JP4038156B2 - 抵抗溶接方法と抵抗溶接装置 - Google Patents
抵抗溶接方法と抵抗溶接装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4038156B2 JP4038156B2 JP2003180439A JP2003180439A JP4038156B2 JP 4038156 B2 JP4038156 B2 JP 4038156B2 JP 2003180439 A JP2003180439 A JP 2003180439A JP 2003180439 A JP2003180439 A JP 2003180439A JP 4038156 B2 JP4038156 B2 JP 4038156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- movable electrode
- chamber
- workpiece
- gas
- resistance welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Resistance Welding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗溶接技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えばセンサ素子やICチップが実装された電子部品等の装置部をキャップで覆い、装置部とキャップの縁部を溶接することによって、装置部を気密封止することがある。キャップ内を所定の気圧に調整して、気密封止することもある。角速度センサや加速度センサ等のセンサ素子等では、可動部(マスやビーム等)の変位特性や振動特性が周囲の気圧に左右され易いからである。
【0003】
気密封止を行うために、装置部とキャップ等を抵抗溶接することがある。従来の抵抗溶接方法を説明する(関連する技術として特許文献1参照)。
(1)気密性のチャンバに配置されている固定電極上に装置部を配置する。その上にキャップを配置する。装置部とキャップをまとめてワークという。キャップの上方には可動電極が位置している。
(2)可動電極を下降させ、ワークの上方であって、ワークとの間に空間を設けた中間位置で一旦停止(中間停止)させる。
(3)チャンバ内に所定のガスを供給してチャンバ内を所望のガス圧にする。そのガスは、キャップ内にも徐々に導入される。
(4)中間停止していた可動電極を再度下降させ、その可動電極によってワークを加圧する。この状態で可動電極と固定電極の間に通電して抵抗溶接をする。
【0005】
【特許文献1】
特開平7−124749号公報
【0006】
従来技術によると、中間位置で停止していた可動電極が下降することで、チャンバ内のガス圧が所望の大きさから変化してしまう。この結果、ワーク内(上記例では、装置部を覆うキャップ内)に封入されるガス圧も所望の大きさから変化してしまうという問題がある。
【0008】
本発明は、ワーク内へ封入するガス圧の精度を向上させることを目的とする。
【0009】
本発明の抵抗溶接方法は、チャンバ内で可動電極を移動させる移動工程と、チャンバ内に位置決めされているワークに可動電極が接触したことを条件としてチャンバ内にワーク内に封入するガスを供給する工程を有する。ここで、上記「条件として」とは、少なくとも1つの条件として、という意味である。本明細書中の他の記載についても同様である。
【0010】
本発明の抵抗溶接装置は、チャンバと、チャンバ内で移動可能な可動電極と、チャンバ内に位置決めされているワークに可動電極が接触したことを検知する接触検知手段と、接触検知手段が検知したことを条件としてチャンバ内にワーク内に封入するガスを供給するように制御するガス制御手段を有する。
【0011】
本態様によると、チャンバ内にガスを供給した後の可動電極の移動量を小さくすることができる。よって、可動電極の移動に伴ってチャンバ内のガス圧が変化することを小さく抑えることができる。従って、ワーク内に封入するガス圧の精度を向上させることができる。
【0012】
チャンバ内でワークを位置決めする固定電極と、可動電極を移動させるアクチュエータと、アクチュエータのロッドと可動電極を所定の遊びを許容して連結する連結部をさらに有することが好ましい。接触検知手段は、アクチュエータのロッドと可動電極が接近する側に移動したときに圧縮される荷重検知手段を有することが好ましい。ガス制御手段は、荷重検知手段が所定の荷重(第1荷重(小荷重))を検知したことを条件としてチャンバ内にワーク内に封入するガスを供給するように制御することが好ましい。
【0013】
本態様によると、可動電極がワークを加圧する力(加圧力)を検知する荷重検知手段を、接触検知手段としても兼用できる。
【0014】
上記態様の装置は、荷重検知手段が所定の荷重(前記第1荷重よりも大きい第2荷重(大荷重))を検知したことを条件として可動電極と固定電極間に通電するように制御する通電制御手段をさらに有することが好ましい。
【0024】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施例の抵抗溶接装置の構成図を示す。この抵抗溶接装置は、可動電極(上側電極)48と、固定電極(下側電極)40と、チャンバ44等を有する。可動電極48は固定電極40よりも上側に位置する。可動電極48は、図示上下方向に移動可能である。固定電極40は基台(図示せず)上に載置されているとともに、固定されている。チャンバ44は気密性であり、真空チャンバ、減圧チャンバともいえる。固定電極40上には、ワーク100が載置されて位置決めされている。ワーク100の構成については後述する。可動電極48とチャンバ44の間には、Oリング(シール部材の一例)46が設けられている。固定電極40とチャンバ44の間にも、Oリング42が設けられている。
【0025】
チャンバ44には、第1ガス供給管30と、第2ガス供給管31と、ガス排出管38のそれぞれの一端が接続されている。第1ガス供給管30の他端には、ヘリウム(He)ガスの供給部16が接続されている。第2ガス供給管31の他端には、窒素(N2)ガスの供給部18が接続されている。ガス排出管38の他端には、排気ポンプ28が接続されている。
【0026】
第1ガス供給管30の途中には、マスフローコントローラ32と、第1切換バルブ34が設けられている。第2ガス供給管31の途中には、第2切換バルブ35が設けられている。ガス排出管38の途中には、第3切換バルブ36が設けられている。第1切換バルブ34と第2切換バルブ35は、チャンバ44内へのガスの供給と供給停止を切換える切換手段の一例である。第3切換バルブ36は、チャンバ44内のガスの排出とその排出停止を切換える切換手段の一例である。ガス排出管38の途中には、真空計26が接続されている。真空計26の出力は、PID制御機24に入力される。PID(Proportional Integral Differential)制御機24の出力は、マスフローコントローラ32に入力される。
【0027】
可動電極48の上面には、オンス銅板(導電体の一例)50が設けられている。可動電極48はオンス銅板50を介して溶接トランス22に接続されている。固定電極40もまた、溶接トランス22に接続されている。溶接トランス22は、インバータ電源20に接続されている。これにより、インバータ電源20の出力電圧が、溶接トランス22で所定値に変換されて、可動電極48と固定電極40の間に印加される。
【0028】
オンス銅板50上には、絶縁板52が設けられている。絶縁板52上には、中空構造体54が設けられている。中空構造体54の底部上には、荷重センサとしてのロードセル(接触検知手段、荷重検知手段の一例)62が設けられている。中空構造体54の上部は、中央が開口している。
【0029】
中空構造体54の上方には、シリンダ装置(アクチュエータの一例)70が設けられている。シリンダ装置70のシリンダ71内には、ピストン78が収容されている。ピストン78の下面には、ロッド74の上端が接続されている。ロッド74は上下方向に伸びている。ロッド74の下端には、ロッドよりも径の大きい板部72が取付けられている。板部72は、中空構造体内54内に収容されている。板部72は、ロッド74と可動電極48を、所定の遊び(クリアランス)Lを許容して連結する連結部である。板部72がロードセル62を押圧しているときは遊びLが最小(ゼロ)である。この場合、板部72は押板として機能する。板部72が中空構造体54の上部に係合しているときは遊びLが最大となる。この場合、板部72は可動電極48の持上げ板として機能する。
【0030】
シリンダ70内は、ピストン78によって上側空間(第1空間)80と下側空間(第2空間)76に区画可能となっている。上側空間80は、第1方向制御弁82に接続されている。第1方向制御弁82は、第1位置82aと第2位置82bに切換可能である。第1位置82aでは、上側空間80と大気開放部88が接続され、上側空間80と流体供給部90の間が遮断される。第2位置82bでは、上側空間80と大気開放部88の間が遮断され、上側空間80と流体供給部90が接続される。
【0031】
下側空間76は、第2方向制御弁84と第3方向制御弁86に接続されている。第2方向制御弁84は、第1位置84aと第2位置84bに切換可能である。第1位置84aでは、下側空間76と閉鎖部92の間が遮断され、下側空間76と流体供給部94が接続される。第2位置84bでは、下側空間76と閉鎖部92が接続され、下側空間76と流体供給部94の間が遮断される。第3方向制御弁86は、第1位置86aと第2位置86bに切換可能である。第1位置86aでは、下側空間76と閉鎖部96が接続され、下側空間76と大気開放部98の間が遮断される。第2位置86bでは、下側空間76と閉鎖部96の間が遮断され、下側空間76と大気開放部98が接続される。流体供給部90,94は、モータを含むポンプ等を有する。
【0032】
中空構造体54の側面には、ドグ60の一端が取付けられている。ドグ60は、棒状部材であり、図示左右方向に伸びている。ドグ60の先端部の下方には、変位センサ(位置検知手段、変位検知手段の一例)56が設けられている。変位センサ56は、固定台58上に設けられている。変位センサ56の出力は、第1A/D(アナログ/デジタル)変換器64aに入力される。ロードセル62の出力は、第2A/D変換器64bに入力される。2つのA/D変換器64a,64bの出力は共に、制御装置66に入力される。制御装置(ガス制御手段、制御手段の一例)66は例えばコンピュータや制御回路によって構成され、CPUや記憶装置等を含む。制御装置66には、真空計26の出力も入力される。制御装置66には、異常を含めた装置の状態等を表示する表示装置67が接続されている。
【0033】
また、制御装置66は、方向制御弁82,84,86の切換えを制御して、ピストン78(これに連動して変位する可動電極48)が後述する所定の動作を行うように制御する。制御装置66は、インバータ電源20による可動電極48と固定電極40間への通電を制御する。制御装置66は、切換バルブ34,35,36の開閉を制御する。制御装置66は、排気ポンプ28の駆動を制御する。
【0034】
図2は、ワーク100の構成を示す。ワーク100は、装置部200と、キャップ部102を有する。本実施例では、装置部200は角速度センサを有する。装置部200は、素子部202と、端子部208と、ステム(基台部)210等を有する。ステム210に形成された突起部(プロジェクション)210aと、キャップ102の縁部102aが抵抗溶接によって接合される。2つの素子部202の間は、ワイヤ206によって接続されている。素子部202と端子部208は、ワイヤ204によって接続されている。
なお、装置部200の例としては、加速度センサ等の各種のセンサや、静電アクチュエータ等の各種のアクチュエータ等が挙げられる。
【0035】
図3に、素子部202の平面図を示す。素子部202は、固定部230,228,220と、可動部222,224,226を有する。固定部230,228,220は基板(図示省略)に対して固定されている。2つの固定部230にはそれぞれ、櫛歯状の固定電極228群の一端がつながっている。4つの固定部220にはそれぞれ、ビーム222の一端がつながっている。4本のビーム222の他端は、マス224につながっている。マス224の両側部には、櫛歯状の可動電極226群がつながっている。櫛歯状の固定電極228群と櫛歯状の可動電極226群は、噛合った位置に配置されている。4本のビーム222と、マス224と、可動電極226群は、基板上に浮いた状態となっている。このようなセンサ200の素子部202は、例えば、半導体等を含む基板(例えばSOI(Silicon On Insulator)基板)をマイクロマシニング技術によって加工することで製造できる。
【0036】
この角速度センサ200の素子部202の動作を説明する。固定電極228と可動電極226に所定の電圧を印加して、マス224をx軸方向に振動させた状態にする。この状態で、y軸周りの角速度が加わったとする。すると、マス224は、z軸方向(紙面垂直方向)にも振動する。この振動特性(振動振幅等)は、加わった角速度の大きさに応じて変化する。よって、この振動特性(振動振幅等)を測定することで、加わった角速度の大きさがわかる。
【0037】
次に、シリンダ装置70の動作を図1を参照して説明する。
(1)シリンダ装置70のピストン78(可動電極48)をほぼ自重のみにより下降させる場合は、第1方向制御弁82を第1位置82aに設定し、第2方向制御弁84を第2位置84bに設定し、第3方向制御弁86を第2位置86bに設定する。これにより、上側空間80は大気開放部88に接続され、下側空間76は大気開放部98に接続される。即ち、上側空間80と下側空間76の両方とも大気開放される。この結果、ピストン78(可動電極48)はほぼ自重のみにより下降する。この場合、ピストン78に取付けられた板部72は、基本的には中空構造体54の上部に係合した状態で下降する。このように、シリンダ装置70は、可動電極48の移動手段として機能する。
【0038】
(2)ピストン78(可動電極48)を停止(中立保持)する場合は、第1方向制御弁82を第1位置82aに設定し、第2方向制御弁84を第2位置84bに設定し、第3方向制御弁86を第1位置86aに設定する。これにより、上側空間80は大気開放部88に接続されて大気開放され、下側空間76は閉鎖部92,96に接続されて閉鎖される。この結果、ピストン78(可動電極48)は停止する(中立保持される)。この場合、板部72は中空構造体54の上部に係合し、中立保持されたピストン78(板部72)に可動電極48が吊下げられたような状態となっている。このように、シリンダ装置70は、可動電極48の位置保持手段としても機能する。
【0039】
(3)ピストン78(可動電極48)の上面に下向きの加圧力を加えて下降させる場合は、第1方向制御弁82を第2位置82bに設定し、第2方向制御弁84を第2位置84bに設定し、第3方向制御弁86を第2位置86bに設定する。これにより、上側空間80は流体供給部90に接続されて流体(本実施例では圧縮空気)が供給され、下側空間76は大気開放部98に接続されて大気開放される。この結果、ピストン78(可動電極48)は自重とともに、その上面に下向きの加圧力が加わって下降する。この場合、板部72がロードセル62を押圧した状態となっており、板部72によって可動電極48を加圧している状態となっている。このように、シリンダ装置70は、可動電極48、ひいてはワーク100の加圧手段としても機能する。
【0040】
(4)ピストン78(可動電極48)を上昇させる場合は、第1方向制御弁82を第1位置82aに設定し、第2方向制御弁84を第1位置84aに設定し、第3方向制御弁86を第1位置86aに設定する。これにより、上側空間80は大気開放部88に接続されて大気開放され、下側空間76は流体供給部94に接続されて流体(圧縮空気)が供給される。この結果、ピストン78(可動電極48)は、その下面に上向きの加圧力が加わって上昇する。この場合、板部72は中空構造体54の上部に係合し、上昇するピストン78(板部72)によって可動電極48が引き上げられるような状態となっている。
【0041】
また、チャンバ44も図示上下方向に移動可能となっている。チャンバ44は、図示しないアクチュエータ(シリンダ装置70とは別のシリンダ装置)によって駆動される。
【0042】
次に、上記した抵抗溶接装置の動作を図1と図2に加えて図4を参照して説明する。図4は、抵抗溶接装置の動作を示すフローチャートである。まず、オペレータ又はワーク搬送機構によって、図1に示す固定電極40上にワーク100をセットする(図4に示すS10参照)。具体的には、図2に示すようにキャップ102が下側となり、装置部200が上側となるようにセットする。なお、キャップ102と装置部200の位置が逆となるようにセットする構成であってもよい。
【0043】
次に、制御装置66は、図示しないアクチュエータによってチャンバ44を下降させる(S20)。次に、制御装置66は、真空引きを開始させる(S30)。具体的には、第3切換バルブ36を開く。また、排気ポンプ28を駆動させる。これにより、チャンバ44内の気体をガス排出管38を通じて外部に排出させる。制御装置66は、真空計26により測定されるチャンバ44内の真空度が0.1〜0.01Pa以下になるまで排気ポンプ28を駆動させる(S40)。
【0044】
次に、制御装置66は、先に述べたように方向制御弁82,84,86を制御して、ピストン78(可動電極48)をほぼ自重のみにより下降させる(S50)。このように、可動電極48がワーク100に近づく向きの外力を可動電極48に加えずに、可動電極48の自重により可動電極48を移動させることが好ましい。本態様によると、可動電極48とワーク100の衝突力を小さくしながら可動電極48とワーク100を接触させることができる。
【0045】
次に、制御装置66は、ロードセル62の出力値から、可動電極48の底面がワーク100に接触(タッチ)したことを検出する。ロードセル62の出力値が所定の小荷重に対応した値(接触検出値)以上の場合、制御装置66は、可動電極48がワーク100に接触していると判定する(S60)。本実施例では、所定の小荷重は、ピストン78と、ロッド74と、板部72の荷重の合計値以下の値に設定している。
【0046】
このように、ピストン78(可動電極48)をほぼ自重のみにより下降させ、可動電極48とワーク100を接触させるので、ワーク100に対して可動電極48をソフトランディングさせることができる。よって、ワーク100(例えばワーク100のガラスハーメチック端子)や可動電極48が、衝撃によって破壊する可能性を低くすることができる。
【0047】
制御装置66は、ロードセル62で可動電極48とワーク100の接触を検出すると、先に述べたように方向制御弁82,84,86を制御して、ピストン78(可動電極48)を停止(中立保持)させる(S70)。このように、制御手段(制御装置)66は、ワーク100に可動電極48が接触したことを接触検知手段(ロードセル)62が検知した場合、位置保持手段(シリンダ装置)70によって可動電極48を停止させることが好ましい。本態様によると、ステム210の突起部210aとキャップ102の縁部102aの間のガス経路が、可動電極48の自重によって狭くなり過ぎることを抑制できる。よって、後述するようなキャップ102内へのガスの導入を短時間に行える。
【0048】
次に、制御装置66は、真空計26により測定されるチャンバ44内の真空度が所定値か否かを判定する(S80)。次に、制御装置66は、ワーク100に可動電極48が接触したことを検知したときの変位センサ56の出力値、即ち、可動電極48の所定位置からの変位量から、可動電極48の位置が適正な位置にあるか否か(所定の公差範囲にあるか否か)を判定する(S90)。言い換えると、可動電極48の位置が高過ぎないか(浮過ぎていないか)、低過ぎないか(沈み過ぎていないか)を判定する。
【0049】
制御装置66は、可動電極48の位置が適正な位置にないと判定した場合は、以降の抵抗溶接動作を中止する(S150)。そして、制御装置66は、抵抗溶接動作を中止する旨を表示装置67に表示させ、オペレータに報知する(S150)。これにより、ワーク100や可動電極48の破損を未然に防止できる。
【0050】
一方、制御装置66は、可動電極48の位置が適正な位置にあると判定した場合は、チャンバ44内にヘリウム(He)ガスを供給するように制御する(S100)。具体的には、第1切換バルブ34を開く。これにより、ヘリウムガス供給部16から第1ガス供給管30を通じてチャンバ44内にヘリウムガスが供給される。また、ヘリウムガスの供給量をマスフローコントローラ32によって制御することで、チャンバ44内のガス圧を、所定の設定値となるように制御する(S110)。本実施例では、ヘリウムガスのガス圧がセンサの性能を満足させる圧力(約100Pa〜約600Pa)となるように制御する。マスフローコントローラ32は、PID制御機24の出力値によって制御される。PID制御機24は、真空計26の出力値に応じた値を出力する。
【0051】
次に、制御装置66内のタイマーによって所定時間を計時する(S120)。次に、制御装置66は、先に述べたように方向制御弁82,84,86を制御して、ピストン78(可動電極48)を加圧して下降させる。(S130)。これにより、可動電極48は、ワーク100を本加圧する。次に、制御装置66は、ロードセル62の出力値が、可動電極48と固定電極40の間への通電を行うのに適正な所定の大荷重に対応した値に達したか否かを判定する(S140)。制御装置66は、ロードセル62の出力値が適正値に達していると判定した場合は、可動電極48と固定電極40の間への通電を行う(S160)。これにより、ワーク100の装置部200のステム210とキャップ102(図2参照)の抵抗溶接が行われる。
【0052】
これにより、装置部200のステム210の突起部210aとキャップ102の全周が適切に接触し、突起部210aとキャップ102の偏接触がない状態で通電を行うことができる。よって、方当りによって突起部210aの一部(先端)に電流が集中して、チリ(スパッタ)が発生することを抑制できる。
【0053】
次に、制御装置66は、チャンバ44内のガス圧の制御を終了させる(S170)。次に、制御装置66は、真空引きを終了させる(S180)。次に、制御装置66は、チャンバ44内を窒素(N2)ガスを供給することで、チャンバ44内をパージする(S190)。具体的には、第2切換バルブ35を開く。これにより、窒素ガス供給部18から第2ガス供給管35を通じてチャンバ44内に窒素ガスが供給される。次に、制御装置66は、先に述べたように方向制御弁82,84,86を制御して、可動電極48を上昇させる(S200)。次に、制御装置66は、図示しないアクチュエータによってチャンバ44を上昇させる(S210)。最後に、オペレータ又はワーク搬送機構によって、抵抗溶接装置からワーク100を取出す(S220)。
【0054】
本実施例では、可動電極48がワーク100に接触した後にチャンバ44内にヘリウムガスを供給し、ガス置換を行う。よって、ガス置換後の可動電極48のストロークを非常に小さくすることができる。ストロークを、装置部200のステム210の突起部210aの潰れ分(本実施例では約0.2mm)にすることができる。このため、ガス置換後の可動電極48の移動に伴ってチャンバ44内のガス圧が上昇することを小さく抑えることができる。従って、ワーク100内に封入するガス圧の精度を向上させることができる。また、ワーク100の封入ガス圧の製造ばらつきを非常に小さくすることができる。
【0055】
ところで、特開平5−277745号公報(その公報の〔0028〕参照)には、端栓を取付けた可動電極を油圧シリンダで所定距離移動させ、端栓に対向する容器の端面との間に僅かな隙間を形成した状態で、容器内にガスを供給する技術が記載されている。この従来技術では、予め設定された所定距離を油圧シリンダで可動電極を移動させる。よって、ワーク(端栓と容器)の寸法にばらつきが存在する場合、端栓と容器に僅かな隙間が形成されずに、密着してしまう場合が生じる。この場合、容器内にガスが供給されるまでに非常に長い時間を要する可能性が高い。
【0056】
これに対し、本実施例では、ワーク100に可動電極48が接触したことを検知したことを条件としてチャンバ44内にガスを供給する。また、ワーク100に可動電極48が接触したことを検知した場合、可動電極48を停止させる。よって、ワーク100の寸法のばらつきが存在する場合でも、ワーク100のガス経路(装置部200のステム210の突起部210aとキャップ102の間の経路)が閉鎖されることを回避できる。このため、ワーク100(キャップ102)内にガスが供給される時間を短くできる。従って、本実施例は、正圧のガスのみならず、負圧(例えば数百Pa程度)のガスの封入にも適している。
【0057】
図5は、本発明の実施例の抵抗溶接装置を試作したものについて、ワークに封入したヘリウムガスのガス圧の精度の測定結果を示す。一方、図6は、従来の(先に示した第1の従来技術)の抵抗溶接装置に類似した構成について、同様の測定を行った結果を示す。図5の横軸は、ヘリウムガスの圧力設定値である。この値は、チャンバ44内のガス圧が所定の設定値となるようにヘリウムガスの供給量をマスフローコントローラ32で制御することで設定する。図5の縦軸は、ワーク100のキャップ102内の封入ガス圧である。なお、縦軸は、窒素(N2)ガスの圧力に換算した値を示している。図6の横軸と縦軸も同様である。
【0058】
図5のグラフにプロットした点は、実際に測定した値である。その点付近の直線は、これらの点群を結ぶ直線を近似的に求めたものである。その直線を挟む2つの曲線は、±4σ(σ:標準偏差)の曲線を示す。図6についても同様である。
【0059】
本実施例の測定結果を示す図5の方が、従来例の測定結果を示す図6に比べて、±4σの曲線の曲がり度合いが大幅に小さく、ばらつきが大幅に小さくなっていることがわかる。また、図5では、相関係数(R2)は、0.9934である。図6では、相関係数は0.9817である。相関係数は1に近い方が直線性が高い。即ち、本実施例の測定結果を示す図5の方が、従来例の測定結果を示す図6に比べて、ヘリウムガスの圧力設定値に対する直線性が大幅に向上していることがわかる。また、図5では、ヘリウムガスのガス圧200Paの付近では、ワーク100のキャップ102内の窒素換算ガス圧は約100±20Pa前後となっていることがわかる。これより、ワーク100の封入ガス圧の製造ばらつきが非常に小さいことがわかる。
【0060】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【0061】
(1)マスフローコントローラ32に代えて、オリフィスの開度を変えることができるバルブ等を使用してもよい。
【0062】
(2)制御装置66は、抵抗溶接が終了した後の変位センサ56の出力値と、可動電極48がワーク100に接触している時の変位センサ56の出力値を比較し、溶接の溶け込み量を検出してもよい。制御装置66はまた、この溶接の溶け込み量の測定値が所定値か否かで、溶接の良否を判定してもよい。
【0063】
(3)可動電極48の自重が大きい場合は、図4のS50に示すような下降に代えて、ピストン78の下面に上向きの加圧力を加えつつ、自重によりピストン78を下降させるようにしてもよい。具体的には、第1方向制御弁82を第1位置82aに設定し、第2方向制御弁84を第1位置84aに設定し、第3方向制御弁86を第1位置86aに設定する。これにより、上側空間80は大気開放部88に接続され、下側空間76は流体供給部94に接続される。但し、流体供給部94から供給される流体の圧力は、ピストン78の下面を上向きに加圧しつつも、結果としてピストン78が下降するような値に設定する。即ち、流体供給部94から供給される流体の圧力は、可動電極48を上昇する場合に供給される流体の圧力よりも小さくする。このように、可動電極48がワーク100から遠ざかる向きの力(但し、可動電極48の自重よりも小さい力)を可動電極48に加えながら、可動電極48の自重により可動電極48を移動させてもよい。
【0064】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の抵抗溶接装置の構成図を示す。
【図2】 ワークの構成図を示す。
【図3】 ワークの装置部の素子部の平面図を示す。
【図4】 本発明の実施例の抵抗溶接装置の動作を示すフローチャートである。
【図5】 本発明の実施例の抵抗溶接装置を試作したものについて、ワークに封入したヘリウムガスのガス圧の精度の測定結果を示す。
【図6】 従来の抵抗溶接装置に類似した構成について、ワークに封入したヘリウムガスのガス圧の精度の測定結果を示す。
【符号の説明】
40:固定電極
44:チャンバ
48:可動電極
100:ワーク
Claims (3)
- チャンバ内で可動電極を移動させる移動工程と、チャンバ内に位置決めされているワークに可動電極が接触したことを条件としてチャンバ内にワーク内に封入するガスを供給する工程を有する抵抗溶接方法。
- チャンバと、チャンバ内で移動可能な可動電極と、チャンバ内に位置決めされているワークに可動電極が接触したことを検知する接触検知手段と、接触検知手段が検知したことを条件としてチャンバ内にワーク内に封入するガスを供給するように制御するガス制御手段を有する抵抗溶接装置。
- チャンバ内でワークを位置決めする固定電極と、可動電極を移動させるアクチュエータと、アクチュエータのロッドと可動電極を所定の遊びを許容して連結する連結部をさらに有し、
接触検知手段は、アクチュエータのロッドと可動電極が接近する側に移動したときに圧縮される荷重検知手段を有し、
ガス制御手段は、荷重検知手段が所定の荷重を検知したことを条件としてチャンバ内にワーク内に封入するガスを供給するように制御する請求項2に記載の抵抗溶接装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003180439A JP4038156B2 (ja) | 2003-06-25 | 2003-06-25 | 抵抗溶接方法と抵抗溶接装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003180439A JP4038156B2 (ja) | 2003-06-25 | 2003-06-25 | 抵抗溶接方法と抵抗溶接装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007245291A Division JP2008016867A (ja) | 2007-09-21 | 2007-09-21 | 抵抗溶接方法と抵抗溶接装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005019574A JP2005019574A (ja) | 2005-01-20 |
JP4038156B2 true JP4038156B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=34181424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003180439A Expired - Fee Related JP4038156B2 (ja) | 2003-06-25 | 2003-06-25 | 抵抗溶接方法と抵抗溶接装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4038156B2 (ja) |
-
2003
- 2003-06-25 JP JP2003180439A patent/JP4038156B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005019574A (ja) | 2005-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6423660B2 (ja) | ウエハ検査装置における検査用圧力設定値決定方法 | |
US9581641B2 (en) | Wafer inspection apparatus | |
KR102282694B1 (ko) | 검사 장치 및 콘택트 방법 | |
US6491785B1 (en) | Ultrasonic vibration bonding machine | |
JP6803542B2 (ja) | プローバ及びプローブ検査方法 | |
JPH0613416A (ja) | ダイボンディング装置 | |
JP2005294824A (ja) | 真空中での超音波接合方法及び装置 | |
TW201434105A (zh) | 接合裝置及接合加工方法 | |
TWI611504B (zh) | 等離子蝕刻設備、晶片頂升裝置及其頂升方法 | |
JP2024014956A (ja) | プローバ及びプローブ検査方法 | |
KR20050005377A (ko) | 기판조립 방법 및 장치 | |
JP2004128202A (ja) | 真空プローブ装置及び真空プローブ方法 | |
JP4038156B2 (ja) | 抵抗溶接方法と抵抗溶接装置 | |
JP2008016867A (ja) | 抵抗溶接方法と抵抗溶接装置 | |
JP7461058B2 (ja) | 変位拡大機構、研磨装置、アクチュエータ、ディスペンサ、およびエアバルブ | |
JP5365525B2 (ja) | 半導体基板貼り合わせ装置及び半導体基板貼り合わせ方法 | |
JP6801166B2 (ja) | プローバ及びプローブ検査方法 | |
JP2011096840A (ja) | 電子部品の実装装置及び実装方法 | |
JP4235246B1 (ja) | 除振台及び制御プログラム | |
JP3604037B2 (ja) | 気密封止用抵抗溶接装置および方法 | |
JPH07136770A (ja) | 気密封止用抵抗溶接装置および方法 | |
JPH0943092A (ja) | 加速度センサの衝撃試験方法及びその装置 | |
JP7352812B2 (ja) | プローバ及びプローブ検査方法 | |
JP4563695B2 (ja) | 加圧方法および接合装置 | |
JP2005293570A (ja) | 圧電素子を用いた駆動機構におけるクリープ補正方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051011 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071102 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |