JP4097792B2

JP4097792B2 - 薄型温度ヒュ−ズ

Info

Publication number: JP4097792B2
Application number: JP22228298A
Authority: JP
Inventors: 朋晋三井
Original assignee: Uchihashi Estec Co Ltd
Current assignee: Uchihashi Estec Co Ltd
Priority date: 1998-07-22
Filing date: 1998-07-22
Publication date: 2008-06-11
Anticipated expiration: 2018-07-22
Also published as: JP2000040454A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄型温度ヒュ−ズに関し、リチウムイオン２次電池等の電池の昇温防止に有用なものである。
【０００２】
【従来の技術】
合金型温度ヒュ−ズにおいては、機器の過電流に基づく発熱で低融点可溶合金のヒュ−ズエレメントを溶断させて機器の通電を遮断し機器の異常発熱ひいては火災の発生を未然に防止している。
近来、携帯電話、ノ−トブックパソコン、ビデオカメラ等のパ−ソナルユ−ス電子機器の小型化・薄型化に伴い、その電源である２次電池（リチウムイオン電池、ニッケル水素電池等）も小型化されている。
【０００３】
このリチウムイオン２次電池等では、エネルギ−密度が高く放電時や充電時に相当に大きな電流が流れて昇温する可能性があるので、２次電池の底面または側面に合金型温度ヒュ−ズを配設して昇温防止することが検討されている。
この合金型温度ヒュ−ズにおいては、電池の小型化に対応して薄型であることが要請される。
【０００４】
そこで、樹脂ベ−スフィルムの片面上に一対の帯状リ−ド導体の先端部を固着し、帯状リ−ド導体の先端間に低融点可溶合金片を接続し、低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、樹脂ベ−スフィルムの片面上に樹脂カバ−フィルムを配し、両樹脂フィルム周辺のフィルム間及び樹脂カバ−フィルムと帯状リ−ド導体との間を封止してなり、各樹脂フィルムに厚み８０μｍ〜２２０μｍの電気絶縁用樹脂フィルムを使用し、帯状リ−ド導体の厚みもこの電気絶縁フィルムと同程度の厚みにした薄型温度ヒュ−ズの開発が進められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この薄型温度ヒュ−ズにおける帯状リ−ド導体に銅導体を使用すると、銅は比抵抗が低いために温度が上昇し難く、抵抗溶接（スポット溶接）上不利である。
【０００６】
本発明の目的は、抵抗溶接し易いニッケルを帯状リ−ド導体に使用した取扱いの容易な優れた性能の薄型温度ヒュ−ズを提供することにある。
【０００７】
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る薄型温度ヒュ−ズは、樹脂ベ−スフィルムの片面上に一対の帯状リ−ド導体の先端部を固着し、帯状リ−ド導体の先端間に低融点可溶合金片を接続し、低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、樹脂ベ−スフィルムの片面上に樹脂カバ−フィルムを配し、両樹脂フィルム周辺のフィルム間及び樹脂カバ−フィルムと帯状リ−ド導体との間を封止して温度ヒュ−ズ、または、一対の帯状リ−ド導体の先端部を樹脂ベ−スフィルムにその裏面側から表面側に表出させて固着し、両帯状リ−ド導体の先端表出部間に低融点可溶合金片を接続し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、樹脂ベ−スフィルムの表面上に樹脂カバ−フィルムを配し、両樹脂フィルム周辺のフィルム間及び樹脂カバ−フィルムと帯状リ−ド導体との間を封止してなる温度ヒュ−ズ、あるいは、一方の帯状リ−ド導体の先端部を樹脂ベ−スフィルムにその裏面側から表面側に表出させて固着し、他方の帯状リ−ド導体の先端部を樹脂ベ−スフィルムの表面側に固着し、両帯状リ−ド導体の先端間に低融点可溶合金片を接続し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、樹脂ベ−スフィルムの表面上に樹脂カバ−フィルムを配し、両樹脂フィルム周辺のフィルム間及び樹脂カバ−フィルムと他方の帯状リ−ド導体との間を封止してなる温度ヒュ−ズにおいて、各樹脂フィルムの厚さを８０μｍ〜２２０μｍとし、帯状リ−ド導体に厚み８０μｍ〜２２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０のニッケル帯体の先端部表面に銅層を設けた帯状導体を使用したことを特徴とする構成である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１の（イ）は本発明に係る薄型温度ヒュ−ズの一例を示す図面、図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
図１において、１１は樹脂ベ−スフィルムである。２は帯状リ−ド導体であり、厚み８０μｍ〜２２０μｍ好ましくは８０μｍ〜１２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０好ましくは１６０〜２２０のニッケル帯体を使用し、樹脂ベ−スフィルム１１の片面に熱プレスや超音波融着或いは接着剤等で固着してある。
３は帯状リ−ド導体２，２間に溶接により接続した低融点可溶合金片であり、温度ヒュ−ズの作動温度を８０〜１２０℃とするように固相線温度を８０〜１２０℃、液相線温度を８０〜１２０℃としてある。４は低融点可溶合金片に塗布したフラックス、１２は樹脂ベ−スフィルム１１の表面上に配した樹脂カバ−フィルムであり、樹脂カバ−フィルムの周辺のフィルム間及び樹脂カバ−フィルムと帯状リ−ド導体との間を熱プレスや超音波融着或いは接着剤等で封止してある。上記ニッケル帯状リ−ド導体の先端部には、溶融した低融点可溶合金の濡れ拡がりを促して球状化分断を迅速に生じさせるために、銅箔をクラッドするか銅めっきを施してある。
【０００９】
上記樹脂ベ−スフィルム及び樹脂カバ−フィルムには、厚み８０μｍ〜２２０μｍ好ましくは１６０μｍ〜２１０μｍの電気絶縁プラスチックフィルムが使用されている。例えば、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリフェニレンオキシド、ポリエチレンサルファイド、ポリサルホン等のエンジニアリングプラスチックを使用できる。この樹脂フィルムの長さは７〜１５ｍｍ、巾は４〜６ｍｍとされている。
上記帯状リ−ド導体の巾は樹脂フィルムの巾よりもやや狭くされ、３〜４ｍｍとされている。
【００１０】
上記低融点可溶合金片３には、▲１▼温度ヒュ−ズの作動温度を８０〜１２０℃とすること、▲２▼温度ヒュ−ズの超薄型化・超小型化のために低融点可溶合金片の断面積を０．０３〜０．１３ｍｍ²してしても負荷電流のもとでのジュ−ル発熱を実質上排除できる低比抵抗とすること等から、固相線温度８０〜１２０℃、液相線温度８０〜１２０℃、比抵抗（１０〜３０μΩcm）の合金組成を使用し、例えばＩｎ３０〜７５重量％、Ｓｎ５〜５０重量％、Ｃｄ０．５〜２５重量％、好ましくはＩｎ４０〜６０重量％、Ｓｎ２５〜５０重量％、Ｃｄ１０〜１５重量％、特に好ましくはＩｎ４０〜５５重量％、Ｓｎ３０〜４６重量％、Ｃｄ１４〜１５重量％の合金組成を使用できる。
この比抵抗をさらに低くするために、合金組成にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのうちの１種または２種以上を合計０．１〜５重量％添加することができる。
【００１１】
かかる低融点可溶合金片によれば、低融点可溶合金片の断面積を０．０３〜０．１３ｍｍ²と小さくしても負荷電流による低融点可溶合金片の発熱を実質上排除でき、低融点可溶合金片の幅を１．４ｍｍとする場合、低融点可溶合金片の厚みを０．０２ｍｍ〜０．０９３ｍｍの超薄型にでき、温度ヒュ−ズ本体の厚み中、低融点可溶合金片が占める部分を僅かにとどめることができる。
【００１２】
図２の（イ）は、本発明に係る温度ヒュ−ズの別例を示す図面、図２の（ロ）は図２の（イ）におけるロ−ロ断面図であり、一対の帯状リ−ド導体２，２の先端部を熱プレス等で樹脂ベ−スフィルム１１にその裏面側から表面側に表出させて固着し、次いで、これらの固着帯状リ−ド導体２，２の表出部（銅面）間に低融点可溶合金片３を抵抗溶接等で接合してある。他の構成は図１に示した実施例と実質的に同じとし、帯状リ−ド導体には先端部表面に銅層（銅箔のクラツドや銅めっき）を設けた厚み８０μｍ〜２２０μｍ好ましくは８０μｍ〜１２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０好ましくは１６０〜２２０のニッケル帯体を使用し、各樹脂フィルムの厚さは８０μｍ〜２２０μｍ好ましくは１６０μｍ〜２１０μｍとしてある。
図２において、図１と同一の符号は同一の構成要素を示している。
【００１３】
図３の（イ）は、本発明に係る温度ヒュ−ズの他の別例を示し、図３の（ロ）のように一方の帯状リ−ド導体２１の先端部を熱プレス等で樹脂ベ−スフィルム１１にその裏面側から表面側に表出させて固着し、他方の帯状リ−ド導体２の先端部を樹脂ベ−スフィルム１１の表面に熱プレス等で固着し、更に、図３の（イ）において、両帯状リ−ド導体２，２１の先端間に低融点可溶合金片３を抵抗溶接等で接合し、更に低融点可溶合金片３上にフラックス４を塗布し、次いで、樹脂ベ−スフィルム１１の片面上に樹脂カバ−フィルム１２を配し、樹脂カバ−フィルム１２の周辺と樹脂ベ−スフィルム１１との間及び樹脂カバ−フィルム１２と他方の帯状リ−ド導体２との間をヒ−トシ−ルまたは超音波融着或いはレ−ザ照射により封止してある。
他の構成は図１に示した実施例と実質的に同じとし、帯状リ−ド導体には先端部表面に銅層を設けた厚み８０μｍ〜２２０μｍ好ましくは８０μｍ〜１２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０好ましくは１６０〜２２０のニッケル帯体を使用し、各樹脂フィルムの厚さは８０μｍ〜２２０μｍ好ましくは１６０μｍ〜２１０μｍとしてある。
図３において、図１と同一の符号は同一の構成要素を示している。
【００１４】
本発明に係る薄型温度ヒュ−ズは、例えばリチウムイオン二次電池を異常発熱から保護するために使用され、電池の負極缶に一方の帯状リ−ド導体及び温度ヒュ−ズ本体を密接させると共にその一方の帯状リ−ド導体と負極缶との間をスポット溶接し、他方の帯状リ−ド導体を負極缶から離隔や絶縁フィルムの介在により絶縁して当該電池に直列に挿入できる。
而して、電池の発生熱は電池の負極缶と一方の帯状リ−ド導体との接触面→一方の帯状リ−ド導体→低融点可溶合金片の経路を経て低融点可溶合金片に伝達され、電池温度が８０〜１２０℃になると低融点可溶合金片の溶断により電池が負荷から遮断される。
【００１５】
この場合、帯状リ−ド導体に銅に較べて抵抗溶接し易いニッケルを使用し、しかもニッケル帯状リ−ド導体のビッカ−ス硬度を１００以上として８０μｍという薄い厚みのもとでも帯状リ−ド導体に充分な耐おじき性を付与できるようにしてあるから、一方の帯状リ−ド導体と負極缶との間を帯状リ−ド導体を安定に保持して容易にスポット溶接できる。
【００１６】
また、電池の負極缶と一方の帯状リ−ド導体との接触面を接触熱抵抗の低い熱良伝導接触面に保持でき、しかもニッケルの熱伝導率が銅に較べ低くても厚みを８０μｍ以上にして充分な導体断面積を付与し得るようにしてあるから、上記熱伝達経路の熱抵抗を充分に低くし得て温度ヒュ−ズを優れた感熱性で作動させ得る。
【００１７】
さらに、図２や図３に示すように、帯状リ−ド導体の先端部を絞り出し加工するにもかかわらず、帯状リ−ド導体に、ニッケルで、特にビッカ−ス硬度が１００〜２８０の範囲の展延性に優れたものを使用しているから、帯状リ−ド導体先端部をクラック等の発生無く容易に絞り出し加工できる。
【００１８】
さらに、ニッケル帯状リ−ド導体の上限厚み２２０μｍに対し、帯状リ−ド導体を１８０°で折り曲げてもビッカ−ス硬度を２８０以下にしているからクラックの発生を排除でき、帯状リ−ド導体の曲げ加工に対する安全度も頗る高い。
【００１９】
図４はリチウムイオン二次電池を示し、セパレ−タ５１を介在させた正極５２と負極５３とのスパイラル巻回体低融点可溶合金片を負極缶５４に収容して負極５３と負極缶５４の底面とを電気的に導通し、負極缶５４内の上端に正極集電極５５を配設して正極５２をこの集電極５５に電気的に導通し、負極缶５４の上端部５４１を防爆弁板外５６の外周端部及び正極蓋５７の外周端部にパッキング５８を介してかしめ加工し、防爆弁板５６の中央凹部を正極集電極５９に電気的に導通してあり、本発明に係る薄型温度ヒュ−ズの本体を防爆弁板５６と正極蓋５７との間の空間に配し、防爆弁板５６の外周端部と正極蓋５７の外周端部との間に絶縁スペ−サリングｒを介在させ、一方の帯状リ−ド導体２を防爆弁板５６の外周端部と絶縁スペ−サリングｒとで挾持し、他方の帯状リ−ド導体２を正極蓋５７の外周端部と絶縁スペ−サリングｒとで挾持して電池内に直列に組み込むこともできる。
【００２０】
図５の（イ）及び図５の（ロ）〔図５の（イ）におけるロ−ロ断面図〕は、本発明に係る温度ヒュ−ズの上記とは別の実施例を示している。
図５において、Ｆはフレ−ムを示し、図６の（イ）に示す環状部２０１の内周に一方の帯状リ−ド導体２１を有する一方の厚み８０μｍ〜２２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０のニッケル箔状電極ｆ₁と、図６の（ロ）に示す環状の厚み８０μｍ〜２２０μｍの樹脂スペ−サフィルムｓと、図６の（ハ）に示す環状部２００の内周に他方の帯状リ−ド導体２を有する厚み８０μｍ〜２２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０のニッケル箔状電極ｆ₂とをリ−ド部２，２１を１８０°互い違いにして重畳してあり、これらの箔状電極ｆ₁，ｆ₂と樹脂スペ−サフィルムｓの界面の接着には熱融着等を使用できる。
【００２１】
図５において、Ａはフレ−ムＦの中央空間に配した温度ヒュ−ズ本体であり、一方の帯状リ−ド導体２１の先端部を厚み８０μｍ〜２２０μｍの樹脂ベ−スフィルム１１の一面に固着すると共に該フィルム１１の一面より他面に局部的に表出させ、他方の帯状リ−ド導体２の先端部を前記ベ−スフィルム１１の他面に固着し、該先端部と前記局部的に表出された一方の帯状リ−ド導体２１先端部分との間に低融点可溶合金片３を溶接等で接続し、該低融点可溶合金片３にフラックス４を塗布し、このフラックス塗布低融点可溶合金片上に厚み８０μｍ〜２２０μｍの樹脂カバ−フィルム１２を配し、樹脂カバ−フィルム１２周辺の樹脂ベ−スフィルム１１と樹脂カバ−フィルム１２との間及び樹脂カバ−フィルム１２と他方の帯状リ−ド導体２との間をヒ−トシ−ルまたは超音波融着或いはレ−ザ照射により封止してある。
【００２２】
この温度ヒュ−ズを図４に示す電池に組み込むには、前記絶縁スペ−サリングｒを介することなく防爆弁板５６の外周端部と正極蓋５７の外周端部との間に挾持して防爆弁板５６とフレ−ムＦの箔状電極ｆ₁との電気的接触→箔状電極ｆ₁のリ−ド導体２１→低融点可溶合金片３→箔状電極ｆ₀のリ−ド導体２→フレ−ムＦの箔状電極ｆ₀と正極蓋５７との電気的接触により、電池に温度ヒュ−ズを電気的に直列に接続することができる。
【００２３】
【実施例】
〔実施例１〕
薄型温度ヒュ−ズは図１の構成とし、樹脂ベ−スフィルム及び樹脂カバ−フィルムに、厚み１５０μｍ、平面寸法５ｍｍ×１１ｍｍのポリエチレンテレフタレ−トフィルムを使用し、帯状リ−ド導体には厚み１００μｍ、ビッカ−ス硬度１９０（ビッカ−ス硬度は島津製作所製ＨＭＶ−２０００で測定した。以下、同じ）、巾３．５ｍｍ、長さ１３ｍｍのニッケル帯状体（先端部に銅箔をクラッド）を使用し、低融点可溶合金片には共晶点温度９４℃，断面積０．０７ｍｍ²，厚み５０μｍのものを使用し、フラックスにはロジンを主成分とするものを使用した。また、封止及び接着はヒ−トシ−ルとした。
【００２４】
〔実施例２〜６〕
ニッケル帯状リ−ド導体の厚み及びビッカ−ス硬度を表１の通りにした以外、実施例１に同じとした。
【００２５】
〔比較例１〜４〕
ニッケル帯状リ−ド導体の厚み及びビッカ−ス硬度を表１の通りにした以外、実施例１に同じとした。
【００２６】
これらの実施例品並びに比較例品のそれぞれにつき、次の加工性、耐おじき性並びに作動性を評価したところ、表１の通りであった。
【００２７】
〔加工性〕図２示す帯状リ−ド導体先端部の絞り出し加工や帯状リ−ド導体を電池負極缶にスポット溶接する際の折り曲げ加工に対する適性評価のために繰返し折り曲げを行い、クラック発生乃至は破断までの折り曲げ回数が６回以上のものを○、５回〜２回のものを△、１回のものを×とした。
【００２８】
〔耐おじぎ性〕温度ヒュ−ズ本体部を支え、帯状リ−ド導体の端末に荷重を加え、帯状リ−ド導体がおじぎしてリ−ド導体が折り曲がるときの荷重が５０ｇ以上のものを○、４０ｇ〜５０ｇのものを△、４０ｇ以下のものを×とした。
【００２９】
〔作動性〕一方の帯状リ−ド導体を温度１００℃のポットプレ−ト上に置き低融点可溶合金片が溶断するまでの時間が６秒以内のものを○、６秒〜１０秒のものを△、１０秒を越えるものを×とした。
【００３０】

【００３１】
【発明の効果】
本発明に係る薄型温度ヒュ−ズにおいては、帯状リ−ド導体に、銅に較べて抵抗溶接し易いニッケルを使用しているから、帯状リ−ド導体と電池缶との溶接を充分な強度で行い得、電池缶と帯状リ−ド導体との間の接触による熱伝達も安定に維持できると共に帯状リ−ド導体の厚みを８０μｍ〜２２０μｍ、ビッカ−ス硬度を１００〜２８０としているから、帯状リ−ド導体の加工や溶接を容易に行うことができ、良性能で製作が容易な薄型温度ヒュ−ズを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄型温度ヒュ−ズの一例を示す図面である。
【図２】本発明に係る薄型温度ヒュ−ズの上記とは異なる一例を示す図面である。
【図３】本発明に係る薄型温度ヒュ−ズの上記とは異な一例を示す図面である。
【図４】本発明に係る薄型温度ヒュ−ズの使用状態の一例を示す図面である。
【図５】本発明に係る薄型温度ヒュ−ズの上記とは異な一例を示す図面である。
【図６】図５に示す薄型温度ヒュ−ズに使用されるフレ−ムを示す図面である。
【符号の説明】
１１樹脂ベ−スフィルム
１２樹脂カバ−フィルム
２帯状リ−ド導体
２１帯状リ−ド導体
３低融点可溶合金片
４フラックス

Claims

樹脂ベ−スフィルムの片面上に一対の帯状リ−ド導体の先端部を固着し、帯状リ−ド導体の先端間に低融点可溶合金片を接続し、低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、樹脂ベ−スフィルムの片面上に樹脂カバ−フィルムを配し、両樹脂フィルム周辺のフィルム間及び樹脂カバ−フィルムと帯状リ−ド導体との間を封止してなり、各樹脂フィルムの厚さを８０μｍ〜２２０μｍとし、帯状リ−ド導体に、厚み８０μｍ〜２２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０のニッケル帯体の先端部表面に銅層を設けた帯状導体を使用したことを特徴とする薄型温度ヒュ−ズ。
一対の帯状リ−ド導体の先端部を樹脂ベ−スフィルムにその裏面側から表面側に表出させて固着し、両帯状リ−ド導体の先端表出部間に低融点可溶合金片を接続し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、樹脂ベ−スフィルムの表面上に樹脂カバ−フィルムを配し、両樹脂フィルム周辺のフィルム間及び樹脂カバ−フィルムと帯状リ−ド導体との間を封止してなり、各樹脂フィルムの厚さを８０μｍ〜２２０μｍとし、帯状リ−ド導体に、厚み８０μｍ〜２２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０のニッケル帯体の先端部表面に銅層を設けた帯状導体を使用したことを特徴とする薄型温度ヒュ−ズ。
一方の帯状リ−ド導体の先端部を樹脂ベ−スフィルムにその裏面側から表面側に表出させて固着し、他方の帯状リ−ド導体の先端部を樹脂ベ−スフィルムの表面側に固着し、両帯状リ−ド導体の先端間に低融点可溶合金片を接続し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、樹脂ベ−スフィルムの表面上に樹脂カバ−フィルムを配し、両樹脂フィルム周辺のフィルム間及び樹脂カバ−フィルムと他方の帯状リ−ド導体との間を封止してなり、各樹脂フィルムの厚さを８０μｍ〜２２０μｍとし、帯状リ−ド導体に厚み８０μｍ〜２２０μｍ、ビッカ−ス硬度１００〜２８０のニッケル帯体の先端部表面に銅層を設けた帯状導体を使用したことを特徴とする薄型温度ヒュ−ズ。