JPH09329576A - 化学物質の検出方法およびそのためのセンサ - Google Patents
化学物質の検出方法およびそのためのセンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 類似の化学種間の識別が可能で、検出可能な
濃度範囲を拡張した方法およびセンサを提供する。 【解決手段】 センサ（１０）は、チャネル領域（３
４）を覆うゲート電極（２０）を含む。ゲート電極（２
０）とチャネル領域（３４）との間のギャップ（２２）
によって、ゲート電極（２０）の表面（２８）を化学物
質に露出させる。化学物質に露出させると、ゲート電極
（２０）の表面電位または電気的インピーダンスが変化
する。表面電位の変化を電気的インピーダンスの変化と
比較することによって、類似した化学種間の識別を行
い、しかもセンサ（１０）の検出範囲を拡張する方法が
得られる。
濃度範囲を拡張した方法およびセンサを提供する。 【解決手段】 センサ（１０）は、チャネル領域（３
４）を覆うゲート電極（２０）を含む。ゲート電極（２
０）とチャネル領域（３４）との間のギャップ（２２）
によって、ゲート電極（２０）の表面（２８）を化学物
質に露出させる。化学物質に露出させると、ゲート電極
（２０）の表面電位または電気的インピーダンスが変化
する。表面電位の変化を電気的インピーダンスの変化と
比較することによって、類似した化学種間の識別を行
い、しかもセンサ（１０）の検出範囲を拡張する方法が
得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に半導体素
子に関し、更に特定すればセンサに関するものである。
子に関し、更に特定すればセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化学センサは、人間に対する安全性、プ
ロセス制御、健康、環境の認識のために、特定の化学種
(chemical species)の存在およびその濃度レベルを検出
または監視するために使用されている。金属酸化物半導
体（ＭＯＳ）化学センサの開発は、大きな関心の的であ
った。その理由は、ＭＯＳ化学センサは、他のタイプの
化学センサと比較して、携帯可能であり、安価ありで、
しかも製造が比較的簡単であるからである。しかしなが
ら、ＭＯＳ化学センサは、通常、類似の化学種の間での
選択性が貧弱である。更に、ＭＯＳ化学センサは、一般
的に、狭い範囲の化学的濃度の測定に限定される。
ロセス制御、健康、環境の認識のために、特定の化学種
(chemical species)の存在およびその濃度レベルを検出
または監視するために使用されている。金属酸化物半導
体（ＭＯＳ）化学センサの開発は、大きな関心の的であ
った。その理由は、ＭＯＳ化学センサは、他のタイプの
化学センサと比較して、携帯可能であり、安価ありで、
しかも製造が比較的簡単であるからである。しかしなが
ら、ＭＯＳ化学センサは、通常、類似の化学種の間での
選択性が貧弱である。更に、ＭＯＳ化学センサは、一般
的に、狭い範囲の化学的濃度の測定に限定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、類似の化
学種間の識別が可能で、しかも特定の化学種に対して広
い範囲の濃度を検出する方法が必要とされている。この
方法は、精度が高く、価格効率的で、携帯可能で、更
に、既存の半導体製造技術を用いて製造可能なセンサを
用いるものでなければならない。
学種間の識別が可能で、しかも特定の化学種に対して広
い範囲の濃度を検出する方法が必要とされている。この
方法は、精度が高く、価格効率的で、携帯可能で、更
に、既存の半導体製造技術を用いて製造可能なセンサを
用いるものでなければならない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のセンサは、チャ
ネル領域を覆うゲート電極を含む。ゲート電極とチャネ
ル領域との間のギャップによって、ゲート電極の表面を
化学物質に露出させる。化学物質に露出させると、ゲー
ト電極の表面電位または電気的インピーダンスが変化す
る。表面電位の変化を電気的インピーダンスの変化と比
較することによって、類似した化学種間の識別が可能
で、しかもセンサの検出範囲を拡張する方法が得られ
る。 ［発明の詳細な説明］
ネル領域を覆うゲート電極を含む。ゲート電極とチャネ
ル領域との間のギャップによって、ゲート電極の表面を
化学物質に露出させる。化学物質に露出させると、ゲー
ト電極の表面電位または電気的インピーダンスが変化す
る。表面電位の変化を電気的インピーダンスの変化と比
較することによって、類似した化学種間の識別が可能
で、しかもセンサの検出範囲を拡張する方法が得られ
る。 ［発明の詳細な説明］
【０００５】これより図面を参照しながら、本発明の詳
細な説明を行う。
細な説明を行う。
【０００６】図１は、センサ、即ち、化学プローブ・イ
ンピーダンス電界効果トランジスタ（ＣＰＩＦＥＴ: ch
emical probe impedance field effect transistor）の
一実施例の部分断面図を示す。センサ１０は半導体基板
１２を含み、例えば、ｎ−型シリコンまたはガリウム砒
素のような半導体で構成されている。酸化または半導体
技術において既知のその他の技術を用いて、半導体基板
１２上に誘電体層１７を形成する、即ち、成長させる。
注入技術または拡散プロセスを用いることによって、半
導体基板内に、チャネル領域３４に隣接して、ソース領
域１４およびドレイン領域１６を配置、即ち、形成す
る。チャネル領域３４は、ソース領域１４とドレイン領
域１６との間に位置する。チャネル領域３４のドーピン
グ・レベルは、イオン注入または拡散プロセスによって
変調可能である。
ンピーダンス電界効果トランジスタ（ＣＰＩＦＥＴ: ch
emical probe impedance field effect transistor）の
一実施例の部分断面図を示す。センサ１０は半導体基板
１２を含み、例えば、ｎ−型シリコンまたはガリウム砒
素のような半導体で構成されている。酸化または半導体
技術において既知のその他の技術を用いて、半導体基板
１２上に誘電体層１７を形成する、即ち、成長させる。
注入技術または拡散プロセスを用いることによって、半
導体基板内に、チャネル領域３４に隣接して、ソース領
域１４およびドレイン領域１６を配置、即ち、形成す
る。チャネル領域３４は、ソース領域１４とドレイン領
域１６との間に位置する。チャネル領域３４のドーピン
グ・レベルは、イオン注入または拡散プロセスによって
変調可能である。
【０００７】ソース領域１４およびドレイン領域１６上
に、ソース接点２４およびドレイン接点２６を形成し、
センサ１０にソース電圧およびドレイン電圧をそれぞれ
供給する。ソース接点２４およびドレイン接点２６は、
アルミニウム・シリコンのような金属で構成することが
でき、当技術では既知の金属堆積およびエッチング・プ
ロセス、またはシリサイド・プロセスを用いて形成する
ことができる。
に、ソース接点２４およびドレイン接点２６を形成し、
センサ１０にソース電圧およびドレイン電圧をそれぞれ
供給する。ソース接点２４およびドレイン接点２６は、
アルミニウム・シリコンのような金属で構成することが
でき、当技術では既知の金属堆積およびエッチング・プ
ロセス、またはシリサイド・プロセスを用いて形成する
ことができる。
【０００８】半導体基板１２上に、チャネル領域３４を
覆うようにゲート絶縁物１８を設ける。ゲート絶縁物１
８は、ゲート電極２０とチャネル領域３４との間の電気
的絶縁物である。ゲート絶縁物１８は酸化シリコンで構
成することができ、半導体基板１２の表面上に熱的に成
長させる。あるいは、ゲート酸化物１８は、窒化シリコ
ンまたは酸窒化シリコンで構成することができ、この場
合は、化学蒸着技術を用いて表面３６上に堆積する。
覆うようにゲート絶縁物１８を設ける。ゲート絶縁物１
８は、ゲート電極２０とチャネル領域３４との間の電気
的絶縁物である。ゲート絶縁物１８は酸化シリコンで構
成することができ、半導体基板１２の表面上に熱的に成
長させる。あるいは、ゲート酸化物１８は、窒化シリコ
ンまたは酸窒化シリコンで構成することができ、この場
合は、化学蒸着技術を用いて表面３６上に堆積する。
【０００９】スパッタリング、蒸着、または電気メッキ
技術を用いて半導体基板１２の背面上に、金属層３８を
堆積する。金属層３８は従来の金属構造であり、センサ
１０に基板バイアス電圧を供給するもので、チタン、ニ
ッケル、銀、金、またはプラチナで構成することができ
る。
技術を用いて半導体基板１２の背面上に、金属層３８を
堆積する。金属層３８は従来の金属構造であり、センサ
１０に基板バイアス電圧を供給するもので、チタン、ニ
ッケル、銀、金、またはプラチナで構成することができ
る。
【００１０】ゲート電極２０をチャネル領域３４上に配
置し、ゲート絶縁物１８とゲート電極２０の表面２８と
の間に約１．０１ないし２０ミクロンの開口またはギャ
ップ２２を設ける。ゲート電極２０はチャネル領域３４
上に支持されており、当技術では既知の半導体処理技術
を用いて、化学的に感応性(chemically sensitive)があ
る導電性物質で形成する。例えば、ゲート電極２０は、
カンチレバー(cantilever)、ダイアフラム、または空中
ブリッジ(air bridge)に類似した構造とすることができ
る。また、ゲート電極２０は感応物質(sensing materia
l)で構成され、その組成は、センサ１０によって検出、
感知、または監視すべき所望の化学種によって異なる。
置し、ゲート絶縁物１８とゲート電極２０の表面２８と
の間に約１．０１ないし２０ミクロンの開口またはギャ
ップ２２を設ける。ゲート電極２０はチャネル領域３４
上に支持されており、当技術では既知の半導体処理技術
を用いて、化学的に感応性(chemically sensitive)があ
る導電性物質で形成する。例えば、ゲート電極２０は、
カンチレバー(cantilever)、ダイアフラム、または空中
ブリッジ(air bridge)に類似した構造とすることができ
る。また、ゲート電極２０は感応物質(sensing materia
l)で構成され、その組成は、センサ１０によって検出、
感知、または監視すべき所望の化学種によって異なる。
【００１１】例えば、ゲート電極２０を金およびパラデ
ィウムの合金で構成する場合、ゲート電極２０は、ホス
フィン(phosphine) および砒素を検出し、化学的に反応
可能である。ゲート電極２０に適した他の物質には、例
えば、酸化錫（ＳｎＯ2 ）または酸化チタン（ＴｉＯ
2 ）のような金属酸化物、あるいは、例えば、プラチナ
のような貴金属または遷移金属の薄層が含まれるが、こ
れらに限定される訳ではない。尚、ゲート電極２０に用
いられる物質にドープを行い、ゲート電極２０の感度お
よび選択性の向上が可能であることも理解されよう。
ィウムの合金で構成する場合、ゲート電極２０は、ホス
フィン(phosphine) および砒素を検出し、化学的に反応
可能である。ゲート電極２０に適した他の物質には、例
えば、酸化錫（ＳｎＯ2 ）または酸化チタン（ＴｉＯ
2 ）のような金属酸化物、あるいは、例えば、プラチナ
のような貴金属または遷移金属の薄層が含まれるが、こ
れらに限定される訳ではない。尚、ゲート電極２０に用
いられる物質にドープを行い、ゲート電極２０の感度お
よび選択性の向上が可能であることも理解されよう。
【００１２】ゲート電極２０の化学的反応性、または吸
着および脱離の力学は、ゲート電極２０の温度によって
左右される。したがって、ゲート電極２０に近接してヒ
ータ３０を設け、ゲート電極２０の温度を均一に制御
し、センサ１０の応答時間および感度の改善を図る。図
１の実施例では、ゲート電極２０上にヒータ３０を配置
しており、例えば、ポリシリコン、ニッケル・クロム合
金、高濃度にドープしたシリコン、タンタル合金、また
はプラチナのような電気的に抵抗性の材料で、このヒー
タ３０を構成する。
着および脱離の力学は、ゲート電極２０の温度によって
左右される。したがって、ゲート電極２０に近接してヒ
ータ３０を設け、ゲート電極２０の温度を均一に制御
し、センサ１０の応答時間および感度の改善を図る。図
１の実施例では、ゲート電極２０上にヒータ３０を配置
しており、例えば、ポリシリコン、ニッケル・クロム合
金、高濃度にドープしたシリコン、タンタル合金、また
はプラチナのような電気的に抵抗性の材料で、このヒー
タ３０を構成する。
【００１３】ゲート電極２０を金およびパラディウムの
合金で構成し、ホスフィンまたは砒素を検出するように
設計する場合、ヒータ３０はゲート電極２０を約摂氏８
０ないし１２０度（℃）に加熱し、センサ１０のホスフ
ィンまたは砒素を検出する感度を高める。また、ヒータ
３０を用いてゲート電極２０を約１８０ないし２２０℃
に加熱し、ゲート電極２０のリフレッシュ、即ち、再生
(regenerate)を行い、ゲート電極２０がホスフィンまた
は砒素を検出した後のその回復時間を改善することも可
能である。更に、ヒータ３０は、ゲート電極２０の温度
抵抗率の変更または調節に用い、センサ１０の感度を最
大に高めることも可能である。
合金で構成し、ホスフィンまたは砒素を検出するように
設計する場合、ヒータ３０はゲート電極２０を約摂氏８
０ないし１２０度（℃）に加熱し、センサ１０のホスフ
ィンまたは砒素を検出する感度を高める。また、ヒータ
３０を用いてゲート電極２０を約１８０ないし２２０℃
に加熱し、ゲート電極２０のリフレッシュ、即ち、再生
(regenerate)を行い、ゲート電極２０がホスフィンまた
は砒素を検出した後のその回復時間を改善することも可
能である。更に、ヒータ３０は、ゲート電極２０の温度
抵抗率の変更または調節に用い、センサ１０の感度を最
大に高めることも可能である。
【００１４】ゲート電極２０とヒータ３０との間に絶縁
体３２を設け、即ち、配置し、それらの間で電気的絶縁
を行う。絶縁体３２は、窒化物、酸化物、または酸窒化
物で構成される。絶縁体３２が薄い程、ゲート電極２０
に効率の高い加熱形態(heating scheme)をもたらし、セ
ンサ１０の電力消費が減少する。したがって、絶縁体３
２の厚さは、電力消費を最少にしつつ、電気的絶縁およ
び機械的安定を維持するように選択する。
体３２を設け、即ち、配置し、それらの間で電気的絶縁
を行う。絶縁体３２は、窒化物、酸化物、または酸窒化
物で構成される。絶縁体３２が薄い程、ゲート電極２０
に効率の高い加熱形態(heating scheme)をもたらし、セ
ンサ１０の電力消費が減少する。したがって、絶縁体３
２の厚さは、電力消費を最少にしつつ、電気的絶縁およ
び機械的安定を維持するように選択する。
【００１５】当技術では既知の温度センサ４０をヒータ
３０に近接して設け、ヒータ３０の温度を監視する。図
１の好適実施例では、温度センサ４０をヒータ３０の上
に配置する。
３０に近接して設け、ヒータ３０の温度を監視する。図
１の好適実施例では、温度センサ４０をヒータ３０の上
に配置する。
【００１６】ギャップ２２のために、流体、即ち、気体
（図示せず）がゲート絶縁体１８およびゲート電極２０
間を通過して、ゲート電極２０の表面２８に接触可能と
なっている。一実施例では、流体、即ち、気体は、表面
２８と化学的に反応する化学物質を含み、この化学反応
が、ゲート電極２０の表面電位および電気的インピーダ
ンスの双方に変化を及ぼす。ゲート電極２０の表面電位
は、当技術では、仕事関数としても知られており、検出
対象の化学物質への露出による、ゲート電極の表面極性
(surface polarity)の関数である。ゲート電極２０の電
気的インピーダンスも、当技術では抵抗として知られて
おり、表面２８上および内部への化学物質の拡散度(dif
fusivity) の関数であり、更に、化学物質への露出によ
って変化する、ゲート電極２０の表面状態の関数でもあ
る。
（図示せず）がゲート絶縁体１８およびゲート電極２０
間を通過して、ゲート電極２０の表面２８に接触可能と
なっている。一実施例では、流体、即ち、気体は、表面
２８と化学的に反応する化学物質を含み、この化学反応
が、ゲート電極２０の表面電位および電気的インピーダ
ンスの双方に変化を及ぼす。ゲート電極２０の表面電位
は、当技術では、仕事関数としても知られており、検出
対象の化学物質への露出による、ゲート電極の表面極性
(surface polarity)の関数である。ゲート電極２０の電
気的インピーダンスも、当技術では抵抗として知られて
おり、表面２８上および内部への化学物質の拡散度(dif
fusivity) の関数であり、更に、化学物質への露出によ
って変化する、ゲート電極２０の表面状態の関数でもあ
る。
【００１７】別の実施例では、表面２８および気体、即
ち、流体間の化学反応は、ゲート電極２０の表面電位の
みを変化させ、ゲート電極２０の電気的インピーダンス
はほぼ一定のままであっても、またはこの逆であっても
よい。以下でより詳細に説明するが、ゲート電極２０の
組成、ゲート電極２０と反応する特定の化学種、および
センサ１０によって検出される特定の化学種の濃度は、
表面電位のみ、電気的インピーダンスのみ、または表面
電位と電気的インピーダンスのどれが変化するのかを決
定する。
ち、流体間の化学反応は、ゲート電極２０の表面電位の
みを変化させ、ゲート電極２０の電気的インピーダンス
はほぼ一定のままであっても、またはこの逆であっても
よい。以下でより詳細に説明するが、ゲート電極２０の
組成、ゲート電極２０と反応する特定の化学種、および
センサ１０によって検出される特定の化学種の濃度は、
表面電位のみ、電気的インピーダンスのみ、または表面
電位と電気的インピーダンスのどれが変化するのかを決
定する。
【００１８】動作中、ゲート電極２０、ソース接点２
４、およびドレイン接点２６は、通常、ほぼ一定の電圧
で各々バイアスされる。ゲート電極２０のほぼ一定の電
圧は、チャネル領域３４内の電流の大きさを制御する。
しかしながら、ゲート電極２０の表面電位が、ギャップ
２２内の化学物質との反応の結果として変化すると、ト
ランジスタ、即ち、センサ１０のスレシホルド電圧が変
化し、これによって、チャネル領域３４内の電流の大き
さにも変化が生じる。したがって、表面電位における変
調がチャネル領域３４内の電流を変化させ、一方ゲート
電極２０、ソース接点２４、およびドレイン接点２６は
各々ほぼ一定の電圧でバイアスされ続ける。
４、およびドレイン接点２６は、通常、ほぼ一定の電圧
で各々バイアスされる。ゲート電極２０のほぼ一定の電
圧は、チャネル領域３４内の電流の大きさを制御する。
しかしながら、ゲート電極２０の表面電位が、ギャップ
２２内の化学物質との反応の結果として変化すると、ト
ランジスタ、即ち、センサ１０のスレシホルド電圧が変
化し、これによって、チャネル領域３４内の電流の大き
さにも変化が生じる。したがって、表面電位における変
調がチャネル領域３４内の電流を変化させ、一方ゲート
電極２０、ソース接点２４、およびドレイン接点２６は
各々ほぼ一定の電圧でバイアスされ続ける。
【００１９】チャネル領域３４内の電流変動が、ソース
接点２４およびドレイン接点２６を通じて検出、即ち、
測定されたなら、測定された電流変動から、当技術では
既知の技術を用いてゲート電極２０の表面電位における
変化を決定することができる。
接点２４およびドレイン接点２６を通じて検出、即ち、
測定されたなら、測定された電流変動から、当技術では
既知の技術を用いてゲート電極２０の表面電位における
変化を決定することができる。
【００２０】図１の実施例に示すように、電極、即ち、
電気接続部４２，４４がゲート電極２０に結合されてい
る。ゲート電極２０がほぼ一定の電圧にバイアスされて
いる間、電気接続部４２，４４は、ゲート電極２０の電
気的インピーダンス、即ち、抵抗を決定または測定する
機能を与える。
電気接続部４２，４４がゲート電極２０に結合されてい
る。ゲート電極２０がほぼ一定の電圧にバイアスされて
いる間、電気接続部４２，４４は、ゲート電極２０の電
気的インピーダンス、即ち、抵抗を決定または測定する
機能を与える。
【００２１】例えば、電気接続部４２，４４を用いて、
抵抗であるゲート電極２０間にほぼ一定の電流を強制す
ることができる。また、電気接続部４２，４４を用い
て、ゲート電極２０間の電圧降下を測定することもでき
る。ゲート電極２０の電気的インピーダンス、即ち、抵
抗は、ゲート電極２０間に強制したほぼ一定の電流で測
定電圧降下を除算ことによって計算する。ほぼ一定の電
流をゲート電極２０間に強制している間に、ゲート電極
２０の抵抗が所望の化学物質との反応によって変化する
と、ゲート電極２０間の測定電圧も変化する。したがっ
て、ゲート電極２０間の電圧測定値における変化を用い
て、ゲート電極２０を横切る抵抗変化を決定し、更にこ
れを用いて、化学物質の濃度変化を指示する。
抵抗であるゲート電極２０間にほぼ一定の電流を強制す
ることができる。また、電気接続部４２，４４を用い
て、ゲート電極２０間の電圧降下を測定することもでき
る。ゲート電極２０の電気的インピーダンス、即ち、抵
抗は、ゲート電極２０間に強制したほぼ一定の電流で測
定電圧降下を除算ことによって計算する。ほぼ一定の電
流をゲート電極２０間に強制している間に、ゲート電極
２０の抵抗が所望の化学物質との反応によって変化する
と、ゲート電極２０間の測定電圧も変化する。したがっ
て、ゲート電極２０間の電圧測定値における変化を用い
て、ゲート電極２０を横切る抵抗変化を決定し、更にこ
れを用いて、化学物質の濃度変化を指示する。
【００２２】ゲート電極２０の抵抗測定をより精度高く
するために、４端子測定技術を用いることができる。例
えば、電気接続部４２，４４、および更に２つの追加電
気接続部（図示せず）をゲート電極２０に結合すること
ができる。この例では、２つの追加電気接続部がゲート
電極２０間にほぼ一定の電流を強制し、一方、電気接続
部４２，４４はゲート電極２０間の電圧降下を測定す
る。
するために、４端子測定技術を用いることができる。例
えば、電気接続部４２，４４、および更に２つの追加電
気接続部（図示せず）をゲート電極２０に結合すること
ができる。この例では、２つの追加電気接続部がゲート
電極２０間にほぼ一定の電流を強制し、一方、電気接続
部４２，４４はゲート電極２０間の電圧降下を測定す
る。
【００２３】要約すれば、ゲート電極２０の表面電位の
変動、およびゲート電極２０の電気的インピーダンスの
変動を測定して、特定の化学種の濃度を判定する。この
２つの測定を用いて、以下に説明するように、センサの
濃度測定範囲を拡張ことも可能である。
変動、およびゲート電極２０の電気的インピーダンスの
変動を測定して、特定の化学種の濃度を判定する。この
２つの測定を用いて、以下に説明するように、センサの
濃度測定範囲を拡張ことも可能である。
【００２４】図２は、センサ１０の動作の実施例を示
す。図２のグラフの横軸、即ち、ｘ軸は、ゲート電極２
０の表面２８と化学的に反応する、ギャップ２２におけ
る化学物質「Ａ」の濃度を表わす。図２のグラフの第１
縦軸、即ち、ｙ軸は、ゲート電極２０の表面電位の大き
さを表わす。ｘ軸の単位は立方センチメートル（ｃ
ｍ-3）であり、第１ｙ軸の単位はミリボルト（ｍＶ）で
ある。したがって、曲線２０１は、ギャップ２２におけ
る化学種「Ａ」の濃度対ゲート電極２０の表面電位の関
係を示す、即ち、プロットしたものである。曲線２０１
は、化学種「Ａ」の濃度が上昇すると、ゲート電極２０
の表面電位も上昇することを示している。既に論じたよ
うに、ゲート電極２０の表面電位は、チャネル領域３４
における電流の測定値から計算される。
す。図２のグラフの横軸、即ち、ｘ軸は、ゲート電極２
０の表面２８と化学的に反応する、ギャップ２２におけ
る化学物質「Ａ」の濃度を表わす。図２のグラフの第１
縦軸、即ち、ｙ軸は、ゲート電極２０の表面電位の大き
さを表わす。ｘ軸の単位は立方センチメートル（ｃ
ｍ-3）であり、第１ｙ軸の単位はミリボルト（ｍＶ）で
ある。したがって、曲線２０１は、ギャップ２２におけ
る化学種「Ａ」の濃度対ゲート電極２０の表面電位の関
係を示す、即ち、プロットしたものである。曲線２０１
は、化学種「Ａ」の濃度が上昇すると、ゲート電極２０
の表面電位も上昇することを示している。既に論じたよ
うに、ゲート電極２０の表面電位は、チャネル領域３４
における電流の測定値から計算される。
【００２５】図２のグラフは、ゲート抵抗、即ち、ゲー
ト電極２０の電気的インピーダンスを表わす、第２縦
軸、即ち、ｙ軸も有する。第２ｙ軸の単位はオーム
（Ｗ）である。曲線２０２は、ゲート電極２０のゲート
抵抗が、ギャップ２２内の化学種「Ａ」の濃度の上昇に
伴って増大することを示す。
ト電極２０の電気的インピーダンスを表わす、第２縦
軸、即ち、ｙ軸も有する。第２ｙ軸の単位はオーム
（Ｗ）である。曲線２０２は、ゲート電極２０のゲート
抵抗が、ギャップ２２内の化学種「Ａ」の濃度の上昇に
伴って増大することを示す。
【００２６】図２の曲線２０１，２０２を調べることに
よって、表面電位および電気的抵抗の測定値を組み合わ
せて用いることにより、センサ１０の濃度測定範囲が拡
張することが当業者にはわかるであろう。より具体的に
は、図２に示すこの特定実施例では、ゲート電極２０と
反応する化学種「Ａ」の濃度が低いとゲート電極２０の
表面電位、即ち、仕事関数に大幅な変化をもたらすが、
ゲート電極２０の抵抗には大きな影響を及ぼさない。化
学種「Ａ」の濃度が高い領域において、表面電位の変化
が飽和すると、ゲート電極２０の抵抗変化がより顕著と
なる。したがって、図２の実施例では、表面電位の変動
を用いて、化学種「Ａ」の低い方の濃度の検出または監
視を行い、一方ゲート抵抗の変動を用いて、化学種
「Ａ」の高い方の濃度の検出または監視を行う。
よって、表面電位および電気的抵抗の測定値を組み合わ
せて用いることにより、センサ１０の濃度測定範囲が拡
張することが当業者にはわかるであろう。より具体的に
は、図２に示すこの特定実施例では、ゲート電極２０と
反応する化学種「Ａ」の濃度が低いとゲート電極２０の
表面電位、即ち、仕事関数に大幅な変化をもたらすが、
ゲート電極２０の抵抗には大きな影響を及ぼさない。化
学種「Ａ」の濃度が高い領域において、表面電位の変化
が飽和すると、ゲート電極２０の抵抗変化がより顕著と
なる。したがって、図２の実施例では、表面電位の変動
を用いて、化学種「Ａ」の低い方の濃度の検出または監
視を行い、一方ゲート抵抗の変動を用いて、化学種
「Ａ」の高い方の濃度の検出または監視を行う。
【００２７】このように、センサ１０は、広い範囲の濃
度にわたって化学物質の検出または監視を行うために用
いることができる。このように検出範囲を改良したこと
により、従来技術に比較して、電力消費を低減すること
ができる。複数のヒータの代わりに単一のヒータ３０を
用いて、抵抗変化および表面電位変化双方の測定のため
に、動作温度の規制を行う。したがって、センサ１０
は、その低電力消費のために、携帯用機器の用途に適し
たものとなる。
度にわたって化学物質の検出または監視を行うために用
いることができる。このように検出範囲を改良したこと
により、従来技術に比較して、電力消費を低減すること
ができる。複数のヒータの代わりに単一のヒータ３０を
用いて、抵抗変化および表面電位変化双方の測定のため
に、動作温度の規制を行う。したがって、センサ１０
は、その低電力消費のために、携帯用機器の用途に適し
たものとなる。
【００２８】図３は、センサ１０の動作の他の実施例を
示す。図３のグラフは、ギャップ２２内の化学種「Ｂ」
の濃度を表わす横軸、即ち、ｘ軸を有し、更に、ゲート
電極２０の表面電位を表わす第１縦軸、即ち、ｙ軸も有
する。ｘ軸および第１ｙ軸の単位は、それぞれｃｍ-3お
よびｍＶである。したがって、曲線３０１は、化学種
「Ｂ」の濃度対ゲート電極２０の表面電位の関係をプロ
ットするものであり、化学物質の濃度が大きい、即ち、
高い程、表面電位も大きく、即ち、高くなる。
示す。図３のグラフは、ギャップ２２内の化学種「Ｂ」
の濃度を表わす横軸、即ち、ｘ軸を有し、更に、ゲート
電極２０の表面電位を表わす第１縦軸、即ち、ｙ軸も有
する。ｘ軸および第１ｙ軸の単位は、それぞれｃｍ-3お
よびｍＶである。したがって、曲線３０１は、化学種
「Ｂ」の濃度対ゲート電極２０の表面電位の関係をプロ
ットするものであり、化学物質の濃度が大きい、即ち、
高い程、表面電位も大きく、即ち、高くなる。
【００２９】図３のグラフは、ゲート電極２０の抵抗を
表わす第２縦軸、即ち、ｙ軸も有し、その単位はＷであ
る。したがって、曲線３０２は、化学種「Ｂ］の濃度の
ゲート電極２０のゲート抵抗に対する関係を示し、化学
物質の濃度が高い程、ゲート抵抗も高くなる。
表わす第２縦軸、即ち、ｙ軸も有し、その単位はＷであ
る。したがって、曲線３０２は、化学種「Ｂ］の濃度の
ゲート電極２０のゲート抵抗に対する関係を示し、化学
物質の濃度が高い程、ゲート抵抗も高くなる。
【００３０】図２の化学種「Ａ」は組成が図３の化学種
「Ｂ」に類似すると仮定する。すると、化学種「Ａ」と
同様に、化学種「Ｂ」もゲート電極２０と反応する。図
３に示すように、化学種「Ｂ」の濃度が低い、即ち、小
さい場合、ゲート電極２０の表面電位の大幅な変化、即
ち、変更をもたらすが、ゲート電極２０の抵抗には大き
な変化が生じない。化学種「Ｂ」の濃度が高い領域で
は、ゲート電極２０の抵抗が大幅に変化し始めるが、ゲ
ート電極２０の表面電位信号は、化学種「Ｂ」の高い濃
度では飽和状態となる。
「Ｂ」に類似すると仮定する。すると、化学種「Ａ」と
同様に、化学種「Ｂ」もゲート電極２０と反応する。図
３に示すように、化学種「Ｂ」の濃度が低い、即ち、小
さい場合、ゲート電極２０の表面電位の大幅な変化、即
ち、変更をもたらすが、ゲート電極２０の抵抗には大き
な変化が生じない。化学種「Ｂ」の濃度が高い領域で
は、ゲート電極２０の抵抗が大幅に変化し始めるが、ゲ
ート電極２０の表面電位信号は、化学種「Ｂ」の高い濃
度では飽和状態となる。
【００３１】ゲート電極２０の組成は、種「Ａ」および
「Ｂ」のような２つの類似した化学種と反応することが
できる。しかしながら、表面電位および抵抗に対するこ
れら２つの類似した化学種の効果は異なり得るものであ
り、この相違を利用して、これら２つの類似した化学種
間の識別を行うことができる。例えば、図２および図３
のグラフを比較すると、ゲート電極２０の表面電位は、
低い方の濃度では、双方の化学種「Ａ」および「Ｂ」に
同様に応答することを当業者は認めよう。しかしなが
ら、ゲート電極２０の抵抗は、ゲート電極２０をより高
い濃度の化学種「Ａ」に晒す、即ち、露出させると、化
学種「Ｂ」と比較して、より素早く変化することも当業
者は認めよう。したがって、表面電位の変動およびゲー
ト抵抗の変動を比較対照することによって、２つの類似
した化学種「Ａ」および「Ｂ」間の識別を行うことがで
きる。
「Ｂ」のような２つの類似した化学種と反応することが
できる。しかしながら、表面電位および抵抗に対するこ
れら２つの類似した化学種の効果は異なり得るものであ
り、この相違を利用して、これら２つの類似した化学種
間の識別を行うことができる。例えば、図２および図３
のグラフを比較すると、ゲート電極２０の表面電位は、
低い方の濃度では、双方の化学種「Ａ」および「Ｂ」に
同様に応答することを当業者は認めよう。しかしなが
ら、ゲート電極２０の抵抗は、ゲート電極２０をより高
い濃度の化学種「Ａ」に晒す、即ち、露出させると、化
学種「Ｂ」と比較して、より素早く変化することも当業
者は認めよう。したがって、表面電位の変動およびゲー
ト抵抗の変動を比較対照することによって、２つの類似
した化学種「Ａ」および「Ｂ」間の識別を行うことがで
きる。
【００３２】このように、本発明によれば、従来技術の
欠点を克服した、改良されたセンサが提供されたことが
明白である。本発明は、従来技術の検出範囲の限界およ
び低精度を打破するものである。本発明は、化学濃度の
検出範囲を拡張し、センサの応答時間、感度、および選
択性を向上させる多検出機能を提供する。本発明は、表
面電位特性を用いて化学種の低い方の濃度を測定し、抵
抗特性を用いて同一化学種の高い方の濃度を測定する。
欠点を克服した、改良されたセンサが提供されたことが
明白である。本発明は、従来技術の検出範囲の限界およ
び低精度を打破するものである。本発明は、化学濃度の
検出範囲を拡張し、センサの応答時間、感度、および選
択性を向上させる多検出機能を提供する。本発明は、表
面電位特性を用いて化学種の低い方の濃度を測定し、抵
抗特性を用いて同一化学種の高い方の濃度を測定する。
【００３３】また、本発明は、表面電位および抵抗特性
を用いて、特定の化学種の存在を判定し、類似した２つ
の化学種間の識別を行う。更に、本発明は、その低消費
電力のために、携帯用機器への用途にも適したものであ
る。更にまた、本発明は価格効率的であり、従来の半導
体製造技術を用いて製造可能である。
を用いて、特定の化学種の存在を判定し、類似した２つ
の化学種間の識別を行う。更に、本発明は、その低消費
電力のために、携帯用機器への用途にも適したものであ
る。更にまた、本発明は価格効率的であり、従来の半導
体製造技術を用いて製造可能である。
【００３４】以上、本発明について、好適実施例を参照
しながら特定して示しかつ説明してきたが、本発明の精
神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細の
変更が可能であることは当業者には理解されよう。例え
ば、図２および図３のグラフは、化学物質の濃度対表面
電位の関係をプロットしたものであるが、化学物質の濃
度対チャネル電流を表わす同様のグラフも使用可能であ
ることは理解されよう。したがって、本発明の開示は限
定を意図するのではなく、むしろ、特許請求の範囲に記
載された本発明の範囲の例示を意図するものである。
しながら特定して示しかつ説明してきたが、本発明の精
神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細の
変更が可能であることは当業者には理解されよう。例え
ば、図２および図３のグラフは、化学物質の濃度対表面
電位の関係をプロットしたものであるが、化学物質の濃
度対チャネル電流を表わす同様のグラフも使用可能であ
ることは理解されよう。したがって、本発明の開示は限
定を意図するのではなく、むしろ、特許請求の範囲に記
載された本発明の範囲の例示を意図するものである。
【図１】本発明によるセンサの実施例を示す部分断面
図。
図。
【図２】本発明によるセンサの動作の実施例を示す図。
【図３】本発明によるセンサの動作の実施例を示す図。
１０ センサ １２ 半導体基板 １４ ソース領域 １６ ドレイン領域 １７ 誘電体層 １８ ゲート絶縁物 ２０ ゲート電極 ２２ ギャップ ２４ ソース接点 ２６ ドレイン接点 ３０ ヒータ ３２ 絶縁体 ３４ チャネル領域 ３８ 金属層 ４０ 温度センサ
Claims (3)
- 【請求項１】化学物質の検出方法であって：感応物質
（２０）を用意する段階；前記感応物質（２０）の表面
電位を検出する段階；前記感応物質（２０）の電気的イ
ンピーダンスを検出する段階；および前記表面電位を前
記電気的インピーダンスと比較して、前記化学物質の存
在を判定する段階；から成ることを特徴とする方法。 - 【請求項２】化学物質の検出方法であって：チャネル領
域（３４）を覆うゲート電極（２０）を有するトランジ
スタ（１０）を用意する段階；前記ゲート電極（２０）
を用いて、前記チャネル領域（３４）内の電流を制御す
る段階；前記ゲート電極（２０）の抵抗を測定する段
階；前記電流の大きさを測定する段階；および前記ゲー
ト電極（２０）の抵抗を前記電流の大きさと比較する段
階；から成ることを特徴とする方法。 - 【請求項３】センサであって：半導体基板（１２）；前
記半導体基板（１２）内のチャネル（３４）；前記チャ
ネル（３４）を覆うゲート電極（２０）であって、前記
ゲ−ト電極（２０）と前記半導体基板（１２）との間に
ギャップが存在する前記ゲート電極（２０）；前記ゲー
ト電極（２０）に結合された第１電気接続部；および前
記ゲート電極（２０）に結合された第２電気接続部；か
ら成ることを特徴とするセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/608,357 US5683569A (en) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | Method of sensing a chemical and sensor therefor |
| US608357 | 1996-02-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09329576A true JPH09329576A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=24436130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9057186A Pending JPH09329576A (ja) | 1996-02-28 | 1997-02-26 | 化学物質の検出方法およびそのためのセンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5683569A (ja) |
| EP (1) | EP0793096B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09329576A (ja) |
| DE (1) | DE69729017T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009236907A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Micronas Gmbh | ガスの濃度を測定する方法 |
| JP2009236910A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Micronas Gmbh | ガスセンサ |
| JP2011526361A (ja) * | 2008-07-02 | 2011-10-06 | マイクロナス ゲーエムベーハー | ガスセンサ |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19515524C2 (de) * | 1995-04-27 | 1999-09-09 | Private Uni Witten Herdecke Gm | Verfahren und Vorrichtung zum fortlaufenden Nachweis wenigstens einer Substanz in einem gasförmigen oder flüssigen Gemisch mittels einer Sensorelektrode |
| US6844197B1 (en) * | 1998-04-17 | 2005-01-18 | California Institute Of Technology | Method for validating that the detection ability of a sensor array mimics a human nose detection ability |
| US6294063B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-09-25 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for programmable fluidic processing |
| DE19956303A1 (de) * | 1999-11-23 | 2001-06-07 | Siemens Ag | Brandmelder mit Gassensoren |
| EP1328803B1 (en) * | 2000-06-14 | 2005-09-07 | The Board Of Regents, The University Of Texas System | Systems and methods for cell subpopulation analysis |
| EP1350095B1 (en) * | 2000-06-14 | 2015-12-09 | The Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for combined magnetophoretic and dielectrophoretic manipulation of analyte mixtures |
| CA2409402A1 (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-20 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for fluid injection |
| EP1351762B1 (en) * | 2000-10-16 | 2006-11-29 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Infrared thermographic screening technique for semiconductor-based chemical sensors |
| US6887667B2 (en) * | 2000-12-28 | 2005-05-03 | Alfred E. Mann Institute For Biomedical Engineering At The University Of Southern California | Method and apparatus to identify small variations of biomolecules |
| US6703819B2 (en) | 2001-12-03 | 2004-03-09 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Particle impedance sensor |
| US6866762B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-03-15 | Board Of Regents, University Of Texas System | Dielectric gate and methods for fluid injection and control |
| US20030119057A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Board Of Regents | Forming and modifying dielectrically-engineered microparticles |
| US6953958B2 (en) * | 2002-03-19 | 2005-10-11 | Cornell Research Foundation, Inc. | Electronic gain cell based charge sensor |
| US7033873B1 (en) * | 2002-09-18 | 2006-04-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods of controlling gate electrode doping, and systems for accomplishing same |
| US7180308B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-02-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Screening for electrical conductivity of molecules by measuring surface potential |
| US7403113B2 (en) * | 2004-05-17 | 2008-07-22 | California Institute Of Technology | GaN-based sensor nodes for in situ detection of gases |
| WO2006085905A1 (en) | 2004-05-28 | 2006-08-17 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Programmable fluidic processors |
| FR2872914B1 (fr) * | 2004-07-07 | 2006-10-13 | Univ Rennes I Etablissement Pu | Capteur pour la detection et/ou la mesure d'une concentration de charges electriques contenues dans une ambiance, utilisations et procede de fabrication correspondants |
| US7176508B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-02-13 | International Business Machines Corporation | Temperature sensor for high power very large scale integration circuits |
| DE102005046944A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Micronas Gmbh | Gassensitiver Feldeffekttransistor zur Detektion von Chlor |
| DE102006031228A1 (de) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement, Verfahren und Verwendung |
| EP2174122A2 (en) * | 2007-06-08 | 2010-04-14 | Bharath R Takulapalli | Nano structured field effect sensor and methods of forming and using same |
| US20110031986A1 (en) * | 2008-04-11 | 2011-02-10 | Navakanta Bhat | Sub-Threshold Capfet Sensor for Sensing Analyte, A Method and System Thereof |
| DE102009047354A1 (de) * | 2009-12-01 | 2011-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Steuergerät zur Detektion einer Gaskonzentration eines Gases aus einem Gasgemisch |
| US9448198B2 (en) * | 2011-07-05 | 2016-09-20 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Microsensor with integrated temperature control |
| CN103308584A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 中国科学院微电子研究所 | 场效应晶体管气体传感器及其制造方法 |
| EP2836828B1 (en) | 2012-04-09 | 2022-12-14 | Takulapalli, Bharath | Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same |
| KR102224850B1 (ko) * | 2013-10-07 | 2021-03-08 | 삼성전자주식회사 | 온도측정용 전극을 구비하는 반도체 소자 |
| US11977069B2 (en) | 2016-04-19 | 2024-05-07 | Bharath Takulapalli | Nanopore sensor, structure and device including the sensor, and methods of forming and using same |
| US20190145926A1 (en) * | 2016-04-29 | 2019-05-16 | Stc. Unm | Wafer level gate modulation enhanced detectors |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2407110C3 (de) * | 1974-02-14 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz |
| US4514263A (en) * | 1982-01-12 | 1985-04-30 | University Of Utah | Apparatus and method for measuring the concentration of components in fluids |
| JPS60242354A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Sharp Corp | Ｆｅｔ型センサ |
| CA1236931A (en) * | 1984-07-25 | 1988-05-17 | Philip J. Bohrer | Semiconductor device structure and processing by means of preferential etch undercutting |
| US5078855A (en) * | 1987-10-13 | 1992-01-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Chemical sensors and their divided parts |
| US5386715A (en) * | 1993-12-06 | 1995-02-07 | Motorola, Inc. | Gas vapor sensor |
| US5576563A (en) * | 1995-04-24 | 1996-11-19 | Motorola Inc. | Chemical probe field effect transistor for measuring the surface potential of a gate electrode in response to chemical exposure |
-
1996
- 1996-02-28 US US08/608,357 patent/US5683569A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-10 EP EP97102058A patent/EP0793096B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-10 DE DE69729017T patent/DE69729017T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-26 JP JP9057186A patent/JPH09329576A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009236907A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Micronas Gmbh | ガスの濃度を測定する方法 |
| JP2009236910A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Micronas Gmbh | ガスセンサ |
| JP2011526361A (ja) * | 2008-07-02 | 2011-10-06 | マイクロナス ゲーエムベーハー | ガスセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69729017D1 (de) | 2004-06-17 |
| DE69729017T2 (de) | 2005-03-24 |
| EP0793096A2 (en) | 1997-09-03 |
| US5683569A (en) | 1997-11-04 |
| EP0793096B1 (en) | 2004-05-12 |
| EP0793096A3 (en) | 1997-11-26 |
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