JP4002934B2 - 散乱光測定装置 - Google Patents

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    • G01M11/3172Reflectometers detecting the back-scattered light in the frequency-domain, e.g. OFDR, FMCW, heterodyne detection

Description

本発明は、ブリルアン散乱光の測定に関する。
従来より、連続波光をパルス化して光ファイバに与え、光ファイバから散乱光を得て、ブリルアン散乱光をコヒーレント検波することが行われている(例えば、特許文献1の図8を参照)。例えば、散乱光と、連続波光(光周波数fc)を所定の周波数pで強度変調した強度変調光とを合波してコヒーレント検波する。なお、散乱光にはブリルアン散乱光(光周波数fc+fbおよびfc-fb)の他にレーリー散乱光(光周波数fc)がある。また、強度変調光は、光周波数fcの搬送光成分と、光周波数fc+pおよび光周波数fc-pの側波帯光成分とを有する。さらに、コヒーレント検波はフォトダイードを有する光受信器により行われる。
特開2001−165808号公報(図8参照)
しかしながら、上記のような従来技術によれば、コヒーレント検波の結果には、ブリルアン散乱光の検波結果(中心周波数は|p-fb|)のみならず、レーリー散乱光の検波結果(中心周波数は0)が含まれる。一般的には、レーリー散乱光の検波結果のパワーの方が、ブリルアン散乱光の検波結果のパワーよりも大きい。このため、|p-fb|を0よりも充分に大きくしておかないと、ブリルアン散乱光の検波結果が、レーリー散乱光の検波結果に埋もれてしまい、ブリルアン散乱光の測定ができなくなる。
しかし、|p-fb|を0よりも充分に大きくすると、光受信器のフォトダイードの受信帯域を広くする必要がある。受信帯域が広いフォトダイードは高価であるため、ブリルアン散乱光の検波のための費用が増大する。
そこで、本発明は、受信帯域が広い光受信器を用いなくても、ブリルアン散乱光の測定を可能とすることを課題とする。
本発明にかかる散乱光測定装置は、連続光を生成する連続光源と、前記連続光をパルス光に変換する光パルス発生器と、前記連続光を受け、前記連続光と、前記連続光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯光と、前記連続光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯光とを有するシフト光を出力する光周波数シフタと、前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記連続光のパワーを低減するパワー低減手段と、前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受け、さらに前記光周波数シフタから前記シフト光を受けて、前記散乱光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力するヘテロダイン受光器とを備えるように構成される。
上記のように構成された散乱光測定装置によれば、連続光源は、連続光を生成する。光パルス発生器は、前記連続光をパルス光に変換する。光周波数シフタは、前記連続光を受け、前記連続光と、前記連続光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯光と、前記連続光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯光とを有するシフト光を出力する。パワー低減手段は、前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記連続光のパワーを低減する。ヘテロダイン受光器は、前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受け、さらに前記光周波数シフタから前記シフト光を受けて、前記散乱光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力する。
本発明にかかる散乱光測定装置は、連続光を生成する連続光源と、前記連続光をパルス光に変換する光パルス発生器と、前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受け、前記散乱光と、前記散乱光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯散乱光と、前記散乱光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯散乱光とを有するシフト光を出力する光周波数シフタと、前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記散乱光のパワーを低減するパワー低減手段と、前記連続光源から前記連続光を受け、さらに前記光周波数シフタから前記シフト光を受けて、前記連続光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力するヘテロダイン受光器とを備えるように構成される。
上記のように構成された散乱光測定装置によれば、連続光源は、連続光を生成する。光パルス発生器は、前記連続光をパルス光に変換する。光周波数シフタは、前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受け、前記散乱光と、前記散乱光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯散乱光と、前記散乱光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯散乱光とを有するシフト光を出力する。パワー低減手段は、前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記散乱光のパワーを低減する。ヘテロダイン受光器は、前記連続光源から前記連続光を受け、さらに前記光周波数シフタから前記シフト光を受けて、前記連続光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力する。
本発明にかかる散乱光測定装置は、連続光を生成する連続光源と、前記連続光を受け、前記連続光と、前記連続光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯光と、前記連続光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯光とを有するシフト光を出力する光周波数シフタと、前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記連続光のパワーを低減するパワー低減手段と、前記シフト光をパルス光に変換する光パルス発生器と、前記連続光源から前記連続光を受け、さらに前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受けて、前記連続光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力するヘテロダイン受光器とを備えるように構成される。
上記のように構成された散乱光測定装置によれば、連続光源は、連続光を生成する。光周波数シフタは、前記連続光を受け、前記連続光と、前記連続光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯光と、前記連続光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯光とを有するシフト光を出力する。パワー低減手段は、前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記連続光のパワーを低減する。光パルス発生器は、前記シフト光をパルス光に変換する。ヘテロダイン受光器は、前記連続光源から前記連続光を受け、さらに前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受けて、前記連続光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力する。
なお、本発明にかかる散乱光測定装置は、前記光周波数シフタが、受けた光を分波して二つの分波光を得る分波部と、一方の分波光の位相を所定位相だけ変化させる第一位相変化部と、他方の分波光を前記所定位相とは同じ大きさかつ正負が逆の逆所定位相だけ変化させる第二位相変化部と、前記第一位相変化部の出力および前記第二位相変化部の出力を合波する合波部とを有し、前記パワー低減手段は、前記所定位相が定数成分を有するようにするようにしてもよい。
なお、本発明にかかる散乱光測定装置は、前記パワー低減手段が、前記定数成分に相当する大きさの直流電圧を印加するものであるようにしてもよい。
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
第一の実施形態
図1は、第一の実施形態にかかるブリルアン散乱光測定装置1の構成を示す図である。ブリルアン散乱光測定装置1は、光ファイバ2に接続されている。また、ブリルアン光測定装置1は、連続光源10、光カプラ12、光パルス発生器14、光アンプ16、光カプラ18、光周波数シフタ20、パワー低減部22、光カプラ24、ヘテロダイン受光器26、フィルタ回路30、信号処理回路32を備える。
連続光源10は、連続光(すなわち、CW(Continuous
Wave)光)を生成する。光カプラ12は、連続光源10から連続光を受け、光パルス発生器14および光周波数シフタ20に与える。光パルス発生器14は、連続光をパルス光に変換する。光アンプ16は、パルス光を増幅する。
光カプラ18は、光アンプ16からパルス光を受け、入射端2aを介して光ファイバ2に与える。光ファイバ2の入射端2aからは、散乱光(レーリー散乱光およびブリルアン散乱光)が出射され、光カプラ18に与えられる。光カプラ18は、受けた散乱光を、光カプラ24に与える。
光周波数シフタ20は、光カプラ12から連続光を受ける。そして、光周波数シフタ20は、シフト光を出力する。なお、シフト光は、連続光と、第一側波帯光と、第二側波帯光とを有する。第一側波帯光は、連続光の光周波数F0よりも所定の光周波数Floだけ大きい光周波数F0+Floを有する光である。第二側波帯光は、連続光の光周波数F0よりも所定の光周波数Floだけ小さい光周波数F0-Floを有する光である。
パワー低減部22は、光周波数シフタ20の出力するシフト光における連続光(光周波数F0)のパワーを低減する。
図2は、光周波数シフタ20の平面図(図2(a))、正面図(図2(b))である。光周波数シフタ20は、導入部20a、分波部20b、第一位相変化部20c、第二位相変化部20d、合波部20e、導出部20f、電極部20g、基板20hを有する。導入部20a、分波部20b、第一位相変化部20c、第二位相変化部20d、合波部20eおよび導出部20fは基板20h上に形成される。基板20hは、例えばLiNbO3結晶の基板であり、図2(a)においては図示省略している。
パワー低減部22は、交流電源部22a、直流電源部22bを有する。
導入部20aは、光カプラ12から連続光を受けて、分波部20bに与える。なお、連続光のパワーEin = E*ejωtとする。ただし、ω=2πF0である。
分波部20bは、導入部20aから受けた連続光を分波して二つの分波光を得る。一方の分波光は第一位相変化部20cに、他方の分波光は第二位相変化部20dに与えられる。なお、一方の分波光のパワーおよび他方の分波光のパワーは共に、E/√2である(ただし、√2 = 21/2)。
第一位相変化部20cは、一方の分波光の位相を所定位相θだけ変化させる。よって、一方の分波光のパワーは、(1/√2)*E*ejωt*eとなる。
第二位相変化部20dは、他方の分波光を所定位相θとは同じ大きさかつ正負が逆の逆所定位相−θだけ変化させる。よって、他方の分波光のパワーは、(1/√2)*E*ejωt*e-jθとなる。
合波部20eは、第一位相変化部20cの出力する光および第二位相変化部20dの出力する光を合波する。
導出部20fは、合波部20eの出力する光を光カプラ24に向けて出射する。
電極部20gは、第一位相変化部20cおよび第二位相変化部20dの上方に位置する。電極部20gには、パワー低減部22により電圧が印加される。
交流電源部22aは、交流電圧(角周波数Ω=2πFlo)を電極部20gに印加する。直流電源部22bは、直流電圧を電極部20gに印加する。
電極部20gに電圧を印加すると、電気光学効果により、第一位相変化部20cおよび第二位相変化部20dの屈折率が変化して、一方の分波光および他方の分波光の位相が変化する。ここで、交流電圧による一方の分波光の位相変化はφsinΩtと、直流電圧による一方の分波光の位相変化はφ0(定数成分)というように表現できる。ただし、φおよびφ0は定数であり、tは時間である。すると、所定位相θ=φsinΩt+φ0となる。なお、直流電圧の大きさは、φ0(定数成分)に相当するものといえる。
すると、導出部20fの出力する光のパワーEout
= (E/2)*ejωt*(e+e-jθ)となる。
e = ejφ0ΣJn(φ)ejnΩt = ejφ0(…+J-1(φ)e-jΩt+J0(φ)+J1(φ)ejΩt+…)なので(ただし、Jnはベッセル係数)、
Eout = E*ejωt*((-jJ1(φ)sinφ0)e-jΩt+J0(φ)cosφ0 +(jJ1(φ)sinφ0)ejΩt)となる。
光周波数F0(光角周波数ω)の成分のパワーはJ0(φ)cosφ0、光周波数F0±Flo(光角周波数ω±Ω)の成分のパワーはJ1(φ)sinφ0となる。
図3は、直流電源部22bにより印加される直流電圧が低いときの、導出部20fの出力する光の光周波数とパワーとの関係(図3(a))、直流電源部22bにより印加される直流電圧が高いときの、導出部20fの出力する光の光周波数とパワーとの関係(図3(b))を示す図である。
直流電源部22bにより印加される直流電圧が低くφ0がほぼ0であるとすれば、図3(a)に示すように、光周波数F0の成分のパワーは大きく、光周波数F0±Floの成分のパワーは小さい。
直流電源部22bにより印加される直流電圧が高くφ0が90度に近くなれば、図3(b)に示すように、光周波数F0の成分のパワーは小さく、光周波数F0±Floの成分のパワーは大きい。
このように、パワー低減部22は、直流電源部22bにより印加される直流電圧を高く(φ0が90度に近くなるようにする)して、光周波数シフタ20の出力するシフト光における連続光(光周波数F0)のパワーを、φ0がほぼ0の場合よりも低減する。
光カプラ24は、光周波数シフタ20からシフト光を受け、さらに光カプラ18から散乱光を受けて、合波し、ヘテロダイン受光器26に与える。
ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24の合波した光を受ける。すなわち、ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24を介して、パルス光が入射された光ファイバ2の入射端2aから散乱光を受ける。さらに、ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24を介して、光周波数シフタ20からシフト光を受ける。そして、ヘテロダイン受光器26は、散乱光の光周波数とシフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力する。
図4は、光周波数シフタ20の出力の光周波数とパワーとの関係(図4(a))、散乱光の光周波数とパワーとの関係(図4(b))、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数とパワーとの関係(図4(c))を示す図である。
図4(a)は、図3(b)と同様な図である。図4(a)を参照して、光周波数シフタ20の出力においては、光周波数F0の成分のパワーが、光周波数F0±Floの成分のパワーよりも小さい。
図4(b)を参照して、散乱光はレーリー散乱光およびブリルアン散乱光を有する。レーリー散乱光の光周波数は、光ファイバ2に入射したパルス光の光周波数と同じF0である。また、ブリルアン散乱光の光周波数は、光ファイバ2に入射したパルス光の光周波数F0から所定の光周波数Fbだけずれて、F0±Fbとなる。レーリー散乱光のパワーは、ブリルアン散乱光のパワーにくらべて大きい。なお、散乱光の光周波数は、本来はある程度の広がりを有しているが、図示の便宜上、図4(b)においては図示省略している。
図4(c)を参照して、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号は、レーリー散乱光の光周波数F0と、シフト光の連続光成分の光周波数F0との差の周波数0を有する成分を有する。さらに、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号は、ブリルアン散乱光の光周波数F0+Fbと、シフト光の第一側波帯光成分の光周波数F0+Floとの差の周波数Flo-Fbを有する成分を有する。
なお、レーリー散乱光の光周波数F0と、シフト光の第一側波帯光成分の光周波数F0+Floとの差の周波数Floの成分と、ブリルアン散乱光の光周波数F0-Fbと、シフト光の第一側波帯光成分の光周波数F0+Floとの差の周波数Flo+Fbの成分などのFlo-Fbよりも高周波な成分は、高周波すぎてヘテロダイン受光器26によって検出できないため、図4(c)には図示していない。
フィルタ回路30は、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号において、周波数Flo-Fbの近傍の帯域を透過して、他の帯域の信号を透過しない。このようにして、ブリルアン散乱光に相当する電気信号が得られる。
信号処理回路32は、フィルタ回路30の出力を受け、ブリルアン散乱光のパワーなどを導出する。
次に、第一の実施形態の動作を説明する。
まず、連続光源10が連続光を生成する。
連続光は、光カプラ12を介して、光パルス発生器14に与えられる。光パルス発生器14は、連続光をパルス光に変換する。パルス光は、光アンプ16により増幅され、光カプラ18を通過して、光ファイバ2の入射端2aに入射される。
光ファイバ2の入射端2aからは散乱光(レーリー散乱光およびブリルアン散乱光)が出射され、光カプラ18に与えられる。光カプラ18は、受けた散乱光を、光カプラ24に与える。
また、連続光は、光カプラ12を介して、光周波数シフタ20に与えられる。光周波数シフタ20は、連続光(光周波数F0)を受け、シフト光(連続光(光周波数F0)、第一側波帯光(光周波数F0+Flo)、第二側波帯光(光周波数F0-Flo))を出力する。なお、パワー低減部22における直流電源部22bが印加する直流電圧を、φ0が90度に近くなるようにしているため、シフト光の連続光成分のパワーは低減され、第一側波帯光の成分および第二側波帯光の成分のパワーよりも低くなっている。例えば、シフト光の連続光成分のパワーを、第一側波帯光の成分および第二側波帯光の成分のパワーよりも20dB弱くする。光周波数シフタ20の出力するシフト光は、光カプラ24に与えられる。
光カプラ24は、光周波数シフタ20からシフト光を受け、さらに光カプラ18から散乱光を受けて、合波し、ヘテロダイン受光器26に与える。
ヘテロダイン受光器26は、レーリー散乱光の光周波数F0と、シフト光の連続光成分の光周波数F0との差の周波数0を有する成分と、ブリルアン散乱光の光周波数F0+Fbと、シフト光の第一側波帯光成分の光周波数F0+Floとの差の周波数Flo-Fbを有する成分とを有する電気信号を出力する。周波数Flo-Fbよりも高周波な成分は、ヘテロダイン受光器26によっては出力できない。
図5は、直流電源部22bにより印加される直流電圧が低いときの、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数とパワーとの関係(図5(a))、直流電源部22bにより印加される直流電圧が高いときの、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数とパワーとの関係(図5(b))を示す図である。
図5(a)を参照して、直流電源部22bにより印加される直流電圧が低いときは、レーリー散乱光のパワーも、シフト光の連続光成分の光周波数F0のパワーも大きい。よって、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号のレーリー散乱光の成分のパワーも大きい。よって、周波数Flo-Fbが、周波数0から充分に離れていなければ、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号のブリルアン散乱光の成分が、レーリー散乱光の成分に埋もれてしまう。
一方、図5(b)を参照して、直流電源部22bにより印加される直流電圧が高いときは、レーリー散乱光のパワーが大きいものの、シフト光の連続光成分の光周波数F0のパワーが小さい。よって、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号のレーリー散乱光の成分のパワーが小さくなる。よって、周波数Flo-Fbが、周波数0からさほど離れていなくても(周波数Flo-Fbは、図5(b)の方が図5(a)の方よりも小さい)、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号のブリルアン散乱光の成分が、レーリー散乱光の成分に埋もれてしまうことを防止できる。
フィルタ回路30は、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号において、周波数Flo-Fbの近傍の帯域を透過して、他の帯域の信号を透過しない。信号処理回路32は、フィルタ回路30の出力を受け、ブリルアン散乱光のパワーなどを導出する。
第一の実施形態によれば、直流電源部22bにより印加される直流電圧を高くしてφ0が90度に近くなるようにしたので、周波数Flo-Fbが小さくても、ブリルアン散乱光のパワーなどを測定できる。よって、受信帯域が広いヘテロダイン受光器26を用いなくても、ブリルアン散乱光の測定が可能となる。
しかも、シフト光の連続光成分の低減を光周波数シフタ20により行うことができる。光周波数シフタ20は光強度変調器であるため、シフト光の連続光成分の低減を位相変調によらないで、光強度変調により行うことができる。
第二の実施形態
第二の実施形態は、第一の実施形態における光周波数シフタ20、パワー低減部22のかわりに、光周波数シフタ21、パワー低減部23を備えたものである。
図6は、第二の実施形態にかかるブリルアン散乱光測定装置1の構成を示す図である。ブリルアン散乱光測定装置1は、光ファイバ2に接続されている。また、ブリルアン光測定装置1は、連続光源10、光カプラ12、光パルス発生器14、光アンプ16、光カプラ18、光周波数シフタ21、パワー低減部23、光カプラ24、ヘテロダイン受光器26、フィルタ回路30、信号処理回路32を備える。なお、第一の実施形態と同様な部分は同一の番号を付して説明を省略する。
連続光源10、光パルス発生器14、光アンプ16、光カプラ18、フィルタ回路30、信号処理回路32は第一の実施形態と同様であり説明を省略する。
光カプラ12は、連続光源10から連続光を受け、光パルス発生器14および光カプラ24に与える。
光周波数シフタ21は、パルス光が入射された光ファイバ2の入射端2aから散乱光を受ける。そして、光周波数シフタ21は、シフト光を出力する。なお、シフト光は、散乱光(光周波数F0、F0±Fb)と、第一側波帯散乱光と、第二側波帯散乱光とを有する。第一側波帯散乱光は、散乱光の光周波数F0よりも所定の光周波数Floだけ大きい光周波数F0+Flo、F0+Flo±Fbを有する。第二側波帯散乱光は、散乱光の光周波数F0よりも所定の光周波数Floだけ小さい光周波数F0-Flo、F0-Flo±Fbを有する。
なお、光周波数シフタ21の構成は第一の実施形態と同様である(図2参照)。ただし、光カプラ18から光を得る。
パワー低減部23は、光周波数シフタ21の出力するシフト光における散乱光のパワーを低減する。
光カプラ24は、光周波数シフタ21からシフト光を受け、さらに光カプラ12から連続光を受けて、合波し、ヘテロダイン受光器26に与える。
ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24の合波した光を受ける。すなわち、ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24を介して、連続光源10から連続光を受ける。さらに、ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24を介して、光周波数シフタ20からシフト光を受ける。そして、ヘテロダイン受光器26は、連続光の光周波数とシフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力する。
図7は、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号を説明するための図である。図7(a)は、散乱光の光周波数とパワーとの関係を示す図である。図7(a)を参照して、散乱光はレーリー散乱光およびブリルアン散乱光を有する。レーリー散乱光の光周波数は、光ファイバ2に入射したパルス光の光周波数と同じF0である。また、ブリルアン散乱光の光周波数は、光ファイバ2に入射したパルス光の光周波数F0から所定の光周波数Fbだけずれて、F0±Fbとなる。レーリー散乱光のパワーは、ブリルアン散乱光のパワーにくらべて大きい。なお、散乱光の光周波数は、本来はある程度の広がりを有しているが、図示の便宜上、図7においては図示省略している。
図7(b)は、光周波数シフタ21の出力するシフト光における散乱光の成分の光周波数とパワーとの関係を示す図である。パワー低減部23により、図7(a)と比べて、パワーが小さくなっている。
図7(c)は、光周波数シフタ21の出力するシフト光における第一側波帯散乱光の成分の光周波数F0+Flo、F0+Flo±Fbとパワーとの関係を示す図である。第一側波帯散乱光のパワーは、散乱光のパワーよりも大きい。
図7(d)は、光周波数シフタ21の出力の出力するシフト光における第二側波帯散乱光の成分の光周波数F0-Flo、F0-Flo±Fbとパワーとの関係を示す図である。第二側波帯散乱光のパワーは、散乱光のパワーよりも大きい。
図7(e)は、連続光源10から光カプラ12および光カプラ24を介してヘテロダイン受光器26に与えられる連続光の光周波数F0とパワーとの関係を示す図である。
図7(f)は、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数とパワーとの関係を示す図である。図7(f)を参照して、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号は、連続光の光周波数F0(図7(e)参照)と、シフト光の散乱光成分におけるレーリー散乱光に相当する成分の光周波数F0(図7(b)参照)との差の周波数0を有する電気信号を出力する。さらに、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号は、連続光の光周波数F0(図7(e)参照)と、シフト光の第一側波帯散乱光成分におけるブリルアン散乱光に相当する成分の光周波数F0+Flo-Fb(図7(c)参照)との差の周波数Flo-Fbを有する成分を有する。なお、Flo-Fbよりも高周波な成分は、ヘテロダイン受光器26によって検出できないため、図7(f)には図示していない。
次に、第二の実施形態の動作を説明する。
まず、連続光源10が連続光を生成する。
連続光は、光カプラ12を介して、光パルス発生器14に与えられる。光パルス発生器14は、連続光をパルス光に変換する。パルス光は、光アンプ16により増幅され、光カプラ18を通過して、光ファイバ2の入射端2aに入射される。
光ファイバ2の入射端2aからは散乱光(レーリー散乱光およびブリルアン散乱光)が出射され、光カプラ18に与えられる。光カプラ18は、受けた散乱光を、光周波数シフタ21に与える。
光周波数シフタ21は、散乱光(光周波数F0、F0±Fb)を受け、シフト光(散乱光(光周波数F0、F0±Fb)、第一側波帯散乱光(光周波数F0+Flo、F0+Flo±Fb)、第二側波帯散乱光(光周波数F0-Flo、F0-Flo±Fb))を出力する。なお、パワー低減部23における直流電源部22bが印加する直流電圧を、φ0が90度に近くなるようにしているため、シフト光の散乱光成分のパワーは低減され、第一側波帯散乱光の成分および第二側波帯散乱光の成分のパワーよりも低くなっている。例えば、シフト光の散乱光成分のパワーを、第一側波帯散乱光の成分および第二側波帯散乱光の成分のパワーよりも20dB弱くする。光周波数シフタ21の出力するシフト光は、光カプラ24に与えられる。
また、連続光は、光カプラ12を介して、光カプラ24に与えられる。
光カプラ24は、光周波数シフタ20からシフト光を受け、さらに光カプラ12から連続光を受けて、合波し、ヘテロダイン受光器26に与える。
ヘテロダイン受光器26は、連続光の光周波数F0(図7(e)参照)と、シフト光の散乱光成分におけるレーリー散乱光に相当する成分の光周波数F0(図7(b)参照)との差の周波数0を有する成分と、連続光の光周波数F0(図7(e)参照)と、シフト光の第一側波帯散乱光成分におけるブリルアン散乱光に相当する成分の光周波数F0+Flo-Fb(図7(c)参照)との差の周波数Flo-Fbを有する成分とを有する電気信号を出力する。周波数Flo-Fbよりも高周波な成分は、ヘテロダイン受光器26によっては出力できない。
第一の実施形態と同様に、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数0の成分のパワーは小さいため、周波数Flo-Fbを小さくできる(図5参照)。
フィルタ回路30は、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号において、周波数Flo-Fbの近傍の帯域を透過して、他の帯域の信号を透過しない。信号処理回路32は、フィルタ回路30の出力を受け、ブリルアン散乱光のパワーなどを導出する。
第二の実施形態によれば、第一の実施形態と同様な効果を奏する。
第三の実施形態
第三の実施形態は、第一の実施形態における光周波数シフタ20、パワー低減部22のかわりに、光周波数シフタ13、パワー低減部15を備えたものである。
図8は、第三の実施形態にかかるブリルアン散乱光測定装置1の構成を示す図である。ブリルアン散乱光測定装置1は、光ファイバ2に接続されている。また、ブリルアン光測定装置1は、連続光源10、光カプラ12、光周波数シフタ13、光パルス発生器14、パワー低減部15、光アンプ16、光カプラ18、光カプラ24、ヘテロダイン受光器26、フィルタ回路30、信号処理回路32を備える。なお、第一の実施形態と同様な部分は同一の番号を付して説明を省略する。
連続光源10、光アンプ16、光カプラ18、フィルタ回路30、信号処理回路32は第一の実施形態と同様であり説明を省略する。
光カプラ12は、連続光源10から連続光を受け、光周波数シフタ13および光カプラ24に与える。
光周波数シフタ13は、光カプラ12から連続光を受ける。そして、光周波数シフタ13は、シフト光を出力する。なお、シフト光は、連続光と、第一側波帯光と、第二側波帯光とを有する。第一側波帯光は、連続光の光周波数F0よりも所定の光周波数Floだけ大きい光周波数F0+Floを有する光である。第二側波帯光は、連続光の光周波数F0よりも所定の光周波数Floだけ小さい光周波数F0-Floを有する光である。
なお、光周波数シフタ13の構成は第一の実施形態と同様である(図2参照)。ただし、光パルス発生器14へ光を出力する。
パワー低減部15は、光周波数シフタ13の出力するシフト光における連続光(光周波数F0)のパワーを低減する。
光パルス発生器14は、シフト光をパルス光に変換する。
光カプラ24は、光カプラ18から散乱光を受け、さらに光カプラ12から連続光を受けて、合波し、ヘテロダイン受光器26に与える。
ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24の合波した光を受ける。すなわち、ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24を介して、連続光源10から連続光を受ける。さらに、ヘテロダイン受光器26は、光カプラ24を介して、光カプラ18から散乱光を受ける。そして、ヘテロダイン受光器26は、連続光の光周波数と散乱光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力する。
図9は、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号を説明するための図である。図9(a)は、図3(b)と同様な図である。図9(a)を参照して、光周波数シフタ13の出力においては、光周波数F0の成分のパワーが、光周波数F0±Floの成分のパワーよりも小さい。なお、光カプラ18から光カプラ24へ与えられる散乱光におけるレーリー散乱光の光周波数とパワーとの関係も図9(a)のように表すことができる。ただし、散乱光の光周波数は、本来はある程度の広がりを有しているが、図示の便宜上、図9においては図示省略している。
図9(b)は、光カプラ18から光カプラ24へ与えられる散乱光におけるブリルアン散乱光の成分(ただし、光周波数がFb増加する成分)の光周波数とパワーとの関係を示す図である。
図9(c)は、光カプラ18から光カプラ24へ与えられる散乱光におけるブリルアン散乱光の成分(ただし、光周波数がFb減少する成分)の光周波数とパワーとの関係を示す図である。
図9(d)は、連続光源10から光カプラ12および光カプラ24を介してヘテロダイン受光器26に与えられる連続光の光周波数F0とパワーとの関係を示す図である。
図9(e)は、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数とパワーとの関係を示す図である。図9(e)を参照して、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号は、連続光の光周波数F0(図9(d)参照)と、散乱光におけるレーリー散乱光に相当する成分の光周波数F0(図9(a)参照)との差の周波数0を有する電気信号を出力する。さらに、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号は、連続光の光周波数F0(図9(d)参照)と、散乱光におけるブリルアン散乱光の光周波数F0+Flo-Fb(図9(c)参照)との差の周波数Flo-Fbを有する成分を有する。なお、Flo-Fbよりも高周波な成分は、ヘテロダイン受光器26によって検出できないため、図9(e)には図示していない。
次に、第三の実施形態の動作を説明する。
まず、連続光源10が連続光を生成する。
連続光は、光カプラ12を介して、光周波数シフタ13に与えられる。光周波数シフタ13は、連続光(光周波数F0)を受け、シフト光(連続光(光周波数F0)、第一側波帯光(光周波数F0+Flo)、第二側波帯光(光周波数F0-Flo))を出力する。なお、パワー低減部15における直流電源部22bが印加する直流電圧を、φ0が90度に近くなるようにしているため、シフト光の連続光成分のパワーは低減され、第一側波帯光の成分および第二側波帯光の成分のパワーよりも低くなっている。例えば、シフト光の連続光成分のパワーを、第一側波帯光の成分および第二側波帯光の成分のパワーよりも20dB弱くする。光周波数シフタ13の出力するシフト光は、光パルス発生器14に与えられる。光パルス発生器14は、シフト光をパルス光に変換する。パルス光は、光アンプ16により増幅され、光カプラ18を通過して、光ファイバ2の入射端2aに入射される。
光ファイバ2の入射端2aからは散乱光(レーリー散乱光およびブリルアン散乱光)が出射され、光カプラ18に与えられる。光カプラ18は、受けた散乱光を、光カプラ24に与える。
また、連続光は、光カプラ12を介して、光カプラ24に与えられる。
光カプラ24は、光カプラ18から散乱光を受け、さらに光カプラ12から連続光を受けて、合波し、ヘテロダイン受光器26に与える。
ヘテロダイン受光器26は、連続光の光周波数F0(図9(d)参照)と、散乱光におけるレーリー散乱光の光周波数F0(図9(a)参照)との差の周波数0を有する成分と、連続光の光周波数F0(図9(d)参照)と、散乱光におけるブリルアン散乱光の光周波数F0+Flo-Fb(図9(c)参照)との差の周波数Flo-Fbを有する成分とを有する電気信号を出力する。周波数Flo-Fbよりも高周波な成分は、ヘテロダイン受光器26によっては出力できない。
第一の実施形態と同様に、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数0の成分のパワーは小さいため、周波数Flo-Fbを小さくできる(図5参照)。
フィルタ回路30は、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号において、周波数Flo-Fbの近傍の帯域を透過して、他の帯域の信号を透過しない。信号処理回路32は、フィルタ回路30の出力を受け、ブリルアン散乱光のパワーなどを導出する。
第三の実施形態によれば、第一の実施形態と同様な効果を奏する。
第一の実施形態にかかるブリルアン散乱光測定装置1の構成を示す図である。 光周波数シフタ20の平面図(図2(a))、正面図(図2(b))である。 直流電源部22bにより印加される直流電圧が低いときの、導出部20fの出力する光の光周波数とパワーとの関係(図3(a))、直流電源部22bにより印加される直流電圧が高いときの、導出部20fの出力する光の光周波数とパワーとの関係(図3(b))を示す図である。 光周波数シフタ20の出力の光周波数とパワーとの関係(図4(a))、散乱光の光周波数とパワーとの関係(図4(b))、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数とパワーとの関係(図4(c))を示す図である。 直流電源部22bにより印加される直流電圧が低いときの、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数とパワーとの関係(図5(a))、直流電源部22bにより印加される直流電圧が高いときの、ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号の周波数とパワーとの関係(図5(b))を示す図である。 第二の実施形態にかかるブリルアン散乱光測定装置1の構成を示す図である。 ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号を説明するための図である。 第三の実施形態にかかるブリルアン散乱光測定装置1の構成を示す図である。 ヘテロダイン受光器26の出力する電気信号を説明するための図である。
符号の説明
1 ブリルアン光測定装置
2 光ファイバ
2a 入射端
10 連続光源
14 光パルス発生器
20 光周波数シフタ
20b 分波部
20c 第一位相変化部
20d 第二位相変化部
20e 合波部
20g 電極部
21 光周波数シフタ
13 光周波数シフタ
22 パワー低減部
22a 交流電源部
22b 直流電源部
23 パワー低減部
15 パワー低減部
26 ヘテロダイン受光器

Claims (5)

  1. 連続光を生成する連続光源と、
    前記連続光をパルス光に変換する光パルス発生器と、
    前記連続光を受け、前記連続光と、前記連続光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯光と、前記連続光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯光とを有するシフト光を出力する光周波数シフタと、
    前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記連続光のパワーを低減するパワー低減手段と、
    前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受け、さらに前記光周波数シフタから前記シフト光を受けて、前記散乱光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力するヘテロダイン受光器と、
    を備え、
    前記散乱光は、レーリー散乱光およびブリルアン散乱光を有し、
    前記ヘテロダイン受光器は、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーが、前記レーリー散乱光に対応する電気信号のパワーにより測定不能とならないような電気信号を出力し、
    前記連続光のパワーの低減が無いと仮定した場合に、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーが測定不能となるほど、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーの中心周波数が、前記レーリー散乱光に対応する電気信号のパワーの中心周波数に近くなるように、前記所定の光周波数が設定されている、
    散乱光測定装置。
  2. 連続光を生成する連続光源と、
    前記連続光をパルス光に変換する光パルス発生器と、
    前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受け、前記散乱光と、前記散乱光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯散乱光と、前記散乱光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯散乱光とを有するシフト光を出力する光周波数シフタと、
    前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記散乱光のパワーを低減するパワー低減手段と、
    前記連続光源から前記連続光を受け、さらに前記光周波数シフタから前記シフト光を受けて、前記連続光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力するヘテロダイン受光器と、
    を備え、
    前記散乱光は、レーリー散乱光およびブリルアン散乱光を有し、
    前記ヘテロダイン受光器は、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーが、前記レーリー散乱光に対応する電気信号のパワーにより測定不能とならないような電気信号を出力し、
    前記散乱光のパワーの低減が無いと仮定した場合に、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーが測定不能となるほど、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーの中心周波数が、前記レーリー散乱光に対応する電気信号のパワーの中心周波数に近くなるように、前記所定の光周波数が設定されている、
    散乱光測定装置。
  3. 連続光を生成する連続光源と、
    前記連続光を受け、前記連続光と、前記連続光の光周波数よりも所定の光周波数だけ大きい光周波数を有する第一側波帯光と、前記連続光の光周波数よりも前記所定の光周波数だけ小さい光周波数を有する第二側波帯光とを有するシフト光を出力する光周波数シフタと、
    前記光周波数シフタの出力する前記シフト光における前記連続光のパワーを低減するパワー低減手段と、
    前記シフト光をパルス光に変換する光パルス発生器と、
    前記連続光源から前記連続光を受け、さらに前記パルス光が入射された光ファイバの入射端から散乱光を受けて、前記連続光の光周波数と前記シフト光の光周波数との差の周波数を有する電気信号を出力するヘテロダイン受光器と、
    を備え、
    前記散乱光は、レーリー散乱光およびブリルアン散乱光を有し、
    前記ヘテロダイン受光器は、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーが、前記レーリー散乱光に対応する電気信号のパワーにより測定不能とならないような電気信号を出力し、
    前記連続光のパワーの低減が無いと仮定した場合に、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーが測定不能となるほど、前記ブリルアン散乱光に対応する電気信号のパワーの中心周波数が、前記レーリー散乱光に対応する電気信号のパワーの中心周波数に近くなるように、前記所定の光周波数が設定されている、
    散乱光測定装置。
  4. 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の散乱光測定装置であって、
    前記光周波数シフタは、受けた光を分波して二つの分波光を得る分波部と、一方の分波光の位相を所定位相だけ変化させる第一位相変化部と、他方の分波光を前記所定位相とは同じ大きさかつ正負が逆の逆所定位相だけ変化させる第二位相変化部と、前記第一位相変化部の出力および前記第二位相変化部の出力を合波する合波部とを有し、
    前記パワー低減手段は、前記所定位相が定数成分を有するようにする、
    散乱光測定装置。
  5. 請求項4に記載の散乱光測定装置であって、
    前記パワー低減手段は、前記定数成分に相当する大きさの直流電圧を印加するものである、
    散乱光測定装置。
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