JP4054910B2 - 小型化学反応装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は小型化学反応装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
化学反応の技術分野では、流体化された混合物質を流路内に設けられた触媒による化学反応（触媒反応）により、所望の流体物質を生成する化学反応装置が知られている。従来のこのような化学反応装置には、半導体集積回路などの半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、シリコン基板上にミクロンオーダーあるいはミリメートルオーダーの流路を形成したものがある。
【０００３】
図１１は従来のこのような小型化学反応装置の一例の透過平面図を示し、図１２はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図を示したものである。この小型化学反応装置は小型のシリコン基板１を備えている。シリコン基板１の一面には、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路２が形成されている。流路２の内壁面には触媒層３が形成されている。シリコン基板１の一面には蓋となるガラス板４が接合されている。ガラス板４の流路２の両端部に対応する所定の２箇所には流入口５および流出口６が形成されている。
【０００４】
シリコン基板１の他面には蛇行した薄膜ヒータ７が形成されている。薄膜ヒータ７は、この小型化学反応装置における化学反応（触媒反応）が所定の熱条件による吸熱反応を伴うとき、化学反応時に流路２内の触媒層３に所定の熱エネルギを供給するためのものである。シリコン基板１の他面には、該他面との対向面の中央部に座ぐり加工により凹部９が形成されたガラス板８の周辺部が接合されている。ガラス板８は、薄膜ヒータ７を保護するほかに、薄膜ヒータ７の熱拡散を防止し、熱効率を良くするためのものである。また、凹部９内は、断熱性能を高めるため、真空とされている。
【０００５】
次に、この小型化学反応装置のシリコン基板１の流路２の部分の製造方法の一例について説明する。まず、図１３に示すように、小型のシリコン基板１の一面に、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路２を形成する。次に、流路２内を含むシリコン基板１の一面に塗布されたフォトレジストをパターニングすることにより、流路２に対応する部分に開口部１２を有するフォトレジスト１１を形成する。
【０００６】
次に、図１４に示すように、流路２内および開口部１２内を含むフォトレジスト１１の表面に触媒層３を形成する。次に、フォトレジスト１１をその表面に形成された触媒層３の不要な部分と共に除去すると、図１５に示すように、流路２の内壁面にのみ触媒層３が残存される。この場合、フォトレジスト１１の除去は、剥離液を用いる方法、あるいは酸素プラズマアッシングによる方法がある。
【０００７】
次に、上記構成の小型化学反応装置の使用例について説明する。例えば、近年、実用化に向けて研究開発が目覚ましい燃料改質型の小型燃料電池（小型発電型電源）では、上記構成の小型化学反応装置を用いて、メタノール水溶液を蒸発（気化）させて得られた混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）から水素（発電用燃料）を生成することがある。
【０００８】
すなわち、薄膜ヒータ７の発熱により流路２内が所定の温度となるように加熱した状態において、上記混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）が流入口５を介して流路２内に供給されると、流路２内の触媒層３による吸熱反応が生じて、水素と副生成物としての二酸化炭素が生成される。そして、この生成物のうち、二酸化炭素を水素から分離して除去すると、水素のみを発電用燃料として小型燃料電池に供給することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の製造方法では、剥離液を用いて、フォトレジスト１１をその表面に形成された触媒層３の不要な部分と共に除去する場合には、流路２の内壁面に残存される触媒層３が剥離液と接触してダメージを受けることがあり、またフォトレジスト１１の表面に形成された触媒層３が邪魔となり、剥離液がフォトレジスト１１まで十分に到達せず、フォトレジスト１１を良好に除去することができない場合があるという問題があった。また、酸素プラズマアッシングにより、フォトレジスト１１をその表面に形成された触媒層３の不要な部分と共に除去する場合には、フォトレジスト１１の表面に形成された触媒層３が蔭となり、プラズマ種がフォトレジスト１１まで十分に到達せず、フォトレジスト１１を良好に除去することができない場合があるという問題があった。また、このような問題を解消するためにメタルマスクを用いた印刷を試みると、小型化学反応装置で求められるラインアンドスペースの高精細なピッチの流路表面に触媒溶液を塗布することが困難なため、化学反応装置の小型化の障害となっていた。
そこで、この発明は、高精細なピッチの流路内に触媒層を形成するためのフォトレジストを、流路内に残存される触媒層にダメージを与えることなく、良好に除去することができる小型化学反応装置の製造方法を提供することを利点とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、小型の基板の一面に微小な流路を形成し、前記基板の一面にドライフィルムからなるフォトレジストを貼り付け、前記フォトレジストの前記流路に対応する部分に、前記流路の幅よりもやや小さい幅の開口部を形成し、前記流路内および前記開口部内を含む前記フォトレジストの表面に触媒層を形成し、前記フォトレジストをその表面に形成された不要な部分の前記触媒層と共に引き剥がして除去することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記フォトレジストを引き剥がして除去した後に、ディスカム処理を行うことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ディスカム処理は酸素プラズマアッシングであることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記基板はシリコン基板であることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記流路は、サンドブラスト法により形成することを特徴とするものである。そして、この発明によれば、フォトレジストとしてドライフィルムからなるものを用い、フォトレジストをその表面に形成された不要な部分の触媒層と共に引き剥がして除去しているので、ドライフィルムからなるフォトレジストを、流路内に残存される触媒層にダメージを与えることなく、良好に除去することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態としての小型化学反応装置の透過平面図を示し、図２はそのＡ−Ａ線に沿う断面図を示したものである。この小型化学反応装置は小型のシリコン基板２１を備えている。シリコン基板２１の寸法は、一例として、長さ２５ｍｍ程度、幅１７ｍｍ程度、厚さ０．６〜１ｍｍ程度である。シリコン基板２１の一面には、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路２２が形成されている。流路２２の寸法は、一例として、幅０．２〜０．８ｍｍ程度、深さ０．２〜０．６ｍｍ程度であり、全長は３０〜１０００ｍｍ程度である。
【００１２】
流路２２の内壁面には触媒層２３が形成されている。シリコン基板２１の一面には蓋となる厚さ０．７ｍｍ程度のガラス板２４が接合されている。ガラス板２４の流路２２の両端部に対応する所定の２箇所には流入口２５および流出口２６が形成されている。
【００１３】
シリコン基板２１の他面にはＴａＳｉＯｘやＴａＳｉＯｘＮなどの抵抗体薄膜からなる蛇行した薄膜ヒータ２７が形成されている。薄膜ヒータ２７は、この小型化学反応装置における化学反応（触媒反応）が所定の熱条件による吸熱反応を伴うとき、化学反応時に流路２２内の触媒層２３に所定の熱エネルギを供給するためのものである。この場合、蛇行した薄膜ヒータ２７は、蛇行した流路２２と平面的に一致していないが、一致させるようにしてもよい。また、薄膜ヒータ２７は流路２２全面を覆うようなべた状としてもよい。
【００１４】
シリコン基板２１の他面には、一面の中央部に座ぐり加工により凹部２９が形成された厚さ０．７ｍｍ程度のガラス板２８の周辺部が接合されている。ガラス板２８は、薄膜ヒータ２７を保護するほかに、薄膜ヒータ２７の熱拡散を防止し、熱効率を良くするためのものである。また、凹部２９内は、断熱性能を高めるため、真空とされている。
【００１５】
次に、この小型化学反応装置の製造方法の第１の例について説明する。まず、図３に示すように、小型のシリコン基板２１の一面に、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路２２を形成する。この場合、流路２２の形成は、ウェットエッチングやドライエッチングによって行ってもよいが、サンドブラスト法によって行うことが好ましい。すなわち、サンドブラスト法は、加工レートが速く、また装置が比較的安価であるからである。
【００１６】
次に、シリコン基板２１の一面にドライフィルムからなるフォトレジスト３１を貼り付ける。この状態では、フォトレジスト３１がドライフィルムであるため、流路２２内は空洞となる。次に、図４に示すように、フォトレジスト３１をパターニングして、フォトレジスト３１の流路２２に対応する部分に開口部３２を形成する。この場合、図４では、開口部３２の幅を流路２２の幅と同じとしているが、開口部３２の幅は流路２２の幅よりもやや小さくした方が好ましい。その理由については、後で説明する。
【００１７】
次に、図５に示すように、流路２２の内壁面および開口部３２の内壁面を含むフォトレジスト３１の表面に、触媒粒子を溶媒中に分散させてなる触媒溶液を塗布することにより、あるいはスパッタリング法などの物理的成膜法により、触媒層２３を形成する。次に、フォトレジスト３１をその表面に形成された不要な部分の触媒層２３と共に機械的力により引き剥がして除去すると、図６に示すように、流路２２の内壁面にのみ触媒層２３が残存される。
【００１８】
このように、フォトレジスト３１としてドライフィルムからなるものを用い、フォトレジスト３１をその表面に形成された不要な部分の触媒層２３と共に機械的力により引き剥がして除去しているので、ドライフィルムからなるフォトレジスト３１を、流路２２内に残存される触媒層２３にダメージを与えることなく、良好に除去することができる。
【００１９】
ところで、フォトレジスト３１を機械的力により引き剥がしたとき、シリコン基板２１の一面上にレジスト残渣（スカム）がわずかに残存した場合には、当該レジスト残渣を酸素プラズマアッシングなどのディスカム処理により除去する。これは、シリコン基板２１の一面へのガラス板２４の後述する接合を確実とするためである。
【００２０】
ここで、図３に示すように、一面に流路２２が形成されたシリコン基板２１の一面にドライフィルからなるフォトレジスト３１を貼り付け、次いで図４に示すように、フォトレジスト３１をパターニングして、フォトレジスト３１の流路２２に対応する部分に開口部３２を形成しているので、流路２２に対する開口部３２の位置がずれる場合がある。そこで、上述の如く、開口部３２の幅を流路２２の幅よりもやや小さくしておくと、流路２２に対する開口部３２の位置がずれても、流路２２の近傍におけるシリコン基板２１の一面上に触媒層２３が全く残存しないようにすることができる。これは、上記と同様に、シリコン基板２１の一面へのガラス板２４の後述する接合を確実とするためである。
【００２１】
次に、図１および図２に示すように、シリコン基板２１の他面にＴａＳｉＯｘやＴａＳｉＯｘＮなどの抵抗体薄膜からなる蛇行した薄膜ヒータ２７を形成する。次に、ガラス板２４に、サンドブラスト法により、流入口２５および流出口２６を形成したもの用意する。また、ガラス板２８に、座ぐり加工により、凹部２９を形成したもの用意する。
【００２２】
次に、シリコン基板２１の一面にガラス板２４を重ね合わせ、陽極接合処理を行うことにより、シリコン基板２１の一面にガラス板２４を接合する。また、シリコン基板２１の他面にガラス板２８を重ね合わせ、陽極接合処理を行うことにより、シリコン基板２１の他面にガラス板２８を接合する。
【００２３】
ここで、代表として、シリコン基板２１の一面にガラス板２４を接合する陽極接合処理について説明する。シリコン基板２１の一面にガラス板２４を重ね合わせ、シリコン基板２１側を陽極とし、ガラス板２４側を陰極とする。そして、シリコン基板２１およびガラス板２４を４００〜６００℃程度に加熱した状態で、両極間に１ｋＶ程度の直流電圧を印加する。
【００２４】
すると、ガラス板２４内の不純物である陽イオンがシリコン基板２１から離れる方向に移動し、ガラス板２４のシリコン基板２１側の界面に酸素イオンの濃度の高い層が現れる。すると、シリコン基板２１のガラス板２４側の界面のシリコン原子とガラス板２４のシリコン基板２１側の界面の酸素イオンとが結合し、強固な接合界面が得られる。
【００２５】
この場合、シリコン基板２１およびガラス板２４を４００〜６００℃程度に加熱し、両極間に１ｋＶ程度の直流電圧を印加するのは、ガラス板２４内の不純物である陽イオンがシリコン基板２１から離れる方向に移動する速度を高くするためである。
【００２６】
次に、図１および図２に示す小型化学反応装置の製造方法の第２の例について説明する。まず、図７に示すように、小型のシリコン基板２１の一面にドライフィルムからなるフォトレジスト３１を貼り付ける。次に、図８に示すように、フォトレジスト３１をパターニングして、フォトレジスト３１の流路形成領域に対応する部分に開口部３２を形成する。次に、フォトレジスト３１をマスクとしたサンドブラスト法により、図４に示すように、シリコン基板２１の一面に蛇行した微小な流路２２を形成する。以下、上記第１の例の場合と同じであるので、省略する。
【００２７】
ところで、上記第１の例の場合には、流路２２に対する開口部３２の位置ずれを許容するには、開口部３２の幅を流路２２の幅よりもやや小さくしなければならず、煩雑であり、またフォトレジスト３１とは別に、流路２２を形成するためのフォトレジストパターンを形成しなければならず、工程数が多い。
【００２８】
これに対し、上記第２の例の場合には、図８に示すように、フォトレジスト３１をパターニングして、フォトレジスト３１の流路形成領域に対応する部分に開口部３２を形成し、次いでフォトレジスト３１をマスクとしたサンドブラスト法により、図４に示すように、シリコン基板２１の一面に流路２２を形成しているので、結果的には、流路２２に対する開口部３２の位置を全く同じとすることができる。また、フォトレジスト３１をマスクとして流路２２を形成しているので、工程数を少なくすることができる。
【００２９】
次に、この発明に係る小型化学反応装置を小型発電型電源に適用した場合について説明する。図９は小型発電型電源の要部のブロック図を示したものである。この小型発電型電源は、燃料部４１、燃料蒸発部４２、水素化部４３、一酸化炭素除去部４４、発電部４５、充電部４６などを備えている。燃料部４１は、発電用燃料（例えばメタノール水溶液）が封入された燃料パックなどからなり、発電用燃料（以下、単に燃料という。）を燃料蒸発部４２に供給する。
【００３０】
燃料蒸発部４２は、図１および図２に示すような構造となっている。ただし、この場合、流路２２内には触媒層２３は形成されていない。また、シリコン基板２１の代わりに、ガラス基板やアルミニウム基板などを用いてもよい。そして、燃料蒸発部４２は、燃料部４１からのメタノール水溶液が流入口２５を介して流路２２内に供給されると、流路２２内において、薄膜ヒータ２７の加熱（１２０℃程度）により、メタノール水溶液を蒸発（気化）させ、この気化された混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）を流出口２６から流出させる。
【００３１】
燃料蒸発部４２で気化された混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）は水素化部４３に供給される。この場合、水素化部４３も、図１および図２に示すような構造となっている。ただし、この場合、触媒層２３はＣｕ／ＺｎＯ／Ａｌ2Ｏ3などからなっている。また、シリコン基板２１の代わりに、ガラス基板などを用いてもよい。そして、水素化部４３は、燃料蒸発部４２からの混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）が流入口２５を介して流路２２内に供給されると、流路２２内において、薄膜ヒータ２７の加熱（２８０℃程度）により、次の式（１）に示すような吸熱反応を引き起こし、水素と副生成物の二酸化炭素とを生成する。
ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ→３Ｈ2＋ＣＯ2……（１）
【００３２】
上記式（１）の左辺における水（Ｈ2Ｏ）は、反応の初期では、燃料部４１の燃料に含まれているものでよいが、後述する発電部４５の発電に伴い生成される水を回収して水素化部４３に供給することが可能である。発電部４５の発電中の上記式（１）の左辺のおける水（Ｈ2Ｏ）の供給源は、発電部４５のみでもよく、発電部４５および燃料部４１でも、また燃料部４１のみでもよい。なお、このとき微量ではあるが、一酸化炭素が水素化部４３内で生成されることがある。
【００３３】
そして、上記式（１）の右辺の生成物および一酸化炭素は水素化部４３の流出口２６から流出される。水素化部４３の流出口２６から流出された生成物のうち、気化状態の水素および一酸化炭素は一酸化炭素除去部４４に供給され、二酸化炭素は分離されて大気中に放出される。
【００３４】
次に、一酸化炭素除去部４４も、図１および図２に示すような構造となっている。ただし、この場合、触媒層２３はＰｔ／Ａｌ2Ｏ3などからなっている。また、シリコン基板２１の代わりに、ガラス基板などを用いてもよい。そして、一酸化炭素除去部４４は、水素化部４３からの気化状態の水素および一酸化炭素が流入口２５を介して流路２２内に供給されると、薄膜ヒータ２７の加熱（１８０℃程度）により、流路２２内に供給された水素、一酸化炭素、水のうち、一酸化炭素と水とが反応し、次の式（２）に示すように、水素と副生成物の二酸化炭素とが生成される。
ＣＯ＋Ｈ2Ｏ→Ｈ2＋ＣＯ2……（２）
【００３５】
上記式（２）の左辺における水（Ｈ2Ｏ）は反応の初期では、燃料部４１の燃料に含まれているものでよいが、発電部４５の発電に伴い生成される水を回収して水素化部４３を供給することが可能である。発電部４５の発電中の式（２）の左辺のおける水の供給源は、発電部４５のみでもよく、発電部４５および燃料部４１でも、また燃料部４１のみでもよい。
【００３６】
そして、最終的に一酸化炭素除去部４４の流出口２６に到達する流体はそのほとんどが水素、二酸化炭素となる。なお、一酸化炭素除去部４４の流出口２６に到達する流体に極微量の一酸化炭素が含まれている場合、残存する一酸化炭素を大気中から逆止弁を介して取り込まれた酸素に接触させることで、次の式（３）に示すように、二酸化炭素が生成され、これにより一酸化炭素が確実に除去される。
ＣＯ＋（１／２）Ｏ2→ＣＯ2……（３）
【００３７】
上記一連の反応後の生成物は水素および二酸化炭素（場合によって微量の水を含む）で構成されるが、これらの生成物のうち、二酸化炭素は水素から分離されて大気中に放出される。したがって、一酸化炭素除去部４４から発電部４５には水素のみが供給される。なお、一酸化炭素除去部４４は、燃料蒸発部４２と水素化部４３との間に設けてもよい。
【００３８】
次に、発電部４５は、図１０に示すように、周知の固体高分子型の燃料電池からなっている。すなわち、発電部４５は、Ｐｔ／Ｃなどの触媒が付着された炭素電極からなるカソード５１と、Ｐｔ／Ｒｕ／Ｃなどの触媒が付着された炭素電極からなるアノード５２と、カソード５１とアノード５２との間に介在されたフィルム状のイオン導電膜５３と、を有して構成され、カソード５１とアノード５２との間に設けられた２次電池やコンデンサなどからなる充電部４６に電力を供給するものである。
【００３９】
この場合、カソード５１の外側には空間部５４が設けられている。この空間部５４内には一酸化炭素除去部４４からの水素が供給される。また、アノード５２の外側には空間部５６が設けられている。この空間部５６内には大気中から義ゅ区止弁を介して取り込まれた酸素が供給される。
【００４０】
そして、カソード５１側では、次の式（４）に示すように、水素から電子（ｅ-）が分離した水素イオン（プロトン；Ｈ+）が発生し、イオン導電膜５３を介してアノード５２側に通過するとともに、カソード５１により電子（ｅ-）が取り出されて充電部４６に供給される。
３Ｈ2→６Ｈ+＋６ｅ-……（４）
【００４１】
一方、アノード５２側では、次の式（５）に示すように、充電部４６を経由して供給された電子（ｅ-）とイオン導電膜６３を通過した水素イオン（Ｈ+）と酸素とが反応して副生成物の水が生成される。
６Ｈ+＋（３／２）Ｏ2＋６ｅ-→３Ｈ2Ｏ……（５）
【００４２】
以上のような一連の電気化学反応（式（４）および式（５））は概ね室温〜８０℃程度の比較的低温の環境下で進行し、電力以外の副生成物は、基本的に水のみとなる。発電部４５で生成された電力は充電部４６に供給され、これにより充電部４６が充電される。
【００４３】
発電部４５で生成された副生成物としての水は回収される。この場合、上述の如く、発電部４５で生成された水の少なくとも一部を水素化部４３に供給するようにすると、燃料部４１内に当初封入される水の量を減らすことができ、また回収される水の量を減らすことができる。
【００４４】
ところで、現在、研究開発が行われている燃料改質方式の燃料電池に適用されている燃料としては、発電部４５により、比較的高いエネルギ変換効率で電気エネルギを生成することができる燃料であって、例えば、メタノール、エタノール、ブタノールなどのアルコール系の液体燃料や、ジメチルエーテル、イソブタン、天然ガス（ＣＮＧ）などの液化ガスなどの常温常圧で気化される水素からなる液体燃料、あるいは、水素ガスなどの気体燃料などの流体物質を良好に適用することができる。
【００４５】
なお、上述したメタノール水溶液の蒸発改質反応に限定されるものではなく、少なくとも、所定の熱条件下で生じる化学反応（吸熱反応）であれば、良好に適用することができる。また、化学反応により生成される所定の流体物質を発電用燃料として用いて発電を行うことができるものであれば、上記燃料電池に限定されるものではない。
【００４６】
したがって、化学反応により生成された流体物質の燃焼反応に伴う熱エネルギによるもの（温度差発電）や、燃焼反応などに伴う圧力エネルギを用いて発電器を回転させて電力を発生する力学的なエネルギ変換作用などによるもの（ガス燃焼タービンやロータリーエンジン、スターリングエンジンなどの内燃、外燃機関発電）、また、発電用燃料の流体エネルギや熱エネルギを電磁誘導の原理などを利用して電力に変換するもの（電磁流体力学発電、熱音響効果発電など）など、種々の形態を有する発電装置を用いることができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、フォトレジストとしてドライフィルムからなるものを用い、フォトレジストをその表面に形成された不要な部分の触媒層と共に引き剥がして除去しているので、ドライフィルムからなるフォトレジストを、流路内に残存される触媒層にダメージを与えることなく、良好に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態としての小型化学反応装置の透過平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図３】図１および図２に示す小型化学反応装置の第１の例の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図１および図２に示す小型化学反応装置の第２の例の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】この発明に係る小型化学反応装置を備えた小型発電型電源の一例の要部のブロック図。
【図１０】図９に示す小型発電型電源の発電部の概略構成図。
【図１１】従来の小型化学反応装置の一例の透過平面図。
【図１２】図１１のＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図１３】図１１および図１２に示す小型化学反応装置の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【符号の説明】
２１ シリコン基板
２２ 流路
２３ 触媒層
２４ ガラス板
２５ 流入口
２６ 流出口
２７ 薄膜ヒータ
２８ ガラス板
２９ 凹部
３１ フォトレジスト
３２ 開口部
【発明の属する技術分野】
この発明は小型化学反応装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
化学反応の技術分野では、流体化された混合物質を流路内に設けられた触媒による化学反応（触媒反応）により、所望の流体物質を生成する化学反応装置が知られている。従来のこのような化学反応装置には、半導体集積回路などの半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、シリコン基板上にミクロンオーダーあるいはミリメートルオーダーの流路を形成したものがある。
【０００３】
図１１は従来のこのような小型化学反応装置の一例の透過平面図を示し、図１２はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図を示したものである。この小型化学反応装置は小型のシリコン基板１を備えている。シリコン基板１の一面には、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路２が形成されている。流路２の内壁面には触媒層３が形成されている。シリコン基板１の一面には蓋となるガラス板４が接合されている。ガラス板４の流路２の両端部に対応する所定の２箇所には流入口５および流出口６が形成されている。
【０００４】
シリコン基板１の他面には蛇行した薄膜ヒータ７が形成されている。薄膜ヒータ７は、この小型化学反応装置における化学反応（触媒反応）が所定の熱条件による吸熱反応を伴うとき、化学反応時に流路２内の触媒層３に所定の熱エネルギを供給するためのものである。シリコン基板１の他面には、該他面との対向面の中央部に座ぐり加工により凹部９が形成されたガラス板８の周辺部が接合されている。ガラス板８は、薄膜ヒータ７を保護するほかに、薄膜ヒータ７の熱拡散を防止し、熱効率を良くするためのものである。また、凹部９内は、断熱性能を高めるため、真空とされている。
【０００５】
次に、この小型化学反応装置のシリコン基板１の流路２の部分の製造方法の一例について説明する。まず、図１３に示すように、小型のシリコン基板１の一面に、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路２を形成する。次に、流路２内を含むシリコン基板１の一面に塗布されたフォトレジストをパターニングすることにより、流路２に対応する部分に開口部１２を有するフォトレジスト１１を形成する。
【０００６】
次に、図１４に示すように、流路２内および開口部１２内を含むフォトレジスト１１の表面に触媒層３を形成する。次に、フォトレジスト１１をその表面に形成された触媒層３の不要な部分と共に除去すると、図１５に示すように、流路２の内壁面にのみ触媒層３が残存される。この場合、フォトレジスト１１の除去は、剥離液を用いる方法、あるいは酸素プラズマアッシングによる方法がある。
【０００７】
次に、上記構成の小型化学反応装置の使用例について説明する。例えば、近年、実用化に向けて研究開発が目覚ましい燃料改質型の小型燃料電池（小型発電型電源）では、上記構成の小型化学反応装置を用いて、メタノール水溶液を蒸発（気化）させて得られた混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）から水素（発電用燃料）を生成することがある。
【０００８】
すなわち、薄膜ヒータ７の発熱により流路２内が所定の温度となるように加熱した状態において、上記混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）が流入口５を介して流路２内に供給されると、流路２内の触媒層３による吸熱反応が生じて、水素と副生成物としての二酸化炭素が生成される。そして、この生成物のうち、二酸化炭素を水素から分離して除去すると、水素のみを発電用燃料として小型燃料電池に供給することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の製造方法では、剥離液を用いて、フォトレジスト１１をその表面に形成された触媒層３の不要な部分と共に除去する場合には、流路２の内壁面に残存される触媒層３が剥離液と接触してダメージを受けることがあり、またフォトレジスト１１の表面に形成された触媒層３が邪魔となり、剥離液がフォトレジスト１１まで十分に到達せず、フォトレジスト１１を良好に除去することができない場合があるという問題があった。また、酸素プラズマアッシングにより、フォトレジスト１１をその表面に形成された触媒層３の不要な部分と共に除去する場合には、フォトレジスト１１の表面に形成された触媒層３が蔭となり、プラズマ種がフォトレジスト１１まで十分に到達せず、フォトレジスト１１を良好に除去することができない場合があるという問題があった。また、このような問題を解消するためにメタルマスクを用いた印刷を試みると、小型化学反応装置で求められるラインアンドスペースの高精細なピッチの流路表面に触媒溶液を塗布することが困難なため、化学反応装置の小型化の障害となっていた。
そこで、この発明は、高精細なピッチの流路内に触媒層を形成するためのフォトレジストを、流路内に残存される触媒層にダメージを与えることなく、良好に除去することができる小型化学反応装置の製造方法を提供することを利点とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、小型の基板の一面に微小な流路を形成し、前記基板の一面にドライフィルムからなるフォトレジストを貼り付け、前記フォトレジストの前記流路に対応する部分に、前記流路の幅よりもやや小さい幅の開口部を形成し、前記流路内および前記開口部内を含む前記フォトレジストの表面に触媒層を形成し、前記フォトレジストをその表面に形成された不要な部分の前記触媒層と共に引き剥がして除去することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記フォトレジストを引き剥がして除去した後に、ディスカム処理を行うことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ディスカム処理は酸素プラズマアッシングであることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記基板はシリコン基板であることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記流路は、サンドブラスト法により形成することを特徴とするものである。そして、この発明によれば、フォトレジストとしてドライフィルムからなるものを用い、フォトレジストをその表面に形成された不要な部分の触媒層と共に引き剥がして除去しているので、ドライフィルムからなるフォトレジストを、流路内に残存される触媒層にダメージを与えることなく、良好に除去することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態としての小型化学反応装置の透過平面図を示し、図２はそのＡ−Ａ線に沿う断面図を示したものである。この小型化学反応装置は小型のシリコン基板２１を備えている。シリコン基板２１の寸法は、一例として、長さ２５ｍｍ程度、幅１７ｍｍ程度、厚さ０．６〜１ｍｍ程度である。シリコン基板２１の一面には、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路２２が形成されている。流路２２の寸法は、一例として、幅０．２〜０．８ｍｍ程度、深さ０．２〜０．６ｍｍ程度であり、全長は３０〜１０００ｍｍ程度である。
【００１２】
流路２２の内壁面には触媒層２３が形成されている。シリコン基板２１の一面には蓋となる厚さ０．７ｍｍ程度のガラス板２４が接合されている。ガラス板２４の流路２２の両端部に対応する所定の２箇所には流入口２５および流出口２６が形成されている。
【００１３】
シリコン基板２１の他面にはＴａＳｉＯｘやＴａＳｉＯｘＮなどの抵抗体薄膜からなる蛇行した薄膜ヒータ２７が形成されている。薄膜ヒータ２７は、この小型化学反応装置における化学反応（触媒反応）が所定の熱条件による吸熱反応を伴うとき、化学反応時に流路２２内の触媒層２３に所定の熱エネルギを供給するためのものである。この場合、蛇行した薄膜ヒータ２７は、蛇行した流路２２と平面的に一致していないが、一致させるようにしてもよい。また、薄膜ヒータ２７は流路２２全面を覆うようなべた状としてもよい。
【００１４】
シリコン基板２１の他面には、一面の中央部に座ぐり加工により凹部２９が形成された厚さ０．７ｍｍ程度のガラス板２８の周辺部が接合されている。ガラス板２８は、薄膜ヒータ２７を保護するほかに、薄膜ヒータ２７の熱拡散を防止し、熱効率を良くするためのものである。また、凹部２９内は、断熱性能を高めるため、真空とされている。
【００１５】
次に、この小型化学反応装置の製造方法の第１の例について説明する。まず、図３に示すように、小型のシリコン基板２１の一面に、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路２２を形成する。この場合、流路２２の形成は、ウェットエッチングやドライエッチングによって行ってもよいが、サンドブラスト法によって行うことが好ましい。すなわち、サンドブラスト法は、加工レートが速く、また装置が比較的安価であるからである。
【００１６】
次に、シリコン基板２１の一面にドライフィルムからなるフォトレジスト３１を貼り付ける。この状態では、フォトレジスト３１がドライフィルムであるため、流路２２内は空洞となる。次に、図４に示すように、フォトレジスト３１をパターニングして、フォトレジスト３１の流路２２に対応する部分に開口部３２を形成する。この場合、図４では、開口部３２の幅を流路２２の幅と同じとしているが、開口部３２の幅は流路２２の幅よりもやや小さくした方が好ましい。その理由については、後で説明する。
【００１７】
次に、図５に示すように、流路２２の内壁面および開口部３２の内壁面を含むフォトレジスト３１の表面に、触媒粒子を溶媒中に分散させてなる触媒溶液を塗布することにより、あるいはスパッタリング法などの物理的成膜法により、触媒層２３を形成する。次に、フォトレジスト３１をその表面に形成された不要な部分の触媒層２３と共に機械的力により引き剥がして除去すると、図６に示すように、流路２２の内壁面にのみ触媒層２３が残存される。
【００１８】
このように、フォトレジスト３１としてドライフィルムからなるものを用い、フォトレジスト３１をその表面に形成された不要な部分の触媒層２３と共に機械的力により引き剥がして除去しているので、ドライフィルムからなるフォトレジスト３１を、流路２２内に残存される触媒層２３にダメージを与えることなく、良好に除去することができる。
【００１９】
ところで、フォトレジスト３１を機械的力により引き剥がしたとき、シリコン基板２１の一面上にレジスト残渣（スカム）がわずかに残存した場合には、当該レジスト残渣を酸素プラズマアッシングなどのディスカム処理により除去する。これは、シリコン基板２１の一面へのガラス板２４の後述する接合を確実とするためである。
【００２０】
ここで、図３に示すように、一面に流路２２が形成されたシリコン基板２１の一面にドライフィルからなるフォトレジスト３１を貼り付け、次いで図４に示すように、フォトレジスト３１をパターニングして、フォトレジスト３１の流路２２に対応する部分に開口部３２を形成しているので、流路２２に対する開口部３２の位置がずれる場合がある。そこで、上述の如く、開口部３２の幅を流路２２の幅よりもやや小さくしておくと、流路２２に対する開口部３２の位置がずれても、流路２２の近傍におけるシリコン基板２１の一面上に触媒層２３が全く残存しないようにすることができる。これは、上記と同様に、シリコン基板２１の一面へのガラス板２４の後述する接合を確実とするためである。
【００２１】
次に、図１および図２に示すように、シリコン基板２１の他面にＴａＳｉＯｘやＴａＳｉＯｘＮなどの抵抗体薄膜からなる蛇行した薄膜ヒータ２７を形成する。次に、ガラス板２４に、サンドブラスト法により、流入口２５および流出口２６を形成したもの用意する。また、ガラス板２８に、座ぐり加工により、凹部２９を形成したもの用意する。
【００２２】
次に、シリコン基板２１の一面にガラス板２４を重ね合わせ、陽極接合処理を行うことにより、シリコン基板２１の一面にガラス板２４を接合する。また、シリコン基板２１の他面にガラス板２８を重ね合わせ、陽極接合処理を行うことにより、シリコン基板２１の他面にガラス板２８を接合する。
【００２３】
ここで、代表として、シリコン基板２１の一面にガラス板２４を接合する陽極接合処理について説明する。シリコン基板２１の一面にガラス板２４を重ね合わせ、シリコン基板２１側を陽極とし、ガラス板２４側を陰極とする。そして、シリコン基板２１およびガラス板２４を４００〜６００℃程度に加熱した状態で、両極間に１ｋＶ程度の直流電圧を印加する。
【００２４】
すると、ガラス板２４内の不純物である陽イオンがシリコン基板２１から離れる方向に移動し、ガラス板２４のシリコン基板２１側の界面に酸素イオンの濃度の高い層が現れる。すると、シリコン基板２１のガラス板２４側の界面のシリコン原子とガラス板２４のシリコン基板２１側の界面の酸素イオンとが結合し、強固な接合界面が得られる。
【００２５】
この場合、シリコン基板２１およびガラス板２４を４００〜６００℃程度に加熱し、両極間に１ｋＶ程度の直流電圧を印加するのは、ガラス板２４内の不純物である陽イオンがシリコン基板２１から離れる方向に移動する速度を高くするためである。
【００２６】
次に、図１および図２に示す小型化学反応装置の製造方法の第２の例について説明する。まず、図７に示すように、小型のシリコン基板２１の一面にドライフィルムからなるフォトレジスト３１を貼り付ける。次に、図８に示すように、フォトレジスト３１をパターニングして、フォトレジスト３１の流路形成領域に対応する部分に開口部３２を形成する。次に、フォトレジスト３１をマスクとしたサンドブラスト法により、図４に示すように、シリコン基板２１の一面に蛇行した微小な流路２２を形成する。以下、上記第１の例の場合と同じであるので、省略する。
【００２７】
ところで、上記第１の例の場合には、流路２２に対する開口部３２の位置ずれを許容するには、開口部３２の幅を流路２２の幅よりもやや小さくしなければならず、煩雑であり、またフォトレジスト３１とは別に、流路２２を形成するためのフォトレジストパターンを形成しなければならず、工程数が多い。
【００２８】
これに対し、上記第２の例の場合には、図８に示すように、フォトレジスト３１をパターニングして、フォトレジスト３１の流路形成領域に対応する部分に開口部３２を形成し、次いでフォトレジスト３１をマスクとしたサンドブラスト法により、図４に示すように、シリコン基板２１の一面に流路２２を形成しているので、結果的には、流路２２に対する開口部３２の位置を全く同じとすることができる。また、フォトレジスト３１をマスクとして流路２２を形成しているので、工程数を少なくすることができる。
【００２９】
次に、この発明に係る小型化学反応装置を小型発電型電源に適用した場合について説明する。図９は小型発電型電源の要部のブロック図を示したものである。この小型発電型電源は、燃料部４１、燃料蒸発部４２、水素化部４３、一酸化炭素除去部４４、発電部４５、充電部４６などを備えている。燃料部４１は、発電用燃料（例えばメタノール水溶液）が封入された燃料パックなどからなり、発電用燃料（以下、単に燃料という。）を燃料蒸発部４２に供給する。
【００３０】
燃料蒸発部４２は、図１および図２に示すような構造となっている。ただし、この場合、流路２２内には触媒層２３は形成されていない。また、シリコン基板２１の代わりに、ガラス基板やアルミニウム基板などを用いてもよい。そして、燃料蒸発部４２は、燃料部４１からのメタノール水溶液が流入口２５を介して流路２２内に供給されると、流路２２内において、薄膜ヒータ２７の加熱（１２０℃程度）により、メタノール水溶液を蒸発（気化）させ、この気化された混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）を流出口２６から流出させる。
【００３１】
燃料蒸発部４２で気化された混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）は水素化部４３に供給される。この場合、水素化部４３も、図１および図２に示すような構造となっている。ただし、この場合、触媒層２３はＣｕ／ＺｎＯ／Ａｌ2Ｏ3などからなっている。また、シリコン基板２１の代わりに、ガラス基板などを用いてもよい。そして、水素化部４３は、燃料蒸発部４２からの混合ガス（ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ）が流入口２５を介して流路２２内に供給されると、流路２２内において、薄膜ヒータ２７の加熱（２８０℃程度）により、次の式（１）に示すような吸熱反応を引き起こし、水素と副生成物の二酸化炭素とを生成する。
ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ→３Ｈ2＋ＣＯ2……（１）
【００３２】
上記式（１）の左辺における水（Ｈ2Ｏ）は、反応の初期では、燃料部４１の燃料に含まれているものでよいが、後述する発電部４５の発電に伴い生成される水を回収して水素化部４３に供給することが可能である。発電部４５の発電中の上記式（１）の左辺のおける水（Ｈ2Ｏ）の供給源は、発電部４５のみでもよく、発電部４５および燃料部４１でも、また燃料部４１のみでもよい。なお、このとき微量ではあるが、一酸化炭素が水素化部４３内で生成されることがある。
【００３３】
そして、上記式（１）の右辺の生成物および一酸化炭素は水素化部４３の流出口２６から流出される。水素化部４３の流出口２６から流出された生成物のうち、気化状態の水素および一酸化炭素は一酸化炭素除去部４４に供給され、二酸化炭素は分離されて大気中に放出される。
【００３４】
次に、一酸化炭素除去部４４も、図１および図２に示すような構造となっている。ただし、この場合、触媒層２３はＰｔ／Ａｌ2Ｏ3などからなっている。また、シリコン基板２１の代わりに、ガラス基板などを用いてもよい。そして、一酸化炭素除去部４４は、水素化部４３からの気化状態の水素および一酸化炭素が流入口２５を介して流路２２内に供給されると、薄膜ヒータ２７の加熱（１８０℃程度）により、流路２２内に供給された水素、一酸化炭素、水のうち、一酸化炭素と水とが反応し、次の式（２）に示すように、水素と副生成物の二酸化炭素とが生成される。
ＣＯ＋Ｈ2Ｏ→Ｈ2＋ＣＯ2……（２）
【００３５】
上記式（２）の左辺における水（Ｈ2Ｏ）は反応の初期では、燃料部４１の燃料に含まれているものでよいが、発電部４５の発電に伴い生成される水を回収して水素化部４３を供給することが可能である。発電部４５の発電中の式（２）の左辺のおける水の供給源は、発電部４５のみでもよく、発電部４５および燃料部４１でも、また燃料部４１のみでもよい。
【００３６】
そして、最終的に一酸化炭素除去部４４の流出口２６に到達する流体はそのほとんどが水素、二酸化炭素となる。なお、一酸化炭素除去部４４の流出口２６に到達する流体に極微量の一酸化炭素が含まれている場合、残存する一酸化炭素を大気中から逆止弁を介して取り込まれた酸素に接触させることで、次の式（３）に示すように、二酸化炭素が生成され、これにより一酸化炭素が確実に除去される。
ＣＯ＋（１／２）Ｏ2→ＣＯ2……（３）
【００３７】
上記一連の反応後の生成物は水素および二酸化炭素（場合によって微量の水を含む）で構成されるが、これらの生成物のうち、二酸化炭素は水素から分離されて大気中に放出される。したがって、一酸化炭素除去部４４から発電部４５には水素のみが供給される。なお、一酸化炭素除去部４４は、燃料蒸発部４２と水素化部４３との間に設けてもよい。
【００３８】
次に、発電部４５は、図１０に示すように、周知の固体高分子型の燃料電池からなっている。すなわち、発電部４５は、Ｐｔ／Ｃなどの触媒が付着された炭素電極からなるカソード５１と、Ｐｔ／Ｒｕ／Ｃなどの触媒が付着された炭素電極からなるアノード５２と、カソード５１とアノード５２との間に介在されたフィルム状のイオン導電膜５３と、を有して構成され、カソード５１とアノード５２との間に設けられた２次電池やコンデンサなどからなる充電部４６に電力を供給するものである。
【００３９】
この場合、カソード５１の外側には空間部５４が設けられている。この空間部５４内には一酸化炭素除去部４４からの水素が供給される。また、アノード５２の外側には空間部５６が設けられている。この空間部５６内には大気中から義ゅ区止弁を介して取り込まれた酸素が供給される。
【００４０】
そして、カソード５１側では、次の式（４）に示すように、水素から電子（ｅ-）が分離した水素イオン（プロトン；Ｈ+）が発生し、イオン導電膜５３を介してアノード５２側に通過するとともに、カソード５１により電子（ｅ-）が取り出されて充電部４６に供給される。
３Ｈ2→６Ｈ+＋６ｅ-……（４）
【００４１】
一方、アノード５２側では、次の式（５）に示すように、充電部４６を経由して供給された電子（ｅ-）とイオン導電膜６３を通過した水素イオン（Ｈ+）と酸素とが反応して副生成物の水が生成される。
６Ｈ+＋（３／２）Ｏ2＋６ｅ-→３Ｈ2Ｏ……（５）
【００４２】
以上のような一連の電気化学反応（式（４）および式（５））は概ね室温〜８０℃程度の比較的低温の環境下で進行し、電力以外の副生成物は、基本的に水のみとなる。発電部４５で生成された電力は充電部４６に供給され、これにより充電部４６が充電される。
【００４３】
発電部４５で生成された副生成物としての水は回収される。この場合、上述の如く、発電部４５で生成された水の少なくとも一部を水素化部４３に供給するようにすると、燃料部４１内に当初封入される水の量を減らすことができ、また回収される水の量を減らすことができる。
【００４４】
ところで、現在、研究開発が行われている燃料改質方式の燃料電池に適用されている燃料としては、発電部４５により、比較的高いエネルギ変換効率で電気エネルギを生成することができる燃料であって、例えば、メタノール、エタノール、ブタノールなどのアルコール系の液体燃料や、ジメチルエーテル、イソブタン、天然ガス（ＣＮＧ）などの液化ガスなどの常温常圧で気化される水素からなる液体燃料、あるいは、水素ガスなどの気体燃料などの流体物質を良好に適用することができる。
【００４５】
なお、上述したメタノール水溶液の蒸発改質反応に限定されるものではなく、少なくとも、所定の熱条件下で生じる化学反応（吸熱反応）であれば、良好に適用することができる。また、化学反応により生成される所定の流体物質を発電用燃料として用いて発電を行うことができるものであれば、上記燃料電池に限定されるものではない。
【００４６】
したがって、化学反応により生成された流体物質の燃焼反応に伴う熱エネルギによるもの（温度差発電）や、燃焼反応などに伴う圧力エネルギを用いて発電器を回転させて電力を発生する力学的なエネルギ変換作用などによるもの（ガス燃焼タービンやロータリーエンジン、スターリングエンジンなどの内燃、外燃機関発電）、また、発電用燃料の流体エネルギや熱エネルギを電磁誘導の原理などを利用して電力に変換するもの（電磁流体力学発電、熱音響効果発電など）など、種々の形態を有する発電装置を用いることができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、フォトレジストとしてドライフィルムからなるものを用い、フォトレジストをその表面に形成された不要な部分の触媒層と共に引き剥がして除去しているので、ドライフィルムからなるフォトレジストを、流路内に残存される触媒層にダメージを与えることなく、良好に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態としての小型化学反応装置の透過平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図３】図１および図２に示す小型化学反応装置の第１の例の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図１および図２に示す小型化学反応装置の第２の例の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】この発明に係る小型化学反応装置を備えた小型発電型電源の一例の要部のブロック図。
【図１０】図９に示す小型発電型電源の発電部の概略構成図。
【図１１】従来の小型化学反応装置の一例の透過平面図。
【図１２】図１１のＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図１３】図１１および図１２に示す小型化学反応装置の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【符号の説明】
２１ シリコン基板
２２ 流路
２３ 触媒層
２４ ガラス板
２５ 流入口
２６ 流出口
２７ 薄膜ヒータ
２８ ガラス板
２９ 凹部
３１ フォトレジスト
３２ 開口部
Claims (5)
- 小型の基板の一面に微小な流路を形成し、前記基板の一面にドライフィルムからなるフォトレジストを貼り付け、前記フォトレジストの前記流路に対応する部分に、前記流路の幅よりもやや小さい幅の開口部を形成し、前記流路内および前記開口部内を含む前記フォトレジストの表面に触媒層を形成し、前記フォトレジストをその表面に形成された不要な部分の前記触媒層と共に引き剥がして除去することを特徴とする小型化学反応装置の製造方法。
- 請求項１に記載の発明において、前記フォトレジストを引き剥がして除去した後に、ディスカム処理を行うことを特徴とする小型化学反応装置の製造方法。
- 請求項２に記載の発明において、前記ディスカム処理は酸素プラズマアッシングであることを特徴とする小型化学反応装置の製造方法。
- 請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする小型化学反応装置の製造方法。
- 請求項４に記載の発明において、前記流路は、サンドブラスト法により形成することを特徴とする小型化学反応装置の製造方法。
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