JP5880543B2 - 中間転写ベルトの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真複写機、プリンター等の電子写真方式の画像形成装置に用いられる中間転写ベルトの製造方法に関するものである。

電子写真方式の画像形成装置においては、その装置内において様々な機能、用途でシームレスベルト部材が用いられている。例えば、定着ベルト、転写ベルト、紙搬送ベルト等が挙げられる。

電子写真方式の画像形成装置は、帯電したトナーを感光体上の静電潜像に接触或いは非接触で供給し、静電潜像を顕像にする現像過程を経て形成したトナー像を転写工程で転写部材である中間転写体に一次転写した後、転写材（例えば紙）に二次転写し、更に定着部材により定着して最終画像を形成するものである。

電子写真方式の画像形成装置においては、感光体（像担持体）上に形成された４色のトナー画像を、一旦中間転写体に転写（一次転写）することにより、中間転写体上にフルカラー画像を形成し、その後に紙などの転写媒体（記録媒体）に一括転写（二次転写）する中間転写体方式が主流となりつつある。中間転写体としては、無端状ベルト部材を使用した中間転写ベルト、管状部材を使用した中間転写ロールが使用されており、フルカラー画像形成装置においては、高速性を得るため、中間転写体に対峙する各色の色現像装置を直列に配置したタンデム方式といわれる方式が主流となっており、機構上から中間転写ベルトが多く使用されている。

高画質フルカラー化、高品質化の要求に対して管状物である中間転写ベルト方式の課題として、感光体上のトナー画像を中間転写ベルトへ一次転写する時の一次転写性（一次転写効率）、及び中間転写ベルト上のトナー画像を記録媒体へ二次転写する時の二次転写性（二次転写効率）が不安定になることが挙げられる。尚、本発明では、一次転写性、二次転写性を含めて転写性と言う。

中間転写ベルト方式には次の問題点が挙げられる。
１．中間転写ベルト上に残ったトナーの除去や転写媒体（記録媒体）への二次転写での接触に伴い中間転写ベルト表面に傷が付き、スジ状の画像ムラが発生する。
２．中間転写ベルト上に残ったトナーの除去残りがあると、色むらやかぶりのような異常画像が発生する。また、フィルミングによる耐久性の劣化要因となる。
３．中間転写ベルト上に残ったトナーを除去に伴い中間転写ベルト表面に傷が付き、トナー除去残りなどが発生しやすくなることから中間転写ベルトの寿命に影響する。

このため高画質フルカラー化、高品質化の要求に対して耐摩耗性、耐クリープ性、寸法安定性、耐久性、耐傷性に優れ、感光体や用紙等の転写媒体の表面性状によらず高い転写率及び転写性能を発現し、中抜けや濃度むら、色むらのような異常画像が発生しないことを目的とした中間転写ベルトの検討がされてきた。例えば、基材上に設ける高画質な転写効率に有効な弾性層の厚みの調整、耐摩耗性に有効なダイヤモンド微粒子を含有する樹脂層からなる表面層の厚みの調整、ダイヤモンド微粒子の含有量の調整等を行うことで、高画質な転写効率と耐磨耗性を満たす中間転写ベルトを得ることが知られている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、複数のロールに懸架され巻回され、また、感光体、転写材（紙、フィルムなど）、転写後の残存トナーを除去するためのクリーニング部材との接触に伴い、屈曲（延ばし方向、縮ませ方向）負荷、押し込み負荷、摩擦摩耗負荷が長期間繰り返し加えられると、特許文献１に記載の中間転写ベルトでは、転写効率と耐磨耗性が両立する寿命は、弾性層厚み、ダイヤモンド微粒子含有量、ダイヤモンド微粒子を含む表面層厚みを調整しないものに比べて、伸びると思われるが、長期間プリントを行う過程では、表面層からのダイヤモンド微粒子の脱落、クラックや擦り傷の発生、フィルミングの発生、ダイヤモンド微粒子が脱落した凹みに異物やトナーなどの成分が付着することにより、長期間プリントをする過程で、高画質な転写効率、クラック耐性、擦り傷耐性と耐磨耗性を満足することは到底出来ないものとなることが判った。

又、基層上にトナー中に含まれる油分（ワックス成分）との離型性向上に有効なｎ−ドデカン接触角を２０°以上とし、層の表面の傷防止に有効な鉛筆硬度４Ｈ以上のハードコート層を設けることで高画質な転写効率を得る中間転写ベルトを得ることが知られている（例えば、特許文献２参照）。

しかしながら、複数のロールに懸架され巻回され、また、感光体、転写材（紙、フィルムなど）、転写後の残存トナーを除去するためのクリーニング部材との接触に伴い、屈曲（延ばし方向、縮ませ方向）負荷、押し込み負荷、摩擦摩耗負荷が長期間繰り返し加えられると、特許文献２に記載の中間転写ベルトでは、クラック、擦り傷、表面層の削れが発生してしまい高画質な転写効率が保てず、改善のために、表面層厚みを厚くすると屈曲（延ばし方向、縮ませ方向）負荷によって、クラックが発生してしまう。

又、接触するトナー中の成分や接触する紙から発生する紙粉、転写部内に持ち込まれる異物などが付着し、取り除くためにプリント後に行う中間転写ベルトのクリーニング強化により擦り傷が発生してしまい、傷の発生防止と異物付着防止との両立が困難となり、長期間プリントをする過程で、高画質な転写効率、クラック耐性、擦り傷耐性と耐磨耗性を満足することは到底出来ないものとなることが判った。

この様な状況から、長期間プリントをしても転写効率、擦り傷耐性、フィルミング耐性の低下が発生することなく、高品質の画像を形成することが出来る中間転写ベルトの製造方法の開発が望まれている。

特開２００９−１５７３７６号公報 特開２００９−１９２９０１号公報

本発明は、上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は長期間プリントをしても転写効率、擦り傷耐性、フィルミング耐性の低下が発生することなく、高品質の画像を形成することが出来る中間転写ベルトの製造方法を提供することである。

本発明の上記目的は、下記の構成で達成された。

１．基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
前記表面層は、無機化合物を有する膜を真空プラズマＣＶＤ処理により前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成されることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。

２．基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
前記表面層は、無機化合物を有する膜を大気圧プラズマＣＶＤ処理により前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成されることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。

３．基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
前記表面層は、無機化合物を有する膜を前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成され、
前記無機化合物が酸化ケイ素又はＳｉＯ_αＣ_２−α（α＝１．５から２．０）であることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。

４．基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
前記表面層は、無機化合物を有する膜を前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成され、
前記表面層は、前記基材上に２層以上設けられることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。

５．前記２層以上の表面層のうち、前記基材から最も離れて設けられる表面層の炭素含有率が０．１原子数濃度％以下であることを特徴とする前記４に記載の中間転写ベルトの製造方法。

６．基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
前記表面層は、無機化合物を有する膜を前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成され、
前記真空紫外光を照射する雰囲気の不活性ガス中の酸素濃度が１．０％以下であることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。

７．前記真空紫外光の波長が、２５３ｎｍ以下であることを特徴とする前記１から６の何れか１項に記載の中間転写ベルトの製造方法。

８．前記真空紫外光の照射を前記２層以上の表面層の全ての層を設けた後に行うことを特徴とする前記４又は５に記載の中間転写ベルトの製造方法。

本発明者らは、先に記載したように長期間プリントをしても高画質な転写効率を継続するには、以下の要件が必要であることを見出した。
１）クラック、擦り傷、異物付着、フィルミングなどの欠陥の原因となる粒子状物質（ダイヤモンド粒子、無機物粒子、有機物粒子など）を表面層に含有させないこと。
２）クラック、擦り傷、表面層の削れを発生させず、かつ、屈曲（延ばし方向、縮ませ方向）負荷によってもクラックが発生させないためには、高硬度な表面層を薄く形成すること。
３）紙粉や異物などの付着を抑制するためには表面層が平滑であること。

又、無機化合物を有する薄膜で構成された表面層の懸念点として、表面層の架橋密度が不足している場合は、プリントする環境湿度が変化すると転写効率が変化したり画質ムラが発生する可能性があるため、長期間プリントする過程で高画質な転写効率を維持出来ない可能性がある。

よって、本発明者らはプリントする環境湿度が変化すると転写効率が変化したり画質ムラが発生する場合の原因を解析した結果、無機化合物を有する薄膜中に親水性基が残留していることが判り、残留している親水性基を減少させるには、無機化合物を有する薄膜の架橋密度を上げることが必要で、無機化合物を有する薄膜に対し真空紫外光の照射処理を行なうことで、薄膜の架橋密度が増加し、プリントする環境湿度が変化しても、転写効率が変化しない中間転写ベルトを形成出来ることを見出し本発明に至った次第である。

長期間プリントをしても転写効率、擦り傷耐性、フィルミング耐性の低下が発生することなく、高品質の画像が形成することが出来る中間転写ベルトの製造方法を提供することが出来た。

中間転写体として中間転写ベルトを使用した電子写真方式の画像形成装置の一例を示す概略断面構成図である。 図１に示す中間転写ベルトの拡大概略断面図である。 中間転写ベルトの表面層を形成する無機化合物を有する薄膜を形成する大気圧プラズマ処理装置の概略図である。 中間転写ベルトの表面層を形成する無機化合物を有する薄膜を形成する他の大気圧プラズマ処理装置の概略図である。 図３のＰで示される部分の拡大概略図である。 表面層を形成する無機化合物を有する薄膜の改質装置の概略図である。

本発明の実施の形態を図１から図６を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

図１は、中間転写体として中間転写ベルトを使用した電子写真方式の画像形成装置の一例を示す概略断面構成図である。尚、本図はフルカラー画像形成装置の場合を示している。

図中、１はフルカラー画像形成装置を示す。フルカラー画像形成装置１は、複数組の画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、転写部としての無端ベルト状中間転写体形成ユニット７と、記録媒体Ｐを搬送する無端ベルト状の給紙搬送手段２１及び定着手段としてのベルト式定着装置２４とを有する。フルカラー画像形成装置１の本体Ａの上部には、原稿画像読み取り装置ＳＣが配置されている。

各感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｋに形成される異なる色のトナー像の１つとして、イエロー色の画像を形成する画像形成ユニット１０Ｙは、第１の像担持体としてのドラム状の感光体１Ｙ、感光体１Ｙの周囲に配置された帯電手段２Ｙ、露光手段３Ｙ、現像剤担持体４Ｙ１を有する現像手段４Ｙ、一次転写手段としての一次転写ローラー５Ｙ、クリーニング手段６Ｙを有する。

又、別の異なる色のトナー像の１つとして、マゼンタ色の画像を形成する画像形成ユニット１０Ｍは、第１の像担持体としてのドラム状の感光体１Ｍ、感光体１Ｍの周囲に配置された帯電手段２Ｍ、露光手段３Ｍ、現像剤担持体４Ｍ１を有する現像手段４Ｍ、一次転写手段としての一次転写ローラー５Ｍ、クリーニング手段６Ｍを有する。

又、更に別の異なる色のトナー像の１つとして、シアン色の画像を形成する画像形成ユニット１０Ｃは、第１の像担持体としてのドラム状の感光体１Ｃ、感光体１Ｃの周囲に配置された帯電手段２Ｃ、露光手段３Ｃ、現像剤担持体４Ｃ１を有する現像手段４Ｃ、一次転写手段としての一次転写ローラー５Ｃ、クリーニング手段６Ｃを有する。

又、更に他の異なる色のトナー像の１つとして、黒色画像を形成する画像形成ユニット１０Ｋは、第１の像担持体としてのドラム状の感光体１Ｋ、感光体１Ｋの周囲に配置された帯電手段２Ｋ、露光手段３Ｋ、現像剤担持体４Ｋ１を有する現像手段４Ｋ、一次転写手段としての一次転写ローラー５Ｋ、クリーニング手段６Ｋを有する。

無端ベルト状中間転写体形成ユニット７は、複数のローラーにより巻回され、回動可能に支持された半導電性エンドレスベルト状の第２の像担持体として無端の中間転写ベルト７０を有する。

画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋより形成された各色の画像は、一次転写ローラー５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋにより、回動する無端の中間転写ベルト７０上に逐次転写されて、合成されたカラー画像が形成される。給紙カセット２０内に収容された記録媒体として用紙等の記録媒体Ｐは、給紙搬送手段２１により給紙され、複数の中間ローラー２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ、レジストローラー２３を経て、二次転写手段としての二次転写ローラー５Ａに搬送され、記録媒体Ｐ上にカラー画像が一括転写される。

カラー画像が転写された記録媒体Ｐは、熱ローラー定着器２７０が装着された定着装置２４により定着処理され、排紙ローラー２５に挟持されて機外の排紙トレイ２６上に載置される。

一方、二次転写ローラー５Ａにより記録媒体Ｐにカラー画像を転写した後、記録媒体Ｐを曲率分離した無端の中間転写ベルト７０は、クリーニング手段６Ａにより残留トナーが除去される。

画像形成処理中、一次転写ローラー５Ｋは常時、感光体１Ｋに圧接している。他の一次転写ローラー５Ｙ、５Ｍ、５Ｃはカラー画像形成時にのみ、それぞれ対応する感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃに圧接する。

二次転写ローラー５Ａは、ここを記録媒体Ｐが通過して二次転写が行われる時にのみ、無端の中間転写ベルト７０に圧接する。

又、装置本体Ａから筐体８を支持レール８２Ｌ、８２Ｒを介して引き出し可能にしてある。筐体８は、画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、無端ベルト状中間転写体形成ユニット７とを有する。

画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、垂直方向に縦列配置されている。感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｋの図示左側方には無端ベルト状中間転写体形成ユニット７が配置されている。無端ベルト状中間転写体形成ユニット７は、ローラー７１、７２、７３、７４、７６を巻回して回動可能な無端の中間転写ベルト７０、一次転写ローラー５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋ及びクリーニング手段６Ａとを有している。

筐体８の引き出し操作により、画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、無端ベルト状中間転写体形成ユニット７とは、一体となって、本体Ａから引き出される。

この様に感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｋの外周面上を帯電、露光し外周面上に潜像を形成した後、現像によりトナー像（顕像）を形成し、無端の中間転写ベルト７０上で各色のトナー像を重ね合わせ、一括して記録媒体Ｐに転写し、ベルト式定着装置２４で加圧及び加熱により固定して定着する。尚、本発明で像形成時とは潜像形成、トナー像（顕像）を記録媒体Ｐに転写し最終画像を形成することを含む。

トナー像を記録媒体Ｐに転移させた後の感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｋは、各感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｋに配設されたクリーニング手段６Ｙ、６Ｍ、６Ｃ、６Ｋで転写時に感光体に残されたトナーを清掃した後、上記の帯電、露光、現像のサイクルに入り、次の像形成が行われる。

上記カラー画像形成装置では、中間転写ベルトをクリーニングするクリーニング手段６Ａのクリーニング部材として、弾性ブレードを用いる。又、各感光体に脂肪酸金属塩を塗布する手段（１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ）を設けている。尚、脂肪酸金属塩としては、トナーで用いたと同じものを用いることが出来る。

本発明は、長期間プリントをしても転写効率、擦り傷耐性、フィルミング耐性の低下が発生することなく画質の変動が小さく保てる中間転写ベルトの製造方法、中間転写ベルト及び中間転写ベルトを使用した画像形成装置に関するものである。尚、長期間プリントとは、１００万枚程度のプリントを行うことを言う。

図２は図１に示す中間転写ベルトの拡大概略断面図である。

図中、７０は中間転写ベルトを示す。中間転写ベルト７０は、基材７０ａの上に順次弾性層７０ｂと、表面層７０ｃとを積層した構成を有している。

基材７０ａは従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば材料となる樹脂を押出機により溶融し、環状ダイを使用したインフレーション法により筒状に成形した後、輪切りにすることで環状の無端ベルト状の基材を作製することが出来る。

基材７０ａのヤング率は、クリーニング部材であるクリーニングブレードから中間転写ベルトに加わる負荷に伴う変形、連続して巻回しによる使用に耐える柔軟性等を考慮し、ナノインデンテーション法により測定したヤング率が５．０ＧＰａから１５．０ＧＰａが好ましい。

弾性層７０ｂは公知の塗布方法、例えば特開２００６−２５５６１５号公報に記載の浸漬塗布、特開平１０−１０４８５５号公報に記載の円形量規制型塗布、特開２００７−１３６４２３号公報に記載の環状塗布方法、或いは浸漬塗布と円形量規制型塗布を組み合わせて塗膜を設けて作製することが出来る。

弾性層はＪＩＳ Ａ硬度で４０°から７０°、弾性率は、基材或いは好ましい態様の１つである樹脂層の弾性率にもよるが、強度およびニップ性等を考慮し、引張り弾性率１×１０^５から１×１０^７Ｐａ（ＪＩＳ Ｋ７１６１）であることが好ましい。
ナノインデンテーション法により測定したヤング率で表すと２．０ＧＰａ未満が好ましい。
また、弾性層の炭素含有率は、後述するＸＰＳ法により算出され、２５原子数濃度％以上であることが好ましい。

表面層７０ｃは無機化合物を有する薄膜を弾性層７０ｂの上に形成した後、真空紫外光（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＶＵＶ）線を照射し無機化合物を有する薄膜が改質処理されることで形成されている。尚、無機化合物を有する薄膜の形成は特に限定されず、例えば大気圧プラズマＣＶＤ法、真空プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタ法、溶射法、ウエット塗布法等が挙げられが、これらの中では大気圧プラズマＣＶＤ法が好ましい。大気圧プラズマＣＶＤ法による表面層７０ｃの形成方法の詳細は図３から図６で説明する。

又、本図では表面層７０ｃが１層の場合を示しているが必要に応じて２層以上で構成しても構わない。弾性層７０ｂは必要に応じて設けることが可能である。又、必要に応じて弾性層７０ｂと表面層７０ｃとの間に樹脂層を設けることが可能である。

Ｅは基材７０ａの厚さを示す。厚さＥは、機械的強度、画質、製造コスト等を考慮し、５０μｍから１０００μｍが好ましい。より好ましくは５０μｍから２００μｍである。

Ｆは弾性層７０ｂの厚さを示す。厚さＦは、画質、耐久性等を考慮し、５０μｍから５００μｍが好ましい。より好ましくは１００μｍから３００μｍである。

Ｇは表面層７０ｃの厚さを示す。厚さＧは、耐久性、表面強度、下層との密着性、屈曲耐性、成膜時間等を考慮し、５０ｎｍから１０００ｎｍが好ましい。より好ましくは２００ｎｍから５００ｎｍである。

表面層７０ｃの膜厚は、Ｘ線反射率法で「ＭＸＰ２１」（マックサイエンス社製）を用いて測定して得られた値である。具体的な膜厚の測定は、以下の方法で行うことができる。Ｘ線源のターゲットには銅を用い、４２ｋＶ、５００ｍＡで作動させる。インシデントモノクロメータには多層膜パラボラミラーを用いる。入射スリットは０．０５ｍｍ×５ｍｍ、受光スリットは０．０３ｍｍ×２０ｍｍを用いる。２θ／θスキャン方式で０から５°をステップ幅０．００５°、１ステップ１０秒のＦＴ法にて測定を行う。得られた反射率曲線に対し、マックサイエンス社製Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｐｒｏｇｒａｍ Ｖｅｒ．１を用いてカーブフィッティングを行い、実測値とフィッティングカーブの残差平方和が最小になるように各パラメータを求める。各パラメータから積層膜の膜厚を求める。

表面層７０ｃが２層以上の場合、最表層の厚さは、５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることが好ましく、更には１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが好ましい。また、最表層を除く、他の表面層７０ｃ全体の膜厚は１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、更には２００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下であることが好ましい。この様にすることで、更なる耐久効果が得られる。

尚、基材７０ａ及び弾性層７０ｂの厚さは、（株）ミツトヨ製マイクロメータで測定した値を示す。

（表面層の硬度）
表面層７０ｃの硬度はナノインデンテーション法により測定することが可能である。ナノインデンテーション法とは、試料に対して超微小な荷重で圧子を連続的に負荷、除荷し、得られた荷重−変位曲線から硬さ（Ｈａｒｄｎｅｓｓ、以下、Ｈと略記）を測定する方法である。

ナノインデンテーションの硬さ（Ｈ）は、試料の直接的な表面の硬さの値を表している。従って、ナノインデンテーションの硬さ（Ｈ）が表面硬度の指標として適している。

〈ナノインデンテーション法による硬度（Ｈ）の測定〉
表面層７０ｃのナノインデンテーション法による硬度（Ｈ）の測定は、Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社製ＴｒｉｂｏｓｃｏｐｅをＤｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＮａｎｏｓｃｏｐｅIIIに試料を装着し測定した。測定には、圧子としてベルコビッチ型圧子（先端稜角１４２．３°）と呼ばれる三角錘型ダイヤモンド製圧子を用いる。

三角錘型ダイヤモンド製圧子を試料表面に直角に当て、徐々に荷重を印加し、最大荷重到達後に荷重を０にまで徐々に戻した。この時の最大荷重Ｐを圧子接触部の投影面積Ａで除した値Ｐ／Ａを硬度（Ｈ）として算出した。この時の最大荷重の条件は１００μＮで行う。尚、ナノインデンテーション法による表面硬度測定の原理に関する詳細は、例えば、Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｍｉｃｒｏ／Ｎａｎｏ Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ（Ｂｈａｒａｔ Ｂｈｕｓｈａｎ編 ＣＲＣ）に記載されている。

〈表面層の炭素含有率〉
又、本発明の中間転写体においては、表面層７０ｃが２層以上で構成される場合、下層の炭素含有率が、隣接する上層の炭素含有率よりも高い構成をとることが好ましく、更には最表層を除く表面層７０ｃの炭素含有率（炭素原子数濃度）としては０．５原子数濃度％から１０原子数濃度％、最表層の炭素含有率（炭素原子数濃度）は０．１原子数濃度％以下であることが好ましい。

本発明でいう炭素含有率を示す原子数濃度とは、下記のＸＰＳ法によって算出されるもので、以下に定義される。

原子数濃度％（ａｔｏｍｉｃ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）＝炭素原子の個数／全原子の個数×１００
ＸＰＳ表面分析装置は、本発明では、ＶＧサイエンティフィックス社製ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒを用いた。具体的には、Ｘ線アノードにはＭｇを用い、出力６００Ｗ（加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流４０ｍＡ）で測定した。エネルギー分解能は、清浄なＡｇ３ｄ５／２ピークの半値幅で規定したとき、１．５ｅＶから１．７ｅＶとなるように設定した。

測定としては、先ず、結合エネルギー０ｅＶから１１００ｅＶの範囲を、データ取り込み間隔１．０ｅＶで測定し、いかなる元素が検出されるかを求めた。

次に、検出された、エッチングイオン種を除く全ての元素について、データの取り込み間隔を０．２ｅＶとして、その最大強度を与える光電子ピークについてナロースキャンをおこない、各元素のスペクトルを測定した。

得られたスペクトルは、測定装置、あるいは、コンピュータの違いによる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするために、ＶＡＭＡＳ−ＳＣＡ−ＪＡＰＡＮ製のＣＯＭＭＯＮ ＤＡＴＡ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭ （Ｖｅｒ．２．３以降が好ましい）上に転送した後、同ソフトで処理をおこない、各分析ターゲットの元素（炭素、酸素、ケイ素、チタン等）の含有率の値を原子数濃度（ａｔｏｍｉｃ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ：ａｔ％）として求めた。

定量処理を行う前に、各元素についてＣｏｕｎｔ Ｓｃａｌｅのキャリブレーションを行い、５ポイントのスムージング処理を行った。定量処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強度（ｃｐｓ＊ｅＶ）を用いた。バックグラウンド処理には、Ｓｈｉｒｌｅｙによる方法を用いた。このＳｈｉｒｌｅｙ法については、Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．，Ｂ５，４７０９（１９７２）を参考にすることができる。

図３は中間転写ベルトの表面層７０ｃ（図２参照）を形成する無機化合物を有する薄膜を大気圧プラズマＣＶＤ法により形成る大気圧プラズマ処理装置の概略図である。尚、大気圧プラズマＣＶＤ法とは、大気圧もしくはその近傍の圧力下で行われるプラズマＣＶＤ法を言う。大気圧もしくはその近傍の圧力とは２０ｋＰａから１１０ｋＰａ程度であり、本発明では９３ｋＰａから１０４ｋＰａが好ましい。

図中、３ａは大気圧プラズマ処理装置を示す。大気圧プラズマ処理装置３ａは、無端ベルト状の基材７０ａを巻架して矢印方向に回転するロール電極３０と、従動ローラー３０１と、無端ベルト状の基材７０ａの表面に無機化合物層を有する薄膜を形成する複数の大気圧プラズマＣＶＤ装置４とを有している。尚、本図では無端ベルト状の基材７０ａとは図２に示す弾性層７０ｂを積層した状態を言う。

大気圧プラズマＣＶＤ装置４は、ロール電極３０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極３１と、固定電極３１とロール電極３０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間３３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間３３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置３４と、放電空間３３等に空気の流入することを軽減する放電容器３９と、ロール電極３０に接続された第１の電源３５と、固定電極３１に接続された第２の電源３６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部３８とを有している。

混合ガス供給装置３４は無機化合物を有する薄膜として、無機酸化物を有する薄膜、無機窒化物を有する薄膜の何れかを形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間３３に供給する。また、酸化還元反応による反応促進のための酸素ガスまたは水素ガスを混合することがより好ましい。

又、従動ローラー３０１は張力付与手段３０２により矢印方向に牽引され、基材７０ａに所定の張力を掛けている。張力付与手段３０２は基材７０ａの掛け替え時等は張力の付与を解除し、容易に基材７０ａの掛け替え等を可能としている。

第１の電源３５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源３６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間３３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた無機化合物を有する薄膜が基材７０ａの表面に堆積される。基材７０ａの表面とは弾性層７０ｂの表面を言う。

尚、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向下流側に位置する複数の固定電極と混合ガス供給装置で無機化合物を有する薄膜を積み重ねるように堆積し、無機化合物を有する薄膜の厚さを調整するようにしても良い。

又、複数の固定電極３１の内、ロール電極３０の回転方向最下流側に位置する固定電極３１と混合ガス供給装置３４で無機化合物を有する薄膜を堆積し、より上流に位置する他の固定電極と混合ガス供給装置で、例えば無機化合物を有する薄膜と弾性層７０ｂとの接着性を向上させる接着層等、他の層を形成してもよい。

又、基材７０ａと弾性層７０ｂとの接着性を向上させるために、無機化合物を有する薄膜を形成する固定電極３１と混合ガス供給装置３４の上流に、アルゴンや酸素などのガスを供給するガス供給装置（不図示）と固定電極（不図示）を設けてプラズマ処理を行い、基材７０ａの表面を活性化させるようにしても良い。

以上説明したように、無端ベルト状の基材７０ａをロール電極３０と従動ローラー３０１とに張架し、ロール電極２０の外周面の外側に沿って他方の電極である少なくとも１の固定電極３１を設け、原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間３３に供給し、ロール電極３０と固定電極３１間に大気圧または大気圧近傍下で電界を発生させプラズマ放電を行わせることで、無端ベルト状の基材７０ａの表面に無機化合物を有する薄膜を形成することが可能となっている。

尚、本図に示す大気圧プラズマ処理装置を真空環境に設置することで真空プラズマ処理装置として使用することが可能である。但し、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスは使用しなくてもよい。

図４は、中間転写ベルトの表面層を形成する無機化合物を有する薄膜を形成する大気圧プラズマＣＶＤ法による他の大気圧プラズマ処理装置の概略図である。

３ｂは大気圧プラズマ処理装置を示す。大気圧プラズマ処理装置３ｂは複数の基体上に同時に無機化合物を有する薄膜を形成するもので、主として基体表面に無機化合物を有する薄膜を形成する複数の大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ１及び大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ２より構成されている。

大気圧プラズマ処理装置３ｂは、大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ１と所定の間隙を隔てて略鏡像関係に配置された大気圧プラズマＣＶＤ装置置３ｂ２と、大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ１と大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ２との間に配置された少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間３３ｂに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置３４ｂとを有している。

大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ１は無端ベルト状の基材７０ａを巻架して矢印方向に回転するロール電極３０ａと従動ローラー３０１ａと矢印方向に従動ローラー３０１ａを牽引する張力付与手段３０２ａとロール電極３０ａに接続された第１の電源３５とを有している。

大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ２は無端ベルト状の基材７０ａを巻架して矢印方向に回転するロール電極３０ｂと従動ローラー３０１ｂと矢印方向に従動ローラー３０１ｂを牽引する張力付与手段３０２ｂとロール電極３０ｂに接続された第２の電源３６とを有している。尚、本図では無端ベルト状の基材７０ａとは図２に示す弾性層を積層した状態を言う。

又、大気圧プラズマ処理装置３ｂはロール電極３０ａとロール電極３０ｂとの対向領域に放電が行われる放電空間３３ｂを有している。

混合ガス供給装置３４ｂは無機化合物を有する薄膜として無機酸化物を有する薄膜、無機窒化物を有する薄膜から選ばれる少なくとも１つの薄膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間３３ｂに供給する。また、酸化還元反応による反応促進のための酸素ガスまたは水素ガスを混合することがより好ましい。

第１の電源３５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源３６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間３３ｂに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化（励起）し、プラズマ化（励起）した混合ガスを大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ１の基材７０ａ及び大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ２の基材７０ａの表面に晒し、プラズマ化（励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた無機化合物を有する薄膜が大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ１の基材７０ａ及び大気圧プラズマＣＶＤ装置３ｂ２の基材７０ａの表面に同時に堆積・形成される。基材７０ａの表面とは弾性層の表面を言う。

ここで、対向するロール電極３０ａとロール電極３０ｂとは所定の間隙を隔てて配置されている。

尚、本図に示す大気圧プラズマ処理装置を真空環境に設置することで真空プラズマ処理装置として使用することが可能である。但し、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスは使用しなくてもよい。

図５は図３のＰで示される部分の拡大概略図である。

大気圧プラズマＣＶＤ装置４は、混合ガス供給装置３４、固定電極３１、第１の電源３５、第１のフィルター３５ａ、ロール電極３０、ロール電極を矢印方向に駆動回転させる駆動手段３０ａ、第２の電源３６、第２のフィルター３６ａとを有しており、放電空間３３でプラズマ放電を行わせて原料ガスと放電ガスを混合した混合ガスＧを励起させ、励起した混合ガスＧ１を基材７０ａの上に形成された弾性層７０ｂの表面に晒し、その表面に無機化合物を有する薄膜を堆積・形成するものである。

そして、固定電極３１に第１の電源３５から周波数ω_１の第１の高周波電圧が印加され、ロール電極３０に第２の電源３６から周波数ω_２の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、固定電極３１とロール電極３０との間に電界強度Ｖ１で周波数ω_１と電界強度Ｖ_２で周波数ω_２とが重畳された電界が発生し、固定電極２１に電流Ｉ１が流れ、ロール電極３０に電流Ｉ_２が流れ、電極間にプラズマが発生する。

ここで、周波数ω_１と周波数ω_２の関係、及び、電界強度Ｖ_１と電界強度Ｖ_２および放電ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶとの関係が、ω_１＜ω_２で、Ｖ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２、又は、Ｖ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上となっている。窒素ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍの為、少なくとも第１の電源３５から印可する電界強度Ｖ_１は３．７ｋＶ／ｍｍ、又はそれ以上とし、第２の高周波電源３６から印可する電界強度Ｖ_２は３．７ｋＶ／ｍｍ、又はそれ未満とすることが好ましい。

又、大気圧プラズマＣＶＤ装置４に利用可能な第１の電源３５（高周波電源）としては特に限定はなく、市販のものを使用することが出来る。高周波電源の一例を以下に示す。

印加電源記号 メーカー 周波数 製品名
Ａ１ 神鋼電機 ３ｋＨｚ ＳＰＧ３−４５００
Ａ２ 神鋼電機 ５ｋＨｚ ＳＰＧ５−４５００
Ａ３ 春日電機 １５ｋＨｚ ＡＧＩ−０２３
Ａ４ 神鋼電機 ５０ｋＨｚ ＳＰＧ５０−４５００
Ａ５ ハイデン研究所 １００ｋＨｚ＊ ＰＨＦ−６ｋ
Ａ６ パール工業 ２００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−２００ｋ
Ａ７ パール工業 ４００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−４００ｋ
Ａ８ ＳＥＲＥＮＩＰＳ １００ｋＨｚから４６０ｋＨｚ Ｌ３００１
＊：ハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。

又、第２の電源３６（高周波電源）としては、特に限定はなく、市販のものを使用することが出来る。高周波電源の一例を以下に示す。

印加電源記号 メーカー 周波数 製品名
Ｂ１ パール工業 ８００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−８００ｋ
Ｂ２ パール工業 ２ＭＨｚ ＣＦ−２０００−２Ｍ
Ｂ３ パール工業 １３．５６ＭＨｚ ＣＦ−５０００−１３Ｍ
Ｂ４ パール工業 ２７ＭＨｚ ＣＦ−２０００−２７Ｍ
Ｂ５ パール工業 １５０ＭＨｚ ＣＦ−２０００−１５０Ｍ
Ｂ６ パール工業 ２０ＭＨｚから９９．９ＭＨｚ
Ｐ−２０００−２０／１００Ｍ
本発明において、第１及び第２の電源から対向する電極間に供給する電力は、固定電極３１に１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、薄膜を形成する。固定電極２１に供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ^２、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ^２である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ^２である。尚、放電面積（ｃｍ^２）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。

又、ロール電極３０にも、１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力（出力密度）を供給することにより、高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立出来る。好ましくは５Ｗ／ｃｍ^２以上である。ロール電極３０に供給する電力の上限値は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ^２である。

ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくともロール電極３０に供給する高周波は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。

又、固定電極３１と第１の電源３５との間には、第１フィルター３５ａが設置されており、第１の電源３５から固定電極３１への電流を通過しやすくし、第２の電源３６からの電流をアースして、第２の電源３６から第１の電源３５への電流が通過しにくくなるようになっており、ロール電極３０と第２の電源３６との間には、第２フィルター３６ａが設置されており、第２の電源３６からロール電極３０への電流を通過しやすくし、第１の電源３１からの電流をアースして、第１の電源３５から第２の電源３６への電流を通過し難くする様になっている。

電極には前述したような強い電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を採用することが好ましく、固定電極３１とロール電極３０には強い電界による放電に耐えるため少なくとも一方の電極表面には下記の誘電体が被覆されている。

以上の説明において、電極と電源の関係は、固定電極３１に第２の電源３６を接続して、ロール電極３０に第１の電源３５を接続しても良い。

ロール電極３０の構成について説明すると、ロール電極３０は、金属等の導電性母材（以下、「電極母材」ともいう。）に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体（以下、単に「誘電体」ともいう。）を被覆した組み合わせで構成されている。また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化ケイ素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。

又、金属等の導電性母材にライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体を被覆した組み合わせでロール電極を構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。

金属等の導電性母材としては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、チタニウム、チタン合金、鉄等の金属等が挙げられるが、加工やコストの観点からステンレスが好ましい。

尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。

固定電極３１及び３１ａ、３１ｂは上記記載のロール電極３０と同様に、金属等の導電性母材に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体を被覆した組み合わせで構成されている。また、金属等の導電性母材へライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体を被覆した組み合わせで構成してもよい。

以下に、中間転写体の製造方法の工程の内、基材７０ａの上に形成されている弾性層７０ｂの上に無機化合物層７０ｃを堆積・形成するステップの例を、図３、図６を参照して説明する。
ステップ１：図３及び図４において、ロール電極３０及び従動ローラー３０１に無端ベルト状の基材７０ａを張架後、張力付与手段３０２の作動により基材７０ａに所定の張力を掛け、次いでロール電極３０を所定の回転数で回転駆動する。尚、基材７０ａの上には弾性層７０ｂが形成されている。
ステップ２：混合ガス供給装置３４から混合ガスＧを生成し、放電空間３３に放出する。ステップ３：第１の電源３５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極３１に印加し、第２の電源３６から周波数ω２の電圧を出力してロール電極３０に印加し、これらの電圧により放電空間３３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。
ステップ４：電界Ｖにより放電空間３３に放出された混合ガスＧを励起しプラズマ状態にする。そして、弾性層７０ｂの表面にプラズマ状態の混合ガスＧを晒し混合ガスＧ中の原料ガスにより無機酸化物を有する薄膜、無機窒化物を有する薄膜から選ばれる少なくとも１つの薄膜、即ち無機化合物を有する薄膜が弾性層７０ｂの上に形成される。

この様にしてステップ１からステップ４を経て形成される無機化合物を有する薄膜を、複数設け、複数層からなる無機化合物を有する薄膜としてもよいが、当該複数の薄膜の内、最低１層は、ＸＰＳ測定による炭素原子の含有量測定で、炭素原子０．１原子％から２０原子％含むことが好ましく、更に当該炭素原子含有層は基材により近い層であることがより好ましい。例えば、図３に示す大気圧プラズマＣＶＤ装置３においては、一対の電極間（ロール電極２０と固定電極２１）で混合ガス（放電ガス）をプラズマ励起させ、このプラズマ中に存在する炭素原子を有する原料ガスをラジカル化して基材７０ａの上に形成された弾性層７０ｂの表面に晒すものである。そして、この弾性層７０ｂの表面に晒された炭素含有分子や炭素含有ラジカルが、無機化合物層７０ｃの中に含有される。

又、無機化合物を有する薄膜を形成するための原料ガスとしては、常温で気体または液体の有機金属化合物、特にアルキル金属化合物や金属アルコキシド化合物、有機金属錯体化合物が用いられる。これら原料における相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、混合ガス供給装置３４で加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である。

原料ガスとは、放電空間でプラズマ状態となり、薄膜を形成する成分を含有するものであり、成分としては有機金属化合物、有機化合物、無機化合物等である。有機金属化合物の例を以下に示す。

ケイ素化合物として、例えば、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１等が挙げられるがこれらに限定されない。

チタン化合物としては、例えばテトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。

ジルコニウム化合物としては、例えば、ジルコニウムｎ−プロポキシド、ジルコニウムｎ−ブトキシド、ジルコニウムｔ−ブトキシド、ジルコニウムトリ−ｎ−ブトキシドアセチルアセトネート、ジルコニウムジ−ｎ−ブトキシドビスアセチルアセトネート、ジルコニウムアセチルアセトネート、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムヘキサフルオロペンタンジオネート等が挙げられる。

アルミニウム化合物としては、例えばアルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムIII２，４−ペンタンジオネート、ジメチルアルミニウムクロライドなどが挙げられるがこれらに限定されない。

硼素化合物としては、例えば、ジボラン、テトラボラン、フッ化硼素、塩化硼素、臭化硼素、ボラン−ジエチルエーテル錯体、ボラン−ＴＨＦ錯体、ボラン−ジメチルスルフィド錯体、三フッ化硼素ジエチルエーテル錯体、トリエチルボラン、トリメトキシボラン、トリエトキシボラン、トリ（イソプロポキシ）ボラン、ボラゾール、トリメチルボラゾール、トリエチルボラゾール、トリイソプロピルボラゾール、等が挙げられる。

錫化合物としては、例えば、テトラエチル錫、テトラメチル錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル錫、テトラブチル錫、テトラオクチル錫、テトラエトキシ錫、メチルトリエトキシ錫、ジエチルジエトキシ錫、トリイソプロピルエトキシ錫、ジエチル錫、ジメチル錫、ジイソプロピル錫、ジブチル錫、ジエトキシ錫、ジメトキシ錫、ジイソプロポキシ錫、ジブトキシ錫、錫ジブチラート、錫ジアセトアセトナート、エチル錫アセトアセトナート、エトキシ錫アセトアセトナート、ジメチル錫ジアセトアセトナート等、錫水素化合物等、ハロゲン化錫としては、二塩化錫、四塩化錫等が挙げられる。

また、その他の有機金属化合物としては、例えば、アンチモンエトキシド、ヒ素トリエトキシド、バリウム２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオネート、ベリリウムアセチルアセトナート、ビスマスヘキサフルオロペンタンジオネート、ジメチルカドミウム、カルシウム２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオネート、クロムトリフルオロペンタンジオネート、コバルトアセチルアセトナート、銅ヘキサフルオロペンタンジオネート、マグネシウムヘキサフルオロペンタンジオネート−ジメチルエーテル錯体、ガリウムエトキシド、テトラエトキシゲルマン、テトラメトキシゲルマン、ハフニウムｔ−ブドキシド、ハフニウムエトキシド、インジウムアセチルアセトナート、インジウム２，６−ジメチルアミノヘプタンジオネート、フェロセン、ランタンイソプロポキシド、酢酸鉛、テトラエチル鉛、ネオジウムアセチルアセトナート、白金ヘキサフルオロペンタンジオネート、トリメチルシクロペンタジエニル白金、ロジウムジカルボニルアセチルアセトナート、ストロンチウム２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオネート、タンタルメトキシド、タンタルトリフルオロエトキシド、テルルエトキシド、タングステンエトキシド、バナジウムトリイソプロポキシドオキシド、マグネシウムヘキサフルオロアセチルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナート、ジエチル亜鉛、などが挙げられる。

又、これらの金属を含む原料ガスを分解して無機化合物を得るための分解ガスとしては、水素ガス、メタンガス、アセチレンガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素ガス、酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、酸素ガス、水蒸気、フッ素ガス、フッ化水素、トリフルオロアルコール、トリフルオロトルエン、硫化水素、二酸化硫黄、二硫化炭素、塩素ガスなどが挙げられる。

金属元素を含む原料ガスと、分解ガスを適宜選択することで、各種の金属炭化物、金属窒化物、金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属硫化物を得ることができるが、金属酸化物がより好ましい。

これらの反応性ガスに対して、主にプラズマ状態になりやすい放電ガスを混合し、プラズマ放電発生装置にガスを送りこむ。このような放電ガスとしては、窒素ガス及び／又は周期表の第１８属原子、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が用いられる。これらの中でも特に、窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。

上記放電ガスと反応性ガスを混合し、混合ガスとしてプラズマ放電発生装置（プラズマ発生装置）に供給することで膜形成を行う。放電ガスと反応性ガスの割合は、得ようとする膜の性質によって異なるが、混合ガス全体に対し、放電ガスの割合を５０％以上として反応性ガスを供給する。

又、これらの原料は、単独で用いても良いが、２種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。

又、前記のように無機化合物を有する薄膜の硬度は、成膜速度や添加ガス量比などによって調整することが出来る。

本発明の中間転写ベルトの製造方法に係る無機化合物層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍｇ、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種の金属酸化物、金属窒化物もしくは金属酸化窒化物から形成されていることが好ましく、特にＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉが好ましい。具体的には、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化チタン、酸化窒化チタン、窒化チタン、酸化アルミニウム等が挙げられる。更に、ＳｉＯ_αＣ_２−α（α＝１．５から２．０）又は、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｙ、又はＳｉＯ_βＮ_２−β（β＝１．０から２．０）であることが好ましく、特にコスト、生産性、化学的安定性等の観点から、ＳｉＯ_αＣ_２−α（α＝１．５から２．０）であることが好ましい。

本発明の中間転写ベルトの製造方法に係る無機化合物を有する薄膜が含有する無機化合物は、例えば、上記有機ケイ素化合物に、更に酸素ガスや窒素ガスを所定割合で組み合わせて、Ｏ原子とＮ原子の少なくとも何れかと、Ｓｉ原子とを含む層を得ることが出来る。

以上のように、上記のような原料ガスを放電ガスと共に使用することにより様々な無機化合物層を形成することが出来る。

図６は表面層を形成する無機化合物を有する薄膜の改質し表面層とする改質装置の概略図である。

図中、５は無機化合物を有する薄膜を改質し表面層７０ｃ（図２参照）とする改質装置を示す。改質装置５はＶＵＶ照射装置５０１と、弾性層／無機化合物を有する薄膜を基材７０ａ側から順に積層した無端ベルト状の基材７０ａを巻架して矢印方向に回転する支持ロール５０２、５０３とを有している。ＶＵＶ照射装置５０１は、不活性ガス供給口５０１ｃを有する改質室５０１ｂとＶＵＶ光源５０１ａとを有している。

ＶＵＶ光の波長は、処理効果、照射時間、膜の架橋密度等を考慮し、２５３ｎｍ以下が好ましい。

不活性ガスは特に限定はなく、窒素ガス、アルゴンガスなどＶＵＶ光源の波長域に大きな吸収帯がないガスが挙げられるが、価格の面から窒素ガスが好ましい。

本図では、ＶＵＶ照射装置５０１の内部を、不活性ガスで充填する場合を示しているが、改質装置全体を不活性ガスで充填する方式であっても勿論構わない。

改質装置５を使用して、無機化合物を有する薄膜にＶＵＶ光を照射する時、以下に示す条件で行うことが好ましい。

不活性ガス中の酸素濃度は、ＶＵＶ光の酸素ガスによる吸収を考慮し、１．０％以下、より好ましくは０．５％以下であることが好ましい。不活性ガス中の酸素濃度はガス供給量などにより調整することが可能である。酸素濃度は、東レエンジニアリング（株）製ＬＣ−４５０Ｄで測定した値を示す。不活性ガス中の水分濃度は、一般工業用窒素ガス（約４０ｐｐｍ（ｖｏｌ．））以下が好ましい。

無機化合物を有する薄膜にＶＵＶ光を照射する時に、被処理無機化合物を有する薄膜の表面に水分が存在していると処理効果が抑制されてしまうため、予め処理中間転写ベルトを相対湿度７０％未満、より好ましくは６０％未満で調湿しておくと良い（温度は室温）。処理装置の周囲も同様の環境に保つと安定した処理効果が得られるので好ましい。

ＶＵＶ光の照射処理は温度の影響は小さいため通常の室温で充分であるが、被処理表面への水分吸着を予防する観点から被処理ベルト表面の温度は処理環境および装置温度同等以上が好ましい。

ＶＵＶ光源５０１ａと無機化合物を有する薄膜との距離は原理的には近いほうが光の減衰が少ないため好ましいが、ギャップ管理の容易性を考慮し、０．５ｍｍ以上、３ｍｍ以下に保つことが好ましい。

処理効果は照射強度と照射時間による積算照度により決まるため、照射強度は任意に設定できるが、処理に必要な時間や市販光源の性能などを考慮すると１０ｍＷ／ｃｍ^２から３００ｍＷ／ｃｍ^２が好ましい。

照射強度は、浜松ホトニクス（株）製 ＵＶ ＰＯＷＥＲ ＭＥＴＥＲ Ｃ８０２６で測定した値を示す。

無機化合物を有する薄膜の改質の程度は、照射強度と照射時間の決定される積算照度により決定されるため、無機化合物を有する薄膜を構成する無機化合物（金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物）の種類に合わせ照射時間を決める必要がある。

本図ではＶＵＶ照射装置５０１が１つの場合を示しているが、必要に応じて複数配設することが可能となっている。又、改質室５０１ｂを大きくして複数のＶＵＶ光源５０１ａを配設することも可能である。

ＶＵＶ光源５０１ａとしては、市販されているエキシマランプ光源が好ましく用いられる。市販されているエキシマランプ光源としては、例えば、（株）エムディエキシマ製のＭＥＵＴ−１−５００が挙げられる。尚、ＶＵＶを照射する装置としては、エキシマランプが一般的であるが、これに限らずＤＣアークプラズマでもＶＵＶを発することができる。また一酸化炭素を含有した不活性ガスをプラズマ放電させることによりＶＵＶを発生させることも出来る。

無機化合物を有する薄膜が複数の層で構成されている場合、ＶＵＶを照射するタイミングとしては、１層毎でも良いし、全層が形成された後に行っても構わない。

改質装置４を使用し、無機化合物を有する薄膜にＶＵＶを照射し改質処理を行う時の方法としては次の方法が挙げられる。

１．支持ロール５０２、５０３に巻架された弾性層／無機化合物を有する薄膜を基材７０ａ側から順に積層した無端ベルト状の基材７０ａを１回転で改質処理が終了する様に積算照度を調整する方法。

２．支持ロール５０２、５０３に巻架された弾性層／無機化合物を有する薄膜を基材７０ａ側から順に積層した無端ベルト状の基材７０ａを複数回転して改質処理が終了する様に積算照度を調整する方法。

上記、１、２に示される方法は適宜選定することが可能である。

本図では、改質装置４を別工程とした場合を示しているが、図３に示す大気圧プラズマ処理装置３ａの大気圧プラズマＣＶＤ装置４の下流側に真空紫外光照射装置５０１を配設することも可能である。

大気圧プラズマＣＶＤ法で形成された無機化合物を有する薄膜（金属酸化物を有する薄膜）にＶＵＶを照射することでさらなる耐久性の向上が図れる理由は以下に示す反応が無機化合物を有する薄膜（金属酸化物を有する薄膜）で生じているものと推定する。

ＶＵＶはほとんどの物質の原子間結合力より大きいため、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみによる作用により、直接切断することが可能であることが知られている。

無機化合物を有する薄膜（金属酸化物を有する薄膜）がＳｉＯ_２の場合、表面のシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を切断しＳｉＯ_２として再結合することで架橋を密にでき、他の物性の変化を最小限に止めたままで耐久性を向上できる。又、無機化合物を有する薄膜（金属酸化物を有する薄膜）の表面の親水基数が減少することで水の表面吸着を抑制し、表面比抵抗（ρｓ）の低下を抑制する。この結果、転写電圧が安定し、一次転写効率及び、転写材（例えば紙）への二次転写効率もより安定化される。

基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの表面層（無機化合物を有する薄膜）を大気圧プラズマＣＶＤ処理により形成した後、真空紫外光を照射し処理して改質し表面層を形成し、中間転写ベルトを製造することで次の効果が挙げられる。
１．表面層の柔軟性を維持し、硬さを膜厚の増加を伴わずに得られるため、耐久性（耐屈曲性（耐クラック性）、耐摩耗性及び耐傷性）の向上を図ることが可能となった。
２．真空紫外光（ＶＵＶ光）の照射処理は室温でも充分な効果が得られるため、熱処理のような高温にさらされることもないため、基材の耐熱性などの物性も従来と同等のものが使用可能である。
３．本発明の無機化合物を有する薄膜はきわめて薄いことから、ごく短時間で真空紫外光の照射処理が行なえるため、他の処理方法に比べコストの増加も少ない。

次に本発明の中間転写ベルトを構成している基材、弾性層に使用する材料に付き説明する。尚、本発明では弾性層は必須用件ではない。

（基材）
基材に使用する材料として、例えば、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリフッ化ビニリデン、ポリイミド、ポリエーテル、エーテルケトン、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体、ポリアミド及びポリフェニレンサルファイド等のいわゆるエンジニアリングプラスチック材料を用いることが出来、等の樹脂材料が挙げられ、これらの中ではポリイミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド及びポリエチレンテレフタレートから選ばれる少なくとも１種が好ましい。更に、樹脂材料と下記の弾性材料とをブレンドした材料を使用することも可能である。弾性材料としては、例えば、ポリウレタン、塩素化ポリイソプレン、ＮＢＲ、クロロピレンゴム、ＥＰＤＭ、水素添加ポリブタジエン、ブチルゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。これらは１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

この中でも、ポリフェニレンサルファイド或いはポリイミド樹脂を含有することが好ましい。ポリイミド樹脂は、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸の加熱により形成される。又、ポリアミック酸は、テトラカルボン酸二無水物や、その誘導体とジアミンのほぼ等モル混合物を有機極性溶媒に溶解させ、溶液状態で反応させることにより得られる。尚、本発明では、樹脂基材にポリイミド系樹脂を使用する場合、樹脂基材におけるポリイミド系樹脂の含有率が５１％以上であることが好ましい。

樹脂基材は、樹脂材料に導電性物質を添加して、電気抵抗値（体積抵抗率）を１０^５Ω・ｃｍから１０^１１Ω・ｃｍに調整することが好ましい。

樹脂材料に添加する導電性物質としては、カーボンブラックを使用することが出来る。カーボンブラックとしては、中性又は酸性カーボンブラックを使用することが出来る。導電性物質の使用量は、使用する導電性物質の種類によっても異なるが中間転写体の体積抵抗値及び表面抵抗値が所定の範囲になるように添加すればよく、通常、樹脂材料１００質量部に対して１０質量部から２０質量部、好ましくは１０質量部から１６質量部である。

（弾性層）
弾性層は、基材上であればどこに設けても良いが、基材と表面層との間に設けることが好ましい。弾性層を設けることによって、凹凸のある被転写面への転写率を向上することができ、また、中抜け故障などを抑制することができる。
弾性層に使用する材料としては、特に限定されるものではなく、任意のゴム材料、熱可塑性エラストマーを用いることができる。例えばスチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、ハイスチレンゴム、ポリブタジエンゴム（ＢＲ）、ポリイソプレンゴム（ＩＩＲ）、エチレン−プロピレン共重合体、ニトリルブタジエンゴム、クロロプレンゴム（ＣＲ）、エチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）、ブチルゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム（ＡＣＭ、ＡＮＭ）、エピクロロヒドリンゴム及びノルボルネンゴム等から選ぶことができるが、その中でも、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム及びエチレン−プロピレン共重合体から選ばれる少なくとも１種であること好ましい。これらは１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

一方、熱可塑性エラストマーとしては、ポリエステル系、ポリウレタン系、スチレン−ブタジエントリブロック系、ポリオレフィン系などを用いることが出来る。

又、弾性層は基材に使用する樹脂材料と弾性材料とをブレンドした材料を用いて形成した層でもよい。例えばシリコーンゴムの素材としては、ビニル基を含有したポリオルガノシロキサン組成物が用いられる。シリコーンゴムとしては、付加反応触媒により硬化可能な２液性の液状シリコーンゴムや過酸化物からなる加硫剤により加硫（硬化）可能な熱加硫型シリコーンゴムが用いられる。又、弾性体層には、シームレスベルトの使用目的、設計目的などに応じて、充填剤、増量充填剤、加硫剤、着色剤、導電性物質、耐熱剤、顔料等の種々の配合剤を添加することができる。また、配合剤の添加量などにより合成樹脂の可塑度は変化するが、硬化前の剛性樹脂の可塑度としては、１２０以下のものが好適に用いられる。

弾性層は、弾性材料に導電性物質を分散させて、電気抵抗値（体積抵抗率）を１０^５Ω・ｃｍから１０^１１Ω・ｃｍに調整することが出来る。

弾性層に添加する導電性物質としては、カーボンブラック、酸化亜鉛、酸化スズ、炭化ケイ素等を使用することができる。カーボンブラックとしては、中性又は酸性カーボンブラックを使用することができる。導電性物質の使用量は、使用する導電性物質の種類によっても異なるが弾性層の体積抵抗値及び表面抵抗値が所定の範囲になるように添加すれば良く、通常、弾性材料１００質量部に対して１０質量部から２０質量部、好ましくは１０質量部から１６質量部である。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例１
（中間転写ベルトＮｏ．１０１の製造）
（中間転写ベルト基材の作製）
酸無水物として３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下ＢＰＤＡと略す）とジアミンとしてｐ−フェニレンジアミン（以下ＰＤＡと略す）を用い、ＢＰＤＡとＰＤＡとのモル比（ＢＰＤＡ／ＰＤＡ）を１０．５とし、Ｎ−メチルピロリドン溶媒中で６０℃、４時間維持し、重合反応してポリアミド酸溶液を作製した。さらに溶液中に所望の抵抗となる所定量の導電性カーボンブラックを均一に混合分散した。導電性カーボンブラックの添加量は目標抵抗だけでなく、製造ロット違いなどによっても変動するため、予め必要量を確認した量を使用した。

無端ベルト状として得るためには該溶液を加熱できる金型にキャステングし、乾燥させ該溶媒を除去、更に徐々に昇温してイミド化反応（４００℃）させ半導電性の無端ベルトを作製した。

〔無機化合物を有する薄膜の形成〕
作製した基材上に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を形成した。

（無機化合物を有する薄膜（下層（第１層））の形成）
下層（第１層）の形成材料としては、下記の下層（第１層）混合ガス組成物を用い、下記の膜形成条件で行った。この時の大気圧プラズマ処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミックス溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、０．６ｍｍに設定した。又、誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施し、炭素原子含有率５．０原子％、表面硬度２．５ＧＰａ、厚さ２０ｎｍの下層（第１層）（ＳｉＯ_ｘＣ_ｙ）を形成した。

炭素原子含有率は明細書本文中に記載のＸＰＳ法で測定した値を示す。表面硬度は明細書本文中に記載のナノインデンテーション法で測定した値を示す。厚さは、明細書本文中に記載のＸ線反射率法で測定した値を示す。

〈下層（第１層）混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素ガス ９６．９３体積％
膜形成（原料）ガス：テトラエトキシシラン ０．０７体積％
反応ガス：水素ガス ３．００体積％
各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、予め原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。

〈下層（第１層）形成条件〉
第１電極側電源類
応用電機社製高周波電源
周波数 ８０ｋＨｚ
出力密度 ８Ｗ／ｃｍ^２
第２電極側電源類
パール工業社製高周波電源
周波数 １３．５６ＭＨｚ
出力密度 ８Ｗ／ｃｍ^２

（上層（最表層、第２層）の形成）
次に、上記形成した下層（第１層）の上に、図４に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、上層（最表層、第２層）を形成した。

上層（最表層、第２層）の形成材料としては、下記の上層（最表層、第２層）混合ガス組成物を用い、上層（最表層、第２層）の形成は、下記の膜形成条件で行った。この時の大気圧プラズマ処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミックス溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施し、表面硬度４．５ＧＰａ、厚さ２００ｎｍの上層（最表層、第２層）（ＳｉＯ_２）を形成した。

表面硬度は明細書本文中に記載のナノインデンテーション法で測定した値を示す。厚さは、明細書本文中に記載のＸ線反射率法で「ＭＸＰ２１」（マックサイエンス社製）を用いて測定した値を示す。

〈上層（最表層、第２層）混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素ガス ９４．９５体積％
膜形成（原料）ガス：テトラエトキシシラン ０．０５体積％
反応ガス：酸素ガス ５．００体積％
各原料ガスは、下層（第１層）同様に各々のガスは加熱または余熱されたものを使用した。

〈上層（最表層、第２層）形成条件〉
第１電極側電源類
応用電機社製高周波電源
周波数 ８０ｋＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ^２
第２電極側電源類
パール工業社製高周波電源
周波数 １３．５６ＭＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ^２

（ＶＵＶ照射による改質処理）
図６に示す改質装置を使用し、以下に示す条件で形成した無機化合物を有する薄膜にＶＵＶを照射して改質処理を行い表面層を形成し中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．１０１とした。尚、ベルト表面とランプ管面間は窒素ガスによるパージにて酸素濃度０．１％以下に保った。

ＶＵＶ光源：Ｘｅエキシマランプ（（株）エムディエキシマ製ＭＥＵＴ−１−５５０）波長１７２ｎｍ
照射強度：５０ｍＷ／ｃｍ^２
ＶＵＶ光源と無機化合物を有する薄膜の表面との距離：１ｍｍ
無機化合物を有する薄膜までを形成した基材の搬送速度：５ｍ／ｍｉｎ
ＶＵＶ積算照射時間：４ｓｅｃ／ｃｍ^２（単位面積当たり換算して）
照射強度は、浜松ホトニクス（株）製 ＵＶ ＰＯＷＥＲ ＭＥＴＥＲ Ｃ８０２６で測定した値を示す。

（中間転写ベルトＮｏ．１０２の製造）
（弾性層の形成）
試料Ｎｏ．１０１と同じ中間転写ベルト基材を作製し、作製した中間転写ベルト基材の外周に、ニトリルゴムからなる厚さ１３０μｍの弾性層を浸漬塗布法により形成した。

（無機化合物を有する薄膜の形成）
形成した弾性層の上に試料Ｎｏ．１０１と同じ方法で無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を形成し、試料Ｎｏ．１０１と同じ基材／弾性層／無機化合物を有する薄膜の構成とした。

（ＶＵＶ照射による改質処理）
試料Ｎｏ．１０１と同じ方法で無機化合物を有する薄膜にＶＵＶを照射して改質処理を行い表面層を形成し中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．１０２とした。

（中間転写ベルトＮｏ．１０３の製造）
無機化合物を有する薄膜の形成を、大気圧プラズマ処置方法に代えて、下記の真空プラズマＣＶＤ法を用いた以外は試料Ｎｏ．１０２と同様にして、中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．１０３とした。

（比較の中間転写ベルトＮｏ．１０４の製造）
（弾性層の形成）
試料Ｎｏ．１０１と同じ中間転写ベルト基材を作製し、作製した中間転写ベルト基材の外周に、試料Ｎｏ．１０２と同じ方法で弾性層を形成した。

（樹脂層の形成）
引き続き弾性層の弾性層上に、下記樹脂層形成用塗布液を乾燥膜厚が２μｍとなる様に浸漬塗布法で塗布し、８０℃にて５分間乾燥した。次に８０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯（波長３６５ｎｍ）を１２ｃｍの距離から４秒間照射して硬化させ、樹脂層を形成した。樹脂層の炭素原子含有率は２５原子％を越えていた。

〈樹脂層形成用塗布液の調製〉
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分 ２０質量部
ジエトキシベンゾフェノン（ＵＶ光開始剤） ２質量部
メチルエチルケトン ５０質量部
酢酸エチル ５０質量部
イソプロピルアルコール ５０質量部
上記組成物を撹拌しながら溶解して、樹脂層形成用塗布液を調製した。

樹脂層のＵＶ硬化後に更に、試料Ｎｏ．１０１と同一条件でベルト表面にＶＵＶ光を照射処理し、比較試料Ｎｏ．１０４とした。

（比較の中間転写ベルトＮｏ．１０５の製造）
ＶＵＶ照射に代わり、光源を高圧水銀ランプ（波長３６５ｎｍ）に変え試料Ｎｏ．１０２と同じ照射条件で照射した他（波長の変更を行った以外）は、試料Ｎｏ．１０２と同じ方法で基材の上に弾性層／無機化合物を有する薄膜（下層／上層）を形成し中間転写ベルトとし、比較試料Ｎｏ．１０５とした。

評価
製造した試料Ｎｏ．１０１から１０５に付き、転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングを、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）で、下記に示す方法で試験し、下記に示す評価ランクに従って評価した低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）環境の結果を表１、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）環境の結果を表２に示す。

転写効率の測定
フルカラー（電子写真）複合機（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製のｂｉｚｈｕｂ Ｃ３６０）を用い、内部の中間転写ベルトを外し、上記作製した各中間転写ベルトをそれぞれ装着した。このプリンターに、平均粒径が６．５μｍの重合トナーをセットし、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック各色を最大トナー濃度でコニカミノルタＣＦペーパー（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製）へ、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）及び、高温高湿（３０℃８０％ＲＨ）の環境で１００万枚のプリントを行った。プリント紙上へ転写されたトナー付着量及びベルト上の残留トナー量を光学（反射）濃度測定し、測定結果を予め求めた光学濃度とトナー量との関係式に従ってトナー量へ換算し、下式によりトナー転写率（％）を求めた。

転写率（％）＝（テストプリント紙上へ転写されたトナー量／（テストプリント紙上へ転写されたトナー量＋ベルト上の残留トナー量））×１００
転写効率の評価ランク
◎：転写率が９８％以上であった
○：転写率が９５％以上、９８％未満であった
△：転写率が９０％以上、９５％未満であった
×：転写率が９０％未満であった

擦り傷耐性の測定
フルカラー（電子写真）複合機（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製のｂｉｚｈｕｂ Ｃ３６０）を用い、内部の中間転写ベルトを外し、上記作製した各中間転写ベルトをそれぞれ装着した。このプリンターに、平均粒径が６．５μｍの重合トナーをセットし、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック各色を最大トナー濃度でコニカミノルタＣＦペーパー（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製）へ、各トナー色とも５％イメージ率のテストパターンで、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）及び、高温高湿（３０℃８０％ＲＨ）の環境で１００万枚のプリントを行った。得られたプリントから中間転写ベルトに発生した擦り傷に伴うスジ故障の発生の有無を目視で観察した。

擦り傷耐性の評価ランク
◎：スジ故障や画像ムラの発生は確認できない
○：微弱なスジ故障または画像ムラの発生が確認される
△：微弱なスジ故障および画像ムラともに発生が確認される
×：明らかなスジ故障または画像ムラの発生が確認される

フィルミング耐性の測定
フルカラー（電子写真）複合機（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製のｂｉｚｈｕｂ Ｃ３６０）を用い、内部の中間転写ベルトを外し、上記作製した各中間転写ベルトをそれぞれ装着した。このプリンターに、平均粒径が６．５μｍの重合トナーをセットし、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック各色を最大トナー濃度でコニカミノルタＣＦペーパー（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製、Ａ４サイズ）に各トナー色とも５％イメージ率のテストパターンで、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）及び、高温高湿（３０℃８０％ＲＨ）の環境で１００万枚プリントを行った後、中間転写ベルトを取り出し、その表面のフィルミング状態を目視で観察した。

フィルミング耐性の評価ランク
◎：中間転写ベルトに、全くフィルミングの発生が認められない
○：中間転写ベルトに、ほぼフィルミングの発生が認められない
△：中間転写ベルトに、弱いフィルミングの発生が認められるが、実用上問題ないレベル
×：中間転写ベルトの一周にフィルミングの発生が認められ、実用上問題となるレベル

表１（低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）での評価）、表２（高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）での評価）の結果より、大気圧プラズマＣＶＤ法により形成された無機化合物を有する薄膜にＶＵＶを照射し改質処理し表面層を形成する本発明の中間転写ベルトの製造方法により製造した試料Ｎｏ．１０１から１０３は低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）及び、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）の環境での転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングは優れた性能を示すことを確認した。

無機化合物を有する表面層を持たない他は試料Ｎｏ．１０２と同じ条件で製造した比較試料Ｎｏ．１０４では転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングが試料Ｎｏ．１０２に比べ劣る結果を示した。

ＶＵＶ照射の代わりに波長３６５ｎｍの紫外線を使用して改質処理を行なった他は試料Ｎｏ．１０２と同じ条件で製造した比較試料Ｎｏ．１０５は低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）では、転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングは試料Ｎｏ．１０２と同じ性能を示すが、高温高湿（３０℃８０％ＲＨ）の環境で転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングが試料Ｎｏ．１０１に比べ劣る結果を示した。
また、試料Ｎｏ．１０１から１０５において、中間転写ベルト基材としてポリイミド樹脂の代わりポリフェニレンサルファイドを用いて中間転写ベルトを製造した以外は同様にして中間転写ベルトを製造した結果、上記表１及び表２に記載の結果と同じ結果を得た。

実施例２
（基材の作製）
実施例１で作製した基材と同じ基材を作製した。

〔中間転写ベルトの製造〕
準備した基材の上に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、表３に示す様に無機化合物の種類を変え、無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を形成し改質し表面層を形成し中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．２０１から２０５とした。

Ａ＊：ＳｉＯ_ｘ
Ｂ＊：ＳｉＮ_ｙ
Ｃ＊：ＴｉＯ_２
Ｄ＊：Ａｌ_２Ｏ_３
Ｅ＊：Ｉｎ_２Ｏ_３

試料Ｎｏ．２０１の製造方法
〔無機化合物を有する薄膜の形成〕
準備した基材の上に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を形成した。

（無機化合物を有する薄膜（下層（第１層））の形成）
下層（第１層）の形成材料としては、下記の下層（第１層）混合ガス組成物を用い、下記の膜形成条件で行った。この時の大気圧プラズマ処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミックス溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。又、誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施し、炭素原子含有率５．０原子％、表面硬度２．５ＧＰａ、厚さ２０ｎｍの下層（第１層）ＳｉＯ_ｘＣ_ｙを形成した。炭素原子含有率、表面硬度、厚さは実施例１と同じ方法で測定した値を示す。

下層（第１層）の形成条件
〈下層（第１層）混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素ガス ９６．９３体積％
膜形成（原料）ガス：テトラエトキシシラン ０．０７体積％
反応ガス：酸素ガス ３．００体積％
各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。

〈下層（第１層）形成条件〉
第１電極側電源類
応用電機社製高周波電源
周波数 ８０ｋＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ^２
第２電極側電源類
パール工業社製高周波電源
周波数 １３．５６ＭＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ^２

（上層（最表層、第２層）の形成）
次に、上記形成した下層（第１層）の上に、図４に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、上層（最表層、第２層）を形成した。

上層（最表層、第２層）の形成材料としては、下記の上層（最表層、第２層）混合ガス組成物を用い、上層（最表層、第２層）の形成は、下記の膜形成条件で行った。この時の大気圧プラズマ処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミックス溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施し、表面硬度４．０ＧＰａ、厚さ１５０ｎｍの上層（最表層、第２層）（ＳｉＯ_２）を形成した。表面硬度、厚さは実施例１と同じ方法で測定した値を示す。

〈上層（最表層、第２層）混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素ガス ８１．９５体積％
膜形成（原料）ガス：テトラエトキシシラン ０．０５体積％
反応ガス：酸素ガス １８．００体積％
各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、予め原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。

〈上層（最表層、第２層）形成条件〉
第１電極側電源類
応用電機社製高周波電源
周波数 ８０ｋＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ^２
第２電極側電源類
パール工業社製高周波電源
周波数 １３．５６ＭＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ^２

（ＶＵＶ照射による改質処理）
実施例１の試料Ｎｏ．１０１と同じ条件、同じ方法で無機化合物を有する薄膜の改質処理を行い表面層を形成し中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．２０１とした。

試料Ｎｏ．２０２の製造方法
（基材の作製）
実施例１で作製した基材と同じ基材を作製した。

〔無機化合物を有する薄膜の形成〕
作製した基材上に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を形成した。

（無機化合物を有する薄膜（下層（第１層））の形成）
試料Ｎｏ．２０１と同じ方法で無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）を形成した。

（無機化合物を有する薄膜（上層（最表層、第２層）の形成）
次に、上記形成した下層（第１層）の上に、図４に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、上層（最表層、第２層）を形成した。

上層（最表層、第２層）の形成材料としては、下記の上層（最表層、第２層）混合ガス組成物を用い、上層（最表層、第２層）の形成は、下記の膜形成条件で行った。この時の大気圧プラズマ処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミックス溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施し、表面硬度１１ＧＰａ、厚さ１５０ｎｍの上層（最表層、第２層）（ＳｉＮ_ｘ）を形成した。表面硬度、厚さは実施例１と同じ方法で測定した値を示す。

〈上層（最表層、第２層）混合ガス組成物〉
放電ガス：ヘリウムガス ９６．９５体積％
膜形成（原料）ガス：テトラメチルシラン ０．０５体積％
反応ガス：アンモニアガス ３．００体積％
各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、予め原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。

〈上層（最表層、第２層）形成条件〉
第１電極側電源類
パール工業社製高周波電源
周波数： １３．５６ＭＨｚ
出力密度： １０Ｗ／ｃｍ^２
第２電極側電源類
なし

（ＶＵＶ照射による改質処理）
実施例１の試料Ｎｏ．１０１と同じ条件、同じ方法で無機化合物を有する薄膜の改質処理を行い表面層を形成し中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．２０２とした。

試料Ｎｏ．２０３の製造方法
（基材の作製）
実施例１で作製した基材と同じ基材を作製した。

〔無機化合物を有する薄膜の形成〕
作製した基材上に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を形成した。

（無機化合物を有する薄膜（下層（第１層））の形成）
試料Ｎｏ．２０１と同じ下層（第１層）を、同じ方法で形成した。

（上層（最表層、第２層）の形成）
次に、上記形成した下層（第１層）の上に、図４に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、上層（最表層、第２層）を形成した。

上層（最表層、第２層）の形成材料としては、下記の上層（最表層、第２層）混合ガス組成物を用い、上層（最表層、第２層）の形成は、下記の膜形成条件で行った。この時の大気圧プラズマ処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミックス溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施し、表面硬度５．０ＧＰａ、厚さ１５０ｎｍの上層（最表層、第２層）（ＴｉＯ_２）を形成した。表面硬度、厚さは実施例１と同じ方法で測定した値を示す。

〈上層（最表層、第２層）混合ガス組成物〉
放電ガス：ヘリウムガス ９５．９６体積％
膜形成（原料）ガス：テトライソプロポキシチタン ０．０４体積％
反応ガス：酸素ガス ４．００体積％
各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。

〈上層（最表層、第２層）形成条件〉
第１電極側電源類
パール工業社製高周波電源
周波数： ６０．０ＭＨｚ
出力密度： １０Ｗ／ｃｍ^２
第２電極側電源類
なし

（ＶＵＶ照射による改質処理）
実施例１の試料Ｎｏ．１０１と同じ条件、同じ方法で無機化合物を有する薄膜の改質処理を行い表面層を形成し、中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．２０３とした。

試料Ｎｏ．２０４の製造方法
（基材の作製）
実施例１で作製した基材と同じ基材を作製した。

〔無機化合物を有する薄膜の形成〕
作製した基材上に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を形成した。

（無機化合物を有する薄膜（下層（第１層））の形成）
試料Ｎｏ．２０１と同じ下層（第１層）を、同じ方法で形成した。

（上層（最表層、第２層）の形成）
次に、上記形成した下層（第１層）の上に、図４に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、上層（最表層、第２層）を形成した。

上層（最表層、第２層）の形成材料としては、下記の上層（最表層、第２層）混合ガス組成物を用い、上層（最表層、第２層）の形成は、下記の膜形成条件で行った。この時の大気圧プラズマ処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミックス溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施し、表面硬度１０Ｇｐａ、厚さ１５０ｎｍの上層（最表層、第２層）（Ａｌ_２Ｏ_３）を形成した。表面硬度、厚さは実施例１と同じ方法で測定した値を示す。

〈上層（最表層、第２層）混合ガス組成物〉
放電ガス：アルゴンガス ９８．４７体積％
膜形成（原料）ガス：アルミニウムｓ−ブトキシド ０．０３体積％
反応ガス：酸素ガス １．５０体積％
各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。

〈上層（最表層、第２層）形成条件〉
第１電極側電源類
パール工業社製高周波電源
周波数： ６０．０ＭＨｚ
出力密度： １０Ｗ／ｃｍ^２
第２電極側電源類
なし

（ＶＵＶ照射による改質処理）
実施例１の試料Ｎｏ．１０１と同じ条件、同じ方法で無機化合物を有する薄膜の改質処理を行い表面層を形成し、中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．２０４とした。

試料Ｎｏ．２０５の製造方法
（基材の作製）
実施例１で作製した基材と同じ基材を作製した。

〔無機化合物を有する薄膜の形成〕
作製した基材上に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を形成した。

（無機化合物を有する薄膜（下層（第１層））の形成）
試料Ｎｏ．２０１と同じ下層（第１層）を、同じ方法で形成した。

（上層（最表層、第２層）の形成）
次に、上記形成した下層（第１層）の上に、図４に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、上層（最表層、第２層）を形成した。

上層（最表層、第２層）の形成材料としては、下記の上層（最表層、第２層）混合ガス組成物を用い、上層（最表層、第２層）の形成は、下記の膜形成条件で行った。この時の大気圧プラズマ処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミックス溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施し、表面硬度４．０ＧＰａ、厚さ１５０ｎｍの上層（最表層、第２層）（Ｉｎ_２Ｏ_３）を形成した。表面硬度、厚さは実施例１と同じ方法で測定した値を示す。

〈上層（最表層、第２層）混合ガス組成物〉
放電ガス：アルゴンガス ９９．４５体積％
膜形成（原料）ガス：インジウムアセチルアセトナート ０．０５体積％
反応ガス：水素ガス ０．５０体積％
各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。

〈上層（最表層、第２層）形成条件〉
第１電極側電源類
パール工業社製高周波電源
周波数： ６０．０ＭＨｚ
出力密度： １０Ｗ／ｃｍ^２
第２電極側電源類
なし

（ＶＵＶ照射による改質処理）
実施例１の試料Ｎｏ．１０１と同じ条件、同じ方法で無機化合物を有する薄膜の改質処理を行い表面層を形成し、中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．２０５とした。

評価
製造した試料Ｎｏ．２０１から２０５に付き転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングを、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）で、実施例１と同じ方法で試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）環境の結果を表４、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）環境の結果を表５に示す。

表４（低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）での評価）、表５（高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）での評価）の結果より、表面層を構成する無機化合物の種類を変えて大気圧プラズマＣＶＤ法により形成された無機化合物を有する薄膜にＶＵＶを照射し改質処理し表面層を形成する本発明の中間転写ベルトの製造方法により製造した試料Ｎｏ．２０１から２０５は低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）及び、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）の環境での転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングは優れた性能を示すことを確認した。

実施例３
（基材の作製）
実施例１で作製した基材と同じ基材を作製した。

（弾性層の作製）
実施例１で作製した弾性層と同じ弾性層を基材の上に実施例１と同じ方法で形成した。

（ＶＵＶ光源の準備）
表６に示す様に、波長の異なるＶＵＶ光源を準備し、Ｎｏ．３−１から３−４とした。

〔無機化合物を有する薄膜の形成〕
上記形成した樹脂層上に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、実施例１の試料Ｎｏ．１０１と同じ無機化合物を有する薄膜（下層（第１層）及び上層（最表層、第２層））を、同じ方法で形成した。

（ＶＵＶ照射による改質処理）
図６に示す改質装置により、準備したＶＵＶ光源Ｎｏ．３−１から３−４を使用し、実施例１と同じ条件で形成した無機化合物を有する薄膜にＶＵＶを照射して改質処理を行い表面層を形成し、中間転写ベルトを製造し、試料Ｎｏ．３０１から３０４とした。

評価
製造した試料Ｎｏ．３０１から３０４に付き転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングを、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）で、実施例１と同じ方法で試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）環境の結果を表７、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）環境の結果を表８に示す。

表７（低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）での評価）、表８（高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）での評価）の結果より、大気圧プラズマＣＶＤ法により形成された無機化合物を有する薄膜を改質するＶＵＶ光源の波長を２５３ｎｍ以下で変えて改質処理を行い表面層を形成し中間転写ベルトを製造した試料Ｎｏ．３０１から３０３は低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）及び、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）の環境での転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングは優れた性能を示すことを確認した。

大気圧プラズマＣＶＤ法により形成された無機化合物を有する薄膜を改質するＶＵＶ光源の波長を３０８ｎｍで改質処理を行い表面層を形成し中間転写ベルトを製造した試料Ｎｏ．３０４は低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）及び、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）の環境での転写効率、擦り傷耐性及びフィルミングは実用上問題とならないが若干劣る性能を示すことを確認した。

以上のように、本発明は、長期間プリントをしても転写効率、擦り傷耐性、フィルミング耐性の低下が発生することなく、高品質の画像を形成することが出来る中間転写ベルトの製造方法に適している。

１ フルカラー画像形成装置
７ 無端ベルト状中間転写体形成ユニット
７０ 中間転写ベルト
７０ａ 基材
７０ｂ 弾性層
７０ｃ 表面層
３ａ、３ｂ 大気圧プラズマ処理装置
３０ ロール電極
３１ 固定電極
３３、３３ｂ 放電空間
３４、３４ｂ 混合ガス供給装置
３５ 第１の電源
３６ 第２の電源
３ｂ１、３ｂ２ 大気圧プラズマＣＶＤ装置
５ 改質装置
５０１ ＶＵＶ照射装置
５０１ａ ＶＵＶ光源
５０１ｂ 改質室
５０１ｃ 不活性ガス供給口

Claims (8)

1. 基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
   前記表面層は、無機化合物を有する膜を真空プラズマＣＶＤ処理により前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成されることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。
2. 基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
   前記表面層は、無機化合物を有する膜を大気圧プラズマＣＶＤ処理により前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成されることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。
3. 基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
   前記表面層は、無機化合物を有する膜を前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成され、
   前記無機化合物が酸化ケイ素又はＳｉＯ_αＣ_２−α（α＝１．５から２．０）であることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。
4. 基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
   前記表面層は、無機化合物を有する膜を前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成され、
   前記表面層は、前記基材上に２層以上設けられることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。
5. 前記２層以上の表面層のうち、前記基材から最も離れて設けられる表面層の炭素含有率が０．１原子数濃度％以下であることを特徴とする請求項４に記載の中間転写ベルトの製造方法。
6. 基材の上に少なくとも１層の表面層を設けた電子写真方式の画像形成装置に使用する中間転写ベルトの製造方法において、
   前記表面層は、無機化合物を有する膜を前記基材の上に設けた後、前記膜に真空紫外光を照射し形成され、
   前記真空紫外光を照射する雰囲気の不活性ガス中の酸素濃度が１．０％以下であることを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。
7. 前記真空紫外光の波長が、２５３ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の中間転写ベルトの製造方法。
8. 前記真空紫外光の照射を前記２層以上の表面層の全ての層を設けた後に行うことを特徴とする請求項４又は５に記載の中間転写ベルトの製造方法。

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