JP3998381B2 - 光触媒層の活性化方法 - Google Patents
光触媒層の活性化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3998381B2 JP3998381B2 JP35438299A JP35438299A JP3998381B2 JP 3998381 B2 JP3998381 B2 JP 3998381B2 JP 35438299 A JP35438299 A JP 35438299A JP 35438299 A JP35438299 A JP 35438299A JP 3998381 B2 JP3998381 B2 JP 3998381B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocatalyst
- photocatalyst layer
- ion bombardment
- layer
- titanium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 230000004913 activation Effects 0.000 title description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 title description 2
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims description 39
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 7
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 5
- SNICXCGAKADSCV-JTQLQIEISA-N (-)-Nicotine Chemical compound CN1CCC[C@H]1C1=CC=CN=C1 SNICXCGAKADSCV-JTQLQIEISA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960002715 nicotine Drugs 0.000 description 4
- SNICXCGAKADSCV-UHFFFAOYSA-N nicotine Natural products CN1CCCC1C1=CC=CN=C1 SNICXCGAKADSCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000010525 oxidative degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、基材に製膜した光触媒層の活性化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、光触媒の活性機能を高める方法として、光触媒にSi(シリコン)やCrを始とする他元素種をドーピングする方法等の種々の実験的試みが行われている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、他元素をドーピングする場合、ドーピングの量(TiO2 との元素比率)のコントロールが困難であったり、再現性のある効果が得られない場合がある。また、特開平8−528290号公報に開示されているように、Siをドーピングすることにより超親水性の機能は上げることが可能であるが、逆に酸化分解活性を失ってしまうという弊害があった。
【0004】
そこで、この発明は、かかる課題を解決し、乾式法によって製膜した光触媒層の機能を容易な方法にて向上させる方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、この発明は、基材上に製膜した光触媒層をイオンボンバード処理したのである。
【0006】
ガラス、樹脂等の基材表面上に乾式法(スパッタリング)により製膜した光触媒層は、自然光、または照明光中に含まれる波長300nm〜400nmの紫外光をその励起光として有機物酸化分解活性及び超親水性といった光触媒の持つ活性機能を有する。このとき、アルゴンイオンや酸素イオンボンバード処理によって光触媒層表面を凹凸に粗す。これにより、有機物等の光触媒表面ヘの接触表面積を大きくしたり、光触媒層表面近傍における光触媒を構成する金属と酸素からなる結晶中に格子欠陥(原子欠損)を生じさせたり、光触媒表面近傍における結晶構造をアモルフアス及びルチル型構造からアナターゼ型構造へと転移させることにより、有機物酸化分解活性及び超親水性といった光触媒の持つ活性機能をより活性化させることができる。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【0008】
この発明にかかる光触媒層の活性化方法は、基材上に製膜した光触媒層をイオンボンバード処理することに行われる。
【0009】
上記基材とは、光触媒層を製膜するためのものであり、ガラス、樹脂等が一般的に使用される。
【0010】
上記光触媒とは、自然光、または照明光中に含まれる波長300nm〜400nmの紫外光をその励起光として、有機物酸化分解活性及び超親水性といった光触媒の持つ活性機能を有する触媒である。この光触媒の例としては、酸化チタンがあげられる。
【0011】
この光触媒は、乾式法によって、上記基材上に製膜される。この乾式法としては、スパッタリングが例としてあげられる。
【0012】
上記イオンボンバード処理とは、アルゴンイオンや酸素イオンを用いて光触媒層表面を凹凸に粗す処理をいう。このイオンボンバード処理は、例えば、図1に示す装置を用いて行うことができる。これは、開閉自在の真空チャンバ1の一面に陰極2を設け、その対向する面に基材11を保持するパレット3が設けられ、このパレット3をアースした装置である。
【0013】
イオンボンバード処理の方法は、まず、エアシリンダ4によって真空チャンバ1を開き、表面に光触媒層12を形成した基材11を、上記光触媒層12が外側に向くように、パレット3に取り付ける。そして、真空チャンバ1を閉じ、排気管5から真空チャンバ1内の空気を排気し、真空チャンバ1内の圧力を10〜50mTorrとする。
【0014】
次いで、パレット3を所定回転数で回転させ、ガス流入管6から所定流量のアルゴンガス又は酸素ガスを真空チャンバ1内に流す。次に、パレット3側をアースして、ステンレススチールからなる陰極2に所定電圧をかける。このとき、真空チャンバ1と陰極2及びパレット3とは絶縁層7によって絶縁されている。上記の所定電圧をかけることにより、真空チャンバ1内でプラズマ放電が生起し、アルゴンプラズマ、すなわちアルゴンイオン(Ar+ )又は酸素プラズマ、すなわち酸素イオン(O+ )が発生する。このプラズマは、電圧によって基材11に引き寄せられ、光触媒層12に衝突する。これにより、光触媒層12が活性化すると考えられる。
【0015】
このとき、陰極2として金属イオンの少ないステンレススチールを使用するので、金属イオンの発生が生じにくい。これは、金属イオンが発生すると、光触媒層12に衝突した際に金属イオンが付着し、却って光触媒層12の活性を低下させると考えられるからである。これに対し、アルゴンイオンや酸素イオンは、光触媒層12への付着が生じないため、付着による阻害効果が少ないと考えられる。
【0016】
上記イオンボンバード処理の条件は、パレット回転数10〜30rpm、電圧100〜600V、圧力10〜50mTorr、ガス流量10〜50sccm、処理時間10〜60分がよい。なお、ガス流量の単位の「sccm」は、常温、常圧における流量(standard cc per minuit)を示す。
【0017】
ルチル、及びアナターゼ結晶構造はO2-が細密充填し、その時間にTi4+等の光触媒を構成する金属イオンが入っている構造をしており、正方晶系の結晶構造を持つ。ユニットセルの体積はルチル型で62.4(Å3 )、アナターゼ型で136.1(Å3 )とされている。格子定数はルチル型ではa=4.593(Å),C=2.959(Å)、同じくアナターゼ型ではa=3.785(Å),C=9.514(Å)となっている。
【0018】
このため、上記の条件でイオンボンバード処理をすることにより、結晶格子約1個分に相当する表面粗さを生成させ、付着有機物の接触表面積を最大にすることができ、従って分解活性を最大にすることができる。これにより、上記光触媒層の持つ有機物酸化分解活性及び超親水性等の活性機能をより活性化させることができる。
【0019】
また、上記の条件にてイオンボンバードをすることにより、表面近傍における結晶構造の中から02-を1個若しくは2個放出させて結晶格子中に丁度1〜3Å(1〜10Å3 )の格子欠陥を生成させ、酸素欠損を持つ酸化チタン結晶を生成することができる。こうしてできた格子欠陥には有機物が捕捉されやすくなり、また、格子欠陥の生成により電荷分離効率が大きくなり、すなわち、バンド構造における伝導帯と価電子帯間のバンドギャップが大きくなり、酸化力・還元力共に高くなる事により分解活性が高くなる。これにより、上記光触媒層の持つ有機物酸化分解活性及び超親水性等の活性機能をより活性化させることができる。これに対し、上記条件より下の条件では、表面の結晶構造に衝突する原子のエネルギーが不十分で結晶構造から酸素原子が放出されない。また逆にこの条件より上の条件では、Ti等の光触媒を構成する金属までもが抜けてしまい、光触媒としての機能を失活してしまうので、酸素原子1個〜2個分に相当する格子欠陥として上記範囲が望ましい。
【0020】
さらに、上記の条件にて加速された原子によりイオンボンバードをすることにより、表面近傍における結晶構造の中の一部若しくは全部をルチル型構造から活性の高いアナターゼ型へ相転移させるのに必要な衝突エネルギーを与えることができる。すなわち、活性の低いルチル型結晶構造より活性の最も高いアナターゼ型結晶構造への相転移エネルギーを与えることができる。これにより、上記光触媒層の持つ有機物酸化分解活性及び超親水性等の活性機能をより活性化させることができる。しかし、アナターゼ型の結晶構造への相転移を起こすことができるエネルギー値はある閾値を持ち、即ち特定の線幅のエネルギーに限られる為、上記の条件より低い条件では相転移を起こすには原子の加速が不十分で、結果として衝突エネルギーが不十分なため相転移は起こらない。また、上記の条件より高い条件においては表面構造の一部がアナターゼ型から更にブルックライト型構造へと転移してしまい、逆に活性を落としてしまう。このため、上記範囲が望ましい。
【0021】
上記の各作用を発揮するには、上記の条件を満たす必要があるが、このような条件の精密制御を可能とする方法として、イオンボンバード処理が有効な手段となる。
【0022】
【実施例】
〔イオンボンバード処理〕
ガラス製の基材を図1に示す装置のパレット3に装着し、スパッタリングにより、酸化チタン被膜を積層した。続いて下記の条件下でイオンボンバード処理を行った。処理条件は、パレット回転数30rpm、電圧300V、圧力20mTorr、Ar+ ガス流量30sccm、処理時間30分で行った。
【0023】
〔実施例1〕
上記の処理行った酸化チタン層の表面(φ100mm)上に、1.3mg/cm2 の合成ニコチンを均一に塗布し、10cmの高さより3mWの強度のUVを照射した。そのニコチンの経時的残存率を側定し、分解率に換算して図2に示すグラフに示した。
【0024】
〔比較例1、2〕
上記イオンボンバード処理を行った酸化チタン層の代わりに、イオンボンバード処理を行わない酸化チタン層(比較例1)、及び基材そのもの(比較例2)を用いた以外は、実施例1と同様にニコチンの経時的残存率を側定し、分解率に換算して図2に示すグラフに示した。
【0025】
なお、図2のグラフにおいて、各グラフは、下記のとおり、所定の実施例又は比較例を示す。
黒丸 :実施例1
黒の菱形 :比較例1
黒の四角形:比較例2
【0026】
【発明の効果】
この発明によれば、乾式法により製膜した光触媒層を、イオンボンバード処理という比較的簡単な処理によって活性を高めることができる。
【0027】
また、スパッタ装置内にて処理を行えるので、特別な装置を組む必要がなくなる。
【0028】
さらに、イオンボンバード処理によって、酸化分解活性と超親水性の機能を同時に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】イオンボンバード処理を行うための装置の例を示す模式図
【図2】UV照射時間とニコチン分解量との関係を示すグラフ
【符号の説明】
1 真空チャンバ
2 陰極
3 パレット
4 エアシリンダ
5 排気管
6 ガス流入管
7 絶縁層
11 基材
12 光触媒層
Claims (2)
- 基材上に製膜した、光触媒が酸化チタンである光触媒層を、パレット回転数10〜30rpm、電圧100〜600V、圧力10〜50mTorr、ガス流量10〜50sccm、時間10〜60分の条件下でイオンボンバード処理することによる光触媒層の活性化方法。
- 上記光触媒層は、乾式法で上記基材上に製膜した酸化チタン層である請求項1に記載の光触媒層の活性化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35438299A JP3998381B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 光触媒層の活性化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35438299A JP3998381B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 光触媒層の活性化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001170494A JP2001170494A (ja) | 2001-06-26 |
JP3998381B2 true JP3998381B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=18437191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35438299A Expired - Fee Related JP3998381B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 光触媒層の活性化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3998381B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4567892B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2010-10-20 | 新日本製鐵株式会社 | 光触媒活性を有する金属板およびその製造方法 |
JP2006130357A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 光触媒粒子及び光触媒層を備えた基材 |
-
1999
- 1999-12-14 JP JP35438299A patent/JP3998381B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001170494A (ja) | 2001-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3622585B2 (ja) | 光触媒活性を有する物品 | |
Yamagishi et al. | Thin film TiO2 photocatalyst deposited by reactive magnetron sputtering | |
WO2005075371A1 (fr) | Procede de nettoyage d'un substrat | |
WO2007048963A2 (fr) | Procede de traitement d'un substrat | |
JP2000502236A (ja) | 電子部品、特に弾性表面波により作動する部品―saw部品 | |
JP4261353B2 (ja) | 光触媒体、光触媒体の製造方法及び光触媒体の製造装置 | |
JP3998381B2 (ja) | 光触媒層の活性化方法 | |
JP3342201B2 (ja) | 光触媒用酸化チタン含有膜被覆基体及びその製造方法 | |
Song et al. | Crystallinity and photocatalytic activity of TiO2 films deposited by reactive sputtering using various magnetic field strengths | |
JPH08293483A (ja) | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の 平坦化方法 | |
JP4069990B2 (ja) | オゾン発生方法 | |
JP3829183B2 (ja) | 光触媒体及びその製造方法 | |
Zheng et al. | Photocatalytic activity study of TiO2 thin films with and without Fe ion implantation | |
JPS649727B2 (ja) | ||
CN104624212A (zh) | 一种增强纳米银/二氧化钛复合薄膜光催化性能的方法 | |
JP3911355B2 (ja) | 光触媒体の作製方法 | |
Kawakami et al. | Effects of nonequilibrium atmospheric-pressure O2 plasma-assisted annealing on anatase TiO2 nanoparticles | |
JP3503787B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
JP2002143688A (ja) | 高効率光触媒薄膜及びその製造方法 | |
JP2006130357A (ja) | 光触媒粒子及び光触媒層を備えた基材 | |
JP2009066497A (ja) | 光触媒酸化チタン薄膜及びその製造方法 | |
JPS62297462A (ja) | 高速真空成膜方法 | |
JP3337918B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
JP4659517B2 (ja) | 光触媒の製造方法 | |
ISHII et al. | High-rate deposition of titanium dioxide films with photocatalytic activities by gas flow sputtering |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040513 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070501 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070710 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100817 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110817 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |