JP4057741B2 - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4057741B2 JP4057741B2 JP12037899A JP12037899A JP4057741B2 JP 4057741 B2 JP4057741 B2 JP 4057741B2 JP 12037899 A JP12037899 A JP 12037899A JP 12037899 A JP12037899 A JP 12037899A JP 4057741 B2 JP4057741 B2 JP 4057741B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polycrystalline
- film
- photoelectric conversion
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜太陽電池などに好適に用いることができる半導体装置に関する。
【0002】
【従来技術とその課題】
近年になり、低コスト且つ高効率な次世代太陽電池の研究開発は、国内外で活発に進められてきているが、このうち、特にSiを主材料とした薄膜多結晶Si太陽電池は、コスト、変換効率、資源問題、環境問題などを総合的に考慮すると、次世代太陽電池として最も有力であると考えられている。
【0003】
一般に、高効率な薄膜多結晶Si太陽電池を形成するには、主に光吸収を行う光活性層を充分高品質に形成することが最も重要な要件であるが、この光活性層の品質を最大限活かしてより高い変換効率を得るには、光活性層の品質以外にも例えばpn接合の品質、BSF機能、裏電極、ライトトラッピングなど様々な要件についてその品質を向上させる必要がある。
【0004】
上記光活性層の品質以外に求められる要件のうち、特に光活性層のpn接合が形成される側とは反対側にBSF層を形成する方法は、高変換効率を得るための最も効果的かつ一般的な方法として太陽電池全般に広く用いられている。薄膜多結晶Si太陽電池においても、当然、このBSF機能を用いることが高変換効率化のために有効であるが、このBSF機能は、高品質な光活性層形成のために用いられる下地層にその機能を担わせることが一般的であり、様々な手法でその形成方法の研究開発がなされている。
【0005】
一例として、基板上に予め形成した非晶質または微結晶質Siに、レーザーまたはエネルギービームを照射してこれを溶融再結晶化する方法が知られている(例えば特開平9一312258公報などを参照)。この方式の特長としては、レーザーアニールによって下地層となる結晶Siを比較的大粒径化できること、また薄膜多結晶Siを比較的低温下で形成できることなどが挙げられるが、一方、レーザーアニール工程に長時間を要するため、太陽電池素子として実用的な大面積基板を用いる際には、スループットに問題がある。
【0006】
また、SUS基板上にプラズマCVD法で形成された非晶質SiをSPC(固相結晶化)法を用いて多結晶化する方式が知られている(例えば、Proc.1st.WCPEC(994)p.1315-1318、特開平2−28315号公報、特開平6−204539号公報、特開平7−135332号公報、特開平7−335660号公報などを参照)。この方式の特長としては、基板として安価なSUS基板を用いること、また、SPC工程が600℃程度の比較的低温プロセスであることが挙げられるが、一方、SPC工程に約10時間という長時間を要し、また得られる結晶についても充分大粒径化するのが難しいという問題がある。
【0007】
他には、カーボン基板上に、プラズマ溶射法によりSi粒を溶融、射出して多結晶Si層を形成する方式が知られている(例えば、特開平5−315258号公報、特開平5−315259号公報、特開平5−315260号公報、特開平5−326414号公報、特開平6−208960号公報、特開平6−208961号公報などを参照)。この方式の特長としては、基板として安価なカーボン基板を用いること、多結晶Siの製膜を非常に高速に行え、また、多結晶Si粒を大粒径化できることが挙げられるが、製膜温度をSiの融点近傍の高温度とする必要があるため、多大な熱エネルギーを要するという問題がある。
【0008】
本発明は、以上の諸方法の問題を解消し、例えば、薄膜結晶Si太陽電池の高効率化に好適なBSF機能を有した下地層を低コストで形成することによって、高効率で低コストな薄膜多結晶Si太陽電池の製造が可能な光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置の製造方法は、基板上に、Ti、Ni、W、Mo、Cu、Ag、またはAlのうちの少なくとも1種から成る金属膜、その窒化膜、或いはそのシリサイド膜からなる電極層と、金属薄膜層と、を順に積層する工程と、前記基板を、前記金属薄膜層を構成する金属元素とSiとが反応するSi成膜温度に昇温させた状態で、前記金属薄膜層上に薄膜形成技術によって前記Siを成膜して前記Siと前記金属元素とを多結晶Si層とし、前記金属薄膜層を完全に除去する工程と、を順次経ることを特徴とする。
【0010】
また、上記発明では、前記金属元素は、Al、Mg、Ca、Sn、Zn、Sb、In、Ga、Ag、またはBiのうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする。
【0011】
また、上記発明では、前記多結晶Si層上に、Si光活性層となる多結晶Si層あるいは微結晶Si層を積層形成する工程をさらに含むことを特徴とする。
【0012】
また、上記発明では、前記電極層上で前記金属薄膜層が形成されていない領域に裏取り出し電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする。
さらに、上記発明では、前記電極層の膜厚は、10nm〜10μmであることを特徴とする。
【0013】
【作用】
以上の構成によって、下地層のSiと電極との界面でのキャリア再結合を充分低く抑えることができ、同時に、Si−電極間で良好なオーミック特性が得られ、また、Siから成る下地層が大粒径、高品質なSi光活性層を形成するための下地層として機能することから、高効率化が望めるBSF機能を有した下地層が得られ、低コストかつ高効率な薄膜結晶Si太陽電池を得ることができる半導体装置となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づき詳細に説明する。図1に示す光電変換装置S1は、基板1上に、金属膜、その窒化膜、またはそのシリサイド膜からなる電極層2、Siと共融系を成す1種以上の金属元素を含む(111)面または(100)面配向の多結晶Si層3、Si光活性層4、Si光活性層4とは反対の導電型を持つSi層5、および受光面電極層を兼ねた導電性反射防止膜である反射防止層7を順次積層して成る。同図中8は反射防止膜7の上面に接続して形成された表取り出し電極であり、9は金属膜、その窒化膜、またはそのシリサイド膜から成る電極層2に接続して形成された裏取り出し電極である。
【0015】
基板1としては、ガラス、ステンレス、カーボンなどの安価で安定な材料の選択が可能である。
【0016】
光電変換装置の製造にあたっては、図2に示すように、まず、基板1上に、Ti、Niなどの金属膜またはその窒化膜またはそのシリサイド膜からなる電極層2をスパッタリング法、イオンプレーティング法などの真空製膜法により製膜する(図2(a)参照)。
【0017】
この電極層2はTi、Ni、W、Mo、Cu、Ag、またはAlのうちの少なくとも1種から成る金属層、その窒化膜、またはそのシリサイド膜から成る。これらは、シリコンと良好なオーミック特性が得られること、また、高い反射率を有することから、この電極層2に到達した光が効率的に反射され、太陽電池の高効率化に適した裏電極とすることができる。
【0018】
また、電極層2の膜厚は10nm〜10μmの膜厚、望ましくは300nm〜2μmの範囲に設定する。つまり電極層2の膜厚が10nm以下の場合、裏電極として機能させるには抵抗が高すぎ、また、電極層2側に到達した光が電極層2で反射されず基板1側に抜けてしまうからである。一方、電極層2の膜厚が10μm以上の場合、電極層2の製膜に長時間を要し、またコストもかかる。
【0019】
さらに、電極層2の表面構造が微細かつランダムな凹凸構造としてもよい。これによって、電極層2側に到達した光の反射が散乱されて、層内部での光閉じ込めが促進されるので、光利用効率が向上する。
【0020】
次に、電極層2上に、Siと共融系を成す金属元素を含んだ金属薄膜層3aを電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの真空製膜法により、膜厚5μm以下、好ましくは200nm程度に成膜する(図2(b)参照)。なお、Siと共融系を成す金属元素としては、Al、Mg、Ca、Sn、Zn、Sb、In、Ga、Ag、またはBiのうちの少なくとも1種を用いることができる。
【0021】
次いで、この金属薄膜層3aを形成した基板1を450℃以上、好ましくは500℃程度の温度に昇温した後、プラズマCVD法、スパッタリング法などの薄膜形成技術にてSiを供給する。これにより、上記金属元素とSiとの反応現象により、基板1面に平行な方向において1μm以上の結晶粒径を持つ多結晶Si層3を500℃程度という比較的低温において形成することができる(図2(c)参照)。
【0022】
このとき、図3および表1に示すように、多結晶Si層3の結晶方位の選択配向性がX線回折強度比で(111)面に対し(100)面を除く他の面が0.06以下または(100)面に対し(111)面を除く他の面が1.00以下となっている。
【0023】
【表1】
【0024】
この配向特性を有することによって、多結晶Si層3を下地層として、この上に順次積層される結晶Si膜4にも同じ結晶方位の情報が伝達しやすくなり、後述する結晶Si表面への微細かつランダムな凹凸構造の形成など、太陽電池素子作製にあたっての各プロセスで行う各種処理の基板面内均一性を容易に確保することができる。また、1μm以上の結晶粒径のものを含んでいることから、より大きな結晶粒径の光活性層4の積層形成を促進でき、結晶粒界密度が低減することで結晶欠陥が少なくなり、高品質な光活性層を形成できる。
【0025】
また、多結晶Si層3はSiと共融系を成す金属元素を1×1016〜1×1022atoms/cm3 程度含有している。さらに、Si供給時にBなどのドーピング元素を含有させることにより、キャリア濃度を1×1018〜1×1021atoms/cm3 の範囲に制御し、BSF効果を最適化することが可能である。
【0026】
次に、前記多結晶Si層3上に同一導電型のSi光活性層4となる多結晶あるいは微結晶Si層4を厚さ2μm〜30μm程度に形成する(図2(d)参照)。なお、光活性層4の形成方法としては、プラズマCVD法や触媒CVD法などの真空製膜法を用いることができ、特に後者においては比較的低温下で高品質且つ高速に多結晶Siを形成できるので、より短時間に製造することができる。
【0027】
次に、Si光活性層4上に同層とは反対導電型の非晶質、多結晶もしくは微結晶を含む非単結晶Si層5をプラズマCVD法やスパッタリング法などの真空製膜法により厚さ数100nm以下に形成する(図2(e)参照)。
【0028】
ここで、Si光活性層4とSi層5とで形成されるpn接合の品質によっては、図4に示す光電変換装置S2のように、Si光活性層4とSi層5の間に、真性型(i型)の非単結晶Si層6を介在させてもよい。特に同層を水素化アモルファスSiで形成する場合は、その膜厚を2〜40nm程度にする。非単結晶Si層6を結晶質Siで形成する場合にはその膜厚を1μm以下とする。さらに、Si層5およびSi層6を特に水素を含んだ雰囲気下で形成すると、各層の界面およびその近傍の欠陥単位を水素で終端、不活性化することができ、より品質の高いpn接合またはpin接合を得ることができる。
【0029】
さらに、Si層5上に、窒化Si膜や酸化Si膜などの絶縁性反射防止膜7、あるいは、ITOやSnO2 などの導電性反射防止膜7をプラズマCVD法やスパッタリング法などの真空製膜法を用いて60〜80nm程度の膜厚に製膜する(図1参照)。
【0030】
ところで、素子表面の反射率低減の方法としては、素子表面を適当な凹凸形状にしてライトトラッピング構造を形成し、表面反射率を低減することができる。この方法としては,ドライエッチング技術であるRIE(Reactive Ion Etching)法が有力であることが知られている(Technical Digest of the International PVSEC-9 (1996) 93-96、109-110 )。この方法を用いれば、結晶Si表面をSiの結晶方位に依存しないランダム且つ微細な凹凸形状とすることができ、各種ウエットエッチング法に比べて格段に優れた低反射率特性を実現できる。すなわちpn接合を形成する前に、光活性層4に対してRIE法を適用し、光活性層4の表面をSiの結晶方位に依存しない微細かつランダムな凹凸形状(粗面状)とし、続いてSi層5を形成する。これによって光波長400〜1000nmの範囲で表面反射率を10%以下に抑えることができる。実際の素子化にあたっては、さらに反射防止膜7を形成するために、実際の表面反射率はさらに低減することができる。以上によって光利用効率が格段に向上したライトトラッピング構造を実現することができ、素子変換効率を飛躍的に向上させることができる。
【0031】
光利用効率が格段に向上すると、光活性層4の膜厚をより薄くすることを可能とし、膜形成時間をより短時間とすることができるので、より一層の低コスト化にも寄与する。
【0032】
次に、反射防止膜7上に表取り出し電極8を、真空製膜技術、プリントおよび焼成技術、さらにメッキ技術などで形成する。なお、絶縁性の反射防止膜7をSi層5上にコートする場合は、表取り出し電極8を形成する領域をバッファードフッ酸などの適当な薬液によるエッチング技術などで除去してSi層5の表面を露出させ、ここに表取り出し電極8を接続するように形成すればよい。また、裏取り出し電極9は、電極層2上に同様の技術で形成すればよい。
【0033】
以上によって、低コストでしかも高変換効率な薄膜結晶Si太陽電池である光電変換装置S1、S2を得ることができる。また、光電変換装置として太陽電池を例にとって説明したが、これに限定されるものではなく、例えば位置検知センサ、輝度センサ、カラーセンサなどの光センサなどにも適用が可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更して実施が可能である。
【0034】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の光電変換装置の製造方法によれば、基板と多結晶Si層との間に、Ti、Ni、W、Mo、Cu、Ag、またはAlのうちの少なくとも1種から成る金属膜、その窒化膜、或いはそのシリサイド膜を設けることから、多結晶Siとの良好なオーミック特性が得られ、また、高い反射率を有することから、裏面電極層に到達した光を効率的に反射させることができ、高効率な薄膜多結晶Si太陽電池を得ることができる。
【0035】
さらに、前記多結晶Si層の結晶方位の選択配向性がX線回折強度比で(111)面に対し(100)面を除く他の面が0.06以下または(100)面に対し(111)面を除く他の面が1.00以下であり、且つ、前記多結晶Si層中にSiとの共融温度が850℃以下の金属元素を含有することから、この多結晶Si層を下地層としてこの上に積層される結晶Si膜の高品質化に寄与することができ、また太陽電池のBSF層としても好適なキャリア濃度を持たせることができ、高効率な薄膜多結晶Si太陽電池を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す断面図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図3】多結晶Si層の結晶方位の選択配向性をX線回折強度比で示した図である。
【図4】本発明に係る半導体装置の他の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
1‥‥‥基板、2‥‥‥電極層、3‥‥‥多結晶Si層、4‥‥‥Si光活性層、5‥‥‥Si光活性層とは反対の導電型を持つSi層、7‥‥‥反射防止層、8‥‥‥表取り出し電極、9‥‥‥裏取り出し電極
Claims (6)
- 基板上に、Ti、Ni、W、Mo、Cu、Ag、またはAlのうちの少なくとも1種から成る金属膜、その窒化膜、或いはそのシリサイド膜からなる電極層と、金属薄膜層と、を順に積層する工程と、
前記基板を、前記金属薄膜層を構成する金属元素とSiとが反応するSi成膜温度に昇温させた状態で、前記金属薄膜層上に薄膜形成技術によって前記Siを成膜して前記Siと前記金属元素とを多結晶Si層とし、前記金属薄膜層を完全に除去する工程と、
を順次経ることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記多結晶Si層の結晶方位の選択配向性がX線回折強度比で(111)面に対し(100)面を除く他の面が0.06以下または(100)面に対し(111)面を除く他の面が1.00以下としたことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記金属元素は、Al、Mg、Ca、Sn、Zn、Sb、In、Ga、Ag、またはBiのうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載した光電変換装置の製造方法。
- 前記多結晶Si層上に、Si光活性層となる多結晶Si層あるいは微結晶Si層を積層形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記電極層上で前記金属薄膜層が形成されていない領域に裏取り出し電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記電極層の膜厚は、10nm〜10μmであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載した光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12037899A JP4057741B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12037899A JP4057741B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000312015A JP2000312015A (ja) | 2000-11-07 |
JP4057741B2 true JP4057741B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=14784733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12037899A Expired - Fee Related JP4057741B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4057741B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003298077A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Ebara Corp | 太陽電池 |
TW201007956A (en) * | 2008-04-09 | 2010-02-16 | Applied Materials Inc | Nitrided barrier layers for solar cells |
KR102619449B1 (ko) * | 2018-06-04 | 2023-12-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서 제조 방법 |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP12037899A patent/JP4057741B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000312015A (ja) | 2000-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2022125290A (ja) | 高効率太陽電池構造体および製造方法 | |
US7847180B2 (en) | Nanostructure and photovoltaic cell implementing same | |
TW201248893A (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
JP2012004568A (ja) | 電極の形成方法及びこれを利用した太陽電池の製造方法 | |
CN111987184A (zh) | 一种叠层电池结构及其制备工艺 | |
JP4057741B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP6502147B2 (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP4105811B2 (ja) | 多結晶シリコン膜の形成方法 | |
JP4412766B2 (ja) | 薄膜多結晶Si太陽電池 | |
Aberle | Progress in evaporated crystalline silicon thin-film solar cells on glass | |
JP3623642B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP2005064014A (ja) | 薄膜結晶太陽電池およびその製造方法 | |
JP5710368B2 (ja) | 光電変換素子および太陽電池 | |
Gabriel et al. | Thin Crystalline Silicon Solar Cells on Glass | |
JPH11266027A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
JPH11251611A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
CN117293225A (zh) | 一种具有局域等离激元结构的晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
JP2002075877A (ja) | 多結晶半導体薄膜の形成方法およびその形成装置およびその多結晶半導体薄膜を用いた太陽電池 | |
JP2000252503A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
KR20200125864A (ko) | 그라파이트 기판을 이용한 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070801 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070925 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |