JP4089929B2 - 熱線センサの増幅回路 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、熱線センサの信号処理回路に係り、特に複数の熱線検知部を有する熱線センサに用いて好適な信号処理回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
本出願人は、先に特願平7−271175号(特開平9−115064号)において、複数の熱線検知部を用いた熱線センサに用いて好適な信号処理回路を提案した。その概略を説明すると次のようである。
【0003】
図2は上記の特願平7−271175号で提案した信号処理回路を3個の熱線検知部を用いた熱線センサに適用した場合の構成例を示す図であり、11 ,12 ,13 は熱線検知部、21 ,22 ,23 はスイッチ、3は信号増幅部、4は制御部を示す。
【0004】
3個の熱線検知部11 ,12 ,13 は、それぞれ熱線検知素子としての焦電素子とFETなどの増幅器を備えている。熱線検知素子としては一つの焦電素であってもよく、あるいは図3に示すようにプラスの極性とマイナスの極性の二つの焦電素子が直列に接続された、いわゆるツイン型の素子であってもよい。
【0005】
スイッチ21 ,22 ,23 の一方は、それぞれ熱線検知部11 ,12 ,13 に接続されており、他方は信号増幅部3に接続されている。このスイッチ21 ,22 ,23 は実際にはトランジスタ等を用いた電子的なスイッチで構成されるが、図2では便宜的に機械的なスイッチの記号を用いている。
【0006】
信号増幅部3は、図4に示すように、フィルタ5、及び二つの増幅回路6、7で構成されている。フィルタ5はコンデンサと抵抗で構成される、いわゆるCR型の帯域通過型フィルタ(バンド・パス・フィルタ)であり、各C,Rの値は、例えば図5に示すように 0.3Hz〜 2Hz程度の周波数成分を通過するように設定されている。この周波数領域は人間が通常の速度で移動した場合に熱線検知部11 ,12 ,13 から出力される信号の周波数領域である。
【0007】
増幅回路6、7は共に演算増幅器で構成されるのが通常であるが、このように増幅回路を2段用いるのは、熱線検知部11 ,12 ,13 からの出力信号が非常に小さなものであり、それを安定的に、S/Nよく 10000倍程度に増幅する必要があるからである。
【0008】
制御部4は、信号増幅部3の出力信号を取り込んで、取り込んだ信号が所定の閾値以上である場合には人間が侵入したと判断して、侵入者があったことを示すアラーム信号を出力する処理を行うと共に、制御信号によってスイッチ11 ,12 ,13 の開閉の制御を行う。
【0009】
さて、図2に示す構成において、制御部4は、図6(a)、(b)、(c)に示す制御信号によって、スイッチ11 ,12 ,13 を所定の周期でサイクリックにオン/オフして切り換える。図6(a)はスイッチ11 に対する制御信号を示し、図6(b)はスイッチ12 に対する制御信号を示し、図6(c)はスイッチ13 に対する制御信号を示している。なお、図6(a)、(b)、(c)において横軸は時間であり、制御信号がハイレベルのときにスイッチは閉じ、閉じている期間に当該スイッチに接続されている熱線検知部の出力信号が当該スイッチを介して信号増幅部3に入力される。
【0010】
ここで、各スイッチ11 ,12 ,13 が閉じている期間tC は 5〜10msec程度でよい。また、オン/オフの周期tS は接続される熱線検知部の数によって変わるのは当然であるが、最大でも1sec程度にとどめるのがよい。
【0011】
このような動作によれば、熱線検知部11 ,12 ,13 の出力信号が順次スイッチ21 ,22 ,23 を介して信号増幅部3に入力され、制御部4において閾値と比較される。そして、制御部4は入力された信号が閾値以上である場合にはアラーム信号を出力する処理を行う。
【0012】
以上のようであるので、この熱線センサの信号処理回路によれば、複数の熱線検知部からの出力をサイクリックに切り換えて1系統の増幅回路で増幅するので、熱線検知部1が増加された場合でも信号増幅部3を増加する必要はなく、スイッチ2を増加すればよいので、回路規模の増大を最小限にとどめることができる。
【0013】
また、この熱線センサの信号処理回路によれば、各熱線検知部の出力信号は定期的にサンプリングされるので、例えば外来ノイズが混入した場合にも当該外来ノイズがサンプリングされて信号増幅部3に入力される可能性は低いので、外来ノイズによる悪影響は殆ど無視することができ、耐ノイズ性が向上する。
【0014】
以上、本出願人が特願平7−271175号で提案した熱線センサの信号処理回路について説明したが、本出願人は、更に、特願平8−237589号(特開平10−83488号)において、熱線センサの熱線検知部からの出力信号を増幅するための増幅回路を提案した。その概略を説明すると次のようである。
【0015】
図7は上記の特願平8−237589号で提案した増幅回路の構成例を示す図であり、図中、Pは熱線検知部、10は熱線検知素子である焦電素子、11はFET、12、13、14は何れも片電源のオペアンプである。
【0016】
焦電素子10は、典型的にはいわゆるツイン素子であるが、その他の構成であってよい。焦電素子10の出力信号はFET11によって増幅され、負荷抵抗R1 の両端に出力される。この出力信号には負荷抵抗R1 によってバイアス電圧VB1が付加されている。このバイアス電圧VB1は通常 0.6V〜 1.2V程度である。
【0017】
オペアンプ14、抵抗R15,R16はバイアス電圧発生回路を構成している。このバイアス電圧発生回路で発生されるバイアス電圧VBOは、オペアンプ12及びオペアンプ13の出力電圧範囲の中心電圧に設定される。
【0018】
さて、FET11の出力信号は、コンデンサC11と抵抗R11で構成されるHPFを介して初段増幅器であるオペアンプ12の非反転入力端子に入力される。このコンデンサC11と抵抗R11で構成されるHPFは帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めるものであり、この低域側遮断周波数fCLは時定数R11×C11で決定される。従って、FET11の出力信号の直流分はコンデンサC11によってカットされることになるが、抵抗R11の他端にはバイアス電圧発生回路からのバイアス電圧VBOが印加されているので、初段増幅器を構成するオペアンプ12の非反転入力端子に入力される信号は、このバイアス電圧VBOを中心として増幅されることになる。
【0019】
オペアンプ12の増幅率はR12/R17で決定される。また、抵抗R12とC12は帯域特性の高域側遮断周波数fCHを定めるためのフィルタを構成しており、その高域側遮断周波数fCHは時定数R12×C12で決定される。
【0020】
以上のようであるので、オペアンプ12の初段増幅器ではバイアス電圧VBOを中心としてR12/R17倍に増幅され、その帯域特性はfCL〜fCHに制限されることになる。
【0021】
オペアンプ12の出力信号は、コンデンサC13と抵抗R13で構成されるHPFを介して第2段増幅器を構成するオペアンプ13の非反転入力端子に入力される。このコンデンサC13と抵抗R13で構成されるHPFは帯域特性の低域側遮断周波数を定めるものであり、この低域側遮断周波数は時定数R13×C13で決定されるが、R11×C11=R13×C13となされる。
【0022】
従って、オペアンプ12の出力信号の直流分はコンデンサC13によってカットされることになるが、抵抗R13の他端にはバイアス電圧発生回路からのバイアス電圧VBOが印加されているので、第2段増幅器を構成するオペアンプ13の非反転入力端子に入力される信号は、このバイアス電圧VBOを中心として増幅される。オペアンプ13の増幅率はR14/R18で決定される。また、抵抗R14とC14は帯域特性の高域側遮断周波数を定めるためのフィルタを構成しており、その高域側遮断周波数は時定数R14×C14で決定されるが、R12×C12=R14×C14となされる。
【0023】
以上のようであるので、第2段増幅器ではバイアス電圧VBOを中心としてR14/R18倍に増幅され、その帯域特性はfCL〜fCHに制限されることになる。そして、オペアンプ13の出力信号VOUT はA/D変換されたり、そのままコンパレータに入力されたりして侵入者検知の処理に用いられる。
【0024】
以上のことから、図7に示す増幅回路は、帯域特性の低域側の遮断周波数を定める高域通過フィルタと、この高域通過フィルタの出力信号を増幅すると共に帯域特性の高域側の遮断周波数を定める低域通過フィルタ機能を有する増幅器とからなる回路を組として、その組を2段に直列接続し、且つ各組の高域通過フィルタ及び全ての増幅器に対してバイアス電圧発生回路から所定のバイアス電圧を与えている構成ということができる。
【0025】
従って、帯域特性の低域側の遮断周波数を略 0.3Hz、帯域特性の高域側の遮断周波数を略 2Hzとすることによって、図5に示すような帯域特性を有する増幅回路を構成することができる。
【0026】
図7に示す構成によれば、次のような効果が奏される。
まず、熱線センサの小型化に寄与することができる。即ち、従来においては帯域特性の低域側遮断周波数を定めるコンデンサには容量の大きな電解コンデンサを用いる必要があったので回路規模が大きくなり、ひいては熱線センサが大型化していたのであるが、帯域特性の低域側遮断周波数を従来と同様の 0.3Hz程度とした場合、図7に示す構成では、R11= 100kΩ程度とすると、C11= 3μF程度となり、コンデンサC11の容量を小さくすることができるので、結果として熱線センサの小型化に寄与できるのである。このことは、第2段増幅器の帯域特性の低域側遮断周波数を定めるコンデンサC13についても同じである。
【0027】
また、図7に示す構成においては、コンデンサC11と抵抗R11からなるHPFはオペアンプ12の増幅率には関係しないので、コンデンサC11の容量及び抵抗R11の抵抗値は帯域特性の低域側遮断周波数のみを考慮して定めることができ、それぞれの値を設定する場合の自由度がある。コンデンサC13と抵抗R13からなるHPFについても同様である。
【0028】
更に、図7の回路では従来に比較してウォームアップ時間を短縮することができる。このことについて説明すると次のようである。
【0029】
図7の回路において電源を投入すると、オペアンプ12の反転入力端子及び非反転出力端子、オペアンプ13の反転入力端子及び非反転入力端子にはそれぞれバイアス電圧発生回路からバイアス電圧VBOが印加されるので、オペアンプ12、13は電源投入後即座に動作可能となるが、電源投入直後にはコンデンサC11が充電されていないので信号は伝達されない。つまり、図7の回路構成では電源が投入されてから、コンデンサC11が所定の値に充電されるまでの時間がウォームアップ時間ということになる。
【0030】
ところで、従来においては、上述したように増幅回路中に電解コンデンサが用いられており、電源投入後この電解コンデンサが充電されるまでの時間がウォームアップ時間となるが、電解コンデンサを充電するのには時間が掛かるものであるが、図7の回路では、コンデンサC11の充電電流は、バイアス電圧発生回路から抵抗R11を介してコンデンサC11に流入することになるが、上述したようにコンデンサC11の容量は小さく、しかも抵抗R11の抵抗値は大きくても数 100kΩのオーダーであるからウォームアップ時間は短くて済むものである。
【0031】
【発明が解決しようとする課題】
以上のようであるので、図2に示す構成の中の信号増幅部3として、図7のAで示す一点鎖線で囲んだ増幅回路を用いれば、回路規模が小さく、耐ノイズ性及びS/Nが良好で、しかもウォームアップ時間が短い熱線センサの増幅回路を構成できる可能性があることが分かる。その場合の一構成例を図8に示す。図8は、図7においてAで示す増幅回路を2個の熱線検知部P1 ,P2 を用いた場合に適用したときの構成例を示す図であり、熱線検知部P1 ,P2 は共に図7のPで示す構成を有している。コンデンサC20,C21は共に図7のコンデンサC11に相当するものである。また、図8において、図7に示すものと同じものについては同一の符号を付す。
【0032】
図8に示す構成では、図示しない制御部4によってスイッチ21 ,22 が所定の周期で交互にオン/オフされる。そして、スイッチ21 がオンとなって閉じている場合には、コンデンサC20と抵抗R11とは帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めるHPFを構成し、スイッチ22 がオンとなって閉じている場合には、コンデンサC21と抵抗R11とは帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めるHPFを構成する。従って、通常はC20=C21となされる。その他の動作は図7において説明したと同じである。
【0033】
さて、図8において、いま制御部4からの制御信号によってスイッチ21 が閉じられ、スイッチ22 は開かれているとし、このとき熱線検知部P1 の視野内で人の移動があったとすると、熱線検知部P1 からはある電圧が出力され、増幅回路Aによって増幅され、制御部4に入力されることになるが、この際コンデンサC13にはオペアンプ12の出力電圧に応じた電荷が充電される。
【0034】
この状態から次に制御部4からの制御信号によってスイッチ21 は開かれ、スイッチ22 が閉じられるのであるが、このときにコンデンサC13に充電されていた電荷が完全に放電せず、ある程度の電荷が残っていることがあることが確認された。そして、このようにスイッチ22 が閉じられているときに、スイッチ21 が閉じられていたときの電荷がコンデンサC13に残っている場合には、たとえ熱線検知部P2 の視野内で人の移動がなかったとしても、コンデンサC13に残っている電荷に応じた電圧がオペアンプ13によって増幅され、その出力電圧VOUT が制御部4に設定されている閾値以上となり、アラーム信号が出力されてしまう場合があることが確認された。つまり、この場合には熱線検知部P2 の視野内では人の移動がないのにも拘わらず、人の移動がある、即ち侵入者があると判断されてしまう場合があるのである。
【0035】
このような現象は、スイッチ21 が開かれ、スイッチ22 が閉じられているときに熱線検知部P2 の視野内で人の移動があり、次にスイッチ21 が閉じられ、スイッチ22 が開かれたときに熱線検知部P2 の視野内では人の移動がなかった場合にも同様に生じる。
【0036】
以上のように、図8に示す構成では、コンデンサC13に充電された電荷によって、熱線検知部P1 の出力が熱線検知部P2 の出力に影響を与え、また逆に熱線検知部P2 の出力が熱線検知部P1 の出力に影響を与える場合があるのである。これは、コンデンサC13に充電された電荷によって、各熱線検知部P1 ,P2 の出力が互いに干渉してしまうということができる。
このように各熱線検知部の出力が互いに干渉することが望ましいものではないことは当然である。
【0037】
そこで、本発明は、複数の熱線検知部からの出力を所定の周期でサイクリックに切り換えて、1系統の増幅回路で増幅する熱線センサの増幅回路において、各熱線検知部の出力が互いに干渉することのない熱線センサの増幅回路を提供することを目的とするものである。
【0038】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の熱線センサの増幅回路は、複数の熱線検知部からの出力をサイクリックに切り換えて1系統の増幅回路で増幅する熱線センサの増幅回路であって、該増幅回路は、初段増幅器と、第2段増幅器と、初段増幅器及び第2段増幅器に対して所定のバイアス電圧を与えるバイアス電圧発生回路と、初段増幅器と第2段増幅器との間に設けられ、コンデンサとスイッチの直列回路が熱線検知部の数と同数だけ並列に接続された回路とを備え、直列回路を構成するスイッチは、熱線検知部からの出力がサイクリックに切り換えられるのと同期してサイクリックに切り換えられ、且つ、直列回路を構成するコンデンサは第2段増幅器の帯域特性の低域側遮断周波数を定めるものであって、その容量は全てのコンデンサで同じであることを特徴とする。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ発明の実施の形態について説明する。
図1は本発明に係る熱線センサの増幅回路の一実施形態を示す図であり、2個の熱線検知部P1 ,P2 を用いた場合に適用したときの構成例である。図1において、A′は本発明に係る増幅回路であり、図2の信号増幅部3に相当するものである。また、201 ,202 はスイッチ、C30,C31はコンデンサを示す。なお、図1において図8に示すものと同じものについては同一の符号を付す。オペアンプ13の出力は、図2に示すと同様に制御部4に入力される。
【0040】
図1に示す構成では、図示しない制御部4によってスイッチ21 ,22 が所定の周期で交互にオン/オフされる。そして、スイッチ21 がオンとなって閉じている場合には、コンデンサC20と抵抗R11とは帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めるHPFを構成し、スイッチ22 がオンとなって閉じている場合には、コンデンサC21と抵抗R11とは帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めるHPFを構成する。従って、通常はC20=C21となされる。
【0041】
また、オペアンプ12の出力端子と、オペアンプ13の非反転入力端子との間にはコンデンサとスイッチの直列回路が設けられる。このコンデンサとスイッチの直列回路は、熱線検知部の数だけ並列に設けられる。図1では熱線検知部はP1 ,P2 の2個であるので、コンデンサC30とスイッチ201 の直列回路と、コンデンサC31とスイッチ202 の直列回路の2つの直列回路が並列に設けられている。そして、スイッチ201 ,202 とスイッチ21 ,22 は一対一に対応付けられており、対応付けられたスイッチは制御部4により同期して開閉される。ここでは、スイッチ201 はスイッチ21 と対応付けられて同期して開閉され、スイッチ202 はスイッチ22 と対応付けられて同期して開閉されるものとする。従って、スイッチ201 ,202 はそれぞれスイッチ21 ,22 と同期して所定の周期でサイクリックに開閉される。
【0042】
図1の増幅回路A′と、図7の増幅回路Aとを比較すれば容易に理解できるように、図1のコンデンサC30とコンデンサC31は、図7のコンデンサC13に相当するものである。従って、スイッチ201 が閉じられているときにはコンデンサC30と抵抗R13はHPFを構成し、このHPFの時定数R13×C30によって帯域特性の低域側遮断周波数が定められることになり、同様に、スイッチ202 が閉じられているときにはコンデンサC31と抵抗R13はHPFを構成し、このHPFの時定数R13×C31によって帯域特性の低域側遮断周波数が定められることになるので、通常はC30=C31となされる。
【0043】
動作は次のようである。
制御部4からの制御信号によりスイッチ21 が閉じられるときにはスイッチ201 も同時に閉じられる。このとき、熱線検知部P1 からの出力はコンデンサC20と抵抗R11で構成されるHPFを介して初段増幅器であるオペアンプ12の非反転入力端子に入力される。このコンデンサC20と抵抗R11とで構成されるHPFは図8において説明したように帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めているものである。
【0044】
このように熱線検知部P1 の出力の直流分はコンデンサC20によってカットされることになるが、抵抗R11の他端にはバイアス電圧発生回路からのバイアス電圧VBOが印加されているので、初段増幅器を構成するオペアンプ12の非反転入力端子に入力される信号は、このバイアス電圧VBOを中心として増幅される。
【0045】
オペアンプ12の増幅率はR12/R17で決定される。また、抵抗R12とC12は帯域特性の高域側遮断周波数fCHを定めるためのフィルタを構成しており、その高域側遮断周波数fCHは時定数R12×C12で決定される。
以上のように、オペアンプ12の初段増幅器ではバイアス電圧VBOを中心としてR12/R17倍に増幅され、その帯域特性はfCL〜fCHに制限される。
【0046】
オペアンプ12の出力信号は、コンデンサC30と抵抗R13で構成されるHPFを介して第2段増幅器を構成するオペアンプ13の非反転入力端子に入力される。上述したように、このコンデンサC30と抵抗R13で構成されるHPFは帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めるものであり、この低域側遮断周波数fCLは時定数R13×C30で決定される。そして、R11×C20=R13×C30となされる。
【0047】
このようにオペアンプ12の出力信号の直流分はコンデンサC30によってカットされることになるが、抵抗R13の他端にはバイアス電圧発生回路からのバイアス電圧VBOが印加されているので、第2段増幅器を構成するオペアンプ13の非反転入力端子に入力される信号は、このバイアス電圧VBOを中心として増幅される。オペアンプ13の増幅率はR14/R18で決定される。また、抵抗R14とC14は帯域特性の高域側遮断周波数fCHを定めるためのフィルタを構成しており、その高域側遮断周波数fCHは時定数R14×C14で決定されるが、R12×C12=R14×C14となされる。
【0048】
以上のようであるので、第2段増幅器ではバイアス電圧VBOを中心としてR14/R18倍に増幅され、その帯域特性はfCL〜fCHに制限されることになる。そして、オペアンプ13の出力信号VOUT は制御部4に入力される。
従って、帯域特性の低域側の遮断周波数を略 0.3Hz、帯域特性の高域側の遮断周波数を略 2Hzとすることによって、図5に示すような帯域特性を有する増幅回路を構成することができる。
【0049】
次に、制御部4からの制御信号によりスイッチ22 が閉じられるときにはスイッチ202 も同時に閉じられる。このとき、熱線検知部P2 からの出力はコンデンサC21と抵抗R11で構成されるHPFを介して初段増幅器であるオペアンプ12の非反転入力端子に入力される。このコンデンサC21と抵抗R11とで構成されるHPFは図8において説明したように帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めているものである。
【0050】
このように熱線検知部P2 の出力の直流分はコンデンサC21によってカットされることになるが、抵抗R11の他端にはバイアス電圧発生回路からのバイアス電圧VBOが印加されているので、初段増幅器を構成するオペアンプ12の非反転入力端子に入力される信号は、このバイアス電圧VBOを中心として増幅される。従って、上述したように、オペアンプ12の初段増幅器ではバイアス電圧VBOを中心としてR12/R17倍に増幅され、その帯域特性はfCL〜fCHに制限される。
【0051】
オペアンプ12の出力信号は、コンデンサC31と抵抗R13で構成されるHPFを介して第2段増幅器を構成するオペアンプ13の非反転入力端子に入力される。上述したように、このコンデンサC31と抵抗R13で構成されるHPFは帯域特性の低域側遮断周波数fCLを定めるものであり、この低域側遮断周波数fCLは時定数R13×C31で決定される。そして、R11×C21=R13×C31となされる。
【0052】
このようにオペアンプ12の出力信号の直流分はコンデンサC31によってカットされることになるが、抵抗R13の他端にはバイアス電圧発生回路からのバイアス電圧VBOが印加されているので、第2段増幅器を構成するオペアンプ13の非反転入力端子に入力される信号は、このバイアス電圧VBOを中心として増幅される。従って、第2段増幅器ではバイアス電圧VBOを中心としてR14/R18倍に増幅され、その帯域特性はfCL〜fCHに制限される。そして、オペアンプ13の出力信号VOUT は制御部4に入力される。
【0053】
従って、帯域特性の低域側の遮断周波数を略 0.3Hz、帯域特性の高域側の遮断周波数を略 2Hzとすることによって、図5に示すような帯域特性を有する増幅回路を構成することができる。
【0054】
以上のように、図1に示す構成によれば、熱線検知部P1 からの出力を増幅する場合にはコンデンサC30が用いられ、コンデンサC31は用いられないので、スイッチ21 及びスイッチ201 が閉じているときにコンデンサC31に何等かの電荷が充電されていたとしても、そのコンデンサC31に充電されている電荷が熱線検知部P1 からの出力を増幅する場合に作用を及ぼすことはなく、また逆に、熱線検知部P2 からの出力を増幅する場合にはコンデンサC31が用いられ、コンデンサC30は用いられないので、スイッチ22 及びスイッチ202 が閉じているときにコンデンサC30に何等かの電荷が充電されていたとしても、そのコンデンサC30に充電されている電荷が熱線検知部P2 からの出力を増幅する場合に作用を及ぼすことはないので、図8に示す構成で生じる熱線検知部P1 ,P2 の出力が互いに干渉するという事態を回避することができる。
【0055】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記の説明では熱線検知部を2個用いるものとしたが、熱線検知部を3個以上用いた場合にも同様である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る熱線センサの増幅回路の一実施形態を示す図である。
【図2】 本出願人が先に提案した信号処理回路を3個の熱線検知部を用いた熱線センサに適用した場合の構成例を示す図である。
【図3】 ツイン型の熱線センサ素子を示す図である。
【図4】 図2の信号増幅部3の構成例を示す図である。
【図5】 図4のフィルタ5の周波数特性の例を示す図である。
【図6】 図2のスイッチ21 〜23 の開閉制御の一態様を説明するための図である。
【図7】 本出願人が先に提案した熱線センサの増幅回路の一実施形態を示す図である。
【図8】 図7においてAで示す増幅回路を2個の熱線検知部P1 ,P2 を用いた場合に適用したときの構成例を示す図である。
【符号の説明】
11 ,12 ,13 …熱線検知部
21 ,22 ,23 …スイッチ
3…信号増幅部
4…制御部
5…フィルタ
6、7…増幅回路
10…焦電素子
11…FET
12、13、14…オペアンプ
201 ,202 …スイッチ
Claims (1)
- 複数の熱線検知部からの出力をサイクリックに切り換えて1系統の増幅回路で増幅する熱線センサの増幅回路であって、
該増幅回路は、
初段増幅器と、
第2段増幅器と、
初段増幅器及び第2段増幅器に対して所定のバイアス電圧を与えるバイアス電圧発生回路と、
初段増幅器と第2段増幅器との間に設けられ、コンデンサとスイッチの直列回路が熱線検知部の数と同数だけ並列に接続された回路と
を備え、
直列回路を構成するスイッチは、熱線検知部からの出力がサイクリックに切り換えられるのと同期してサイクリックに切り換えられ、
且つ、
直列回路を構成するコンデンサは第2段増幅器の帯域特性の低域側遮断周波数を定めるものであって、その容量は全てのコンデンサで同じである
ことを特徴とする熱線センサの増幅回路。
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