JP4075909B2 - セメント製造設備からの排ガス中の有機塩素化合物低減方法 - Google Patents
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Description
特に、PCDDsの四塩化物(T4CDDs)であるテトラ・クロロ・ジベンゾ・パラ・ダイオキシン(Tetra chloro dibenzo−p−dioxin)に属して、2,3,7,8の位置に塩素を持った2,3,7,8−T4CDDは猛毒である。
2,3,7,8−テトラクロロ体は、トリクロロフェノール、2,4,5−トリクロロフェノキシ酢酸製造時の副産物として得られ、そしてジベンゾ−P−ジオキシンの塩素化により得られる。融点は306〜307℃である。
特許文献1は、セメント製造設備の排ガスを集塵機に供給し、有機塩素化合物を含む集塵ダストを捕集し、この捕集された集塵ダストの少なくとも一部を、セメント製造設備の通常運転時に800℃以上となるセメント製造設備内の高温部に投入する方法である。ダイオキシン類は800℃前後で熱分解されるため、この方法により、ダイオキシン類を効率的に分解して無害化することができる。
しかしながら、集塵機から排出され、煙道から大気開放される脱塵ガス中にも、気化した有機塩素化合物が若干量含まれている。この対策として、特許文献1では、脱塵ガス中のダイオキシン濃度を低下させる方法が記載されている。これは、セメント製造設備のうち、通常運転時の温度が30〜400℃の地点(低温部)から排ガスを引き出し、これを集塵機に供給するという方法である。すなわち、低温部から導出された排ガスは、セメント製造設備の高温部からの排ガスに比べて、有機塩素化合物が濃縮(低温濃縮)されている。その結果、このように高濃度化した有機塩素化合物を含む集塵ダストを集塵処理により除去すれば、脱塵ガス中のダイオキシン類の濃度は低下する。
従来法(特許文献1)では、集塵ダストを通常運転時に800℃以上となるセメント製造設備内の高温部に投入していた。そのため、得られたセメントに異物(集塵ダスト)が混入してセメントの品質が低下し、しかも焼成工程では、集塵ダストの投入量に応じたセメント原料に対する複雑な温度コントロールを行う必要性があった。これに比べて、この発明では、原料工程の前で集塵ダストをセメント原料に混合するので、このようなセメント製造工程でのセメントの品質低下および焼成時のセメント原料の温度コントロールといった悪影響を少なくすることができる。
セメントの焼成温度、例えばロータリーキルン内の温度は、通常、有機塩素化合物の熱分解温度の700℃を上回る1100〜1450℃である。よって、有機塩素化合物は、ロータリーキルンが1〜3rpmで回転しながら、セメントクリンカが焼成される際に、熱分解されて無害化される。
このときのロータリーキルンの焼成時間(原料滞留時間=有機塩素化合物の熱分解時間)は、30分〜1時間である。有機塩素化合物は例えば900℃のとき、2秒間加熱すれば熱分解される。
セメント原料の予加熱温度は100〜600℃である。100℃未満では、セメント原料および集塵ダストからの有機塩素化合物の分離が不十分となる。また、600℃を超えると、加熱エネルギが余分に必要となる。
集塵機としては、例えばセメント製造の原料工程で発生した排ガスを捕集する集塵機を採用することができる。集塵ダスト中には、有機塩素化合物を含む場合がある。
好ましい予加熱温度は、200〜500℃である。この範囲であれば、物質(例えばPCB)の性状により、セメント原料および集塵ダストからの有機塩素化合物の十分な分離が可能で、エネルギ的にもロスが小さい。
ここでいう通常のセメント製造工程での処理とは、例えばセメント製造設備がプレヒータおよびロータリーキルンを有する場合には、原料ミルにより粉砕されたセメント原料を貯蔵サイロにいったん貯蔵し、次に貯蔵サイロ内のセメント原料をプレヒータにより石灰石が脱炭酸されるまで加熱(予熱)し、加熱されたセメント原料をロータリーキルン内で加熱してセメントクリンカを焼成し、その後、セメントクリンカをクリンカクーラに投入して冷却するなどのセメント製造に伴う一連の処理をいう。
また、熱処理ガスをセメント原料の焼成用の空気として、ロータリーキルンの窯尻部、ロータリーキルンの窯前部、クリンカクーラの高温部に供給した場合には、クリンカ焼成時の焼成熱などにより、有機塩素化合物を熱分解することができる。
クリンカクーラの高温部としては、例えばロータリーキルンからセメントクリンカが投入されるクリンカクーラの上流部などが挙げられる。
原料供給管102の途中には、弁103が設けられている。この弁103より原料供給管102の下流部には、ダスト配送管104を介して、集塵機(電気集塵機)B1により捕集された集塵ダストが導入される。しかも、プレヒータ16により加熱された原料(以下、加熱原料)に含まれる有機塩素化合物を低減させるため、加熱原料配送管105を介して、プレヒータ16の下段部付近から導出された加熱原料の一部が導入される。
予加熱器100の熱源としては、プレヒータ16の上部から排ガスダクト21を通して原料ドライヤ12および原料ミル13に供給される排ガス(300℃程度)と、クリンカクーラ19の排ガス(300℃以上)と、クリンカクーラ19から煙道136に排出された排ガス(200〜300℃程度)とが採用されている。
熱発生装置101の内部で発生した加熱空気(400℃)は、補助熱配送管122を通して、第1の熱媒管108の下流部に導入され、その後、予加熱器100内に供給される。また、補助熱配送管122の途中には、弁123を有し、かつ熱発生装置101からの加熱空気をジャケット106に供給する補助熱分岐管124が連結されている。ジャケット106を利用して予加熱器100内のセメント原料などを予加熱するときで、かつ熱量不足の場合には、弁123を開いて、補助熱分岐管124を通して熱発生装置101からの加熱空気をジャケット106に供給する。
ガス配送管23の三股部分のうち、第1の枝管23aには第1の弁126が設けられ、また第2の枝管23bには第2の弁127が設けられ、さらに第3の枝管23cには第3の弁128が設けられている。第1〜第3の弁126〜128を開閉操作することで、予加熱器100からの熱処理ガスを、プレヒータ16の下段部、ロータリーキルン18の窯尻部およびロータリーキルン18の窯前部のうち、少なくとも1つに供給することができる。
ロータリーキルン18には、100t/hでセメントクリンカを生産するものが採用されている。ロータリーキルン18内では、重油や微粉石炭を燃料とする燃焼バーナ17からの炎の熱で、集塵ダストを含むセメント原料が焼成される。
図1に示すように、原料貯蔵庫11内の有機塩素化合物を含む各セメント原料は、原料供給管102を通して予加熱器100の内部に供給される。このとき、原料供給管102には、ダスト配送管104を介して、集塵機B1からの集塵ダストが導入されるとともに、加熱原料配送管105を介して、プレヒータ16の最下段部付近から抜き出された加熱原料の一部が導入される。加熱原料は800℃程度の高温であるので、被予加熱物であるとともに、これを予加熱器100の熱源として利用することができる。また、原料貯蔵庫11内の有機塩素化合物を含まない原料は、原料ドライヤ12に投入されて乾燥される。その後、乾燥原料は原料ミル13に投入される。
しかも、集塵機を通過した脱塵ガスにも若干ではあるがダイオキシン類、PCBおよび臭気が含まれている。これらの有機性汚泥を含む脱塵ガスが、煙道を通して煙突から大気開放されるおそれもあった。
しかも、予加熱時に発生した有機塩素化合物を含む熱処理ガスは、ガス配送管23を通して、セメント製造設備10の内部の通常運転時に800℃以上となるプレヒータ16の下段部と、ロータリーキルン18の窯尻部と、その窯前部とにそれぞれ供給される。例えば、集塵ダストをロータリーキルン18の窯尻部に投入する場合には、ロータリーキルン18の内部で、ダイオキシンの熱分解温度を上回る1100〜1450℃でのバーナ加熱が行われている。しかも、例えば1〜3rpmの回転速度でキルンシェルが周方向へ低速回転している。そのため、投入された有機塩素化合物(ダイオキシン類の前駆体など)を含む熱処理ガスは、ロータリーキルン18の内部で30分以上加熱される。これにより、セメントクリンカが焼成されると同時に、熱処理ガスに含まれる有機塩素化合物の全てが、熱分解されて無害化される。
さらに、ガス配送管23を通して、プレヒータ16の最下段のサイクロン15に投入された有機塩素化合物を含む熱処理ガスは、セメント原料を石灰石が脱炭酸されるまで加熱する空気として使用する。このときのセメント原料の加熱により、有機塩素化合物を完全に熱分解することができる。その後、原料ミル13内で粉砕されたセメント原料は、粉砕原料輸送設備121を通って貯蔵サイロ14に投入され、ここでいったん貯蔵される。
次に、クリンカサイロ20から導出されたセメントクリンカは、所定量の石膏が加えられ、図示しない仕上げミルに供給される。ここで、セメントクリンカが多数の金属ボールを使用して粉砕され、セメントとなる。得られたセメントは、同じく図示しないセメントサイロによりいったん貯蔵して出荷を待つ。
すなわち、特許文献1のような従来法では、集塵ダストを通常運転時に800℃以上となるセメント製造設備内の高温部に投入していた。そのため、得られたセメントに異物(集塵ダスト)が混入してセメントの品質が低下し、しかも焼成工程では、集塵ダストの投入量に応じたセメント原料に対する複雑な温度コントロールを行う必要性があった。これに比べて、実施例1では、原料工程の前で集塵ダストをセメント原料に混合するので、このようなセメント製造工程でのセメントの品質低下および焼成時のセメント原料の温度コントロールといった悪影響を少なくすることができる。
従来法では、燃焼などで発生する微量のPCBが、集塵機B1内で集塵ダストに付着した状態で捕集され、その集塵ダストをセメント原料として再利用することから、セメント製造設備10の系内でPCBの循環が発生していた。そのため、この系内におけるPCB濃度が上昇し、これが集塵機B1から排出され、煙道を通って煙突から大気開放される脱塵ガス中のPCB濃度の上昇を招いていた。
このPCBの系内循環を、集塵ダストを含むセメント原料を予加熱器100により予加熱してPCBを気化させることで断つことができた。しかも、予加熱時に発生したPCBを含む熱処理ガスは、燃焼バーナ17の燃焼用空気に用いることで熱分解するようにした。その結果、セメント製造設備10から大気開放される排ガスのPCB濃度を低減させることができた。
すなわち、排ガスに含まれる有機塩素化合物のうち、実施例1のセメント製造設備10と同型の従来のセメント製造設備を使用した場合に比べて、THC(全有機ガス)が72%、ダイオキシン類が85%、PCBsが96%、ベンゼンが76%とそれぞれ減少した。
13 原料ミル、
16 プレヒータ、
18 ロータリーキルン、
100 予加熱器、
B1 集塵機。
Claims (2)
- 有機塩素化合物を含むセメント原料および有機塩素化合物を含みかつセメント製造設備内で集塵機により捕集された集塵ダストを、予加熱器内で100〜600℃で予加熱することにより、前記有機塩素化合物をセメント原料および集塵ダストから分離するか、前記有機塩素化合物を分解する予加熱工程と、
予加熱されたセメント原料を原料ミルに投入して粉砕する原料粉砕工程と、
前記予加熱時に予加熱器内で発生した前記有機塩素化合物を含む熱処理ガスを、前記セメント製造設備の通常運転時に800℃以上となる前記セメント製造設備内の高温部に投入し、前記熱処理ガス中の有機塩素化合物を熱分解するガス熱分解工程とを備えたセメント製造設備からの排ガス中の有機塩素化合物低減方法であって、
前記セメント製造設備内の高温部は、プレヒータの下段部、仮焼炉、ロータリーキルンの窯尻部、ロータリーキルンの窯前部、クリンカクーラの高温部のうち、少なくとも1つであることを特徴とするセメント製造設備からの排ガス中の有機塩素化合物低減方法。 - 前記予加熱器の熱源はセメント原料からセメントクリンカを焼成する際に発生した排ガス、クリンカクーラの排ガス、クリンカクーラから煙道に排出された排ガスのいずれか1つ以上から供給されることを特徴とする、請求項1に記載のセメント製造設備からの排ガス中の有機塩素化合物低減方法。
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