JP4064630B2 - スキューの影響を受けない低電圧差動受信器 - Google Patents

スキューの影響を受けない低電圧差動受信器 Download PDF

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Description

【0001】
「発明の背景」
技術分野
本発明は、データ通信システムに関する。より詳しくは、高速リンクを介して伝送されるディジタルデータの受信システムにおけるLVDSデータ回復に関する。
関連技術の説明
高速低電圧差動振動(LVDS)インターフェースは、ディスプレイインターフェース、特に、フラットパネルディスプレイに広く使用されるようになってきた。LVDSインターフェースを使用することにより、コンピュータシステムの電磁障害(EMI)のレベルを十分に低減することができ、これにより、コンピュータシステムは、商用のEMI規制値をパスすることができる。しかしながら、現在市販されているLVDSチップセットは、帯域幅が十分ではない。例えば、455Mbps(65MHz×7)である、XGA解像度をサポートするだけの帯域幅を有していない。
【従来の技術】
【特許文献1】
米国特許第 5,905,769 号明細書
【特許文献2】
米国特許第 5,974,464 号明細書
【特許文献3】
米国特許第 5,987,619 号明細書
【特許文献4】
米国特許第 6,166,572 号明細書
【0002】
要求される帯域幅についての主な制限は、タイミングスキューが原因となっている。スキューは、主として、ケーブル長とボードライン長のミスマッチが原因となって生じる。ケーブル長と要求される帯域幅が増加するに従いさらに状況は悪化する。スキューを適切に修正するか管理しなければ、要求された帯域幅を実現することはできない。従って、データとクロックチャンネル間のタイミングスキューを除去可能なLVDSインターフェース用のスキュー管理手段が必要とされており、これによって、システムの最大帯域幅を増加させて、LVDSチップセット間の互換性を向上させることができる。
「発明の概要」
本発明によれば、LVDSシステムの帯域幅を広げるためのLVDSシステム用スキュー管理手段が開示される。
【0003】
システム内のデータ信号とクロック信号間のスキューを修正するための装置を開示する。この装置では、データ及びクロック信号を低電圧差動振動を使用して伝送する。1実施態様では、装置は、LVDSクロック信号を全振動(フルスイング:full-swing)クロック信号に変換するための遅延ロックループ、複数のデータ回復チャンネル(各チャンネルは、データ信号に結合されており、LVDSコンバータを構成する)、スキュー調整回路、サンプラーアレイ、及び、位相調整回路から構成される。遅延ロックループ回路とデータチャンネル回路は、協働して、複数のクロック信号を生成し、複数のインターバルでデータをサンプリングし、サンプルを使用してスキューを除去し、及び、データ信号から適正なデータサンプルを取得することによって、LVDS信号からスキューを除去する。
【0004】
他の実施態様では、サンプラーアレイは、シリアルデータビットの2つの隣接ビット間の遷移をサンプリングし、サンプリングした遷移に応答して、ロック(lock)信号とサンプリングされたデータ信号を生成するための複数の遷移サンプリング(transition sampling)回路と、シリアルデータビットの各ビットの中央ポイントをサンプリングし、このサンプリングに応答して中央サンプル信号を生成するための複数の中央サンプリング回路と、中央サンプル信号、ロック信号、及びサンプラーアレイから受信した遷移データ信号に応答して、スキュー制御信号を生成するための位相調整回路とから構成される。
【0005】
「好適な実施態様の説明」
図1は、スキューの影響を受けない低電圧差動振動(LVDS)受信器100のブロック図である。受信器100は、クロック発生遅延ロックループ(DLL)104、スレッシュホールドバイアス回路148、及び4つの等価なデータ回復チャンネル126から構成される。DLL104は、ケーブルからN MHzのLVDSクロック信号(RXC 127、RXCB 129)を受信して、2つの組の7位相N MHzクロック(TCK(0:6) 154, XCK(0:6) 158)を生成する。
【0006】
各データ回復チャンネル126は、ケーブル132から7×M MbpsのLVDSシリアルデータを受信し、クロック128とデータ132間のスキューを除去して、N MHzクロックによって同期化される7ビットのパラレルデータを回復する。スキューを除去し、データ回復を達成するために、各データ回復チャンネル126は、DLL 104によって生成されるTCK(0:6) 154と、XCK(1:6) 158を使用する。2つの隣接する位相クロック信号(TCK(n)とTCK(n+1)、XCK(n)とXCK(n+1))間の位相間隔は、1ビットの時間間隔、または1データサイクルに等しい。XCK(n)とTCK(n+1)との位相間隔は、1ビットの時間間隔の1/2、または1/2データサイクルに等しい。より詳細に後述するスキュー除去動作に従って、遷移クロック信号XCK(1:6) 158は、2つの隣接するシリアルビット間の遷移位置を連続してサンプリングし、中央クロック信号TCK(0:6) 154は、各シリアルビットの正確な中央位置をサンプリングする。7ビットの回復データ108は、TCK(0:6) 154の立ち上がりエッジを使用して、各シリアルビットの正確な中央位置をサンプリングすることによって得られる。
【0007】
図2からわかるように、当初のクロック信号128は、当初のデータ信号132に対してスキューがある。修正しない場合は、クロック信号128は、各シリアルビットの中央位置以外のポイントでデータ132をサンプリングすることになる。これによりエラーが生じ、最大帯域幅が減少することになる。しかしながら、本発明によれば、クロック128とデータ132とのスキューが、最大帯域幅を維持できるように修正される。複数の組のクロック回復信号TCK 154及びXCK 158が、ビットの遷移及び中央位置でビットストリームをサンプリングする。遷移のサンプルがスキュー情報を提供する。中央位置のサンプルが出力データ108を提供する。
【0008】
図3は、DLL104の詳細なブロックである。DLL104の機能は、複数のクロック回復信号154、158を生成して、全ての生成したクロック回復信号154、158が同期した後に、ロック信号150を生成することである。DLL104は、差動−CMOSコンバータ336、レプリカ(replica)スキュー回路332、レプリカスキューバイアス回路340、遅延回路304、複数のバッファ308、位相検出器316、チャージポンプ324、ループフィルタ328、及びロック検出器320から構成される。差動−CMOSコンバータ336は、ケーブルから(差動振幅を有する)LVDSクロック信号127、129を受信して、それを、(CMOSデバイスの動作とコンパチの)全振動クロック信号に変換する。変換された全振動クロック信号は、レプリカスキュー回路332に送信され、そこで、後述する各データチャンネル126の初期状態におけるスキュー調整回路404と正確に同じ遅延を生成する。レプリカスキューバイアス回路340は、レプリカスキュー回路332の遅延を決定する0.5Vddを連続的に生成する。レプリカスキュー回路は、実際のスキューが修正されるタイミングを提供する基準遅延を生成する。レプリカスキュー回路332の出力である遅延された全振動クロック信号305は、遅延回路304の入力に送られる。
【0009】
遅延回路304は、複数の遅延デバイス310からなる。より具体的には、遅延回路304は、14個の遅延デバイス310からなる。各遅延デバイス310は、遅延セル312とクロックバッファ308からなることが好ましい。しかしながら、信号を遅延させる他の方法を使用することも可能である。XCK(0)は、遅延された全振動クロック信号305を、クロックバッファ308を介して遅延回路304に送ることによって生成される。14番目の遅延セル312の出力は、13番目の遅延セル312の出力をクロックバッファ308を介して送ることによりXCK(7) 218を生成する。
【0010】
位相検出器316は、XCK(0) 204とXCK(7) 218の立ち上がりエッジを比較する。XCK(7) 218の立ち上がりエッジが、XCK(0) 204の立ち上がりエッジに対して遅れている場合は、位相検出器316はUP信号317を生成する。XCK(7) 218の立ち上がりエッジが、XCK(0) 204の立ち上がりエッジに対して進んでいる場合は、位相検出器316は、DOWN信号318を生成する。
【0011】
UP信号317の受信に応答して、チャージポンプ回路324は、ループフィルタ328に電流を送って、遅延回路304の制御電圧を増加させ、こうして、遅延回路304によって生成される全体の遅延を減少させる。チャージポンプ回路324がDOWN信号318を受信した場合は、チャージポンプ回路324は、ループフィルタ328からの電流量を減少させて、制御電圧を低下させ、これによって、遅延回路304によって生成される遅延量を増やす。従って、ループフィルタ328が、フィードバックループ全体を安定化させ、XCK(0) 204とXCK(7) 218の立ち上がりエッジが整列し、図2に示すように、等しく隔置された14−位相クロックが得られる。
【0012】
ロック検出器320は、XCK(0) 204とXCK(7) 218とのロック状態を検出して、それに応じてDLL_LOCKB信号322を生成する。1実施態様では、XCK(0) 204とXCK(7) 218の立ち上がりエッジが整列していない場合は、DLL_LOCKB信号322は「1」またはハイ(高)である。XCK(0) 204とXCK(7) 218の立ち上がりエッジが整列すると、DLL_LOCKB信号322は「0」またはロー(低)になる。
【0013】
図4は、データ回復チャンネル126の詳細なブロック図である。データ回復チャンネル126は、差動−CMOSコンバータ402、スキュー調整回路404、サンプラーアレイ424、位相調整回路418、及び、初期スキューバイアス回路412から構成される。差動−CMOSコンバータ402は、LVDSシリアルデータを全振動データに変換する。変換された全振動データは、スキュー調整回路404に送信される。通常は、スキュー調整回路は、DLLからのTCKとXCKを使用してスキューを修正する。しかしながら、初期状態では、DLLは、ロック状態に達するまでいくらかの時間を要し、それまでは、TCKとXCKは不安定である。DLL回路104がロック状態に達する前(すなわち、DLL_LOCKBが「1」の間)に、スキュー調整回路404によって生成される遅延量は、初期スキューバイアス回路412によって制御される。初期状態では、初期スキューバイアス回路412が起動されて、スキュー制御電圧458を、DLL回路104のレプリカスキューバイアス電圧と同じ0.5×Vddにする。結局、初期状態では、データ回復チャンネル126のスキュー調整回路404によって生成される遅延は、DLL 104のレプリカスキュー回路332によて生成される遅延と同じになる。従って、RX0 131、RX0B 133からData In 202までの遅延は、RXC 127、RXCB 129からXCK(0) 204までの遅延と同じである。こうして、RX0 131、RX0B 133及びRXC 127、RXCB 129間のケーブルスキューが、初期状態のDataIn 202とXCK(0) 204との間のタイミングスキューとして再現(複製)される。DLL 104が、ロック状態(DLL_LOCKBが「0」)になると、初期スキューバイアス回路412が使用禁止になり、位相調整回路418が起動して、クロックパスとデータパス間のスキューを除去する。この起動状態では、スキュー調整回路404は、各データ回復チャンネル126の位相調整回路418によって制御され、データパスとクロックパスとの間のスキューを除去する。
【0014】
サンプラーアレイ424は、図7により詳しく示すように、好ましくは、7個のTサンプラー(TS(0:6))回路728、730、732、734、736、738、740、及び、6個のXサンプラー(XS(0:6))回路729、731、733、735、737、739から構成される。中央サンプリング回路、例えば、Tサンプラー728は、中央クロック信号154の立ち上がりエッジで各シリアルビットの中央位置をサンプリングし、最後の回復データとなるサンプルデータTout(n) 750を生成する。遷移サンプリング回路、例えば、Xサンプラー729は、XCK(n)と遷移クロック信号158の立ち上がりエッジで隣接する2つのシリアルビット間の遷移位置をサンプリングし、サンプリングされたデータXout(n)と位相非調整信号(no-phase-adjust signal)、LOCK(n)を生成する。Xサンプラー回路729が、正確な遷移位置をサンプリングした場合は、LOCK(n) 754は「1」になり、Xout(n) 752は無効である。遷移クロック信号158が、正確な遷移位置ではない位置をサンプリングした場合は、LOCK(n) 754は「0」になり、Xout(n) 752は有効であって、位相調整回路418によって使用される。
【0015】
図5は、Tサンプラー回路とXサンプラー回路の詳細な回路図である。図5aに、Tサンプラー回路728、730、736、738、740をより詳しく示す。Tサンプラー(n)回路は、単相クロッキングセンス増幅器(SPCSA)512と、2つの2ステートD−フリップフロップ回路(DFF)514から構成される。図5cに、SPCSA 512の1態様を示す。クロック信号528がロー(低)のときは、トランジスタMP0とMP1がオンになり、トランジスタMN0、MN1、MP0及びMP1からなる差動段に対する抵抗性負荷として作用する。トランジスタMN2とMN3はオフになって、差動段を、トランジスタMP3とMP4からなる正のフィードバック回路から電気的に分離する。トランジスタMP2はオンになって、OUT信号とOUTB信号を等しくし、信号増幅の準備をする。差動データ(DOUT、DOUTB)は、DataIn 202とスレッシュホールド電圧(この場合、ThM 166)との差に従って、差動段に生じる。クロック信号528がHIGH(ハイ)のときは、MP0、MP1及びMP3はオフである。MN2とMN3がオンであり、MP3及びMP4からなる正のフィードバック回路が、差動信号(DOUT、DOUTB)を増幅し、全振動サンプルデータ(TOUT)536を生成する。Tサンプラー(n)によって使用される中間のスレッシュホールド(閾値)電圧ThM 166は、0.5Vddであり、これは、全振動信号に対する理想的な論理スレッシュホールドである。
【0016】
遷移をサンプリングするためのXサンプラー(n+1)回路は、好ましくは、2つのSPCSA 512、4つのDFF 514及び組み合わせ論理回路から構成される。第1のSPCSA 512は、0.33Vddである低スレッシュホールド(閾値)電圧(ThL)170を使用する。第1のSPCSA 512とフリップフロップ514の出力はスキュー検出信号であるQLである。他のSPCSA回路513は、0.66Vddである高スレッシュホールド(閾値)電圧(ThH)162を使用し、フリップフロップ514を介して、他のスキュー検出信号である出力QHを生成する。XCK(n+1)信号532が、隣接する2つのシリアルビットの遷移位置近くで生じる(すなわち、データとクロックが整列している)場合は、第1のSPCSA 572の出力QLは「1」であり、第2のSPCSA 572の出力QHは「0」である。LOCK(n+1)信号544は「1」である。XCK(n+1)信号がシリアルビットの中央位置に近い(すなわち、データとクロックが整列していない)場合は、QL/QH出力は、1/1または0/1であり、LOCK信号544は「0」である。スレッシュホールド電圧ThL、ThH、及びThMは、スレッシュホールドバイアス回路148によって生成される。
【0017】
図6に、TサンプラーとXサンプラーの動作をより詳しく示す。図6aに、データ信号とクロック信号204が正確に整列している状態を示す。この状態では、QHは「0」で、QLは「1」である。なぜなら、サンプリングされたDataIn 202の電圧レベルは、0.66Vdd(ThH閾値)より低く、0.33Vdd(ThL閾値)より高いからである。結果として、LOCK(n+1)信号の「1」への遷移とXOUT (n+1)は無効となる。TOUT(n)とTOUT(n+1)は、各シリアルビットの中央位置をサンプリングし、回復されたデータとなる。図6bに、データ信号202がクロック信号204より進んでいる状態を示す。この状態では、QH/QL出力は0/0または1/1である。なぜなら、サンプリングされたデータの電圧レベルは、閾値ThH 170及びThL 162のレベルのいずれよりも低い(または高い)からである。結果として、LOCK(n+1)は「0」になり、XOUT(n+1)は有効になる。TOUT(n)、XOUT (n+1)、及び、TOUT(n+1)は100または011のいずれかであり、これにより、位相調整回路418がDOWN位相推奨信号をアサートすることになる。図6cに、データ信号202がクロック信号204より遅れている状態を示す。この状態では、QH/QL出力は1/1または0/0である。なぜなら、サンプリングされたデータの電圧レベルは、閾値ThH及びThLのいずれのレベルよりも高い(または低い)からである。結果として、LOCK(n+1)信号は「0」になり、XOUT(n+1)は有効になる。TOUT(n)、XOUT(n+1)、及びTOUT(n+1)は、110か001のいずれかであり、これによって、位相調整回路418は、UP位相推奨信号をアサートする。
【0018】
図7は、位相調整回路418の詳細なブロック図である。この実施態様では、位相調整回路418は、位相検出論理回路720、チャージポンプ716、及びループフィルタ712から構成される。位相検出論理回路720は、DLL_LOCKB 322が「0」になると起動される。位相検出論理回路720は、Tout(0:6) 750、Xout(1:6) 752及びLOCK(1:6) 754を受信し、次に、それらの信号から、データパスとクロックパス間のスキューの状態を判定する。データがクロックより進んでいるときは、位相検出回路720は、UP位相推奨信号710を「0」に、DOWN位相推奨信号711を「1」に設定する。データがクロックよりも遅れているときは、位相検出回路720は、UP位相推奨信号710を「1」に、DOWN位相推奨信号711を「0」に設定する。データ信号とクロック信号のスキューが完全に除去されているとき、すなわち、データとクロックが完全に整列しているときは、位相検出論理回路720は、UP位相推奨信号710を「0」に、DOWN位相推奨信号711を「0」に設定する。
【0019】
チャージポンプ716は、UP位相推奨信号710が「1」のときは、ループフィルタ712を放電させて、スキュー制御電圧458を低下させ、スキュー調整回路404の遅延を少なくする。チャージポンプ716は、DOWN位相推奨信号711が「1」のときは、ループフィルタ712を充電して、スキュー制御電圧458を増加させ、スキュー調整回路404の遅延を増やす。こうして、DataIn 202とXCK(0) 204のタイミングスキューとして再現される、RX0 131、RX0B 133及びRXC 127、RXCB 129のスキューが除去される。結果として、TCK(0:6) 154は、各シリアルビットの正確な中央位置を連続的にサンプリングし、Tout(0:6) 450は、回復されたデータになる。Tout(0:6)データ信号 450は、TCK(0:6)クロック信号154によってそれぞれ同期化される。並列フリップフロップ514段を通過した後、Tout(0:6) 450は最後の回復されたデータであるQ(0:6) 108になるが、これは、TCK(2) 209によって同期化される。
【0020】
図8aに、位相検出論理回路720を詳細に示す。位相検出論理回路720は、好ましくは、6個の位相検出セル(PDセル(0:6))840、844、848、852、856、860、及び、図8cに示すように、位相推奨UP/DOWNパルスを生成するための段から構成される。図8bに示すように、PDセル(n) 864は、TOUT(n) 536、Xout(n+1) 540、LOCK(n+1) 544、及びTOUT(n+1) 604信号を受信し、それに応じて、位相調整信号UP(n) 876及び位相調整信号DOWN(n) 880信号を生成する。上述したように、データ202信号とクロック204信号が正確に整列しているときは、LOCK(n+1)信号544は1であり、これにより、UP(n)信号及びDOWN(n)信号801、803が、それぞれ0/0になる。データ202がクロック204より進んでいるときは、LOCK(n+1) 544は「0」で、TOUT(n) 536、Xout(n+1) 540、TOUT(n+1) 604信号はそれぞれ100か011であり、これによって、UP(n)及びDOWN(n)信号801、803はそれぞれ0/1になる。データ202がクロック204より遅れている場合は、LOCK(n+1) 544は「0」で、TOUT(n) 536、Xout(n+1) 540、TOUT(n+1) 604はそれぞれ110か001であり、これによって、UP(n)及びDOWN(n)信号801、803はそれぞれ1/0になる。
【0021】
UPF884信号は、UP(0:5)、すなわち、824、826、828、830、832信号の論理和をとることにより、DOWNF888信号は、DOWN(0:5)、すなわち、825、827、829、831、833信号の論理和をとることによりそれぞれ得られる。パルス発生器892は、クロック204の立ち下がりエッジ毎に連続してパルスを生成する。DLL_LOCKB 322が「1」(初期状態)のときは、UP 877とDOWN 878のいずれのパルスも「0」に設定され、これによって、データ回復チャンネル126の位相調整回路418が使用不可になる。DLL_LOCKB 322が「0」(起動状態)のときは、パルス発生器892が起動されて、データ回復チャンネル126のパルス調整回路418が起動される。UPF信号884もDOWNF信号888もアサートされていないときは、同じパルス幅を有するUP/DOWNパルス877、878がアサートされる。UPF信号884がアサートされ、DOWNF信号888がアサートされないときは、UPパルス877の幅は、DOWNパルス878の幅よりも大きくなる。
【0022】
図9に、各データ回復チャンネル126のスキュー調整回路404を示す。DLL_LOCKB 322が「0」(初期状態)のときは、上述したように、位相検出論理回路720はオフになり、UP/DOWNパルス877、878のいずれも「0」に設定される。結果として、チャージポンプ716はトライステートになり、初期スキューバイアス回路412が起動され、スキュー制御電圧458が0.5Vddに設定される。こうして、RX0 131、RX0B 133からDataIn 202までの初期遅延が、RXC 127、RXCB 129からXCK(0) 204までの遅延と同じにされる。RX0 131、RX0B 133及びRX 127、RXCB 129に、ケーブルまたはボードライン長のミスマッチによって起こるタイミングスキューが存在する場合は、初期状態のDataIn 202とXCK(0) 204との間にこれと同じタイミングスキューが再現される。DLL 104がロック状態(DLL_LOCKBが1。これは起動(アクティブ)状態)を取得すると、初期スキューバイアス回路412はオフになって、トライステートに移行する。位相調整回路418が起動され、UP/DOWNパルス877、878が、DataIn 202とXCK(0) 204間の初期タイミングスキューに依存して生成される。位相調整回路418は、スキュー調整回路404の遅延を調整し、クロックとデータチャンネル間の初期タイミングスキューを除去して、TCK(0:6) 154が、各シリアルビット202(DataIn)の正確な中央位置を正しくサンプリングするようにする。
【0023】
好適な実施態様を参照して本発明を説明したが、それらの実施態様に限定することを意図したものではない。当業者には、本発明の思想及び範囲から逸脱することなく、例示した実施態様の構造及び形式に多くの修正を加えることが可能なことは明らかであり、本発明は、請求の範囲においてのみ限定される。例えば、本発明を使用して、高速データ信号とそれに関連するクロック信号との間のスキューを修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 スキューの影響を受けない低電圧差動振動(LVDS)受信器のブロック図である。
【図2】 受信器のスキュー除去動作を示すタイミング図である。
【図3】 遅延ロックループのより詳細なブロック図である。
【図4】 データチャンネルのブロック図である。
【図5】 a〜cは、TサンプラーとXサンプラー回路のより詳細なブロック図である。
【図6】 a〜cは、位相調整回路の機能を示すタイミング図である。
【図7】 位相調整回路のより詳細なブロック図である。
【図8】 a〜dは、位相調整回路のコンポーネントのより詳細なブロック図である。
【図9】 スキュー調整回路のより詳細なブロック図である。

Claims (27)

  1. 高速差動振動データ信号と関連するクロック信号とのスキューを修正するための装置において、
    クロック信号に結合されて、クロック信号を全振動クロック信号に変換し、前記全振動クロック信号から複数のクロック回復信号を生成するための遅延ロックループと、
    各データ回復チャンネルが、データ信号と前記複数のクロック回復信号に結合される、データ回復チャンネルであって、
    差動データ信号を全振動データ信号に変換するためのコンバータと、
    前記全振動データ信号のスキューを調整するためのスキュー調整回路と、
    前記遅延ロックループ回路と前記スキュー調整回路に結合され、複数のクロック信号に応答して、前記全振動データ信号をオーバーサンプリングし、サンプリングされたデータ信号及びロック信号を生成するためのサンプラーアレイと、
    前記サンプラーアレイから受信した前記オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号に応答して、スキュー制御信号を生成し、前記スキュー調整回路に伝送するための、前記データ回復チャンネルと前記スキュー調整回路に結合された位相調整回路
    からなる、データ回復チャンネル
    とからなる装置。
  2. 前記サンプラーアレイが、さらに、
    2つの隣接するシリアルデータビット間の遷移をサンプリングし、このサンプリングした遷移に応答して、ロック信号及びサンプリングされた遷移データ信号を生成するための複数の遷移サンプリング回路と、
    各シリアルデータビットの中央位置をサンプリングし、このサンプルに応答して中央サンプル信号を生成するための複数の中央サンプリング回路と、
    サンプラーアレイから受信した前記中央サンプル信号と、ロック信号と、及びサンプリングされた遷移データ信号とに応答して、前記スキュー制御信号を生成するための位相調整回路
    から構成される、請求項1の装置。
  3. 高閾値信号と、低閾値信号と、及び全振動データ信号の理想的な論理閾値に等しい電圧を有する中間閾値信号とを生成するためのスレッシュホールドバイアス回路と、
    各シリアルデータビットの前記サンプリングされた中央ポイントの電圧を前記中間閾値と比較して、現在のスキュー信号と次のスキュー信号を生成するための中央サンプリング回路であって、前記スキュー信号は、前記中間閾値信号より高い前記サンプリングされたポイントの電圧に応答して高レベルである、中央サンプリング回路と、
    前記サンプリングされた遷移ポイントの電圧と前記中間遷移を比較して、高閾値電圧と低閾値電圧の間の前記サンプリングされた電圧に応答してロック信号を生成し、及び、前記サンプリングされた電圧に応答して高レベル信号を生成し、及び、前記低閾値信号より低いサンプリングされた電圧に応答して低レベル信号を生成するための遷移サンプリング回路
    とからさらになる、請求項2の装置。
  4. 前記位相調整回路が、さらに
    複数の位相検出セルであって、各位相検出セルが、ロック信号とサンプリングされた遷移データ信号を受信するために前記遷移サンプリング回路の1つに結合され、かつ、中央サンプル信号を受信するために前記中央サンプリング回路の1つに結合されており、ロックしていないことを示すロック信号と、サンプル遷移データ信号と、及び、データ信号がクロック信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してUP位相調整信号を生成し、及び、ロックしていないことを示すロック信号と、遷移データ信号と、及びクロック信号がデータ信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してDOWN位相調整信号を生成し、ロックを示すロック信号に応答して位相非調整信号を生成する、複数の位相検出セルと、
    前記複数の位相検出セルによって伝送される前記複数のUP位相調整信号、DOWN位相調整信号、及び位相非調整信号を比較して、位相推奨信号を生成するための位相推奨回路
    からなる、請求項2の装置。
  5. 低電圧差動振動(LVDS)データ信号とLVDSクロック信号とのスキューを修正するための装置であって、
    LVDSクロック信号に結合されて、LVDSクロック信号を全振動クロック信号に変換し、及び、前記全振動クロック信号から複数のクロック回復信号を生成するための遅延ロックループと、
    各データ回復チャンネルが、データ信号と前記複数のクロック回復信号に結合されたデータ回復チャンネルであって、
    LVDSデータ信号を全振動データ信号に変換するためのLVDSコンバータと、
    前記全振動データ信号のスキューを調整するためのスキュー調整回路と、
    前記遅延ロックループと前記スキュー調整回路に結合されて、前記複数のクロック信号に応答して前記全振動データ信号をオーバーサンプリングして、サンプリングされたデータ信号とロック信号を生成するためのサンプラーアレイ
    とからなる、データ回復チャンネルと、
    前記データ回復チャンネルと前記スキュー調整回路に結合されて、前記サンプラーアレイから受信した前記オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号に応答して、スキュー制御信号を生成し、前記スキュー調整回路に送信するための位相調整回路
    とからなる、装置。
  6. 前記サンプラーアレイが、さらに、
    2つの隣接するシリアルデータビット間の遷移をサンプリングし、このサンプリングされた遷移に応答して、ロック信号及びサンプリングされた遷移データ信号を生成するための複数の遷移サンプリング回路と、
    各シリアルデータビットの中央位置をサンプリングし、このサンプルに応答して中央サンプル信号を生成するための複数の中央サンプリング回路と、
    前記サンプラーアレイから受信した前記中央サンプル信号と、ロック信号と、及びサンプリングされた遷移データ信号とに応答して、前記スキュー制御信号を生成するための位相調整回路
    からなる、請求項5の装置。
  7. 高閾値信号と、低閾値信号と、及び全振動データ信号の理想的な論理閾値に等しい電圧を有する中間閾値信号とを生成するためのスレッシュホールドバイアス回路と、
    各シリアルデータビットの前記サンプリングされた中央ポイントの電圧を前記中間閾値と比較して、現在のスキュー信号と次のスキュー信号を生成するための中央サンプリング回路であって、前記スキュー信号は、前記中間閾値信号より高い前記サンプリングされたポイントの電圧に応答して高レベルである、中央サンプリング回路と、
    前記サンプリングされた遷移ポイントの電圧と前記中間遷移を比較し、高閾値電圧と低閾値電圧の間の前記サンプリングされた電圧に応答してロック信号を生成し、及び、前記サンプリングされた電圧に応答して高レベル信号を生成し、及び、前記低閾値信号より低い前記サンプリングされた電圧に応答して低レベル信号を生成するための遷移サンプリング回路
    とからさらになる、請求項6の装置。
  8. 前記位相調整回路が、さらに
    複数の位相検出セルであって、各位相検出セルが、ロック信号とサンプリングされた遷移データ信号を受信するために前記遷移サンプリング回路の1つに結合され、かつ、中央サンプル信号を受信するために前記中央サンプリング回路の1つに結合されて、ロックしていないことを示すロック信号と、サンプル遷移データ信号と、及び、データ信号がクロック信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してUP位相調整信号を生成し、及び、ロックしていないことを示すロック信号と、遷移データ信号と、及びクロック信号がデータ信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してDOWN位相調整信号を生成し、ロックを示すロック信号に応答して位相非調整信号を生成する、複数の位相検出セルと、
    前記複数の位相検出セルによって伝送される前記複数のUP位相調整信号、DOWN位相調整信号、及び位相非調整信号を比較して、位相推奨信号を生成するための位相推奨回路
    からなる、請求項6の装置。
  9. 複数の遅延セルであって、各セルが直列に接続され、データサイクルの1/2だけクロック信号を遅延させ、前記LVDSクロック信号を受信し、一組の中央クロック信号と一組の遷移クロック信号を生成する、複数の遅延セル
    からさらになる、請求項5の装置。
  10. 前記複数の遅延セルが、さらに、
    前記LVDSクロック信号に結合されて、第1の遷移クロック信号を生成するための第1のバッファと、
    前記LVDSクロック信号に結合されて、前記LVDSクロック信号をクロックサイクルの1/2だけ遅延させるための第1の遅延デバイスと、
    前記第1の遅延デバイスに結合されて、前記遅延されたクロック信号を受信し、及び、第1の中央クロック信号を生成するための第2のバッファと、
    前記第1の遅延デバイスに結合されて、前記LVDSクロック信号をクロックサイクルの1/2だけ遅延させるための第2の遅延デバイスと、
    前記第2の遅延セルに結合されて、第2の遷移クロック信号を生成するための第3のバッファであって、遅延デバイスとバッファが繰り返し互いに結合されて、複数の遷移及び中央クロック信号を生成することからなる、第3バッファ
    からなる請求項9の装置。
  11. 遅延セルによってもたらされる遅延量が調整可能な請求項9の装置であって、
    第1の中央クロック信号と最後の中央クロック信号に結合された位相検出器であって、クロック信号の立ち上がりエッジを比較し、前記第1の中央クロック信号の立ち上がりエッジより進んでいる前記最後の中央クロック信号の立ち上がりエッジに応答してシフトダウン信号を生成し、前記第1の中央クロック信号の立ち上がりエッジより遅れている前記最後の中央クロック信号の立ち上がりエッジに応答してシフトアップ信号を生成するための位相検出器と、
    前記位相検出器に結合された入力と、前記遅延セルに結合された出力を有するチャージポンプ回路であって、シフトアップ信号またはシフトダウン信号の受信に応答して前記遅延セルの遅延を調整するためのチャージポンプ回路
    からさらになる、装置。
  12. 第1の中央クロック信号と最後の中央クロック信号に結合されたロック検出器であって、前記第1の中央クロック信号の立ち上がりエッジが最後の中央クロック信号の立ち上がりエッジと同期していることを検出したことに応答してロック信号を生成し、そうでない場合は、非ロック信号を生成するためのロック検出器からさらになる、請求項9の装置。
  13. 前記遅延ロックループが、さらに、
    LVDSクロック信号に結合された入力と、前記複数の遅延セルに結合された出力を有し、前記LVDSクロック信号に一定量の遅延を加えるためのレプリカスキュー回路からさらになる請求項12の装置であって、前記データ回復チャンネルが、さらに、
    前記スキュー調整回路と前記ロック検出回路に結合されて、前記ロック検出回路からの非ロック信号の受信に応答して、前記スキュー調整回路が前記入力データ信号に一定量の遅延を追加するようにさせるための初期バイアス回路であって、前記スキュー調整回路によって追加される前記一定量の遅延は、前記レプリカスキュー回路によって追加される前記一定量の遅延と等しいことからなる、初期バイアス回路
    からなる、装置。
  14. 高速データ信号と関連するクロック信号とのスキューを修正するため装置であって、
    クロック信号に結合されて、クロック信号から複数のクロック回復信号を生成するための遅延ロックループと、
    前記データ信号と前記複数のクロック回復信号に結合されたデータ回復チャンネルであって、
    全振動データ信号のスキューを調整するためのスキュー調整回路と、
    前記遅延ロックループと前記スキュー調整回路に結合されて、複数のクロック信号に応答して前記データ信号をオーバーサンプリングして、前記サンプリングされたデータ信号とロック信号を生成するためのサンプラーアレイ
    とからなる、データ回復チャンネルと、
    前記データ回復チャンネルと前記スキュー調整回路に結合されて、前記サンプラーアレイから受信した前記オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号に応答して、スキュー制御信号を生成し、前記スキュー調整回路に送信するための位相調整回路
    とからなる、装置。
  15. 前記サンプラーアレイが、さらに、
    2つの隣接するシリアルデータビット間の遷移をサンプリングし、このサンプリングされた遷移に応答して、ロック信号とサンプリングされた遷移データ信号を生成するための複数の遷移サンプリング回路と、
    各シリアルデータビットの中央位置をサンプリングし、このサンプルに応答して中央サンプル信号を生成するための中央サンプリング回路と、
    前記サンプラーアレイから受信した前記中央サンプル信号と、ロック信号と、サンプリングされた遷移データ信号とに応答して、スキュー制御信号を生成する位相調整回路
    からなる、請求項14の装置。
  16. 前記位相調整回路が、さらに
    位相検出回路であって、ロック信号とサンプリングされた遷移データ信号を受信するために前記遷移サンプリング回路の1つに結合され、かつ、中央サンプル信号を受信するために前記中央サンプリング回路に結合されており、ロックしていないことを示すロック信号と、サンプル遷移データ信号と、データ信号がクロック信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してUP位相調整信号を生成し、及び、ロックしていないことを示すロック信号と、遷移データ信号と、クロック信号がデータ信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してDOWN位相調整信号を生成し、ロックを示すロック信号に応答して位相非調整信号を生成する、位相検出回路と、
    前記複数の位相検出セルによって伝送される前記UP位相調整信号、DOWN位相調整信号、及び位相非調整信号を比較して、位相推奨信号を生成するための位相推奨回路
    からなる、請求項15の装置。
  17. 高速差動振動データ信号と関連するクロック信号とのスキューを修正するための方法であって、
    クロック信号を全振動クロック信号に変換するステップと、
    前記全振動クロック信号から複数のクロック回復信号を生成するステップと、
    前記差動データ信号を全振動データ信号に変換するステップと、
    前記複数のクロック信号に応答して、前記全振動データ信号をオーバーサンプリングして、オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号を生成するステップと、
    前記オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号に応答して、スキュー制御信号を生成するステップと、
    前記スキュー制御信号に応答して前記データ信号のスキューを調整するステップ
    からなる方法。
  18. 前記オーバーサンプリングするステップが、さらに、
    2つの隣接するシリアルデータビット間の遷移をサンプリングするステップと、
    前記サンプリングされた遷移に応答して、ロック信号とサンプリングされた遷移データ信号を生成するステップと、
    各シリアルデータビットの中央ポイントをサンプリングするステップと、
    該サンプルに応答して中央サンプル信号を生成するステップ
    を含み、
    スキュー制御信号を生成する前記ステップが、さらに、前記中央サンプル信号と、ロック信号と、サンプリングされた遷移データ信号とに応答してスキュー制御信号を生成するステップを含む、請求項17の方法。
  19. 前記オーバーサンプリングするステップが、さらに、
    高閾値信号と、低閾値信号と、及び全振動データ信号の理想的な論理閾値に等しい電圧を有する中間閾値信号とを生成するステップと、
    各シリアルデータビットの前記サンプリングされた中央ポイントの電圧を前記中間閾値と比較して、現在のスキュー信号と次のスキュー信号を生成するステップであって、前記スキュー信号は、前記中間閾値信号より高い前記サンプリングされたポイントの電圧に応答して高レベルである、ステップと、
    前記サンプリングされた遷移ポイントの電圧と前記中間遷移を比較し、前記中間閾値信号の電圧に等しい前記サンプリングされた電圧に応答してロック信号を生成し、及び、前記高閾値信号より高い前記サンプリングされた電圧に応答して高レベル信号を生成し、及び、前記低閾値信号より低い前記サンプリングされた電圧に応答して低レベル信号を生成するステップ
    からなる、請求項17の方法。
  20. 前記スキュー制御信号を生成するステップが、さらに、
    ロックしていないことを示すロック信号と、サンプル遷移データ信号と、データ信号がクロック信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してUP位相調整信号を生成するステップと、
    ロックしていないことを示すロック信号と、遷移データ信号と、クロック信号がデータ信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してDOWN位相調整信号を生成するステップと
    ロックを示すロック信号に応答して位相非調整信号を生成するステップと、
    前記複数のUP位相調整信号、DOWN位相調整信号、及び位相非調整信号を比較して、スキュー制御信号を生成するステップ
    からなる、請求項17の方法。
  21. 低電圧差動振動(LVDS)データ信号とLVDSクロック信号とのスキューを修正するための方法であって、
    LVDSクロック信号を全振動クロック信号に変換するステップと、
    複数のクロック回復信号を前記全振動クロック信号から生成するステップと、
    LVDSデータ信号を全振動データ信号に変換するステップと、
    複数のクロック信号に応答して前記全振動データ信号をオーバーサンプリングして、オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号を生成するステップと、
    前記オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号に応答してスキュー制御信号を生成するステップと、
    前記スキュー制御信号に応答して前記データ信号のスキューを調整するステップ
    とからなる、方法。
  22. 前記オーバーサンプリングするステップが、さらに、
    2つの隣接するシリアルデータビット間の遷移をサンプリングするステップと、
    前記サンプリングされた遷移に応答してロック信号とサンプリングされた遷移データ信号を生成するステップと、
    各シリアルデータビットの中央ポイントをサンプリングするステップと、
    前記サンプルに応答して中央サンプル信号を生成するステップ
    を含み、
    スキュー制御信号を生成する前記ステップが、さらに、前記中央サンプル信号、ロック信号、及び、サンプリングされた遷移データ信号に応答して、スキュー制御信号を生成するステップを含む、請求項21の方法。
  23. 前記オーバーサンプリングするステップが、さらに、
    高閾値信号と、低閾値信号と、及び全振動データ信号の理想的な論理閾値に等しい電圧を有する中間閾値信号とを生成するステップと、
    各シリアルデータビットの前記サンプリングされた中央ポイントの電圧を前記高閾値と比較して、現在のスキュー信号を生成し、及び、前記中央ポイントの電圧を前記低閾値と比較して、次のスキュー信号を生成するステップであって、前記スキュー信号が、前記中間閾値信号より高い前記サンプリングされたポイントの電圧に応答して高レベルであり、また、前記中間閾値信号より低い前記サンプリングされたポイントの電圧に応答して低レベルであることからなる、ステップと、
    前記サンプリングされた遷移ポイントの電圧と前記中間遷移を比較し、前記中間閾値信号の電圧に等しい前記サンプリングされた電圧に応答してロック信号を生成し、及び、前記高閾値信号より高い前記サンプリングされた電圧に応答して高レベル信号を生成し、及び、前記低閾値信号より低い前記サンプリングされた電圧に応答して低レベル信号を生成するステップ
    からなる、請求項21の方法。
  24. スキュー制御信号を生成する前記ステップが、さらに、
    ロックしていないことを示すロック信号と、サンプル遷移データ信号と、データ信号がクロック信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してUP位相調整信号を生成するステップと、
    ロックしていないことを示すロック信号と、遷移データ信号と、及びクロック信号がデータ信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してDOWN位相調整信号を生成するステップと
    ロックを示すロック信号に応答して位相非調整信号を生成するステップと、
    前記複数のUP位相調整信号、DOWN位相調整信号、及び位相非調整信号を比較して、スキュー制御信号を生成するステップ
    からなる、請求項21の方法。
  25. 高速データ信号と関連するクロック信号とのスキューを修正するための方法であって、
    複数のクロック回復信号をクロック信号から生成するステップと、
    複数のクロック信号に応答して前記データ信号をオーバーサンプリングして、オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号を生成するステップと、
    前記オーバーサンプリングされたデータ信号とロック信号に応答してスキュー制御信号を生成するステップと、
    前記スキュー制御信号に応答して前記データ信号のスキューを調整するステップ
    とからなる、方法。
  26. オーバーサンプリングする前記ステップが、さらに、
    2つの隣接するシリアルデータビット間の遷移をサンプリングするステップと、
    前記サンプリングされた遷移に応答してロック信号とサンプリングされた遷移データ信号を生成するステップと、
    各シリアルデータビットの中央ポイントをサンプリングするステップと、
    前記サンプルに応答して中央サンプル信号を生成するステップ
    を含み、
    スキュー制御信号を生成する前記ステップが、さらに、前記中央サンプル信号、ロック信号、及び、サンプリングされた遷移データ信号に応答して、スキュー制御信号を生成するステップを含む、請求項25の方法。
  27. スキュー制御信号を生成する前記ステップが、さらに、
    ロックしていないことを示すロック信号と、サンプル遷移データ信号と、データ信号がクロック信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してUP位相調整信号を生成するステップと、
    ロックしていないことを示すロック信号と、遷移データ信号と、クロック信号がデータ信号より遅れていることを示す中央サンプル信号とに応答してDOWN位相調整信号を生成するステップと、
    ロックを示すロック信号に応答して位相非調整信号を生成するステップと、
    前記UP位相調整信号、DOWN位相調整信号、及び位相非調整信号を比較して、スキュー制御信号を生成するステップ
    からなる、請求項26の方法。
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