JP4022996B2 - セラミック膜の作製方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェットヘッドのアクチュエータ部等に用いられるセラミック膜の作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、インクジェットプリンタヘッドのアクチュエータ部となる圧電部材としてPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)が用いられているが、近年、その圧電部材を膜厚10μm程度のPZT厚膜とすることへの要求がある。このような膜厚のPZT厚膜は従来のバルク技術や薄膜技術では膜厚をそこまで厚くことができず作製が困難であるため、例えば米国特許第5,585,136号において提案されるようにゾル−ゲル法による作製を行ってみた。
【0003】
クラックや剥離のない膜を作製するためには、PZTセラミックス粉末とゾル−ゲル法により調整したPZTゾルの混合溶液を基板にスピン、ディップ、スプレー、又は印刷等により塗布した後に熱処理を行うことで、有機物の除去と結晶化によって目標のPZT厚膜を得ることができた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法ではセラミックス粉末を用いるため、緻密な膜を得るには熱処理温度が高くなり過ぎるという問題がある。それに加えて、基板材料の高温による劣化、鉛成分の揮発による組織ずれ(鉛雰囲気焼成により組織ずれは防げるが、鉛蒸発により基板が劣化する)、電極材料の酸化による劣化と鉛成分の拡散による劣化等の問題がある。一方、熱処理温度を低くすると、緻密な膜が得られなくなる。
【0005】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記問題を解決するため本発明のセラミック膜の作製方法は、ゾル−ゲル法により作製した鉛とジルコニウムとチタンを含むアモルファスの粉末を、鉛とジルコニウムとチタンの金属イオンを含むゾルに分散してスラリーを作製し、このスラリーを薄膜状に塗布して熱処理により結晶化するものである。
【0006】
本発明のセラミック膜の作製方法では、上記アモルファスの粉末を、ゾル−ゲル法によって得られたゲルを水蒸気雰囲気中での暴露によって加水分解することより生成されたものを熱処理して粉砕することにより作製することが好ましい。
また、上記鉛とジルコニウムとチタンの金属イオンを含むゾルは、上記ゾル−ゲル法において調整したゾルであってもよい。
【0007】
【発明の効果】
本発明のセラミック膜の作製方法によれば、アモルファス状態を経由するため、従来よりも低温の700〜800℃程度での結晶成長と緻密化が可能となり、基板材料や電極材料に悪影響を与えることなく良好な膜を作製できる。また、基板材料への悪影響を考慮しなければ、従来と同じ高温の熱処理によってさらに良好な膜を作製できる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。この説明では、本発明の一実施例であるPZT膜の作製方法を具体的な材料及び数値を挙げて例示する。
まず、以下の手順でPZTゾルを調製した。はじめに、モル比で2メトキシエタノール:酢酸鉛3水和物:ジルコニウムプロポキシド:チタンイソプロポキシド:エタノール:水=6:1.00:0.48:0.52:20:2を含むゾル溶液を次の手順で調製した。まず、2メトキシエタノールに酢酸鉛3水和物を加えて90℃に加熱し溶解させた(溶液A)。この溶液Aとは別に、モル比で全量の半分の量のエタノールに、チタンイソプロポキシド及びジルコニウムプロポキシドを順に加えて混合した(溶液B)。そして、溶液Bに溶液Aを入れて混合し、この混合溶液を78℃で2時間還流した後、放置して室温まで温度を低下させた。さらに、残りのエタノールと、水の混合溶媒を滴下し攪拌することで均質なゾル溶液を調製した(溶液C)。
【0009】
次に、溶液Cをロータリーエバポレータにより、140℃で2時間の濃縮を行い、これにより得られたゾルをさらに乾燥させて乾燥ゲルを作製した後に粒径が約0.5mm以下程度に砕いた。
【0010】
続いて、乾燥ゲルに図1に示す加圧水蒸気処理装置10で水蒸気による暴露を行った。乾燥ゲル12は載置台14上に置かれた試料皿16の中に入れられている。試料皿16は、上部に圧力逃がし弁18及び圧力計20を備えた圧力容器22内にセットされ、さらに圧力容器22内の載置台14の周囲には水24が入れられている。圧力容器22は、オーブン26内に収容されており、このオーブン26で温度を上げることによって圧力容器22内に水蒸気が発生して内部圧力が高くなる構造になっている。この加圧水蒸気処理装置10により200℃、1.5MPaで2時間の水蒸気暴露を行った。これにより、乾燥ゲル12は加水分解処理されて、含有する有機成分をほとんど除去することができた。
【0011】
次に、図2に示すように、乾燥ゲル12について、電気炉30により300℃で1時間の水蒸気雰囲気中での熱処理を行った。この電気炉30では、酸素をキャリアガス32として温水34のバブリングによる水蒸気36が内部に導入されて、水蒸気中での熱処理が行われるようになっている。
【0012】
続いて、得られた乾燥ゲル12の試料をビーズミルにより平均粒径が約0.5μm程度以下に粉砕した。X線解析測定と赤外線吸収スペクトル測定の結果より残留有機物がほとんどないアモルファス粉末が得られたことが確認できた。
【0013】
なお、本実施例では上述したように、ゲルを加圧水蒸気処理することにより金属有機原料をほぼ完全に加水分解でき、その後300℃程度の熱処理により残留有機物のほとんど存在しないアモルファス粉末を作製できたが、完全に加水分解する別の方法としては、ゾルを調製する際に水の量を多くしたり、硝酸等の酸触媒を加えたり、ゲルを温水に浸漬したりする方法もある。
【0014】
続いて、次の工程での溶液Cとの分散性を良くするために、ビーズミルを用いてアモルファス粉末を平均粒径が0.3μmになるように粉砕した。そして、重量比でアモルファス粉末:溶液C=2:1の割合で混合し、超音波分散を行うことによりスラリーを作製した。このスラリーを白金電極付きシリコン基板にスピンコートにより塗布し、電気炉により大気中400℃で10分間の熱処理を行った。このようなコーティングと熱処理を2回繰り返した。最後に、電気炉により大気中で室温から800℃まで昇温速度200℃/minで昇温し、800℃で30分間保持した後、炉冷することによりPZT厚膜を得ることができた。
このPZT厚膜は膜厚10μmで、非常に緻密であり、結晶相は正方晶のペロブスカイト相であって、電気機械結合係数はd33=300(N/C)であった。
【0015】
比較例としてセラミック粉末を用いた場合の膜作製を行った。出発原料としてPbO、ZrO2、TiO2の粉末を粉砕混合した後に電気炉で大気中800℃で2時間の熱処理を行ってPZTペロブスカイト結晶を析出した。得られた試料をビーズミルにより平均粒径が約0.5μm以下程度に粉砕してセラミックス粉末を作製した。そして、重量比でセラミックス粉末:溶液C=2:1の割合で混合し、超音波分散を行うことによりスラリーを作製した。以下、上述したPZT厚膜作製方法と同様に、コーティングと熱処理を行った。その結果、結晶相は正方相のペロブスカイト相であったが、十分に焼結していなかったため膜強度が弱く、圧電特性も発現しなかった。
【0016】
このように本実施例のPZT厚膜の作製方法によれば、アモルファス状態を経由するため、従来よりも低温の700〜800℃程度での結晶成長と緻密化が可能となり、基板材料や電極材料に悪影響を与えることなく良好なPZT厚膜を作製できる。また、基板材料への悪影響を考慮しなければ、従来と同じ高温の熱処理によってさらに良好なPZT厚膜を作製できる。
【0017】
なお、本実施例ではPZT厚膜の作製方法について例示的に説明したが、本発明はPZT厚膜に限らず他のセラミック膜の作製にも広く適用できることは言うまでもない。
【0018】
次に、本実施例により作製したPZT厚膜を用いたインクジェットヘッドについて説明する。図3はインクジェットヘッド40の部分平面図、図4は図3におけるA−A線断面図、図5は図4におけるB−B線断面図である。
【0019】
インクジェットヘッド40は、天板42、隔壁44、スペーサ46及び基板48を備えている。天板40は例えばシリコンプレートからなり、その下面にエッチング等により複数の溝状凹部が形成されている。隔壁44は天板42の凹部形成面に接着されている。これにより、隔壁44によって覆われた天板42の各凹部の内部がそれぞれ、インクを収容する複数のインク室50、各インク室50に供給されるインクを収容する共通インク室52、及び各インク室52と共通インク室54との間をそれぞれ連通する複数のインクインレット54になっている。
【0020】
各インク室50は、それぞれ平行に細長く延びている。また、天板52には各インク室50のインクインレット54とは反対側の端部近傍に連通するノズル56がそれぞれ形成されており、これらのノズル56からインク室50内のインクが吐出されるようになっている。
【0021】
スペーサ46は隔壁44の下部に固定され、基板48はスペーサ46の下部に固定されている。スペーサ46によって隔壁44と基板48との間に空間58が形成されている。
【0022】
隔壁44の空間58に対向する面には、個別電極60が各インク室50に対応して形成されている。各個別電極60はインク室50の長手方向に沿って天板42の外部まで帯状に延びており、スペーサ46の上部において導電性接着層62を介してフレキシブル配線64にそれぞれ接続されている。フレキシブル配線64はドライバ66に接続されている。
【0023】
上記個別電極60上であってインク室50に対応する位置には、駆動部となるPZT厚膜68が矩形状にパターン形成されている。このPZT厚膜68は、上述したPZT厚膜の作製方法により形成されたものである。各PZT厚膜68の上には共通電極70が形成されている。各共通電極70は図示しない接続線により基板48上の導電層72にそれぞれ接続されており、この導電層72を介してアース74にそれぞれ接続されている。これにより、上記ドライバ66によって個別電極60と共通電極70との間に駆動電圧が印加されるようになっている。
【0024】
上記構成からなるインクジェットヘッド10を用いて印字テストを行った。インクには、図6に示す組成のブラック(K)、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、及びシアン(C)の4種類を用いた。また、記録紙にはミノルタ製EPペーパを用いた。上記インクジェットヘッド10において、各インク室50に上記いずれかのインクを充填した状態で、ドライバ66により印字情報に応じてパルス電圧を各PZT厚膜68に印加したところ、各PZT厚膜68が長手方向に縮んで厚み方向に膨らむように変形し、この変形により隔壁44が押し上げられてインク室50内のインクが加圧され、ノズル56からインク滴が吐出された。このインク滴が記録紙に付着してドットが形成され、これらドットの集合により印字画像が形成された。その結果、印字性能が良好であることが確認できた。
【0025】
なお、上記説明ではインクジェットヘッドの駆動部を本発明の一実施例であるPZT厚膜の作製方法にて形成したが、本発明のセラミック膜の作製方法はインクジェットヘッドに限られず、広く他の分野の装置にも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 乾燥ゲルの加圧水蒸気処理装置の概略構成図。
【図2】 乾燥ゲルの熱処理装置の概略構成図。
【図3】 インクジェットヘッドの部分平面図。
【図4】 図3におけるA−A線断面図。
【図5】 図4におけるB−B線断面図。
【図6】 印字テストで用いたインクの組成を示す図表。
【符号の説明】
10…加圧水蒸気処理装置、12…乾燥ゲル、30…電気炉、40…インクジェットヘッド、42…天板、44…隔壁、48…基板、50…インク室、60…個別電極、68…PZT厚膜、70…共通電極。
Claims (3)
- ゾル−ゲル法により作製した鉛とジルコニウムとチタンを含むアモルファスの粉末を、鉛とジルコニウムとチタンの金属イオンを含むゾルに分散してスラリーを作製し、このスラリーを薄膜状に塗布して熱処理により結晶化することを特徴とするセラミック膜の作製方法。
- 上記アモルファスの粉末は、ゾル−ゲル法によって得られたゲルを水蒸気雰囲気中での暴露によって加水分解することにより生成されたものを熱処理して粉砕することにより作製されることを特徴とする請求項1に記載のセラミック膜の作製方法。
- 上記鉛とジルコニウムとチタンの金属イオンを含むゾルは、上記ゾル−ゲル法において調整したゾルであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のセラミック膜の作製方法。
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