JP4040072B2 - 記録方法及び光ディスク装置 - Google Patents

Description

本発明は、記録方法及び光ディスク装置に係り、さらに詳しくは、情報の書き換えが可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する記録方法、及び情報の書き換えが可能な複数の記録層を有する光ディスクに対する情報の記録が可能な光ディスク装置に関する。

近年、デジタル技術の進歩及びデータ圧縮技術の向上に伴い、音楽、映画、写真及びコンピュータソフトなどの情報（以下「コンテンツ」ともいう）を記録するための媒体として、ＤＶＤ（digital versatile disc）などの光ディスクが注目されるようになり、その低価格化とともに、光ディスクを情報記録の対象媒体とする光ディスク装置が普及するようになった。

光ディスク装置では、光ディスクのスパイラル状又は同心円状のトラックが形成された記録面にレーザ光の微小スポットを形成することにより情報の記録を行い、記録面からの反射光に基づいて情報の再生などを行っている。この光ディスク装置には、光ディスクの記録面にレーザ光を照射するとともに、記録面からの反射光を受光するために、光ピックアップ装置が設けられている。

通常、光ピックアップ装置は、対物レンズを含み、光源から出射される光束を光ディスクの記録面に導くとともに、記録面で反射された戻り光束を所定の受光位置まで導く光学系、前記受光位置に配置された光検出器、及び対物レンズをその光軸方向（以下「フォーカス方向」ともいう）や、トラックの接線方向に直交する方向（以下「トラッキング方向」ともいう）に駆動するためのレンズ駆動装置などを備えている。光検出器からは、記録面に記録されているデータの再生情報だけでなく、対物レンズの位置制御に必要な情報（サーボ情報）を含む信号が出力される。

光ディスクでは、互いに反射率の異なるマーク及びスペースのそれぞれの長さとそれらの組み合わせとによって情報が記録される。

例えば、記録層に特殊合金を含むＤＶＤ−ＲＷ（ＤＶＤ−rewritable）及びＤＶＤ＋ＲＷ（ＤＶＤ＋rewritable）などの書き換え可能な光ディスクでは、マークを形成する時には、特殊合金を第１の温度に加熱したのち急冷し、アモルファス（非晶質）状態にしている。一方、スペースを形成する時には、特殊合金を第２の温度（＜第１の温度）に加熱したのち徐冷し、結晶状態にしている。これにより、マークではスペースよりも反射率が低くなる。このような特殊合金の温度制御はレーザ光の発光パワーを制御することによって行なわれる。特に、マークを形成するときには、前後のマーク及びスペースによる熱分布の変化を低減させるために、記録ストラテジと呼ばれる発光パワーのパルス形状等に関する規則（方式）に基づいて、発光パワーのパルス形状等を設定している。

そして、光ディスク装置では、記録に際して、光ディスクの目標位置に目標長さのマーク及びスペースがそれぞれ形成されるように、情報の記録に先立って、予め設定されているＰＣＡ（Power Calibration Area）と呼ばれる試し書き領域に試し書きを行って、最適な記録パワーを取得している（例えば、非特許文献１参照）。この処理は、ＯＰＣ（Optimum Power Control）処理と呼ばれている。

ところで、コンテンツの情報量は、年々増加する傾向にあり、光ディスクの記録容量の更なる増加が期待されている。そこで、光ディスクの記録容量を増加させる手段の一つとして、記録層の多層化が考えられ、複数の記録層を有する光ディスク（以下「多層ディスク」ともいう）及び該多層ディスクをアクセス対象とする光ディスク装置の開発が盛んに行われている。そして、多層ディスクにおいても適切な記録パワーを取得することは重要であり、ＯＰＣ処理について各種提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、現在まだ市販されてはいないが、書き換え可能な多層ディスクでは、例えば記録速度を高速にすると、ＯＰＣ処理で得られた最適な記録パワーで記録しても、記録品質がばらつくことがあった。

特開２００４−３１０９９５号公報 ＥＣＭＡ−３３７「Data Interchange on 120mm and 80mm Optical Disk using +RW Format Capacity: 4.7 and 1.46 Ｇbytes per Side」１２月 ２００３年

本発明は、かかる事情の下になされたもので、その目的は、複数の書き換え可能な記録層を有する光ディスクに安定した記録品質で記録を行うことができる記録方法及び光ディスク装置を提供することにある。

本発明は、第１の観点からすると、第１の記録層と該第１の記録層に隣接する第２の記録層とを含む複数の記録層を有する多層光ディスクにレーザを用いて情報を記録する記録方法であって、前記第１の記録層は記録パワーの校正に用いられる第１の試し書き領域を有し、前記第２の記録層は記録パワーの校正に用いられる第２の試し書き領域を有し、前記第１の試し書き領域及び前記第２の試し書き領域の半径位置は互いに重なり、前記第１の試し書き領域にデータを記録して前記第１の試し書き領域を既記録状態とする工程と；前記第２の試し書き領域にデータを記録して前記第２の試し書き領域を既記録状態とする工程と；前記第１の記録層または前記第２の記録層いずれかの記録対象の記録層に対する試し書きに先立って、前記記録対象の記録層の試し書き領域を未記録状態とする消去処理を行う工程と；前記記録対象の記録層の試し書き領域に試し書きを行う工程と；を含む記録方法である。

これによれば、多層光ディスクにおける複数の記録層のうち記録対象の記録層の試し書き領域に試し書きを行うのに先立って、第１の試し書き領域及び第２の試し書き領域が既記録状態とされ、記録対象の記録層の試し書き領域に対して消去処理が行われる。そこで、記録対象の記録層が、２つの記録層のうちいずれの記録層であっても、実際にユーザーデータが記録されるときの状況に合致した最適な記録パワーを求めることができ、その結果、安定した記録品質で記録を行うことが可能となる。

本発明は、第２の観点からすると、複数の記録層を有する多層光ディスクにレーザを用いて情報記録可能な光ディスク装置であって、前記複数の記録層は互いに隣接する第１の記録層と第２の記録層とを含み、前記第１の記録層は記録パワーの校正に用いられる第１の試し書き領域を有し、前記第２の記録層は記録パワーの校正に用いられる第２の試し書き領域を有し、前記第１の試し書き領域及び前記第２の試し書き領域の半径位置は互いに重なり、前記第１の試し書き領域にデータを記録して前記第１の試し書き領域を既記録状態とし、前記第２の試し書き領域にデータを記録して前記第２の試し書き領域を既記録状態とする既記録化手段と；前記第１の記録層または前記第２の記録層いずれかの記録対象の記録層の試し書き領域に対して消去処理を行う消去手段と；前記第１の記録層及び第２の記録層の試し書き領域が前記既記録化手段により既記録状態とされ、前記記録対象の記録層の試し書き領域が前記消去手段により消去された後に、前記記録対象の記録層の試し書き領域に試し書きを行う試し書き手段と；を備える光ディスク装置である。

これによれば、既記録化手段によって、第１の試し書き領域及び第２の試し書き領域が既記録状態とされる。そして、消去手段によって、記録対象の記録層の試し書き領域に消去処理が行われる。そして、その後、試し書き手段によって、記録対象の試し書き領域への試し書きが行われる。すなわち、多層光ディスクにおける複数の記録層のうち記録対象の記録層の試し書き領域に試し書きを行うのに先立って、第１の試し書き領域及び第２の試し書き領域が既記録状態とされ、記録対象の記録層の試し書き領域に対して消去処理が行われる。そこで、記録対象の記録層が、２つの記録層のうちいずれの記録層であっても、実際にユーザーデータが記録されるときの状況に合致した最適な記録パワーを求めることができ、その結果、安定した記録品質で記録を行うことが可能となる。

以下、本発明の一実施形態を図１〜図１４に基づいて説明する。図１には、本発明の一実施形態に係る光ディスク装置２０の概略構成が示されている。

この図１に示される光ディスク装置２０は、本発明の一実施形態に係る光ディスク１５を回転駆動するスピンドルモータ２２、光ピックアップ装置２３、該光ピックアップ装置２３をスレッジ方向に駆動するシークモータ２１、レーザ制御回路２４、エンコーダ２５、駆動制御回路２６、再生信号処理回路２８、バッファＲＡＭ３４、バッファマネージャ３７、インターフェース３８、フラッシュメモリ３９、ＣＰＵ４０及びＲＡＭ４１などを備えている。なお、図１における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。また、本実施形態では、光ディスク装置２０は多層ディスクに対応しているものとする。

《光ディスク１５の構造》
前記光ディスク１５は、片側の面から光束が入射され、一例として、書き換え可能な２つの記録層を有している。すなわち、光ディスク１５は、書き換え可能な片面２層ディスクであり、一例として図２に示されるように、光束の入射面に近いほうから順に、基板１ａ、レイヤＬ0、接着層７、レイヤＬ1、基板１ｂを有している。入射された光束は、基板１ａ、レイヤＬ0、及び接着層７を介してレイヤＬ1に到達するため、基板１ａ、レイヤＬ0、及び接着層７は、入射された光束の波長領域で所定の透過性を有する必要がある。

レイヤＬ0は、光束の入射面に近いほうから順に、下部保護層２ａ、記録層３ａ、上部保護層４ａ、半透過層５、及び中間層６を有している。また、レイヤＬ1は、光束の入射面に近いほうから順に、下部保護層２ｂ、記録層３ｂ、上部保護層４ｂ、及び反射層８を有している。なお、一例として、光ディスク１５は、直径１２０ｍｍのディスクであるものとする。さらに、一例として、光ディスク１５は、ＤＶＤ系に属する情報記録媒体であるものとする。

前記基板１ａの厚さは０．５６５ｍｍである。この基板１ａの材料には、一例としてポリカーボネートが用いられている。

前記下部保護層２ａの膜厚は２００ｎｍである。この下部保護層２ａの材料には、一例としてＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物が用いられている。なお、ここでは、一例としてＺｎＳとＳｉＯ_２との混合比を８０：２０（モル比）としている。

前記記録層３ａの膜厚は８ｎｍである。この記録層３ａの材料には、一例としてＩｎ−Ｓｂ−Ｇｅ合金が用いられている。

前記上部保護層４ａの膜厚は２０ｎｍである。この上部保護層４ａの材料には、一例としてＳｉＯ_２が用いられている。

下部保護層２ａ及び上部保護層４ａは、記録層３ａの熱変形や拡散を抑制するために設けられている。

前記半透過層５の膜厚は８ｎｍである。この半透過層５の材料には、一例としてＣｕが用いられている。

前記中間層６の膜厚は１５０ｎｍである。この中間層６の材料には、一例としてＩＴＯが用いられている。この中間層６は、記録層近傍の熱を効率的に拡散させるとともに、光の吸収率を補正する機能を有している。

すなわち、レイヤＬ0の厚さは３８６ｎｍである。

前記接着層７の厚さは５０μｍである。この接着層７の材料には、一例としてアクリル系の紫外線硬化型接着剤が用いられている。

前記下部保護層２ｂの膜厚は１００ｎｍである。この下部保護層２ｂの材料には、一例として上記下部保護層２ａと同じＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物が用いられている。

前記記録層３ｂの膜厚は１２ｎｍである。すなわち、記録層３ｂは、前記記録層３ａよりも厚い。この記録層３ｂの材料には、一例としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が用いられている。

前記上部保護層４ｂの膜厚は２０ｎｍである。この上部保護層４ｂの材料には、一例としてＳｉＯ_２が用いられている。

前記反射層８の膜厚は１４０ｎｍである。この反射層８の材料には、一例としてＡｇが用いられている。

すなわち、レイヤＬ1の厚さは２７２ｎｍである。

前記基板１ｂの厚さは０．６ｍｍである。この基板１ａの材料には、一例としてポリカーボネートが用いられている。

そこで、光ディスク１５に入射した光束の一部はレイヤＬ0で反射され、残りはレイヤＬ0を透過する。そして、レイヤＬ0を透過した光束はレイヤＬ1で反射される。また、各レイヤにはスパイラル状の案内用の溝（グルーブ）が、それぞれ形成されている。

《光ディスク１５の製造方法》
（１）基板１ａとしての厚さ０．５６５ｍｍの第１のポリカーボネート板上に、トラックピッチ０．７４μｍのスパイラル状のグルーブを形成する。このグルーブは、基準走査速度である３．８３ｍ／ｓのときに、ウォブル信号の周期が１．２２μｓとなるように、４．７μｍ周期で蛇行（ウォブリング）している。また、蛇行形状は、部分的に位相変調されており、その位相変調部には、アドレス情報、レイヤＬ0に記録するときの記録パワーを校正するのに用いられる校正情報及びレイヤＬ0に記録するときに推奨される記録パワー情報などが格納されている。
（２）第１のポリカーボネート板上に形成されたグルーブ上に、マグネトロンスパッタリング装置を用いて、下部保護層２ａとしてのＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物膜を形成する。その膜厚は２００ｎｍである。なお、膜厚の測定は、エリプソメトリ法と蛍光Ｘ線法とを併用して行う。
（３）同様にして、混合物膜上に、記録層３ａとしてのＩｎ−Ｓｂ−Ｇｅ合金膜を形成する。その膜厚は８ｎｍである。
（４）同様にして、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｇｅ合金膜上に、上部保護層４ａとしてのＳｉＯ_２膜を形成する。その膜厚は２０ｎｍである。
（５）同様にして、ＳｉＯ_２膜上に、半透過層５としてのＣｕ膜を形成する。その膜厚は８ｎｍである。
（６）同様にして、Ｃｕ膜上に、中間層６としてのＩＴＯ膜を形成する。その膜厚は１５０ｎｍである。

このようにして、第１のポリカーボネート板上に、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物膜、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｇｅ合金膜、ＳｉＯ_２膜、Ｃｕ膜、及びＩＴＯ膜が積層されたものを便宜上、Ｌ0基板という。

（７）基板１ｂとしての厚さ０．６ｍｍの第２のポリカーボネート板上に、上記（１）と同様のグルーブを形成する。但し、ここでは、前記位相変調部には、アドレス情報、レイヤＬ1に記録するときの記録パワーを校正するのに用いられる校正情報及びレイヤＬ1に記録するときに推奨される記録パワー情報などが格納されている。
（８）第２のポリカーボネート板上に形成されたグルーブ上に、マグネトロンスパッタリング装置を用いて、反射層８としてのＡｇ膜を形成する。その膜厚は１４０ｎｍである。
（９）同様にして、Ａｇ膜上に、上部保護層４ｂとしてのＳｉＯ_２膜を形成する。その膜厚は２０ｎｍである。
（１０）同様にして、ＳｉＯ_２膜上に、記録層３ｂとしてのＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金膜を形成する。その膜厚は１２ｎｍである。
（１１）同様にして、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金膜上に、下部保護層２ｂとしてのＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物膜を形成する。その厚は１００ｎｍである。

このようにして、第２のポリカーボネート板上に、Ａｇ膜、ＳｉＯ_２膜、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金膜、及びＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物膜が積層されたものを便宜上、Ｌ1基板という。

（１２）Ｌ0基板の中間層６と、Ｌ1基板の下部保護層２ｂとに、市販のＤＶＤ用接着剤を塗布し、Ｌ0基板とＬ1基板とを貼り合わせる。
（１３）Ｌ0基板側から紫外線を照射し、接着剤を硬化させる。その接着剤層の厚さは約５０μｍである。なお、接着剤層の厚さの測定は、分光光度計を用いたいわゆる干渉法で行った。すなわち、ここでは、いわゆるインバーテッドスタック法で光ディスク１５を製造している。

《記録層の初期化》
波長が８１０ｎｍのレーザ光を各記録層に照射し、走査して各記録層を初期化した。ここでは、一例として、照射パワーは、記録層３ａに対して７００ｍＷとし、記録層３ｂに対して１６００ｍＷとした。また、記録層における光スポットの形状は１（μｍ）×７５（μｍ）の楕円状とし、走査速度は、３．５ｍ／ｓとした。なお、光スポットの短軸方向とトラックの接線方向とが一致するようにした。そして、初期化前の各記録層は、アモルファス状態で、透過率が大きいので、初期化に要する時間を短縮するため、先ず記録層３ｂを初期化し、その後に記録層３ａを初期化した。初期化後の反射率は、レイヤＬ0で８．５％、レイヤＬ1で７．５％であった。

《校正情報》
記録パワーを校正するのに用いられる校正情報には、Ｐｉｎｄ、ρ、及びγtargetなどがある（例えば、ＥＣＭＡ−３３７参照）。ここでは、一例として、レイヤＬ0では、Ｐｉｎｄ＝３３．６ｍＷ、ρ＝１．２５、γtarget＝１．４であり、レイヤＬ1では、Ｐｉｎｄ＝４０ｍＷ、ρ＝１．２５、γtarget＝１．５である。

《記録ストラテジ情報》
記録ストラテジ情報は、マークの長さｎＴ（ｎ＝３〜１１、Ｔは記録チャネルクロックの周期）に応じた発光波形を規定する各種パラメータを含んで構成されている。ここでは、一例として図３（Ａ）〜図６に示されるように、いわゆる２Ｔ記録ストラテジが採用されている。なお、図３（Ａ）には３Ｔマークが形成されるときの発光波形が示され、図３（Ｂ）には４Ｔマークが形成されるときの発光波形が示されている。また、図４（Ａ）には５Ｔマークが形成されるときの発光波形が示され、図４（Ｂ）には６Ｔマークが形成されるときの発光波形が示されている。６Ｔマークを超えるＴの偶数倍のマークでは、６Ｔマークと同じパラメータが用いられ、パルス幅Ｔmpのパルス（いわゆる中間加熱パルス）の数が異なるだけである。図５には７Ｔマークが形成されるときの発光波形が示されている。７Ｔマークを超えるＴの奇数倍のマークでは、７Ｔマークと同じパラメータが用いられ、パルス幅Ｔmpのパルス（いわゆる中間加熱パルス）の数が異なるだけである。図６に各パラメータの値が一例として示されている。

《光ディスク１５のディスクレイアウト》
光ディスク１５は、一例として図７に示されるように、いわゆるオポジットトラックパス（Opposite track path、以下「ＯＴＰ」という）方式に対応しているものとする。

すなわち、レイヤＬ0では、ディスクの内周側から外周側に向かって、リードインゾーン、データゾーン、ミドルゾーンが設けられ、レイヤＬ1では、ディスクの外周側から内周側に向かって、ミドルゾーン、データゾーン、リードアウトゾーンが設けられている。そして、レイヤＬ0では、リードインゾーンからミドルゾーンへ向かって連続して増加する物理アドレスが割り振られ、レイヤＬ1では、ミドルゾーンからリードアウトゾーンへ向かって連続して増加する物理アドレスが割り振られている。ここでは、レイヤＬ0におけるデータゾーンの開始アドレスは０３００００ｈ、終了アドレスは２２Ｄ７ＦＦｈであり、レイヤＬ1におけるデータゾーンの開始アドレスはＤＤ２８００ｈ、終了アドレスはＦＣＦＦＦＦｈである。

各レイヤにおけるデータゾーンは、半径位置が２４．０ｍｍ〜５８．０ｍｍの間に設けられている。そして、一例として図８に示されるように、リードインゾーン内にレイヤＬ0の試し書き領域であるドライブテストゾーンが設けられ、リードアウトゾーン内にレイヤＬ1の試し書き領域であるドライブテストゾーンが設けられている。各ドライブテストゾーンは、いずれも半径位置が２３．４ｍｍ〜２３．７５ｍｍの間に設けられており、光束の入射方向からみると、互いに重なっている。

さらに、一例として図９に示されるように、レイヤＬ0のミドルゾーン内にレイヤＬ0の試し書き領域であるドライブテストゾーンが設けられ、レイヤＬ1のミドルゾーン内にレイヤＬ1の試し書き領域であるドライブテストゾーンが設けられている。各ドライブテストゾーンは、いずれも半径位置が５８．１ｍｍ〜５８．２５ｍｍの間に設けられており、光束の入射方向からみると、互いに重なっている。

すなわち、ここでは、試し書き領域は、各記録層の内周部と外周部とに設けられている。なお、以下では便宜上、ドライブテストゾーンを「ＰＣＡ（Power Calibration Area）」ともいう。

前記光ピックアップ装置２３は、光ディスク１５の２つの記録層のうちアクセス対象の記録層（以下「対象記録層」と略述する）にレーザ光を集光するとともに、光ディスク１５からの反射光を受光するための装置である。この光ピックアップ装置２３は、一例として図１０に示されるように、光源ユニット５１、カップリングレンズ５２、偏光ビームスプリッタ５４、１／４波長板５５、対物レンズ６０、集光レンズ５８、光検出器としての受光器ＰＤ、及び対物レンズ６０を駆動するための駆動系ＡＣなどを備えている。

上記光源ユニット５１は、光ディスク１５に対応する波長（ここでは約６６０ｎｍ）のレーザ光を発光する光源としての半導体レーザＬＤを含んで構成されている。なお、本実施形態では、光源ユニット５１から出射されるレーザ光の最大強度出射方向を＋Ｘ方向とする。また、一例として光源ユニット５１からは偏光ビームスプリッタ５４の入射面に平行な偏光（Ｐ偏光）の光束が出射されるものとする。

この光源ユニット５１の＋Ｘ側には、前記カップリングレンズ５２が配置され、光源ユニット５１から出射された光束を略平行光とする。

前記偏光ビームスプリッタ５４は、カップリングレンズ５２の＋Ｘ側に配置されている。この偏光ビームスプリッタ５４は、入射する光束の偏光状態に応じてその反射率が異なっている。ここでは、偏光ビームスプリッタ５４は、一例としてＰ偏光に対する反射率が小さく、Ｓ偏光に対する反射率が大きくなるように設定されている。すなわち、光源ユニット５１から出射された光束の大部分は、偏光ビームスプリッタ５４を透過することができる。この偏光ビームスプリッタ５４の＋Ｘ側には、前記１／４波長板５５が配置されている。

この１／４波長板５５は、入射した光束に１／４波長の光学的位相差を付与する。１／４波長板５５の＋Ｘ側には、前記対物レンズ６０が配置され、１／４波長板５５を介した光束を対象記録層に集光する。ここでは、ＮＡ（開口数）は０．６０である。

前記検出レンズ５８は、偏光ビームスプリッタ５４の−Ｚ側に配置され、偏光ビームスプリッタ５４で−Ｚ方向に分岐した戻り光束を前記受光器５９の受光面に集光する。この受光器５９は、再生信号処理回路２８にてＲＦ信号、ウォブル信号及びサーボ信号などを検出するのに最適な信号（光電変換信号）を生成するための複数の受光素子（又は受光領域）を含んで構成されている。

前記駆動系ＡＣは、対物レンズ６０の光軸方向であるフォーカス方向に対物レンズ６０を微少駆動するためのフォーカシングアクチュエータ、及びトラッキング方向に対物レンズ６０を微少駆動するためのトラッキングアクチュエータを有している。ここでは、便宜上、対象記録層が記録層２ａのときのフォーカス方向に関する対物レンズ６０の最適位置を「第１レンズ位置」といい、対象記録層が記録層２ｂのときのフォーカス方向に関する対物レンズ６０の最適位置を「第２レンズ位置」ということとする。

上記のように構成される光ピックアップ装置２３の作用を簡単に説明する。

光源ユニット５１から出射された直線偏光（ここではＰ偏光）の光束は、カップリングレンズ５２で略平行光となり、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。この光束の大部分は偏光ビームスプリッタ５４をそのまま透過し、１／４波長板５５で円偏光とされ、対物レンズ６０を介して光ディスク１５の対象記録層に微小スポットとして集光される。光ディスク１５からの反射光は、往路とは反対回りの円偏光となり、戻り光束として対物レンズ６０で再び略平行光とされ、１／４波長板５５で往路と直交した直線偏光（ここではＳ偏光）とされる。そして、この戻り光束は偏光ビームスプリッタ５４に入射する。偏光ビームスプリッタ５４で−Ｚ方向に反射された戻り光束は、検出レンズ５８を介して受光器ＰＤで受光される。受光器ＰＤでは受光素子（又は受光領域）毎に光電変換され、各光電変換信号はそれぞれ再生信号処理回路２８に出力される。

図１に戻り、前記再生信号処理回路２８は、前記受光器ＰＤの出力信号（複数の光電変換信号）に基づいて、サーボ信号（フォーカスエラー信号やトラックエラー信号など）、アドレス情報、同期情報及びＲＦ信号などを取得する。ここで得られたサーボ信号は前記駆動制御回路２６に出力され、アドレス情報はＣＰＵ４０に出力され、同期信号はエンコーダ２５や駆動制御回路２６などに出力される。さらに、再生信号処理回路２８は、ＲＦ信号に対して復号処理及び誤り検出処理などを行い、誤りが検出されたときには誤り訂正処理を行った後、再生データとして前記バッファマネージャ３７を介して前記バッファＲＡＭ３４に格納する。また、再生データに含まれるアドレス情報はＣＰＵ４０に出力される。

前記駆動制御回路２６は、再生信号処理回路２８からのトラックエラー信号に基づいて、トラッキング方向に関する対物レンズ６０の位置ずれを補正するための前記トラッキングアクチュエータの駆動信号を生成する。また、駆動制御回路２６は、再生信号処理回路２８からのフォーカスエラー信号に基づいて、対物レンズ６０のフォーカスずれを補正するための前記フォーカシングアクチュエータＡＣの駆動信号を生成する。ここで生成された各アクチュエータの駆動信号は光ピックアップ装置２３に出力される。これにより、トラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。さらに、駆動制御回路２６は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、シークモータ２１を駆動するための駆動信号、及びスピンドルモータ２２を駆動するための駆動信号を生成する。各モータの駆動信号は、それぞれシークモータ２１及びスピンドルモータ２２に出力される。

前記バッファＲＡＭ３４には、光ディスク１５に記録するデータ（記録用データ）、及び光ディスク１５から再生したデータ（再生データ）などが一時的に格納される。このバッファＲＡＭ３４へのデータの入出力は、前記バッファマネージャ３７によって管理されている。

前記エンコーダ２５は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、バッファＲＡＭ３４に蓄積されている記録用データをバッファマネージャ３７を介して取り出し、データの変調及びエラー訂正コードの付加などを行ない、光ディスク１５への書き込み信号を生成する。ここで生成された書き込み信号はレーザ制御回路２４に出力される。

前記レーザ制御回路２４は、前記半導体レーザＬＤの発光パワーを制御する。例えば記録の際には、前記書き込み信号、記録条件、及び半導体レーザＬＤの発光特性などに基づいて、半導体レーザＬＤの駆動信号がレーザ制御回路２４にて生成される。

前記インターフェース３８は、上位装置９０（例えば、パソコン）との双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（AT Attachment Packet Interface）、ＳＣＳＩ（Small Computer System Interface）及びＵＳＢ（Universal Serial Bus）などの標準インターフェースに準拠している。

前記フラッシュメモリ３９には、ＣＰＵ４０にて解読可能なコードで記述された本発明の一実施形態に係るプログラムを含む各種プログラム、及び半導体レーザＬＤの発光特性などの各種データが格納されている。

前記ＣＰＵ４０は、フラッシュメモリ３９に格納されている上記プログラムに従って前記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータなどをＲＡＭ４１及びバッファＲＡＭ３４に保存する。

《記録処理》
次に、上位装置９０から記録要求があったときの、光ディスク装置２０における処理について図１１を用いて説明する。図１１のフローチャートは、ＣＰＵ４０によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。上位装置９０から記録要求コマンドを受信すると、フラッシュメモリ３９に格納されている図１１のフローチャートに対応するプログラム（以下、「記録処理プログラム」という）の先頭アドレスがＣＰＵ４０のプログラムカウンタにセットされ、記録処理がスタートする。

最初のステップ４０１では、所定の線速度（又は角速度）で光ディスク１５が回転するように駆動制御回路２６に指示するとともに、上位装置９０から記録要求コマンドを受信した旨を再生信号処理回路２８に通知する。なお、一例として、記録走査速度は９．１９ｍ／ｓ（ＤＶＤにおける２．４倍速に相当）とする。

次のステップ４０３では、再生信号処理回路２８を介して、光ディスク１５に記録されている校正条件及び記録ストラテジ情報を取得する。ここでは、再生信号処理回路２８は、レイヤ毎に検出されたウォブル信号を位相復調し、レイヤ毎に校正条件及び記録ストラテジ情報を抽出する。

次のステップ４０５では、各レイヤにおけるＰＣＡの記録状態を取得する。ここでは、レイヤＬ0のＰＣＡが未記録であるか既記録であるか、及びレイヤＬ1のＰＣＡが未記録であるか既記録であるか、が例えば各ＰＣＡからの反射光強度などに基づいて検出される。

次のステップ４０７では、レイヤＬ0のＰＣＡが既記録であるか否かを判断する。レイヤＬ0のＰＣＡが未記録であれば、ここでの判断は否定され、ステップ４１１に移行する。

このステップ４１１では、前記ステップ４０３で取得されたレイヤＬ0における記録ストラテジ情報に基づいて、記録条件を設定する。なお、半導体レーザＬＤの発光波形を規定する各種パラメータは、前記レーザ制御回路２４の不図示のレジスタにセットされる。

次のステップ４１３では、前記ステップ４０３で取得されたレイヤＬ0における校正情報に基づいて、ＯＰＣ処理を行い、最適な記録パワー（Ｐｗとする）を求める。ここでは、一例として、Ｐｗ＝４２（ｍＷ）が得られたものとする。

次のステップ４１５では、前記ステップ４１３で求められた最適な記録パワーＰｗで、レイヤＬ0のＰＣＡにダミーデータを記録する。

次のステップ４２１では、レイヤＬ1のＰＣＡが既記録であるか否かを判断する。レイヤＬ1のＰＣＡが未記録であれば、ここでの判断は否定され、ステップ４２３に移行する。

このステップ４２３では、前記ステップ４０３で取得されたレイヤＬ1における記録ストラテジ情報に基づいて、記録条件を設定する。

次のステップ４２５では、前記ステップ４０３で取得されたレイヤＬ1における校正情報に基づいて、ＯＰＣ処理を行い、最適な記録パワーＰｗを求める。ここでは、一例として、Ｐｗ＝５０（ｍＷ）が得られたものとする。

次のステップ４２７では、前記ステップ４２５で求められた最適な記録パワーＰｗで、レイヤＬ1のＰＣＡにダミーデータを記録する。

次のステップ４３１では、記録要求コマンドに含まれている指定アドレスから対象記録層を特定する。

次のステップ４３３では、対象記録層のＰＣＡを未記録状態とする。具体的には、半導体レーザＬＤからイレーズパワーのレーザ光を出射し、対象記録層のＰＣＡに照射する。すなわち、いわゆるＤＣ消去を行う。

次のステップ４３５では、前記ステップ４０３で取得された対象記録層における記録ストラテジ情報に基づいて、記録条件を設定する。

次のステップ４３７では、前記ステップ４０３で取得された対象記録層における校正情報に基づいて、ＯＰＣ処理を行い、最適な記録パワーＰｗを求める。

次のステップ４３９では、前記ステップ４３７で求められた最適な記録パワーＰｗで、対象記録層のＰＣＡにダミーデータを記録する。

次のステップ４４１では、前記ステップ４３７で求められた最適な記録パワーＰｗで、対象記録層の要求アドレスにユーザーデータを記録する。そして、ユーザーデータの記録が完了すると、上位装置９０に通知し、記録処理を終了する。

なお、前記ステップ４０７において、レイヤＬ0のＰＣＡが既記録であれば、ここでの判断は肯定され、前記ステップ４２１に移行する。

また、前記ステップ４２１において、レイヤＬ1のＰＣＡが既記録であれば、ここでの判断は肯定され、ステップ４３１に移行する。

なお、図６に示される記録条件で記録したとき、オーバーライト１０回（ＤＯＷ１０）では、レイヤＬ0でのジッタは８．６％、変調度は０．６０であり、レイヤＬ1でのジッタは８．２％、変調度は０．６８であった。また、オーバーライト１００回（ＤＯＷ１００）では、レイヤＬ0でのジッタは９．６％であり、レイヤＬ1でのジッタは８．５％であった。いずれも１０％以下であり、再生には問題ないレベルである。なお、ここでは、再生パワーを１．４（ｍＷ）、再生走査速度を３．８３（ｍ／ｓ）とし、パルステック社製のＤＶＤ評価装置ＯＤＵ１０００を用いて評価した。また、変調度及びジッタの詳細については、ＥＣＭＡ−３３７に記載されている。

ところで、一例として図１２に示されるように、レイヤＬ1において、所定の変調度を得るための記録パワーは、レイヤＬ0の記録状態によって異なっている。レイヤＬ0が未記録の場合には、既記録の場合よりも高い記録パワーが必要となる。これは、レイヤＬ0が未記録の場合の透過率をＴ、既記録の場合の透過率をＴ´とすると、Ｔ＜Ｔ´の関係にあることに起因している。なお、レイヤＬ0が既記録であっても、オーバーライト回数によって、記録パワーが異なっているが、その違いは小さい。

また、一例として図１３に示されるように、レイヤＬ1において、良好なジッタを維持するための記録パワーも、レイヤＬ0の記録状態によって異なっている。レイヤＬ0が未記録の場合には、既記録の場合よりも高い記録パワーが必要となる。そして、ジッタの最小値は、レイヤＬ0が未記録の場合よりも既記録の場合のほうが小さい。

これらのことから、レイヤＬ0が未記録の場合のレイヤＬ1における最適な記録パワーをＰ_０、レイヤＬ0が既記録の場合のレイヤＬ1における最適な記録パワーをＰ_０´、とすると、Ｐ_０＞Ｐ_０´の関係にある。

また、レイヤＬ0が未記録の場合のレイヤＬ1からの反射光強度をＲ、レイヤＬ0が既記録の場合のレイヤＬ1からの反射光強度をＲ´、とすると、Ｒ＜Ｒ´の関係にある。

さらに、一例として図１４に示されるように、レイヤＬ0での記録パワーによっても、レイヤＬ1における変調度は変化する。これは、レイヤＬ0におけるアモルファス状態の領域の大きさが記録パワーによって異なることに起因している。なお、図１４では、種々の記録パワーでレイヤＬ0に記録した後、一定の記録パワーでレイヤＬ1に記録している。すなわち、高い記録パワーでレイヤＬ0に記録しておくと、レイヤＬ1において高い変調度を維持することができる。

本実施形態では、先ずレイヤＬ0についてＯＰＣ処理を行い、レイヤＬ0のＰＣＡに最適な記録パワーでダミーデータを記録し、次にレイヤＬ1についてＯＰＣ処理を行い、レイヤＬ1のＰＣＡに最適な記録パワーでダミーデータを記録した後、対象記録層についてＯＰＣ処理を行い、最適な記録パワーを求めているため、実際にユーザーデータが記録されるときの状況に合致した最適な記録パワーを求めることができる。

ところで、比較例として、レイヤＬ0のＰＣＡが未記録のままで、上記と同様にしてレイヤＬ1でＯＰＣ処理を行うと、得られた最適な記録パワーは５５（ｍＷ）であった。そして、レイヤＬ0に４２（ｍＷ）の記録パワーで記録し、さらにレイヤＬ1に５５（ｍＷ）の記録パワーで１００回のオーバーライトを行ったところ、ジッタ値は１１％であった。これは、いわゆるＰＩエラーが１００を超えるレベルに対応し、再生エラーを引き起こすおそれがある。

以上の説明から明らかなように、上記記録処理において、本発明に係る記録方法が実施されている。

以上説明したように、本実施形態に係る光ディスク装置２０によると、書き換え可能な片面２層ディスクであって、試し書き領域が、各記録層に設けられ、隣接する記録層の各試し書き領域が光束の入射方向からみて互いに重なっている光ディスク１５にユーザーデータを記録する際に、先ずレイヤＬ0についてＯＰＣ処理を行い、レイヤＬ0のＰＣＡに最適な記録パワーでダミーデータを記録し、次にレイヤＬ1についてＯＰＣ処理を行い、レイヤＬ1のＰＣＡに最適な記録パワーでダミーデータを記録した後、対象記録層についてＯＰＣ処理を行い、最適な記録パワーを求めている。これにより、光ディスク１５の２つの記録層のうちいずれの記録層にユーザーデータが記録される場合であっても、最適な記録パワーを求めることができる。従って、その結果として安定した記録品質で記録を行うことが可能となる。

また、本実施形態に係る光ディスク１５によると、隣接する記録層の各試し書き領域が光束の入射方向からみて互いに重なっているため、光ディスク１５がセットされた光ディスク装置は、実際にユーザーデータが記録されるときの状況に合致した最適な記録パワーを容易に求めることができる。従って、その結果として安定した記録が可能となる。

また、本実施形態に係る光ディスク１５によると、校正情報及び記録ストラテジ情報が、いわゆるプリフォーマットされているため、光ディスク１５がセットされた光ディスク装置は、迅速に最適な記録パワーを取得することが可能となる。

なお、上記実施形態では、光ディスク１５をインバーテッドスタック法で製造する場合について説明したが、これに限らず、いわゆる２Ｐ法で製造しても良い。

また、上記実施形態では、光ディスク１５の記録層が２層の場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではなく、記録層が３層以上であっても良い。この場合に、例えば、光束の入射面に近いほうからＮ番目の記録層に情報を記録するときには、（Ｎ−１）番目の記録層のＰＣＡ及び（Ｎ＋１）番目の記録層のＰＣＡの少なくとも一方を既記録にしてから、Ｎ番目の記録層でＯＰＣ処理を行うこととなる。

また、上記実施形態では、光ディスク１５の直径が１２０ｍｍの場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば直径が８０ｍｍや３０ｍｍであっても良い。

また、上記実施形態では、記録層毎に、各記録層に対応する校正情報及び記録ストラテジ情報が個別に記録されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、いずれかの記録層のみに、各記録層に対応する校正情報及び記録ストラテジ情報が全て記録されていても良い。

また、上記実施形態では、校正情報及び記録ストラテジ情報が記録層毎にそれぞれ設定されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、記録層による違いが小さいときには、例えば平均的な校正情報及び記録ストラテジ情報が設定され、いずれかの記録層に記録されていても良い。

また、上記実施形態において、例えば対応可能な記録速度の範囲が広いときには、記録速度毎に校正情報が設定されていても良い。

また、上記実施形態において、例えば対応可能な記録速度の範囲が広いときには、記録速度毎に記録ストラテジ情報が設定されていても良い。

また、上記実施形態では、隣接する記録層の各試し書き領域が光束の入射方向からみて互いに重なっている場合について説明したが、一部が重なっていても良い。この場合に、全領域の少なくとも５０％が重なっているのが好ましく、７０％以上が重なっていれば、より好ましい。そして、一部が重なっているときには、その重なっている領域でＯＰＣ処理を行うのが好ましい。

また、上記実施形態では、ディスクの内周部と外周部とに試し書き領域をそれぞれ設ける場合について説明したが、これに限らず、内周部及び外周部のいずれかに試し書き領域を設けても良い。

また、上記実施形態では、半径位置が２３．４ｍｍ〜２３．７５ｍｍの間にディスク内周部の試し書き領域が設けられている場合について説明したが、上記半径位置に限定されるものではない。

また、上記実施形態では、半径位置が５８．１ｍｍ〜５８．２５ｍｍの間にディスク外周部の試し書き領域が設けられている場合について説明したが、上記半径位置に限定されるものではない。

また、上記実施形態では、２Ｔ記録ストラテジを採用する場合について説明したが、これに限らず、例えば、いわゆる１Ｔ記録ストラテジを採用しても良い。

また、上記実施形態では、ディスクレイアウトがＯＰＴに対応する場合について説明したが、これに限らず、ＰＴＰ（パラレル・トラック・パス）に対応しても良い。

また、上記実施形態における光ディスク１５の各層の材料及び厚さは一例であり、これらに限定されるものではない。

（１）前記基板の材料は、ポリオレフィン及びアクリル系樹脂などの他の樹脂やガラスを用いても良い。要するに、光ピックアップ装置２３から照射される光束に対して高い透過率を有していれば良い。但し、加工性や製造コストの点から樹脂を用いるのが好ましい。

（２）前記各保護層の材料には無機材料が好ましく、金属や合金の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物の単体あるいは混合物を用いることができる。また、各保護層を多層構造としても良い。なお、各保護層の材料の融点は、記録層３ａの材料の融点よりも高いことが必要であり、同時に適切な靭性も必要とされる。さらに、各保護層の材料には入射された光束の波長領域で透過性を有する必要がある。これらの条件を満たす材料としては、ＺｎＳ、及びＳｉＯ_２以外に、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ、ＺｎＯ_２、ＩｎＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＧａＮ、ＧｅＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣなどが挙げられる。

（３）前記下部保護層２ａの最適な膜厚は、反射率や記録感度によって決定され、４０〜３００ｎｍの範囲であることが好ましい。

（４）前記記録層３ａは、所定の透過率を確保する必要があるため、記録層が１つの単層ディスクのときよりも膜厚を薄くしなければならない。ところが、相変化材料は、一般的に薄くすると結晶化の速度が遅くなる傾向がある。そこで、高速対応の光ディスク、例えば８倍速（走査速度：２７．９ｍ／ｓ）対応の単層のＤＶＤ＋ＲＷなどで用いられている相変化材料が好ましい。具体的には、Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｇａ−Ｓｂ合金、Ｇｅ−Ｓｂ合金に第３の金属を添加したものが挙げられる。

（５）前記上部保護層４ａの最適な膜厚は、熱設計によって決定され、４〜５０ｎｍの範囲であることが好ましい。

（６）前記半透過層５の材料は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕを主成分とする合金であっても良い。さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ単体であっても良い。

（７）前記半透過層５の最適な膜厚は、透過率と反射率とから決定され、２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であることが好ましい。特に、透過率を確保するには、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。１５ｎｍを超えるとレイヤＬ1での反射率の確保が困難となり、５ｎｍ未満では、熱の拡散が不十分となり、記録層３ａの急冷が阻害され、記録感度の低下、ジッタの悪化を引き起こす確率が高くなる。

（８）前記中間層６の材料は、入射された光束の波長領域で透過性を有するとともに、熱伝導率が高いものであれば良い。例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３の単体又は混合物にドーパントを加えたものが通常用いられる。ドーパントには、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃ、Ｆ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｂ、Ｍｏなどが挙げられる。

（９）前記中間層６の最適な膜厚は熱設計及び光学設計によって決定され、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲であることが好ましく、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲がさらに好ましい。

（１０）前記反射層８の材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌを主成分とする合金であっても良い。また、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ単体であっても良い。

（１１）前記接着層７の材料は、隣接する層を腐食せず、入射された光束の波長領域で透過性を有する材料であれば良い。

（１２）前記接着層７の最適な厚さは、層間クロストークや波面収差が所定のレベル以下となるように決定され、４０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲であることが好ましい。

また、上記実施形態では、本発明に係るプログラムは、フラッシュメモリ３９に記録されているが、他の記録媒体（ＣＤ、光磁気ディスク、ＤＶＤ、メモリカード、ＵＳＢメモリ、フレキシブルディスク等）に記録されていても良い。この場合には、各記録媒体に対応する再生装置（又は専用インターフェース）を介して本発明に係るプログラムをフラッシュメモリ３９にロードすることとなる。また、ネットワーク（ＬＡＮ、イントラネット、インターネットなど）を介して本発明に係るプログラムをフラッシュメモリ３９に転送しても良い。要するに、本発明に係るプログラムがフラッシュメモリ３９に格納されていれば良い。

また、上記実施形態では、光ディスク１５がＤＶＤ系の情報記録媒体の場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではなく、例えば、ＣＤ系の書き換え可能な片面多層ディスクや、波長が４０５ｎｍの光束に対応する書き換え可能な片面多層ディスクであっても良い。この場合に、例えばＮＡ＝０．５、λ（波長）＝７８０ｎｍのＣＤでは、トラックピッチは１．６μｍであり、ＮＡ＝０．６５、λ＝４０５ｎｍのＨＤ ＤＶＤでは、トラックピッチは０．４μｍである。

また、上記実施形態では、光ピックアップ装置が１つの半導体レーザを備える場合について説明したが、これに限らず、例えば互いに異なる波長の光束を発光する複数の半導体レーザを備えていても良い。この場合に、例えば波長が約４０５ｎｍの光束を発光する半導体レーザ、波長が約６６０ｎｍの光束を発光する半導体レーザ及び波長が約７８０ｎｍの光束を発光する半導体レーザの少なくとも１つを含んでいても良い。すなわち、光ディスク装置が互いに異なる規格に準拠した複数種類の光ディスクに対応する光ディスク装置であっても良い。このときには、複数種類の光ディスクのうち少なくとも１種類の光ディスクが書き換え可能な片面多層ディスクであれば良い。

以上説明したように、本発明の記録方法及び光ディスク装置によれば、複数の書き換え可能な記録層を有する光ディスクに安定した記録品質で記録を行うのに適している。

光ディスク装置の構成を示すブロック図である。 光ディスクの構造を説明するための図である。 図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、それぞれ記録ストラテジを説明するための図（その１）である。 図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、それぞれ記録ストラテジを説明するための図（その２）である。 記録ストラテジを説明するための図（その３）である。 記録ストラテジを説明するための図（その４）である。 図２の光ディスクのディスクレイアウトを説明するための図である。 図２の光ディスクにおけるＰＣＡを説明するための図（その１）である。 図２の光ディスクにおけるＰＣＡを説明するための図（その２）である。 図１における光ピックアップ装置を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る記録処理を説明するためのフローチャートである。 レイヤＬ1の変調度に及ぼすレイヤＬ0の記録状態の影響を説明するための図である。 レイヤＬ1のジッタに及ぼすレイヤＬ0の記録状態の影響を説明するための図である。 レイヤＬ1の変調度に及ぼすレイヤＬ0の記録パワーの影響を説明するための図である。

符号の説明

３ａ…記録層（複数の記録層の１つ）、３ｂ…記録層（複数の記録層の１つ）、１５…光ディスク、２０…光ディスク装置。

Claims (8)

1. 第１の記録層と該第１の記録層に隣接する第２の記録層とを含む複数の記録層を有する多層光ディスクにレーザを用いて情報を記録する記録方法であって、
   前記第１の記録層は記録パワーの校正に用いられる第１の試し書き領域を有し、前記第２の記録層は記録パワーの校正に用いられる第２の試し書き領域を有し、前記第１の試し書き領域及び前記第２の試し書き領域の半径位置は互いに重なり、
   前記第１の試し書き領域にデータを記録して前記第１の試し書き領域を既記録状態とする工程と；
   前記第２の試し書き領域にデータを記録して前記第２の試し書き領域を既記録状態とする工程と；
   前記第１の記録層または前記第２の記録層いずれかの記録対象の記録層に対する試し書きに先立って、前記記録対象の記録層の試し書き領域を未記録状態とする消去処理を行う工程と；
   前記記録対象の記録層の試し書き領域に試し書きを行う工程と；を含む記録方法。
2. 前記記録対象の記録層の試し書き領域に試し書きが行われた後に、前記記録対象の記録層の試し書き領域にデータを記録する工程を、更に含むことを特徴とする請求項１に記載の記録方法。
3. 前記第２の記録層は、前記レーザの照射方向からみて前記第１の記録層の奥側にある記録層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の記録方法。
4. 前記データはダミーデータであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の記録方法。
5. 複数の記録層を有する多層光ディスクにレーザを用いて情報記録可能な光ディスク装置であって、
   前記複数の記録層は互いに隣接する第１の記録層と第２の記録層とを含み、
   前記第１の記録層は記録パワーの校正に用いられる第１の試し書き領域を有し、前記第２の記録層は記録パワーの校正に用いられる第２の試し書き領域を有し、前記第１の試し書き領域及び前記第２の試し書き領域の半径位置は互いに重なり、
   前記第１の試し書き領域にデータを記録して前記第１の試し書き領域を既記録状態とし、前記第２の試し書き領域にデータを記録して前記第２の試し書き領域を既記録状態とする既記録化手段と；
   前記第１の記録層または前記第２の記録層いずれかの記録対象の記録層の試し書き領域に対して消去処理を行う消去手段と；
   前記第１の記録層及び第２の記録層の試し書き領域が前記既記録化手段により既記録状態とされ、前記記録対象の記録層の試し書き領域が前記消去手段により消去された後に、前記記録対象の記録層の試し書き領域に試し書きを行う試し書き手段と；を備える光ディスク装置。
6. 前記試し書き手段により試し書きが行われた後に、前記記録対象の記録層の試し書き領域にデータを記録するデータ記録手段を、更に備えることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク装置。
7. 前記第２の記録層は、前記レーザの照射方向からみて前記第１の記録層の奥側にある記録層であることを特徴とする請求項５又は６に記載の光ディスク装置。
8. 前記データはダミーデータであることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の光ディスク装置。

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