JP4013851B2 - 導波管平面線路変換装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、導波管と平面線路との接続部分を構成する導波管平面線路変換装置に係り、特に、構造が簡単な導波管平面線路変換装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
マイクロ波帯、ミリ波帯の電力を伝送するものとして導波管及び平面線路が知られている。
【0003】
導波管は、断面が角型或いは丸型などに形成された中空導体管の内部空間で管長方向に電力を伝送するものである。一方、平面線路の代表的な例としてマイクロストリップ伝送線路がある。マイクロストリップ伝送線路は、誘電体基板の片面に接地導体を設け他面に導体からなる線路を設けてこの線路の条長方向に電力を伝送するものである。導波管により伝送される電力とマイクロストリップ伝送線路などの平面線路により伝送される電力とを相互に変換する場合、導波管平面線路変換装置を必要とする。
【0004】
図10に示されるように、特許文献1に記載された導波管平面線路変換装置100は、導波管101の開口部102を誘電体基板103で覆うようにして、導体管101内を伝送されてきた電力がマイクロストリップ伝送線路104に伝搬する(或いは、マイクロストリップ伝送線路104を伝送されてきた電力が導体管101内に伝搬する)ようにしたものである。
【0005】
特許文献1の導波管平面線路変換装置100は、導波管101の管端を終端する短絡ブロック105を設けるために、誘電体基板103には導波管101の断面外形とほぼ同一形状である矩形の基板開口部106が形成される。この誘電体基板103の片側面より基板開口部106に導波管101の開口部102を嵌め込み、誘電体基板103の反対側面より導波管101の断面外形とほぼ同一断面外形を有する導体からなる短絡ブロック105を導波管に接続する。これにより、短絡ブロック105と導波管101が同電位になる。
【0006】
このとき、マイクロストリップ伝送線路104が導波管101や短絡ブロック105に接しないよう、短絡ブロック105には欠け口107が形成される。また、誘電体基板103の反対側面には接地導体層108が形成され、この接地導体層108は導波管101に導通される。
【0007】
特許文献1の導波管平面線路変換装置は、上記構造により、終端された導波管101の内部空間にこの導波管101と直交するマイクロストリップ伝送線路104が突き出た構造となっている。導波管101により伝送される電力とマイクロストリップ伝送線路104により伝送される電力とを相互に変換することができる。このマイクロストリップ伝送線路104の図示しない一端をアンテナに接続すれば、導波管101からアンテナまでの電力伝送ができる。
【0008】
従来の導波管平面線路変換装置100は、短絡ブロック105を設けるので、誘電体基板103の反対側面の上に盛り上がった立体的構造が形成され、全体として複雑な立体的構造となる。短絡ブロック105を導波管101に接続する必要から、誘電体基板103に基板開口部106を形成しており、誘電体基板103の形状が複雑となる。また、短絡ブロック105にはマイクロストリップ伝送線路104との接触を避ける欠け口107を形成する必要があり、短絡ブロック105の形状も複雑になる。
【0009】
このように、各構造部材がそれぞれ複雑形状であって、全体構造も複雑になっているため、各構造部材の製造が容易でなく、組み立ても容易でない。
【0010】
特許文献2に記載された導波管平面線路変換装置は、導波管の開口部を覆う誘電体基板の外面に導波管と短絡されている短絡金属板を設け、その短絡金属板に形成した切れ込み内にストリップ線路を設けたものである。
【0011】
【特許文献1】
特開平10−126114号公報
【特許文献2】
特開2000−244112号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献2により短絡ブロックは不要となった。しかし、特許文献2では、誘電体基板の外面に導波管と短絡されている短絡金属層を設ける必要があると共に、その導波管と短絡金属層とを短絡するスルーホールを誘電体基板に貫通させて設ける必要がある。さらに、特許文献2では、短絡金属板に切れ込みを形成し、その切れ込み内にストリップ線路を設ける必要がある。
【0013】
このように、従来の技術では、構造が複雑であるために、各構造部材が複雑になると共に組み立ての工程も複雑になる。
【0014】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、構造が簡単な導波管平面線路変換装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、導波管により伝送される電力と導波管の開口部を覆う誘電体基板上の平面線路により伝送される電力とを相互に変換する導波管平面線路変換装置であって、前記導波管内の前記開口部の一側の管壁とその一側に対向する側の管壁とにそれぞれ導体からなる管内フィンを設けることにより、これら管内フィン間にスリットを形成し、前記誘電体基板の一方の面に、前記開口部の周囲に接してこの開口部を覆う導体層を設け、該導体層に前記導波管の内壁に嵌合するように形成された接地地金を取り付け、前記導体層と前記接地地金には前記導波管と前記平面線路とを電磁的に結合させるスロットを設け、さらに前記誘電体基板の他方の面には前記導体層に形成された前記スロットに交差するように前記平面線路を設けたものである。
【0016】
前記管内フィンは、前記開口部から前記導波管の管長方向に延びるほど管壁からの高さを低く形成してもよい。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0018】
図1に示されるように、本発明に係る導波管平面線路変換装置は、断面が角型を呈する導波管1にその導波管1の管長方向Zに直交する開口部2を形成し、その導波管1内の開口部2の一側の管壁1aとその一側に対向する側の管壁1bとにそれぞれ導体からなる管内フィン3,3を設けることにより、これら管内フィン3,3間にスリット4を形成し、このスリット4が開口部2を覆うように設けた誘電体基板5上の平面線路としてのマイクロストリップ伝送線路6に近接するようにしたものである。誘電体基板5の平面形状、大きさは図示の通りに限定されず、任意の方向Y,Xに長く或いは広くしてよい。
【0019】
図1では、分解図のため管内フィン3が開口部2から導波管1の外へ出ているが、実際は管内フィン3の管長方向先端が開口部2に位置し、管内フィン3の全長が導波管1の中に入るよう構成する。管内フィン3,3間距離をスリット4のスリット間隙距離dとする。このスリット間隙距離dと同じ方向で管壁1a,1bから見たそれぞれの管内フィン3,3の高さhの方向をYとする。管内フィン3,3の互いに対向する面に沿った方向をXとする。この方向Xにおける各管内フィン3,3の大きさはスリット幅wという。
【0020】
管内フィン3は、開口部2から導波管1の管長方向に延びるほど管壁1a,1bからの高さhを低く形成されている。図1の形態では、管内フィン3に先端から管長方向所定の距離の位置に段差部3aを設けることにより、管内フィン3は管壁1a,1bと平行を保ちながら高さhを段階的に減じている。
【0021】
誘電体基板5は、導波管1に臨まない面をA面、導波管1に臨む面をB面とすると、A面にマイクロストリップ伝送線路6が設けられている。一方、B面には、開口部1の周囲(誘電体基板5に臨む面)2aに接し、かつ管内フィン3,3の先端に接し、スリット4を除いて開口部2を覆う導体層7が設けられている。
【0022】
誘電体基板5だけに着目すると、図2に示されるように、誘電体基板5のA面にはマイクロストリップ伝送線路6が設けられる。一方、B面には、全面を覆う導体層7中にマイクロストリップ伝送線路6に直交する方向に長いスロット8が設けられる。このスロット8の短手幅がスリット間隙距離dに等しい。
【0023】
導体層7は、開口部2の周囲2aに接し、開口部2のほとんど全体を覆うことにより、導波管1を終端しているものである。
【0024】
さて、上記構成によれば、マイクロストリップ伝送線路6と導波管1内の管内フィン3,3間のスリット4と、導波管1を終端する導体層7のスロット8とが重なるように設けられているので、導波管1内を伝搬する電力により管内フィン3,3には高さhの方向に電力が生じ、この電力によってスリット4の間隙距離dの方向、即ち、スロット8の短手幅に電力が生じ、その電力によってマイクロストリップ伝送線路6の条長方向に電力が生じる。このようにして、マイクロストリップ伝送線路6と導波管1とが電磁的に結合され、相互に電力が変換されて伝送される。
【0025】
スリット幅wがマイクロストリップ伝送線路6の線路幅にほぼ等しいことにより、スリット4とマイクロストリップ伝送線路6とのインピーダンスが整合されているので、損失や反射の少ない伝送が達成される。
【0026】
その一方で、管内フィン3が管長方向に延びるほど管内フィン3の高さhが減じられていることにより、管内フィン3と導波管1とのインピーダンスが整合されているので、損失や反射の少ない転送が達成される。
【0027】
従って、マイクロストリップ伝送線路6と導波管1とがインピーダンスの整合を維持したまま電磁的に結合される。即ち、図1の導波管マイクロストリップ伝送線路変換装置は、インピーダンス整合が良好で電力損失が低減された導波管マイクロストリップ伝送線路変換装置である。
【0028】
図1に示した本発明の構成によれば、B面に導体層7を有する誘電体基板5で開口部2を覆うだけで、導体層7が導波管1と短絡でき、特許文献1では必要であった短絡ブロックが必要なくなり、誘電体基板5のA面上に盛り上がった立体的構造がない。また、誘電体基板5には開口部を形成する必要がない。このため、全体としての立体的構造が簡単になり、誘電体基板5の形状が簡単になる。各構造部材がそれぞれ簡単形状であって、全体構造も簡単になるので、各構造部材の製造が容易で、組み立ても容易となる。
【0029】
また、本発明の構成によれば、誘電体基板の外面に導波管と短絡される短絡金属層を設けたり、導波管と短絡金属層を短絡するスルーホールをなくすることができ、特許文献2よりも構造がいっそう簡単になる。
【0030】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【0031】
図3(a)、図3(b)は、それぞれ図2の構成を変形した構成を表す図であり、符号の同じものは図2で既に説明したものである。図3(a)に示されるように、スロット8の長手方向端部に短手幅が広がった拡張部8aを設けてもよい。拡張部8aの形状は角型に限らず、図3(b)に示されるように、丸型でもよい。このように、スロット8の形状を様々に変形することにより、インピーダンスを調整したり、周波数帯域を調整したりすることができる。
【0032】
図4は、図2の構成を変形した構成を表す図であり、符号の同じものは図2で既に説明したものである。図2では、誘電体基板5上のマイクロストリップ伝送線路6は、誘電体基板5の図示範囲の一端から反対端に亘って伸びていたが、図4に示されるように、スロット8の位置の近傍において、マイクロストリップ伝送線路6の一端6aを開放終端とすることができる。マイクロストリップ伝送線路6の一端6aを開放終端とすることにより、スロット8の位置から開放終端までの長さを調整することで、マイクロストリップ伝送線路6のインピーダンスを調整することができる。
【0033】
図5は、図2の構成を変形した構成を表す図であり、符号の同じものは図2で既に説明したものである。図5では、誘電体基板5のB面側に導波管1の開口部2に嵌合する接地地金9を設けている。接地地金9は、端面9aが誘電体基板5のB面に設けた導体層7に接し、周囲面9bが導波管1の内周壁に接する。そして、接地地金9を貫通して設けられたスロット10は、導体層7のスロット8に一致する。
【0034】
この接地地金9を予め誘電体基板5と組み合わせておき、接地地金9を導波管1の開口部2に嵌合させるようにして誘電体基板5で開口部2を覆うことにより、導波管1内に設置した管内フィン3とスロット8との密着度を高めることができる。従って、管内フィン3とスロット8との電磁的な結合が強まり、この結合からの不要輻射により生じる電力損失を低減し、変換効率を向上させることができる。
【0035】
次に、図1の管内フィン3について詳しく説明すると共に、管内フィン3の他の実施形態を説明する。
【0036】
図6に示されるように、管内フィン3は、金属で構成され、導波管1の管長方向に延出され導波管1の管壁1a,1bに密着固定される固定部側面3bと、この固定部側面3bから垂直に立ち上がり管長方向先端となる先端面3cと、導波管1の他の管壁に触れることなく平行に配置される管内側面3dと、互いに向き合うことでスリット4を形成するスリット間隙面3eと、先端面3cとは管長方向反対側に位置して固定部側面3bから垂直に立ち上がる基端面3fとを有する。先端面3cと基端面3fとの間に段差部3aが有るために、固定部側面3bからスリット間隙面3eまでの距離(高さ)h1,h2は、先端面3cと基端面3fとで異なっている。先端面3cから段差部3aまでの距離は、導波管1内を伝送される電力の波長λに基づいて、例えば、λ/4に形成される。
【0037】
管内フィン3を導波管1に固定する手段として、図1では管壁1a,1bに溝1cを形成し、この溝1cに管内フィン3の管内側面3dを嵌め込んでいる。管内フィン3は、その他の手段で導波管1に固定してもよいし、導波管1と一体的に成形してもよい。
【0038】
図7(a)に示した管内フィン3は、固定部側面3bと先端面3cと管内側面3dとがそれぞれ直交し合う平面であるが、スリット間隙面3eは曲面である。管内フィン3の高さhは先端面3cにおける高さh1から高さがなくなるまで、例えば、放物線のように非直線的に徐々に低くなっている。
【0039】
図7(b)に示した管内フィン3は、固定部側面3bと先端面3c及び基端面3fと管内側面3dとがそれぞれ直交し合う平面であり、スリット間隙面3eは傾斜した曲面である。管内フィン3の高さhは先端面3cにおける高さh1から直線的に徐々に低くなっている。
【0040】
図7(c)に示した管内フィン3は、図6と同様に先端面3cから距離λ/4の位置に段差部3aが有り、さらに、その段差部3aから距離λ/4の位置に段差部3gが形成されている。
【0041】
これらの実施形態が示すように、管内フィン3の高さhは、先端面3cにおいて最も高く管長方向に延びるほど低くする。その高さhの変化は、曲線的な変化、直線的な変化、段階的な変化などとしてよい。この高さ変化により周波数帯域幅の調整を図ることができる。
【0042】
図8に示した管内フィン3は、管壁1a,1b間にさし渡される誘電体基板81の表面に金属膜82を設けたものである。金属膜82は図6の管内フィン3の管内側面3dと同じ形状になっている。これにより、誘電体基板81の先端面84にスリット85が形成される。金属膜82は、誘電体基板81に対しエッチング法により形成することができる。エッチング法では、金属膜82を高い寸法精度で形成することができるので、電力損失が少なく、変換効率の高い管内フィン3を製作することができる。
【0043】
図9に示した管内フィン3は、導波管1と一体的に成形したものである。この構成では、管内フィン3を導波管1に固定するための手段が不要であり、組み立ての工程も不要である。
【0044】
【発明の効果】
本発明は次の如き優れた効果を発揮する。
【0045】
(1)構造が簡単になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す導波管平面線路変換装置の分解斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態を示す誘電体基板の分解斜視図である。
【図3】(a)、(b)はそれぞれ本発明の一実施形態を示す誘電体基板の分解斜視図である。
【図4】本発明の一実施形態を示す誘電体基板の分解斜視図である。
【図5】本発明の一実施形態を示す誘電体基板に接地地金を加えた構成の分解斜視図である。
【図6】本発明の一実施形態を示す管内フィンの斜視図である。
【図7】(a)、(b)、(c)はそれぞれ本発明の一実施形態を示す管内フィンの斜視図である。
【図8】本発明の一実施形態を示す管内フィンの斜視図である。
【図9】本発明の一実施形態を示す導波管と一体の管内フィンの斜視図である。
【図10】従来の導波管平面線路変換装置の分解斜視図である。
【符号の説明】
1 導波管
2 開口部
3 管内フィン
4 スリット
5 誘電体基板
6 平面線路(マイクロストリップ伝送線路)
7 導体層
8 スロット
9 接地地金
10 スロット
Claims (2)
- 導波管により伝送される電力と導波管の開口部を覆う誘電体基板上の平面線路により伝送される電力とを相互に変換する導波管平面線路変換装置であって、
前記導波管内の前記開口部の一側の管壁とその一側に対向する側の管壁とにそれぞれ導体からなる管内フィンを設けることにより、これら管内フィン間にスリットを形成し、
前記誘電体基板の一方の面に、前記開口部の周囲に接してこの開口部を覆う導体層を設け、該導体層に前記導波管の内壁に嵌合するように形成された接地地金を取り付け、前記導体層と前記接地地金には前記導波管と前記平面線路とを電磁的に結合させるスロットを設け、さらに前記誘電体基板の他方の面には前記導体層に形成された前記スロットに交差するように前記平面線路を設けたことを特徴とする導波管平面線路変換装置。 - 前記管内フィンは、前記開口部から前記導波管の管長方向に延びるほど管壁からの高さを低く形成したことを特徴とする請求項1記載の導波管平面線路変換装置。
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