JP4112445B2

JP4112445B2 - バンプ付基板の製造方法

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Publication number: JP4112445B2
Application number: JP2003199031A
Authority: JP
Inventors: 悟安藤; 浩幸安田
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2003-07-18
Filing date: 2003-07-18
Publication date: 2008-07-02
Anticipated expiration: 2023-07-18
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ付基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体パッケージの小型化は、リードフレームを使用するような従来のパッケージでは限界に近づいてきている。そのため、近年では回路基板上に半導体素子を実装するものとして、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）や、ＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅ）のようなエリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。
【０００３】
エリア実装型の半導体パッケージでは、基板の端子と半導体素子の電極との電気的接続方法として、ワイヤーボンディング方式やＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）方式、さらにはＦＣ（ＦｒｉｐＣｈｉｐ）方式などが採用されている。さらに、半導体パッケージの小型化に有利なＦＣ方式を用いた、ＢＧＡやＣＳＰの構造が盛んに提案されている。これに伴い、半導体パッケージに用いられる基板には、より高密度化、高信頼性が要求されている。このような基板の配線パターンを形成する方法として、銅箔をエッチングする方法（サブトラクティブ法）、電解メッキをする方法（アディティブ法）等があり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法が特に注目され始めている。
【０００４】
また、半導体素子と基板との接合方法は、半田バンプによるものが大多数であったが、配線密度の高密度化に伴い、スタッドバンプやメッキバンプ、バンプレス等による方法の検討が行われている。
スタッドバンプ、メッキバンプによる接合方法では、従来、半導体素子側にバンプを形成しており、この工程を行うことにより、生産性が悪くなり、製造コストが高くなるという問題点があった。（例えば、非特許文献１参照）
【０００５】
これに対して、基板側に半導体素子接続用のバンプを形成するという方法が提案されている（例えば、非特許文献１）。この方法は、基板を作製した後に、メッキレジストを形成し、半導体素子接続用の端子部のみにメッキを行い、バンプを形成するものである。
しかし、この方法を行うには、絶縁基材に現像液及びレジスト剥離液耐性が必要であり、使用することができる絶縁基材が限られてしまう。
【０００６】
さらに特許文献１には、金属板上にあらかじめ凹部または凸部を設けておき、少なくとも一部が前記凹部または凸部上に配置されるように配線パターンを形成し、配線基板上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に前記配線パターンを転写、固着することにより電子部品と電気的に接続するための凸部を有した回路基板を製造する方法が開示されている。この方法によれば半導体素子接続用バンプ付基板を製造できるが、基板に凸部を形成するために必要な金属板上への凹部もしくは、凸部の形成方法が記載されていない。
【０００７】
【非特許文献１】
電子技術１９９９―９ p.29―35
【特許文献１】
特開平９−１３９５６０公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、生産性に優れたバンプ付き基板の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１）バンプ付き基板を製造する方法であって、支持部材の片面の所定の位置に第１のめっきレジストを形成する工程と、前記支持部材の第１のめっきレジストが形成されている面にダミー層を形成する工程と、前記第１のめっきレジストを除去して前記支持部材まで貫通した第１の空隙部を形成する工程と、さらに第２のめっきレジストを形成する工程と、前記第２のめっきレジストを除去して前記支持部材まで貫通した前記第１の空隙部および前記ダミー層まで貫通した第２の空隙部を形成する工程と、前記第１の空隙部および第２の空隙部に金属めっきをする工程と、前記第２のめっきレジストを除去する工程と、前記ダミー層側から前記金属めっきを覆うように絶縁層を形成する工程と、前記支持部材とダミー層とを除去する工程とを有することを特徴とするバンプ付き基板の製造方法。
（２）前記支持部材の厚さは、２０〜１００μｍである上記（１）に記載のバンプ付き基板の製造方法。
（３）前記支持部材は、金属板である上記（１）または（２）に記載のバンプ付き基板の製造方法。
（４）前記金属板を構成する金属は、ニッケルである上記（３）に記載のバンプ付き基板の製造方法。
（５）前記ダミー層は、金属層である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載のバンプ付き基板の製造方法。
（６）前記金属層を構成する金属は、ニッケルである上記（５）に記載のバンプ付き基板の製造方法。
（７）前記支持部材を構成する金属と前記ダミー層を構成する金属とは、同種類のものである上記（３）ないし（６）のいずれかに記載のバンプ付き基板の製造方法。
（８）前記ダミー層の厚さは、１〜５０μｍである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載のバンプ付き基板の製造方法。
（９）前記金属めっきは、金、ニッケルおよび銅がこの順に構成されているものである上記（１）ないし（８）のいずれかに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のバンプ付き基板の製造方法について詳細に説明する。
本発明のバンプ付き基板の製造方法は、バンプ付き基板を製造する方法であって、支持部材の片面の所定の位置に第１のめっきレジストを形成する工程と、前記支持部材の第１のめっきレジストが形成されている面にダミー層を形成する工程と、前記第１のめっきレジストを除去して前記支持部材まで貫通した第１の空隙部を形成する工程と、さらに第２のめっきレジストを形成する工程と、前記第２のめっきレジストを除去して前記支持部材まで貫通した前記第１の空隙部および前記ダミー層まで貫通した第２の空隙部を形成する工程と、前記第１の空隙部および第２の空隙部に金属めっきをする工程と、前記第２のめっきレジストを除去する工程と、前記ダミー層側から前記金属めっきを覆うように絶縁層を形成する工程と、前記支持部材とダミー層とを除去する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１１】
以下、本発明のバンプ付き基板の製造方法について好適な実施の形態に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１〜図３は、本発明のバンプ付き基板１１の製造方法の実施形態を示す断面図である。
図３（ｂ）は、絶縁層１０にバンプが形成された回路部８と、回路部９とを有するバンプ付き基板１１を示す断面図である。
【００１２】
本発明のバンプ付き基板の製造方法では、ステップＡ（図１）として所定の空隙部６、７を有する支持部材１を形成する。
また、ステップＢ（図２）として、バンプが形成された回路部８と、回路部９とを形成する。
また、ステップＣ（図３）として、バンプが形成された回路部８と、回路部９に絶縁層１０を形成してバンプ付き基板１１を製造する。
以下、各ステップについて説明する。
【００１３】
まず、ステップＡについて説明する。
ステップＡでは、図１に示すように所定の空隙部６、７を有する支持部材１を形成する。
まず、支持部材１の片面（図１（ａ）中下側）に第１のめっきレジスト２で構成される層を形成する。
支持部材１は、最終的に除去可能であり、後述する工程に用いる溶剤等の耐性を有するものであれば、特に限定されない。支持部材１としては、例えば銅、銅系合金、ニッケル、４２合金等の金属板が挙げられ、これらは、エッチングにより除去が容易であるため好ましい。これらの中でもニッケルが特に好ましい。これにより、金をレジスト金属とする場合における金属拡散を防止することができる。
支持部材１の厚さは、特に限定されないが、２０〜１００μｍが好ましく、特に２５〜８０μｍが好ましい。厚さが前記下限未満であると第１のめっきレジスト２等の支持性が低下するため工程中でシワ等が発生し作業性が低下する場合があり、前記上限を超えると支持部材１を除去する工程が長くなり生産性が低下する場合がある。
【００１４】
第１のめっきレジスト２としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の感光性樹脂等が挙げられる。
第１のめっきレジスト２の厚さは、特に限定されないが、後述するダミー層３よりも厚いことが好ましい。具体的には、厚さ５〜１００μｍが好ましく、特に８〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、回路部の微細配線化に対応することができる。
【００１５】
次に、第１のめっきレジスト２を所定の方法により現像し、バンプが形成された回路部８を形成する部分以外の第１のめっきレジスト２を除去する（図１（ｂ））。
第１のめっきレジスト２として、例えば紫外線で感光するものを用いた場合、ネガフィルム等を用いて選択的に感光し、その後、現像することにより所定の部分（バンプが形成された回路部８を形成する部分）以外の第１のめっきレジスト２を除去する。
なお、ここで支持部材１の所定の位置にアライメントマークを形成しておくことが好ましい。具体的にはバンプが形成された回路部８以外のめっきレジスト２を除去する際に、アライメントマークとしてめっきレジスト２を残す方法等が挙げられる。
【００１６】
次に、支持部材１の第１のめっきレジスト２が形成されている面（図１（ｃ）下側）にダミー層３を形成する。
ダミー層３は、第１のめっきレジスト２部には形成されず、最終的に除去可能であり、かつ後述する工程に用いる溶剤等の耐性を有するものであれば、特に限定されない。ダミー層３としては、例えば銅、銅系合金、ニッケル、４２合金等の金属層が挙げられる。ダミー層３を構成する材料としては、特に限定されないが、支持部材１を構成する材料と同じものであることが好ましい。これにより、最終的にダミー層を除去する際の作業性を向上することができる。具体的には、ダミー層３は、ニッケルが特に好ましい。これにより、金をレジスト金属とする場合における金属拡散を防止することができる。
【００１７】
ダミー層３は、例えば以下のような方法で形成することができる。支持部材１を金属板とした場合、支持部材１を供給用電極（電解めっき用リード）として、ダミー層３を構成する金属材料を電解めっきにより形成できる。
【００１８】
ダミー層３の厚さは、特に限定されず、第１のめっきレジスト２の厚さ未満であれば良い。具体的には１〜５０μｍが好ましく、特に３〜１０μｍが好ましい。なお、ここでダミー層３の厚さは、最終的に形成されるバンプ部８１（チップ接続用バンプ）の高さと等しくなるものである。
したがって、厚さが前記下限未満であるとバンプの役割を果たすのが困難となる場合があり、前記上限値を超えるとチップ接続用端子部と他の回路部でメッキ後に高さの差ができ、絶縁層で平坦に埋め込むことが困難となる場合がある。
【００１９】
次に、第１のめっきレジスト２を除去して支持部材１まで貫通した第１の空隙部４を形成する（図１（ｄ））。
第１のめっきレジスト２を除去する方法としては、例えばアルカリ溶液や有機溶剤等により剥離する方法が挙げられる。
【００２０】
次に、さらにダミー層３を覆うように第２のめっきレジスト５をさらに形成する（図１（ｅ））。
第２のめっきレジスト５としては、例えば、アクリル、エポキシ、ポリイミド等の感光性樹脂等が挙げられる。
第２のめっきレジスト５の厚さは、特に限定されないが、後述する回路部８、９を形成するのに十分な厚さである必要がある。具体的には、５〜１００μｍが好ましく、１５〜３５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、微細な回路の形成に特に適している。
【００２１】
次に、第２のめっきレジスト５を除去して、支持部材１まで貫通した第１の空隙部６と、ダミー層３まで貫通した第２の空隙部７とを形成する（図１（ｆ））。
第２のめっきレジスト５として、例えば紫外線で感光するものを用いた場合、ネガフィルム等を用いて選択的に感光し、その後、現像することにより所定の部分（バンプが形成された回路部８および回路部９を形成する部分）以外の第２のめっきレジスト５を除去する。
【００２２】
次に、ステップＢについて説明する。
ステップＢでは、図２に示すようにバンプが形成された回路部８と回路部９とを形成する。
まず第１の空隙部６および第２の空隙部７に金属めっきをする（図２（ａ））。これにより、バンプが形成された回路部８と、回路部９とを形成することができる。
前記金属めっきを構成する金属としては、例えば金、ニッケル、銅、銅系合金、４２合金等が挙げられる。前記金属めっきは、支持部材１が金属板である場合、支持部材１を構成する金属と異なる金属であることが好ましい。これにより、エッチング処理により容易にバンプ付き基板を製造できるからである。
前記金属めっきを構成する金属は、特に限定されず、１種類の金属で構成されても良いが、支持部材１から金、ニッケル、銅の順で構成されることが好ましい。これにより、金（金めっき）はレジスト金属として作用することができる。ここで、金をレジスト金属とする理由は、支持部材1をエッチングする際に使用する薬液により、配線パターンが浸食・腐食されるのを防ぐためである。
また、ニッケル（ニッケルめっき）は、金パターンと後に形成する銅配線パターン間での、金―銅拡散を防ぐことができる。さらに銅（銅めっき）は、低抵抗で安定しているので良好な配線パターンとして作用する。
【００２３】
前記金属めっきを形成する方法としては、例えば支持部材１が金属である場合、支持部材１を電解メッキ用リード（給電用電極）として、支持部材1を構成する金属とは、異なる金属を電解メッキにより形成する方法等が挙げられる。
【００２４】
次に、第２のめっきレジスト５を除去する。第２のめっきレジスト５を除去する方法としては、例えばアルカリ溶液や有機溶剤等により剥離する方法が挙げられる。
【００２５】
次に、ステップＣについて説明する。
ステップＣでは、絶縁層１０にバンプが形成された回路部８と、回路部９とが形成されたバンプ付き基板１１を製造する（図３（ｂ））。
ダミー層３側（図３（ａ）下側）から前記金属めっきを覆うように絶縁層１０を形成する（図３（ａ））。
絶縁層１０を構成する樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、シアネート樹脂、さらにこれらの混合物等の樹脂が挙げられる。これらの中でもシアネート樹脂とポリイミドの混合物が好ましい。これにより、基板の耐熱性を向上することができる。
【００２６】
絶縁層１０の厚さは、特に限定されないが、１０〜１００μｍが好ましく、特に１５〜５０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に基板の薄膜化と回路の埋め込み性を両立させることができる。
【００２７】
絶縁層１０を形成する方法としては、例えば樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレス、熱プレス等したりする方法で積層する方法が挙げられる。
【００２８】
次に、支持部材１およびダミー層３を除去する（図３（ｂ））。これにより、バンプが形成された回路部８と、回路部９に絶縁層１０を形成してバンプ付き基板１１を得ることができる。すなわち、バンプを有する回路部８と、回路部９を同時に製造できる。
バンプの高さは、特に限定されないが、１〜５０μｍが好ましく、特に３〜１０μｍが好ましい。厚さが前記下限未満であるとバンプの役割を果たすのが困難となる場合があり、前記上限値を超えるとバンプが形成された回路部８と、回路部９でメッキ高さに差ができ、絶縁層１０側の平坦性が低下する場合がある。
【００２９】
支持部材１およびダミー層３を除去する方法としては、例えばエッチングする方法等が挙げられる。これにより、支持部材１およびダミー層３を容易に除去することができ、バンプ付き基板１１を容易に製造することができる。また、絶縁層１０にめっき液耐性等の制限等を必要とせずに、バンプ付き基板を製造できる。
【００３０】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【実施例】
（実施例１）
▲１▼所定の空隙部を有する支持部材の形成
支持部材として電解ニッケル箔（福田金属箔粉工業製、ＮＩＦ−ＭＴ−５０、厚さ５０μｍ）をニッケル粗化液(メック製、ＮＲ−１８７０：商品名)を用いて表面処理し、ネガタイプのドライフィルムレジスト（ＪＳＲ製、ＦＤＲ−２５００）をロールラミネートした。次に、所定のガラスマスクを用いて露光を行い、現像液(三菱ガス化学製、ＥＦ１０５Ａ)を用いて現像して、半導体素子の接続用端子が形成される部分および再びめっきレジストを形成するために使用するアライメントマークとなる部分のみにレジストが形成された第１のめっきレジストを形成した。
そして、電解ニッケル箔を電解メッキ用リードとして、ダミー層（ニッケル層）を電解メッキにより電流密度２．０Ａ／ｄｍ²で５μｍ形成した。
次に、レジスト剥離液(三菱ガス化学製、Ｒ−１００)を用いて第１のめっきレジストを除去し、第２のめっきレジストとして再度ネガタイプのドライフィルムレジスト（ＪＳＲ製、ＦＤＲ−２５００）をロールラミネートした。そして、所定のガラスマスクを用いて半導体素子接続用端子部の位置が合うように露光を行い、現像液(三菱ガス化学製、ＥＦ１０５Ａ)を用いて現像して、前記支持部材まで貫通した第１の空隙部およびダミー層まで貫通した第２の空隙部を形成して、所定の空隙部を有する支持部材を得た。
【００３１】
▲２▼バンプが形成された回路部８と回路部９の形成
次に、前記第１の空隙部および第２の空隙部に電解ニッケル箔を電解メッキ用リードとして、金を電解メッキにより電流密度０．５Ａ／ｄｍ²で１μｍ形成し、次に、バリア層としてニッケルを電解メッキにより電流密度２．０Ａ／ｄｍ²で１μｍ形成し、さらに電流密度３．０Ａ／ｄｍ²で電解銅メッキすることにより、回路部（配線パターン）を形成した。回路部（配線パターン）は、線幅／線間／厚み＝２０μｍ／２０μｍ／7μｍとした。次に、レジスト剥離液(三菱ガス化学製、Ｒ−１００)を用いてレジストを除去して、バンプが形成された回路部８と回路部９とを形成した。
【００３２】
▲３▼バンプ付き基板の製造
次に、銅粗化液(旭電化工業製、ＳＯ−Ｇ)を用いて回路部（銅配線パターン）を粗化した後、絶縁層としてシリコーン変性ポリイミドフィルムを真空プレスにより配線パターンの凹凸を埋め込みながら成形し、５０μｍ厚さの絶縁層を形成した。この時の真空プレスの条件は、１４０℃、３．９７ＭＰａであった。最後にニッケルエッチング液(メック製、ＮＨ−１８６２)を用いて支持部材およびダミー層を除去して、半導体素子接続用の端子部に高さ５μｍのバンプが形成されたバンプ付基板を得た。
【００３３】
（実施例２）
支持部材として以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
支持部材として厚さ９０μｍの電解ニッケル箔を用いた。
【００３４】
（実施例３）
支持部材として以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
支持部材として厚さ２０μｍの電解ニッケル箔を用いた。
【００３５】
（実施例４）
ダミー層の厚さを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
電解ニッケル箔を電解メッキ用リードとして、４５μｍの厚さのダミー層（ニッケル層）を電解メッキにより電流密度２．０Ａ／ｄｍ²で形成して、最終的に高さ４５μｍのバンプを有する回路部が形成されたバンプ付基板を得た。
【００３６】
（実施例５）
ダミー層の厚さを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
電解ニッケル箔を電解メッキ用リードとして、１μｍの厚さのダミー層（ニッケル層）を電解メッキにより電流密度２．０Ａ／ｄｍ²で形成して、最終的に高さ１μｍのバンプを有する回路部が形成されたバンプ付基板を得た。
【００３７】
（実施例６）
支持部材およびダミー層として以下のものを用い、回路メッキの際、金メッキを行う前に以下の条件でニッケルメッキを行った以外は、実施例１と同様にした。
支持部材として電解銅箔（三井金属製、３ＥＣ−ＶＬＰ、厚さ７０μｍ）を銅粗化液(旭電化工業製、ＳＯ−Ｇ)を用いて表面処理して用いた。
ダミー層として電解銅箔を電解メッキ用リードとして、ダミー層（銅層）を電解メッキにより電流密度３．０Ａ／ｄｍ²で５μｍ形成した。
金メッキの前にニッケルメッキを電解メッキにより電流密度２．０Ａ／ｄｍ²で１μｍ形成した。
最後に銅エッチング液を用いて支持部材およびダミー層を除去して、半導体素子接続用の端子部に高さ４μｍのバンプが形成されたバンプ付基板を得た。
【００３８】
（実施例７）
ダミー層として以下のものを用いて支持部材とダミー層とを構成する金属を変え、回路メッキの際、金メッキを行う前に以下の条件でニッケルメッキを行った以外は、実施例１と同様にした。
電解ニッケル箔を電解メッキ用リードとして、ダミー層（銅層）を電解メッキにより電流密度３．０Ａ／ｄｍ²で５μｍ形成した。
金メッキの前にニッケルメッキを電解メッキにより電流密度２．０Ａ／ｄｍ²で１μｍ形成した。
最後にニッケルおよび銅エッチング液を用いて支持部材およびダミー層を除去して、半導体素子接続用の端子部に高さ３μｍのバンプが形成されたバンプ付基板を得た。
【００３９】
（比較例１）
▲１▼所定の空隙部を有する支持部材の形成
支持部材として電解ニッケル箔（福田金属箔粉工業製、ＮＩＦ−ＭＴ−５０、厚さ５０μｍ）をニッケル粗化液(メック製、ＮＲ−１８７０)を用いて表面処理し、ネガタイプのドライフィルムレジスト（ＪＳＲ製、ＦＤＲ−２５００）をロールラミネートした。次に、所定のガラスマスクを用いて露光を行い、現像液(三菱ガス化学製、ＥＦ１０５Ａ)を用いて現像して、前記支持部材まで貫通した空隙部を形成して、所定の空隙部を有する支持部材を得た。
【００４０】
▲２▼回路部の形成
次に、前記空隙部に電解ニッケル箔を電解メッキ用リードとして、金を電解メッキにより電流密度０．５Ａ／ｄｍ²で１μｍ形成し、次に、バリア層としてニッケルを電解メッキにより電流密度２．０Ａ／ｄｍ²で１μｍ形成し、さらに電流密度３．０Ａ／ｄｍ²で電解銅メッキすることにより、回路部（配線パターン）を形成した。回路部（配線パターン）は、線幅／線間／厚み＝２０μｍ／２０μｍ／7μｍとした。次に、レジスト剥離液(三菱ガス化学製、Ｒ−１００)を用いてレジストを除去して、回路部と再びメッキレジストを形成する際に使用するアライメントマークを形成した。
【００４１】
▲３▼平坦な基板の製造
次に、銅粗化液(旭電化工業製、ＳＯ−Ｇ)を用いて回路部（銅配線パターン）を粗化した後、絶縁層としてシリコーン変性ポリイミドフィルムを真空プレスにより配線パターンの凹凸を埋め込みながら成形し、５０μｍ厚さの絶縁層を形成した。この時の真空プレスの条件は、１４０℃、３．９７ＭＰａであった。次にニッケルエッチング液(メック製、ＮＨ−１８６２)を用いて支持部材を除去して、回路面と樹脂面が平坦な基板を得た。
【００４２】
▲４▼バンプ付き基板の製造
次に、前記平坦な基板の回路部が露出している面にスパッタリングにより０．１μmのニッケル層を形成し、第２のめっきレジストとして再度ネガタイプのドライフィルムレジスト（ＪＳＲ製、ＦＤＲ−２５００）をロールラミネートした。そして、所定のガラスマスクを用いて半導体素子接続用端子部の位置が合うように露光を行い、現像液(三菱ガス化学製、ＥＦ１０５Ａ)を用いて現像して、半導体素子接続用端子部のみに空隙部を形成した。
次に、ニッケル層を電解メッキ用リードとして、金を電解メッキにより電流密度０．５Ａ／ｄｍ²で５μｍ形成し、レジスト剥離液(三菱ガス化学製、Ｒ−１００)を用いてレジストを除去して、ニッケルエッチング液(メック製、ＮＨ−１８６２)を用いて、半導体素子接続用端子部以外のニッケル層を除去して、半導体素子接続用の端子部に高さ５μｍのバンプが形成されたバンプ付基板を得た。
【００４３】
各実施例および比較例で得られたバンプ付き基板について以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
▲１▼生産性
バンプ付き基板の生産性を、比較例１で得られたバンプ付き基板の生産するのに必要な工程数を基準（１００）として評価した。
【００４４】
▲２▼導通試験
バンプ付基板の導通割合を、メッキバンプ無し半導体素子と異方導電性フィルム(住友ベークライト製、ＳＺＦ−３０２０)を用いてFCボンダー(澁谷工業製、ＤＢ２０００)で１８０℃、１０秒の条件で接合評価を行ったところ、５０箇所ある基板の端子と、半導体素子の電極との導通試験を行い、評価した。
【００４５】
【表１】

【００４６】
表１から明らかなように、実施例１〜７は、バンプ付き基板の生産性に優れていた。
また、実施例１〜７のバンプ付き基板は、半導体装置に用いた場合でも優れた導通性を示した。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、生産性に優れたバンプ付き基板の製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば均一なバンプ高さを有するバンプ付き基板を製造することができる。
また、本発明によればバンプ付き配線部（回路部）と、バンプを有しない回路部とを同時に製造することができる。
また、本発明によればバンプ（突起電極）の高さの制御が容易となる。
また、本発明によれば絶縁基材に耐現像液性および耐レジスト剥離液性が要求されず、絶縁基材を構成する樹脂の選択範囲を広げることができる。
また、本発明によれば優れた導通性を有するバンプ付き基板を得ることができる。
また、本発明によれば半導体素子接続用端子部以外のところに金属板と同種の金属層を設けることにより、半導体素子へのバンプ形成を必要としないバンプ付基板を製造することができる。
さらに、半導体素子接続用端子部に１〜１０μｍの均一な高さのバンプが形成されたバンプ付基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のバンプ付き基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明のバンプ付き基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明のバンプ付き基板の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１支持部材
２第１のめっきレジスト
３ダミー層
４第１の空隙部
５第２のめっきレジスト
７第２の空隙部
８バンプが形成された回路部
９回路部
１０絶縁層
１１バンプ付き基板

Claims

バンプ付き基板を製造する方法であって、
支持部材の片面の所定の位置に第１のめっきレジストを形成する工程と、
前記支持部材の第１のめっきレジストが形成されている面にダミー層を形成する工程と、
前記第１のめっきレジストを除去して前記支持部材まで貫通した第１の空隙部を形成する工程と、
さらに第２のめっきレジストを形成する工程と、
前記第２のめっきレジストを除去して前記支持部材まで貫通した前記第１の空隙部および前記ダミー層まで貫通した第２の空隙部を形成する工程と、
前記第１の空隙部および第２の空隙部に金属めっきをする工程と、
前記第２のめっきレジストを除去する工程と、
前記ダミー層側から前記金属めっきを覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記支持部材とダミー層とを除去する工程とを有することを特徴とするバンプ付き基板の製造方法。
前記支持部材の厚さは、２０〜１００μｍである請求項１に記載のバンプ付き基板の製造方法。
前記支持部材は、金属板である請求項１または２に記載のバンプ付き基板の製造方法。
前記金属板を構成する金属は、ニッケルである請求項３に記載のバンプ付き基板の製造方法。
前記ダミー層は、金属層である請求項１ないし４のいずれかに記載のバンプ付き基板の製造方法。
前記金属層を構成する金属は、ニッケルである請求項５に記載のバンプ付き基板の製造方法。
前記支持部材を構成する金属と前記ダミー層を構成する金属とは、同種類のものである請求項３ないし６のいずれかに記載のバンプ付き基板の製造方法。
前記ダミー層の厚さは、１〜５０μｍである請求項１ないし７のいずれかに記載のバンプ付き基板の製造方法。
前記金属めっきは、金、ニッケルおよび銅がこの順に構成されているものである請求項１ないし８のいずれかに記載のバンプ付き基板の製造方法。