JP4030927B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、熱膨張により磁気ギャップ層周辺を記録媒体側に突出させ、浮上量を制御する薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
記録用薄膜磁気ヘッドは、記録媒体との対向面側で下部コア層（下部磁極層）と上部コア層（上部磁極層）の間に磁気ギャップ層を介在させた構造を有している。下部コア層と上部コア層は、記録媒体との対向面からデプス方向奥側に進んだ位置で磁気的に接続されており、下部コア層と上部コア層の間を埋める非磁性絶縁層内には、上記磁気接続部を中心として形成したコイル層が存在する。このコイル層を通電すると、下部コア層と上部コア層との間に記録磁界が誘導され、記録媒体との対向面で磁気ギャップ層から漏れた磁界によって記録媒体への磁気記録がなされる。
【０００３】
このような記録用薄膜磁気ヘッドでは、書込特性を向上させるため、記録媒体と磁気ギャップ層の距離を小さく制御することが望ましい。従来では、通電により発熱する発熱体を設け、熱膨張により磁気ギャップ層付近を記録媒体側に突出させるものが提案されている。上記発熱体は、例えば、非磁性絶縁層内（下部コア層と上部コア層の間）に配置されたり、下部コア層及び上部コア層の下層又は上層に配置されたりしている。
【０００４】
しかしながら、発熱体を非磁性絶縁層内に配置する構成では、非磁性絶縁層内にコイル層が存在しているため、発熱体の配置位置や形状、大きさ等が制限されて設計自由度が低くなっており、また、発熱体とコイル層との間隔が狭いために発熱体からの熱がコイル層に悪影響を与えてしまう虞もあった。一方、発熱体を下部コア層及び上部コア層の下層又は上層に配置する構成では、磁気ギャップ層付近以外の部分も熱膨張してしまい、磁気ギャップ層付近で最も突出するように突出量を制御することが難しい。
【０００５】
【特許文献】
特開平５−２０６３５号公報
特開平１０−２６１２４８号公報
米国特許第５９９１１１３号
米国特許第５９５９８０１号
【０００６】
【発明の目的】
本発明は、上記問題点に鑑み、設計自由度が高く、且つ、磁気ギャップ層周辺を効率良く突出させることができる薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とする。
【０００７】
【発明の概要】
本発明は、磁気ギャップ層周辺に集中的に熱が加われば、磁気ギャップ層周辺を効率良く記録媒体側に突出させることができること、及び下部コア層と上部コア層からなる閉空間外に発熱体を設ければ、発熱体を設計する際の制限が緩和されることに着目してなされたものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、基板上に下部コア層、上部コア層、及び記録媒体との対向面側の端部で下部コア層と上部コア層の間に介在する磁気ギャップ層を有する記録用ヘッド素子と；通電により発熱し、該発熱により記磁気ギャップ層周辺を膨張させて記録媒体側に突出させる発熱体と；を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、発熱体を通電するための配線を、記録用ヘッド素子及び該発熱体よりもギャップデプス方向奥側に設けたこと、及び、発熱体は、基板側から順に断熱層と発熱層を積層して形成され、かつ、記録用ヘッド素子のギャップデプス方向奥側に配置されていて該ギャップデプス方向奥側から記録媒体との対向面側に向かって通電されることを特徴としている。
【００１０】
発熱体は、磁気ギャップ層と同一平面上、又は上部コア層と同一平面上に形成されていることが好ましい。磁気ギャップ層と発熱体が同一平面上にあれば、磁気ギャップ層に集中的に熱を与えることができ、磁気ギャップ層周辺の突出量を増大させることができる。また上部コア層と発熱体が同一平面上にあれば、上部コア層を介して磁気ギャップ層に集中的に熱を与えることができ、磁気ギャップ層周辺の突出量を増大させることができる。
【００１２】
本発明は、記録用ヘッド素子のみを備えた記録専用薄膜磁気ヘッドだけに限らず、記録用ヘッド素子と再生用ヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用した場合、記録用ヘッド素子は、下部シールド層、下部ギャップ層、磁気抵抗効果素子及び上部ギャップ層を少なくとも有する再生用ヘッド素子の上に積層される。この複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、発熱体は、磁気ギャップ層と同一平面上、上部コア層と同一平面上、及び下部ギャップ層と同一平面上のいずれかの位置に形成することができる。いずれの位置に発熱体が形成されていても、磁気ギャップ層周辺を効率良く記録媒体側に突出させることができる。
【００１４】
発熱体は、通電時により多くの熱量を得られるように、１μｍ以上の膜厚で形成することが好ましい。具体的には、例えばフレームメッキ法を用いて、１μｍ〜１０μｍ程度の厚い膜厚で形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。
【００１６】
図１〜図９に示される各実施形態の薄膜磁気ヘッドは、再生用ヘッド素子Ｒと記録用ヘッド素子Ｗが積層形成された、いわゆる複合型薄膜磁気ヘッドである。各図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はデプス方向、Ｚ方向は記録媒体の移動方向である。
【００１７】
図１は、本発明の第１実施形態による薄膜磁気ヘッド１００の積層構造を示す部分断面図である。
【００１８】
図１に示されるように基板１上には、積層方向に沿って順に、アルミナアンダーコート膜２、下部シールド層３、下部ギャップ層４および磁気抵抗効果素子Ｍが備えられている。基板１は、例えばアルミナチタンカーバイドなどのセラミック材料により形成されている。下部シールド層３は、例えばパーマロイなどの軟磁性材料により形成され、下部ギャップ層４は、例えばアルミナなどの非磁性非導電材料により形成されている。
【００１９】
磁気抵抗効果素子Ｍは、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）に露出していて、トラック幅方向の両側に接続された電極層５を介して電流が与えられた状態では記録媒体からの漏れ磁界に応じて抵抗値が変化する。薄膜磁気ヘッド１００は、磁気抵抗効果素子Ｍの抵抗値変化に基づき、記録媒体に記録された磁気信号を再生する。磁気抵抗効果素子Ｍには、ＧＭＲ(giant magnetoresistive)素子やＡＭＲ(anisotropic magnetoresistive)素子を用いることができる。
【００２０】
電極層５は、図２に示されるように、トラック幅方向の両側で磁気抵抗効果素子Ｍに接し、ＡＢＳ面からデプス方向に向かって長く延びていて、基板端面部１ａで電極パッド層Ｅ１、Ｅ２に電気的に接続されている。電極層５及び電極パッド層Ｅ１、Ｅ２は、電気抵抗の小さいＣｕやＡｕ等の導電材料により形成されている。
【００２１】
磁気抵抗効果素子Ｍ及び電極層５上には、上部ギャップ層６を介して、上部シールド層７が形成されている。上部シールド層７は例えばパーマロイなどの軟磁性材料により形成され、上部ギャップ層６は例えばアルミナなどの非磁性材料により形成されている。不図示であるが、上部シールド層７の周囲には絶縁層が形成されている。
【００２２】
上述した下部シールド層３から上部シールド層７までの構造が再生用ヘッド素子Ｒである。本薄膜磁気ヘッド１００では、再生用ヘッド素子Ｒの上部シールド層７が記録用ヘッド素子Ｗの下部コア層を兼ねている（マージド型）。
【００２３】
下部コア層７上には、ＡＢＳ面に露出する磁気ギャップ層８が備えられていて、この磁気ギャップ層８のデプス方向の寸法により、薄膜磁気ヘッド１００のギャップデプスＧｐが規定される。磁気ギャップ層８は、非磁性材料により形成されている。
【００２４】
また下部コア層７上には、磁気ギャップ層８よりもデプス方向奥側に位置させて、下部コア層７と上部コア層９を磁気的に接続する磁気接続部１０と、この磁気接続部１０を囲んで螺旋状に巻かれた第１コイル層１１と、第１コイル層１１の各導体部のピッチ間を埋めると共に第１コイル層１１の上面を覆う第１非磁性絶縁層１２とが形成されている。磁気接続部１０及び第１非磁性絶縁層１２の上面は、上記磁気ギャップ層８の上面と同一面を構成している。
【００２５】
第１非磁性絶縁層１２の上には、第１コイル層１１の巻き方向とは逆向きで螺旋状に巻かれた第２コイル層１３と、この第２コイル層１３の各導体部のピッチ間を埋めると共に第２コイル層１３の上面を覆う第２非磁性絶縁層１４とが形成されている。第１コイル層１１と第２コイル層１３は、第１非磁性絶縁層１２を貫通するコンタクト部１５を介して導通接続されており、また図２に示されるように、第１コイルリード層１６及び第２コイルリード層１７を介して、基板端面部１ａに位置する電極パッド層Ｅ３、Ｅ４にそれぞれ電気的に接続されている。第１コイルリード層１６及び第２コイルリード層１７は、第１コイル層１１と同じ形成面に、第１コイル層１１のメッキ形成工程時に同時にメッキにより形成されている。第２コイルリード層１７は、第１非磁性絶縁層１２を貫通する不図示のコンタクト部を介して第２コイル層１３に導通接続されている。
【００２６】
磁気接続部１０は、例えばパーマロイ等の軟磁性材料により形成され、第１非磁性絶縁層１２および第２非磁性絶縁層１４は、例えばアルミナにより形成されている。第１コイル層１１、第２コイル層１３、コンタクト部１５、第１コイルリード層１６、第２コイルリード層１７及び電極パッド層Ｅ３、Ｅ４は、電気抵抗の小さいＣｕなどの導電材料により形成されている。
【００２７】
第２非磁性絶縁層１５の上には、ＡＢＳ面に露出する先端部９ａで磁気ギャップ層８に接し、ＡＢＳ面よりもデプス方向奥側の基端部９ｂで磁気接続部１０に接続する上部コア層９が形成されている。不図示であるが、上部コア層９の先端部９ａは、記録媒体のトラック幅に合わせて幅狭になっている。上部コア層９は、例えばパーマロイ等の軟磁性材料により形成されている。
【００２８】
上述した下部コア層７から上部コア層９までの構造が記録用ヘッド素子Ｗである。上部コア層９及び第２非磁性絶縁層１４の上面は、絶縁性保護層１８によって覆われている。
【００２９】
以上の薄膜磁気ヘッド１００は、さらに、記録用ヘッド素子Ｗのデプス方向奥側に位置させて、発熱体Ｈ（Ｈ１）を備えている。発熱体Ｈ１は、上述した磁気ギャップ層８と同一平面上（下部コア層７上）にデプス方向に長く延びて形成されており、図２に示される電極パッド層Ｅ５、Ｅ６及び発熱体用リード層１９を介して通電されたときに発熱する。発熱体用リード層１９は、発熱体Ｈ１及び記録用ヘッド素子Ｗよりデプス方向奥側に設けられており、発熱体Ｈ１をデプス方向奥側から通電する。この電極パッド層Ｅ５、Ｅ６及び発熱体用リード層１９は、電気抵抗の小さいＣｕ等の導電材料により形成されている。
【００３０】
発熱体Ｈ１から発生された熱は、その大部分が該発熱体Ｈ１から記録用ヘッド素子Ｗ及びＡＢＳ面に向かって伝わり、記録媒体側に突出させたい磁気ギャップ層８とその周辺（下部コア層７及び上部コア層９）を集中的に温める。この結果、絶縁性保護層１８よりも熱膨張係数の大きい下部コア層７、磁気ギャップ層８及び上部コア層９が熱膨張する。すなわち、図３に点線で示されるように、磁気ギャップ層８付近（下部コア層７、磁気ギャップ層８及び上部コア層９）が記録媒体側に突出する。このように磁気ギャップ層８が記録媒体側に突出すれば、磁気ギャップ層８と記録媒体との距離が小さくなり、書込み時の出力を向上させることができる。
【００３１】
本実施形態では、薄膜磁気ヘッド１００の浮上量が例えば２０ｎｍ程度に設定されており、発熱体Ｈ１を通電したときに得られる磁気ギャップ層８の突出量は最大で１０ｎｍ程度であるから、発熱体Ｈ１の通電時には、磁気ギャップ層８と記録媒体との距離を非通電時よりも約半分に小さくすることができる。磁気ギャップ層８の突出量は、発熱体Ｈ１の発熱温度、すなわち発熱体１００に流す電流の大きさや時間により制御することが可能である。
【００３２】
発熱体Ｈ１は、例えばＮｉＦｅ、ＣｕＮｉ、ＣｕＭｎのいずれかにより、上述の第１コイル層１１と同一工程で形成されている。本実施形態では、発熱体Ｈ１の形成にフレームメッキ法を用いることにより、発熱体Ｈ１を１μｍ〜１０μｍ程度の厚い膜厚で形成し、発熱体Ｈ１から得られる発熱量を増大させている。この発熱体Ｈ１の平面形状は、例えば図４に示されるようなミアンダーパターン形状とすることができる。
【００３３】
図５及び図６は、第２実施形態による薄膜磁気ヘッド２００を示す断面図である。図５及び図６では、第１実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図１と同一符号を付してある。
【００３４】
第２実施形態による薄膜磁気ヘッド２００には、第１実施形態の発熱体Ｈ１の替わりに、上部コア層９と同一平面上（第１非磁性絶縁層１２上）に、デプス方向に長く延びて形成された発熱体Ｈ（Ｈ２）が備えられている。発熱体Ｈ２の形成材料及び膜厚は、第１実施形態と同様である。
【００３５】
発熱体Ｈ２は、第１非磁性絶縁層１２を貫通する導電性のコンタクト部２０１を介して図２に示される発熱体用リード層１９に電気的に接続され、この発熱体用リード層１９及び電極パッド層Ｅ５、Ｅ６を介して通電されたときに発熱する。発熱体用リード層１９は、第１実施形態と同様に、発熱体Ｈ２及び記録用ヘッド素子Ｗよりデプス方向奥側に設けられており、発熱体Ｈ２をデプス方向奥側から通電する。発熱体Ｈ２が発熱すると、発生された熱の大部分が発熱体Ｈ２から記録用ヘッド素子Ｗ及びＡＢＳ面側に向かって伝わり、該発熱体Ｈ２と同一平面上に位置する上部コア層９とその周辺（磁気ギャップ層８及び下部コア層７）を集中的に温める。この結果、絶縁性保護層１８よりも熱膨張係数の大きい上部コア層９、磁気ギャップ層８及び下部コア層７が熱膨張する。すなわち、図６に点線で示されるように、上部コア９付近（下部コア層７、磁気ギャップ層８及び上部コア層９）が記録媒体側に突出する。このように第２実施形態によっても、磁気ギャップ層８と記録媒体との距離が小さくなり、書込み時の出力を向上させることができる。
【００３６】
上記発熱体Ｈ２は、第２コイル層１３と同一工程で例えばフレームメッキ法により形成され、上記コンタクト部２０１は、第１コイル層１１と第２コイル層１３を導通接続するコンタクト部１５と同一工程で例えばフレームメッキ法により形成されている。発熱体Ｈ２の平面形状は、第１実施形態と同様に、図４に示されるようなミアンダーパターン形状とすることができる。
【００４１】
図７及び図８は、第３実施形態による薄膜磁気ヘッド４００を示す断面図である。図７及び図８では、第１実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図１と同一符号を付してある。
【００４２】
第３実施形態による薄膜磁気ヘッド４００は、第１実施形態の発熱体Ｈ１の替わりに、再生用ヘッド素子Ｒの下部ギャップ層４と同一平面上（下部シールド層３上）に、デプス方向に長く延びて形成された発熱体Ｈ（Ｈ４）を備えている。発熱体Ｈ４の形成材料及び膜厚は、第１実施形態と同様である。
【００４３】
発熱体Ｈ４は、コンタクト部４０１及び発熱体用リード層１９を介して通電されたときに発熱する。発熱体用リード層１９は、第１実施形態と同様に、発熱体Ｈ４及び記録用ヘッド素子Ｗよりデプス方向奥側に設けられており、発熱体Ｈ４をデプス方向奥側から通電する。発熱体Ｈ４から発生された熱は、再生用ヘッド素子Ｒ及び記録用ヘッド素子Ｗのデプス方向奥側からＡＢＳ面側に向かって伝わると共に基板１側に逃げていくため、図８に点線で示されるように、下部コア層７付近（下部コア層７、磁気ギャップ層８及び上部コア層９）が記録媒体側に突出する。このように第３実施形態によっても磁気ギャップ層８と記録媒体との距離が小さくなり、書込み時の出力を向上させることができる。
【００４４】
図９は、第４実施形態による薄膜磁気ヘッド５００の積層構造を示す断面図である。図９では、第１実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図１と同一符号を付してある。
【００４５】
第４実施形態による薄膜磁気ヘッド５００には、第１実施形態の発熱体Ｈ１の替わりに、断熱層５０１と発熱層５０２とが積層された発熱体Ｈ（Ｈ５）が備えられている。発熱体Ｈ５は、第１実施形態と同様、磁気ギャップ層８と同一平面上（下部コア層７上）にデプス方向に長く延びて形成されていて、図２に示される電極パッドＥ５、Ｅ６及び発熱体用リード層１９を介して通電されると発熱層５０２が発熱する。発熱体用リード層１９は、第１実施形態と同様に、発熱体Ｈ５及び記録用ヘッド素子Ｗよりデプス方向奥側に設けられており、発熱体Ｈ５をデプス方向奥側から通電する。本実施形態では発熱体Ｈ５に断熱層５０１が備えられているので、発熱層５０２から発生された熱を基板１側に逃がすことなく、より大きな熱量を磁気ギャップ層８、下部コア層７及び上部コア層９に与えることができる。これにより、磁気ギャップ層８、下部コア層７及び上部コア層９の突出量を増大させることができる。
【００４６】
発熱層５０２は、第１実施形態の発熱体Ｈ１と同様、例えばＮｉＦｅ、ＣｕＮｉ、ＣｕＭｎのいずれかを用いて、フレームメッキ法により１μｍ〜１０μｍ程度の厚い膜厚で形成されている。断熱層５０１は、例えば有機レジスト材料により、０．５〜５μｍ程度の膜厚で形成されている。
【００４７】
以上の各実施形態では、記録用ヘッド素子Ｗよりもデプス方向奥側に発熱体Ｈ（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ４、Ｈ５）及びその配線が備えられている。よって、発熱体Ｈから発生された熱は該発熱体ＨからＡＢＳ面側に向かって伝わり、最も突出させたい磁気ギャップ層８の周辺（下部コア層７、磁気ギャップ層８及び上部コア層９）が集中的に温められる。この結果、磁気ギャップ層８の周辺が効率良く記録媒体側に突出し、磁気ギャップ層と記録媒体の距離が小さくなって書込み時の出力が向上する。
【００４８】
本発明では、上述した第１〜第３実施形態のように発熱体Ｈを、磁気ギャップ層８と同一平面上（下部コア層７上）、上部コア層９と同一平面上（第１非磁性絶縁層１２上）、下部ギャップ層４と同一平面上（下部シールド層３上）のいずれに配置しても、磁気ギャップ層８の周辺を効率良く記録媒体側に突出させることができる。すなわち、下部コア層７と上部コア層９の間に発熱体を設ける場合よりも、設計自由度が高まり、発熱体を形成する際の制限が少なくなる。また、第１実施形態によれば発熱体Ｈ１を第１コイル層１１と同一工程で形成でき、同様に第２実施形態によれば発熱体Ｈ２を第２コイル層１３と同一工程で形成できるので、形成工程が簡略化される。
【００４９】
また第４実施形態によれば、発熱体Ｈ５が断熱層５０１と発熱層５０２を積層して形成されているので、発熱層５０２から発生された熱が基板１側へ逃げることを防止できる。これにより、磁気ギャップ層８の周辺（下部コア層７、磁気ギャップ層８及び上部コア層９）がより膨張し、記録媒体側への突出量を増大させることができる。第４実施形態では、発熱体Ｈ５が磁気ギャップ層８と同一平面上（下部コア層７上）に配置されているが、発熱体Ｈ５は、磁気ギャップ層８と同一平面上（下部コア層７上）、上部コア層９と同一平面上（第１非磁性絶縁層１２上）、絶縁性保護層１８の表面１８ａ上、下部ギャップ層４と同一平面上（下部シールド層３上）のいずれに配置されていてもよい。
【００５０】
以上では、再生用ヘッド素子Ｒの上部シールド層７と記録用ヘッド素子Ｗの下部コア層７とが兼用されているマージドタイプの薄膜磁気ヘッドに本発明を適用した実施形態について説明したが、本発明は、上部シールド層と下部コア層とが別々に備えられたピギーバックタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。また、再生用ヘッド素子Ｒと記録用ヘッド素子Ｗの両方を備えた複合型薄膜磁気ヘッドだけでなく、記録用ヘッド素子のみを備えた記録用薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、記録用ヘッド素子よりもデプス方向奥側に発熱体及びその配線が備えられているので、発熱体からＡＢＳ面側に向かって放熱され、最も突出させたい磁気ギャップ層の周辺を集中的に温めることができる。これにより、磁気ギャップ層の周辺を効率良く記録媒体側に突出させることでき、磁気ギャップ層と記録媒体との距離を縮めて書込み時の出力を向上させることができる。また本発明によれば、発熱体が、磁気ギャップ層と同一平面上、上部コア層と同一平面上、及び下部ギャップ層と同一平面上のいずれに配置されていても、磁気ギャップ層の周辺を効率良く記録媒体側に突出させることできるので、下部コア層と上部コア層の間に発熱体を配置する場合よりも設計自由度が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態による薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す断面図である。
【図２】 図１の薄膜磁気ヘッドを基板端面から見て示す部分透視図である。
【図３】 図１の薄膜磁気ヘッドの発熱体を通電したときに記録媒体側に突出する磁気ギャップ層を示す部分断面図である。
【図４】 図１の薄膜磁気ヘッドに備えられた発熱体の形状パターンの一例を示す斜視図である。
【図５】 本発明の第２実施形態による薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す断面図である。
【図６】 図５の薄膜磁気ヘッドの発熱体を通電したとき記録媒体側に突出する磁気ギャップ層を示す部分断面図である。
【図７】 本発明の第３実施形態による薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す断面図である。
【図８】 図７の薄膜磁気ヘッドの発熱体を通電したとき記録媒体側に突出する磁気ギャップ層を示す部分断面図である。
【図９】 本発明の第４実施形態による薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す断面図である。

Claims (5)

1. 基板上に下部コア層、上部コア層、及び記録媒体との対向面側の端部で下部コア層と上部コア層の間に介在する磁気ギャップ層を有する記録用ヘッド素子と；通電により発熱し、該発熱により前記磁気ギャップ層周辺を膨張させて記録媒体側に突出させる発熱体と；を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、
   前記発熱体を通電するための配線を、前記記録用ヘッド素子及び該発熱体よりもギャップデプス方向奥側に設けたこと、及び、
   前記発熱体は、基板側から順に断熱層と発熱層を積層して形成され、かつ、前記記録用ヘッド素子のギャップデプス方向奥側に配置されていて該ギャップデプス方向奥側から前記記録媒体との対向面側に向かって通電されること、
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記発熱体は、前記磁気ギャップ層と同一平面上に形成されている薄膜磁気ヘッド。
3. 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記発熱体は、前記上部コア層と同一平面上に形成されている薄膜磁気ヘッド。
4. 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記記録用ヘッド素子は、下部シールド層、下部ギャップ層、磁気抵抗効果素子及び上部ギャップ層を少なくとも有する再生用ヘッド素子の上に積層されていて、前記発熱体は、前記下部ギャップ層と同一平面上に形成されている薄膜磁気ヘッド。
5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記発熱体は、１μｍ以上の膜厚を有している薄膜磁気ヘッド。