JP4041063B2 - ナノワイヤフィラメント - Google Patents
ナノワイヤフィラメント Download PDFInfo
- Publication number
- JP4041063B2 JP4041063B2 JP2003422583A JP2003422583A JP4041063B2 JP 4041063 B2 JP4041063 B2 JP 4041063B2 JP 2003422583 A JP2003422583 A JP 2003422583A JP 2003422583 A JP2003422583 A JP 2003422583A JP 4041063 B2 JP4041063 B2 JP 4041063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanowire
- nanowire filament
- conductors
- filament
- close
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims description 142
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 161
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000012491 analyte Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 8
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000036541 health Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000012502 diagnostic product Substances 0.000 description 1
- 239000003651 drinking water Substances 0.000 description 1
- 235000020188 drinking water Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003891 environmental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003256 environmental substance Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/326—Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
30B 導体
32A 導体
32B 導体
34A 導体
34B 導体
36A 導体
36B 導体
38 極めて近接した導体(対)
40 極めて近接した導体(対)
42 極めて近接した導体(対)
44 極めて近接した導体(対)
46 基材
48 先のとがった極めて近接した表面
50 長方形の極めて近接した表面
52 弧状の極めて近接した表面
54 酸化物
56 連結酸化物
58 酸化物
59 回路
60 (バイメタル)ナノワイヤフィラメント
60A 検出ナノワイヤフィラメント(未知の抵抗)
60B 第2ナノワイヤフィラメント
60C 第1ナノワイヤフィラメント
60D 第3ナノワイヤフィラメント
68 センサ
70 分析物
72 コーティング
82 温度測定装置
84 コントローラ
86 (熱電対)基準接点
104 (熱電対)基準接点
106 熱源
109 (熱電対)基準接点
110 薄膜抵抗
120 導体
122 導体
124 連結酸化物
126 バイメタルナノワイヤフィラメント
128 検出接点
130 熱電対基準接点
132A 導体
132B 導体
136 連結酸化物
138 バイメタルナノワイヤフィラメント
142 薄膜抵抗
148 回路
150A 導体
150B 導体
152A 導体
152B 導体
154A 導体
154B 導体
162 ホイートストンブリッジ
164 コントローラ
166 第1ノード
168 第3ノード
170 第2ノード
172 第4ノード
Claims (35)
- 極めて近接した導体を形成するステップと、
前記極めて近接した導体間に連結酸化物を形成するステップと、
前記極めて近接した導体間にトンネル電流を生成するだけの十分な電圧を前記極めて近接した導体間に印加するステップと、
前記トンネル電流の結果、前記極めて近接した導体から材料を電気移動させてナノワイヤフィラメントを形成するステップと、
からなるナノワイヤフィラメントを製造する方法。 - 前記連結酸化物が、付着によって形成される請求項1に記載の方法。
- 前記連結酸化物が、前記極めて近接した導体のうちの少なくとも1つから酸化物を成長させることによって形成される請求項1に記載の方法。
- 前記ナノワイヤフィラメントを露出させるために、前記ナノワイヤフィラメントから前記連結酸化物の少なくともいくらかを除去するステップをさらに包含する請求項1に記載の方法。
- 分析物とよく反応することができるか又は相互作用することができるコーティングを前記ナノワイヤフィラメントに物理的あるいは化学的に結合させるか、又は誘電体層を前記ナノワイヤフィラメントに付加することによって、前記露出したナノワイヤフィラメントを機能化するステップをさらに包含する請求項4に記載の方法。
- バイメタルナノワイヤフィラメントの製造方法であって、
第1金属からなる第1導体を形成し且つ第2金属からなる第2導体を形成することによって、極めて近接した導体を形成するステップと、
前記極めて近接した導体間に連結酸化物を形成するステップと、
前記極めて近接した導体間にトンネル電流を生成するだけの十分な電圧を前記極めて近接した導体間に印加するステップと、
前記トンネル電流の結果、前記第1導体から前記第1金属を、前記第2導体から前記第2金属を電気移動させてバイメタルナノワイヤフィラメントを形成するステップと、
からなる方法。 - 請求項6に従って製造されたバイメタルナノワイヤフィラメントを含む熱電対を形成するステップと、
前記熱電対に熱源を接続するステップと、
からなる熱電対基準接点を製造する方法。 - 前記極めて近接した導体にわたって電圧を印加する間の、前記電圧が印加された時間及び印加される電圧の大きさの組み合わせによって、前記ナノワイヤフィラメントの抵抗が決定される請求項1に記載の方法。
- 請求項1に従って製造されるナノワイヤフィラメントをセンシング素子として有するセンサ。
- 第1及び第2の極めて近接した導体と、
前記極めて近接した導体間において請求項1に従って製造されたナノワイヤフィラメントと、
からなる回路。 - 前記ナノワイヤフィラメントが、前記極めて近接した導体間を橋絡している請求項10に記載の回路。
- 前記極めて近接した導体を支持する基材をさらに包含し、前記ナノワイヤフィラメントが前記基材によって支持されている請求項10に記載の回路。
- 前記ナノワイヤフィラメントに接続されている連結酸化物をさらに包含する請求項10に記載の回路。
- 前記ナノワイヤフィラメントに接続されているコーティングをさらに包含する請求項10に記載の回路。
- 前記コーティングが、誘電体コーティング、反応性コーティング、相互作用性コーティング、及び保護コーティングからなる群から選択されている請求項14に記載の回路。
- 前記ナノワイヤフィラメントが抵抗を有し、
前記ナノワイヤフィラメントの前記抵抗が、温度によって変化する請求項10に記載の回路。 - 前記極めて近接した導体が、互いに対して180°以外の角度をなす請求項10に記載の回路。
- 前記極めて近接した導体の各々が、先のとがった極めて近接した表面、長方形の極めて近接した表面、弧状の極めて近接した表面からなる群から選択される極めて近接した表面を包含する請求項10に記載の回路。
- 第1金属からなる第1の近接した導体と、
第2金属からなる第2の近接した導体と、
前記第1及び第2の近接した導体間において請求項6に従って製造されたバイメタルナノワイヤフィラメントと、
からなる回路。 - 請求項19に記載の回路と、
前記バイメタルナノワイヤフィラメントに接続されている熱源と、
からなる熱電対基準接点。 - 前記バイメタルナノワイヤフィラメントに接続されている連結酸化物をさらに包含する請求項20に記載の熱電対基準接点。
- 前記バイメタルナノワイヤフィラメントが、前記熱源の表面に接続されている請求項20に記載の熱電対基準接点。
- 前記熱源が、前記バイメタルナノワイヤフィラメントの表面に接続されている請求項20に記載の熱電対基準接点。
- 前記熱源が、ヒータ抵抗からなる請求項20に記載の熱電対基準接点。
- 前記ヒータ抵抗が、薄膜抵抗を含む請求項24に記載の熱電対基準接点。
- コントローラと、
前記コントローラに接続されている熱電対検出接点と、
請求項20に記載の熱電対基準接点からなる基準接点と、
を包含し、前記基準接点が前記コントローラ及び前記検出接点に接続されている温度測定装置。 - 未知の抵抗である第1抵抗と、既知の抵抗である第2、第3及び第4抵抗を有するホイートストンブリッジからなる回路であって、前記第1抵抗が請求項10に記載の回路からなる回路。
- 前記第2、前記第3及び前記第4抵抗が、それぞれ請求項13に記載の回路からなる請求項27に記載の回路。
- 前記第1抵抗ナノワイヤフィラメント上に機能化されたコーティングをさらに包含し、前記機能化されたコーティングが、分析物とよく反応することができるか又は相互作用することができる物理的あるいは化学的に結合されたコーティングである請求項27に記載の回路。
- 回路アレイからなるセンサであって、前記回路の各々が請求項10に記載の回路からなるセンサ。
- 極めて近接した導体間において請求項1に従って製造されたナノワイヤフィラメントの電気的状態を監視するステップを包含する分析物の測定、監視、あるいは検出方法。
- 前記ナノワイヤフィラメントの前記電気的状態を監視することが、前記ナノワイヤフィラメントの抵抗の測定、前記ナノワイヤフィラメントのキャパシタンスの測定、あるいは前記ナノワイヤフィラメントの複素インピーダンスの測定である請求項31に記載の方法。
- 前記ナノワイヤフィラメントの前記電気的状態を監視する前記ステップが、前記ナノワイヤフィラメントを未知の抵抗としてホイートストンブリッジに組み込むステップと、コントローラを用いて前記ナノワイヤフィラメントの抵抗を測定するステップとからなる請求項31に記載の方法。
- 第1ノードと第2ノードとを接続している検出ナノワイヤフィラメントと、
前記第2ノードと第3ノードとを接続している既知の抵抗を有する第1ナノワイヤフィラメントと、
前記第1ノードと第4ノードとを接続している既知の抵抗を有する第2ナノワイヤフィラメントと、
前記第4ノードと前記第3ノードとを接続している既知の抵抗を有する第3ナノワイヤフィラメントと、
前記第2ノード及び前記第4ノードに接続されているコントローラと、
前記第3ノードに対して前記第1ノードに電気的にバイアスをかける手段と、
からなり、前記検出ナノワイヤフィラメント、第1ナノワイヤフィラメント、第2ナノワイヤフィラメント及び第3ナノワイヤフィラメントが請求項1に従って製造される、センサ。 - 前記極めて近接した導体を形成するステップが、リソグラフィの使用、及びインプリントリソグラフィの使用からなる群から選択される手段を含む請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/326,708 US6936496B2 (en) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | Nanowire filament |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004202682A JP2004202682A (ja) | 2004-07-22 |
JP4041063B2 true JP4041063B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=32393133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003422583A Expired - Fee Related JP4041063B2 (ja) | 2002-12-20 | 2003-12-19 | ナノワイヤフィラメント |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6936496B2 (ja) |
EP (1) | EP1432019A1 (ja) |
JP (1) | JP4041063B2 (ja) |
TW (1) | TW200423217A (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7235421B2 (en) * | 2003-09-16 | 2007-06-26 | Nasreen Chopra | System and method for developing production nano-material |
US7562433B2 (en) * | 2004-09-29 | 2009-07-21 | Oxford Superconducting Technology | Method for producing metal nanofibers, yarns and textiles |
US20060188934A1 (en) * | 2005-02-22 | 2006-08-24 | Ying-Lan Chang | System and method for implementing a high-sensitivity sensor with improved stability |
US20070200187A1 (en) * | 2006-02-28 | 2007-08-30 | Amlani Islamshah S | Nanowire device and method of making |
US7591193B2 (en) * | 2006-10-11 | 2009-09-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hot-wire nano-anemometer |
US8154127B1 (en) * | 2007-07-30 | 2012-04-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical device and method of making the same |
EP2144054A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-13 | ETH Zürich | Sensor and measurement method using one-dimensional nanostrustures |
FR2939256B1 (fr) * | 2008-12-01 | 2011-06-17 | Commissariat Energie Atomique | Oscillateur radiofrequence a vanne de spin ou a jonction tunnel |
FR2940458B1 (fr) * | 2008-12-24 | 2011-03-04 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede pour la caracterisation de composants electriques ou electroniques. |
CZ2009279A3 (cs) * | 2009-05-04 | 2010-12-08 | Fyzikální ústav AV CR, v.v.i. | Zpusob úpravy a/nebo kontroly funkcních mechanických vlastností zejména transformacní deformace a/nebo pevnosti kovových vláken z materiálu s tvarovou pametí a zarízení k provádení tohoto zpusobu |
US8568027B2 (en) * | 2009-08-26 | 2013-10-29 | Ut-Battelle, Llc | Carbon nanotube temperature and pressure sensors |
US8517605B2 (en) * | 2009-09-18 | 2013-08-27 | Northwestern University | Bimetallic integrated on-chip thermocouple array |
US9606148B2 (en) | 2012-03-26 | 2017-03-28 | Battelle Memorial Institute | Chemical/ biological sensors employing functionalized nanoswitch array |
US10078107B2 (en) * | 2015-10-27 | 2018-09-18 | Globalfoundries Inc. | Wafer level electrical test for optical proximity correction and/or etch bias |
Family Cites Families (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE511293A (ja) | 1951-08-24 | |||
US2939057A (en) | 1957-05-27 | 1960-05-31 | Teszner Stanislas | Unipolar field-effect transistors |
US3964296A (en) * | 1975-06-03 | 1976-06-22 | Terrance Matzuk | Integrated ultrasonic scanning apparatus |
US4534100A (en) * | 1982-06-28 | 1985-08-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Electrical method of making conductive paths in silicon |
US4870472A (en) * | 1984-10-18 | 1989-09-26 | Motorola, Inc. | Method for resistor trimming by metal migration |
US5118801A (en) | 1988-09-30 | 1992-06-02 | The Public Health Research Institute | Nucleic acid process containing improved molecular switch |
US5200051A (en) | 1988-11-14 | 1993-04-06 | I-Stat Corporation | Wholly microfabricated biosensors and process for the manufacture and use thereof |
US5008616A (en) | 1989-11-09 | 1991-04-16 | I-Stat Corporation | Fluidics head for testing chemical and ionic sensors |
US5132278A (en) * | 1990-05-11 | 1992-07-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Superconducting composite article, and method of making the same |
JP2763958B2 (ja) | 1990-06-11 | 1998-06-11 | ネクスター ファーマスーティカルズ,インコーポレイテッド | 核酸リガンド |
US5237523A (en) | 1990-07-25 | 1993-08-17 | Honeywell Inc. | Flowmeter fluid composition and temperature correction |
GB2248151A (en) * | 1990-09-24 | 1992-03-25 | Philips Electronic Associated | Temperature sensing and protection circuit. |
JP2976995B2 (ja) | 1991-10-02 | 1999-11-10 | 株式会社アドバンテスト | 金属原子細線成長方法及び原子細線デバイス |
JP3390468B2 (ja) | 1991-10-16 | 2003-03-24 | バイエル コーポレーション | 新規の無水混合物法による遺伝子プローブの結合方法 |
US5202290A (en) | 1991-12-02 | 1993-04-13 | Martin Moskovits | Process for manufacture of quantum dot and quantum wire semiconductors |
US5376755A (en) * | 1992-04-10 | 1994-12-27 | Trustees Of Boston University | Composite lead for conducting an electrical current between 75-80K and 4.5K temperatures |
US5418558A (en) | 1993-05-03 | 1995-05-23 | Hewlett-Packard Company | Determining the operating energy of a thermal ink jet printhead using an onboard thermal sense resistor |
US5493167A (en) * | 1994-05-03 | 1996-02-20 | General Electric Company | Lamp assembly with shroud employing insulator support stops |
FR2722294B1 (fr) | 1994-07-07 | 1996-10-04 | Lyon Ecole Centrale | Procede d'analyse qualitative et/ou quantitative de substances biologiques presentes dans un milieu liquide conducteur et capteurs biochimiques d'affinite utilises pour la mise en oeuvre de ce procede |
JP3378413B2 (ja) | 1994-09-16 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
US5747180A (en) | 1995-05-19 | 1998-05-05 | University Of Notre Dame Du Lac | Electrochemical synthesis of quasi-periodic quantum dot and nanostructure arrays |
US5716852A (en) | 1996-03-29 | 1998-02-10 | University Of Washington | Microfabricated diffusion-based chemical sensor |
US5591896A (en) | 1995-11-02 | 1997-01-07 | Lin; Gang | Solid-state gas sensors |
US5772905A (en) | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US6120844A (en) | 1995-11-21 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Deposition film orientation and reflectivity improvement using a self-aligning ultra-thin layer |
US6445006B1 (en) * | 1995-12-20 | 2002-09-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Microelectronic and microelectromechanical devices comprising carbon nanotube components, and methods of making same |
EP0892808B1 (en) | 1996-04-12 | 2008-05-14 | PHRI Properties, Inc. | Detection probes, kits and assays |
US6355436B1 (en) | 1996-05-17 | 2002-03-12 | L'ecole Centrale De Lyon | Method for analyzing biological substances in a conductive liquid medium |
JP3470012B2 (ja) | 1996-05-30 | 2003-11-25 | 日本碍子株式会社 | ガス分析計及びその校正方法 |
DE19621996C2 (de) | 1996-05-31 | 1998-04-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Kombination eines Drucksensors und eines elektrochemischen Sensors |
US5801124A (en) * | 1996-08-30 | 1998-09-01 | American Superconductor Corporation | Laminated superconducting ceramic composite conductors |
US6284979B1 (en) * | 1996-11-07 | 2001-09-04 | American Superconductor Corporation | Low resistance cabled conductors comprising superconducting ceramics |
US5837466A (en) | 1996-12-16 | 1998-11-17 | Vysis, Inc. | Devices and methods for detecting nucleic acid analytes in samples |
US6034389A (en) | 1997-01-22 | 2000-03-07 | International Business Machines Corporation | Self-aligned diffused source vertical transistors with deep trench capacitors in a 4F-square memory cell array |
EP0865078A1 (en) | 1997-03-13 | 1998-09-16 | Hitachi Europe Limited | Method of depositing nanometre scale particles |
US6359288B1 (en) | 1997-04-24 | 2002-03-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanowire arrays |
US6463124B1 (en) * | 1998-06-04 | 2002-10-08 | X-Technologies, Ltd. | Miniature energy transducer for emitting x-ray radiation including schottky cathode |
US7416699B2 (en) * | 1998-08-14 | 2008-08-26 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Carbon nanotube devices |
US6438501B1 (en) | 1998-12-28 | 2002-08-20 | Battele Memorial Institute | Flow through electrode with automated calibration |
US6238085B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-05-29 | Honeywell International Inc. | Differential thermal analysis sensor |
US6156626A (en) * | 1999-02-27 | 2000-12-05 | Philips Electronics North America Corp. | Electromigration bonding process and system |
US6256767B1 (en) | 1999-03-29 | 2001-07-03 | Hewlett-Packard Company | Demultiplexer for a molecular wire crossbar network (MWCN DEMUX) |
US6680377B1 (en) | 1999-05-14 | 2004-01-20 | Brandeis University | Nucleic acid-based detection |
EP2239794A3 (en) | 1999-07-02 | 2011-03-23 | President and Fellows of Harvard College | Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture |
US6573213B1 (en) | 1999-07-16 | 2003-06-03 | Degussa Ag | Metal catalysts |
EP1085320A1 (en) | 1999-09-13 | 2001-03-21 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials |
EP1247089B1 (en) | 1999-12-15 | 2008-07-23 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Carbon nanotube devices |
US7303867B2 (en) | 1999-12-16 | 2007-12-04 | Katayanagi Institute | Method for detecting target nucleotide sequences |
US6360582B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Method for calibration of chemical sensor in measuring changes in chemical concentration |
KR20020089339A (ko) | 2000-02-03 | 2002-11-29 | 리서치 디벨럽먼트 파운데이션 | 분자상 인식을 판별 시그날로 변환시키는 시그날링 압타머 |
US6294450B1 (en) | 2000-03-01 | 2001-09-25 | Hewlett-Packard Company | Nanoscale patterning for the formation of extensive wires |
US20040009510A1 (en) | 2000-03-06 | 2004-01-15 | Scott Seiwert | Allosteric nucleic acid sensor molecules |
US6365059B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-04-02 | Alexander Pechenik | Method for making a nano-stamp and for forming, with the stamp, nano-size elements on a substrate |
WO2002001647A1 (en) | 2000-06-23 | 2002-01-03 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Microelectronic device and method for label-free detection and quantification of biological and chemical molecules |
WO2002003482A1 (de) | 2000-07-04 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor |
DE10036897C1 (de) | 2000-07-28 | 2002-01-03 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors |
US7301199B2 (en) | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
US20060175601A1 (en) * | 2000-08-22 | 2006-08-10 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
JP2002174973A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-06-21 | Toshiba Tec Corp | 定着装置 |
CA2430888C (en) | 2000-12-11 | 2013-10-22 | President And Fellows Of Harvard College | Nanosensors |
US6562633B2 (en) | 2001-02-26 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | Assembling arrays of small particles using an atomic force microscope to define ferroelectric domains |
JP3560333B2 (ja) | 2001-03-08 | 2004-09-02 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 金属ナノワイヤー及びその製造方法 |
US20020128067A1 (en) | 2001-03-09 | 2002-09-12 | Victor Keith Blanco | Method and apparatus for creating and playing soundtracks in a gaming system |
JP3554861B2 (ja) | 2001-05-09 | 2004-08-18 | 日本航空電子工業株式会社 | 薄膜熱電対集積型熱電変換デバイス |
DE10123876A1 (de) | 2001-05-16 | 2002-11-28 | Infineon Technologies Ag | Nanoröhren-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Nanoröhren-Anordnung |
US7098393B2 (en) * | 2001-05-18 | 2006-08-29 | California Institute Of Technology | Thermoelectric device with multiple, nanometer scale, elements |
NZ513637A (en) * | 2001-08-20 | 2004-02-27 | Canterprise Ltd | Nanoscale electronic devices & fabrication methods |
US20030162190A1 (en) | 2001-11-15 | 2003-08-28 | Gorenstein David G. | Phosphoromonothioate and phosphorodithioate oligonucleotide aptamer chip for functional proteomics |
US6894359B2 (en) | 2002-09-04 | 2005-05-17 | Nanomix, Inc. | Sensitivity control for nanotube sensors |
US6733828B2 (en) * | 2002-01-29 | 2004-05-11 | Kuei-Jung Chao | Method of fabricating nanostructured materials |
US20030219801A1 (en) | 2002-03-06 | 2003-11-27 | Affymetrix, Inc. | Aptamer base technique for ligand identification |
US7049625B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-05-23 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Fonderung Der Wissenschaften E.V. | Field effect transistor memory cell, memory device and method for manufacturing a field effect transistor memory cell |
DE60221346T2 (de) * | 2002-03-22 | 2008-04-17 | Instrumentarium Corp. | Gasanalysator unter Verwendung von thermischen Sensoren |
US6872645B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
US20030189202A1 (en) | 2002-04-05 | 2003-10-09 | Jun Li | Nanowire devices and methods of fabrication |
DE10221799A1 (de) | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Fujitsu Ltd | Silicon-on-Insulator-Biosensor |
US20030224435A1 (en) | 2002-05-16 | 2003-12-04 | Scott Seiwert | Detection of abused substances and their metabolites using nucleic acid sensor molecules |
-
2002
- 2002-12-20 US US10/326,708 patent/US6936496B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-17 TW TW092135804A patent/TW200423217A/zh unknown
- 2003-12-19 JP JP2003422583A patent/JP4041063B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-22 EP EP03258097A patent/EP1432019A1/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-06-01 US US11/142,103 patent/US7294899B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060076644A1 (en) | 2006-04-13 |
JP2004202682A (ja) | 2004-07-22 |
US7294899B2 (en) | 2007-11-13 |
US20040121509A1 (en) | 2004-06-24 |
EP1432019A1 (en) | 2004-06-23 |
TW200423217A (en) | 2004-11-01 |
US6936496B2 (en) | 2005-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7294899B2 (en) | Nanowire Filament | |
Mitzner et al. | Development of a micromachined hazardous gas sensor array | |
EP2762867B1 (en) | Gas sensor with temperature control | |
US7911010B2 (en) | Apparatus and method for microfabricated multi-dimensional sensors and sensing systems | |
US20070209433A1 (en) | Thermal mass gas flow sensor and method of forming same | |
JP5172858B2 (ja) | 熱電対回路並びにその形成のための方法及びシステム | |
EP1865295A1 (en) | Flow sensor transducer with dual spiral wheatstone bridge elements | |
US10942141B2 (en) | Multi-parametric sensor with bridge structure | |
WO2007095460A1 (en) | Thermal liquid flow sensor with a hydrophilic layer | |
JPH09329576A (ja) | 化学物質の検出方法およびそのためのセンサ | |
CN107727698B (zh) | 微传感器 | |
US20230115363A1 (en) | Multi-dimensional multi-parameter gas sensor and manufacturing method therefor, and gas detection method | |
KR100529233B1 (ko) | 센서 및 그 제조 방법 | |
JPH10213470A (ja) | 薄膜式抵抗体及びその製造方法、流量センサ、湿度センサ、ガスセンサ、温度センサ | |
US5759493A (en) | Apparatus for detecting a specified gas within a mixture | |
JP4798961B2 (ja) | ヒータデバイス及びこれを用いた気体センサ装置 | |
Baloria et al. | Chemiresistors and Their Microfabrication | |
KR100370066B1 (ko) | 마이크로 절대 습도 센서 및 제조 방법 | |
KR100773025B1 (ko) | 반도체식 가스센서, 그 구동방법 및 제조방법 | |
JPH0769221B2 (ja) | 温度検知材料、温度センサー及び温度測定方法 | |
JPH10267879A (ja) | ガスセンサ | |
JPS59142446A (ja) | 湿度検知素子 | |
KR100396656B1 (ko) | 마이크로 절대 습도 센서 제조 방법 | |
JP2001153704A (ja) | フローセンサ | |
JPH10197550A (ja) | マイクロフローセンサ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060328 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060628 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060914 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070725 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070910 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071108 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |