JP4090950B2 - 複合icカード用icモジュール - Google Patents
複合icカード用icモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP4090950B2 JP4090950B2 JP2003182273A JP2003182273A JP4090950B2 JP 4090950 B2 JP4090950 B2 JP 4090950B2 JP 2003182273 A JP2003182273 A JP 2003182273A JP 2003182273 A JP2003182273 A JP 2003182273A JP 4090950 B2 JP4090950 B2 JP 4090950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- module
- card
- contact
- composite
- connection terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、複合ICカード用ICモジュールに関する。
詳しくは、接触と非接触の両用の機能を持つICチップが内蔵された複合ICカード用ICモジュールにおいて、カード基体内のアンテナとの接着強度を高めることができるICモジュールに関する。
したがって、本発明の利用分野は、複合ICカード用ICモジュールの製造や複合ICカードの製造や利用の分野に関する。
【0002】
【従来技術】
接触と非接触の両方のインターフェースを持つ複合ICカード用ICチップが登場している。通常、このICチップを使ったICモジュールはカード基体内の非接触用アンテナとの接続をプリント基板裏面のアンテナ接続用端子板を介して行っている。当該接続用端子板とカード基体内のアンテナとが導電性材料によって接着されてICチップの非接触通信機能部に導通する。
一方、カード表面には6個ないし8個のISO7816接触方式の端子群が設けられていて接触通信を行う。
これらにより、接触、非接触の両用となるようにされている。
【0003】
かかるICモジュールとカード基体内のアンテナとの接続方法を記載する先行技術には、特許文献1、特許文献2、等の多数があるが、具体的な内容を図面を参照して説明することとする。
図4は、従来の接触型ICカードの平面図、図5は、従来の接触、非接触両用ICカードの平面図、図6は、ICモジュールの接触端子の端子群を表わす平面図、図7は、従来の複合ICカード用ICモジュールの裏面のボンディング状態を表わす図、図8は、図7の複合ICモジュールをカード基体に装着した接触、非接触両用ICカードの断面図、である。
【0004】
従来の接触型ICカード11は、図4のように均一な薄板状のカード基体11bに接触型ICモジュール14を埋設した周知の形態のものである。
ISOの規格に基づき、基板11bのサイズは、53.98×85.60mm、厚みは、0.68〜0.84mmの範囲、通常0.76mmにされている。
接触、非接触両用の複合ICカード12も同一形状の基板であって、図5のように、カード基体12b内にアンテナコイル21を有している。
アンテナコイル21は破線で示しているが、実際にはカード基体内に埋設されていて見えないので外観上は、接触型ICカード11と異なるものではない。
アンテナコイル21の両端は、接触、非接触両用の複合ICカード用ICモジュール15のアンテナ接続用端子板に接続するようにされている。
【0005】
従来の接触型ICモジュール14の端子群は、図6のように、ISO7816の規格によりC1〜C8の8つの端子が規定されている。
なお、C1はVCC(供給電圧)、C2はRST(リセット信号)、C3はCLK(クロック信号)、C5はGND(接地)端子で通常、ICモジュール14の端子板中心部分と電気的につながって形成されている。C6はVPP(可変供給電圧;プログラム供給電圧など)、C7はI/O(データ入出力)である。
C4とC8は、RFU(予備端子)であって現在は使用していない。
【0006】
従来の複合ICカード用ICモジュール15の裏面のボンディング状態は、図7のようになっている。
C1,C2,C3,C5,C7端子板背面の絶縁基板には、ワイヤボンディング基板側パッド26が形成されていて、当該パッドを介して、それぞれICチップ3側の接続端子(パッド)にボンディングワイヤ27で接続されている。
C4,C8端子板は予備端子なので基板側パッドは設けられていない。C6のVPPも使用しない場合が多い。
C2,C3端子とC6,C7端子の背面を利用してアンテナ接続用端子板24,25が設けられ、C4,C8端子の背面を通る回路を介して、ICチップ3の非接触インターフェース部A1,A2にボンディングされている。
ICモジュールのICチップ3やボンディングワイヤ27部分は樹脂モールドされて実装されている。
【0007】
図8は、図7のICモジュール15をカード基体12bに装着した接触、非接触両用ICカードの断面図である。アンテナ接続用端子板24,25を横切りボンディングワイヤ27に沿う断面が示されている。
ICモジュール15は、プリント基板のカード表面側に接触端子群を有しカード内面側にICチップ3とワイヤボンディング部を有している。
ICモジュールの装着は、まず予めアンテナコイル21が形成され埋設されているカード基体12bの当該カード基体表面からアンテナコイル両端の接続用端子面が現われるようにICモジュール装着用凹部5を掘削する。
次に、凹部5内にICモジュール15を装填して、接続用端子面とICモジュール側のアンテナ接続用端子板24,25間を導電性接着剤6で導通させる。
同時に、当該導電性接着剤、あるいは通常の接着剤も併用してICモジュール15を装着用凹部5内に固定する。
複合ICカード用ICモジュール15の樹脂モールド部7は、一段と深く切削された装着用凹部5の中央部分に嵌合するようにされている。
【0008】
【特許文献1】
特開平9−123654号公報
【特許文献2】
特開平11−328355号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来の複合ICカード用のICモジュール15は、上述のようにしてアンテナ接続用端子板が、ICチップの非接触インターフェース部に接続しているが、アンテナ接続用端子板が平面な金属板であるため、曲げなどの外部応力が加わることによって、導電性材料との間で剥離が生じることがあった。
そこで本発明は、この欠点を改善した複合ICカード用ICモジュールの構造を研究して本発明の完成に至ったものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の要旨は、接触、非接触の両方のインターフェースを持つICチップが内蔵されたICカード用ICモジュールであって、該ICチップを搭載するプリント基板の表面はISO7816が規定する8つの端子群を有し、該プリント基板の裏面には接触、非接触両用のICチップが搭載され、ICチップの接続端子と表面の端子の金属層とが接続されているICモジュールにおいて、カード基体内のアンテナと接続するためのプリント基板裏面に設けられた2つのアンテナ接続用端子板の導電性接着材料と接する面は、プリント基板の接着剤層に達する深さの複数の凹孔が穿孔さた金属層からなることを特徴とする複合ICカード用ICモジュール、にある。
【0011】
上記複合ICカード用ICモジュールにおいて、アンテナ接続用端子板の金属層の厚みを、35μmから70μmの範囲である、ようにすることができ、複数の凹孔が規則的に配列した格子凹孔として、アンテナ接続用端子板の平面外観が格子形状である、ようにすることもできる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明は、複合ICカード用ICモジュール(以下、「複合ICモジュール」とも表現する。)において、アンテナ接続用端子板の導電性材料との接触面を格子状等の接触面積の大きい形状にし、かつ可能な限り端子板厚みを厚くすることにより、接続の信頼性向上を図ろうとするものである。
以下、本発明の複合ICモジュールについて図面を参照して説明する。図1は、本発明の複合ICモジュールの実施形態を示す背面図、図2は、アンテナ接続用端子板を示す図、図3は、従来のアンテナ接続用端子板を示す図、である。
【0013】
図1は、本発明の複合ICモジュール1の実施形態を示し、裏面のボンディング状態が表れている。図1(A)は背面平面図、図1(B)は、図1(A)のB−B線断面図、図1(C)は、図1(A)のC−C線断面図である。図示方法が多少異なるが、図1自体は、図7の従来例と実質的に同一のものである。
C1,C2,C3,C5,C7端子板背面の絶縁基板には、ワイヤボンディング基板側パッド261,262,263,265,267が形成されていて、当該パッドを介して、それぞれICチップ3側の接続端子(パッド)にワイヤ接続されている。C4,C8端子板は予備端子なので基板側パッドは設けられていない。C6のVPPも使用しない場合が多く同様にされている。
各ワイヤボンディング基板側パッドは、プリント基板8の絶縁層材料に予め貫通孔を空けておいてから銅箔8A,8cとラミネートして形成するものであるが、絶縁層と表裏の銅箔間をスルーホールで導通させるものであってもよい。
【0014】
アンテナ接続用端子板24,25は、ボンディングワイヤ27によって回路241,251に接続し、さらにICチップ3の非接触インターフェース部A1,A2にワイヤ接続されている。アンテナ接続用端子板24,25と回路241,251は、図7のように連続した回路板であっても良い。
なお、ICチップ3とボンディングワイヤ27接続部は点線で囲った樹脂モールド部7となっている。
【0015】
図1(B)(C)のように、ワイヤボンディング基板側パッド263,265,267は、複合ICモジュールの表面側銅箔からICチップ3にワイヤ接続されており、回路251は裏面側銅箔からICチップ3の非接触通信機能部A2に通じるようにされている。
【0016】
図2は、アンテナ接続用端子板24の拡大図であって、図2(A)は平面図、図2(B)は図2(A)のA−A線断面図である。なお、端子板25も同様であるので図示していない。図3は、同様に従来例のアンテナ接続用端子板24の平面図(A)と断面図(B)である。
アンテナ接続用端子板自体の大きさは、本発明のものも従来例のものも同様であって、L=2〜3mm、W=3〜4mm程度である。
従来例のアンテナ接続用端子板が、単に平面な金属板であるのに対し、本発明のアンテナ接続用端子板24,25は、例えば、矩形状の凹孔9が規則的に空けられていて、全体として格子状にされている特徴がある。
図2(A)の場合、2列の平行格子列にされているが、列状でなくてもよく、3列でも4列であっても良い。
【0017】
アンテナ接続用端子板24のプリント基板8は、ガラスエポキシ基材等の絶縁材料8bの両面に銅箔8a,8cを接着剤等でラミネートした基板から構成されている。銅箔8a,8cは表面側をニッケル下地めっきしてから硬質金めっきする処理が通常されている。銅箔8aは、前記ISOで規定する8個の端子板側であり、銅箔8cは、アンテナ接続用端子板24,25側のものである。
従来例のアンテナ接続用端子板24,25は、図3(B)のように、銅箔8aと銅箔8cが、ほぼ同一の厚みにされていたが、本発明では端子板側の銅箔8cを銅箔8aよりも厚くすることが好ましい。これは、端子板を格子状等することと同様に、導電性接着剤で接着する場合に凹孔側面部による接着面積を広くして接合強度を高くする目的のためである。
【0018】
従来の銅箔8a,8cの厚みは、18μmから35μm程度であるが、本発明では銅箔8cの厚みDを35μmから70μm程度にするのが好ましい。銅箔8aは従来どおりの厚みであってよい。
凹孔9の幅、長さ、ピッチ等は自由に設定できる。矩形状に限らず円形や不定形状であってもよい。接着面積を広くする目的から凹孔9の数は2〜3個ないしは数個以上の数であることが好ましい。
凹孔9を例えば、矩形状の格子凹孔として規則的に開口する場合は、図2のように、その平面外観は格子形状を呈するようになる。ただし、平面外観は格子形状に限らず、波形状であっても、規則的な水玉状または散点状に凹孔が形成されたものであっても良い。
【0019】
このような凹孔を設けた端子板は、単に導電性接着剤との接着面積を拡大するだけの効果ではなく、凹孔9内の底面では、接着剤層が露出するので、ガラスエポキシ樹脂と導電性ペーストが接着する組み合わせになり、銅箔との接着よりも接着性の高い材料間の接合が得られ、剥離強度を高度に高くすることができる。
【0020】
このように本発明の複合ICカード用ICモジュール1は、独自構造のアンテナ接続用端子板24,25を有するので、ICカード基体内のアンテナコイルと高い強度で接続させることができる。
【0021】
このような複合ICモジュールの製造は、まずICモジュール用プリント基板8の準備から行う。これには、絶縁性基材の基板側パッド26の各位置に、予め貫通孔(穴部)を形成したものを用いて製造する。絶縁性基材としては、例えば、厚さ75〜100μm程度のガラスエポキシフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ビスマレイド−トリアジン樹脂フィルムなどのフィルムと熱硬化性接着シートを接着したものを用いる。
【0022】
所定の位置に貫通孔(穴部)を形成した後、絶縁性基材の両面に銅箔をヒートプレスにより接着して一体化する。これを、通常のフォトエッチング法により表面側端子群(C1〜C8)や背面側のアンテナ接続用端子板24,25を形成することによりパターニングを行う。
【0023】
アンテナ接続用端子板24,25のパターニングは、裏面の銅箔8cに対して所定の端子板形状を残すフォトエッチングと同時の工程で、あるいは別個の工程で、アンテナ接続用端子板24,25の表面を必要な格子形状または波形形状等にするフォトエッチング工程を行う。これには所定形状を備えたフォトマスクパターンを使用する。
レジスト剥離後、残存する銅箔層を電極として、表面側端子群と背面のアンテナ接続用端子板24,25に対してニッケルメッキ及び金めっき処理を行う。
【0024】
複合ICカード用ICチップ3をエポキシダイ接着剤によりプリント基板8にダイボンディングし、ICチップ3の各接続端子(パッド)と基板側の各パッド(穴部)26間および回路241,251間のワイヤボンディングを行う。
最後に、ICチップ3、ボンディングワイヤ27部分をトランスファーモールディング法、キャスティング法等により樹脂モールドし、更に必要に応じて裏面側を研磨して厚みを整えて、複合ICモジュール1が完成する。
【0025】
【実施例】
図1、図2、図3等を参照して本発明の実施例、比較例を説明する。
(実施例)
複合ICモジュール1用のプリント基板8として、厚み100μmのガラスエポキシ材料8bに厚み35μmの表面側銅箔8aと、厚み70μmの背面側銅箔8cを積層したものを使用した。なお、ガラスエポキシ材料8bには、ワイヤボンディング基板側パッド26を予め必要個数穿孔したものを使用した。
このプリント基板8に対して、表面側端子板と、背面側アンテナ接続用端子板24,25、回路241,251をフォトエッチング工程で形成した。
アンテナ接続用端子板24,25のサイズは、L=3.0mm×W=2.0mmになるようにし、各アンテナ接続用端子板24,25には、図2(A)のように幅200μm、長さ600μmの凹孔9が200μm間隔で各6個並ぶようにし、このものが2列に並列するようにした。凹孔9の深さは、ガラスエポキシ材料8bに達する深さとした。
その結果、端子板は図2(A)のように格子状の平面外観となった。
【0026】
エッチング後、表裏の銅箔に対して、ニッケルめっき2μm、金めっき0.2μmを施した。
その後、図1のように、表面側接触端子(ワイヤボンディング基板側パッド26)につなげるボンディングワイヤ5本と非接触通信機能部A1,A2に接続するボンディングワイヤ2本の合計7本を打ち込みし、最後に、ICチップ3とワイヤ部を樹脂封止して複合ICモジュール1を完成した。
【0027】
(比較例)
プリント基板8として、厚み100μmのガラスエポキシ材料8bに厚み35μmの表面側銅箔8aは実施例と同一にしたが、背面側銅箔8cには厚み35μmのものを使用した。
このプリント基板8に対して、実施例と同一の条件で、表面側端子板と、背面側アンテナ接続用端子板24,25、回路241,251をフォトエッチング工程で形成し、アンテナ接続用端子板24,25のサイズは、L=3.0mm×W=2.0mmになるようにして形成した。ただし、アンテナ接続用端子板24,25に凹孔9を設けず、平面な状態のままの銅箔とした(図3)。
その後、実施例と同様に、ワイヤ接続し樹脂封止して比較例の複合ICモジュールを完成した。
【0028】
導電性接着剤6として、導電性ペースト(パナソニックファクトリーソリューションズ製「LAC300D」)を使用して、実施例と比較例の複合ICモジュールの各10枚を、アンテナコイル埋め込み済みのICカード基板にICモジュール埋設用凹部5を掘削してから装着した(図8参照)。
【0029】
複合ICモジュール装着後、ICカードの耐久性の比較試験を行った。
試験は、ISO7816−1に基づく「曲げ試験(合計1000回の動的曲げ試験)」を行った。
その結果、比較例では、10枚中2枚の導電ペーストの剥離が生じたが、実施例では、全数剥離を生じることは無かった。
【0030】
【発明の効果】
上述のように、本発明の複合ICモジュールは、アンテナ接続用端子板表面には、プリント基板の絶縁層に達する深さの複数の凹孔が穿孔されているので、導電性接着剤との接合を強固にすることができ、ICカードの通信信頼性を高いものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の複合ICモジュールの実施形態を示す背面図である。
【図2】 アンテナ接続用端子板を示す平面図である。
【図3】 従来のアンテナ接続用端子板を示す図である。
【図4】 従来の接触型ICカードの平面図である。
【図5】 従来の接触、非接触両用ICカードの平面図である。
【図6】 ICモジュールの接触端子の端子群を表わす平面図である。
【図7】 従来の複合ICモジュールの裏面のボンディング状態を表わす図である。
【図8】 複合ICモジュールをカード基体に装着した接触、非接触両用ICカードの断面図である。
【符号の説明】
1 複合ICカード用ICモジュール、複合ICモジュール
3 ICチップ
5 凹部
6 導電性接着剤
7 樹脂モールド部
8 プリント基板
9 凹孔
11 接触型ICカード
12 接触、非接触両用ICカード
14 接触型ICモジュール
15 複合ICカード用ICモジュール(従来品)
21 アンテナコイル
24,25 アンテナ接続用端子板
26 ワイヤボンディング基板側パッド
27 ボンディングワイヤ
Claims (3)
- 接触、非接触の両方のインターフェースを持つICチップが内蔵されたICカード用ICモジュールであって、該ICチップを搭載するプリント基板の表面はISO7816が規定する8つの端子群を有し、該プリント基板の裏面には接触、非接触両用のICチップが搭載され、ICチップの接続端子と表面の端子の金属層とが接続されているICモジュールにおいて、カード基体内のアンテナと接続するためのプリント基板裏面に設けられた2つのアンテナ接続用端子板の導電性接着材料と接する面は、プリント基板の接着剤層に達する深さの複数の凹孔が穿孔された金属層からなることを特徴とする複合ICカード用ICモジュール。
- アンテナ接続用端子板の金属層の厚みが、35μmから70μmの範囲であることを特徴とする請求項1記載の複合ICカード用ICモジュール。
- 複数の凹孔が規則的に配列した格子凹孔であって、アンテナ接続用端子板の平面外観が格子形状であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の複合ICカード用ICモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003182273A JP4090950B2 (ja) | 2003-06-26 | 2003-06-26 | 複合icカード用icモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003182273A JP4090950B2 (ja) | 2003-06-26 | 2003-06-26 | 複合icカード用icモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005018402A JP2005018402A (ja) | 2005-01-20 |
JP4090950B2 true JP4090950B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=34182697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003182273A Expired - Lifetime JP4090950B2 (ja) | 2003-06-26 | 2003-06-26 | 複合icカード用icモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4090950B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9171653B2 (en) | 2010-11-08 | 2015-10-27 | Posco Es Materials Co., Ltd. | Lithium manganese composite oxide and method for preparing same |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100723491B1 (ko) | 2005-07-14 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 범용 인쇄 회로 기판 및 이를 사용한 스마트 카드 |
JP2007172592A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
FR2977958A1 (fr) * | 2011-07-12 | 2013-01-18 | Ask Sa | Carte a circuit integre hybride contact-sans contact a tenue renforcee du module electronique |
JP2018197942A (ja) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | 凸版印刷株式会社 | 非接触通信機能を備えたicカード |
JP2024021861A (ja) * | 2022-08-04 | 2024-02-16 | デクセリアルズ株式会社 | スマートカード |
-
2003
- 2003-06-26 JP JP2003182273A patent/JP4090950B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9171653B2 (en) | 2010-11-08 | 2015-10-27 | Posco Es Materials Co., Ltd. | Lithium manganese composite oxide and method for preparing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005018402A (ja) | 2005-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001189415A (ja) | ワイヤボンディング方法及びこれを用いた半導体パッケージ | |
CN101322231B (zh) | 高密度三维半导体晶片封装 | |
EP0058068B1 (en) | Integrated circuit chip carrier | |
KR20070009428A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2000182017A (ja) | 接触型非接触型共用icカードおよびその製造方法 | |
TWI393196B (zh) | 形成用於高容量記憶卡之單層基板的方法 | |
KR920000076B1 (ko) | 반도체장치 | |
JP3559322B2 (ja) | 薄型複合icカードの製造方法 | |
KR100411862B1 (ko) | 배선기판 및 반도체장치 | |
JP4090950B2 (ja) | 複合icカード用icモジュール | |
JP3979873B2 (ja) | 非接触式データキャリアの製造方法 | |
JP4952266B2 (ja) | デュアルインターフェースicカードとその製造方法、接触・非接触兼用icモジュール | |
JPH0789280A (ja) | Icモジュール | |
JP4450921B2 (ja) | Icカード用icチップ実装基板 | |
JP4736557B2 (ja) | Icカード用icモジュールとその製造方法 | |
JP2007034786A (ja) | 複合icカードおよびその製造方法 | |
US6429534B1 (en) | Interposer tape for semiconductor package | |
JP4614302B2 (ja) | ハイブリット型icカードおよびその製造方法 | |
JPH02134859A (ja) | マルチチップ半導体装置とその製造方法 | |
JP4712373B2 (ja) | 電子タグ用インレットの製造方法および電子タグ用インレット | |
JP2008269648A (ja) | 接触型非接触型共用icカード | |
JP2009088418A (ja) | 半導体装置および半導体モジュールならびに半導体装置の製造方法 | |
JPH0793402B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH04241447A (ja) | 半導体モジュール | |
JP3675126B2 (ja) | 薄膜配線基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4090950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |