KR970051285A - 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 메모리 장치의 센스 증폭기(sense amplifier)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 더미 선과 비트선 사이에서 여기되는 차동진압(difference voltage;△V)을 증가시키는 센스 증폭기의 타동 전압증가 장치에 관한 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 센스증폭기의 차동 전압 증가 장치는 센스 증폭부, 상기의 센스 증폭부에 신호를 인가하는 비트선과 비트선 사이에서 여기되는 차동 전압이 충분히 센싱할 수 있는 전압이 도도록 하기 위해 비트 선 및 비트선에 각각 연결되는 가변 캐패시터를 포함함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 게이트 옥사이드 캐패시터의 캐패시턴스 변화 특성을 도시한 도면, (나) 본 발명에 따른 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치의 구성을 도시한 도면
Claims (4)
- 센스 증폭부, 상기의 센스 증폭부에 신호를 인가하는 비트 선과 비트 선 사이에서 여기되는 차동 전압이 센싱 가능한 전압이 되도록 하기 위해 비트 선 및 비트 선에 각각 연결되는 가변 캐패시터를 포함함하는 특징으로 하는 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치
- 제1항에 있어서, 상기의 가변 캐패시터는 각각의 게이트가 연결되고 시리얼 하게 결합되는 PMOS와 NMOS의 결합 및 상기의 PMOS와 상기의 NMOS의 연결 노드에 소오스와 드레인이 연결된 노드가 연결되고 게이트가 비트 라인 또는 비트 라인에 연결되는 NMOS로 구성되는 것을 특징으로 하는 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치.
- 센스 증폭부, 상기의 센스 증폭부에 신호를 인가하는 더미 선과 더미 선 사이에서 여기되는 차동 전압이 센싱 가능한 전압이 되도록 하기 위해 더미 선 및 더미 선에 각각 연결되는 가변 캐패시터를 포함함하는 특징으로 하는 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치
- 제3항에 있어서, 상기의 가변 캐패시터는 각각의 게이트가 연결되고 시리얼 하게 결합되는 PMOS와 NMOS의 결합 및 상기의 PMOS의 상기의 NMOS의 연결 노드에 소오스와 드레인이 연결된 노드가 연결되고 게이트가 더미 라인 또는 더미 라인에 연결되는 NMOS로 구성되는 것을 특징으로 하는 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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