JP4060329B2 - 試験用キャリア、及び試験用キャリアへの半導体装置の取付方法 - Google Patents

Description

本発明は、試験用キャリア、及び試験用キャリアへの半導体装置の取付方法に関する。

近年、半導体集積回路（ＬＳＩ）の高集積化は著しく進み、同時に電子機器のダウンサイジング化の傾向も著しい。これらの要求に対応するにはＬＳＩにおける素子の高集積化もさることながら、半導体チップの高密度実装技術に依存する要素も大きい。

このような背景から、ＬＳＩのベアチップの電極やＬＳＩのＣＳＰ（Chip Size Package)の端子が高密度化されている。

そのようなＬＳＩを製品としてユーザへ供給する際には、ＬＳＩの初期不良を検出するための熱加速試験（以下、ＢＩ(Burn In) 試験という）、最終試験（Final Test（ＦＴ))が行われる。ＢＩ試験は、加熱下で半導体集積回路の電気特性を調べる試験である。

そのような試験する際には、ベアチップの電極と試験用基板上のコンタクト端子との位置合わせや、ＣＳＰの端子と試験用基板上のコンタクト端子との位置合わせが必要となる。そのベアチップやＣＳＰを位置合わせするために、例えば試験用基板に位置合わせ用の壁又は溝を形成した試験用基板を使用することがあり、この壁や溝による位置合わせは、一般に「機械的位置決め（メカアライメント）」と呼ばれる。

しかし、ベアチップは半導体ウェハの切断（ダイシング）によって整形されるために、その外形寸法にバラツキが生じ、しかもベアチップの電極の外形に対する位置にもバラツキが生じる。このため、ベアチップの電極と試験用基板上のコンタクト端子とを精度良く位置合わせすることができない。しかも、試験用基板とベアチップを接続するための間隙（クリアランス）が存在するために、その間隙内で位置ズレが生じ易い。

そこで、ベアチップの電極と試験用基板のコンタクト端子との位置合わせを画像認識で行う方法が開発されている。この方法は、ベアチップの電極と試験用基板上のコンタクト端子のそれぞれの位置を画像処理装置により認識し、さらにそれらの電極とコンタクト端子の位置を比べ、電極とコンタクト端子にズレがある場合にはベアチップを移動してズレを無くす方法である。

試験用基板とベアチップの位置合わせと固定を行うために、図３０(a),(b) に示すような支持具１が使用されている。

この支持具１は、通気孔２を持つ押さえ板３とラッチ部４とを有するものである。そして、押さえ板３の通気孔２を通してハンドリングヘッド１０からの吸引力でベアチップ状態の半導体装置２０を支持しながら、画像認識装置を用いて位置合わせし、ついで、ハンドリングヘッド１０を下降して半導体装置２０の電極２１と試験用基板２２のコンタクト端子２３とを接触させる。この場合、押さえ板３の両側にはラッチ部４が存在し、そのラッチ部４は試験用基板２２のフランジ２４に引っ掛かるような構造となっている。

従って、半導体装置２０は、押さえ板３によって試験用基板２２に押圧固定される。

このような支持具１は、図３１に示すように、ＣＳＰ型の半導体装置３０を試験用基板３１に固定して半導体装置３０の端子３１と試験用基板３２上のコンタクト端子３３を接触させる場合にも使用することができる。この場合、支持具１のラッチ部４はラッチ孔３４を通して試験基板３２の底部に係合する。

しかし、そのような支持具１においては、ラッチ部４が試験用基板２２、３２にクリックする際に、ラッチ部４からの衝撃により押さえ板３が揺れて半導体装置２０、３０の位置がズレることが多く、再度の位置合わせが必要になる。

本発明の目的は、半導体装置をズレることなく試験用基板に固定することができる試験用キャリア、及び試験用キャリアへの半導体装置の取付方法を提供することにある。

（手段）
以下、（１）、（２）は参考手段である。

（１）上記した課題は、図１、図３、図１６に例示するように、半導体装置４０，９０の電極４０ａ又は端子９０ａが重ねられる配線４５，９４を有する基板４１，９５と、前記半導体装置４０，９０を支持し、且つ前記半導体装置４０，９０を前記基板４１，９５に押圧する支持体５１と、前記支持体５１と前記基板４１，９５のいずれかに取付けられた磁石５４と、前記磁石５４に対向して前記基板４１，９５又は前記支持体５１のいずれかに設けられた磁性材よりなる磁性部４７，９７とを有することを特徴とする半導体装置の支持装置によって解決する。

上記した半導体装置の支持装置において、前記磁石５４と逆方向の磁界を前記磁性部４７，９７に印加する磁界発生部５７を有することを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、前記支持体５１に形成された通気孔５３と、該通気孔５３を通して前記半導体装置４０，９０を吸引するハンドリングヘッドを有することを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、図５又は図１５に例示するように、前記支持体５１又は前記基板４１，９５のいずれかには、前記半導体装置４０，９０を囲む磁気シールド７６が形成されていることを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、図１に例示するように、前記配線４４のうち前記半導体装置４０を載置する部分の下の前記基板４１には弾性体４３が埋め込まれていることを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、図１６に例示するように、前記基板９５の前記配線９４は弾性材よりなるピン９４であり、前記基板９５に形成された凹部９６に配置されていることを特徴とする。該ピン９４の下端は前記基板の底から外部に突出していることを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、図１４に例示するように、前記配線４４は絶縁性シート７５の上に形成され、該絶縁性シート７５は前記基板４１の上に形成されていることを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、前記基板９５上の前記配線９４のうち、前記半導体装置９０の電極又は端子９０ａに接触する部分には、横方向よりも上下方向の抵抗が低い異方性導電膜１０８が置かれていることを特徴とする。

図１(a),(b) に例示するように、支持体５１に形成された通気孔５３を通してハンドリングヘッド５０により半導体装置４０を吸着するとともに、該半導体装置４０とハンドリングヘッド５０の間に前記支持体５１を挟み、前記ハンドリングヘッド５０により前記支持体５１及び前記半導体装置４０を移動して間隔をおいて基板４１に対向させ、前記ハンドリングヘッド５０により前記支持体５１及び前記基板４１を移動して前記半導体装置４０の電極４０ａ又は端子を前記基板４１上の配線４４に対向させ、前記支持体５１を前記基板４１に向けて移動して前記半導体装置４０の前記電極４０ａ又は前記端子を前記配線４４に接触させるとともに、前記支持体５１と前記基板４１とを磁気的に吸着固定し、前記ハンドリングヘッド５０による前記半導体装置４０の吸着を解く工程を有することを特徴とする半導体装置の固定方法によって解決する。

また、基板の配線に半導体装置４０の端子又は電極が接触し、該半導体装置４０が支持体５１によって基板に押圧され、該基板と該支持体５１が磁石５４と磁性片４７の吸引力によって固定された状態で、前記磁石５４の磁界と逆向きの磁界を前記磁性片４７を通して発生させて前記磁石５４と前記磁性片４７の反発力によって前記支持体５１と前記基板４１を分離することを特徴とする半導体装置の支持装置からの離脱方法によって解決する。

（２）上記した課題は、図７、図１０に示すように、半導体装置４０，９０の電極４０ａ又は端子９０ａが重ねられる配線４４，７２と該配線４４，７２の間に形成された挿通孔４１ｃ，７３とを有する基板４１Ａ，７１と、前記基板４１Ａ，７１の前記挿通孔４１ｃ，７３に挿通される磁界発生部４７ａ，５７，９２と、前記半導体装置４０，９０を支持して前記基板４１Ａ，７１に取付けられ、且つ少なくとも前記挿通孔４１ｃ，７３に対向した部分が磁性体より形成された支持体６０，８０とを有することを特徴とする半導体装置の支持装置によって解決する。

上記した半導体装置の支持装置において、前記磁界発生部４７ａ，５７，９２は、コイル５７が巻かれる磁性コア４７ａ，９２であることを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、前記支持体６０，８０に形成された通気孔６３ａ，８３ａと、該通気孔６３ａ，８３ａを通して前記半導体装置４０，９０を吸引するハンドリングヘッド５０とを有することを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、前記支持体６０，８０は、前記半導体装置４０，９０を前記基板４１Ａ，７１に押圧するバネ６６，８６を有する押圧部６１，８１を有することを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、図１８に例示するように、前記基板の前記配線は弾性材よりなるピン１０３であり、前記基板に形成された凹部内に配置されていることを特徴とする。該ピン１０３は前記基板の底から外部に突出していることを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、図１７に例示するように、前記配線４４と前記基板４１Ａの間には絶縁性シート７５が介在されていることを特徴とする。

上記した半導体装置の支持装置において、前記基板７１上の前記配線７２のうち、前記半導体装置９０の電極又は端子９０ａに接触する部分には、横方向よりも上下方向の抵抗が低い異方性導電膜１０８が置かれていることを特徴とする。

上記した課題は、図７〜図９に例示するように、支持体６０に形成された通気孔６１ａを通してハンドリングヘッド５０により半導体装置４０を吸着するとともに、該半導体装置４０とハンドリングヘッド５０の間に前記支持体６０の一部を挟み、前記ハンドリングヘッド５０により前記支持体６０及び前記半導体装置４０を移動して間隔をおいて基板４１Ａに対向させ、前記ハンドリングヘッド５０により前記支持体６０及び前記基板４１Ａを移動して前記半導体装置４０の電極４０ａ又は端子を前記基板４１Ａ上の配線４４に対向させ、前記支持体６０を前記基板４１Ａに向けて移動して前記半導体装置４０の前記電極４０ａ又は前記端子を前記配線４４に接触させるとともに、前記支持体６０と前記基板４１Ａとを磁気的に吸着し、かつ前記支持体６０を前記基板４１Ａに機械的に固定し、ついで前記ハンドリングヘッドによる前記半導体装置の吸着と、前記支持体と前記基板とを磁気的な吸着とを解く工程を有することを特徴とする半導体装置の固定方法により解決する。

（３）上記した課題は、複数の電極端子４０ａを有する半導体装置４０を載置させるための基板１１１と、前記電極端子４０ａの配置パターンに対応して前記基板１１１上に設けられた複数のコンタクト端子１１５と、前記コンタクト端子１１５に接続し、前記基板１１１上に設けられた複数の試験用配線パターン１１６と、柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置４０を被覆し、かつ前記半導体装置４０を前記基板１１１に押圧する支持体１１２と、前記支持体１１２と前記基板１１１とを固着する接着剤とを有し、前記支持体１１２の材料の熱膨張率に比して、前記基板１１１の材料の熱膨張率が高いことを特徴とする試験用キャリアにより解決する。

また、複数の電極端子４０ａを有する半導体装置４０を載置させるための基板１４３と、前記電極端子４０ａの配置パターンに対応して前記基板１４３上に設けられた複数のコンタクト端子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板１４３上に設けられた複数の試験用配線パターンと、柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置４０を被覆し、かつ前記半導体装置４０を前記基板１４３に押圧する支持体１４４と、前記支持体１４４と前記基板１４３とを固着する接着剤とを有し、前記基板１４３は、第１の層１４１と、前記第１の層１４１上に形成され、前記第１の層１４１の材料の熱膨張率よりも熱膨張率が小さい材料からなる第２の層１４２とを有し、前記第２の層１４２上に前記支持体１４４が固着されることを特徴とする試験用キャリアにより解決する。

さらに、前記第１の層１４１の、前記第２の層１４２に接しない側に、溝１４５が設けられたことを特徴とする試験用キャリアにより解決する。

また、複数の電極端子４０ａを有する半導体装置４０を載置させるための基板１５１と、前記電極端子４０ａの配置パターンに対応して前記基板１５１上に設けられた複数のコンタクト端子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板１５１上に設けられた複数の試験用配線パターンと、柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置４０を被覆し、かつ前記半導体装置４０を前記基板１５１に押圧する支持体１５２と、前記支持体１５２と前記基板１５１とを固着する接着剤とを有し、前記支持体１５２は、柔軟性を有する薄膜からなり、かつ前記支持体１５２に、多数の孔が網目状に形成されてなることを特徴とする試験用キャリアにより解決する。

さらに、複数の電極端子４０ａを有する半導体装置４０を載置させるための基板１９１と、前記電極端子４０ａの配置パターンに対応して前記基板１９１上に設けられた複数のコンタクト端子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板１９１上に設けられた複数の試験用配線パターンと、柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置４０を被覆し、かつ前記半導体装置４０を前記基板１９１に押圧する支持体１９２と、前記支持体１９２と前記基板１９１とを固着する接着剤とを有し、前記支持体１９２は、少なくとも前記半導体装置４０に接する領域に複数のスルーホール１９４を有し、かつ前記支持体１９２の半導体装置４０に接する表面、前記スルーホール１９４内及び前記スルーホール１９４を介した反対側の全面は金属膜１９３で覆われていることを特徴とする試験用キャリアにより解決する。

（４）上記した課題は、複数の電極端子４０ａを有する半導体装置４０を載置させるための基板２１１と、前記電極端子４０ａの配置パターンに対応して前記基板２１１上に設けられた複数のコンタクト端子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板２１１上に設けられた複数の試験用配線パターンと、前記半導体装置４０を被覆し、かつ前記半導体装置４０を前記基板２１１に押圧する支持体２１３とを有する試験用キャリアを用意する工程と、前記基板２１１上に前記半導体装置４０を載置する工程と、前記支持体２１３を前記基板２１１上に固着して前記基板２１１上に前記半導体装置４０を取り付ける工程とを有し、前記支持体の材料の熱膨張率に比して、前記基板の材料の熱膨張率が高いことを特徴とする試験用キャリアへの半導体装置の取付方法により解決する。

（作用）
次に、本発明の作用について説明する。

本発明の参考手段によれば、半導体装置を基板に押圧する支持体を固定する場合に、磁力によって基板と支持体とを固定するようにしている。このため、半導体装置を基板に取付けた後に試験炉への搬送又は試験中に振動が生じても、半導体装置が基板から外れにくくなる。

また、基板と支持体とを固定するために永久磁石を使用する場合には、永久磁石と逆向きの磁界を発生させることによって基板と支持体は容易に離れる。半導体装置は永久磁石によって誤動作するおそれがあるので、基板又は支持体に半導体装置を囲む磁気シールドを取り付けるのが好ましい。

半導体装置を基板に搭載する場合には、支持体に設けた通気孔を通して半導体装置を支持体に吸引するハンドリングヘッドを使用すると、支持体と半導体装置を基板に載せる場合に、支持体に対する半導体装置のズレが生じない。

さらに、配線の下の基板に弾性体を埋め込むと、半導体装置の端子や電極と基板上の配線の間に過剰な押圧力がかかることを防止できる。弾性体はゴムのようなものでもよいが、弾性を有するピンであってもよい。そのピンを基板の底から突出させると、ソケットのプラグとして使用できる。

また、基板とその上の配線の間に絶縁性のシートを介在させると、その基板を導電体や金属磁性体によって形成することができるので、基板又は支持体への磁性片の埋め込みが不要となるし、また、基板を電気的シールドに利用できる。

支持体を最終的に基板に機械的に固定する構造を採用する場合には、支持体によって半導体装置を基板に仮に押圧するために磁力を使用してもよい。機械的な固定構造としてラッチ機構を採用する場合には、ラッチ機構によって支持体と基板が固定された後は、その固定は安定化するので、磁力を取り去ってもよい。

また、本発明に係る試験用キャリアによれば、半導体装置を被覆して基板に押圧する支持体に、例えば薄膜等の柔軟性を有する材料を用いているので、半導体装置の形状にフレキシブルに倣い、確実に密着して加圧することができる。

このため、搬送やＢＩ試験の際に振動を受けても、半導体装置が所定の位置からずれることを抑止できる。従って、良好な電気的接続状態を試験工程中に維持することが可能となる。

さらに、本発明に係る試験用キャリアにおいて、支持体は柔軟性を有する薄膜からなり、薄膜の周囲の、半導体装置の載置される領域を取り囲むように、剛性を有する材料からなる抑え板が形成されている。このため、薄膜だけでは衝撃を吸収できないほどの外力が試験用キャリアに加わったときでも、抑え板によって半導体装置が位置ずれすることを極力抑止することが可能になる。

また、本発明に係る試験用キャリアによれば、基板と支持体を有し、基板の一部に磁石が設けられ、支持体の一部に磁性体が設けられているので、基板と支持体との固着を磁石と磁性体とで行うことができる。

なお、本発明に係る試験用キャリアにおいて、支持体の材料の熱膨張率に比して、基板の材料の熱膨張率が高いものを用いているので、特にＢＩ試験などのように当該試験用キャリアが加熱された場合には、基板が支持体よりも膨張するため、膨張率の差によって支持体が引っ張り応力を受ける。

この引っ張り応力により半導体装置がさらに基板に加圧密着されるので、さらに良好な電気的接続状態を試験工程中に維持することが可能となる。

また、本発明に係る試験用キャリアにおいて、基板は、第１の層と、第１の層上に形成され、第１の層の材料の熱膨張率よりも熱膨張率が小さい材料からなる第２の層とを有し、第２の層上に支持体が固着されるようにしている。

このため、この試験用キャリアが加熱されると、熱膨張率の差によって基板が第１の層に反り、支持体が引っ張り応力を受ける。この引っ張り応力により半導体装置がさらに基板に加圧密着されるので、良好な電気的接続状態を試験中に維持することが可能となる。

さらに、本発明に係る試験用キャリアにおいて、第１の層の第２の層と反対側の面に、溝が設けられているため、基板が大きく第１の層側に反るので、半導体装置がさらに基板に加圧密着され、良好な電気的接続状態を試験中に維持することが可能となる。

また、本発明に係る試験用キャリアにおいて、支持体は、柔軟性を有する薄膜からなり、かつ支持体に、多数の孔がマトリクス状に形成されてなるので、孔が形成されていない支持体よりもフレキシブルにベアチップの形状にフィットすることが可能になる。

加えて半導体装置が外気に直接さらされるので、孔の形成されていない薄膜で覆う場合に比して放熱効果も大きいという利点もある。

さらに、本発明に係る試験用キャリアにおいて、電極端子に対応して設けられた複数のコンタクト端子と、電極端子に接続して設けられた複数の試験用配線パターンとが柔軟な材料からなる支持体に設けられている。

このため、試験用キャリアに振動が加わっても、コンタクト端子がフレキシブルに上下する為、半導体装置の電極端子との接触状態を良好に維持することができる。また、半導体装置の電極端子の平坦性にばらつきがあっても、フレキシブルにこれを押圧することができるので、良好な接触状態を維持することが可能となる。

更に、本発明に係る試験用キャリアにおいて、支持体は、少なくとも半導体装置に接する領域に複数のスルーホールを有し、かつ半導体装置に接する表面，スルーホール内及びスルーホールを介した反対側の表面の支持体に、金属膜が貼付されてなる。

このため、スルーホールより半導体装置が直接外気に触れる為放熱効果が高まる。また、半導体装置に直接密着する部分と、スルーホールを介して反対側の表面には、放熱性の良好な金属膜がコーティングされているので、単に薄膜にスルーホールを形成した場合に比して、さらに放熱効果が高まり、良好なＢＩ試験を実施することが可能になる。特に発熱量が大きいデバイスに適用する際には有効である。

また、本発明に係る試験用キャリアにおいて、支持体は、ゲル又は粘土などの粘着材から構成されるので、薄膜などを用いる場合に比して衝撃をより一層緩和することが可能になる。

さらに、本発明に係る試験用キャリアにおいて、支持体は、熱によって収縮する材料からなるので、ＢＩ試験において加熱されたときに、支持体が収縮して引っ張り応力が加わる。この引っ張り応力によって半導体装置が基板に密着するので、ＢＩ試験中等も良好な電気的接続状態を維持することが可能になる。

また、本発明に係る試験用キャリアへの半導体装置の取付方法によれば、複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、電極端子に対応して基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、電極端子に接続し、基板上に設けられた複数の試験用配線パターンと、半導体装置を被覆し、かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、基板の半導体装置を載置する領域の一部に、孔が設けられた試験用キャリアを用意し、基板上に半導体装置を載置し、孔から半導体装置を吸着し、半導体装置を基板上に固定している。

このため、その後支持体を用いて半導体装置を被覆、押圧する際にも吸着によって半導体装置が基板上に固定されているので、振動などによる位置ずれが生じにくく、確実に半導体装置を基板上に取り付けることが可能になる。

さらに、本発明に係る別の試験用キャリアへの半導体装置の取付方法によれば、複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、電極端子に対応して基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、電極端子に接続し、基板上に設けられた複数の試験用配線パターンと、半導体装置を被覆し、かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、半導体装置を載置する領域を取り囲むように基板に設けられた突起を備えた試験用キャリアを用意し、基板上の、突起で取り囲まれた領域に半導体装置を載置している。

このため、その後支持体を用いて半導体装置を被覆する際にも、突起によって半導体装置の位置ずれが防止されているので、確実に半導体装置を基板上に取り付けることが可能になる。

また、本発明に係る別の試験用キャリアへの半導体装置の取付方法によれば、複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、電極端子に対応して基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、電極端子に接続し、基板上に設けられた複数の試験用配線パターンと、半導体装置を被覆し、かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、支持体の半導体装置に接する領域の一部に、孔が設けられた試験用キャリアを用意し、支持体の孔を介して半導体装置を吸着して、支持体とともに半導体装置を吸着し、基板上に半導体装置及び支持体を載置しているので、半導体装置を基板上に載置し、その後基板及び半導体装置の上に支持体を載置して被覆する場合に比して、工程数の削減が可能となる。

以上述べたように本発明の参考手段によれば、半導体装置を基板に押圧する支持体を固定する場合に、磁力によって基板と支持体とを固定するようにしたので、半導体装置を基板に取付けた後に試験炉への搬送又は試験中に振動が生じても、半導体装置の基板上でのズレを防止できる。

また、基板と支持体とを固定するために永久磁石を使用する場合には、永久磁石と逆向きの磁界を発生させるようにしたので、基板と支持体を容易に離すことができる。永久磁石を採用する場合に、基板又は支持体に半導体装置を囲む磁気シールドを取り付けるようにしたので、半導体装置の外部磁界による誤動作が防止できる。

半導体装置を基板に搭載する場合には、支持体に設けた通気孔を通して半導体装置を支持体に吸引するハンドリングヘッドを使用するようにしたので、支持体と半導体装置を基板に載せる場合に、支持体に対する半導体装置のズレを防止できる。

さらに、配線の下の基板に弾性体を埋め込むと、半導体装置の端子や電極と基板上の配線の間に過剰な押圧力がかかることを防止できる。弾性体はゴムのようなものでもよいが、弾性を有するピンであってもよい。そのピンを基板の底から突出させると、ソケットのプラグとして使用できる。

また、基板とその上の配線の間に絶縁性のシートを介在させると、その基板を導電体や金属磁性体によって形成することができるので、基板又は支持体への磁性片の埋め込みが不要となるし、また、基板を電気的シールドに利用できる。

支持体を最終的に基板に機械的に固定する構造を採用する場合には、支持体によって半導体装置を基板に仮に押圧するために磁力を使用してもよい。機械的な固定構造としてラッチ機構を採用する場合には、ラッチ機構によって支持体と基板が固定された後は、その固定は安定化するので、磁力を取り去ってもよい。

また、本発明に係る試験用キャリアによれば、半導体装置を被覆して基板に押圧する支持体に、例えば薄膜等の柔軟性を有する材料を用いているので、半導体装置の形状にフレキシブルに倣い、確実に密着して加圧することができる。

このため、搬送やＢＩ試験の際に振動を受けても、半導体装置が所定の位置からずれることを抑止できるので、良好な電気的接続状態を試験工程中に維持することが可能となる。

さらに、本発明に係る試験用キャリアによれば、基板と支持体を有し、基板の一部に磁石が設けられ、支持体の一部に磁性体が設けられているので、基板と支持体との固着を磁石と磁性体とで行うことができる。

また、本発明に係る試験用キャリアにおいて、電極端子に対応して設けられた複数のコンタクト端子と、電極端子に接続して設けられた複数の試験用配線パターンとが柔軟な材料からなる支持体に設けられている。

このため、試験用キャリアに振動が加わっても、コンタクト端子がフレキシブルに上下する為、半導体装置の電極端子との接触状態を良好に維持することができる。

さらに、半導体装置の電極端子の平坦性にばらつきがあっても、フレキシブルにこれを押圧することができるので、良好な接触状態を維持することが可能となる。

また、本発明に係る試験用キャリアへの半導体装置の取付方法によれば、基板と、半導体装置を被覆し、かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、基板の半導体装置を載置する領域の一部に、孔が設けられた試験用キャリアを用意し、基板上に半導体装置を載置し、孔から半導体装置を吸着し、半導体装置を基板上に固定している。

このため、その後支持体を用いて半導体装置を被覆、押圧する際にも吸着によって半導体装置が基板上に固定されているので、位置ずれが生じにくく、確実に半導体装置を基板上に取り付けることが可能になる。

また、本発明に係る別の試験用キャリアへの半導体装置の取付方法によれば、複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、半導体装置を被覆し、かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、半導体装置を載置する領域を取り囲むように基板に設けられた突起を備えた試験用キャリアを用意し、基板上の、突起で取り囲まれた領域に半導体装置を載置している。

このため、その後支持体を用いて半導体装置を被覆する際にも、突起によって半導体装置の位置ずれが防止されているので、確実に半導体装置を基板上に取り付けることが可能になる。

さらに、本発明に係る別の試験用キャリアへの半導体装置の取付方法によれば、複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、半導体装置を被覆し、かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、支持体の半導体装置に接する領域の一部に、孔が設けられた試験用キャリアを用意し、支持体の孔を介して半導体装置を吸着して、支持体とともに半導体装置を吸着し、基板上に半導体装置及び支持体を載置しているので、半導体装置を基板上に載置し、その後基板及び半導体装置の上に支持体を載置して被覆する場合に比して、工程数の削減が可能となる。

そこで、以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

以下の第１実施形態乃至第２１実施形態のうち、第１実施形態乃至第９実施形態は参考例である。

（第１実施形態）
図１(a),(b) は、本発明の第１実施形態の試験用キャリアに半導体装置を取り付ける方法を示している。

図１(a),(b) に示す試験用キャリアは、半導体集積回路が形成されたチップ（以下、ベアチップという）を挟む試験用配線基板４１と支持基板５１とを有しており、試験用配線基板４１の一辺は、支持基板５１の一辺よりも５〜１０mm程度大きくなっている。また、試験用配線基板４１及び支持基板５１は、Al₂O₃ 或いは樹脂（ＰＥＳ、ＰＥＩ、ガラス入りエポキシ樹脂）などの絶縁性の非磁性材から形成されている。

試験用配線基板４１の上面の中央寄りの領域には凹部４２が形成され、その凹部４２にはゴム製の弾性体４３が埋め込まれている。また、試験用配線基板４１の上面では、弾性体４３の中央を囲む領域から基板縁にかけて、複数本の試験用配線パターン４４がピッチ及び幅を拡大しながら引き出されている。その試験用配線パターン４４の内側の端部にはコンタクト端子４５が形成され、さらに、外側の端部には外側の端子４６が形成されている。コンタクト端子４５は、ベアチップ４０の電極４０ａに対応して配置されている。

また、複数の試験用配線パターン４４は放射状に広がって配置されている。

さらに、試験用配線基板４１の弾性体４３の周囲には、少なくとも２つの磁性片４７が埋め込まれている。それらの磁性片４７は、鉄、鉄合金、コバルト、コバルト合金などからなり、しかも磁化されずに磁界が殆ど発生しない条件で形成されている。

支持基板５１のうち試験用配線基板４１の弾性体４３に対向する領域にはベアチップ４０を支持する凹部５２が形成されている。また、凹部５２の中央には、支持基板５１を貫通する直径３mm程度の通気孔５３が形成されている。また、試験用配線基板４１の磁性片４７に対向する位置には、例えばコバルト、コバルト合金、クロム又はクロム合金よりなる磁石（永久磁石）５４が埋め込められている。

支持基板５１の下面は例えば図２(a) に示すような形状であり、試験用配線基板４１の上面は例えば図２(b) のような形状である。

なお、図中符号５０は、中空のハンドリングヘッドであって、支持基板５１の通気孔５３よりも大きな先端から外気を吸引するとともに、駆動機構３７によって上下方向と横方向に移動可能に構成されている。

以上のような試験用配線基板４１にベアチップ５０を取り付ける場合には次のような方法による。

まず、ベアチップ４０の電極４０ａが外向きになるように、そのベアチップ４０を支持基板５１の凹部５２内に位置させる。そして、ハンドリングヘッド５０により支持基板５１を吸着して支持するとともに、通気孔５３を通してベアチップ４０を吸引して支持基板５１上に固定する。

続いて、ハンドリングヘッド５０を移動して支持基板５１を試験用配線基板４１の上方に間隔をおいて対向させる。

次に、上方と下方の画像認識が可能な位置認識カメラ５５を試験用配線基板４１と支持基板５１の間に入れて、その位置認識カメラに５５より試験用配線基板４１上の全てのコンタクト端子４５とベアチップ４０上の全ての電極４０ａを撮像する。

その位置認識カメラ５５から得られたデータは、画像処理装置５６に取り込まれて試験用配線基板４１上のコンタクト端子４５とベアチップ４０の電極４０ａの位置をそれぞれ座標データに変換する。そして、コンタクト端子４５とベアチップ４０の電極４０Ａが１対１で対向していないと画像処理装置５６が判断した場合には、駆動機構３７によりハンドリングヘッド５０の位置を調整して、その先端のベアチップ４０の電極４０ａとコンタクト端子４５とを１対１で対向させる。

そして、全てのコンタクト端子４５と電極４０ａの全てが１対１で対向していると画像処理装置５６が判断した場合には、ハンドリングヘッド５０を試験用配線基板４１の上面に向けて垂直に下降させるとともに、位置認識カメラ５５を適当な時期に試験用配線基板４１と支持基板５１の間から取り去る。さらに、ハンドリングヘッド５０を降下させると、ついには磁石５４と磁性片４７は磁界Ｈによって吸着する。これにより、支持基板５１は、磁石５４及び磁性片４７を介して試験用配線基板４１に強固に固定されるとともに、ベアチップ４０の電極４０ａは試験用配線基板４１上のコンタクト端子４５に接触する。

ところで、電極４０ａとコンタクト端子４５は、外部の力により押圧されなければ、ハンドリングヘッド５０による吸引を解いた直後に互いにずれることになる。したがって、磁石５４と磁性片４７が互いに吸着した状態で、試験用配線基板４１内の弾性体４３の弾性力によりコンタクト端子４５をベアチップ４０の電極４０ａに押圧させる必要がある。

この押圧力を発生させるためには、磁性片４７と磁石５４が接触した状態でベアチップ４０の電極４０ａが弾性体４３を押し下げることが条件となる。この条件を満たすためには、ベアチップ４０の端子４０ａとコンタクト端子４５の基板から突出量の和が、磁石５４及び磁性片４７の基板からの突出量の和よりも小さくさせる必要がある。しかも、磁石５４と磁性片４７の吸着力を、弾性体４３の弾性力よりも大きくする必要がある。例えば、１つの電極４０ａに１０ｇの押圧力が必要な場合には、ベアチップ４０の下の１００個の電極４０ａにかかる押圧力の総和は１ｋｇとなるので、磁石５４の磁力が１ｋｇ以上となる磁石５４を支持基板５１に埋め込むことになる。

このようにして試験用配線基板４１に載置されたベアチップ４０内の半導体回路は、試験用配線パターン４４の外側の端子４６に接触される試験用プローブ４８を介して回路動作試験が行われる。

しかも、試験用配線基板４１と支持基板５１は、磁石５４及び磁性片４７を介して強固に固定されているので、それらの基板４１，５１は、ハンドリングヘッド５０を取り去ってから回路動作試験を終えるまでの間にズレることはない。

なお、図３に示すように、磁石５４を試験用配線基板４１側に埋め込み、磁性片４７を支持基板５１に埋め込んでも、上記した作用効果が得られる。また、試験用配線基板４１の凹部４２の代わりに図３に示す貫通孔４９を設け、その中に弾性体４３を埋め込むようにしてもよい。

ところで、上記した試験用キャリアは、テスター３８を使用して加熱炉３９内でＢＩ試験などの回路試験を終えた後に、試験用配線基板４１と支持基板５１を分離してベアチップ４０を取り出すことになる。しかし、磁石５４の磁力が強い場合には、その分離作業に手間がかかったり、或いは、分離作業中にベアチップ４０が破損する恐れがある。

そこで、図４(a) に示すように、試験用配線基板４１に取り付けられる磁性片４７ａを、下方に突出させる構造を採用する。そして、試験用配線基板４１と支持基板５１を分離する場合には、図４(b) に示すように、磁性片４７ａの下側の突出部を磁界発生用の磁界発生用コイル５７に差し込み、ついで、その磁界発生用コイル５７に電源５８から電流を流して磁界Ｈ1 を発生させる。その磁界Ｈ1 の向きを、支持基板５１側の磁石５４からの磁界Ｈの向きと逆にすると、同磁極性の反発力によって磁石５４と磁性片４７ａは容易に離れる。

なお、図中４(b) 中符号５９は、電源５８を磁界発生用コイル５７に接続するためのスイッチを示している。

このように、試験用配線基板４１と支持基板５１との吸着を解く場合のみに、磁性片４７ａに反発磁界を発生させるようにすれば、基板同士を分離するための作業効率が高くなる。

また、磁石５４を試験用配線基板４１に取付ける構造を採用する場合には、図５に示すように、支持基板５１に取り付ける磁性片４７ｂの上端を支持基板５１から突出させて、基板分離の際にその上端を図４(b) に示した磁界発生用コイル５７に挿入して反発磁界を発生させるようにすればよい。また、ベアチップ４０内の半導体装置の試験の際に外部磁界の影響を抑制するために支持基板５１の凹部５２の内周に沿って磁気シールド７６を取付けてもよい。

なお、上記した各試験用キャリアは、ベアチップ状態の半導体装置の回路試験に使用するばかりでなく、パッケージされた半導体装置の回路試験に使用してもよい。

（第２実施形態）
図６は、ベアチップを試験用配線基板に支持するための支持具を示している。

その支持具６０は、磁性材よりなる略Ｕ字状の押圧部６１と、押圧部６１の両腕が挿通される挿通孔６２を有する帯状の梁部６３を有している。また、梁部６３の両側端からは、下方に弾性材よりなる板状のラッチ部６４が延び、その下端は、試験用配線基板４１Ａを抱えるために屈曲している。さらに、梁部６３の両側端には、上方に板状のラッチ解除部６５が延びている。

押圧部６１は、試験用配線基板４１Ａの上面に平行になるような平坦な底面を有し、その中央には半導体装置よりも小さな通気孔６１ａが形成されている。梁部６３の中央にはハンドリングヘッド５０を通すための挿通孔６３ａが形成され、挿通孔６３ａを通したハンドリングヘッド５０が押圧部６１の通気孔６１ａの周囲に当たるようになっている。

押圧部６１の両腕の上端は挿通孔６２からの脱落防止のために折り曲げられ、しかもそれらの両腕に巻かれるコイルバネ６６の弾性によって押圧部６１は常時下方に力が加わっている。

そのような構造の支持具６０が装着される試験用配線基板４１Ａは、図４に示す構造とほぼ同じであり、その両側にテーパ面４１Ｂが形成されている点で異なる。なお、図４と同じ符号は同じ要素を示している。

以上のような支持具６０と試験用配線基板４１Ａによって試験用キャリアが構成されている。そして、この試験用キャリア内にベアチップ４０を取り付けるためには、次のような手順を踏む。

まず、ベアチップ４０の電極４０ａが露出するように、そのベアチップ４０を支持具６０の押圧部６１の下に位置させる。さらに、ハンドリングヘッド５０を梁部６３の挿通孔６３ａを通して押圧部６１の上面に当てる。そして、押圧部６１の通気孔６１ａを通してベアチップ４０をハンドリングヘッド５０に吸着させるとともに、押圧部６１もハンドリングヘッド５０に吸着させる。

続いて、ハンドリングヘッド５０の移動により、図７に示すように、ベアチップ４０を試験用配線基板４１Ａの上方に間隔をおいて対向させる。そして、位置認識カメラ５５によって、試験用配線基板４１Ａ上の試験用配線パターン４４のコンタクト端子４５とベアチップ４０の電極４０ａの位置を認識する。

その位置認識カメラ５５から得られたデータに基づいて、第１実施形態で説明したように、試験用配線基板４１Ａ上のコンタクト端子４５とベアチップ４０の電極４０ａが１対１で対向する位置までハンドリングヘッド５０を移動させる。

ついで、位置認識カメラ５５を適当な時期に取り去った後に、ハンドリングヘッド５０の降下によって支持具６０を試験用配線基板４１Ａに載せる。

また、試験用配線基板４１の下方に突出した磁性片４７ａは、その突出した部分に磁石用コイルに巻かれた状態にしておく。そして、磁界発生用コイル５７に電流を流すと、磁性片４７に沿って磁界が集中するので、その磁界は磁性片４７は支持体６０の押圧部６１とを吸着させる。

この状態では、梁部６３はコイルバネ６６の弾性力によって押圧部６１の底面からの距離は変化せず、ラッチ部６４の下端は試験用配線基板１６Ａの底面に到達していない。そこで、押圧ピン６７を用いて梁部６３の両端寄りの領域を試験用配線基板４１Ａに向けて押し下げると、図８に示すように、ラッチ部６４は試験用配線基板４１Ａの側部のテーバ面４１Ｂ上を滑りながら広がる。そして、ラッチ部６４の先端が試験用配線基板４１Ａの底に達した時点で、ラッチ部６４は狭くなってクリックする。

この結果、梁部６３は、試験用配線基板４１Ａに固定された状態になる。しかも、押圧ピン６７によって押圧部６１が押し下げられると、梁部６３はコイルバネ６６には弾性力が加わるので、ベアチップ４０の電極４０ａのコンタクト端子４５への押圧力が強まる。したがって、ラッチ部６４のクリックの衝撃によってはベアチップ４０の電極４０ａとコンタクト端子４５の位置はそれぞれズレることはない。

ラッチ部６４の先端が試験用配線基板４１Ａの底部を抱えた状態では、支持具６０が、そのラッチ部６４によって試験用配線基板４１Ａに固定された状態になるので、磁界発生用コイル５７による磁界は不要になる。そこで、磁界発生用コイル５７への電流の供給を停止する。そして、ハンドリングヘッド５０及び押圧ピン６７を支持具６０から外して図９に示すような状態にし、さらに試験用配線基板４１Ａの磁性片５７を磁界発生用コイル５７から外し、ついで試験用配線基板４１Ａを試験装置へ搬送する。

ついで、試験用配線４１Ａの外側の端部に試験用プローブ等を当ててベアチップ４０に形成された半導体装置の回路動作試験が行われる。

この試験の際にも、試験用配線基板４１Ａと支持具６０はラッチ部６４を介して互いに強固に固定されているので、ハンドリングヘッド５０を取り去ってから回路動作試験を終えるまでの搬送による振動は試験中の振動ではズレることはない。

そして、回路試験を終えた後に、支持具６０の上部のラッチ解除部６５を内側に寄せると、梁部６３の弾性力によってラッチ部６４は外側に広がって試験用配線基板４１Ａ及びベアチップ４０を支持具６０から解放する。

なお、ラッチ部６４のクリックの際の押圧部６１のズレを無くすためには、押圧部６１の両腕を通す開口部６２が大きいほどよい。

（第３実施形態）
上記した実施形態では試験用キャリア内へでベアチップの固定について説明した。しかし、試験対象がパッケージされた半導体装置であることもあるし、また、試験対象物をボード状の試験用配線基板に取り付けることもある。そこで、本実施形態では、パッケージされた半導体装置をＢＩボード上に固定することについて説明する。

図１０は、ボード状の試験用配線基板上にパッケージされた半導体装置を支持する前の状態を示している。その試験用配線基板７１は、複数の半導体装置を載置できる大きさとなっている。

その試験用配線基板７１に半導体装置を支持するための支持具８０は、基板状の押圧部８１と、押圧部８１に結合された梁部８３とを有している。押圧部８１の上面には、略垂直方向に伸びるピン８１ｐが２箇所に取付けられており、ピン８１ｐの周囲にはコイルバネ８６が巻かれている。さらにピン８１ｐの上端には、鍵状のストッパー８１ｂが取り付けられており、梁部８３の挿通孔８２を通したピン８１ｐが梁部８３から脱落しないようになっている。

梁部８３の両側の下方には、ラッチ部８４が延在している。ラッチ部８４は、コイルバネ８６が縮んだ状態でラッチ部８４の先端が押圧部８１から下方に突出する長さを有している。

押圧部８１は、第１実施形態の支持基板５１と似た構造となっている。即ち、押圧部８１のうち中央には半導体装置９０が配置される凹部８５が形成され、さらに凹部８５の中央には、押圧部８１を貫通する通気孔８１ａが形成されている。その通気孔８１ａの周囲の押圧部８１には、梁部８３の中央の挿通孔８３ａを通したハンドリングヘッド５０の先端が突き当たるようになっている。また、凹部８５の周囲には、少なくとも２箇所に磁化されていない磁性片８７が埋め込められている。

また、試験用配線基板７１上には、図１１に示すように、半導体装置９０の複数の端子９０ａに接続される配線７２が形成されている。また、試験用配線基板７１において、所定の位置に載置された支持具８０の磁性片８７の真下となる位置には開口部７３が形成されている。さらに、試験用配線基板７１には、所定の位置に載置された支持具８０のラッチ部８４の真下となる位置にラッチ孔７４が形成されている。

なお、図１０中符号９１は、半導体装置９０と押圧部８１の間に密着される枠状のパッド、９２は、磁界発生用コイル５７の中心軸を通る磁性コア、７２ａは、試験用配線基板７１上の配線７２の内側の端部に形成されたコンタクト端子、７２ｂは、その配線７２の外側の端部に形成された外側端子を示している。

そのような試験用配線基板７１上にパッケージされた半導体装置９０を取り付けるためには、次のようにする。

まず、半導体装置９０の端子９０ａが露出するように、その半導体装置９０を支持具８０の押圧部８１の下に位置させる。さらに、ハンドリングヘッド５０を梁部８３の挿通孔８２を通して押圧部８１の通気孔８１ａの周囲に当てる。そして、ハンドリングヘッド５０の吸引力により、押圧部８１の通気孔８１ａを通して半導体装置９０を吸引して固定する。

続いて、ハンドリングヘッド５０の移動により、半導体装置９０を試験用配線基板７１の試料設置領域に対向させる。そして、位置認識カメラによって、試料設置領域にあるコンタクト端子７２ａと半導体装置９０の端子９０ａの位置を認識する。

その位置認識カメラから得られたデータに基づいて、第１実施形態で説明したように、コンタクト端子７２ａと半導体装置９０の端子９０ａが１対１で対向する位置までハンドリングヘッド５０を移動する。

ついで、位置認識カメラを適当な時期に取り去った後に、ハンドリングヘッド５０を降下させてコンタクト端子７２ａと半導体装置９０の端子９０ａを接触させる。これと同時に、磁界発生用コイル５７の磁性コア９２を試験用配線基板７１の下からその開口部７３に押し入れて押圧部８１内の磁性片８７に接触させる。さらに、磁界発生用コイル５７に電流を流して磁界発生用コイル５７から発生した磁界によって磁性コア９２と磁性片８７を吸着させる。これにより、支持具８０の押圧部８１と半導体装置９０は、試験用配線基板７１に固定される。

ついで、図１２に示すように梁部８３の上面を押圧ピン６７で押し下げると、ラッチ部８４は試験用配線基板７１のラッチ孔７４にクリックして入り込み、ラッチ部８４の折れ曲がった先端は試験用配線基板７１の底面に掛かかった状態になる。この場合、第２実施形態と同様に、コイルバネ８６の弾性力によって押圧部８１は試験用配線基板７１に押圧されて固定状態を保持する。

従って、半導体装置９０の端子９０ａは試験用配線７２のコンタクト端子７２ａに接触した状態を保持する。

このような状態では、支持具８０は、そのラッチ部８４によって試験用配線基板７１に固定されるので、磁界発生用コイル５７による磁界は不要になる。そこで、図１３に示すように、ハンドリングヘッド５０及び押圧ピン６７を取り去り、磁界発生用コイル５７への電流の供給を停止する。

以上のような半導体装置９０及び支持具８０を試験用配線基板７１の複数箇所に取付けた後に、試験用配線基板７１を例えばＢＩ試験炉内に搬送し、半導体装置９０の回路動作試験が行われる。

以上のように、試験用配線基板７１と支持具８０は、ラッチ部８４を介して試験用配線基板７１上に強固に固定されているので、搬送に伴う振動やＢＩ試験時の振動によりズレることはない。

（第４実施形態）
図１４(a),(b) は、上面に「メンブレン」と呼ばれるコンタクトシートを形成した試験用配線基板を示しており、図４と同じ符号は同じ要素を示している。

メンブレンは、ポリイミドのような電気絶縁性の高いフィルム７５上の半導体載置領域にコンタクト電極４５が形成されている。また、フィルム７５上には、コンタクト電極７５から外側端子４６までにピッチと幅を拡大しながら試験用配線パターン４４が引き出されている。

このようなメンブレンを用いることは、試験用配線パターン４４を基板上に直に形成する場合に比べて試験用配線基板の量産性に優れている。

（第５実施形態）
第１実施形態では、磁石５４を用いて支持基板５１及び半導体装置４０を試験用配線基板４１に固定する構造を採用している。しかし、磁石５４から発生する磁界が半導体装置の誤動作を招くおそれもある。

そこで、図１５に示すように、半導体装置４０への外部磁界の影響を低減するために、半導体装置４０を囲む磁気シールドフェンス７６を試験用配線基板４１上に取り付けるのが好ましい。その磁気シールドフェンス７６は、半導体装置４０を載置する領域と磁石５４の配置領域との間に配置される。

磁気シールドフェンス７６は、銅のような非磁性材によって形成され、信号線や電源線となる試験配線パターン４６を跨ぐための門７７を有する。また、磁気シールドフェンス７６は、接地配線パターン４６ｇに接続されており、試験時において半導体装置４０を電気的にもシールドする機能を有する。なお、接地配線４６ｇは、テスターの接地端子に接続される。

（第６実施形態）
図１６は、ＱＦＰ(quad flat package) 型半導体装置の試験に使用するＩＣソケットに第１実施形態で示した構造を適用したものである。

このＩＣソケット９３は、図１に示した弾性体４３と配線パターン４４の機能を弾性のコンタクトピン９４に持たせた構造を採用している。即ち、試験用配線基板９５のうち半導体装置の載置領域とその周辺に凹部９６を形成し、その凹部９６の内部に複数本のコンタクトピン９４を取付けた構造を有している。

コンタクトピン９４は、導電性のＵ（又はＶ）字状のバネ９４a を横向きに置いてその下部にプラグ９４b を接続した構造を有している。そのプラグ９４b は、凹部９６の底に差し込まれて試験用配線基板９５の下方に突出されている。

また、試験用配線基板９５のうちの凹部９６の周囲には、支持基板５１の磁石５４に接触される磁性片９７が取付けられている。

支持基板５１は、その大きさを除いて図１又は図３と同じ構造を有している。 このような構造のＩＣソケット９３においても、第１実施形態と同様に、ハンドリングヘッド５０を使用して、半導体装置９０及び支持基板５１を試験用配線基板９５上に載置する。この状態では、磁石５４と磁性片９７の吸着によって支持基板５１と試験用配線基板９５は互いに強固に固定される。そして、半導体装置９０の側方から突出する各端子９０a は、各コンタクトピン９４のバネ９４a の上端に接触するとともに、バネ９４a 自体の弾性によって支持基板５１側に押圧される。

（第７実施形態）
図７に示す試験用キャリアには、図１７(a),(b) に示すように、半田バンプ４０b が形成されたベアチップ４０を取り付けてもよい。しかし、半田バンプ４０ｂはベアチップ４０の一面にマトリクス状に配置されるので、配線パターン４４の密度が高くなるような場合には、多層配線構造を採用してもよい。

なお、図１７(a),(b) では、試験用配線基板４１Ａ上にメンブレンを形成した構造を採用している。

（第８実施形態）
図１８(a) の断面図は、半導体装置よりも広い凹部９９をハウジング９８に形成するともに、その凹部９９の周囲に段１００を形成した構造を示している。その段１００の上に置かれたスプリング１０１は、凹部９９の蓋１０２を支えている。その蓋１０２の窪みには、凹部９９の底に立てられた針状のピン１０３が貫通している。そのピン１０３は導電性の弾性材から構成され、しかも僅かに屈曲されており、その下端はハウジング９８の底部に突出してボード状の試験用配線基板１０４の配線パターン１０５に接続されている。ハウジング９８は試験用配線基板１０４に接着されている。

また、凹部９９の周辺には、ハウジング９８を貫通して上下に突出する磁性片１０６が埋め込まれていて、その磁性片１０６の下端は試験用配線基板１０４の開口部１０７を貫通するようになっている。また、磁性片１０６の上端は、支持具６０の押圧部６１に接触可能に配置され、磁性片１０６が磁界発生用コイル（不図示）によって磁化された状態で押圧部６１に吸着するようになっている。

このような構造でも、第２実施形態で説明した方法によって支持具６０をハウジング９８に取付ける。

上記したピン１０３を試験用配線基板１０４の配線１０５に電気的に接続する構造としては、図１８(a) の他に図１８(b) に示すようなものがある。図１８(b) の試験用配線基板１０４及び配線１０５において、ハウジング９８の底部から突出したピン１０３が当たる位置には内面に導電膜が存在するスルーホール１０８が形成されている。ピン１０３はスルーホール１０８に挿入され、また、スルーホール１０８内のピン１０３と試験用配線基板１０４は半田１０９により固定される。さらに、配線１０５とピン１０３は、半田１０９及びスルーホール１０８を介して電気的に導通されている。その半田１０９は、半田リフローによって付けられる。

なお、図１８(a),(b) では、図７と同じ符号は同じ要素を示している。

（第９実施形態）
図１９は、図１１で示した試験用配線基板７１上に形成された配線７２のコンタクト端子７２ａの上に異方性ゴムシート１０８を取付けた状態を示している。この異方性ゴムシート１０８は、図１１の二点鎖線に示すようにコンタクト端子７２ａに重なるような枠状の平面形状を有している。

異方性ゴムシート１０８は、導電性繊維が上下方向に延びて埋め込まれたものであり、異方性ゴムシート１０８においては、シートの上面と下面は導電性繊維を介して導通しているが、面に沿った方向には高抵抗となっている。

このような異方性ゴムシート１０８をコンタクト端子７２ａに載せると、コンタクト端子７２ａとその周辺の凹凸が小さくなるので、その上に乗る半導体装置９０の端子９０ａは安定する。

（第１０実施形態）
図２０は本発明の第１０の実施形態に係る試験用キャリアを説明する図面である。

図２０（ａ）は本実施形態に係る試験用キャリアの断面図であり、図２０（ｂ）は、本実施形態に係る試験用キャリアに用いられる基板を説明する上面図である。

図２０（ａ）に示すように、この試験用キャリアは、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１１１と、ベアチップ４０を基板１１１上に固定する薄膜１１２とからなる。薄膜１１２と基板１１１とは接着剤１１３で固定されている。

この基板１１１は、図２０（ｂ）に示すように、その上面に複数本の試験用配線パターン１１６が形成されている。また、この試験用配線パターン１１６は放射状に広がるように配置されている。その試験用配線パターン１１６の内側の端部には、ベアチップ４０の電極４０ａの配置パターンに対応して設けられたコンタクト端子１１５が設けられている。

図２０（ａ）に示すように、この試験用キャリアは、コンタクト端子１１５とベアチップ４０の電極４０ａとが対応するように位置合せされ、試験用キャリアの基板１１１上にベアチップ４０が載置され、その上から薄膜１１２が被覆され、接着剤１１３で固着されることで構成される。

本実施形態の試験用キャリアによれば、支持体として薄膜１１２を使用していることにより、ベアチップ４０の形状にフレキシブルに倣い、密着して加圧することができる。従って、外部から振動を受けても薄膜１１２とベアチップ４０との間との衝撃が少ない。

これにより、搬送やＢＩ試験等の際に振動を受けても薄膜１１２によりベアチップ４０に加わる衝撃が緩和され、基板１１１のコンタクト端子１１５とベアチップ４０の電極４０ａとの間の良好な電気的接続状態を試験工程中に維持することが可能となる。

また、図２１（ａ）に示すように、薄膜に樹脂などからなる抑え板１１４を、ベアチップを載置するための領域を取り囲むように形成してもよい。この場合には、薄膜だけでは衝撃を吸収できないほどの外力が加わった時にも、抑え板によりベアチップが横ずれするのが極力抑止することが可能となる。

（第１１実施形態）
図２１（ｂ）は、本発明の第１１の実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図である。

この試験用キャリアは、図２１（ｂ）に示すように、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１２１と、ベアチップ４０を基板１２１上に固定する支持体１２４とからなる。支持体１２４は図２１（ｂ）に示すように薄膜１２２と磁性体１２３とからなる。また、基板１２１の裏面のベアチップ４０が載置された領域以外には磁石１２５が設けられている。

なお、基板１２１の上面にはベアチップとのコンタクトをとる試験用配線パターンが形成されているが、その構造は図２０（ｂ）と同様なので説明を省略する。

本実施形態に係る試験用キャリアによれば、磁石１２５と磁性体１２３間に働く磁力を利用して薄膜１２２を基板１２１上に密着させ、ベアチップ４０を基板１２１に密着させることにより、その後のＢＩ試験中も良好な電気的接続状態を維持することができる。

また、磁力の強さを変えることで、ベアチップにかかる圧力を調整することができるという利点もある。

なお、本実施形態では薄膜１２２はポリイミドからなり、磁性体１２３はＣｕ等からなるが、これらには限らない。また、薄膜そのものを磁性体としても同様の効果を奏する。

（第１２実施形態）
図２２（ａ）は、本発明の第１２の実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図である。

この試験用キャリアは、図２２（ａ）に示すように、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１３１と、ベアチップ４０を基板１３１上に固定する薄膜１３２とからなる。薄膜１３２と基板１３１とは接着剤１３３で固定されている。 また、基板１３１の上面の構成は、図２０（ｂ）と同様である。

本実施形態では、基板１３１，薄膜１３２の材料を選択するに際し、薄膜１３２の熱膨張率よりも基板１３１の熱膨張率が大きくなるようにしている。

実際には、基板１３１の材料として例えばガラスエポキシ（熱膨張係数３０ＰＰＭ／℃程度）やＰＥＩ（熱膨張係数２７ＰＰＭ／℃程度）やＰＥＳ（熱膨張係数３０ＰＰＭ／℃程度）などを、薄膜１３２の材料として例えば低熱膨張ポリイミド（熱膨張係数１６ＰＰＭ／℃程度）を用いている。

このように、薄膜１３２よりも熱膨張率の高い基板１３１を用いることにより、後にＢＩ試験によって加熱されたときには、この基板１３１が薄膜１３２よりも膨張するため、膨張率の差によって薄膜１３２が引っ張り応力を受ける。

この引っ張り応力によりベアチップ４０がさらに基板１３１に加圧密着されるので、さらに良好な電気的接続状態を試験工程中に維持することが可能となる。

（第１３実施形態）
図２２（ｂ）は、本発明の第１３の実施形態に係る試験用キャリアの断面図である。

この試験用キャリアは、図２２（ｂ）に示すように、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１４３と、ベアチップ４０を基板１４３上に固定する薄膜１４４とからなる。薄膜１４４と基板１４３とは接着剤１４６で固定されている。 また、図２２（ｂ）に示すように基板１４３は第１の層１４１，第２の層１４２の二層構造になっている。そして、第１の層１４１の熱膨張率は第２の層１４２の熱膨張率に比して小さくなるようにしている。

具体的には、第１の層１４１は例えばセラミック（熱膨張係数９ＰＰＭ／℃程度）や銅（熱膨張係数１０〜１３ＰＰＭ／℃程度）など、第２の層１４２は例えばガラスエポキシ（熱膨張係数３０ＰＰＭ／℃程度）やＰＥＩ（熱膨張係数２７ＰＰＭ／℃程度）やＰＥＳ（熱膨張係数３０ＰＰＭ／℃程度）などを用いている。

また、基板１４３の上面には、試験用配線パターンが形成されている点では図２０（ｂ）と同様である。

本実施形態に係る試験用キャリアでは、第１の層１４１の熱膨張率は第２の基板１４２の熱膨張率に比して小さくなるようにしているので、熱膨張率の差によって図２２（ｂ）に示すように基板１４３が第１の層１４１側に反る。

これにより、薄膜１３２が引っ張り応力を受ける。

この引っ張り応力によりベアチップ４０がさらに基板１４３に加圧密着されるので、良好な電気的接続状態を試験中に維持することが可能となる。

また、図２２（ｃ）に示すように、第１の層１４１の背面に溝１４５を設けてもよい。この溝１４５によって基板の反りがさらに向上するので、ベアチップの加圧密着性が向上し、さらに良好な電気的接続状態をＢＩ試験中に維持することが可能となる。

（第１４実施形態）
図２３は、本発明の第１４の実施形態に係る試験用キャリアを示す図である。図２３（ａ）は、本実施形態に係る試験用キャリアの構造を説明する斜視図である。また、図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。

図２３（ｂ）に示すように、この試験用キャリアは、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１５１と、ベアチップ４０を基板１５１上に固定するポリイミドからなる薄膜１５２とからなる。薄膜１５２と基板１５１とは接着剤で固定されている。

また、基板１５１の上面には、試験用配線パターンが形成されており、その上面の構造は図２０（ｂ）と同様である。

さらに薄膜１５２には、図２３（ａ）に示すように多数の孔がマトリクス状に形成されており、殆ど網状の形状をなしている。

これにより、孔が形成されていない薄膜よりもフレキシブルにベアチップの形状にフィットすることが可能になる。また、ベアチップ４０が外気に直接さらされるので、孔の形成されていない薄膜で覆う場合に比して放熱効果も大きいという利点もある。

また、この薄膜の代わりに金属製の網や、別の高耐熱性の繊維でできた網等を使用しても同様の効果を奏する。

（第１５実施形態）
図２４（ａ）は、本発明の第１５の実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図である。

図２４（ａ）に示すように、この試験用キャリアは、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１６１と、ベアチップ４０を基板１６１上に固定するための粘土からなる粘着材１６２とからなる。粘着材１６２と基板１６１とは接着剤で固定されている。

また、基板１６１の上面には、試験用配線パターンが形成されており、その配置状態は図２０（ｂ）と同様である。

本実施形態では、第１０〜第１４の実施形態で用いた薄膜の代わりに粘土からなる粘着材１６２を使用している。

これにより、第１０〜１４の実施形態と同様に、ベアチップ４０を基板１６１に加圧して保持することができるのみならず、粘着材を用いているのでベアチップ４０への衝撃緩和を薄膜よりも確実に行うことができる。従って、ＢＩ試験などによって振動が生じても、ベアチップの位置ずれを極力抑止することが可能になる。

（第１６実施形態）
図２４（ｂ）は、本発明の第１６の実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図である。

図２４（ｂ）に示すように、この試験用キャリアは、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１７１と、テフロン（登録商標）等のように熱によって収縮する材料である熱収縮性材１７２とからなる。この熱収縮性材１７２は図２４（ｂ）に示すように、基板１７１と、その上に載置されるベアチップ４０とを取り囲むように形成されている。

また、基板１７１の上面には、試験用配線パターンが形成されており、図２０（ｂ）と同様である。

本実施形態によれば、熱収縮性材１７２を用いて基板１７１とベアチップ４０とを取り囲んでいるので、熱によってこれが縮んだときに熱収縮性材１７２に引っ張り応力が加わる。この引っ張り応力によってベアチップ４０は基板１７１に密着するので、ＢＩ試験中等も良好な電気的接続状態を維持することが可能になる。

（第１７実施形態）
図２５（ａ），（ｂ）は、本発明の第１７の実施形態に係る試験用キャリアを説明する図面である。図２５（ａ）は、本実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図である。また、図２５（ｂ）は、本実施形態に係る試験用キャリアに用いられる薄膜を説明する上面図である。

図２５（ａ）に示すように、この試験用キャリアは、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１８１と、ベアチップ４０を基板１８１上に固定するポリイミドからなる薄膜１８２とからなる。薄膜１８２と基板１８１とは接着剤で固定されている。

本実施形態に係る試験用キャリアは、第１０〜第１６の実施形態の試験用キャリアと異なり、基板１８１の上面には試験用配線パターンが形成されていない。

すなわち、図２５（ｂ）に示すように、薄膜１８２の上面に複数本の試験用配線パターン１８３が形成されている。この試験用配線パターン１８３は放射状に広がるように配置されている。その試験用配線パターン１８３の内側の端部には、ベアチップ４０の端子パターンに対応して設けられたコンタクト端子１８４が設けられている。

従って、この試験用キャリアにベアチップ４０を取り付ける際には、第１０〜第１６の実施形態と異なり、図２５（ａ）に示すようにベアチップの電極４０ａが上向きになるように基板１８１上にベアチップ４０を載置し、試験用配線パターン１８３及びコンタクト端子１８４が下向きになるように薄膜１８２を基板１８１上に対向配置する。

その後コンタクト端子１８４とベアチップの電極４０ａとを位置合せし、薄膜１８２を基板１８１に接着剤で固着する。

本実施形態によれば、フレキシブルな薄膜１８２に試験用配線パターン１８３及びコンタクト端子１８４を形成しているので、試験用キャリアに振動が加わっても、コンタクト端子１８４がフレキシブルに上下するため、電極４０ａとの接触状態を良好に維持することが可能となる。

また、ベアチップの電極４０ａの平坦性にばらつきがあっても、フレキシブルにこれを押圧することができるので、良好な接触状態を維持することが可能となる。

（第１８実施形態）
図２６は、本発明の第１８の実施形態に係る試験用キャリアを示す図である。図２６（ａ）は、本実施形態に係る試験用キャリアの構造を説明する断面図である。また、図２６（ｂ）は、図２６（ａ）を部分的に拡大した断面図である。

図２６（ａ）に示すように、この試験用キャリアは、その上面にベアチップ４０を載置させる基板１９１と、ベアチップ４０を基板１９１上に固定するポリイミドからなる薄膜１９２と、薄膜１９２の表面にコーティングされた金属膜１９３からなる。薄膜１９２と基板１９１とは接着剤で固定されている。

また、基板１５１の上面には、試験用配線パターンが形成されており、図２０（ｂ）と同様に配置されている。

図２６（ｂ）に示すように、ベアチップ４０の載置領域に対応する薄膜１９２には、複数のスルーホール１９４が形成されている。

また、薄膜１９２のベアチップ４０に直接密着する部分と、スルーホール１９４を介して反対側の表面には、金属膜１９３がコーティングされている。

本実施形態によれば、スルーホール１９４が形成されてベアチップ４０が直接外気に触れる為放熱効果が高まる。また、ベアチップ４０に直接密着する部分と、スルーホール１９４を介して反対側の表面には、放熱性の良好な金属膜１９３がコーティングされているので、単に薄膜にスルーホールを形成した場合に比して、さらに放熱効果が高まり、良好なＢＩ試験を実施することが可能になる。特に発熱量が大きいデバイスに適用する際には有効である。

（第１９実施形態）
以下で、本発明の第１９の実施形態に係る試験用キャリアへのベアチップの取付方法について図面を参照しながら説明する。

図２７（ａ），（ｂ）は本実施形態に係る試験用キャリアへベアチップを取り付ける方法について説明する断面図である。

この取付方法によれば、最初にベアチップ４０を載置させる基板２０１と、ベアチップ４０を基板２０１上に固定させる薄膜２０２とを有し、基板２０１の、ベアチップを載置する領域の一部に、直径１〜２mm程度の大きさの通気孔２０３が形成されている試験用キャリアを予め用意しておく。

そして、図２７（ａ）に示すようにベアチップ４０を基板２０１に載置して仮の位置合せをした後に、通気孔２０２を介してベアチップ４０を吸着する。

吸着されている限りベアチップ４０は基板２０１に固定されるのでこの間に位置ずれが生じることを極力抑止することが可能になる。従ってその後、図２７（ｂ）に示すように薄膜２０３でベアチップ４０と基板２０１とを覆って、これらを固着する際にも、位置ずれが生じてしまい、ベアチップ４０の電極４０ａと、基板２０１上に形成された不図示のコンタクト端子とがずれてしまうことを極力抑止することが可能となる。

（第２０実施形態）
以下で、本発明の第２０の実施形態に係る試験用キャリアへのベアチップの取付方法について図面を参照しながら説明する。

図２８（ａ），（ｂ）は本実施形態に係る試験用キャリアへベアチップを取り付ける方法について説明する断面図である。

本実施形態に係る取付方法によれば、図２８（ａ）に示すように、ベアチップを載置する領域の周囲を取り囲むように形成された突起２１２をその表面に有する基板２１１と、ベアチップ４０を基板２２１上に固定させる薄膜とを有する試験用キャリアを予め用意する。

そして、図２８（ａ）に示すようにベアチップ４０を基板２１１の、突起２１２で囲まれた領域内に載置する。この突起２１２によってベアチップ４０が取り囲まれていることにより、ベアチップ４０が振動などで位置ずれすることを抑止することが可能となる。

従ってその後、図２８（ｂ）に示すように薄膜２１３でベアチップ４０と基板２１１とを覆って、これらを固着する際にも、位置ずれが生じてしまい、ベアチップ４０の電極４０ａと、基板２１１上に形成された不図示のコンタクト端子とがずれてしまうことを極力抑止することが可能となる。

（第２１実施形態）
以下で、本発明の第２１の実施形態に係る試験用キャリアへのベアチップの取付方法について図面を参照しながら説明する。

図２９（ａ），（ｂ）は本実施形態に係る試験用キャリアへベアチップを取り付ける方法について説明する断面図である。

本実施形態に係る取付方法では、図２９（ａ）に示すように、ベアチップ４０を載置させる基板２２１と、ベアチップ４０を基板２２１上に固定させる薄膜２２２とを有し、薄膜２２２の一部に、直径１〜２mmの孔２２３が形成されている試験用キャリアを予め用意しておく。

そして、図２９（ａ）に示すように、薄膜２２２の孔２２３を介して、第１の実施形態で説明したハンドリングヘッド５０を用いて、薄膜２２２とベアチップ４０をハンドリングヘッド５０に吸着させてしまう。

そして図２９（ｂ）に示すように、このハンドリングヘッド５０を基板２２１の上に移動させて薄膜２２２とベアチップ４０とを基板２２１上に載置して、位置合せした後に接着剤で薄膜２２２を基板２２１上に固着する。

これにより、ベアチップ４０と薄膜２２２を同時に吸着しながら、基板２２１に固着することができるので、工程数を削減することができ、また、取扱いが容易になる。

図１(a),(b) は、本発明の第１実施形態の半導体装置の支持装置を示す断面図である。 図２(a) は、本発明の第１実施形態の半導体装置の支持装置の支持基板の底面図、図２(b) は、その支持装置の試験用配線基板の上面図である。 図３は、本発明の第１実施形態の試験用キャリアの磁石と磁性片の位置を交換した構造を示す断面図である。 図４(a) は、本発明の第１実施形態の試験用キャリアの磁性片を配線基板の下に突出させた断面図、図４(b) は、その磁性片に外部から磁界を印加する状態を示す断面図である。 図５は、本発明の第１実施形態の試験用キャリアの磁性片を配線基板の上に突出させた断面図である。 図６は、本発明の第２実施形態の試験用キャリアに使用される支持具を示す斜視図である。 図７は、本発明の第２実施形態の試験用キャリアに半導体装置を取り付ける直前の状態を示す断面図である。 図８は、本発明の第２実施形態の試験用キャリアに半導体装置を固定する過程を示す断面図である。 図９は、本発明の第２実施形態の試験用キャリア内に半導体装置を固定し終えた状態を示す断面図である。 図１０は、本発明の第３実施形態の試験用キャリアに半導体装置を取り付ける直前の状態を示す断面図である。 図１１は、本発明の第３実施形態のボード状の試験用配線基板の一部を示す平面図である。 図１２は、本発明の第３実施形態の試験用キャリアに半導体装置を固定する過程を示す断面図である。 図１３は、本発明の第３実施形態の試験用キャリア内に半導体装置を固定し終えた状態を示す断面図である。 図１４(a) は、本発明の第４実施形態を示す試験用キャリアの断面図、図１４(b) は、その試験用キャリアの試験用配線基板を示す斜視図である。 図１５(a) は、本発明の第５実施形態を示す試験用キャリアの断面図、図１５(b) は、その試験用キャリアの試験用配線基板を示す斜視図である。 図１６は、本発明の第６実施形態を示す試験用キャリアの断面図である。 図１７(a) は、本発明の第７実施形態を示す試験用キャリアの断面図、図１７(b) は、その試験用キャリアの試験用配線基板とベアチップの接続状態を示す拡大図である。 図１８(a) は、本発明の第８実施形態を示す試験用キャリアの断面図、図１８(b) は、その一部の変形例を示す部分断面図である。 図１９は、本発明の第９実施形態を示す試験用キャリアの断面図である。 図２０（ａ）は、本発明の第１０実施形態の試験用キャリアの断面図、図２０（ｂ）は、本発明の第１０実施形態の試験用キャリアの基板の上面図である。 図２１（ａ）は、本発明の第１０実施形態に係る別の試験用キャリアの断面図、図２１（ｂ）は、本発明の第１１実施形態に係る試験用キャリアの断面図である。 図２２（ａ）は、本発明の第１２実施形態の試験用キャリアの断面図、図２２（ｂ）は本発明の第１３実施形態の試験用キャリアの断面図、図２２（ｃ）は本発明の第１３実施形態に係る別の試験用キャリアの断面図である。 図２３（ａ）は、本発明の第１４実施形態の試験用キャリアの斜視図である。図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。 図２４(a) は、本発明の第１５実施形態を示す試験用キャリアの断面図、図２４(b) は、本発明の第１６実施形態を示す試験用キャリアの断面図である。 図２５(a) は、本発明の第１７実施形態を示す試験用キャリアの断面図、図２５(b) は、その試験用キャリアの試験用配線基板を示す上面図である。 図２６（ａ）は、本発明の第１８実施形態を示す試験用キャリアの断面図であって、図２６（ｂ）はその試験用キャリアの一部を説明する拡大断面図である。 図２７(a) は、本発明の第１９実施形態に係る試験用キャリアの取付方法を説明する第１の断面図、図２７(b) は、本発明の第１９実施形態に係る試験用キャリアの取付方法を説明する第２の断面図である。 図２８(a) は、本発明の第２０実施形態を示す試験用キャリアの取付方法を説明する第１の断面図、図２８(b) は、本発明の第２０実施形態を示す試験用キャリアの取付方法を説明する第２の断面図である。 図２９（ａ）は、本発明の第２１実施形態に係る試験用キャリアの取付方法を説明する第１の断面図、図２９（ｂ）は本発明の第２１実施形態に係る試験用キャリアの取付方法を説明する第２の断面図である。 図３０(a),(b) は、従来の試験用キャリアの第１例を示す断面図である。 図３１は、従来の試験用キャリアの第２例を示す断面図である。

符号の説明

４０ ベアチップ（半導体装置）
４０ａ 電極
４１、４１Ａ 試験用配線基板
４１Ｂ テーパ面
４２ 凹部
４３ 弾性体
４４ 試験用配線パターン
４５ コンタクト端子
４６ 端子
４７ 磁性片
４８ 試験用プローブ
４９ 貫通孔
５０ ハンドリングヘッド
５１ 支持基板
５２ 凹部
５３ 通気孔
５４ 磁石
５７ 磁界発生用コイル
６０ 支持具
６１ 押圧部
６２ 挿通孔
６１ａ 通気孔
６２ 挿通孔
６３ 梁部
６３ａ 挿通孔
６４ ラッチ部
６５ ラッチ解除部
１１１ 基板
１１２ 薄膜（支持体）
１１３ 接着剤
１１４ 抑え板
１１５ コンタクト端子
１１６ 試験用配線パターン
１２１ 基板
１２２ 薄膜
１２３ 磁性体
１２４ 支持体
１２５ 磁石
１３１ 基板
１３２ 薄膜（支持体）
１３３ 接着剤
１４１ 第１の層
１４２ 第２の層
１４３ 基板
１４４ 薄膜
１４５ 溝
１５１ 基板
１５２ 薄膜
１６１ 基板
１６２ 粘着材
１７１ 基板
１７２ 熱収縮材
１８１ 基板
１８２ 薄膜（支持体）
１８３ 試験用配線パターン
１８４ コンタクト端子
１９１ 基板
１９２ 薄膜
１９３ 金属膜
１９４ スルーホール
２０１ 基板
２０２ 通気孔（孔）
２０３ 薄膜
２１１ 基板
２１２ 突起
２１３ 薄膜（支持体）
２２１ 基板
２２２ 薄膜（支持体）
２２３ 孔

Claims (6)

1. 複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、
   前記電極端子の配置パターンに対応して前記基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、
   前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設けられた複数の試験用配線パターンと、
   柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置を被覆し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持体と、
   前記支持体と前記基板とを固着する接着剤とを有し、
   前記支持体の材料の熱膨張率に比して、前記基板の材料の熱膨張率が高いことを特徴とする試験用キャリア。
2. 複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、
   前記電極端子の配置パターンに対応して前記基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、
   前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設けられた複数の試験用配線パターンと、
   柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置を被覆し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持体と、
   前記支持体と前記基板とを固着する接着剤とを有し、
   前記基板は、第１の層と、前記第１の層上に形成され、前記第１の層の材料の熱膨張率よりも熱膨張率が小さい材料からなる第２の層とを有し、前記第２の層上に前記支持体が固着されることを特徴とする試験用キャリア。
3. 前記第１の層の、前記第２の層に接しない側に、溝が設けられたことを特徴とする請求項２記載の試験用キャリア。
4. 複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、
   前記電極端子の配置パターンに対応して前記基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、
   前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設けられた複数の試験用配線パターンと、
   柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置を被覆し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持体と、
   前記支持体と前記基板とを固着する接着剤とを有し、
   前記支持体は、柔軟性を有する薄膜からなり、かつ前記支持体に、多数の孔が網目状に形成されてなることを特徴とする試験用キャリア。
5. 複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、
   前記電極端子の配置パターンに対応して前記基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、
   前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設けられた複数の試験用配線パターンと、
   柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置を被覆し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持体と、
   前記支持体と前記基板とを固着する接着剤とを有し、
   前記支持体は、少なくとも前記半導体装置に接する領域に複数のスルーホールを有し、かつ前記支持体の半導体装置に接する表面、前記スルーホール内及び前記スルーホールを介した反対側の全面は金属膜で覆われていることを特徴とする試験用キャリア。
6. 複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基板と、前記電極端子の配置パターンに対応して前記基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設けられた複数の試験用配線パターンと、柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置を被覆し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持体とを有する試験用キャリアを用意する工程と、
   前記基板上に前記半導体装置を載置する工程と、
   前記支持体を前記基板上に固着して前記基板上に前記半導体装置を取り付ける工程とを有し、
   前記支持体の材料の熱膨張率に比して、前記基板の材料の熱膨張率が高いことを特徴とする試験用キャリアへの半導体装置の取付方法。

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