JP4013660B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
この発明は、炭化珪素(以下SiCと記す)を材料とする炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
SiCはシリコンと比較して、ギャップが大きい、飽和ドリフト速度が大きい、熱伝導度が高い、絶縁破壊電界強度が1桁大きいなどの優れた物性値をもつ材料であり、パワーデバイス、高周波デバイスなどの分野で期待されている。
デバイス製作上不可欠な不純物導入(p形不純物やn形不純物の導入)において、SiCでは不純物の拡散係数がシリコンに比べて小さいために、拡散法を用いることが困難である。例えば、1100℃の温度でのSi結晶への熱拡散するホウ素(B)の拡散係数と、同等の拡散係数をSiC結晶で得るには、2000℃と極めて高い温度が必要となる。従って、SiCへの不純物導入法としては、熱拡散法ではなく、イオン注入法が主流である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
イオン注入によりSiC結晶内に注入された不純物原子は、格子位置を占めるシリコン(以下シリコンまたはSiと記す)原子もしくはカーボン(以下カーボンまたはCと記す)原子と衝突して散乱された後、大部分はSiC結晶内の格子間位置に不規則に存在している。これらの不純物原子が電気的に活性化するためにはSi原子もしくはC原子の占めていた格子位置を、イオン注入された不純物原子と置換する必要がある。この置換は、不純物原子の拡散によって行われる。
前記したように、SiC結晶内に導入された不純物原子の拡散係数は小さいために、不純物原子の活性化には1600℃以上の高温が必要となる。
【0004】
しかし、このような高温でのアニール(熱処理)は、SiC結晶表面モフォロジー(morphology)の低下(数十nm以上の表面荒れの発生)やイオン注入した不純物原子が外方拡散によりSiC結晶の表面層から消失されるなどの問題を引き起こす。特に、現在主に使われている(0,0,0,1)結晶基板では、エピタキシャル成長の際にポリタイプを制御する(4H−SiC、6H−SiC、C−SiCなどの構造を制御する)ために、基板を(1,1,−2,0)方向に3〜10度程度(通常は8度程度)傾けている(この角度をオフアングルという)。そのため、高温アニール時の表面原子の再配列によりステップバンチング(step bunching)と呼ばれる数十nm程度のステップ状の凹凸が発生し、この凹凸がデバイス特性に悪影響を与えると言われている。デバイス特性への悪影響は、例えば、MOSデバイスのチャネル抵抗の増大やショットキーダイオードのもれ電流増大などである。
【0005】
この発明の目的は、前記の課題を解決して、イオン注入された不純物原子の活性化のための熱処理温度を低くして、デバイス特性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、炭化珪素半導体結晶に不純物原子をイオン注入して形成する炭化珪素半導体装置の製造方法において、炭化珪素半導体結晶内のシリコン格子位置もしくはカーボン格子位置に空孔を導入する工程と、炭化珪素半導体結晶内に不純物原子(当然、原子はイオン化されている)をイオン注入する工程と、該不純物原子を前記空孔と置換する熱処理工程とを有し、前記空孔を導入する工程は、炭化珪素半導体結晶内に、周期律表の IIIb 族からV b 族の第4周期以降の原子のいずれか一つをイオン注入する製造方法とする。
【0007】
また、炭化珪素半導体結晶内に、周期律表のIIIb族からVb 族の第4周期以降の原子(Ga、Ge、As、In、Sn、Sb、Ti、Pb、Bi)のいずれか一つをイオン注入することで、前記空孔を導入するとよい。
【0008】
また、前記空孔を前記炭化珪素半導体結晶内に選択的に形成し、該選択的に形成された領域に不純物原子をイオン注入し、該不純物原子を前記空孔と置換するとよい。
また、前記炭化珪素半導体結晶内に、選択的に不純物原子をイオン注入し、残留した空孔を置換するシリコンもしくはカーボンの少なくとも一方をイオン注入するとよい。
【0009】
また、前記炭化珪素半導体結晶内の前記空孔を形成した領域に不純物原子をイオン注入し、イオン注入された該不純物原子をシリコン格子位置もしくはカーボン格子位置の空孔と置換させた後、シリコンもしくはカーボンの少なくとも一方を、前記空孔を形成した領域にイオン注入し、該シリコンもしくはカーボンの少なくとも一方で残留した空孔を置換するとよい。
【0010】
前記のように、SiC結晶内に空孔を形成し、この空孔と不純物原子を置換させると、低い熱処理温度で、不純物原子をSiもしくはCの格子位置に配置することができる。
また、空孔を形成した後、選択的に不純物原子をイオン注入でSiC結晶内に導入し、その後、不純物原子を導入しない箇所へ、Si原子もしくはC原子の少なくとも一方をSiC結晶内に導入して、Si格子位置もしくはC格子位置の空孔を埋めて結晶性を回復させることで、デバイス特性の向上を図る。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の参考例の半導体装置の製造方法で、同図(a)から同図(c)は工程順に示した要部製造工程断面図である。
4H−SiC結晶のSiC基板1上に成長させたSiCのエピタキシャル成長層2の内、最表面層約1μmをエピタキシャル成長させる時、C/Si比=6とすることにより、エピタキシャル成長層2の表面層1μmに1×1018cm-3の密度でSi格子位置に空孔(vacancy)を導入した空孔層3を形成する(同図(a))。
【0012】
つぎに、この空孔層3内に、不純物原子としてp形となるアルミニウムを5×1013cm-2のドーズ量で、加速エネルギー360keVでイオン注入4を行う(同図(b))。
つぎに、1500℃の加熱処理を、アルゴン1気圧の雰囲気中で行うことによりアルミニウムを100%活性化させ、高品質のp形導電層5を形成する(同図(c))。
【0013】
アルミニウム原子は原子番号が13であるので、原子番号が14のSi原子と置換し易い。さらに、Si格子位置に空孔があるとこの空孔にアルミニウムが入り易くなる。そのため、前記の条件で、イオン注入されたアルミニウムは100%活性化する。
また、n形導電層の形成に原子番号15のリンをイオン注入する場合も同様である。また、p形導電層の形成に原子番号5のホウ素をイオン注入する場合やn形導電層の形成に原子番号7の窒素をイオン注入する場合には原子番号6のC格子位置に空孔を導入するのが有効である。
【0014】
図2は、この発明の第1実施例の半導体装置の製造方法で、同図(a)から同図(d)は工程順に示した要部製造工程断面図である。
4H−SiC結晶のSiC基板1上に成長させたSiCのエピタキシャル成長層2に、マスク6を用いて、ゲルマニウムを1×1014cm-2のドーズ量で、加速エネルギー2MeVでイオン注入7を行う(同図(a))。
【0015】
つぎに、空孔層3を選択的に形成するために導入されたゲルマニウムを1300℃の加熱処理で蒸発させて除去する(同図(b))。
つぎに、再度マスク6を用いて空孔層3にアルミニウムを5×1013cm-2のドーズ量で、加速エネルギー2MeVでイオン注入4を行う(同図(c))。
つぎに、アルゴン1気圧の雰囲気で1500℃の加熱処理を行い、選択的にp形導電層5を形成する(同図(d))。
【0016】
この方法によれば、結晶全体の品質を損なうことなく必要な領域にのみ空孔を導入し、不純物原子を活性化することができる。
また、図2においては、空孔層3にはSi格子位置の空孔だけでなく、C格子位置の空孔も導入される。アルミニウムはSi格子位置を置換するため、C格子位置の空孔は残存する。従って、空孔を補うために、図2(c)に続いて、図3のようにマスク6を用いて空孔層3にアルミニウムと同程度のドーズ量のC原子のイオン注入8を行うと、図2(d)のp形導電層5のC格子位置にある空孔がC原子で置換され、デバイス特性がさらに向上する。
【0017】
尚、空孔を形成する原子として、ここでは、ゲルマニウム(Ge)を例として挙げたが、Ge以外のIIIb族からV族の第4周期以降の原子(Ga、As、In、Sn、Sb、Ti、Pb、Bi)を導入してもよい。
また、前記したように、C格子位置の空孔を置換して結晶性を回復する場合には、C原子を用いるが、Si格子位置の空孔を置換して結晶性を回復する場合には、Si原子を用いるとよい。
【0018】
図4は、この発明の第2実施例の半導体装置の製造方法で、同図(a)から同図(d)は工程順に示した要部製造工程断面図である。
4H−SiC結晶のSiC基板1上にSiCのエピタキシャル成長層2を気相CVD法で形成し、エピタキシャル成長層2の表面層全体に、ゲルマニウムをイオン注入して空孔層3を形成する(同図(a))。
【0019】
つぎに、マスク6を用いてp形の不純物原子であるアルミニウムを選択的にイオン注入4を行う(同図(b))。アルミニウムが注入されたp形導電層5は、Si格子位置の空孔がアルミニウムで置換され、注入されない空孔層3では、Si格子位置に空孔が残存する(同図(c))。
つぎに、マスク6のネガマスク9(マスク6を反転したマスク)を用いてSi原子のイオン注入8を行う(同図(d))。
【0020】
つぎに、熱処理を加えて注入したSi原子を空孔位置に移動させて結晶性を回復させる。
この後、図5に示すように、全面にC原子のイオン注入10を行い、熱処理することで、C格子位置の空孔をC原子で置換することで、さらに結晶性は良好となり、デバイス特性は向上する。
【0021】
前記のように、SiC結晶内のSi格子位置、C格子位置に空孔を導入することで、イオン注入した不純物原子がこれらの格子位置の空孔と置換し易くなり、イオン注入した不純物原子を活性化するための熱処理温度を低くできる。
熱処理温度を低くすることで、結晶表面モフォロジーの低下を防止でき、外方拡散による不純物原子の消失を防止できて、デバイス特性を向上できる。
【0022】
尚、図2で、マスク6を用いずに全面にゲルマニウムをイオン注入し、その後、不純物原子を選択的に導入し、この不純物原子がSi格子位置と置換した場合には、不純物原子を導入しない箇所にSi原子を導入して空孔を置換し、その後、全面にC原子を導入してC格子位置の空孔をC原子で置換しても、前記した効果が得られる。
【0023】
【発明の効果】
この発明によれば、SiC結晶内に空孔を形成することで、イオン注入した不純物原子の活性化するための熱処理温度を低くできる。
熱処理温度を低くすることで、結晶表面モフォロジーの低下を防止でき、外方拡散による不純物原子の消失を防止できる。その結果、デバイス特性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の参考例の半導体装置の製造方法で、(a)から(c)は工程順に示した要部製造工程断面図
【図2】 この発明の第1実施例の半導体装置の製造方法で、(a)から(d)は工程順に示した要部製造工程断面図
【図3】 図2(c)に続く、要部製造工程断面図
【図4】 この発明の第2実施例の半導体装置の製造方法で、(a)から(d)は工程順に示した要部製造工程断面図
【図5】 図4(d)に続く、要部製造工程断面図
【符号の説明】
1 SiC基板
2 エピタキシャル成長層
3 空孔層
4 イオン注入(アルミニウム原子)
5 p形導電層
6 マスク
7 イオン注入(ゲルマニウム原子)
8 イオン注入(シリコン原子)
9 ネガマスク
10 イオン注入(カーボン原子)
Claims (4)
- 炭化珪素半導体結晶に不純物原子をイオン注入して形成する炭化珪素半導体装置の製造方法において、炭化珪素半導体結晶内のシリコン格子位置もしくはカーボン格子位置に空孔を導入する工程と、炭化珪素半導体結晶内に不純物原子をイオン注入する工程と、該不純物原子を前記空孔と置換する熱処理工程とを有し、前記空孔を導入する工程は、炭化珪素半導体結晶内に、周期律表の IIIb 族からV b 族の第4周期以降の原子のいずれか一つをイオン注入することであることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記空孔を前記炭化珪素半導体結晶内に選択的に形成し、該選択的に形成された領域に不純物原子をイオン注入し、該不純物原子を前記空孔と置換する請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記炭化珪素半導体結晶内に、選択的に不純物原子をイオン注入し、残留した空孔を置換するシリコンもしくはカーボンの少なくとも一方をイオン注入する請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記炭化珪素半導体結晶内の前記空孔を形成した領域に不純物原子をイオン注入し、イオン注入された該不純物原子をシリコン格子位置もしくはカーボン格子位置の空孔と置換させた後、シリコンもしくはカーボンの少なくとも一方を、前記空孔を形成した領域にイオン注入し、該シリコンもしくはカーボンの少なくとも一方で残留した空孔を置換する請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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