JP4049145B2 - 電子部品の実装方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品を配線基板上に搭載した後、電子部品の外周から電子部品と配線基板との間に、樹脂を注入して充填するようにした電子部品の実装方法に関する。

図９は、従来のこの種の一般的な実装方法について、電子部品としてのＩＣチップ１０と配線基板２０とをフリップチップ実装する例として示したものである。図９（ａ）に示す様に、ＩＣチップ１０と配線基板２０とを対向配置させる。両者の対向部において、ＩＣチップ１０には接続用のバンプ１１が形成され、配線基板２０には、バンプ１１に対応して形成された電極２２が形成され、各電極２２の上には、印刷等により半田３０が設けられている。

そして、図９（ｂ）に示す様に、配線基板２０上にＩＣチップ１０を搭載し、半田３０を加熱してリフローさせることにより、配線基板２０とＩＣチップ１０とを、半田３０を介して接合する。

次に、図９（ｃ）に示す様に、配線基板２０のうちＩＣチップ１０の外周部に熱硬化性の樹脂（アンダーフィル材）４１を塗布して配置する。続いて、図９（ｄ）に示す様に、配線基板２０及びＩＣチップ１０全体を加熱して樹脂４１の粘性を下げることにより、毛細管現象を利用してＩＣチップ１０と配線基板２０との間に樹脂４１を注入して充填する。その後、樹脂４１を硬化させる。

このようにして形成された実装構造は、いわゆるアンダーフィル充填構造と言われており、ＩＣチップ１０と配線基板２０との間にアンダーフィル材としての樹脂４１を充填しているため、冷熱サイクルによって半田３０の接合部に加わる熱応力を緩和でき、当該接合部の接続寿命を向上させることができる。

しかしながら、本発明者の検討によれば、上記アンダーフィル充填構造を形成する実装方法において、次のような問題が生じることがわかった。図１０は、従来の実装方法における樹脂４１の塗布時の状態（ａ）と注入時の途中状態（ｂ）とを拡大して示す説明図である。

配線基板２０には、樹脂４１を介して搭載されるＩＣチップ１０以外にも、ＩＣチップ１０の搭載領域以外の部位に図示しない部品（コンデンサや抵抗等）や、ワイヤボンディング用のパッド等が形成されている。そのため、図１０（ａ）に示す様に、樹脂４１を塗布するにあたっては、極力、ＩＣチップ１０の外周側へ拡がらないようにしている。

しかしながら、従来、樹脂４１を注入する際には、配線基板２０及びＩＣチップ１０全体を加熱して樹脂４１の粘性を下げるようにしているため、図１０（ｂ）に示す様に、ＩＣチップ１０の外周側へ樹脂４１が大きく拡がってしまう。例えば、１０ｍｍのＩＣチップ１０にて、配線基板２０との隙間を０．１８ｍｍ程度とした場合、樹脂４１の拡がり幅Ｗは５ｍｍ程度であった。

これは、ＩＣチップ１０と配線基板２０との隙間への樹脂４１の注入は、樹脂４１の粘性を下げて毛細管現象を利用しているため、当該隙間への注入には時間がかかる一方、広い空間であるＩＣチップ１０の外周側へは、樹脂４１が比較的速い速度で拡がるためである。

このような樹脂４１の拡がりによって、配線基板２０上の他の部品に樹脂４１が付着したり、ワイヤボンディング用のパッドに樹脂４１が付着する等、本来、樹脂４１を存在させたくない領域にまで樹脂４１が配置されてしまう。そして、このような問題を回避するためには、配線基板２０の面積を増大化させる必要があり、好ましくない。

本発明は上記した本発明者の見出した新規な課題に基いてなされたものであり、アンダーフィル充填構造を形成する実装方法において、樹脂を注入する際に、電子部品の外周側への樹脂の拡がりを抑制することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、電子部品（１０）を配線基板（２０）上に搭載し接続した後、電子部品の外周から電子部品と配線基板との間に、樹脂（４１）を注入して充填するようにした電子部品の実装方法において、電子部品（１０）を配線基板（２０）よりも下側に位置させた状態で樹脂（４１）の注入を行うことを特徴としている。それによれば、注入時に粘性の下がった樹脂には、重力が加わるため、電子部品の外周側への樹脂の拡がりを抑制することができる。

さらに、請求項２に記載の発明においては、樹脂（４１）の注入を行う際に、配線基板（２０）を傾けることを特徴としている。それによれば、電子部品の外周側への樹脂の拡がりをより抑制することができる。

さらに、請求項３に記載の発明においては、樹脂（４１）の注入を行う際に、電子部品（１０）を冷却し且つ配線基板（２０）を加熱することを特徴としている。それによれば、配線基板側の流れ性をより高くすることができるため、電子部品側と配線基板側との流れ性の差を小さくすることができる。

さらに、請求項４に記載の発明においては、電子部品（１０）における樹脂（４１）は充填される面には、予め絶縁層（１０ａ）が形成されていることを特徴としている。具体的には、請求項５に記載のように、絶縁層（１０ａ）はポリイミドから構成されおり、配線基板（２０）はセラミックから構成されていることを特徴としている。このような構成により、樹脂に対する濡れ性が、電子部品側のポリイミド層と配線基板の表面を構成するセラミックとで相違してしまい、樹脂にボイドが発生してしまう。しかしながら、上記請求項１乃至３に記載の発明を採用することにより、電子部品側と配線基板側とで樹脂の流れ性の差が小さくなることから、樹脂の空気の巻き込みが起こりにくく、ボイドの発生も低減することができるようになる。

さらに、請求項６に記載の発明においては、樹脂（４１）にはフィラー（４１ａ）が混合されていることを特徴としている。樹脂にフィラーが混合されている場合、重力によるフィラーの沈降によって、配線基板側の樹脂におけるフィラーの密度が高くなり、それによって年度の増大を招き、樹脂に対する濡れ性が、電子部品側のポリイミド層と配線基板の表面を構成するセラミックとで相違してしまい、樹脂にボイドが発生してしまう。しかしながら、上記請求項１乃至３に記載の発明を採用することにより、電子部品側と配線基板側とで樹脂の流れ性の差が小さくなることから、樹脂の空気の巻き込みが起こりにくく、ボイドの発生も低減することができるようになる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

（参考例）
以下、本発明を図に示す参考例について説明する。図１は本発明の参考例に係る電子部品の実装構造を示す概略断面図である。図１においては、電子部品としてのＩＣチップ１０を２個、配線基板としての積層基板２０にフリップチップ実装した状態を示している。

各ＩＣチップ１０は、本例では、マイコンとして機能するもので、１０ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍ程度のサイズのチップである。ＩＣチップ１０の積層基板２０と対向する一面には、半田バンプ１１が形成されている。半田バンプ１１は、半田ボール等により形成したもので、本例では、高さが０．１５ｍｍ程度としている。

積層基板２０は、セラミックよりなる複数の層２０ａが積層されてなる通常のセラミック積層基板を採用することができる。積層基板２０の内部には、各層２０ａ間に位置する配線２１ａおよびスルーホール２２ａ等により内部配線層２１が形成され、ＩＣチップ１０と対向する一面には、スルーホール２２ａを介して内部配線層２１と電気的に接続された表面電極２２が形成されている。

本例では、積層基板２０は、アルミナよりなる複数の層（図示例では３層）が積層されてなり、内部配線層２１には、Ｗ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）等が採用されており、表面電極２２は、下地がＮｉ（ニッケル）、表面がＡｕ（金）であるＡｕ／Ｎｉめっきが施されたものである。

ＩＣチップ１０の半田バンプ１１と積層基板２０の表面電極２２とは、半田３０を介して電気的、機械的に接続されている。そして、ＩＣチップ１０と積層基板２０との間のうち半田接合部以外の部位には、熱硬化性の樹脂材料よりなるアンダーフィル材４０が、充填されている。

アンダーフィル材４０は、冷熱サイクルによって半田３０の接合部に加わる熱応力を緩和し、当該接合部の接続寿命を向上させるものであり、線膨張係数が半田３０に近い樹脂より構成されている。本例では、エポキシ樹脂にシリカよりなるフィラー（線膨張係数を調整するためのもの）が７０％程度含有されたものを採用している。

次に、上記接続構造に基づき、本参考例の実装方法を述べる。図２は、本実装方法を工程順に示す説明図であり、図３は、図２（ｄ）に続く注入工程における種々の注入方法を示す説明図であり、これら各図は、上記図１に対応する断面にて表してある。

まず、図２（ａ）に示す様に、マスクＫ１及びスキージＫ２を用いて、積層基板２０の表面電極２２のうちＩＣチップ１０の半田バンプ１１と接続される部位に、半田ペースト３０ａを印刷する（半田印刷工程）。本例では、印刷された半田ペースト３０ａの厚さは、１００μｍ程度である。

次に、図２（ｂ）に示す様に、ＩＣチップ１０の一面と積層基板２０の一面とを対向配置させ、各半田バンプ１１と表面電極２２とを位置合わせする。そして、図２（ｃ）に示す様に、積層基板２０の一面上にＩＣチップ１０を搭載し、加熱して半田をリフローさせることにより、ＩＣチップ１０と積層基板２０の表面電極２２とを、半田３０を介して接続する（接続工程）。この後、洗浄工程を行い、半田のフラックス等の汚れを除去する。

次に、図２（ｄ）に示す様に、積層基板２０の一面のうちＩＣチップ１０の外周部にアンダーフィル材となる熱硬化性の樹脂４１を塗布して（本例では３０〜４０ｍｇ程度）配置する（塗布工程）。この樹脂４１の塗布は、ディスペンサを用いたり、印刷法等にて行うことができる。

続いて、図３（ａ）に示す様に、樹脂４１の粘性を下げることにより、毛細管現象を利用してＩＣチップ１０と積層基板２０との間に樹脂４１を注入して充填する（注入工程）。この注入工程において、本実施形態では、ＩＣチップ１０と積層基板２０との対向間における樹脂４１の粘性を、それ以外の部位における樹脂４１の粘性よりも低くするようにしたことを特徴としている。

具体的に、上記対向間における樹脂４１の粘性をそれ以外の部位よりも低くすることは、図３（ａ）に示す様に、ＩＣチップ１０に通電してＩＣチップ１０を発熱させることで、ＩＣチップ１０がワークにおける他の部位よりも温度が高くなるようにすることで実現できる。

本例の注入工程では、図３（ａ）に示す状態のＩＣチップ１０、積層基板２０および樹脂４１を、高温槽に入れ、６０℃の雰囲気にて行う。そのとき、ＩＣチップ１０に通電して発熱させることで、上記対向間の温度を、本例の樹脂４１の注入温度である８０〜１００℃とし、約３０分間行う。

なお、上記のＩＣチップ１０への通電以外にも、図３（ｂ）に示す様に、ＩＣチップ１０のみに加熱された熱板（加熱治具）Ｋ３を接触させることによっても、ＩＣチップ１０がワークにおける他の部位よりも温度が高くなるようにＩＣチップ１０に熱を加えることができる。それにより、対向間における樹脂４１の粘性をそれ以外の部位における樹脂４１の粘性よりも低くすることができる。

また、上記対向間における樹脂４１の粘性をそれ以外の部位よりも低くすることは、ＩＣチップ１０のみに振動を加えながら樹脂４１の注入を行うことによっても適切に実現することができる。

例えば、図３（ｃ）に示す様に、圧電素子Ｋ４をＩＣチップ１０に接触させ、電源Ｋ５を介して圧電素子Ｋ４を振動させることで、ＩＣチップ１０のみを振動させることができる。また、ＩＣチップ１０を積層基板２０に搭載するのに用いるマウンタに振動機構を設けたものでも良い。

このようにして、注入工程を完了させた後、ＩＣチップ１０と積層基板２０との対向間に充填された樹脂４１を、硬化させる。本例では、１５０℃、１時間の加熱を行い、樹脂４１を硬化させる。こうして、上記図１に示した実装構造が完成する。

以上述べた本参考例の実装方法によれば、樹脂４１の注入を行う際に、ＩＣチップ１０と積層基板２０との対向間における樹脂４１の粘性を、それ以外の部位よりも低くするようにしているため、上記対向間以外のＩＣチップ１０の外周に残っている樹脂４１の粘性は、当該対向間に注入されていく樹脂４１に比べて高くなる。

そのため、本参考例によれば、ＩＣチップ１０の外周側への樹脂４１の拡がりを抑制することができる。ちなみに、本例では、１０ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍ程度のＩＣチップ１０にて、積層基板２０との隙間（対向間隔）を０．１８ｍｍ程度とした場合、最終的な樹脂４１（アンダーフィル材４０）の拡がり幅Ｗ（図１参照）は２ｍｍ程度（従来は５ｍｍ程度）であった。

なお、上記図３（ａ）に示す様に、ＩＣチップ１０に通電してＩＣチップ１０を発熱させる場合には、ＩＣチップ１０と対向する部分の積層基板２０の配線にも通電を行っても良い。それによっても、ＩＣチップ１０がワークにおけるそれ以外の部位よりも温度が高くなるようにすることを実現できる。また、これら通電部分には、必要に応じてヒータ回路を設けても良い。

また、ＩＣチップ１０がそれ以外の部位よりも温度が高くなるようにする場合、ＩＣチップ１０と積層基板２０との対向間の温度が、樹脂４１の注入温度と同程度となるようにするが、必要により外部からも補助加熱を行って良い。上記した本例では、６０℃の高温槽に入れて補助加熱している。

また、上記対向間の温度とそれ以外の部位との温度差は、２０℃以上であることが好ましく、ＩＣチップ１０等の電子部品の発熱可能範囲を鑑みて、８０℃以下が好ましい。

また、上記した補助加熱は、図３（ｂ）の場合、更には、図３（ｃ）に示す様なＩＣチップ１０のみに振動を加えながら樹脂４１の注入を行う場合にも行って良い。また、ＩＣチップ１０のみに加える振動の周波数は、１０〜１００ｋＨｚの範囲が好ましい。

（実施形態）
本発明の実施形態に係る電子部品の実装方法における注入工程を、図４に示す。上記参考例では、樹脂の注入工程にて、ＩＣチップ１０と積層基板２０との対向間における樹脂４１の粘性を、それ以外の部位における樹脂４１の粘性よりも低くすることで、ＩＣチップ１０の外周側への樹脂４１の拡がりを抑制するものであった。

本実施形態では、ＩＣチップ１０の外周部に樹脂４１を塗布して配置する工程（塗布工程）までは、上記第１実施形態と同様に行う。その後、ＩＣチップ１０、基板２０及び樹脂４１を高温槽に入れ、槽内の温度を樹脂４１の注入可能温度とする。

このとき、上記高温槽内にて保持治具等を用いて、図４（ａ）に示す様に、ＩＣチップ１０を積層基板２０よりも下側に位置させた状態で積層基板２０を保持し、この状態にて樹脂４１の注入を行う。このとき、図４（ｂ）に示す様に、ＩＣチップ１０を積層基板２０よりも下側に位置させつつ、基板２０を傾斜させた状態で樹脂注入を行っても良い。樹脂注入後は、参考例と同様である。

本実施形態によれば、注入時に粘性の下がった樹脂４１には、図４（ａ）中の白抜き矢印に示す様に、重力が加わるため、ＩＣチップ１０の外周側への樹脂４１の拡がり速度は減少する。そのため、ＩＣチップ１０の外周側への樹脂４１の拡がりを抑制することができる。

また、本実施形態のように、ＩＣチップ１０を積層基板２０よりも下側に位置させた状態で樹脂４１の注入を行うことは、次の図５に示すような場合にも有効に適用することができる。図５は、ＩＣチップ１０と積層基板２０との間の部分を拡大して模式的に示す図である。

ＩＣチップ１０がウェハレベルＣＳＰ（チップサイズパッケージ）等である場合、チップ１０におけるアンダーフィル材が充填される面には、ポリイミド等の樹脂からなる層が形成されている。図５では、この層はポリイミド層１０ａとして示されている。このポリイミド層１０ａを絶縁層としてチップ１０から電極（図示せず）が引き出され、半田３０を介してセラミックからなる積層基板２０の電極（図示せず）と接続される。

ここで、図５に示すように、もし、ＩＣチップ１０を積層基板２０よりも上側に位置させた状態で、アンダーフィル材となる樹脂４１を注入すると、図に示すように気泡（ボイド）が発生しやすくなる。

これは、樹脂４１に対する濡れ性が、ＩＣチップ１０側のポリイミド層１０ａと積層基板２０の表面を構成するセラミックとで相違するためである。つまり、図５（ａ）に示すように、当該濡れ性はポリイミド層１０ａの方がアルミナ等のセラミックよりも高いため、注入された樹脂４１はポリイミド層１０ａ側にて速く流れ、積層基板２０側にて遅く流れる。

このようなポリイミド層１０ａとセラミックとの濡れ性の相違に加えて、さらに、積層基板２０の方が表面の凹凸が大きいことや、重力によって積層基板２０側の樹脂４１の摩擦が大きいといったことも、上記流れ性の相違の要因となる。

また、樹脂４１にフィラー４１ａが混合されている場合、重力によるフィラー４１ａの沈降によって、積層基板２０側の樹脂４１におけるフィラーの密度が高くなり、それによって粘度の増大を招くことも上記流れ性の相違の要因となる。

そして、上記したような濡れ性の相違に加えてその他の要因も加わることで、基板２０側の樹脂４１の流れ性と、ポリイミド層１０ａ側の樹脂４１の流れ性とで大きな差が生じる。すると、図５（ｂ）に示すように、先に進行するポリイミド層１０ａ側の樹脂４１は、半田３０と衝突し、空気を巻き込んで微細なボイドを発生させる。

このように、基板２０とこれに搭載された電子部品１０との間に樹脂４１を注入するにあたって、電子部品１０側の方の樹脂４１の流れ性が、基板２０側の方の樹脂４１の流れ性よりも大きい場合、もし、基板２０を電子部品１０よりも下側に位置させた状態で樹脂４１の注入を行うとボイドが発生しやすい。

その点、本実施形態では、上記図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１０を積層基板２０よりも下側に位置させた状態で樹脂４１の注入を行うことで、ボイドの発生を低減することが可能となる。

つまり、図６に示すように、樹脂４１の注入時にＩＣチップ１０を下側にすることによって、材質的に流れ性の高いＩＣチップ１０側では、重力による摩擦の増大やフィラー４１ａの沈降による粘度の増大が生じ、ＩＣチップ１０が上側に位置する場合よりも、樹脂４１の流れ性が低くなる。

一方、材質的に流れ性の低いセラミック基板２０側を流れる樹脂４１においては、重力による摩擦の増大やフィラー４１ａの沈降による粘度の増大が無くなる。そのため、ＩＣチップ１０側と基板２０側とで樹脂４１の流れ性の差が小さくなることから、上記図５に示したような空気の巻き込みが起こりにくく、ボイドの発生も低減される。

なお、本実施形態においては、ＩＣチップ１０を積層基板２０よりも下側に位置させた状態で樹脂４１の注入を行う際に、ＩＣチップ１０を冷却し且つ基板２０を加熱した状態で樹脂４１の注入を行う方法を採用しても良い。

この方法により、基板２０側の流れ性をより高くすることができるため、ＩＣチップ１０側と基板２０側との流れ性の差を小さくする一つの方法として用いることができる。例えば、ＩＣチップ１０には冷風を当てたり、ヒートシンクを用いて放熱させたりすることで冷却を行い、基板２０には、基板２０に内蔵させたヒータや基板２０の配線に通電することで加熱を行うことができる。

また、このような流れ性の相違に起因するボイド発生を低減するための樹脂注入方法としては、図７に示すような方法を採用することもできる。この方法では、ＩＣチップ１０を搭載した基板２０を、回転板Ｋ１０に固定し、基板２０からＩＣチップ１０に向かって遠心力が加わるように回転板Ｋ１０を回転させる。

それによれば、基板２０からＩＣチップ１０へ重力が加わるのと同様に、遠心力が加わることにより、上記図６に示した場合と同様の作用効果を奏することができる。

（他の実施形態）
なお、アンダーフィル材となる樹脂４１としては、上記したエポキシ樹脂にフィラーとしてのシリカを含有させたもの以外にも、主剤として、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等を用い、主剤に混ぜるフィラーとして、シリカやアルミナ等を用いることができ、これら主剤およびフィラーを適宜選択すればよい。

また、基板２０のうちＩＣチップ１０の外周にて樹脂４１を塗布する部位は、図８に示す様に、（ａ）ＩＣチップ１０の１辺でも良いし、（ｂ）多辺（図では２辺）でも良いし、（ｃ）１点でも良いし、（ｄ）多点（図では２点）でも良い。

また、樹脂４１の注入温度は、樹脂材料により決定するものであるが、注入温度が室温程度であったり室温よりも低い場合は、ワーク全体を冷却してワーク全体を注入温度よりも低くし、その中でＩＣチップ１０と基板２０との対向間の温度がそれ以外の部位の温度よりも高くなるように、上記図３に示した各手法を用いればよい。

また、１回の塗布量を、最終的に必要な量よりも少なくして、塗布、注入の各工程を複数回繰り返し行う方法も可能である。さらには、塗布と注入とを同時に行うようにしても良い。

また、電子部品としては、ＩＣチップ以外にもパワー素子等でもよい。また、電子部品の実装形態は、フリップチップ以外にも、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）等でも良い。また、電子部品のバンプとしては、半田ボール以外にも、フリップチップバンプやワイヤボンディングにより形成されたスタッドバンプでも良い。

また、配線基板の種類としては、セラミック基板、プリント基板等が適用可能であり、その構造としては、単層基板でも多層基板でも良い。また、電子部品と接続される配線基板の電極としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等のめっきよりなるものや、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等を主成分とする厚膜材料よりなるものでも良い。

また、上記半田３０の配置は印刷法（図２（ａ）参照）以外にも、ディスペンス法にて行っても良い。さらに、電子部品と配線基板との接合は、上記した半田３０をリフローして行うもの以外にも、導電性接着剤を印刷、ディスペンス、スタンピング等にて、例えば配線基板に設け、加熱等にて導電性接着剤を硬化させることで行っても良いし、加熱及び加圧を行う熱圧着により行っても良い。

要するに、本発明は、電子部品を配線基板上に搭載した後、電子部品の外周から電子部品と配線基板との間に、樹脂を注入して充填するようにした電子部品の実装方法において、樹脂の注入工程を要部としたものであり、他の部分は適宜設計変更等可能である。

本発明の参考例に係る電子部品の実装構造を示す概略断面図である。 上記参考例に係る電子部品の実装方法を示す工程図である。 上記実装方法における樹脂の注入方法を示す説明図であり、（ａ）はＩＣチップに通電する方法、（ｂ）は加熱治具を用いてＩＣチップのみ加熱する方法、（ｃ）はＩＣチップのみに振動を加える方法を示す。 本発明の実施形態に係る電子部品の実装方法における樹脂注入方法を示す概略断面図である。 上記実施形態に係る電子部品における樹脂注入部を模式的に示す断面図である。 上記実施形態に係る電子部品の実装方法における樹脂注入方法による他の作用効果を説明するための概略断面図である。 上記図６に示す作用効果を得るための他の樹脂注入方法を説明するための図である。 樹脂の塗布位置の種々の例を示す図である。 従来の一般的な電子部品の実装方法を示す工程図である。 従来の実装方法における樹脂の塗布時の状態と注入時の途中状態とを拡大して示す説明図である。

符号の説明

１０ ＩＣチップ
２０ 積層基板
４１ 樹脂

Claims (6)

1. 電子部品（１０）を配線基板（２０）上に搭載し接続した後、前記電子部品の外周から前記電子部品と前記配線基板との間に、樹脂（４１）を注入して充填するようにした電子部品の実装方法において、前記電子部品を前記配線基板よりも下側に位置させた状態で前記樹脂の注入を行うことを特徴とする電子部品の実装方法。
2. 前記樹脂（４１）の注入を行う際に、前記配線基板（２０）を傾けることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装方法。
3. 前記樹脂（４１）の注入を行う際に、前記電子部品（１０）を冷却し且つ前記配線基板（２０）を加熱することを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品の実装方法。
4. 前記電子部品（１０）における前記樹脂（４１）は充填される面には、予め絶縁層（１０ａ）が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載の電子部品の実装方法。
5. 前記絶縁層（１０ａ）はポリイミドから構成されおり、前記配線基板（２０）はセラミックから構成されていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品の実装方法。
6. 前記樹脂（４１）にはフィラー（４１ａ）が混合されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１つに記載の電子部品の実装方法。

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