JP4107000B2 - 電子写真感光体の製造方法及びそれにより製造された電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法並びにプロセスカートリッジ - Google Patents

電子写真感光体の製造方法及びそれにより製造された電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法並びにプロセスカートリッジ Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大気圧プラズマ放電処理により導電性支持体上の有機光導電層上に保護層を形成する新規な電子写真感光体の製造方法、この方法で製造した電子写真感光体、これを用いた画像形成方法、画像形成装置並びにプロセスカートリッジに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子写真画像形成装置において、有機光導電性物質を含有する電荷発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体が最も広く用いられている。有機光導電性物質は可視光から赤外光まで各種の露光光源に対応した材料を開発し易いこと、環境汚染の少ない材料を選択出来ること、製造コストが安いことなど、他の感光体に対して有利な点が多くある反面、機械的強度が低く、多数枚プリントした時の感光面の摩耗等の感光体表面の劣化や傷が発生し易いなど、耐久性が劣っていた。
【0003】
上記のような欠点を改良して、これらの特性を満たすため、これまで様々な検討がなされて来た。
【0004】
上記のような有機光導電性物質の耐久性を向上させるための課題として、クリーニングブレードや紙との接触及び剥離等により摩擦や傷を改良することが強く求められて来た。そのためのアプローチの一つとして、感光体の表面に高い強度を有する保護層を設ける技術が検討されて来た。
【0005】
一方、電子写真の画像形成装置において、感光体の交換に際し、高電圧による交換時の危険性、トナーによる汚れ、品質の不安定等多くの問題があったが、近年感光体を組み込み容易に交換出来るプロセスカートリッジ化が進み、これらの課題は解決されるようになった。しかし、電子写真画像形成プロセスにおいて、帯電方式は感光体と帯電極とが非接触のコロナ帯電方式が主流であったが、感光体の交換が容易なプロセスカートリッジ方式となり、画像形成装置のコンパクト化と排出オゾン量の低減などに有利なローラやブラシなどを用いた接触型の帯電方式が主流になり、このような面からも感光体表面が摩耗し易く、また傷が付き易くなるという新たな問題が付加されるようになった。その結果、プロセスカートリッジの交換頻度が多くなり、使用者のコストアップになるばかりでなく、使用済みのプロセスカートリッジの廃棄が環境に影響を及ぼすことも考えられ、プロセスカートリッジの寿命を長くするという新たな課題がクローズアップして来た。カートリッジの寿命を長くするには、感光体の安定性、特に耐摩耗性が重要であり、交換までの期間の長いプロセスカートリッジが求められていた。
【0006】
このような高い強度を有する保護層は、有機光導電層の上に塗布に代表される湿式製膜法により金属酸化物を含有する層が形成され、あるいはスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空系での乾式製膜法により金属薄膜や金属酸化物薄膜が形成されていた。湿式製膜法は、生産性が高い点有利であるが、塗布液中の物質が、乾燥後に塗布層中に金属酸化物や硬化性樹脂の未反応物質として残り易く、経時により塗布層が劣化したり、変性し易い。例えば、特開平6−118681号公報には電子写真感光体の表面層として、コロイダルシリカ含有硬化性シロキサン樹脂を用いることが記載されているが、硬化性シロキサン樹脂は未反応のシラノール基やコロイダルシリカが水分子や活性ガスの吸着サイトとなり、高温高湿下での画像流れを引き起こす等問題が多い。また、有機光導電層の劣化防止のために、塗布層の硬化温度を150℃以下にする必要があるが、この温度範囲では高密度の緻密で強固な塗布層が得にくくなるという欠点を生じた。一方、真空中での乾式製膜法については、セレン感光層の上にアモルファスシリコン等をプラズマCVD法や光CVD法で積層する方法が特開昭57−179859号及び同59−58437号公報に開示されており、また、グロー放電により非晶質炭化水素膜を保護膜として設ける方法として特開昭63−220166号公報などを挙げることが出来る。プラズマCVD法、グロー放電分解法あるいは光CVD法により有機光導電層の上に水素を含有するダイヤモンド状カーボンをもしくは非晶質カーボン構造を有する層を順次積層し硬度の高い表面保護層を形成する真空の技術が特開平9−101625号公報に開示されている。このような乾式製膜法に用いる真空装置は、基材を多量にすればするほど装置が大型化するし、値段も高額になり、更にバッチ生産になるため、真空にするにも排気するにも膨大に時間を費やし、生産性が極端に低下し、デメリットが大きい。その結果、本来の金属酸化物薄膜や金属化合物薄膜に期待されるような高い強度を有する薄膜表面が得にくく、または硬度が高すぎたり、薄膜が不均一になり、しかも表面の摩擦係数が増大するなどの不具合が多く存在していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明の第1の目的は、少なくとも導電性層、有機光導電層を有する電子写真感光体の表面が、高度な硬度及び耐摩耗性を有し、プリントの画像品質を長期にわたり維持出来る耐久性を有し、プリント時のクリーニングブレードとの摩擦係数が小さく、クリーニング性能に優れ、更に高湿環境においても鮮明な画像を得ることが出来る電子写真感光体の製造方法及びその方法で作製された電子写真感光体を提供すること、また、第2の目的は、上記高品質のコピーを長期間にわたって得ることの出来る画像形成装置、及び画像形成装置から脱着可能で、交換サイクルの長いプロセスカートリッジを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は下記の構成よりなる。
【0009】
(1) 導電性支持体の上に少なくとも有機光導電層を形成し、該有機光導電層上に保護層を形成する電子写真感光体の製造方法において、印加電極とアース電極で構成される対向電極の電極間を、大気圧もしくはその近傍の圧力として反応性ガス及び希ガスまたは窒素ガスを含有する反応ガスを導入し、該電極間に高周波電圧を印加して放電させることによって反応ガスをプラズマ状態とし、該有機光導電層面を該プラズマ状態の反応ガスにさらすことによって保護層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【0010】
(2) 該有機光導電層面を、電極間外でプラズマ状態の反応ガスにさらすことによって、前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする(1)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0011】
(3) 前記有機光導電層面を、電極間においてプラズマ状態の反応ガスにさらすことによって、前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする(1)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0012】
(4) 前記導電性支持体がシート状またはフィルム状であって、該導電性支持体を移送させながら前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする(1)乃至(3)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0013】
(5) 前記導電性支持体が、外周面に導電性層を有する円筒形状であり、該導電性支持体を円筒の円周方向に回転させながら前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする(1)または(2)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0014】
(6) 前記対向電極が、印加電極及びアース電極の平行する2個の平板固定電極であることを特徴とする(1)乃至(5)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0015】
(7) 前記アース電極をロール状回転電極とし、該ロール状回転電極の外周面より大きい同心円の円弧上に電極面が連続または不連続に配置された固定電極を印加電極として、シート状またはフィルム状の導電性支持体を該ロール状回転電極に密着して巻き回しながら前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする(1)、(3)または(4)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0016】
(8) 前記対向電極の少なくとも一方の電極が、少なくとも金属母材とその上に被覆した誘電体で構成されているものであることを特徴とする(1)乃至(7)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0017】
(9) 前記アース電極がシート状またはフィルム状の導電性支持体を電極としたシート状またはフィルム状の導電性支持体電極であり、該導電性支持体電極と印加電極の対向電極間で前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする(1)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0018】
(10) 前記印加電極が平板固定電極であって、該平板固定電極と、該平板固定電極面と平行に移動するシート状またはフィルム状の導電性支持体電極の対向電極間で保護膜を形成することを特徴とする(9)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0019】
(11) 前記印加電極が絶縁性ロール状回転体の外周面より大きい同心円の円弧上に電極面を有する連続または不連続に配置された固定電極であり、該固定電極と、該絶縁性ロール状回転体に巻き回しながら移動する前記導電性支持体電極との対向電極間で、前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする(9)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0020】
(12) 前記アース電極が、外周面に導電性層を有する円筒状の導電性支持体を電極とする円筒状の導電性支持体電極であり、該円筒状の導電性支持体電極と印加電極の対向電極間で前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする()に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0021】
(13) 前記印加電極が、該円筒状の導電性支持体電極の外周より大きい同心円の円周上または円弧上に電極面が連続または不連続に配置された固定電極であり、該円筒状の導電性支持体電極と固定電極の対向電極間で前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする(12)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0022】
(14) 前記固定電極が凹面を有する凹面状固定電極であることを特徴とする(7)、(11)または(13)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0023】
(15) 前記固定電極が、複数のパイプ状電極からなる電極群であることを特徴とする(7)、(11)または(13)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0024】
(16) 前記固定電極が、筒抜けの円筒状電極であることを特徴とする(13)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0025】
(17) 前記円筒状の導電性支持体を回転させながら前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする(12)乃至(16)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0026】
(18) 外周面に導電性層を有する円筒状の導電性支持体の該導電性層の上に少なくとも有機光導電層を形成し、該円筒状の導電性支持体をアース電極としての導電性支持体電極とし、該円筒状の導電性支持体電極を円周方向に回転させ、且つ該円筒状の導電性支持体電極の円筒の軸方向、または円筒の軸に直角方向に、印加電極に沿って移動させながら、該有機光導電層上に保護層を形成する電子写真感光体の製造方法において、回転し且つ移動する複数の円筒状の導電性支持体電極と印加電極との対向電極間で、大気圧もしくはその近傍の圧力下、該電極間に高周波電圧を印加して放電させることにより該電極間に導入した反応性ガス及び希ガスまたは窒素ガスを含有する反応ガスをプラズマ状態とし、該有機光導電層面を該プラズマ状態の反応ガスにさらすことによって、保護層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【0027】
(19) 前記印加電極を平板固定電極とし、該平板固定電極面に平行に沿って、円周方向に回転しながら円筒の軸と直角の方向に連続的に移動する複数の円筒状の導電性支持体電極と、該平板固定電極との対向電極間で前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする(18)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0028】
(20) 前記印加電極を前記円筒状の導電性支持体電極の外周より大きい同心円の円弧上にある樋状の凹面を有する凹面状固定電極とし、該凹面状固定電極と、該凹面状固定電極の樋状の凹面に沿って、円周方向に回転しながら且つ軸方向に連続して移動する複数の円筒状の導電性支持体電極とで対向電極を構成し、該対向電極間で前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする(18)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0029】
(21) 前記印加電極を前記円筒状の導電性支持体電極の外周より大きい同心円の筒抜けの円筒状電極とし、該円筒状電極と、該円筒状電極の中を円周方向に回転しながら且つ軸方向に連続して移動する複数の円筒状の導電性支持体電極とで対向電極を構成し、該対向電極間で前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする(18)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0030】
(22) 前記筒抜けの円筒状電極が、前記円筒状の導電性支持体電極の外側を円周方向に回転することを特徴とする(21)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0031】
(23) 前記印加電極を円筒状の導電性支持体電極の外周より大きい同心円に配置された複数のパイプ状電極で構成されるパイプ状電極群とし、該パイプ状電極群の内側を該円筒状の導電性支持体電極が円周方向に回転しながら且つ軸方向に連続的に移動する複数の円筒状の導電性支持体電極とで対向電極を構成し、該対向電極間で前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする(18)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0032】
(24) 前記パイプ状電極群が前記円筒状の導電性支持体電極の外側を円周方向に回転することを特徴とする(23)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0033】
(25) 前記印加電極が、少なくとも金属母材とその上に被覆した誘電体で構成されていることを特徴とする(9)乃至(24)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0034】
(26) 前記誘電体が6〜45の比誘電率の無機物であることを特徴とする(8)または(25)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0035】
(27) 前記高周波電圧が連続したサイン波であることを特徴とする(1)乃至(26)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0036】
(28) 前記高周波電圧を100kHzを超えた電圧とし、且つその時供給する電力を1W/cm2以上とすることを特徴とする(1)乃至(27)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0037】
(29) 前記反応ガスが90.0〜99.9体積%の希ガスまたは窒素ガスを含有していることを特徴とする(1)乃至(28)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0038】
(30) 前記反応性ガスが、金属化合物、有機金属化合物、有機化合物、酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選ばれる少なくとも一つを有することを特徴とする(1)乃至(29)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0039】
(31) 前記反応ガスが、酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選ばれる反応性ガスを0.01〜5体積%含有していることを特徴とする(1)乃至(30)の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0040】
(32) 前記有機金属化合物がアルコキシド基、アルキル基、β−ケトン基、アルキルカボキシ基が金属に結合した化合物であることを特徴とする(30)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0041】
(33) 前記金属化合物がハロゲン原子、窒素原子、ホウ素原子から選ばれ少なくとも一つが結合したものであることを特徴とする(30)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0042】
(34) 前記有機金属化合物または前記金属化合物の金属が、Al、Si、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、In、Sn、Wから選ばれるものであることを特徴とする(30)、(32)または(33)に記載の電子写真感光体の製造方法。
【0043】
(35) (1)乃至(34)に記載の方法により金属酸化物を主成分とする保護層が形成されたことを特徴とする電子写真感光体。
【0044】
(36) 保護層が炭素含有率0.2〜5質量%の炭素を含有していることを特徴とする(35)に記載の電子写真感光体。
【0045】
(37) 前記炭素含有率が0.3〜3質量%であることを特徴とする(36)に記載の電子写真感光体。
【0046】
(38) 前記保護層が10〜10,000nmの厚さを有することを特徴とする(35)乃至(37)の何れか1項に記載の電子写真感光体。
【0047】
(39) (35)乃至(38)の何れか1項に記載の電子写真感光体を用いて、少なくとも帯電、像露光、現像、ブレードクリーニングの各工程を経て画像を形成することを特徴とする画像形成方法。
【0048】
(40) (35)乃至(38)の何れか1項に記載の電子写真感光体を用いて、少なくとも帯電、像露光、現像、ブレードクリーニングの各手段を経て画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【0049】
(41) 電子写真感光体を有し、且つ少なくとも帯電、像露光、現像、ブレードクリーニングの各手段を有する画像形成装置に使用するプロセスカートリッジにおいて、(35)乃至(38)の何れか1項に記載の電子写真感光体と、帯電器、像露光器、現像器及びクリーニング器から選ばれる少なくとも一つと一体に組み合わさっており、且つ画像形成装置に脱着自在に設計されていることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【0050】
本発明を詳述する。
本発明は、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する電極間において高周波電圧を印加し、そこに導入された反応性ガスと希ガスまたは窒素ガスを含有する反応ガスをプラズマ状態にしたガスに処理すべき基材表面をさらすことによって、基材表面に薄膜を形成させる大気圧プラズマ放電処理方法(本発明において、このように表現することにする)を用いて、上記基材が導電性層を有し、その上に有機光導電層を有する電子写真感光体の導電性支持体に保護層を形成した電子写真感光体及びその製造方法に関する。またこの製造方法で製造した電子写真感光体を用いた画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジに関する。
【0051】
なお、以降の本発明において、保護層を薄膜という場合があり、本来薄膜を形成する装置または方法であるため、このような渾然とした使い方となるが、特に使い分けない限り保護層と薄膜は同義とする。
【0052】
本発明において、対向電極間で発生するプラズマ状態の反応ガスに、被薄膜形成体としての電子写真感光体の導電性支持体(詳しくは、導電性支持体の上にある後述の有機光導電層であるが、単に導電性支持体とする場合がある)をさらすことによって、該導電性支持体上に保護層を形成させる方法の他に、対向電極の一方が被薄膜成基材の電子写真感光体の導電性支持体それ自体が電極の役目を担いながら該対向電極間で発生するプラズマ状態の反応ガスに該導電性支持体をさらすことによって、該導電性支持体上に保護層を形成させる方法が本発明の特徴の一つとなっている。
【0053】
本発明において、有機光導電層とは電子写真感光体の構成には必要不可欠な電荷発生機能及び電荷輸送機能の少なくとも一方の機能を有機化合物に持たせて構成された電子写真感光体を意味し、公知の有機電荷発生物質または有機電荷輸送物質から構成された感光体、電荷発生機能と電荷輸送機能を高分子錯体で構成した感光体等公知の有機電子写真感光体を全て包含する。
【0054】
本発明に使用する電子写真感光体の有機光導電層に用いられる有機光導電性化合物としては、例えば、特開2000−305291に記載されている化合物を挙げることが出来、何れも本発明において有用である。
【0055】
電子写真感光体の導電性支持体の上の有機光導電層には、電荷発生機能を有する有機光導電性化合物と電荷輸送機能を有する有機光導電性化合物を1層の中に混合物の層とする場合と、性質の異なる有機光導電層を別々に電荷発生層と電荷輸送層に分けた積層とする場合とがある。本発明においては、何れの場合にも「導電性支持体の上に有機光導電層を有する」というように、電荷発生層と電荷輸送層を分けずに単に有機光導電層という言葉で表現し説明することとする。また有機光導電層を省略して「導電性支持体上に保護層を設ける」というような言葉の使い方をする場合があることを断って置く。
【0056】
本発明において、電子写真感光体に使用される導電性を有する導電性支持体としては、そのものが導電体であるもの、あるいは、絶縁体の表面に導電層を有しているものとがある。例えば前者では、アルミニウム、鉄、ステンレススティール、銅、チタン、ニッケル等の金属あるいはそれらの合金製の導電性支持体、また後者では、ポリエステル(例えばポリエチレンテレフタレート、略してPET)、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラス、紙等の絶縁性基材上に、アルミニウム、銀、金等の金属、酸化インジウムあるいは酸化錫等を蒸着した導電性支持体を挙げることが出来る。
【0057】
本発明における有機光導電層を有する電子写真感光体には、大まかに言って2通りの形態がある。その一つは、表面に導電層を有している円筒状の導電性支持体の上に有機光導電層を有するものと、他の一つは表面に導電層を有している絶縁性のプラスティックフィルム状またはシート状の導電性支持体の上に有機光導電層を有するものとがある。前者は円筒形の電子写真感光体自体がロール状(あるいは、シリンダー状、ドラム状)で回転する方式で、本発明においては円筒状の導電性支持体といい、回転することによりエンドレスに画像を形成するのに必要な円筒状の支持体を意味し、その真直度として0.1mm以下、振れ0.1mm以下の範囲にある導電性支持体が好ましい。この真直度及び振れの範囲を超えると良好な画像形成が困難になる。
【0058】
また、後者は、ベルト型の電子写真感光体として、二つのロール間に張られたエンドレスベルトとして回転する方式である。また、板状であってもよい。
【0059】
いずれもエンドレスに連続して帯電、露光、現像、転写、クリーニングの電子写真の各プロセスが繰り返されるようになっている。
【0060】
本発明において、円筒状の導電性支持体は、上記のように円筒自体が導電性のものであっても、また絶縁体の樹脂製の表面が導電性のものであってもよい。前者の場合は金属製の円筒状支持体であってもよく、また後者の場合、絶縁性の樹脂円筒の表面に導電性の層を有しているか、または金属製の筒で覆われていてもよい。
【0061】
次に、本発明に係る大気圧プラズマ放電処理装置及び薄膜形成方法について説明する。
【0062】
本発明に係る大気圧プラズマ放電処理方法は、従来のCVD法(化学蒸着法:Chemical Vapor Deposition法)のような常圧で高温(例えば1,000℃)において基材表面に薄膜を析出させる方法のように超高温状態での処理はプラスティック支持体や有機光導電性物質を傷められ使用に耐えられない程、燃焼、破損してしまう方法ではなく、また、PVD法(Phisical Vapor Deposition法)である真空蒸着やスパッタは系内を高真空にしその中でプラズマ放電処理するバッチ式で、高真空下のため高密度のプラズマ放電が得にくいばかりでなく、バッチ式に起因する真空にしたり常圧に戻したりする生産形態が不連続で、特に高真空にするには非常に長い時間がかかり、品質としてはある程度満足するものが得られるものの、生産性が悪く、大量処理が出来ないことなどの課題が多い。また、プラズマCVD法、グロー放電分解法、光CVD法においては、超高温に比べ比較的低温で電子写真感光体上に保護層(前出の特開平9−101625号公報)の薄膜が形成されるものの薄膜形成物質の密度が低く、耐傷性、耐すり傷性、耐摩耗性、耐高温高湿性等、本発明者が求める薄膜レベルに達せず、満足するものには至らなかった。これらに対して、本発明に係る大気圧プラズマ放電処理方法は、放電温度がより低いにも拘わらず、効率的にプラズマを発生し易く、被処理体の導電性支持体や有機光導電層が破壊されず、しかも連続的に処理が出来、且つ本発明者が求める緻密で強固な良質な保護層を有機光導電層の上に形成することが出来る。更に、製造が容易で、大量生産に適し、生産性が優れていることなど、優位な製造方法であるといえる。
【0063】
本発明において、大気圧もしくはその近傍の圧力下でのプラズマ放電処理における大気圧もしくはその近傍の圧力とは、20〜200kPaの圧力を表すが、本発明に記載の効果を好ましく得るためには90〜110kPa、特に93〜104kPaが好ましい。
【0064】
本発明に用いられる大気圧プラズマ放電処理方法は、特開2000−185362、同2000−147209、同2000−121804、同2000−072903、特願2001−175475、同2001−131663等に記載されているように、対向する電極間においてプラズマ放電を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応性ガス及び希ガスまたは窒素ガスを含有する反応ガスを存在させて発生させて反応ガスをプラズマ状態とし、該プラズマ状態の反応ガスに基材の表面をさらし、求める物質層を形成させる処理方法である。本発明において、基材なる語は、導電性支持体または導電性支持体の上にある有機光導電層を意味し、元来被薄膜形成体のことであり、これらは本発明においては同義である。
【0065】
本発明において、大気圧プラズマ放電処理する導電性支持体側の電極をアース電極とし、これに対向する電極を印加電極とする。印加電極には下記の如き高周波電源を接続し、アース電極にはもちろんアースに接地する。
【0066】
本発明に係る薄膜形成方法においては、対向する電極間に、1kHz〜150MHzの高周波電圧を印加し、反応ガスを励起してプラズマを発生させることによって緻密な薄膜を導電性支持体表面に設けることが出来るが、更に本出願人は、100kHzを越えた高周波電圧で、且つ、1W/cm2以上の電力を供給し、反応ガスを励起してプラズマを発生させるハイパワーの電界を印加することによって、より緻密で、膜厚均一性の高い高機能性の薄膜を、生産効率高く得ることが可能であることを本出願人は既に見い出している(特願2001−175475)。
【0067】
本発明において、電極間に印加する高周波電圧の周波数の上限値は、好ましくは150MHz以下である。また、高周波電圧の周波数の下限値としては、1kHz、好ましくは5kHzより好ましくは100kHzを越える周波数、更に好ましくは200kHz以上、特に好ましくは800kHz以上である。
【0068】
印加電極に電圧を印加する高周波電源としては、特に限定はないが、本発明において使用し得る高周波電源としては、神鋼電機製高周波電源(5kHz、50kHz)、ハイデン研究所製高周波電源(連続モード使用、100kHz)、パール工業製高周波電源(200kHz)、パール工業製高周波電源(800kHz)、パール工業製高周波電源(2MHz)、パール工業製高周波電源(13.56MHz)、パール工業製高周波電源(27MHz)、パール工業製高周波電源(150MHz)等を好ましく使用出来る。
【0069】
また、電極間に供給する電力の下限値は、0.5W/cm2であり、好ましくは1.0W/cm2以上、より1.2W/cm2以上であり、上限値としては、好ましくは50W/cm2以下、更に好ましくは20W/cm2以下である。尚、電極における電圧の印加面積(1/cm2)は、放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【0070】
印加電極に印加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が0.5〜10kV程度で、電源周波数は100kHzを越えて150MHz以下に調整される。ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるON/OFFを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても良いが連続モードの方がより緻密で良質な膜が得られる。
【0071】
高周波電界はサイン波形を有すが、パルス化された電界を印加することも可能である。このパルス化の意味は、ON/OFFのデューティ比を変化させることでプラズマガス温度の変化が可能になる。これにより、表面凹凸の形状を変化させることも可能となる場合がある。特開平10−130851号公報の図1の(a)〜(d)のパルス波形であってもよい。
【0072】
また、電極間に印加する高周波電圧は、断続的なパルス波であっても、連続したサイン波であっても構わないが、本発明の効果を高く得るためには、連続したサイン波であることが好ましい。
【0073】
本発明においては、ハイパワーの電圧を印加しても、均一なグロー放電状態を保つことが出来る電極をプラズマ放電処理装置に採用する必要がある。
【0074】
このような電極としては、金属母材上に誘電体を被覆したものであることが好ましい。対向する印加電極とアース電極の少なくとも一方の放電面に誘電体を被覆すること、更に好ましくは、対向する印加電極とアース電極の両方に誘電体を被覆することである。本発明においては、上記のような金属母材とその上に誘電体を被覆した印加電極と対向するアース電極が電子写真感光体の導電性支持体である場合は、印加電極には必ず金属母材とその上に被覆した誘電体を有する電極を用いることが重要である。
【0075】
誘電体被覆電極は、金属等の導電性母材と、セラミックスやガラス等の誘電体素材の複合部品であり、供給する電力、特にトータル電力が大きい場合には、誘電体の脆弱な部分から破壊されやすく、安定したプラズマ放電を維持することが難しい。特に、大きい放電面積を有する誘電体被覆電極においては、それが顕著であり、本発明のハイパワーを用いる薄膜形成方法を実施するためには、それに耐えうる誘電体被覆電極が必要となる。
【0076】
本発明の誘電体被覆電極に用いられる誘電体としては、具体的には、比誘電率が6〜45の無機化合物であることが好ましく、また、このような誘電体としては、アルミナ、窒化珪素等のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス等のガラスライニング材等がある。この中では、後述のセラミックスを溶射したものやガラスライニングにより設けたものが好ましい。特にアルミナを溶射して設けた誘電体が好ましい。
【0077】
誘電体被覆電極において、上述のような大電力に耐える仕様の一つとして、本発明者らが鋭意検討した結果、誘電体の空隙率が10体積%以下、好ましくは8体積%以下であることを本発明者らは見いだした。好ましくは0体積%を越えて5体積%以下である。尚、誘電体の空隙率は、誘電体の厚み方向に貫通性のある空隙率を意味し、水銀ポロシメーターにより測定することが出来る。後述の実施例においては、島津製作所製の水銀ポロシメーターにより導電性母材に被覆された誘電体の空隙率を測定したものである。誘電体が、低い空隙率を有することにより、高耐久性が達成される。このような空隙を有しつつも空隙率が低い誘電体としては、後述の大気圧プラズマ溶射法等による高密度、高密着のセラミックス溶射被膜等を挙げることが出来る。さらに空隙率を下げるためには、封孔処理を行うことが好ましい。
【0078】
また、誘電体被覆電極の他の好ましい仕様としては、誘電体を、溶融法により得られるガラスを用いてガラスライニング法で形成したものである。このときの誘電体は、泡混入量の異なる2層以上の層からなることがより耐久性を高める。前記泡混入量としては、導電性母材に接する最下層が20〜30体積%であり、次層以降が5体積%以下であることが好ましい。泡混入量は、ガラス自体の固有密度と、ガラスライニング層の密度との関係から算出することが出来る。ガラスへの泡混入量の制御方法としては、もともとガラスの溶融物には泡が混入しているため、脱気を行うが、該脱気度合いを変化させることによって所望の値とできる。このような泡混入量をコントロールし、層状に設けたガラスライニング法による誘電体も、耐久性の高い電極が得られる。また、このときの誘電体層のトータル厚みは0.5〜2.0mmであり、更に最下層の膜厚が、0.1mm以上あり次層以降のトータル膜厚が0.3mm以上あることが好ましい。
【0079】
また、本発明の誘電体被覆電極において、大電力に耐える他の好ましい仕様としては、耐熱温度が100℃以上であることである。更に好ましくは120℃以上、特に好ましくは150℃以上である。尚、耐熱温度とは、絶縁破壊が発生せず、正常に放電出来る状態において耐えられる最も高い温度のことを指す。このような耐熱温度は、上記のセラミックス溶射や、泡混入量の異なる層状のガラスライニングで設けた誘電体を適用したり、下記導電性母材と誘電体の線熱膨張係数の差の範囲内の材料を適宜選択する手段を適宜組み合わせることによって達成可能である。
【0080】
また、本発明の誘電体被覆電極において、別の好ましい仕様としては、誘電体と導電性母材との線熱膨張係数の差が10×10-6/℃以下となる組み合わせのものである。好ましくは8×10-6/℃以下、さらに好ましくは5×10-6/℃以下、さらに好ましくは2×10-6/℃以下である。尚、線熱膨張係数とは、周知の材料特有の物性値である。
【0081】
線熱膨張係数の差が、この範囲にある導電性母材と誘電体との組み合わせとしては、
1)導電性母材がチタン金属またはチタン合金で、誘電体がセラミックス溶射被膜
2)導電性母材がチタン金属またはチタン合金で、誘電体がガラスライニング
3)導電性母材がステンレススティールで、誘電体がセラミックス溶射被膜
4)導電性母材がステンレススティールで、誘電体がガラスライニング
5)導電性母材がセラミックスおよび鉄の複合材料で、誘電体がセラミックス溶射被膜
6)導電性母材がセラミックスおよび鉄の複合材料で、誘電体がガラスライニング
7)導電性母材がセラミックスおよびアルミの複合材料で、誘電体がセラミックス溶射皮膜
8)導電性母材がセラミックスおよびアルミの複合材料で、誘電体がガラスライニング
等がある。線熱膨張係数の差という観点では、上記1)及び2)および5)〜8)が好ましく、1)及び2)がより好ましく、更に1)が好ましい。
【0082】
また、本発明の誘電体被覆電極において、大電力に耐える別の好ましい仕様としては、誘電体の厚みが0.5〜2mmであることである。この膜厚変動は、5%以下であることが望ましく、好ましくは3%以下、さらに好ましくは1%以下である。
【0083】
上記、導電性母材に対し、セラミックスを誘電体として高密度に、高密着に溶射する方法としては、大気圧プラズマ溶射法が挙げられる。大気圧プラズマ溶射法は、セラミックス等の微粉末、ワイヤ等をプラズマ熱源中に投入し、溶融または半溶融状態の微粒子として被覆対象の母材に吹き付け、皮膜を形成させる技術である。プラズマ熱源とは、分子ガスを高温にし、原子に解離させ、さらにエネルギーを与えて電子を放出させた高温のプラズマガスである。このプラズマガスの噴射速度は大きく、従来のアーク溶射やフレーム溶射に比べて、溶射材料が高速で母材に衝突するため、密着強度が高く、高密度な被膜を得ることが出来る。詳しくは、特開2000−301655に記載の高温被曝部材に熱遮蔽皮膜を形成する溶射方法を参照することが出来る。この方法によれば、被覆する誘電体(セラミック溶射膜)の空隙率を上記のようにすることが可能である。
【0084】
誘電体の空隙率をより低減させるためには、セラミックス等の溶射膜に、更に、無機化合物で封孔処理を行うことが好ましい。前記無機化合物としては、金属酸化物が好ましく、この中では特に酸化ケイ素(SiOx)を主成分として含有するものが好ましい。
【0085】
封孔処理の無機化合物は、ゾルゲル反応により硬化して形成したものであることが好ましい。封孔処理の無機化合物が金属酸化物を主成分とするものである場合には、金属アルコキシド等を封孔液として前記セラミック溶射膜上に塗布し、ゾルゲル反応により硬化する。無機化合物がシリカを主成分とするものの場合には、アルコキシシランを封孔液として用いることが好ましい。
【0086】
ここでゾルゲル反応の促進には、エネルギー処理を用いることが好ましい。エネルギー処理としては、熱硬化(好ましくは200℃以下)や、紫外線照射などがある。更に封孔処理の仕方として、封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。
【0087】
本発明の誘電体被覆電極の金属アルコキシド等を封孔液として、セラミックス溶射膜にコーティングした後、ゾルゲル反応で硬化する封孔処理を行う場合、硬化した後の金属酸化物の含有量は60mol%以上であることが好ましい。封孔液の金属アルコキシドとしてアルコキシシランを用いた場合には、硬化後のSiOx(xは2以下)含有量が60mol%以上であることが好ましい。硬化後のSiOx含有量は、XPSにより誘電体層の断層を分析することにより測定する。
【0088】
また、誘電体被覆電極の誘電体表面を研磨仕上げする等の方法により、電極の表面粗さRmax(JIS B 0601)を10μm以下にすることで、誘電体の厚み及び電極間のギャップを一定に保つことが出来、放電状態を安定化出来ること、更に熱収縮差や残留応力による歪やひび割れを無くし、かつ、高精度で、耐久性を大きく向上させることができる。誘電体表面の研磨仕上げは、少なくとも基材と接する側の誘電体において行われることが好ましい。
【0089】
このような電極を用いた大気圧プラズマ放電処理装置について、アース電極と、対向する位置に配置された印加電極との間で放電させ、当該電極間に反応ガスを導入してプラズマ状態とし、導電性支持体を前記プラズマ状態の反応ガスにさらすことによって、薄膜を形成するものであるが、本発明に係るの薄膜形成方法を実施する装置としてはこれに限定されるものではなく、グロー放電を安定に維持し、薄膜を形成するために反応ガスを励起してプラズマ状態とするものであればよい。
【0090】
本発明における対向電極間の距離は、電極の金属母材に被覆した誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定される。対向電極の一方に誘電体を被覆した場合の誘電体表面と他方の電極表面の距離、対向電極の双方に誘電体を被覆した場合の誘電体表面同士の距離、あるいは対向電極の片方に電極の被覆された誘電体表面と、他方が導電性支持体電極の場合の導電性支持体電極表面の距離は、いずれの場合も均一な放電を行う観点から0.5〜20mmが好ましく、特に好ましくは1mm±0.5mmである。
【0091】
本発明の電子写真感光体のプラズマ放電処理装置及び方法について図を用いて説明する。
【0092】
大気圧プラズマ放電処理のための基本的な装置は、後述の図4において述べるが、主たるものとして、印加電極とアース電極で構成する対向電極、印加電極に高周波電圧を供給する高周波電源、反応ガスを供給する系統、電極の温度調節系統等の構成からなっている。ここではおおむね請求項の順に従って説明することとする。
【0093】
図1及び2は、対向電極間で発生したプラズマ状態の反応ガスを電極間外部にジェット状に導き、そのプラズマ状態の反応ガスに導電性支持体をさらすことにより保護層を形成させる例を示したものである。
【0094】
図1は、対向電極間で発生するプラズマ状態の反応ガスをジェット状にしてシート状またはフィルム状の導電性支持体の表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。高周波電源4により高周波電圧を印加する印加電極1とアース電極2の対向電極の電極間で放電を起こさせ、該電極間に反応ガスGを導入し、そこでプラズマ状態の反応ガスG°(点線で表している)がジェット状に下方に流れ(ジェット方式)、電極の下において移送して来るシート状またはフィルム状の導電性支持体CF上の有機光導電層面が処理位置3に来たところで該有機光導電層面に保護層を形成させる。導電性支持体CFは、図示してない基材の元巻ロールから巻きほぐされて搬送されるか、あるいは前工程から搬送されて来る。G′は処理排ガスである。1A及び2Aは印加電極1及びアース電極2の金属母材であり、1B及び2Bは誘電体である。
【0095】
図2は、対向電極間で発生するプラズマ状態の反応ガスをジェット状にして円筒状の導電性支持体の表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。図2は、図1のシート状またはフィルム状の導電性支持体CFを、円筒状の導電性支持体CDに変えた図である。この方法により、シート状またはフィルム状の導電性支持体でなくとも同様な装置で保護層を形成することが出来る。円筒状の導電性支持体CDは処理を均一化するために、回転させることが好ましい。
【0096】
図3〜7は、対向電極間において、プラズマ状態の反応ガスにシート状またはフィルム状の導電性支持体上の有機光導電層をさらし、その上に保護層を形成させるものである。図3は、印加電極とアース電極に平板固定電極を用いその電極間に導電性支持体を通す形式で、また、図4と7は、アース電極にロール状回転電極を使用し、導電性支持体を該ロール状回転電極に巻き回しながら通す形式である。
【0097】
図3は、予備室を有し、2個の平板固定電極の対向電極間でシート状またはフィルム状の導電性支持体の表面に保護層を形成させるプラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。10は大気圧プラズマ放電処理装置、11はプラズマ放電処理容器である。図示してない元巻ロールから巻きほぐされて搬送されるか、あるいは前工程から搬送されて来るシート状またはフィルム状の導電性支持体CFは、大気圧もしくはその近傍の圧力下、連続的にプラズマ放電処理する処理室12に移送され、印加電極の平板固定電極13及びアース電極の平板固定電極14の対向電極間でプラズマ放電処理される。処理室12は前記シート状またはフィルム状の導電性支持体CFの入口12ENと出口12EXによって間仕切りされている。処理室12に隣接して該導電性支持体CFの入口側に予備室20が設けられ、その予備室20に隣接して更に予備室21が設けられている。出口12EX側にも処理室12に隣接して予備室22が設けられている。予備室を設ける場合、該導電性支持体CFの入口12EN側に二つ、出口12EX側に一つを設ける態様であってもよいが、これに限定されず、該導電性支持体CFの出入口側に一つづつ設けてもよく、入口12EN側に二つ設け、出口12EX側に設けなくともよく、あるいは入口12EN側に二つ以上、出口12EX側に二つ以上設けてもよい。いずれの態様であっても、該処理室12内の内圧が、隣接する予備室20の内圧より高いことが必要であり、好ましくは0.25Pa以上高いことである。このように処理室12と予備室20の間でも圧力差を設けることにより、外部空気の混入を防止し、反応ガスの有効使用が可能となり、処理効果も更に向上する。また処理室12に隣接して入口12EN側に二つ以上、出口12EX側に二つ以上予備室を設けた場合、その予備室20と隣り合う予備室21の間の差圧は、処理室12に近い側の予備室20の内圧が高く設定されることが好ましく、0.25Pa以上高く設定されることが好ましい。このように複数の予備室同士の間でも圧力差を設けることによって、外部空気の混入をより効率的に防止し、反応ガスの有効使用がより可能となり、処理効果も更に向上する。予備室20あるいは21には、反応ガスの少なくとも1成分を有していることが反応ガスの効率的な使用と処理効果の向上の観点から好ましい。更に予備室を複数設けて圧力差を設けるには、減圧手段23を設けることが好ましい。この減圧手段としては、吸引ファンあるいは真空ポンプ等を挙げることが出来る。前記処理室12と予備室20、予備室21同士の部屋には間仕切りされていることが必要であり、かかる間仕切り手段としては、入口12EN側に少なくとも1対のニップロール17、出口12EX側に少なくとも一対のニップロール18を設けることが好ましい。かかるニップロール17または18は、該導電性支持体CFに対して接触しながら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部屋同士を完全に間仕切り出来ないので、圧力差を設ける手段が有効に機能するのである。また間仕切り手段としては、該導電性支持体CFに対して所定の間隙を保ち、且つ非接触での手段であってもよい。かかる態様としては図示しないがエアーカーテン方式等も採用出来る。なお、予備室を設けない場合には、処理室と外部の間に間仕切りがされればよい。
【0098】
また13A及び14Aは対向する平板固定電極13及び14の金属母材であり、13B及び14Bは誘電体である。この対向する平板固定電極13及び14のうち一方の平板固定電極13は印加電極として高周波電源15に続され、他方の平板固定電極14はアース電極として、アース16に接地され、対向する平板固定電極13及び14間に高周波電圧が印加される。
【0099】
なお、この図3において示されている処理室12または予備室20や21は、本発明における他の図においても必要なものであるが、図の関係から処理室または予備室が省略されて示されている場合がある。
【0100】
プラズマ放電処理容器11はパイレックス(R)ガラス製やアルミ、または、ステンレススティールのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けたものでも良く、該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとっても良い。電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。また、更にプラズマ放電処理容器20の内側の処理室12を対向電極の平板固定電極13及び14の側面部、基材搬送部等の側面を囲むことによって安定した処理を行うことが出来好ましい。本発明に係る図1〜17には、プラズマ放電処理容器が図によって描かれてあったり、無かったりしているが、本発明の全ての図に設置されるものであって、ないものについては、図の都合によって省略されているものである。なお、導電性支持体の張力はニップロール17及び18において調節され、その間で弛みやツレが生じないようになっている。
【0101】
図3のバリエーションとして、図示してないが、平板固定電極13及び14の電極間隙を狭くし、シート状またはフィルム状の導電性支持体CFをアース電極の平板固定電極14に接しながら移送させてもよい。
【0102】
図4は、プラズマ放電処理装置のロール状回転電極とパイプ状電極群とで対向電極を構成し、該対向電極間でシート状またはフィルム状の導電性支持体の表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【0103】
図4は、大気圧プラズマ放電処理装置及びそれに付随するプラズマ放電処理装置30、ガス充填手段50、電圧印加手段40及び電極温度調節手段60が図示されており、本発明に係るプラズマ放電処理装置の基本的な構成が示されている。本発明の他の図においては、図の関係からこれらの手段が省略されている場合があるが、すべて必要な手段であることを断っておく。
【0104】
図4は、アース電極としてのロール状回転電極35と印加電極のパイプ状固定電極群36として、シート状またはフィルム状の導電性支持体CFをプラズマ放電処理して保護層を形成させるものである。図4は、本発明の態様の一例を示すものである。シート状またはフィルム状の導電性支持体CFは図示されていない元巻きから巻きほぐされて搬送して来るか、または前工程から搬送されて来てガイドロール64を経てニップロール65で基材に同伴して来る空気等を遮断し、ロール状回転電極35に接触したまま巻き回されながらパイプ状固定電極群36との間を移送され、ニップロール66、ガイドロール67を経て、図示してない巻き取り機で巻き取られるか、次工程に移送する。反応ガスはガス充填手段50で、ガス発生装置51で発生させた反応ガスGを、流量制御して給気口52より処理室32のプラズマ放電処理容器31内に入れ、該プラズマ放電処理容器31内を反応ガスGで充填し処理排ガスG′を排気口53より排出するようにする。次に電圧印加手段40で、高周波電源41によりパイプ状固定電極群36に電圧を印加し、ロール状回転電極35にはアースを接地し、放電プラズマを発生させる。ロール状回転電極35及びパイプ状固定電極群36を電極温度調節手段60を用いて媒体を加熱または冷却し電極に送液する。電極温度調節手段60で温度を調節した媒体を送液ポンプPで配管61を経てロール状回転電極35及びパイプ状固定電極群36内側から温度を調節する。プラズマ放電処理の際、基材の温度によって得られる保護層の物性や組成は変化することがあり、これに対して適宜制御することが好ましい。媒体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましく用いられる。プラズマ放電処理の際、幅手方向あるいは長手方向での基材の温度ムラが出来るだけ生じないようにロールを用いた回転電極の内部の温度を制御することが望まれる。なお、68及び69はプラズマ放電処理容器31と外界を仕切る仕切板である。
【0105】
なお、パイプ状固定電極群36のパイプ状電極というのは、断面形状は角でも円でも形はどのようでもよいが、ロール状回転電極より断面の大きさは小さく、ロール状回転電極の回りに複数配置される電極群を構成し得る大きさのものである。両端は閉じられていて、内部は中空で温度調節用の媒体で満たされるようになっている。更に母材と誘電体の構造に関しては後述の図6で説明する。このようにパイプ状電極の断面形状は特に限定はないが、角パイプ状電極や丸パイプ状電極が好ましい。角パイプ状電極は丸パイプ状電極に比べ角パイプ状の方が放電範囲を広げる効果があり好ましい。角パイプ状電極の回転電極に相対している面は、該回転電極の中心とを結ぶ線に対して直角であることが好ましい。更に該回転電極に相対している面は該回転電極の断面の円の同心円の円弧を有する面であることが好ましい。図4のパイプ状固定電極群36のそれぞれの電極は角パイプ状電極として表されている。
【0106】
本発明に係る電極は金属母材とその上に被覆されている誘電体から構成されているが図4においては省略されている。
【0107】
図5は、金属母材とその上に被覆されている誘電体の状態を示すロール状回転電極の斜視図である。図5において、アース電極であるロール状回転電極35aは、前述のように、導電性の金属母材35Aに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミックの誘電体35Bを被覆した組み合わせで構成されているものである。誘電体35Bを片肉で1mm被覆してある。金属母材35Aにライニングにより無機材料を設けたライニング処理された誘電体35Bを被覆した組み合わせ、また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもホワイトアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられるまたせてもよい。金属母材25Aは、熱媒体による温度調節手段を有するジャケットロールとなっている。
【0108】
本発明の導電性支持体電極以外の図1〜17の電極は金属母材及び誘電体を共通して有している。
【0109】
図6は金属母材とその上に被覆されている誘電体の状態を示す上記角パイプ状電極の斜視図である。図6において、印加電極である角パイプ状電極36aは放電中に熱媒体が満たされ循環されるようになっている。角パイプ状電極36aは上記ロール状回転電極35aと同様に、または金属の導電性を有する金属母材36A(例えば、チタン金属)に対しセラミックス溶射後、無機質物質により封孔処理により、またはライニングにより誘電体36Bを被覆された組み合わせとなっている。後述の図9、図13及び図17の角パイプ状電極も図6のものと同様である。
【0110】
なお、ロール状回転電極35aの直径は、目的に応じて設定すればよいが、加工性、コスト面等からセラミック被覆処理した誘電体35B及び36Bの被覆後200mm程度が好ましい。また角パイプ状電極36aの大きさは、目的に応じて設定すればよいが、ロール状回転電極35の直径を200mmとした場合、セラミック被覆処理した誘電体35B及び36Bの被覆後12〜15mmとすることが好ましく、当該パイプ状固定電極群の電極の数は、上記ロール状回転電極35の円周上に沿って14本設置程度設定される。
【0111】
図7は、シート状またはフィルム状の導電性支持体を、ロール状回転電極と凹型固定電極の対向電極間で保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。シート状またはフィルム状の導電性支持体CFは、ガイドロール84を経てニップロール86により導かれ、印加電極のロール状回転電極81に密着して巻き回されながらアース電極としての凹型固定電極82とロール状回転電極81との間隙の処理部83においてプラズマ放電により該導電性支持体CFの有機光導電層上に保護層が形成される。そして、該導電性支持体CFはニップロール92及びガイドロール93を経て次工程へ搬送されるか巻き取られる。該ロール状回転電極81及び凹型固定電極82はそれぞれ金属母材81A及び82Aとそれらの上に被覆されている誘電体81B及び82Bを有している。反応ガスGは給気口88から導入され、処理部83でプラズマ状態となり、該導電性支持体CFの有機光導電層表面に保護層を形成し、処理排ガスG′は排気口96から排気される。また、プラズマ放電処理容器90にも給気口87から同様な成分の反応ガスGが導入され、電極の周りを経て排気口94から排出される。プラズマ放電処理容器90は該導電性支持体CFが導入されるところのニップロール86と該ニップロール86を遮蔽するために仕切板89とで、また保護層が形成された導電性支持体の出口にもニップロール92と仕切板95で外界と遮断されている。85は高周波電源で、凹型固定電極82に接続されており、ロール状回転電極81にはアースが接地されている。凹型固定電極82の処理部83の所の凹面はロール状回転電極81の外周より大きい同心円の円弧により形成されている。
【0112】
以下の図8〜10の特徴は、シート状またはフィルム状の導電性支持体が電極で、対向電極の一方を形成していることである。これらの大気圧プラズマ放電処理装置は従来のものとは異なり、新規な電極を用いる装置及び方法である。導電性支持体の導電層に通電させる方法としては、有機光導電層が上に設けられている導電性支持体上で導電層が露出している部分に、例えば導電性のガイドロール面にその導電層が接触するとか、導電層に針状の金属部材を接触させるという方法を挙げることが出来るが、通電する方法であれば制限なく使用することが出来る。
【0113】
図8〜10の装置は、アース電極をシート状またはフィルム状の導電性支持体電極とし、該導電性支持体電極と印加電極の固定電極の対向電極間で保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示したものである。図8ではシート状またはフィルム状の導電性支持体と平行した平板状固定電極の対向電極間で、図9及び10では絶縁性ロール状回転体に導電性支持体を巻き回しながら移送するシート状またはフィルム状の導電性支持体電極とその周囲にある固定電極の対向電極間で保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示したものである。
【0114】
図8は、シート状またはフィルム状の導電性支持体電極と平板固定電極とで対向電極を構成し、シート状またはフィルムの導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。アース電極としてのシート状またはフィルム状の導電性支持体CFは、該導電性支持体CFの導電層(図示してない)が接している導電性のガイドロール107からアースに接続し導電性支持体電極となっている。該導電性支持体電極と、高周波電源109が接続されている印加電極の平板固定電極101の対向電極間の処理部102においてプラズマ放電が発生する。該導電性支持体CFはガイドロール103と104により平板固定電極101と平行に保たれ、給気口110から処理部102に導入された反応ガスGがプラズマ状態となり該導電性支持体CFの有機光導電層の上に保護層が形成される。該導電性支持体CFはガイドロール107を経てプラズマ放電処理容器112に導入する。該プラズマ放電処理容器112はニップロール105及び106とで外界と遮断されている。処理後の導電性支持体はガイドロール108を経て、次工程または巻き取り機(図示してない)へと搬送される。処理排ガスG′は排気口111から排出される。なお、101Aは平板固定電極101の金属母材であり、101Bはその上に被覆されている誘電体である。該導電性支持体CFをガイドロール103と104で支える張力としては図3と同様に10〜100N/m程度あればよい。また、図示してないが、図8において、導電性支持体CFが平板固定電極に対して平行の平板(材質は金属でも、絶縁体であってもよい)の上を滑るように移送する態様であってもよく、導電性支持体電極の弛みやつれなどがなくなり保護層形成が安定するので好ましい。
【0115】
図9は、絶縁性ロール状回転体に密着して巻き回される導電性支持体を導電性支持体電極とパイプ状の固定電極群とで対向電極を構成し、該導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。図9は図4と類似しているが、異なるのはアース電極がロール状回転電極ではなく、絶縁性ロール状回転体に巻き回されている導電性支持体電極であることである。図9のパイプ状固定電極群は図4と同様に角筒状固定電極群として示してある。大気圧プラズマ放電処理装置130において、シート状またはフィルム状の導電性支持体CFはガイドロール134及びニップロール137を経て、絶縁性ロール状回転体136に巻き回される。絶縁性ロール状回転体136に巻き回されているアース電極としての導電性支持体電極133と印加電極としてのパイプ状固定電極群131との電極間の処理室132に導入された反応ガスGが放電によりプラズマ状態となり、導電性支持体CF上の有機光導電層の上に保護層が形成される。パイプ状固定電極群131は高周波電源140に接続され、導電性支持体電極133は、アースに接地されている。反応ガスGは給気口146からプラズマ放電処理容器145に導入され、処理室132でプラズマ状態になり、放電処理後、処理排ガスG′は排気口147から排出される。プラズマ放電処理容器145はニップロール137及び138と仕切板141及び142とで外界と遮断されている。
【0116】
図10は、絶縁性ロール状回転体に密着して巻き回される導電性支持体電極と凹面を有する凹型固定電極とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。図10は図7と類似しているが、図9と同様に、シート状またはフィルム状の導電性支持体CFをアース電極の導電性支持体電極としているところが異なっている。有機光導電層を有する導電性支持体CFが外界と遮断するニップロール161を経てプラズマ放電処理容器150に導入され、導電性ニップロール154で絶縁性ロール状回転体153に密着して巻き回され、アース電極の導電性支持体電極と高周波電源163に接続している印加電極としての凹型固定電極151との電極間の処理部152に給気口157から放電処理容器156を経て導入された反応ガスGは電極間の高周波電圧によりプラズマ放電発生してプラズマ状態となり導電性支持体の有機光導電層の上に保護層が形成される。処理後導電性支持体はニップロール155及び162を経てプラズマ放電処理容器150の外に出る。プラズマ放電処理容器150の内部には給気口159から同じ成分の反応ガスを導入して満たし、該容器内を流れ排気口160から外界へと排出される。凹型固定電極151の処理部152の所の凹面は絶縁性ロール状回転体153の外周より大きい同心円の円弧により形成されている。なお、凹型固定電極151は金属母材151Aと誘電体151Bから構成されている。
【0117】
図11〜13の特徴は、円筒状の導電性支持体がアース電極を形成していることである。この円筒状の導電性支持体電極に通電する方法としては、露出している金属部分からとればよく、それが心棒であってもよい。円筒状の導電性支持体の有機光導電層の上に均一に保護層を形成させるために、円筒状の導電性支持体をムラなく回転させる必要がある(図2と同様に)。
【0118】
図11は円筒状の導電性支持体電極と凹面を有する樋状の凹型固定電極とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。図11は図10と類似しているが、シート状またはフィルム状導電性支持体電極を、円筒状の導電性支持体電極202に変えたものである。アース電極としての円筒状の導電性支持体電極202は、印加電極としての樋状の凹型固定電極201の樋の中で回転しながら保護層の形成が行われる。高周波電源205に接続している印加電極の樋状の凹型固定電極201は、アース電極としての円筒状の導電性支持体電極202の外周よりも大きい同心円の円弧の凹面を有している。両電極の間隙の処理部203に、給気口206からの反応ガスGをガス調整容器204に満たし、流れが均一になるようにして導入し、処理排ガスG′を排気口207から排出する。円筒状の導電性支持体電極202は軸を中心に回転しているため、保護層は均一に形成される。給気口208から同じ組成の反応ガスGをプラズマ放電処理容器200の中に導入して満たし、外界と完全に遮断した空間となっている。その処理排ガスG′は排気口209から排出される。この装置において、円筒状の導電性支持体を1個処理した後は、出来るだけ反応ガスの雰囲気を維持するようにするが、次の該導電性支持体に入れ替え時、雰囲気を再び反応ガスで満たすようにする。
【0119】
図12は、円筒状の導電性支持体電極と該導電性支持体の外側に配置された円筒型固定電極とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。円筒型の大気圧プラズマ放電処理装置220は、高周波電源224に接続されている印加電極の該円筒型固定電極221とその内側のアース電極としての該円筒状の導電性支持体電極222で構成されている。該両電極は同心円状に配置されている。該円筒状の導電性支持体電極222は、保護層の形成を均一化するために、その中心を軸として回転するようになっている。円筒状の導電性支持体電極は導電性層が円筒の外周面に、更にその上に有機光導電層がある。電極の間隙の処理部223でプラズマ状態となった反応ガスにより有機光導電層の上に保護層を形成される。該円筒型固定電極221は金属母材221Aとその上の誘電体221Bが被覆された構成になっている。反応ガスの給気口や排気口は図から省略されているが、反応ガスの導入は円筒の一方の端から均一に行うのが好ましい。
【0120】
図13は円筒状の導電性支持体電極と該導電性支持体の外側に円形に配置されたパイプ状固定電極群とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。この大気圧プラズマ放電処理装置230は、高周波電源235が接続されている円形に配された印加電極の該パイプ状固定電極群231がアース電極の該円筒状の導電性支持体電極232に対して同心円状に配置されており、該円筒状の導電性支持体電極232は、保護層の形成を均一化するために、その中心軸が回転するようになっている。なお、該パイプ状固定電極群231は、図4に記載のパイプ状固定電極群36と同様なものであり、図13のパイプ状固定電極群は図4のそれより円形に近い形に配置されている。図13において、パイプ状固定電極群231を構成している金属母材と誘電体は省略されているが、図6の角パイプ状電極36aと同様に金属母材36A及び誘電体36Bを有している。この大気圧プラズマ放電処理装置230は該パイプ状固定電極群231の外側にプラズマ放電処理容器234を有しており、反応ガスGが給気口236を通してプラズマ放電処理容器234内に導入され、処理室233においてプラズマ状態の反応ガスにより該円筒状の導電性支持体電極232の表面に有する有機光導電層の上に保護層が形成される。
【0121】
図14〜17は、円筒状の導電性支持体をアース電極とし、該円筒状の導電性支持体電極と印加電極の固定電極または回転可能な電極とで対向電極を構成し、円筒状の導電性支持体電極を印加電極に沿って移動させて連続して複数の円筒状の導電性支持体表面に保護層を形成させる新規な大気圧プラズマ放電処理装置を示している。図14は、円筒状の導電性支持体を平板固定電極の長手方向に沿って回転させながら、その回転方向に連続して移動する様子を示している。この対向電極間で該円筒状の導電極性持体上に保護層を形成させるのである。図15は、樋状の凹型固定電極の樋の中を円筒状の導電性支持体が回転しながら円筒の円形の平面(例えば底面)方向に連続して移動する様子を示しており、この対向電極間で保護層が形成されるのである。また、図16及び17は円筒電極及び円形に配置されたパイプ状固定電極群の中を(内側を)図15と同様に円筒状の導電性支持体(電極)が回転しながら移動し、この対向電極間で保護層が形成されるのである。
【0122】
図14は、回転しながら移動する円筒状の導電性支持体電極群と平板固定電極とで対向電極を構成し、該導電性支持体の表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。この大気圧プラズマ放電処理装置300は、高周波電源305に接続されている長方形の印加電極の平板固定電極301と、アース電極の円筒状の導電性支持体電極群302との電極間の処理部303でプラズマ放電を発生させ、該電極間隙幅を維持しつつ、該平板固定電極302の長辺方向(長手方向)に回転しながら移動して円筒状の導電性支持体電極群302の表面の有機光導電層の上に保護層が形成されるようになっている新しい保護層形成方法である。平板固定電極301は金属母材301Aと誘電体301Bとで構成され、回転しながら移動する導電性支持体電極群をプラズマ放電処理容器304で囲われており、反応ガスGの給気口306から該プラズマ放電処理容器304内に導入され処理部303にも行き渡るようになっている。処理排ガスG′は排気口307から排出される。円筒状の導電性支持体電極302は次から次へと移動して来る。平板固定電極301のところに移動して来る前は、プラズマ放電処理容器304と同じような容器(図示されていない)があり、反応ガスGと同様な成分のガスで満たされている。円筒状の導電性支持体302の運送は、例えば図示したような導電性のレールまたはチェーン308等により行われるようになっており、該導電性レールまたはチェーン308を通してアースに通じている。導電性のレールまたはチェーン308は必ずしもそのものでなくとも良く、導電性があり連続的に円筒状の導電性支持体群302を運ぶ(移動させる)ものであれば制限なく用いることが出来る。
【0123】
図15は樋状の凹型固定電極とその樋の中を回転しながら移動する円筒状の導電性支持体電極群とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略的斜視図である。高周波電源324に接続されている印加電極としての該樋状の凹型固定電極321とアース電極としての移動する円筒状の導電性支持体電極群とで対向電極を構成し、その電極間の処理部323でプラズマ状態の反応ガスにより導電性支持体上に保護層が形成される。該樋状の凹型固定電極321の凹面は、該円筒状の導電性支持体電極群322は該円筒状の導電性支持体電極群322の外周より大きい同心円の円弧となっており、該樋状の凹型固定電極の凹面の樋の中を、円筒状の導電性支持体電極群322は回転移動軸325を中心に回転しながら移動する。回転移動軸325は円筒状の導電性支持体電極群322の心棒がそれぞれ繋がって、円筒状の導電性支持体電極群322となってムラのない回転をしながら移動するようになっている。図15の搬送方法は1例として示したものであるが、該円筒状の導電性支持体は該回転移動軸325は吊り具327で上部の同期して可動する架線326と共に移動する。該架線326からパンタグラフ328のようなものを通してアースに接続されている。図15ではプラズマ放電処理容器、給気口、排気口は略されている。なお、321Aは樋状の凹型固定電極321の金属母材であり、また321Bは誘電体である。
【0124】
図16は回転しながら移動する円筒状の導電性支持体電極群と円筒型電極とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。図16は図12と同じような構造をしている。円筒型の大気圧プラズマ放電処理装置340は高周波電源344に接続されている印加電極の該円筒型電極341とその筒の内側のアース電極の該円筒状の導電性支持体電極342がそれらの中心を同じにして配置されているが、該円筒型電極341の円筒は長く、該円筒型電極の中を複数個の円筒状の導電性支持体が繋がった円筒状の導電性支持体電極群をなし、回転しながら移動するようになっている。アース電極の該円筒状の導電性支持体電極342と、印加電極の該円筒型電極341との対向電極間の処理部343でプラズマ状態の反応ガスにより円筒状の導電性支持体電極の円筒の外側の面の有機光導電層に保護層が形成させる。該円筒型電極341は金属母材341Aとその上の誘電体341Bが被覆された構成になっている。反応ガスの給気口や排気口は図から省略されているが、反応ガスの導入は円筒の一方の端から均一に行うのが好ましい。外側の該円筒型電極は回転する可動型電極であっても、不動の固定電極であってもよいが、より均一な保護層を得るためには回転させた方が好ましい。該円筒型電極341の回転は円筒の外周に歯車をつけ、衛星歯車により回転させてもよく、回転させる方法には回転させるものであれば制限なく用いられる。
【0125】
図17は、回転しながら移動する円筒状の導電性支持体電極群と円形に配したパイプ状電極群とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。図17は図13と同じような構造をしており、また図16の円筒型電極がパイプ状電極群に変わった構造になっている。この大気圧プラズマ放電処理装置360は、円形に配された印加電極としての該パイプ状電極群361がアース電極としての該円筒状の導電性支持体電極群362の周りに同心円状に配置されており、該円筒状の導電性支持体電極群362の円筒状の導電性支持体は、より均一な保護層を得るために回転するようになっている。なお、該パイプ状電極群361は、図4に記載のパイプ状固定電極群36と同様なものであり、また、図17のパイプ状電極群361は図13のそれと同様な円形に配置されている。図17において、パイプ状電極を構成している金属母材と誘電体は省略されているが、図6の角パイプ状電極36a、金属母材36A、誘電体36Bと同様な構造を有している。高周波電源365が接続されている印加電極の該パイプ状電極群361にはアース電極の該円筒状の導電性支持体電極群362との対向電極間の処理部363において、プラズマ状態の反応ガスにより該円筒状の導電性支持体電極群362の円筒状の導電性支持体表面に有する有機光導電層の上に保護層が形成される。この大気圧プラズマ放電処理装置360には該パイプ状電極群361の外側にプラズマ放電処理容器364を有しており、反応ガスGが給気口366から該プラズマ放電処理容器364内に導入されるようになっている。
【0126】
本発明の薄膜形成方法に係る反応ガスについて説明する。
本発明の薄膜形成方法を実施するにあたり、使用する反応ガスは、導電性支持体上の有機光導電層上に設けたい保護層の種類によって異なるが、基本的に、希ガスまたは窒素ガスと保護層を形成する成分の反応性ガスを混合した反応ガスである。保護層の膜厚としては、0.1〜1000nmの範囲が好ましい。
【0127】
上記希ガスとは、周期表の第18属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。
【0128】
本発明の電子写真感光体の保護層を形成する成分を有する有用な反応性ガスは、金属化合物または有機金属化合物のガスまたは気化器でガス化したものであり、これらの金属としては、例えば、Li、Be、B、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ir、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等を挙げることが出来る。これらのうち、主にAl、Si、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、In、Sn、Wがとくに保護層として硬度を有する被膜を形成することが出来好ましい。またSi、Ti、Ni、Snがより好ましく、特に好ましくはSiである。上記より好ましい金属に他の金属を混合させてもよく、更に強固な保護層を得ることが出来るので好ましい。
【0129】
有機金属化合物は金属アルコキシド、アルキル化金属、β−ケトン金属錯体であることが好ましく、これらの基の混合した例えば、アルキルアルコキシ金属、アルキル金属β−ケトン錯体、アルコキシ金属β−ケトン錯体も好ましい。
【0130】
本発明において、上記金属のうち、Al、Si、Ti、V、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、In、Sn、Wの金属について、金属化合物または有機金属化合物について例示すると、トリイソプロポキシアルミニウム、ジイソプロポキシアルミニウムアセトアセトナート、テトラエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメチルシランプロピレングリコラート、トリイソプロポキシシランアセトアセトナート、シラントリフルオロアセトナート、テトラ(トリフルオロエトキシ)シラン、トリエトキシクロロシラン、ジエトキシジクロロシラン、ジブチルジエトキシシラン、ジクロロエチルジクロロシラン、テトラクロロシラン、トリイソプロポキシチタン、メチルジプロポキシチタン、テトラエトキシチタン、ジエトキシチタンアセトアセトナート、エチルチタンチタンジアセトアセトナート、トリクロロチタン、トリブトキシコバルト、銅ジアセトアセトナート、ジクロロ銅、ジエトキシ亜鉛、ジクロロ亜鉛、トリブトキシインジウム、ジクロロインジウム、ジエトキシ錫、ジブトキシ錫、ジメチルジメトキシ錫、錫ジアセトアセトナート、ジメチル錫ジメチルアセトアセトナート、ジクロロジクロロエチル錫等を挙げることが出来るが、これらに限定されない。これらのうち、特に有機珪素化合物または珪素金属化合物が好ましい。
【0131】
上記のごとき金属化合物または有機金属化合物を放電部に導入するには、常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入出来るが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の気化手段により気化させて使用することが好ましい。常温で液体で、沸点が200℃以下である金属化合物または有機金属化合物の場合には、溶媒によって希釈して使用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、n−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用出来る。尚、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において、分子状、原子状に分解される為、導電性支持体上への保護層の形成、保護層の組成などに対する影響は殆ど無視することが出来る。金属化合物または有機金属化合物を有機溶媒に溶解させて溶液とした後、加熱して、反応ガスに使用する希ガス、例えばアルゴンを有機金属化合物溶液にバブリングして気化させることが出来る。気化には市販のものを使用することが出来、例えば、リンテック社製気化器を挙げることが出来る。
【0132】
また、上記記載の反応ガス中に反応性ガスの補助ガスとして水素ガスを酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選択される成分を0.01〜10体積%含有させることにより、反応が促進され、且つ、緻密で良質な著しく硬度の高い保護層を形成することが出来る。
【0133】
また、有機フッ素化合物を補助ガスとして用いることが出来る。有機フッ素化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましく用いられる。フッ化炭素ガスとしては、四フッ化炭素、六フッ化炭素、具体的には、四フッ化メタン、四フッ化エチレン、六フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン等が挙げられる。前記のフッ化炭化水素ガスとしては、二フッ化メタン、四フッ化エタン、四フッ化プロピレン、三フッ化プロピレン等を挙げることが出来る。
【0134】
更に、一塩化三フッ化メタン、一塩化二フッ化メタン、二塩化四フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を用いることが出来るがこれらに限定されない。また、これらの化合物が分子内にエチレン性不飽和基を有していても良い。前記の化合物は単独でも混合して用いても良い。
【0135】
上記記載の金属化合物または有機金属化合物及び補助ガスを合わせた反応性ガスの反応ガス中の含有率は、0.01〜10体積%であることが好ましいが、更に好ましくは、0.1〜5体積%である。
【0136】
上記の反応ガスをプラズマ状態にして形成された保護層は、金属酸化物を主成分として形成され、金属酸化物が主成分を50質量%以上保護層中に含有していることであり、好ましくは60質量%、より好ましくは80質量%、特に好ましくは90質量%である。使用するガスによっては金属窒化物、金属炭化物や塩化ホウ素化合物も得られ、本発明において何れも好ましい保護層を得ることが出来る。特に本発明においては保護層の硬度、湿気の遮断等に優れていることから金属酸化物が好ましく、保護層中のほとんどが金属酸化物であることが望ましい。このことにより金属酸化物が高密度で緻密に保護層を形成することが出来る。
【0137】
本発明に係る大気圧プラズマ放電処理方法により保護層を形成することにより、保護層内に炭素を少量含有し、このことが膜の強度にも関係し、硬度を上げる効果を有するらしい。保護層内の炭素含有量は0.2〜5質量%が好ましく、0.3〜3質量%がより好ましい。炭素含有量が5質量%を超えるとむしろ硬度が低下し、また0.2未満でも膜の脆さが増してくる。他の方法、例えば真空蒸着のような方法で作製した保護層には炭素がほとんど含有されておらず、脆弱な膜しか形成されない。
【0138】
図18は本発明の画像形成装置の1例としての断面図である。
図18において500は像担持体である感光体ドラムで、接地されて時計方向に駆動回転される。520はスコロトロンの帯電器で、感光体ドラム500周面に対し一様な帯電が与えられる。この帯電器520による帯電に先だって、前画像形成での感光体の履歴をなくすために発光ダイオード等を用いた露光部510による露光を行って感光体周面の除電をしてもよい。
【0139】
感光体への一様帯電ののち像露光器530により画像信号に基づいた像露光が行われる。この図の像露光器530は図示しないレーザーダイオードを露光光源とする。回転するポリゴンミラー531、fθレンズ等を経て反射ミラー542により光路を曲げられた光により感光体ドラム上の走査がなされ、静電潜像が形成される。
【0140】
その静電潜像は次いで現像器540で現像される。感光体ドラム500周縁にはトナーとキャリアとから成る現像剤を内蔵した現像器540が設けられていて、マグネットを内蔵し現像剤を保持して回転する現像スリーブ541によって現像が行われる。現像剤は、例えば前述のフェライトをコアとしてそのまわりに絶縁性樹脂をコーティングしたキャリアと、前述のスチレンアクリル系樹脂を主材料としてカーボンブラック等の着色剤と荷電制御剤と本発明の低分子量ポリオレフィンからなる着色粒子に、シリカ、酸化チタン等を外添したトナーとからなるもので、現像剤は層形成手段によって現像スリーブ541上に100〜600μmの層厚に規制されて現像域へと搬送され、現像が行われる。この時通常は感光体ドラム500と現像スリーブ541の間に直流バイアス、必要に応じて交流バイアス電圧をかけて現像が行われる。また、現像剤は感光体に対して接触あるいは非接触の状態で現像される。
【0141】
記録紙pは画像形成後、転写のタイミングの整った時点で給紙ローラー570の回転作動により転写域へと給紙される。
【0142】
転写域においては転写のタイミングに同期して感光体ドラム500の周面に転写ローラー(転写器)580が圧接され、給紙された記録紙Pを挟着して転写される。
【0143】
次いで記録紙pは転写ローラーとほぼ同時に圧接状態とされた分離ブラシ(分離器)590によって除電がなされ、感光体ドラム500の周面により分離して定着装置600に搬送され、熱ローラー601と圧着ローラー602の加熱、加圧によってトナーを溶着したのち排紙ローラー610を介して装置外部に排出される。なお前記の転写ローラー580及び分離ブラシ590は記録紙pの通過後感光体ドラム500の周面より退避離間して次なるトナー像の形成に備える。
【0144】
一方記録紙pを分離した後の感光体ドラム500は、ブレードクリーニング器620のブレード621の圧接により残留トナーを除去・清掃し、再び露光部510による除電と帯電器520による帯電を受けて次なる画像形成のプロセスに入る。
【0145】
尚、700は感光体、帯電器、転写器・分離器及びブレードクリーニング器が一体化されている着脱自在のプロセスカートリッジである。
【0146】
このように画像形成方法は、帯電、像露光、現像、転写、ブレードクリーニングを繰り返し行われるから、感光体面は常に新鮮であり、変化しにくいことが求められるが、大気圧プラズマ放電処理による本発明の電子写真感光体の製造方法で形成された保護層は、高密度且つ緻密で、耐傷性、硬度、耐温湿性、耐摩耗性に優れ、電子写真の感光体とした時の画像形成性、例えば、高温高湿時の画像品質、耐使用回数等において優れた性質を示す。これにより、上記のような性質を有する画像形成装置を形成することが出来る。
【0147】
上記画像形成装置を用いて画像形成を行うことにより、数十万枚という多量のプリントを行ってもほとんど変化しない高品質の画像を得ることが出来、画期的な画像形成方法が得られる。
【0148】
本発明の電子写真感光体が、帯電器、像露光器、現像器、転写または分離器、クリーニング器から選ばれる少なくとも一つと一体に組み合わさっており、且つ画像形成装置に脱着自在になるようになっている本発明のプロセスカートリッジは、電子写真感光体の耐摩耗性の著しい向上と長寿命化により、従来のものとは異なり、交換サイクルを驚くほど長くすることが出来た。
【0149】
プロセスカートリッジには、一般には以下に示す一体型カートリッジ及び分離型カートリッジがある。一体型カートリッジとは、帯電器、像露光器、現像器、転写または分離器、及びブレードクリーニング器の少なくとも1つを感光体とともに一体に構成し、装置本体に着脱可能な構成であり、分離型カートリッジとは感光体とは別体に構成されている帯電器、像露光器、現像器、転写または分離器、及びクリーニング器であるが、装置本体に着脱可能な構成であり、装置本体に組み込まれた時には感光体と一体化される。本発明におけるプロセスカートリッジは上記双方のタイプのカートリッジを含む。
【0150】
また、上記画像形成装置は、感光体ドラムと、帯電器、現像器、クリーニング器あるいはリサイクル部材等の少なくとも一つを含むプロセスカートリッジを搭載する形態にすることが好ましい。
【0151】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0152】
実施例1
〔有機導電層を有する導電性支持体の作製〕
《PETフィルム導電性支持体への有機光導電層の作製》
真空蒸着によりアルミニウム蒸着された100μm厚さ、幅360mmのPETフィルムを用意した。
【0153】
〈下引層の塗設〉
アルミニウム蒸着PETフィルムのアルミニウム層の上に下記組成の下引層塗布液をワイヤーバーを用いて乾燥後の膜厚が0.5μmとなるように塗布し、乾燥させた。
【0154】
《下引層塗布液》
TC−750(松本製薬社製、チタンキレート化合物) 30質量部
KBM−503(信越化学社製、シランカプリング剤) 17質量部
2−プロパノール 150質量部
〈電荷発生層の塗設〉
下引層の上に下記組成の電荷発生層塗布液をワイヤーバーを用いて乾燥後の膜厚が0.2μmとなるように塗布、乾燥した。
【0155】
《電荷発生層塗布液》
Y型チタニルフタロシアニン(Cu−Kα特性X線回折スペクトル測定で、ブラッグ角2θ(±0.2)の27.2度に最大ピークを有するチタニルフタロシアニン)を用意した。
【0156】
Figure 0004107000
を混合し、サンドミルを用いて10時間分散し、電荷発生層塗布液を調製した。
【0157】
〈電荷輸送層の塗設〉
電荷発生層の上に下記の組成の電荷輸送層塗布液をアプリケーターを用いて塗布し、乾燥膜厚20μmの電荷輸送層を形成し、有機光導電層を有するフィルム状の導電性支持体を作製した。
【0158】
《電荷輸送層塗布液》
Figure 0004107000
を混合し、溶解して電荷輸送層塗布液を調製した。
【0159】
【化1】
Figure 0004107000
【0160】
〔保護層を有する電子写真感光体1の作製〕
図1に示したジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置(外界を遮断した)を50mm間隔で4基並べて、下記条件(4基とも同条件)で、上記有機光導電層を有するPETフィルム導電性支持体を長さ方向に移送して、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体1を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0161】
《条件》
印加電極として、幅380mm、長さ100mm、高さ400mmの平板固定電極を用い、その金属母材を厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、該金属母材の上に溶射アルミナセラミックス(溶射アルミナホワイト)を1mm被覆し、その上にテトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させて封孔処理を行い、Rmaxが1μmの溶射アルミナホワイト誘電体(比誘電率10)で被覆した。アース電極は印加電極と同じものを使用した。高周波電源としてパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を使用し、出力密度を10W/cm2とした。反応ガスは、希ガスをアルゴンとし98.25体積%、反応性ガス1をテトラエトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)とし、反応性ガス2として水素を1.0体積%とした。更に電極間隙を10mm、電極温度を80℃、気圧を103kPa、電極末端とPETフィルム導電性支持体の処理位置との距離を1mmとした。
【0162】
実施例2
〔有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体の作製〕
肉厚3mm、直径(外径)80mm、長さ360mm、最大表面粗さ1μmのアルミニウム製の円筒状導電性支持体を用意した。
【0163】
〈下引層の塗設〉
該円筒状アルミニウム製導電性支持体に実施例1に記載の下引層塗布液を浸漬塗布法により乾燥後の膜厚が0.5μmになるように塗布し、乾燥した。
【0164】
〈電荷発生層の塗設〉
下引層の上に実施例1に記載の電荷発生層塗布液を乾燥後の膜厚が0.2μmとなるように浸漬塗布法により塗布、乾燥し電荷発生層を形成した。
【0165】
〈電荷輸送層の塗設〉
電荷発生層の上に実施例1に記載の電荷輸送層塗布液を浸漬塗布法により塗布し、乾燥膜厚20μmの電荷輸送層を形成し、有機光導電層を有する円筒状の導電性支持体を作製した。
【0166】
〔保護層を有する電子写真感光体2の作製〕
図2に示したジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置(外界を遮断した)を用いて、下記条件で、上記有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体を回転数10rpmで回転しながら、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体2を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0167】
《条件》
印加電極及びアース電極としては実施例1と同じものを1基使用した。出力密度を20W/cm2円筒状の導電性支持体の有機光導電層表面の処理位置との距離を1mmとし、円筒状の導電性支持体を回転させた以外は実施例1と同様の条件で行った。
【0168】
実施例3
〔保護層を有する電子写真感光体3〕
図3に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、下記条件で、実施例1で使用したものと同様な有機光導電層を有するPETフィルム導電性支持体を用い、平板固定電極の長さ方向に平行に移送して、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体3を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0169】
《条件》
印加電極を幅380mm、長さ600mm、高さ60mmの平板固定電極とし、該印加電極が厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64金属母材と実施例1の印加電極の誘電体と同じものを被覆し、アース電極は印加電極と同じものを使用した。高周波電源としてパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を使用し、出力密度を20W/cm2、反応ガスは実施例1と同じものを使用し、電極間隙を5mm、電極温度を60℃とし、気圧を104kPaとして行った。
【0170】
実施例4
〔保護層を有する電子写真感光体4〕
図4に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、下記条件で、実施例1で使用したものと同様な有機光導電層を有するPETフィルム導電性支持体をロール状回転電極に巻き回しながら移送して、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体4を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0171】
《条件》
印加電極を長さ380mm、幅15mm(誘電体処理後の寸法)、高さ15mm(誘電体処理後の寸法)の角筒状固定電極14本を角筒状固定電極群とし、それぞれの角筒型固定電極の金属母材を厚さ4mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、誘電体は実施例1の電極の誘電体と同じ被覆とした。アース電極については、直径200mm(誘電体処理後の寸法)、長さ360mmロール状回転電極とし、その金属母材には厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64を用い、誘電体としては実施例1の印加電極の誘電体被覆と同様にした。高周波電源としてはパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度は20W/cm2、反応ガスは実施例1のものと同じものを使用し、電極間隙を5mmとし、電極温度を60℃、気圧を104kPaとして行った。
【0172】
実施例5
〔保護層を有する電子写真感光体5〕
図7に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、下記条件で、実施例1で使用したものと同様な有機光導電層を有するPETフィルム導電性支持体をロール状回転電極に巻き回しながら移送して、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体5を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0173】
《条件》
印加電極を長さ380mm、幅150mm、高さ80mの凹型固定電極とし、その金属母材を厚さ20mmの中空の温度調節ジャケット付きのチタン合金T64を用い、誘電体は実施例1の電極の誘電体の被覆と同じにした。アース電極は直径200mm(誘電体処理後の寸法)、長さ360mmのロール状回転電極とし、その金属母材を厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、誘電体は実施例1の電極と同じ被覆とした。高周波電源にパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を15W/cm2、反応ガスを希ガスとしてアルゴンを98.25体積%、反応性ガス1としてジブチルジエトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)し、反応性ガス2として水素1.0体積%とし、電極間隙を3mmとし、電極温度を60℃、気圧を104kPaとして行った。
【0174】
実施例6
〔保護層を有する電子写真感光体6の作製〕
図8に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、下記条件で、平板固定電極と実施例1で使用したものと同様な有機光導電層を有するPETフィルム導電性支持体を該平板固定電極面に平行して移動する導電性支持体電極として、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体6を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0175】
《条件》
印加電極として幅380mm、長さ600mm、高さ80mmの平板固定電極を用い、その金属母材を厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、誘電体を実施例1の電極の被覆と同じにした。アース電極には有機光導電層を有するPETフィルム導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を用いた。高周波電源にはパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を8W/cm2とし、反応ガスを希ガスとしてアルゴン98.25体積%、反応性ガス1をシラントリイソプロポキシアセトアセトナート0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)とし、反応性ガス2に水素1.0体積%を用いた。更に電極間隙を5mmとし、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0176】
実施例7
〔保護層を有する電子写真感光体7の作製〕
図9に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、下記条件で、実施例1で使用したものと同様な有機光導電層を有するPETフィルム導電性支持体をポリカーボネート製の絶縁性ロール状回転体に巻き回しながら移送して、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体7を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0177】
《条件》
印加電極を長さ380mm、幅15mm(誘電体処理後の寸法)、高さ15mm(誘電体処理後の寸法)の角筒状固定電極を14本の角筒状固定電極群とし、その金属母材として、厚さ4mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64角パイプ状電極を用い、誘電体としては実施例1の電極の被覆と同じとした。アース電極には有機光導電層を有するPET導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を用い、ポリカーボネート製の絶縁性ロール状回転体(長さ390mm、直径200mm)に密着して巻き回して移送した。高周波電源としてはパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を15W/cm2とし、反応ガスとして、希ガスにアルゴン98.25体積%、反応性ガス1にテトラブトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)、反応性ガス2に水素1.0体積%を用い、電極間隙を3mmとし、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0178】
実施例8
〔保護層を有する電子写真感光体8の作製〕
図10に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、下記条件で、実施例1で使用したものと同様な有機光導電層を有するPETフィルム導電性支持体を絶縁性ロール状回転体に巻き回しながら移送して、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体8を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0179】
《条件》
印加電極を長さ380mm、幅150mm、高さ80mの凹型固定電極とし、その金属母材をして厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64を用い、誘電体は実施例1の電極の被覆と同じにした。アース電極として有機光導電層を有するPET導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を用い、ポリカーボネート製の絶縁性ロール状回転体(長さ390mm、直径200mm)に密着して巻き回して移送した。高周波電源としてはパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を使用し、出力密度を15W/cm2、反応ガスとして希ガスにアルゴン98.25体積%、反応性ガス1をテトライソプロポキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)とし、反応性ガス2に水素1.0体積%を用いた。更に電極間隙を3mm、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0180】
実施例9
〔保護層を有する電子写真感光体9〕
図11に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、印加電極を樋状の凹型固定電極とし、下記条件で、該樋状の凹型固定電極の樋の中を、実施例2で作製した有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体を10rpmで回転させながら、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体9を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0181】
《条件》
印加電極を長さ380mm、幅150mm、高さ80mの凹型固定電極を使用し、その金属母材に厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64を用い、誘電体を実施例1の電極の被覆と同じにした。アース電極として、直径80mm、長さ360mmの有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を用いた。高周波電源としてパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を20W/cm2とし、反応ガスを、希ガスとしてアルゴン98.25体積%、反応性ガス1としてテトラエトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)、反応性ガス2として水素1.0体積%を用いた。更に電極間隙を3mm、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0182】
実施例10
〔保護層を有する電子写真感光体10の作製〕
図12に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、円筒状固定電極を印加電極とし、その内側に実施例2で作製した有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体をアース電極として、該円筒状アルミニウム製導電性支持体を10rpmで回転させながら保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体10を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0183】
《条件》
印加電極を外径120mm、内径85mm、長さ400mmの円筒状固定電極とし、その金属母材を厚さ10mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、誘電体は実施例1の電極の被覆と同じにした。アース電極としては直径80mm、長さ360mmの有機光導電層を有する円筒状アルミニウム導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を用いた。高周波電源としてパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を20W/cm2、反応ガスとして、希ガスをアルゴン98.25体積%とし、反応性ガス1としてテトライソプロポキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)を、反応性ガス2として水素1.0体積%を用いた。更に電極間隙を3mm、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0184】
実施例11
〔保護層を有する電子写真感光体11の作製〕
図13に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、角筒型固定電極群を印加電極とし、その内側に実施例2で作製した有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体をアース電極として、該円筒状アルミニウム製導電性支持体を10rpmで回転させながら保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い、保護層を有する電子写真感光体11を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0185】
《条件》
印加電極を長さ380mm、幅15mm(誘電体処理後の寸法)、高さ14mm(誘電体処理後の寸法)の角筒状固定電極を104mmの円の上に15本配置して角筒状固定電極群とした。その金属母材を厚さ4mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、誘電体は実施例1の電極の被覆と同じにした。アース電極は直径80mm、長さ360mmの有機光導電層を有する円筒状アルミニウム導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を用いた。高周波電源にはパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を20W/cm2とした。反応ガスは、希ガスとしてアルゴン98.25体積%、反応性ガス1たしてジエチルジエトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)、反応性ガス2を水素1.0体積%を使用した。更に電極間隙を5mm、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0186】
実施例12
〔電子写真感光体12の作製〕
図14に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、平板固定電極を印加電極とし、実施例2で作製した有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体をアース電極として、該円筒状アルミニウム製導電性支持体を平板固定電極の誘電体側に平行に10rpmで回転させながら移動させて、更に40mm間隔で連続して該円筒状アルミニウム製導電性支持体をチェーンで移動させて電極群とし、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い保護層を有する電子写真感光体12を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0187】
《条件》
印加電極を幅390mm、長さ800mm、高さ100mmの平板固定電極とし、その金属母材を厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、誘電体を実施例1の電極の被覆と同じにした。アース電極は直径80mm、長さ360mmの有機光導電層を有する円筒状アルミニウム導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を40mm間隔で、回転方向にチェーンで連続的に移動する円筒状アルミニウム製導電性支持体電極群とした。高周波電源としてはパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を20W/cm2とし、反応ガスとして、希ガスをアルゴン98.25体積%、反応性ガス1をトリイソプロポキシシランアセトアセトナート0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)、反応性ガス2を水素1.0体積%用いた。更に電極間隙を5mm、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0188】
実施例13
〔保護層を有する電子写真感光体13の作製〕
図15に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、樋状の凹型固定電極の樋の中を、実施例2で作製した有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体を10rpmで回転させながら長さ方向に連結して移動する電極群とし、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い保護層を有する電子写真感光体13を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0189】
《条件》
印加電極を幅120mm、長さ1000mm、高さ120mmの樋状の凹型固定電極とし、その金属母材を厚さ20mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、誘電体は実施例1の電極の被覆と同じにしたものを使用した。アース電極としては直径80mm、長さ360mmの有機光導電層を有する円筒状アルミニウム導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を80mm間隔で、回転しながら樋の中を連続して移動する円筒状アルミニウム製導電性支持体電極群を用いた。高周波電源にはパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を20W/cm2とし、反応ガスとして、希ガスをアルゴン98.25体積%、反応性ガス1をエチルトリエトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)、反応性ガス2を水素1.0体積%を用いた。更に、電極間隙を8mm、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0190】
実施例14
〔電子写真感光体14の作製〕
図16に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、円筒状固定電極を印加電極とし、その内側に実施例2で作製した有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体を10rpmで回転させながら長さ方向に連結して移動する電極群とし、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い保護層を有する電子写真感光体14を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0191】
《条件》
印加電極に外径120mm、内径85mm、長さ400mmの円筒状固定電極を用い、その金属母材を厚さ10mmの中空、温度調節ジャケット付きのチタン合金T64とし、誘電体を実施例1の電極の被覆と同じものとした。アース電極は直径80mm、長さ360mmの有機光導電層を有する円筒状アルミニウム導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を80mm間隔で、回転しながら長さ方向に連続的に移動する円筒状アルミニウム製導電性支持体電極群とした。高周波電源としてパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を用い、出力密度を20W/cm2とし、反応ガスには希ガスをアルゴン98.25体積%、反応性ガス1をテトラエトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)、反応性ガス2を水素1.0体積%としたものを用いた。更に電極間隙を8mm、印加電極温度を100℃、気圧を104kPaとして行った。
【0192】
実施例15
〔保護層を有する電子写真感光体15の作製〕
図17に示した外界を遮断した大気圧プラズマ放電処理装置を用い、パイプ状固定電極群を印加電極とし、その内側に実施例2で作製した有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体を10rpmで回転させながら長さ方向に連結して移動する電極群とし、保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマ放電処理を行い保護層を有する電子写真感光体15を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0193】
《条件》
印加電極に長さ380mm、幅15mm(誘電体処理後の寸法)、高さ14mm(誘電体処理後の寸法)の角パイプ状電極を104mmの円の上に15本の角パイプ状電極群を配置し、その金属母材として厚さ4mmの中空、温度調節ジャケット付きチタン合金T64とし、誘電体は実施例1の電極の被覆と同じにした。アース電極は直径80mm、長さ360mmの有機光導電層を有する円筒状アルミニウム導電性支持体(有機光導電層が印加電極と対向している)を80mm間隔で、回転しながら長さ方向に連続して移動する円筒状アルミニウム製導電性支持体電極群を用いた。高周波電源にはパール工業製高周波電源CF−50000−2M(2MHz)を使用し、出力密度を20W/cm2とし、反応ガスとして、希ガスをアルゴン98.25体積%、反応性ガス1をテトラエトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)、反応性ガス2を水素1.0体積%を使用した。更に電極間隙を8mm、印加電極温度を120℃、気圧を104kPaとして行った。
【0194】
比較例1
〔保護層を有する電子写真感光体16の作製〕
特開平9−101625号公報の実施例1の図5に記載のプラズマCVD装置と同様な装置を用い、実施例2で作製した直径80mm、長さ360mmの円筒状アルミニウム製導電性支持体を装着し、下記条件で保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるようにプラズマCVD処理を行い保護層を有する電子写真感光体16を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0195】
《条件》
高周波電源として、第1及び第2電極のメッシュ電極にはパール工業製高周波電源、周波数13.56MHzを使用し、第3電極として複数の円筒状アルミニウム製導電性支持体を電極として配置し、パール工業製高周波電源200kHzを使用した。出力としては第1及び第2電極共に100Wとし、反応ガスとして、希ガスをアルゴン98.25体積%、反応性ガス1をテトラエトキシシラン0.25体積%(リンテック社製気化器にてアルゴンガスに混合して気化)、反応性ガス2を水素1.0体積%用いた。気圧は高真空の1.33Paとした。
【0196】
比較例2
〔保護層を有する電子写真感光体17の作製〕
実施例1で作製した有機光導電層を有するPET導電性支持体に、KP−851(シリコーンハードコート剤、信越化学社製)を保護層塗布液とし、アプリケーターで硬化後の保護層の膜厚が480〜500nm間の一定の厚さになるように塗布し、120℃で1時間乾燥硬化を行い保護層を有する電子写真感光体17を作製し、下記測定及び評価に供した。
【0197】
比較例3
〔保護層を有しない電子写真感光体18〕
実施例2で作製した有機光導電層を有する円筒状アルミニウム製導電性支持体を保護層を形成させないでそのまま使用し、保護層を有しない電子写真感光体18として、下記測定及び評価に供した。
【0198】
〔測定・評価方法〕
《電位特性の測定》
評価機としてコニカ社製デジタル複写機Konica 7060(コロナ帯電、レーザ露光、反転現像、静電転写、爪分離、ブレードクリーニング、クリーニング補助ブラシローラ採用プロセスを有する)を用い、初期と1万回の帯電及び露光を行った後の露光部電位(VL)と未露光部電位(VH)を測定した。なお、上記実施例及び比較例において作製した保護膜を有するまたは有しない電子写真感光体を、支持体がPETフィルムの場合には、アルミニウム製円筒(直径79.8mm、長さ360mm)に一回転するように巻いて末端をアルミニウム製円筒表面に接着テープで貼り付けたものを該複写機に装着して測定を行い、また円筒状導電性支持体の場合には、そのまま該複写機に装着して測定を行った。
【0199】
《摩擦係数の測定》
表面性試験器(Heidon社製)を用いて、上記実施例及び比較例において作製した保護膜を有するまたは有しない電子写真感光体の表面の摩擦係数を測定した。硬度70°、反発弾性35%の弾性ゴムブレードをトレイル方向に押圧し、荷重を変化させた時のトルク変動より算出した。
【0200】
《傷の付く荷重の測定》
同上の表面試験器を用いて、上記において作製した保護層を有する電子写真感光体の表面に傷の付く荷重の測定を行った。測定はダイアモンド針(先端径0.1mm)を該電子写真感光体表面に接触させ、荷重を変化させた場合の傷の入り始めの荷重を測定した。
【0201】
《摩耗量の測定》
テーバー摩耗試験器(東洋精機社製)を用いて、上記実施例及び比較例において作製した保護膜を有するまたは有しない電子写真感光体の表面に500gの荷重を負荷したCS−5の摩耗輪にて1500回転させた後の摩耗量を測定した。
【0202】
《画像評価》
上記実施例及び比較例において作製した保護膜を有するまたは有しない電子写真感光体を、それぞれ電位特性の測定の項で使用したのと同じように複写機に装着し、30℃、85%RHの高温高湿環境において、帯電、露光及びクリーニングを3時間繰り返し行った後に出力した印字率7%の文字画像を目視で下記のレベルで評価した。
【0203】
A:良好である
B:軽微な解像度の低下がある
C:画像流れ発生がある。
【0204】
《炭素含有率の測定》
炭素含有率は、VGサイエンティフィックス社製ESCALAB−200RのXPS表面分析装置を用いて測定した。X線アノードにはMgを用い、出力600W(加速電圧15kV、エミッション電流40mA)で測定した。エネルギー分解能は、正常なAg3d5/2ピークの半値幅で規定したとき、1.5〜1.7eVとなるように設定した。測定をおこなう前に、汚染による影響を除くために、保護層の膜厚の10〜20%の厚さに相当する表面層をエッチング除去する必要がある。表面層の除去には、希ガスイオンが利用出来るイオン銃を用いることが好ましく、イオン種としては、He、Ne、Ar、Xe、Krなどが利用出来る。本測定においては、Arイオンエッチングを用いて表面層を除去した。
【0205】
先ず、結合エネルギー0eVから1100eVの範囲を、データ取り込み間隔1.0eVで測定し、いかなる元素が検出されるかを求めた。
【0206】
次に、検出された、エッチングイオン種を除く全ての元素について、データの取り込み間隔を0.2eVとして、その最大強度を与える光電子ピークについてナロースキャンをおこない、各元素のスペクトルを測定した。得られたスペクトルは、測定装置、あるいは、コンピューターの違いによる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするために、VAMAS−SCA−JAPAN製のCOMMON DATA PROCESSING SYSTEM (Ver.2.3以降が好ましい)上に転送した後、同ソフトで処理をおこない、炭素含有率の値を原子数濃度(atomic concentration)として求めた。
【0207】
定量処理をおこなう前に、各元素についてCount Scaleのキャリブレーションを行い、5ポイントのスムージング処理をおこなった。定量処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強度(cps*eV)を用いた。バックグラウンド処理には、Shirleyによる方法を用いた。
【0208】
Shirley法については、D.A.Shirley,Phys.Rev.,B5,4709(1972)を参考にすることが出来る。
【0209】
上記電子写真感光体1〜18について上記測定及び評価を行い、結果を表1に示した。
【0210】
【表1】
Figure 0004107000
【0211】
(結果)
本発明の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、有機光導電層を有する電子写真感光体表面に保護層を形成する方法において、印加電極及びアース電極の形状が変わっても、また、アース電極がフィルム状の導電性支持体電極であっても、円筒状アルミニウム導電性支持体電極であっても、更に、該円筒状アルミニウム導電性支持体電極が回転しながら移動してプラズマ放電処理しても、電位特性、画像特性及び物理的性質何れもほとんど変わらない緻密で硬い保護膜を形成することが出来た。これに対して、プラズマCVD方法で行ったものは電位特性、物理的性質が極端に劣り、粗雑な保護層が形成されていた。塗布方式により保護層の形成したものは、画像特性及び物理的性質が劣っていることがわかった。保護層のない有機光導電層は電位特性、画像特性と摩擦係数は保護層のある本発明の電子写真感光体とあまり変わらなかったが、耐傷性及び摩耗性が劣っていた。このように本発明の大気圧プラズマ放電処理方法により形成した保護層は優れた性質を有し、そのために電子写真感光体としての性質が著しく向上したことがわかった。
【0212】
実施例16
《プロセスカートリッジ交換サイクル試験:プリント枚数試験による》
プロセスカートリッジ交換サイクル試験を、5万枚をめどにプリントを行い、画像カブリや傷による黒スジの発生する枚数を交換する時として試験した。
【0213】
電子写真感光体は表2に記載した保護層を有する電子写真感光体2、9、10、11、12、13、14、15及び比較例の16、更に保護層を有しない電子写真感光体18を使用し、これらの電子写真感光体と現像手段、転写・分離手段、ブレードクリーニング手段を一体型に組み込んだプロセスカートリッジとし、ヒューレットパッカード製レーザービームプリンター「レーザージェット4plus」にこれらのプロセスカートリッジを装着して試験を行った。複写紙は普通紙を使用し、トナーは該プリンターに使用するものを用いた。結果を表2に示した。
【0214】
【表2】
Figure 0004107000
【0215】
(結果)
本発明の電子写真感光体は何れも5万枚以上のプリントにおいても画像のカブリや黒スジの発生はなかった。これに対して、比較例の電子写真感光体16は2万枚で、また、保護層のない比較例の電子写真感光体18は1万枚に至る前に画像カブリ、黒スジの発生があった。このように、本発明の保護層を有する電子写真感光体のプロセスカートリッジの交換サイクルは、保護層を有しないものに比べて5倍以上、また本発明によらない保護層を有する電子写真感光体のものに比べて2.5倍以上であった。
【0216】
【発明の効果】
大気圧プラズマ放電処理法を用いて、電子写真感光体の有機光導電層の上に金属化合物、金属酸化物等の保護層を形成させることによって、硬度が高く、耐久性があり、耐摩耗性があり、大量プリントしても、また高温高湿環境においても、品質の高いコピーを得ることが出来る電子写真感光体を提供することが出来た。また高画質を形成し、大量プリントが可能な画像形成装置を提供出来、更に交換サイクルの長いプロセスカートリッジを提供出来た。
【図面の簡単な説明】
【図1】対向電極間で発生するプラズマ状態の反応ガスをジェット状にしてシート状またはフィルム状の導電性支持体の表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図2】対向電極間で発生するプラズマ状態の反応ガスをジェット状にして円筒状の導電性支持体の表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図3】2個の平板固定電極の対向電極間でシート状またはフィルム状の導電性支持体の表面に保護層を形成させるプラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図4】プラズマ放電処理装置のロール状回転電極とパイプ状電極群とで対向電極を構成し、該対向電極間でシート状またはフィルム状の導電性支持体の表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図5】金属母材とその上に被覆されている誘電体の状態を示すロール状回転電極の斜視図である。
【図6】金属母材とその上に被覆されている誘電体の状態を示すパイプ状固定電極群のうちの1本の角パイプ状電極の斜視図である。
【図7】シート状またはフィルム状の導電性支持体を、ロール状回転電極と凹型固定電極の対向電極間で保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図8】シート状またはフィルム状の導電性支持体電極と平板固定電極とで対向電極を構成し、シート状またはフィルムの導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図9】絶縁性ロール状回転体に密着して巻き回される導電性支持体を導電性支持体電極とパイプ状の固定電極群とで対向電極を構成し、該導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図10】絶縁性ロール状回転体に密着して巻き回される導電性支持体電極と凹面を有する凹型固定電極とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図11】円筒状の導電性支持体電極と凹面を有する樋状の凹型固定電極とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図12】円筒状の導電性支持体電極と該導電性支持体の外側に配置された円筒型固定電極とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図13】円筒状の導電性支持体電極と該導電性支持体の外側に円形に配置されたパイプ状固定電極群とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図14】回転しながら移動する円筒状の導電性支持体電極群と平板固定電極とで対向電極を構成し、該導電性支持体の表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図15】樋状の凹型固定電極とその樋の中を回転しながら移動する円筒状の導電性支持体電極群とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略的斜視図である。
【図16】回転しながら移動する円筒状の導電性支持体電極群と円筒型電極とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図17】回転しながら移動する円筒状の導電性支持体電極群と円形に配したパイプ状電極群とで対向電極を構成し、導電性支持体表面に保護層を形成させる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図18】本発明の画像形成装置の1例としての断面図である。
【符号の説明】
35A、36A 金属母材
35B、36B 誘電体
41 高周波電源
30 プラズマ放電処理装置
35、35a ロール状回転電極
36 パイプ状固定電極群
36a 角パイプ状電極
40 電圧印加手段
50 ガス充填手段
51 ガス発生装置
60 電極温度調節手段
500 感光体ドラム
510 露光部
520 帯電器
530 像露光器
540 現像器
570 給紙ローラー
580 転写ローラー(転写器)
590 分離ブラシ(分離器)
600 定着装置
610 排紙ローラー
620 ブレードクリーニング器
700 プロセスカートリッジ
G 反応ガス
G° プラズマ状態の反応ガス
G′ 処理排ガス
CF シート状またはフィルム状の導電性支持体
CD 円筒状の導電性支持体

Claims (41)

  1. 導電性支持体の上に少なくとも有機光導電層を形成し、該有機光導電層上に保護層を形成する電子写真感光体の製造方法において、印加電極とアース電極で構成される対向電極の電極間を、大気圧もしくはその近傍の圧力として反応性ガス及び希ガスまたは窒素ガスを含有する反応ガスを導入し、該電極間に高周波電圧を印加して放電させることによって反応ガスをプラズマ状態とし、該有機光導電層面を該プラズマ状態の反応ガスにさらすことによって保護層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
  2. 該有機光導電層面を、電極間外でプラズマ状態の反応ガスにさらすことによって、前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体の製造方法。
  3. 前記有機光導電層面を、電極間においてプラズマ状態の反応ガスにさらすことによって、前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体の製造方法。
  4. 前記導電性支持体がシート状またはフィルム状であって、該導電性支持体を移送させながら前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  5. 前記導電性支持体が、外周面に導電性層を有する円筒形状であり、該導電性支持体を円筒の円周方向に回転させながら前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の電子写真感光体の製造方法。
  6. 前記対向電極が、印加電極及びアース電極の平行する2個の平板固定電極であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  7. 前記アース電極をロール状回転電極とし、該ロール状回転電極の外周面より大きい同心円の円弧上に電極面が連続または不連続に配置された固定電極を印加電極として、シート状またはフィルム状の導電性支持体を該ロール状回転電極に密着して巻き回しながら前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする請求項1、3または4に記載の電子写真感光体の製造方法。
  8. 前記対向電極の少なくとも一方の電極が、少なくとも金属母材とその上に被覆した誘電体で構成されているものであることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  9. 前記アース電極がシート状またはフィルム状の導電性支持体を電極としたシート状またはフィルム状の導電性支持体電極であり、該導電性支持体電極と印加電極の対向電極間で前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体の製造方法。
  10. 前記印加電極が平板固定電極であって、該平板固定電極と、該平板固定電極面と平行に移動するシート状またはフィルム状の導電性支持体電極の対向電極間で保護膜を形成することを特徴とする請求項9に記載の電子写真感光体の製造方法。
  11. 前記印加電極が絶縁性ロール状回転体の外周面より大きい同心円の円弧上に電極面を有する連続または不連続に配置された固定電極であり、該固定電極と、該絶縁性ロール状回転体に巻き回しながら移動する前記導電性支持体電極との対向電極間で、前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする請求項9に記載の電子写真感光体の製造方法。
  12. 前記アース電極が、外周面に導電性層を有する円筒状の導電性支持体を電極とする円筒状の導電性支持体電極であり、該円筒状の導電性支持体電極と印加電極の対向電極間で前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする請求項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  13. 前記印加電極が、該円筒状の導電性支持体電極の外周より大きい同心円の円周上または円弧上に電極面が連続または不連続に配置された固定電極であり、該円筒状の導電性支持体電極と固定電極の対向電極間で前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする請求項12に記載の電子写真感光体の製造方法。
  14. 前記固定電極が凹面を有する凹面状固定電極であることを特徴とする請求項7、11または13に記載の電子写真感光体の製造方法。
  15. 前記固定電極が、複数のパイプ状電極からなる電極群であることを特徴とする請求項7、11または13に記載の電子写真感光体の製造方法。
  16. 前記固定電極が、筒抜けの円筒状電極であることを特徴とする請求項13に記載の電子写真感光体の製造方法。
  17. 前記円筒状の導電性支持体を回転させながら前記有機光導電層の上に保護層を形成することを特徴とする請求項12乃至16の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  18. 外周面に導電性層を有する円筒状の導電性支持体の該導電性層の上に少なくとも有機光導電層を形成し、該円筒状の導電性支持体をアース電極としての導電性支持体電極とし、該円筒状の導電性支持体電極を円周方向に回転させ、且つ該円筒状の導電性支持体電極の円筒の軸方向、または円筒の軸に直角方向に、印加電極に沿って移動させながら、該有機光導電層上に保護層を形成する電子写真感光体の製造方法において、回転し且つ移動する複数の円筒状の導電性支持体電極と印加電極との対向電極間で、大気圧もしくはその近傍の圧力下、該電極間に高周波電圧を印加して放電させることにより該電極間に導入した反応性ガス及び希ガスまたは窒素ガスを含有する反応ガスをプラズマ状態とし、該有機光導電層面を該プラズマ状態の反応ガスにさらすことによって、保護層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
  19. 前記印加電極を平板固定電極とし、該平板固定電極面に平行に沿って、円周方向に回転しながら円筒の軸と直角の方向に連続的に移動する複数の円筒状の導電性支持体電極と、該平板固定電極との対向電極間で前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする請求項18に記載の電子写真感光体の製造方法。
  20. 前記印加電極を前記円筒状の導電性支持体電極の外周より大きい同心円の円弧上にある樋状の凹面を有する凹面状固定電極とし、該凹面状固定電極と、該凹面状固定電極の樋状の凹面に沿って、円周方向に回転しながら且つ軸方向に連続して移動する複数の円筒状の導電性支持体電極とで対向電極を構成し、該対向電極間で前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする請求項18に記載の電子写真感光体の製造方法。
  21. 前記印加電極を前記円筒状の導電性支持体電極の外周より大きい同心円の筒抜けの円筒状電極とし、該円筒状電極と、該円筒状電極の中を円周方向に回転しながら且つ軸方向に連続して移動する複数の円筒状の導電性支持体電極とで対向電極を構成し、該対向電極間で前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする請求項18に記載の電子写真感光体の製造方法。
  22. 前記筒抜けの円筒状電極が、前記円筒状の導電性支持体電極の外側を円周方向に回転することを特徴とする請求項21に記載の電子写真感光体の製造方法。
  23. 前記印加電極を円筒状の導電性支持体電極の外周より大きい同心円に配置された複数のパイプ状電極で構成されるパイプ状電極群とし、該パイプ状電極群の内側を該円筒状の導電性支持体電極が円周方向に回転しながら且つ軸方向に連続的に移動する複数の円筒状の導電性支持体電極とで対向電極を構成し、該対向電極間で前記有機光導電層上に保護層を形成することを特徴とする請求項18に記載の電子写真感光体の製造方法。
  24. 前記パイプ状電極群が前記円筒状の導電性支持体電極の外側を円周方向に回転することを特徴とする請求項23に記載の電子写真感光体の製造方法。
  25. 前記印加電極が、少なくとも金属母材とその上に被覆した誘電体で構成されていることを特徴とする請求項9乃至24の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  26. 前記誘電体が6〜45の比誘電率の無機物であることを特徴とする請求項8または25に記載の電子写真感光体の製造方法。
  27. 前記高周波電圧が連続したサイン波であることを特徴とする請求項1乃至26の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  28. 前記高周波電圧を100kHzを超えた電圧とし、且つその時供給する電力を1W/cm2以上とすることを特徴とする請求項1乃至27の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  29. 前記反応ガスが90.0〜99.9体積%の希ガスまたは窒素ガスを含有していることを特徴とする請求項1乃至28の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  30. 前記反応性ガスが、金属化合物、有機金属化合物、有機化合物、酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選ばれる少なくとも一つを有することを特徴とする請求項1乃至29の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  31. 前記反応ガスが、酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選ばれる反応性ガスを0.01〜5体積%含有していることを特徴とする請求項1乃至30の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
  32. 前記有機金属化合物がアルコキシド基、アルキル基、β−ケトン基、アルキルカボキシ基が金属に結合した化合物であることを特徴とする請求項30に記載の電子写真感光体の製造方法。
  33. 前記金属化合物がハロゲン原子、窒素原子、ホウ素原子から選ばれ少なくとも一つが結合したものであることを特徴とする請求項30に記載の電子写真感光体の製造方法。
  34. 前記有機金属化合物または前記金属化合物の金属が、Al、Si、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、In、Sn、Wから選ばれるものであることを特徴とする請求項30、32または33に記載の電子写真感光体の製造方法。
  35. 請求項1乃至34に記載の方法により金属酸化物を主成分とする保護層が形成されたことを特徴とする電子写真感光体。
  36. 保護層が炭素含有率0.2〜5質量%の炭素を含有していることを特徴とする請求項35に記載の電子写真感光体。
  37. 前記炭素含有率が0.3〜3質量%であることを特徴とする請求項36に記載の電子写真感光体。
  38. 前記保護層が10〜10,000nmの厚さを有することを特徴とする請求項35乃至37の何れか1項に記載の電子写真感光体。
  39. 請求項35乃至38の何れか1項に記載の電子写真感光体を用いて、少なくとも帯電、像露光、現像、ブレードクリーニングの各工程を経て画像を形成することを特徴とする画像形成方法。
  40. 請求項35乃至38の何れか1項に記載の電子写真感光体を用いて、少なくとも帯電、像露光、現像、ブレードクリーニングの各手段を経て画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
  41. 電子写真感光体を有し、且つ少なくとも帯電、像露光、現像、ブレードクリーニングの各手段を有する画像形成装置に使用するプロセスカートリッジにおいて、請求項35乃至38の何れか1項に記載の電子写真感光体と、帯電器、像露光器、現像器及びクリーニング器から選ばれる少なくとも一つと一体に組み合わさっており、且つ画像形成装置に脱着自在に設計されていることを特徴とするプロセスカートリッジ。
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