JP4053483B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4053483B2 JP4053483B2 JP2003310256A JP2003310256A JP4053483B2 JP 4053483 B2 JP4053483 B2 JP 4053483B2 JP 2003310256 A JP2003310256 A JP 2003310256A JP 2003310256 A JP2003310256 A JP 2003310256A JP 4053483 B2 JP4053483 B2 JP 4053483B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide film
- semiconductor
- semiconductor element
- film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
1)半導体素子と配線基板間の少なくとも一部に中空部を有するように半導体素子が搭載された実装基板を準備し、
2)前記実装基板と可とう性ポリイミドフィルムとを、真空化又は排気化手段と加圧気体による加圧手段を有する成形室内に、前記実装基板の半導体素子接続面側と前記可とう性ポリイミドフィルムとを対向して配置し、
3)成形室内を所定時間真空状態に保持し、その後、前記加圧手段に加圧気体を供給することにより、実装基板の半導体素子接続面の略全面を前記可とう性ポリイミドフィルムで密着、被覆すること、及び
4)前記可とう性ポリイミドフィルムがシロキサン変性ポリイミドフィルムであって、半導体素子周囲の密着、被覆が加熱硬化を伴って行われること、を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明によって製造される半導体装置は、実装基板の半導体素子接続面側であって、複数の半導体素子を含む範囲の面が、可とう性ポリイミドフィルムにより、一括で被覆されている。そして、実装基板は、配線基板に複数の半導体素子が、配線基板と半導体素子との間に中空部を有するように搭載されている。すなわち、半導体装置の個々の半導体素子はポリイミドフィルムによって保護されている。
次に、可とう性ポリイミドフィルムについて更に詳細に説明する。
NH2―Ar3(X)m―NH2 (3)
(但し、Ar3は3価又は4価の芳香族基を示し、Xは水酸基、アミノ基、カルボキシル基を示し、mは1又は2を示す)
図1は本発明の半導体装置の一例である弾性表面波装置の一部を示す概略断面図である。図1の例では、半導体素子2が銅などの導体層から形成される配線回路5を有する配線基板1に接続部4を介して電気的に接続されており、更に、半導体素子2と配線基板1との間には、中空部(空間)6を残して、半導体素子全体2とその周辺の配線基板1を覆うようにポリイミドフィルムによる被覆層3が形成されている。この例では接続部4はバンプにより構成されているが、本発明はこの接続部分を特徴とするものではないので、この電気的接続構造には制限されない。図1において、被覆層3を除いた部分を実装基板といい、配線基板1上に半導体素子2が搭載された面を半導体素子接続面という。本発明の製造方法は、半導体素子の厚さが0.2〜1mmの範囲のものに対して有利である。
本発明では、製造装置として、製造装置内の成形室内を真空(減圧)にする手段又は排気する手段(以下、両者を排気手段等ともいう)及び加圧する手段を備えており、これを用いて工程中、真空化、排気又は加圧が行われる。真空ポンプ等の排気手段等は、管14及び15と接続して、成形室内を真空としたり、成形室内のガスを排気したりする。また、コンプレッサー等の加圧手段は、管15と接続して、成形室内を加圧する。管15の先には切替え弁が設けられ、排気手段等と加圧手段との切替えが行われる。この加圧手段は、半導体素子を搭載した実装基板とフィルム材料とを加圧密着させるために使用され、膜体13を介して行われる。
ポリイミド樹脂溶液を離型処理されたアルミ支持基材に、乾燥後50μmになるように塗布し、その後80℃、15分、次いで180℃、60分熱風乾燥機中で乾燥後、アルミ支持基材から引き剥がし、熱処理したポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムを、粘弾性測定装置(レオメトリック社製)で昇温させながら動的粘弾性挙動を調べた。1Hzにおける20〜350℃までの動的損失正接(tanδ)を測定し、そのピークをガラス転移温度とした。
ポリイミド樹脂溶液を離型処理されたアルミ支持基材に、乾燥後50μmになるように塗布し、その後80℃、15分、次いで180℃、60分熱風乾燥機中で乾燥後、アルミ支持基材から引き剥がし、熱処理したポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムを用いて、粘弾性測定装置(レオメトリック社製)で1Hzにおける20〜350℃までの貯蔵弾性率E'の測定を行った。このときの25℃における測定値を貯蔵弾性率E’の値とした。
ポリイミド樹脂溶液を離型処理されたアルミ支持基材に、乾燥後50μmになるように塗布し、その後80℃、15分、次いで120℃、10分熱風乾燥機中で乾燥後、アルミ支持基材から引き剥がしポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムを厚さ0.5mmのアルミナセラミック板(京セラ製A-445)とポリイミドフィルム層とが接するように、160℃、0.5MPa、60秒間のラミネート条件で名機製作所製真空ラミネーターMVLP-500を用いてラミネートした。その後、180℃、60分間熱風乾燥機中で加熱による硬化処理を行い、ポリイミドフィルム層を被覆したアルミナセラミック板を形成した。引張試験機にてアルミナセラミック板とポリイミドフィルムの90度方向での接着強度を引張り速度20mm/分の条件にて常温で測定した値をピール強度とした。
乾燥窒素ガス導入管、温度計、攪拌機を備えた、500mlのセパラブルフラスコに3,3',4,4'-オキシジフタル酸二無水物(ODPA)71.59g 0.2308モル、トリエチレングリコールジメチルエーテル130gを入れ、窒素ガスを流し、系中を室温で良く混合した。次に、PSX-X(平均分子量740のジアミノシロキサン:東レダウコーニング社製 BY16-853X)100.00g 0.1316モルを滴下し、室温で約2時間撹拌した。続いて、この反応溶液を窒素雰囲気下において190℃に加熱して、縮合水を除去しながら15時間加熱攪拌した。次いで、この反応溶液を室温まで冷却し、1,5-ビス(4-アミノフェノキシ)ペンタン28.41g 0.0992 モル及びトリグライム150gを加え、この反応溶液を窒素雰囲気下40℃に加熱して約2時間撹拌し、ポリイミド前駆体樹脂溶液を得た。
前記した各測定条件によりフィルム特性を測定したところ、ガラス転移温度が48℃、貯蔵弾性率が0.5GPa、ピール強度が1.5kN/mであった。
乾燥窒素ガス導入管、温度計、攪拌機を備えた、500mlのセパラブルフラスコに3,3',4,4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)0.110モル、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)200g及びキシレン10gを入れ、窒素ガスを流し、系中を室温で良く混合した。次に、PSX-X(平均分子量740のジアミノシロキサン:東レダウコーニング社製 BY16-853X)0.015モルを滴下し、この反応溶液を攪拌下で氷冷し、2,2'-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)0.090モル、及び4,4'-ジアミノ-3,3'-ヒドロキシ-ビフェニル(HAB)0.004モルを添加し、室温にて2時間攪拌しポリアミック酸を得た。このポリアミック酸を190℃に昇温、14hr加熱、攪拌を続け、加熱時に発生する水を系外に除きポリイミド樹脂溶液を得た。なお、得られたポリイミド樹脂のイミド化率は赤外吸収スペクトル分析法を用いて測定したところ、イミド閉環により生じるイミド環に起因する吸収ピークが95%以上であり、ほぼ完全にイミド化されたポリイミド樹脂であることが確認された。
2 半導体素子(弾性表面波素子)
3 ポリイミドフィルム(層)
4 接続部
5 配線回路
6 中空部
11 上部熱天板ブロック体
12 下部ブロック体
13 膜体
14、15 管
Claims (3)
- 複数の半導体素子が搭載された実装基板の半導体素子接続面側をポリイミドフィルムにより被覆した半導体装置の製造方法であって、
1)半導体素子と配線基板間の少なくとも一部に中空部を有するように半導体素子が搭載された実装基板を準備し、
2)前記実装基板と可とう性ポリイミドフィルムとを、真空化又は排気化手段と加圧気体による加圧手段を有する成形室内に、前記実装基板の半導体素子接続面側と前記可とう性ポリイミドフィルムとを対向して配置し、
3)前記成形室内を所定時間真空状態に保持し、その後、前記加圧手段に加圧気体を供給することにより、前記実装基板の半導体素子接続面を前記可とう性ポリイミドフィルムで密着、被覆すること、及び
4)前記可とう性ポリイミドフィルムがシロキサン変性ポリイミドフィルムであって、前記半導体素子周囲の密着、被覆が加熱硬化を伴って行われること、
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記実装基板の半導体素子接続面への前記可とう性ポリイミドフィルムの密着が、60〜180℃の範囲で加熱下、加圧気体により形状が変化可能な膜体との接触により行われる請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体素子が弾性表面波用素子であり、配線基板上にフェイスダウン方式で実装された請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003310256A JP4053483B2 (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003310256A JP4053483B2 (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005079453A JP2005079453A (ja) | 2005-03-24 |
JP4053483B2 true JP4053483B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=34412181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003310256A Expired - Fee Related JP4053483B2 (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4053483B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101445614B (zh) * | 2007-11-28 | 2012-02-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作聚酰亚胺有机镂空薄膜的方法 |
CN101960578B (zh) | 2008-04-18 | 2013-01-02 | 松下电器产业株式会社 | 倒装芯片安装方法和倒装芯片安装装置及其所使用的工具保护膜 |
JP5860628B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2016-02-16 | リンテック株式会社 | 転写装置および転写方法 |
JP5953033B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-07-13 | リンテック株式会社 | シート貼付装置および貼付方法 |
JP6027672B2 (ja) * | 2015-12-21 | 2016-11-16 | リンテック株式会社 | 分割装置および分割方法 |
US11166363B2 (en) * | 2019-01-11 | 2021-11-02 | Tactotek Oy | Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node |
-
2003
- 2003-09-02 JP JP2003310256A patent/JP4053483B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005079453A (ja) | 2005-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6819293B2 (ja) | 仮貼り用積層体フィルム、仮貼り用積層体フィルムを用いた基板加工体および積層基板加工体の製造方法、ならびにこれらを用いた半導体装置の製造方法 | |
WO2018237377A1 (en) | CURABLE POLYIMIDES | |
JP6555126B2 (ja) | ポリイミド樹脂、これを用いた樹脂組成物および積層フィルム | |
JP6303503B2 (ja) | 樹脂組成物、硬化膜、積層フィルム、および半導体装置の製造方法 | |
CN108603028B (zh) | 树脂组合物、树脂层、临时粘贴粘接剂、层叠膜、晶片加工体及其应用 | |
US20220204696A1 (en) | Phenolic functionalized polyimides and compositions thereof | |
TWI500733B (zh) | 半導體裝置製造用遮罩片材及使用其之半導體裝置的製造方法 | |
JP3979792B2 (ja) | 静電チャック装置用接着シート及び静電チャック装置 | |
TWI546322B (zh) | 交聯聚醯亞胺樹脂、其製造方法、接著劑樹脂組成物、其硬化物、覆層膜、電路基板、熱傳導性基板及熱傳導性聚醯亞胺膜 | |
JPH08325533A (ja) | 電子部品用接着テープおよび液状接着剤 | |
JP4593187B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4053483B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20040030244A (ko) | 다이싱테입 | |
JP4062941B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001262116A (ja) | 電子部品用接着性ポリイミド樹脂 | |
JP5428964B2 (ja) | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
JP2002299505A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP3724790B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3570202B2 (ja) | 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
JP2001226656A (ja) | 半導体製造装置またはエッチング装置用接着剤、該装置用接着シート及びそれらを用いた構造部品 | |
JP4923678B2 (ja) | 金属箔付フレキシブル基板及びフレキシブルプリント配線板 | |
JP2006190717A (ja) | 半導体集積回路用基板 | |
CN112840747A (zh) | 热基板 | |
JP2004299309A (ja) | 樹脂付硬質基板の製造方法 | |
JPH0778840A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070904 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214 Year of fee payment: 6 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |