JP4099812B2 - 真空紫外波長の平面状照明パターンを生成する半導体ウエハ処理用波長可変型放射源 - Google Patents
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Description
a. 現在の放射源は、放射強度が低過ぎるかまたは限界的な強度レベルであり、処理能力が不十分である。
b. 現在の放射源は、通常の半導体ウエハの二次元領域に渡る放射出力の非均一性が大きい。
c. 現在の放射源は、使用するには高価過ぎるかまたは複雑過ぎる。
d. 現在の放射源は、波長が固定されている。
e. 現在の放射源は、照明領域の広さが十分ではない。
f. 現在の放射源は、所望の波長の放射光だけでなく不要な波長の放射光を生成する(たとえば赤外(IR)波長)。
g. 現在の放射源は、”フットプリント(footprint)”または必要な床面積が大きいため、半導体製造装置で使用するには大き過ぎる。
h. 現在の放射源は、ウエハを手動でロードする必要がある。
i. 現在の放射源は、高価過ぎる。
j. 現在の放射源は、電球を使用しているため、寿命が短く、その使用期間中に出力が劣化する。
本発明に係る光源または放射源の第1の好適な実施形態を、図1〜図5に全体として参照符号10で示す。放射源10は、適切な電源33(図3に図式的に示す)によって電圧が印加されると、所望の波長の平面状放射源を形成する。放射源10の有利な使用方法の1つは、紫外(UV)(<400nm)波長および真空紫外(VUV)(100〜200nm)波長の放射光によって半導体ウエハを処理することである。有利な場合として、図1に示すように、放射源10を半導体ウエハ処理システム14の一部とし、所望の波長の均一かつ平面状の放射パターンによって半導体ウエハ16を処理してもよい。放射源10は、選択されたイオン性ガスのエキシマ励起によって、平面状の放射パターンを発生するものである。
放射源10は、放射源10の構成部品のスペーサおよび周縁支持部材である環状リム40を含んでいる。図4および図5に最も明瞭に示されているように、リム40は、保護ウィンドウ36の外周縁を支持する一連の段状または棚状構造を備え、それによって第1電極30の水平面64(図4参照)に対して保護ウィンドウ36を保持するものである。図4に示すように、保護ウインドウ36の上面36aと第1電極の水平面64との間、および保護ウィンドウ36の下面36bとリム40の内側水平部分42の上面98との間に一対のガスケット61、62を挿入することもできる。
図2に最も明瞭に示されているように、第1電極30は、ほぼディスク状の金属製ベース電極からなる。ベース電極30はアルミニウムにより形成され、電源33の一端に接続されている。ベース電極30は、冷媒流路54およびOリング溝55a、55bが形成された上面53を含み、このOリング溝には、密封のためのOリング(図示せず)が配置される。
誘電体ウィンドウまたは誘電体層34は、VUV波長の放射光に対する良好な透過性を有する必要があり、したがって、好ましくは高品質の石英から製造されるものである。適格な誘電性材料には、オハイオ州ウィロービーのGEクオート・インコーポレーテッド(GE Quart, Inc.)から市販されているGE214石英、ニュージャージー州ウェストベルリンのダイナシル・コーポレーション(Dynasil Corp.)から市販されているDynasil石英、ドイツ国ハナンのヘレウス・クオーツグラス・ゲーエムベーハー&カンパニー(Heraues Quartzglass GmbH & Co.)またはジョージア州ドゥルースのヘレウス・アメリシル・インコーポレーテッド(Heraeus Amerisil, Inc.)から市販されているSuprasil石英が含まれる。誘電体層を薄くすると放射光の吸収量が低減するため、光学的には、誘電体層を薄くすることが好ましい。一実施形態において、誘電体層の厚さを0.072インチ(1.8288mm)とすれば十分であることが示されている。
保護ウィンドウ36は、本発明に係る放射源10の作動のために原理的に必要なものではないが、いくつかの利点を備えている。第1に、保護ウィンドウ36によって電極スクリーン32が平坦な状態に維持されるため、封入されたガス35aがスクリーン32の二次元面全体に渡って同一の電位を”感じる”ことになり、均一な放射照度の生成のために有用である。第2に、保護ウィンドウ36は、空気(および空気中の酸素)が電極スクリーン32に接触することを防止し、これによって電極スクリーン32付近でのあらゆるガス放電またはオゾンの発生が防止される。
第2電極32は、好ましくは約8ミル(0.2032mm)の厚さを有する半透過性の格子状または網目状スクリーンからなる。薄い網目状スクリーンであることによって、領域35内のイオン性ガス35aからの放射光は、この第2電極32、放射透過性の誘電体層34、および保護ウィンドウ36を通過して、ウエハ16を処理するための処理室18に入ることができる。電極スクリーン32は円形であり、その直径は保護ウィンドウ36および最小直径のOリング(すなわちOリング59)の直径よりも小さくして、電極スクリーン32と電極スクリーン付近の金属部品との間で放電が発生しないようになっている。
本発明に係る放射源10の新規設計によれば、薄い誘電体ウィンドウ34によって電極スクリーン32を透過性保護ウィンドウ36に付着させることができる。独自の二重ポンプ方式によって、薄い誘電体ウィンドウまたは誘電体層34を破損することなく、処理室18に対する排気および給気を実施することができる。放射源10は、高大気圧(hyper-atmospheric)下で作動させることもでき、その結果、放射出力が増大する点で有利である。
1) 放射源10内をいくつかのガス圧で作動させる必要がある場合。応用例によっては、このような作動が望ましい。
2) 一時的にあるいは処理の全体に渡って、処理室18を排気したい場合。
3) 放射源ガス領域35a内のガスを変更またはパージするため、放射源ガス領域35を一時的に排気する場合。
上述した装置および作動方法は、エキシマ型エネルギー遷移を有するガスまたは混合ガスを使用したときに選択的に励起されるエキシマ遷移に必要な条件を備えている。エキシマ型エネルギー遷移は、1)低いガス温度、および2)高い励起エネルギーによって特徴付けられる。
エキシマ励起の間にUVおよびVUV波長域の放射光を生成する適格なイオン性ガスは多数存在する。これによって、スペクトルのUVおよびVUV部分におけるピーク波長を、実質的に連続(実際には離散的)な範囲から選択でき、選択されるピーク波長は、放射源10で使用されるイオン性ガス35のみに依存する。たとえば、適格なイオン性ガスおよびそれに関連するピーク波長は次のようなものである。
1. リニアランプの配列の場合、放射源上の光の均一性は非常に低く、典型的には+/−15%である。
2. 放射ガスの体積によって出力放射照度が限定される。エキシマ光を生成するためには、最適な放電エネルギー密度がある。したがって、放射出力の総強度は、放電空間の体積によって限定される。
放射源10は、有利なことに、高い均一性を有する放射照度を生成するものである。”サンドイッチ”状に形成された誘電体−スクリーン−ウィンドウアセンブリー38によって、非均一性が組込まれていない励起ガス35aの”スラブ”が形成される。放射源10のこの構成は、システムに組込まれる際に基本的な非均一性を有する点放射源またはリニアランプからなる放射源とは顕著に異なるものである。個々のリニアランプは、”準点放射源”、または線状放射源として機能するため、どの1つのランプから離れても強度がすぐに落ち込み、十分離れた場合、均一性は改善されるが、強度が損なわれる。
波長の調整は、2通りの方法によって達成される。”粗調整”は離散的な性質を有し、放射源10のガス電離領域35内のガス/混合ガスを変更することによって達成される。好ましくは、ガス35aの変更は、ポンプによって既存のガスを領域35からガス排気口79を通じて排気し、ポンプによって新たなガスをガス吸気口79を通じて領域内に吸入することによって達成される。ガスは、領域35内に長時間留まると汚染されるため、放射出力が低減する場合がある。放射出力を監視するフィードバック検出法(たとえば、図3に図式的に示されている光ファイバーの光導体72)により、”古い”ガスを排気して”新たな”ガスを領域35に導入するために基準となるしきい値を指定することができる。別の方法として、異なる混合ガスが充填された複数の別の放射源を有することもできる。これらの放射源は所望の場合には永久的に密封され、(ウエハ密閉構造体22上に選択した1つの放射源を取付けることによって、)必要に応じて放射源を交換するだけで所望の波長域の放射出力を生成するものである。
放射源10を大気圧下または大気圧に近い圧力(near atmospheric)下で作動させることには、放射強度の高さに加えて、低圧または低大気圧(below atmospheric)下での作動に対していくつかの追加的な利点がある。保護ウィンドウ36による比較的大きなウィンドウ領域を備え、ベース電極30と誘電体層−電極スクリーン−保護ウィンドウアンセブリー38との間の領域にスペーサを使用する場合には必要なスペーサおよびそのスペーサによって占められる面積を最小化したいため、大気圧下または大気圧に近い圧力下での作動によって、システムにかかる応力および石英材の破壊の可能性が最小化され、それによって支持スペーサの必要性が最小化される。
1) リニアランプを使用する放射源でよくあるように、放射照度があまり均一でない場合、放射源に対するウエハの位置には最適な位置が存在し、この位置は、直線状の放射源から離れるにつれて放射強度が減衰するため、通常は、放射源のごく近くかまたはほとんど放射源に接触する位置である。たとえば、極端な例として点放射源の場合には、放射強度は1/r2で減衰する。
2) 放射源からのVUVスペクトル中の波長での放射は、放射源とターゲットウエハとの間の空気によって吸収される。これによって、ウエハを放射源の表面の近くに配置する必要が生じる。
本発明に係る放射源の第2の好適な実施形態を、図8に10´として図式的に示す。有利なことに、この放射源10´では、ガスフィルタ190の使用により放射の波長を”微調整”することができる。放射源10´の他の構造物は、第1の好適な実施形態として説明した放射源10に関連して記載された構成と同様であるため、その説明は繰返さない。符号30´、32´、33´、34´、および36´が付けられた要素は、その構造および機能について、上述した放射源10の対応する要素30、32、33、34、および36に対応する。低背型で連続的に調整可能なガスフィルタ190は、所望の波長に影響を与えることなく、放射源10´からの不要な波長の放射光を選択的に排除するものである。
Claims (23)
- 半導体ウエハの処理に使用する放射光を放射する放射源であって、
a) 放射光の放射領域の境界を形成する二次元表面を有するベース電極と、
b) 前記ベース電極から前記放射領域によって離間して配置されて前記放射領域の境界を形成し、前記放射領域からウエハ処理領域に放射光を透過させる放射透過性の誘電性部材と、
c) 前記放射領域の境界を形成する前記ベース電極の二次元表面に略平行な平面で、前記放射透過性の誘電性部材に接触する二次元かつ放射透過性の格子状電極と、
d) 前記ベース電極および前記格子状電極に電圧を印加する電源と、
e) 前記放射領域に、前記ベース電極と前記格子状電極との間に設定される電界によってイオン化するイオン性ガスを供給するガス供給手段と、を含み、
f) 前記電源は前記ベース電極および前記格子状電極に電圧を印加して電界を発生させ、それによって前記放射領域内の前記イオン性ガスはエキシマ励起されて、前記放射源から前記格子状電極を通じて放射される平面状の放射パターンが発生するとともに、
g) 前記格子状電極に接触し、この格子状電極を前記放射領域の境界を形成する前記誘電性部材と接触させて保持する放射透過性の保護ウィンドウをさらに含んでおり、前記放射源からの平面状の放射パターンは前記放射源から前記保護ウィンドウを通じて放射されるとともに、前記保護ウィンドウは、前記保護ウィンドウと前記誘電性部材との間の隙間領域を排気して前記保護ウィンドウと前記誘電性部材とで前記格子状電極を緊密に挟持する負圧条件を生成することによって、前記格子状電極に対して付勢されて前記誘電性部材を補強することを特徴とする放射源。 - 前記放射領域内であってかつ前記放射領域の境界を形成する前記誘電性部材と前記ベース電極の二次元表面との間に配置される1つまたは複数のスペーサ要素をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の放射源。
- 前記ガス供給手段は、前記放射源によって所望の範囲の波長を有する放射光を得るために、エキシマ励起可能な一群のイオン性ガスから選択した1つを前記放射領域に導くことを特徴とする請求項1記載の放射源。
- 前記一群のイオン性ガスは、NeF、Ar2、Kr2、F2、Xe2、ArCl、KrI、ArF、KrBr、KrCl、KrF、XeI、Cl2、XeBr、Br2、および Ar/CF4 を含むことを特徴とする請求項3記載の放射源。
- 前記ガス供給手段は、前記ベース電極中に離れて配置された入口ポートおよび出口ポートによって前記放射領域に通じていることを特徴とする請求項1記載の放射源。
- 前記格子状電極は、導電性の網目状材料であることを特徴とする請求項1記載の放射源。
- 前記放射透過性の保護ウィンドウから離れて配置されてフィルタチャンバーの境界を形成する放射透過性のフィルタチャンバー部材と、前記フィルタチャンバー内に注入されて前記放射源から前記放射透過性のフィルタチャンバー部材を通じて放射される放射波長の範囲を狭めるように前記放射領域から放射される特定波長の放射光を吸収する吸収ガスと、をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の放射源。
- 前記吸収ガスは、酸素を含むことを特徴とする請求項7記載の放射源。
- 前記放射光は、UV波長域の放射光であることを特徴とする請求項1記載の放射源。
- 前記放射光は、VUV波長域の放射光であることを特徴とする請求項1記載の放射源。
- 放射処理室に配置された半導体ウエハを放射処理によって処理するための方法であって、
a) 放射領域に面するほぼ平面状の表面を有するベース電極を配置する工程と、
b) 前記ベース電極のほぼ平面状の表面から間隔を置いて略平行に配置され、誘電性部材の第1面側は前記放射領域の境界を形成し、前記誘電性部材の第2面側は前記ウエハ に面する放射透過性の前記誘電性部材を配置する工程と、
c) 前記誘電性部材の前記第2面側に隣接する二次元かつ放射透過性の電極スクリーンを、前記放射領域の境界を形成する前記ベース電極の二次元表面に略平行な平面に配置する工程と、
d) 前記放射領域にエキシマ励起可能なイオン性ガスを供給する工程と、
e) 前記ベース電極および前記電極スクリーンに電圧を印加し、前記ベース電極と前記電極スクリーンとの間に電界を発生させて前記イオン性ガスをエキシマ励起し、それによって前記放射源から前記ウエハを処理するための平面状の放射パターンを発生させる工程と、
f) 前記電極スクリーンに接触し、この電極スクリーンを前記放射領域の境界を形成する前記誘電性部材と接触させて保持し、前記放射源からの平面状の放射パターンは前記放射源から第2の放射透過性誘電性部材である保護ウィンドウを通じて放射される、放射透過性の前記保護ウィンドウを設ける工程と、
g) 前記保護ウィンドウと前記誘電性部材との間の隙間領域を排気して前記保護ウィンドウと前記誘電性部材とで前記電極スクリーンを緊密に挟持する負圧条件を生成することによって、前記保護ウィンドウを前記電極スクリーンに対して付勢して前記誘電性部材を補強する工程と、を含むことを特徴とする方法。 - 前記イオン性ガスを供給する工程は、前記放射領域に連通して前記イオン性ガスを前記放射領域に注入するためのガス吸気口およびガス排気口を設けることを含んでいる請求項11記載の方法。
- 前記イオン性ガスを供給する工程は、一群のイオン性ガスから1つのイオン性ガスを選択するステップを含み、前記一群のイオン性ガスは、 NeF 、 Ar 2 、 Kr 2 、 F 2 、 Xe 2 、 ArCl 、 KrI 、 ArF 、 KrBr 、 KrCl 、 KrF 、 XeI 、 Cl 2 、 XeBr 、 Br 2 、および Ar/CF 4 を含むことを特徴とする請求項11記載の方法。
- ウエハ密閉構造体内に配置された半導体ウエハを処理するための放射光の放射源であって、
a) 放射光の放射領域の境界を形成する二次元表面を有するベース電極と、
b) 1)前記ベース電極から前記放射領域によって離間して配置されて前記放射領域の境界を形成し、前記放射領域からウエハ処理領域に放射光を透過させる放射透過性の誘電性部材、および
2)前記放射領域の境界を形成する前記ベース電極の二次元表面に略平行な平面で、前記放射透過性の誘電性部材に接触する二次元かつ放射透過性の格子状電極、を含むアセンブリーと、
c) 前記ベース電極および前記格子状電極に電圧を印加する電源と、
d) 前記ベース電極と前記格子状電極との間に設定される電界によってイオン化するために前記放射領域に収容されるエキシマ励起可能なイオン性ガスと、を含み、
e) 前記電源は前記ベース電極および前記格子状電極に電圧を印加して電界を発生させ、それによって前記放射領域内の前記イオン性ガスはエキシマ励起されて、前記放射源から前記格子状電極を通じて放射される平面状の放射パターンが発生するとともに、
f) 前記アセンブリーは、前記格子状電極に接触しかつこの格子状電極を前記放射領域の境界を形成する前記誘電性部材と接触させて保持する放射透過性の保護ウィンドウをさらに含んでおり、前記放射源からの平面状の放射パターンは、前記放射源から前記保護ウィンドウを通じて放射されるとともに、前記保護ウィンドウは、前記保護ウィンドウと前記誘電性部材との間の隙間領域を排気して前記保護ウィンドウと前記誘電性部材とで前記格子状電極を緊密に挟持する負圧条件を生成することによって、前記格子状電極に対して付勢されて前記誘電性部材を補強することを特徴とする放射源。 - 前記放射領域の境界を形成する前記誘電性部材と前記ベース電極の二次元表面との間に配置されて前記放射領域の周縁部分に接するスペーサ要素をさらに含むことを特徴とする請求項14記載の放射源。
- 前記放射領域に収容されるガスは、前記ベース電極中のガス吸気口を通 じて注入されることを特徴とする請求項14記載の放射源。
- 前記放射領域に収容されるガスは、NeF 、 Ar 2 、 Kr 2 、 F 2 、 Xe 2 、 ArCl 、 KrI 、 ArF 、 KrBr 、 KrCl 、 KrF 、 XeI 、 Cl 2 、 XeBr 、 Br 2 、および Ar/CF 4 を含むエキシマ励起可能な一群のイオン性ガスから選択されることを特徴とする請求項14記載の放射源。
- 前記格子状電極は、導電性の網目状材料であることを特徴とする請求項14記載の放射源。
- 前記放射透過性の保護ウィンドウから離れて配置されてフィルタチャンバーの境界を形成する放射透過性のフィルタチャンバー部材と、前記フィルタチャンバー内に注入されて前記放射源から前記放射透過性のフィルタチャンバー部材を通じて放射される放射波長の範囲を狭めるように前記放射領域から放射される特定波長の放射光を吸収する吸収ガスと、をさらに含むことを特徴とする請求項14記載の放射源。
- 前記吸収ガスは、酸素を含むことを特徴とする請求項19記載の放射源。
- 前記放射光は、UV波長域の放射光であることを特徴とする請求項14記載の放射源。
- 前記放射光は、VUV波長域の放射光であることを特徴とする請求項14記載の放射源。
- 放射によって半導体ウエハを処理するための半導体ウエハ処理システムであって、
a) 半導体ウエハを支持するウエハ密閉構造体と、
b) 前記ウエハ密閉構造体に取付けられてウエハを処理するための放射光を発生させる放射源とを含み、
該放射源は、
1)放射光の放射領域の境界を形成する二次元表面を有するベース電極、
2)i)前記ベース電極から前記放射領域の介在による間隔をおいて配置されて前記放射領域の境界を形成し、前記放射領域からウエハ処理領域に放射を透過させる放射透過性の誘電性部材、および
ii) 前記放射領域の境界を形成する前記ベース電極の二次元表面に略平行な平面で、前記放射透過性の誘電性部材に接触する二次元かつ放射透過性の格子状電極、を含むアセンブリー、
3) 前記ベース電極および前記格子状電極に電圧を印加する電源、
4) 前記ベース電極と前記格子状電極との間に設定される電界によってイオン化するために前記放射領域に収容されるエキシマ励起可能なイオン性ガス、を含み、
5) 前記電源は前記ベース電極および前記格子状電極に電圧を印加して電界を発生させ、それによって前記放射領域内の前記イオン性ガスはエキシマ励起されて、前記放射源から前記格子状電極を通じて放射される平面状の放射パターンが発生するとともに、
6) 前記アセンブリーは、前記格子状電極に接触しかつこの格子状電極を前記放射領域の境界を形成する前記誘電性部材と接触させて保持する放射透過性の保護ウィンドウをさらに含んでおり、前記放射源からの平面状の放射パターンは、前記放射源から前記保護ウィンドウを通じて放射されるとともに、前記保護ウィンドウは、前記保護ウィンドウと前記誘電性部材との間の隙間領域を排気して前記保護ウィンドウと前記誘電性部材とで前記格子状電極を緊密に挟持する負圧条件を生成することによって、前記格子状電極に対して付勢されて前記誘電性部材を補強することを特徴とするシステム。
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