隔制御される場合に比べてアナログ信号の減衰を低減する。回路部品とアクティブ領域300との間のリンクが短いということは通信速度を上昇させ、したがってパターン再調整速度をリアルタイムで上昇させる。
ある実施形態ではSLM104又は回路部品における電気装置が消耗された場合には、アセンブリ500を容易に交換できる。アセンブリ500の交換はアセンブリ500におけるただ1つのチップの交換よりも費用がかかるが、実際には組立体500全体を交換する方が容易且つ迅速であり、これにより製造費用を節約することができる。また最後のユーザが一新されたアセンブリ500を使用したい場合には交換部品の数の低減を考慮して、アセンブリ500一新することができる。アセンブリ500が交換されたならば、製造を再開する前にただ一度の全体のアラインメントが必要とされる。
ドーズが制御される照明システム
図6は照明システム102の詳細を示す。照明システム102は光源600(例えばレーザ)及び調節システム602(例えば受動的な調節システム)を含む。ある実施形態においては、制御装置604をレーザ600と接続することができ、これは制御装置114又は付加的な制御装置でよい。調節システム602は非線形光学(NLO)減衰器606(例えば逆可飽和吸収体、カーレンズ、光学的な変調器など)を含み、また選択的に必要に応じて1つまたは複数の調節可能な減衰器を含むこともできる。NLO減衰器606を例えばシリコン、シリコンゲルマニウムなどの半導体材料から製造することができる。リソグラフィシステムによって使用される光の波長に基づき使用できる異なる材料も考えられる。
図6の参照を続けると、動作時にNLO減衰器606は各パルス定数の効果的な出力パルスエネルギプロファイルを形成する光学的な飽和器として動作することができる。このことは必要とされるエネルギよりも多いエネルギを生成するレーザ600を使用することによってなされる。次に、NLO減衰器600は定量のエネルギを有する光をリソグラフィシステムへと配向させ、その一方でNLO減衰器606は所定の閾値よりも高いレベルのエネルギを吸収する。NLO減衰器606の閾値を、NLO減衰器606における必要なエネルギ強度を達成するには十分に小さいサイズへとレーザパルスをフォーカシングする適切な光学系を使用することによってセットすることができる。したがって、基板に到達するパルス毎のエネルギは安定したパルス・ツー・パルスであり、ドーズを1つまたは複数のパルスにおいて達成することができる。
図7は本発明の別の実施形態による照明システム102aの詳細を示す。照明システム102aは(例えばレーザである)第1の光源700及び第2の光源702を含み、調節システム704(例えば能動的な調節システム)及び加算装置705(例えば結合装置、加算器など)を含む。レーザ702は以下においてより詳細に説明するように、レーザ700により生成された光ビーム752のエネルギ変化値とほぼ等しいエネルギを有する光ビーム750を生成する。ある実施形態においては、制御装置706をレーザ700及び702と場合によっては遅延装置708を介して接続することができ、これは制御装置114または付加的な制御装置とすることができる。
調節システム704は、レーザ700の光路におけるセンサ712とレーザ702の光路における減衰器714(例えば調節可能な減衰器、光学的な変調器など)との間に接続されているプロセッサ710を含むことができる。したがってレーザ700のビーム752はセンサ712を用いて測定される。センサ712からの検出信号754は、制御信号756を生成するためにプロセッサ710において処理される。制御信号756は減衰器714に供給される。減衰器714は変調された光ビーム758を生成するために、制御信号756に基づきレーザ702からの光ビーム750を変調することができる。
一例として、照明システム102からの所望の出力ビーム760は100mJであると仮定する。第1のレーザ700は1%(例えば+/−1mJ)の変化を有する100mJのビームを生成することができる。次にレーザ712は1%(例えば+/−0.01mJ)の変化を有する1mJのビームを生成するよう設計されている。センサ712がレーザ700からのビーム752における目下のエネルギを測定した後に、センサ712は検出信号754を測定された値に基づきプロセッサ710に送信する。エラー量は制御信号を生成するためにプロセッサ710によって求められ、この制御信号756は減衰器714に送信される。制御信号756はビーム750を変調するために(例えばビーム750からのエネルギをトリミングするために)減衰器714によって使用される。トリミングが行われたならば、加算装置705は変調された光ビーム758を、必要に応じてビーム752が遅延された後にこのビーム752と結合させる。所望の出力ビーム760は約0.01%の変化(+/−0.01mJ)を有する近似的に100mJのビームである。
レーザ700及びレーザ702に由来するパルス752と750との間の時間周期は、許容可能な公差を超えて対象112にプリントされるイメージがスミアされない程度に十分短くなくてはならない。例えば、典型的な対象速度は約200mm/sであり、プリントされるフィーチャのクリティカルな寸法(以下CDと称す)は70nmと仮定する。さらに、レーザ702からのパルス752をCDの約10%、または約7nmを低減することができると仮定する。この場合パルス752と750との間の最大遅延は約35nsに成りうる。制御装置706はこの時間周期内ではデータを処理することはできず、選択的な遅延装置708がレーザ702からのパルス750を遅延するために必要となる。
図8は本発明の別の実施形態の照明システム102bの詳細を示す。照明システム102bは、光ビーム850及び852をそれぞれ調節システム804(例えば受動的な調節システム)及び加算装置806に通す第1の光源800及び第2の光源802(例えばレーザ)を含む。調節システム804はレーザ800の光路におけるビームスプリッタ808及びレーザ802の光路における減衰器810(例えば非線形光学素子、光学的な変調器など)を含むことができる。ビームスプリッタ808によって分岐された光の第1の部分850′は光路に沿って存続し、他方では光の第2の部分854は減衰器810へと配向される。第2の部分854を減衰器810の減衰量を調節するために使用できる。減衰後には減衰されたビーム856が加算器806によって結合されて、出力ビーム858が形成される。
例えば、ビームスプリッタ808の使用により、ビーム854(例えば測定ビーム)の僅かな部分(例えば1%)を減衰器810へと配向することができ、この減衰器810は測定ビーム854におけるドーズに基づきビーム852の透過率を変化させることができる。この実施形態では電子的な処理は要求されず、これによってシステム100を相対的に非常に高速にできる。したがってレーザ800のトリガとレーザ802のトリガとの間の遅延を非常に短く維持することができる。結果としてレーザ800からのビーム850/850′の光路における遅延線は必要なくなる。また、全体のドーズの僅かな部分しか減衰器810へと配向されないので、減衰器810の劣化は非常に低減される。
図9は本発明の別の実施形態による照明システム102cを示す。照明システム102cは光源900(例えばレーザ)を含み、この光源900はビームスプリッタ902及び加算装置906を介して光を送出するが、光は調節システム904(例えば能動的な調節システム)を通過する前にビームスプリッタ902を通過する。この実施形態ではレーザ900は1つしか使用されず、このことはシステムの複雑性及びコストを非常に低減する。調節システム904はプロセッサ912を含み、このプロセッサ912はビームスプリッタ902からの第1のビーム950のエネルギ値を測定することができる。プロセッサ912は制御信号952を減衰器914(例えば能動的な減衰器)へとエネルギ値を基礎として送信する。減衰器914は制御信号952に基づきビームスプリッタ902からの第2のビーム954を調節し、調節されたビーム956を形成する。
動作時には、レーザ900の光は第1のビーム950及び第2のビーム954へとそれぞれ分岐される。第1のビーム950(例えば主ビーム)はCの強度を持つことができ、また第2のビーム(たとえば補正ビーム)はCの強度を持つことができ、ここでIはレーザ900によって生成された光強度である。Cは近似的に1とすることができるが、しかしながら1よりも小さく、また主ビーム950における強度を規定する。Cは相対的にCよりも小さく(例えば約0.01〜0.05)、また補正ビーム954における強度を規定する。主ビーム950において測定された光強度を使用して、補正ビーム954の強度は全体の強度Ioutが一定に保たれるように調節されている。一定の出力を得るために、補正ビーム954の光路における減衰器の応答関数を次のように表せる。
Figure 2004356636
システムが動作する範囲は定数C及びCによって与えられている。F(I)は光を加えることができない、または負の光を生成できないので、次式によって表されている範囲を計算することができる。
Figure 2004356636
一例としてC=0.05及びC=0.95と仮定すると、レーザ900から出力されるIは0以内であり、また所望のシステム出力Ioutの5.3%となる。
図9における照明システム102は主ビーム950におけるゆらぎ及び補正ビーム954におけるゆらぎの両方を測定することができる。これによってより正確にドーズを制御することができる。何故ならば、上述の他の実施形態においては、補正ビーム(独立ビーム)におけるゆらぎは測定されないからである。
したがって図7、8及び9をフィードフォワードシステムと見なすことができ、このフィードフォワードシステムは主ビームのみからのエネルギのバルクを取り除き、主ビームを測定し、また補正ビームを出力ビームへと良好に調整する。したがって、ほぼ理想的な出力ビームが照明源102によって生成される。
結論
本発明の種々の実施形態を上記において述べたが、これらの実施形態は例を表しているに過ぎず、これに制限されるものではないと解すべきである。当業者には、本発明の着想及び観点から逸脱することなく、これらの実施形態において形状及び細部の種々の変更を行えることは明らかである。したがって、本発明の広さ及び範囲は上述の例示的な実施形態に制限すべきではなく、付属の請求項および同等のものによってのみ規定すべきである。
本発明の実施形態による反射性の空間光変調器を有するマスクレスリソグラフィシステムである。 本発明の実施形態による透過性の空間光変調器を有するマスクレスリソグラフィシステムである。 本発明の実施形態による空間光変調器である。 図3の空間光変調器をより詳細に示したものである。 本発明の実施形態によるアセンブリである。 本発明の実施形態によるドーズ制御を可能にする照明源である。 本発明の実施形態によるドーズ制御を可能にする照明源である。 本発明の実施形態によるドーズ制御を可能にする照明源である。 本発明の実施形態によるドーズ制御を可能にする照明源である。
符号の説明
100、200 マスクレスリソグラフィシステム、 102 照明システム、 104、204 SLM、 106 ビームスプリッタ、 108 SLM光学系、 110、210 投影光学系、 112、212 対象、 114、116、214、216、604、706 制御装置、 202 照明源、 300 アクティブ領域、 302 アクティブデバイス、 400 非アクティブなパッケージ、 402 主制御装置、 500 アセンブリ、 502 支持デバイス、 504 熱制御領域、 600 光源、 602、704、804、904 調節システム、 606 NLO減衰器、 608 調節可能な減衰器、 700、702、800、802、900 レーザ、 705、906 加算装置、 708 遅延装置、 710、912 プロセッサ、 712 センサ、 714、810、914 減衰器、 752、850、852 光ビーム、 754 検出信号、 756、952 制御信号、 760、858 出力ビーム、 808、902 ビームスプリッタ、 854 測定ビーム、 856 減衰されたビーム、 950 主ビーム、 954 補正ビーム、 956 調節されたビーム

Claims (43)

  1. 照明システムにおいて、
    光源と、
    所望の光出力信号を生成するために光源からの光出力を調節する光学的な減衰器を含む調節システムとを包含することを特徴とする、照明システム。
  2. 前記光学的な減衰器は非線形の減衰器を包含する、請求項1記載の照明システム。
  3. 前記光源は所定のエネルギレベルを上回るビームを生成し、前記非線形の減衰器は実質的に前記所定のエネルギレベルである光エネルギのクリップに使用される、請求項2記載のシステム。
  4. 前記調節システムはさらに、前記非線形減衰器に後置されている調節可能な減衰器を包含する、請求項2記載の照明システム。
  5. 前記光源からの光出力を、前記調節システムを迂回する第1のビームと前記調節システムを通過して送られる第2のビームとに分岐するビームスプリッタを包含し、前記第1のビームは前記第2のビームよりも実質的に少ないエネルギを有し、
    前記所望の光出力信号を生成するために、前記第2のビームの前記調節システムの通過後に、前記第1のビームと前記第2のビームとを結合する加算装置を包含する、請求項1記載の照明システム。
  6. 前記調節システムは、
    前記第2のビームのエネルギに基づき検出信号を生成するセンサと、
    前記検出信号に基づき制御信号を生成するプロセッサとを包含し、該制御信号は前記調節システムの制御に使用される、請求項5記載の照明システム。
  7. 前記光学的な減衰器は、前記制御信号に基づき調節される調節可能な減衰器を包含する、請求項6記載の照明システム。
  8. 前記光源は、
    第1のエネルギ値を有する第1の光ビームを生成する第1のレーザと、
    前記第1の光ビームの光路における遅延装置と、
    前記第1のエネルギ値よりも低い第2のエネルギ値を有する第2の光ビームを生成する第2のレーザとを包含し、
    前記第1の光ビームは前記第2のエネルギ値を調節するために前記調節システムを通過し、
    前記遅延装置は前記第2の光ビームに相対的に前記第1の光ビームを遅延させる、請求項1記載の照明システム。
  9. 前記所望の光出力信号を生成するために、前記第1の光ビームと調節された前記第2の光ビームとを結合する加算装置を包含する、請求項8記載の照明システム。
  10. 前記光学的な減衰器は前記第2の光ビームの光路において調節可能な減衰器を包含し、
    前記調節システムはさらに、
    前記第1のエネルギ値に基づき検出信号を生成するセンサと、
    前記調節可能な減衰器の調節に使用される制御信号を生成するプロセッサとを包含する、請求項8記載の照明システム。
  11. 前記第1の光ビームは前記第2の光ビームよりも時間的に早く生成される、請求項8記載の照明システム。
  12. 前記第1のレーザ及び前記第2のレーザを制御する制御装置と、
    前記制御装置からの制御信号が前記第2のレーザによって受信される前に、該制御信号を受信して遅延させる遅延装置とを包含する、請求項8記載の照明システム。
  13. 前記光源は、
    第1のエネルギ値を有する第1のビームを生成する第1のレーザと、
    第2のエネルギ値を有する第2のビームを生成する第2のレーザとを包含する、請求項1記載の照明システム。
  14. 前記光学的な減衰器は調節可能な減衰器であり、
    照明システムはさらに、
    前記第1のビームを第1の部分及び第2の部分に分岐させる、前記第1のレーザに後置されているビームスプリッタを包含し、前記調節可能な減衰器は前記第1のビームの第1の部分の光路及び前記第2のビームの光路に配置されており、前記調節可能な減衰器は前記第2のビームのエネルギ値を調節するために前記第1のエネルギ値に基づき調節され、
    前記所望の光出力信号を形成するために前記第1のビームの第2の部分と調節された前記第2のビームとを結合する加算装置を包含する、請求項13記載の照明システム。
  15. 前記第1のレーザ及び前記第2のレーザを制御する制御装置と、
    前記制御装置からの制御信号が前記第2のレーザによって受信される前に、該制御信号を受信して遅延させる遅延装置とを包含する、請求項13記載の照明システム。
  16. マスクレスリソグラフィシステムと接続されている、請求項1記載の照明システム。
  17. 光源と、
    該光源からの光を減衰させる非線形の光学的な減衰器とを包含することを特徴とする、照明システム。
  18. 調節可能な光学的な減衰器が前記非線形の光学的な減衰器に後置されている、請求項17記載の照明システム。
  19. マスクレスリソグラフィシステムと接続されている、請求項17記載の照明システム。
  20. 第1のエネルギ値を有する第1の光ビームを生成する第1の光源と、
    第2のエネルギ値を有する第2の光ビームを生成する第2の光源と、
    前記第1のエネルギ値に基づき前記第2の光ビームを調節する調節システムと、
    調節された前記第2の光ビームと前記第1の光ビームとを結合する結合装置とを包含することを特徴とする、照明システム。
  21. 前記調節システムは、
    前記第1のエネルギ値に基づきエネルギ信号を生成するセンサと、
    エネルギ信号に基づき制御信号を生成するプロセッサと、
    前記制御信号に基づき前記第2の光ビームの調節を実行する減衰器と、
    該第1の光ビームが検出された後、且つ前記第1の光ビームが調節された前記第2の光ビームと結合される前に、該第1の光ビームの伝播を遅延させる遅延装置とを包含する、請求項20記載の照明システム。
  22. マスクレスリソグラフィシステムと接続されている、請求項20記載の照明システム。
  23. 光ビームを生成する光源と、
    前記光ビームを第1の光ビーム及び第2の光ビームに分岐させるビームスプリッタと、
    前記第1の光ビームのエネルギ値に基づき前記第2の光ビームを調節する調節システムと、
    前記第1の光ビームと調節された前記第2の光ビームとを結合させる結合装置とを包含することを特徴とする、照明システム。
  24. 前記調節システムは、
    前記第1の光ビームのエネルギ値に基づき制御信号を生成するプロセッサと、
    前記制御信号に基づき前記第2の光ビームの調節を実行する減衰器とを包含する、請求項23記載の照明システム。
  25. 照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステムにおいて、
    該照明システムは、
    光源と、
    所望の光出力信号を生成するために前記光源からの光出力を調節する調節システムとを包含することを特徴とする、照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  26. 前記調節システムは非線形の減衰器を包含する、請求項25記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  27. 前記光源は所定のエネルギレベルを上回るビームを生成し、前記非線形の減衰器は実質的に前記所定のエネルギレベルにある光エネルギのクリップに使用される、請求項26記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  28. 前記調節システムはさらに、前記非線形の減衰器に後置されている調節可能な減衰器を包含する、請求項26記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  29. 前記光源からの光出力を、前記調節システムを迂回する第1のビームと、前記調節システムを通過して送られる第2のビームとに分岐するビームスプリッタを包含し、前記第1の光ビームは前記第2のビームよりも実質的に少ないエネルギを有し、
    前記所望の出力信号を生成するために、前記第2のビームが前記調節システムの通過後に、前記第1のビームと前記第2のビームとを結合する加算装置を包含する、請求項25記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  30. 前記調節システムは、
    前記第2のビームのエネルギに基づき検出信号を生成するセンサと、
    前記検出信号に基づき制御信号を生成するプロセッサとを包含し、該制御信号が前記調節システムを制御する、請求項29記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  31. 前記調節システムはさらに、前記制御信号に基づき調節される調節可能な減衰器を包含する、請求項30記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  32. 前記光源は、
    第1のエネルギ値を有する第1の光ビームを生成する第1のレーザと、
    前記第1の光ビームの光路における遅延装置と、
    前記第1のエネルギ値よりも低い第2のエネルギ値を有する第2の光ビームを生成する第2のレーザとを包含し、
    前記第1の光ビームは前記第2のエネルギ値を調節するために前記調節システムを通過し、
    前記遅延装置は前記第2の光ビームに相対的に前記第1の光ビームを遅延させる、請求項25記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  33. 前記所望の光出力信号を生成するために、前記第1の光ビームと調節された前記第2の光ビームとを結合する加算装置をさらに包含する、請求項32記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  34. 前記調節システムは、
    前記第2の光ビームの光路における調節可能な減衰器と、
    前記第1のエネルギ値に基づき検出信号を生成するセンサと、
    前記調節可能な減衰器を調節するために制御信号を生成するプロセッサとを包含する、請求項32記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  35. 前記第1の光ビームは前記第2の光ビームよりも時間的に早く生成される、請求項32記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  36. 前記第1のレーザ及び前記第2のレーザを制御する制御装置と、
    前記制御装置からの制御信号が前記第2のレーザによって受信される前に、該制御信号を受信して遅延させる遅延装置とをさらに包含する、請求項32記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  37. 前記光源は、
    第1のエネルギ値を有する第1のビームを生成する第1のレーザと、
    第2のエネルギ値を有する第2のビームを生成する第2のレーザとを包含する、請求項25記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  38. 前記第1のビームを第1の部分及び第2の部分に分岐させる、第1の光源に後置されているビームスプリッタと、
    前記第1のビームの第1の部分の光路及び前記第2のビームの光路に配置されている調節可能な減衰器と、
    前記所望の光出力信号を形成するために、前記第1のビームの第2の部分と調節された前記第2のビームとを結合する加算装置とをさらに包含し、
    前記調節可能な減衰器は前記第2のビームのエネルギ値を調節するために前記第1のエネルギ値に基づき調節されている、請求項37記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  39. 前記第1のレーザ及び前記第2のレーザを制御する制御装置と、
    前記制御装置からの制御信号が前記第2のレーザによって受信される前に、該制御信号を受信して遅延させる遅延装置とをさらに包含する、請求項37記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  40. 前記調節システムは受動的な調節システムである、請求項25記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  41. 前記調節システムは能動的な調節システムである、請求項25記載の照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム。
  42. 前記調節システムは受動的な調節システムである、請求項1記載の照明システム。
  43. 前記調節システムは能動的な調節システムである、請求項1記載の照明システム。
JP2004162317A 2003-05-29 2004-05-31 照明システム及び照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム Expired - Lifetime JP4117270B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/447,214 US6989920B2 (en) 2003-05-29 2003-05-29 System and method for dose control in a lithographic system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004356636A true JP2004356636A (ja) 2004-12-16
JP4117270B2 JP4117270B2 (ja) 2008-07-16

Family

ID=33451187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004162317A Expired - Lifetime JP4117270B2 (ja) 2003-05-29 2004-05-31 照明システム及び照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6989920B2 (ja)
JP (1) JP4117270B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258716A (ja) * 2006-03-21 2007-10-04 Asml Netherlands Bv 露光装置、放射供給及びデバイス製造方法
JP2010528462A (ja) * 2007-05-24 2010-08-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ドーズ量制御が可能な複数の光路を備えるレーザビーム調整システム

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6989920B2 (en) * 2003-05-29 2006-01-24 Asml Holding N.V. System and method for dose control in a lithographic system
US7061591B2 (en) * 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
US7023526B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
US6876440B1 (en) * 2003-09-30 2005-04-05 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region
US7410736B2 (en) * 2003-09-30 2008-08-12 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US7308185B2 (en) * 2004-12-13 2007-12-11 Asml Holding N.V. Ultra-thin high-precision glass optic
US7274502B2 (en) * 2004-12-22 2007-09-25 Asml Holding N.V. System, apparatus and method for maskless lithography that emulates binary, attenuating phase-shift and alternating phase-shift masks
US7916274B2 (en) * 2006-10-27 2011-03-29 Nikon Corporation Measurement of EUV intensity
NL1036048A1 (nl) 2007-10-15 2009-04-16 Asml Holding Nv Pulse to pulse energy equalization of light beam intensity.
US9716869B2 (en) * 2013-03-22 2017-07-25 Sony Corporation Image display apparatus and image display method
DE102014203041A1 (de) * 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
EP3968090A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-16 ASML Netherlands B.V. Radiation source arrangement and metrology device
US11835769B2 (en) * 2021-08-17 2023-12-05 Applied Materials Israel Ltd. Adjustable attenuation optical unit

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0246547A3 (de) * 1986-05-22 1990-06-13 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur optischen Bildverarbeitung
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
EP0527166B1 (de) 1990-05-02 1995-06-14 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Belichtungsvorrichtung
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
JP3311194B2 (ja) * 1995-02-24 2002-08-05 旭光学工業株式会社 光位相変調素子
US5530482A (en) 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
JP3799092B2 (ja) * 1995-12-29 2006-07-19 アジレント・テクノロジーズ・インク 光変調装置及びディスプレイ装置
WO1997034171A2 (en) 1996-02-28 1997-09-18 Johnson Kenneth C Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
JP4126096B2 (ja) 1997-01-29 2008-07-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置
US6177980B1 (en) 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
EP1066506B1 (en) * 1998-02-23 2010-04-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for synthesis of arrays of dna probes
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US5995688A (en) * 1998-06-01 1999-11-30 Lucent Technologies, Inc. Micro-opto-electromechanical devices and method therefor
US6163643A (en) * 1998-08-12 2000-12-19 Lucent Technologies Inc. Micro-mechanical variable optical attenuator
US6173105B1 (en) * 1998-11-20 2001-01-09 Lucent Technologies Optical attenuator
JP2000277413A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Canon Inc 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法
US6275320B1 (en) * 1999-09-27 2001-08-14 Jds Uniphase, Inc. MEMS variable optical attenuator
JP2001144004A (ja) * 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6811953B2 (en) 2000-05-22 2004-11-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice
US6545758B1 (en) * 2000-08-17 2003-04-08 Perry Sandstrom Microarray detector and synthesizer
US6567163B1 (en) * 2000-08-17 2003-05-20 Able Signal Company Llc Microarray detector and synthesizer
US6473237B2 (en) * 2000-11-14 2002-10-29 Ball Semiconductor, Inc. Point array maskless lithography
US6567217B1 (en) * 2001-11-06 2003-05-20 Eastman Kodak Company Image-forming system with enhanced gray levels
JP3563384B2 (ja) 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
US6707534B2 (en) * 2002-05-10 2004-03-16 Anvik Corporation Maskless conformable lithography
TWI298825B (en) 2002-06-12 2008-07-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6870554B2 (en) 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
US6989920B2 (en) 2003-05-29 2006-01-24 Asml Holding N.V. System and method for dose control in a lithographic system
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809954B1 (en) * 2003-07-02 2004-10-26 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for reducing access transistor gate oxide stress

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258716A (ja) * 2006-03-21 2007-10-04 Asml Netherlands Bv 露光装置、放射供給及びデバイス製造方法
JP2010528462A (ja) * 2007-05-24 2010-08-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ドーズ量制御が可能な複数の光路を備えるレーザビーム調整システム
JP2013061677A (ja) * 2007-05-24 2013-04-04 Asml Netherlands Bv ドーズ量制御が可能な複数の光路を備えるレーザビーム調整システム

Also Published As

Publication number Publication date
US20040239907A1 (en) 2004-12-02
US20050270613A1 (en) 2005-12-08
JP4117270B2 (ja) 2008-07-16
US7046413B2 (en) 2006-05-16
US6989920B2 (en) 2006-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7046413B2 (en) System and method for dose control in a lithographic system
KR100562804B1 (ko) 공간 광 변조기 배열을 사용하는 마스크리스 리소그래피시스템 및 방법
JP5079587B2 (ja) 対象上にグレースケールを形成する方法およびマスクレスリソグラフィシステム
KR100451026B1 (ko) 향상된 패턴 발생기
JP4237729B2 (ja) 空間光変調器アレイの空間像を計算する方法およびシステム
JP6989506B2 (ja) 膜または表面改質のために走査光ビームを使用する装置および方法
JP2004355006A (ja) 対象上にグレースケールパターンを形成するためのマスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィの間に対象上にグレースケールパターンを形成するための方法
JP4023541B2 (ja) リソグラフ用投影装置およびデバイス製造方法
JP2005338852A (ja) リソグラフィシステム
TWI640837B (zh) 使用光學投影之基板調整系統及方法
JP4176089B2 (ja) パターン発生器を照明するための照明システムおよび照明方法
US20070186207A1 (en) Method and apparatus for printing patterns with improved cd uniformity
JPH03179357A (ja) 露光制御装置、露光装置及び方法
JP2003121613A (ja) 光量調節装置および露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060914

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060915

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060919

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070612

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070903

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080408

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080421

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4117270

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140425

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250