JPS649727B2 - - Google Patents
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- JPS649727B2 JPS649727B2 JP57100585A JP10058582A JPS649727B2 JP S649727 B2 JPS649727 B2 JP S649727B2 JP 57100585 A JP57100585 A JP 57100585A JP 10058582 A JP10058582 A JP 10058582A JP S649727 B2 JPS649727 B2 JP S649727B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vacuum
- vacuum chamber
- ultraviolet light
- lift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H10P50/00—
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- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はリフトオフ加工法で半導体集積回路
装置、ジヨセフソン集積回路装置等の基板に所望
のリフトオフパタンを形成する際に使用する真空
蒸着装置およびその使用方法に関するものであ
る。
装置、ジヨセフソン集積回路装置等の基板に所望
のリフトオフパタンを形成する際に使用する真空
蒸着装置およびその使用方法に関するものであ
る。
リフトオフ加工法を用いて基板上に金属膜また
は絶縁膜を形成するには、まず基板上に蒸着時の
マスクとなるべきポジ型レジスト膜からなるステ
ンシルを形成したのち、所望の金属膜または絶縁
膜を蒸着している。ところで、金属膜または絶縁
膜を蒸着すべき領域であるステンシルの開孔部の
基板上には、通常数Å〜数＋Åの厚さのレジスト
残査層が存在し、このようなレジスト残査層を残
したまま金属膜または絶縁膜を蒸着したときに
は、金属膜または絶縁膜と基板との付着性に悪影
響を及ぼすとともに、蒸着された金属膜とその下
層の金属膜との電気的接続をとる場合には、接触
抵抗が増大するなどの不都合が生ずる。このた
め、基板上にステンシルを形成したのち、金属膜
または絶縁膜を蒸着する前に、レジスト残査層を
除去する必要がある。
は絶縁膜を形成するには、まず基板上に蒸着時の
マスクとなるべきポジ型レジスト膜からなるステ
ンシルを形成したのち、所望の金属膜または絶縁
膜を蒸着している。ところで、金属膜または絶縁
膜を蒸着すべき領域であるステンシルの開孔部の
基板上には、通常数Å〜数＋Åの厚さのレジスト
残査層が存在し、このようなレジスト残査層を残
したまま金属膜または絶縁膜を蒸着したときに
は、金属膜または絶縁膜と基板との付着性に悪影
響を及ぼすとともに、蒸着された金属膜とその下
層の金属膜との電気的接続をとる場合には、接触
抵抗が増大するなどの不都合が生ずる。このた
め、基板上にステンシルを形成したのち、金属膜
または絶縁膜を蒸着する前に、レジスト残査層を
除去する必要がある。
従来のリフトオフ加工用真空蒸着装置において
は、金属膜または絶縁膜を蒸着する前に、真空槽
内を酸素ガス雰囲気としたのち、基板ホルダに
RF電力を印加して、O2ガスプラズマを発生さ
せ、基板表面をO2ガススパツタエツチングする
ことによつて、レジスト残査層を除去している。
は、金属膜または絶縁膜を蒸着する前に、真空槽
内を酸素ガス雰囲気としたのち、基板ホルダに
RF電力を印加して、O2ガスプラズマを発生さ
せ、基板表面をO2ガススパツタエツチングする
ことによつて、レジスト残査層を除去している。
しかし、この蒸着装置においては、原理的に基
板表面に数百eVに加速された酸素イオンが衝突
するから、基板表面とくに素子領域に損傷を与え
るとともに、鉛合金等の比較的活性な金属膜が露
出している場合には、金属膜表面が酸化する等の
不都合が生ずるため、スパツタエツチングの条件
の厳密な制御が必要であり、かつ適用可能範囲が
制限される欠点がある。また、真空槽内でスパツ
タエツチングを実施するためには、基板ホルダに
RF電力を印加する必要があるから、基板ホルダ
を真空槽の他の部分と電気的に絶縁しなければな
らず、スパツタエツチング速度の場所むらを減少
させるため、基板ホルダの形状や配置を十分に考
慮する必要があるなど、装置構成上種々の制約条
件があるので、装置構成上の自由度が減少すると
ともに、装置が高価になる欠点がある。
板表面に数百eVに加速された酸素イオンが衝突
するから、基板表面とくに素子領域に損傷を与え
るとともに、鉛合金等の比較的活性な金属膜が露
出している場合には、金属膜表面が酸化する等の
不都合が生ずるため、スパツタエツチングの条件
の厳密な制御が必要であり、かつ適用可能範囲が
制限される欠点がある。また、真空槽内でスパツ
タエツチングを実施するためには、基板ホルダに
RF電力を印加する必要があるから、基板ホルダ
を真空槽の他の部分と電気的に絶縁しなければな
らず、スパツタエツチング速度の場所むらを減少
させるため、基板ホルダの形状や配置を十分に考
慮する必要があるなど、装置構成上種々の制約条
件があるので、装置構成上の自由度が減少すると
ともに、装置が高価になる欠点がある。
この発明は上述の問題点を解決するためになさ
れたもので、基板表面に損傷を与えることなくレ
ジスト残査層を除去することができ、かつ装置が
簡単なリフトオフ加工用真空蒸着装置およびその
使用方法を提供することを目的とする。
れたもので、基板表面に損傷を与えることなくレ
ジスト残査層を除去することができ、かつ装置が
簡単なリフトオフ加工用真空蒸着装置およびその
使用方法を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、この発明において
は、真空槽内の基板ホルダの近傍に、少なくとも
195nｍ以下および250ないし260nｍの波長の紫外
線を放射する紫外線光源を装備し、かつ酸素ガス
導入機構を設ける。また、真空槽内をいつたん真
空に排気したのち、上記真空槽内に酸素ガスを導
入し、上記基板ホルダに装置され、かつリフトオ
フ加工用ステンシルで被覆されている基板の表面
に上記紫外線を照射し、つぎに上記真空槽内を再
び高真空にして、蒸着膜を真空蒸着する。
は、真空槽内の基板ホルダの近傍に、少なくとも
195nｍ以下および250ないし260nｍの波長の紫外
線を放射する紫外線光源を装備し、かつ酸素ガス
導入機構を設ける。また、真空槽内をいつたん真
空に排気したのち、上記真空槽内に酸素ガスを導
入し、上記基板ホルダに装置され、かつリフトオ
フ加工用ステンシルで被覆されている基板の表面
に上記紫外線を照射し、つぎに上記真空槽内を再
び高真空にして、蒸着膜を真空蒸着する。
第１図はこの発明に係るリフトオフ加工用真空
蒸着装置を示す概略図である。図において１は真
空槽、２は真空排気孔、３は酸素ガス導入機構、
４は基板回転機構、５は基板回転機構４の軸に取
付けられた基板ホルダ、６は基板ホルダ５に装着
された基板、７は基板ホルダ５の近傍に装備され
た紫外線光源で、紫外線光源７は少なくとも
195nｍ以下および250ないし260nｍの波長の紫外
線を放射する。８は蒸発源である。
蒸着装置を示す概略図である。図において１は真
空槽、２は真空排気孔、３は酸素ガス導入機構、
４は基板回転機構、５は基板回転機構４の軸に取
付けられた基板ホルダ、６は基板ホルダ５に装着
された基板、７は基板ホルダ５の近傍に装備され
た紫外線光源で、紫外線光源７は少なくとも
195nｍ以下および250ないし260nｍの波長の紫外
線を放射する。８は蒸発源である。
この蒸着装置を用いて、リフトオフ加工用ステ
ンシルで被覆されている基板６の表面に蒸着膜を
蒸着するには、まず基板６を基板ホルダ５に装置
したのち、真空排気孔２から排気して、真空槽１
内をいつたん真空にする。つぎに、酸素ガス導入
機構３により、真空槽１内に酸素ガスを導入し、
基板回転機構４により基板ホルダ５を回転しなが
ら、紫外線光源７により紫外線を基板６の表面に
照射する。この場合、真空槽１内の酸素すなわち
O2が195nｍ以下の波長の紫外線を吸収してオゾ
ンガスO3となり、さらにO3のガスが250〜260nｍ
の紫外線を吸収して、化学的に活性な原子状のＯ
ラジカルが発生し、このＯラジカルの酸化分解反
応により、基板６表面上のレジスト残査層が除去
される。そして、Ｏラジカルのもつエネルギはた
かだか数eVであり、従来のスパツタエツチング
の場合に比べてその値は数十分の一であるから、
基板６上の素子領域等に与える損傷は無視しうる
ほどに小さい。基板６表面上のレジスト残査層を
除去したのち、紫外線光源７を蒸着の妨げになら
ない位置に回転し、また真空槽１内を再び高真空
にして、蒸発源８により基板６に蒸着膜を蒸着す
る。
ンシルで被覆されている基板６の表面に蒸着膜を
蒸着するには、まず基板６を基板ホルダ５に装置
したのち、真空排気孔２から排気して、真空槽１
内をいつたん真空にする。つぎに、酸素ガス導入
機構３により、真空槽１内に酸素ガスを導入し、
基板回転機構４により基板ホルダ５を回転しなが
ら、紫外線光源７により紫外線を基板６の表面に
照射する。この場合、真空槽１内の酸素すなわち
O2が195nｍ以下の波長の紫外線を吸収してオゾ
ンガスO3となり、さらにO3のガスが250〜260nｍ
の紫外線を吸収して、化学的に活性な原子状のＯ
ラジカルが発生し、このＯラジカルの酸化分解反
応により、基板６表面上のレジスト残査層が除去
される。そして、Ｏラジカルのもつエネルギはた
かだか数eVであり、従来のスパツタエツチング
の場合に比べてその値は数十分の一であるから、
基板６上の素子領域等に与える損傷は無視しうる
ほどに小さい。基板６表面上のレジスト残査層を
除去したのち、紫外線光源７を蒸着の妨げになら
ない位置に回転し、また真空槽１内を再び高真空
にして、蒸発源８により基板６に蒸着膜を蒸着す
る。
つぎに、実施例について詳細に説明する。表面
の大部分がSiO蒸着膜で覆われ、一部が鉛合金で
覆われているSi基板６上に、膜厚約1.5nｍのAZ
−1470レジスト膜（shipley社製、高品名．）から
なるステンシルを形成し、その基板６を真空槽１
内の基板ホルダ５に装着したのち、真空槽１内を
10-3Torr以上の真空度になるまで、排気したの
ち、酸素ガス導入機構３により真空槽１内に酸素
ガスを導入した。つぎに、基板回転機構４を駆動
させて基板ホルダ５をゆつくり回転させながら、
紫外線光源７を点灯した。この紫外線光源７とし
ては、管材質が合成石英ガラス製で、定格入力
40WのＵ字形低圧水銀灯４個からなるものを用い
た。この場合の基板６付近における波長184.9nｍ
の輝線の強度は約400μW／cm2、波長254.7nｍの輝
線の強度は約8μW／cm2であつた。そして、O2ガ
ス分圧が１、100、760Torrのときのオゾン濃度
はそれぞれ約10、50、100ppm程度であつた。
の大部分がSiO蒸着膜で覆われ、一部が鉛合金で
覆われているSi基板６上に、膜厚約1.5nｍのAZ
−1470レジスト膜（shipley社製、高品名．）から
なるステンシルを形成し、その基板６を真空槽１
内の基板ホルダ５に装着したのち、真空槽１内を
10-3Torr以上の真空度になるまで、排気したの
ち、酸素ガス導入機構３により真空槽１内に酸素
ガスを導入した。つぎに、基板回転機構４を駆動
させて基板ホルダ５をゆつくり回転させながら、
紫外線光源７を点灯した。この紫外線光源７とし
ては、管材質が合成石英ガラス製で、定格入力
40WのＵ字形低圧水銀灯４個からなるものを用い
た。この場合の基板６付近における波長184.9nｍ
の輝線の強度は約400μW／cm2、波長254.7nｍの輝
線の強度は約8μW／cm2であつた。そして、O2ガ
ス分圧が１、100、760Torrのときのオゾン濃度
はそれぞれ約10、50、100ppm程度であつた。
第２図は上述実施例における紫外線照射時間と
レジスト除去量との関係を示すグラフで、実線、
破線、一点鎖線はそれぞれO2ガス分圧が760、
100、1Torrの場合を示す。このグラフからわか
るように、O2ガス分圧が低いほどレジスト除去
速度はゆるやかであるが、紫外線照射を3min間
行なえば、除去速度の遅い1Torrの場合でも、
100Åのレジスト除去量が得られており、基板上
のレジスト残査層の除去には十分である。
レジスト除去量との関係を示すグラフで、実線、
破線、一点鎖線はそれぞれO2ガス分圧が760、
100、1Torrの場合を示す。このグラフからわか
るように、O2ガス分圧が低いほどレジスト除去
速度はゆるやかであるが、紫外線照射を3min間
行なえば、除去速度の遅い1Torrの場合でも、
100Åのレジスト除去量が得られており、基板上
のレジスト残査層の除去には十分である。
第３図はステンシル開孔部の基板表面（SiO蒸
着膜が形成されている）の状態をESCAを用いて
分析した場合の、Si、ＯおよびＣに対応する
ESCAスペクトルを示すグラフであり、破線はレ
ジスト残査除去処理を行なわない場合、一点鎖線
は真空槽内をいつたん真空に排気することなく、
大気中でそのまま紫外線照射を３分間行なつた場
合、実線は上述実施例においてO2ガス分圧を約
100Torrにした場合をそれぞれ示す。このグラフ
において、基板表面の原子の存在比に対応した信
号強度の変化を比較すると、SiOの構成原子であ
るSiとＯは紫外線照射によつてわずかに増大して
いるのに対して、レジスト残査層の存在量に対応
するＣのピーク値は顕著に変化している。すなわ
ち、紫外線照射を行なわない場合（破線）には、
Ｃの量が極めて多いのに対し、紫外線照射を行な
つた場合（一点鎖線、実線）には、Ｃの量がかな
り減少している。また、大気中で紫外線を照射し
た場合（一点鎖線）には、いつたん排気して清浄
なO2ガス中で紫外線を照射した場合（実線）に
比べてＣの量がかなり多くなつていることから、
大気中で紫外線を照射した場合には、レジスト残
査層の除去効果が不十分であることがわかる。こ
れは大気中に微量に存在する炭化水素等の有機ガ
スが基板表面に析出ないし重合した可能性がある
ことを否定できない。したがつて、紫外線照射を
この発明のように有機ガスを含まない純粋な酸素
雰囲気中で行なうことにより、より確実にレジス
ト残査層を除去することが可能である。
着膜が形成されている）の状態をESCAを用いて
分析した場合の、Si、ＯおよびＣに対応する
ESCAスペクトルを示すグラフであり、破線はレ
ジスト残査除去処理を行なわない場合、一点鎖線
は真空槽内をいつたん真空に排気することなく、
大気中でそのまま紫外線照射を３分間行なつた場
合、実線は上述実施例においてO2ガス分圧を約
100Torrにした場合をそれぞれ示す。このグラフ
において、基板表面の原子の存在比に対応した信
号強度の変化を比較すると、SiOの構成原子であ
るSiとＯは紫外線照射によつてわずかに増大して
いるのに対して、レジスト残査層の存在量に対応
するＣのピーク値は顕著に変化している。すなわ
ち、紫外線照射を行なわない場合（破線）には、
Ｃの量が極めて多いのに対し、紫外線照射を行な
つた場合（一点鎖線、実線）には、Ｃの量がかな
り減少している。また、大気中で紫外線を照射し
た場合（一点鎖線）には、いつたん排気して清浄
なO2ガス中で紫外線を照射した場合（実線）に
比べてＣの量がかなり多くなつていることから、
大気中で紫外線を照射した場合には、レジスト残
査層の除去効果が不十分であることがわかる。こ
れは大気中に微量に存在する炭化水素等の有機ガ
スが基板表面に析出ないし重合した可能性がある
ことを否定できない。したがつて、紫外線照射を
この発明のように有機ガスを含まない純粋な酸素
雰囲気中で行なうことにより、より確実にレジス
ト残査層を除去することが可能である。
なお、上述実施例においては、レジスト残査層
を除去したのち蒸着前に、紫外線光源７を蒸着の
妨けにならない位置に回転したが、蒸着物が紫外
線光源７に付着しないようなカバーを設けてもよ
い。また、上述実施例においては、紫外線照射と
真空蒸着とを同一真空槽１内で行なつたが、真空
槽が多槽からなるものを用い、一つの槽内で紫外
線照射を行なつたのち、他の槽内で真空蒸着を行
なえば、処理時間を短縮することができる。さら
に、通常の真空蒸着装置に紫外線光源７および酸
素ガス導入機構３を設けて、この発明に係る蒸着
装置を製作してもよく、この場合には既存装置の
わずかな改造によつて実施できるという経済的利
点がある。
を除去したのち蒸着前に、紫外線光源７を蒸着の
妨けにならない位置に回転したが、蒸着物が紫外
線光源７に付着しないようなカバーを設けてもよ
い。また、上述実施例においては、紫外線照射と
真空蒸着とを同一真空槽１内で行なつたが、真空
槽が多槽からなるものを用い、一つの槽内で紫外
線照射を行なつたのち、他の槽内で真空蒸着を行
なえば、処理時間を短縮することができる。さら
に、通常の真空蒸着装置に紫外線光源７および酸
素ガス導入機構３を設けて、この発明に係る蒸着
装置を製作してもよく、この場合には既存装置の
わずかな改造によつて実施できるという経済的利
点がある。
以上説明したように、この発明においては、基
板の素子領域に損傷を与えることなく、基板表面
に存在するレジスト残査層を効果的に除去するこ
とができるから、半導体集積回路装置やジヨセフ
ソン集積回路装置の製造歩留りの改善と性能向上
に大きく寄与することができる。また、基板ホル
ダにRF電力を印加する必要がないから、装置が
簡単であり、装置を安価に製造することができ
る。このように、この発明の効果は顕著である。
板の素子領域に損傷を与えることなく、基板表面
に存在するレジスト残査層を効果的に除去するこ
とができるから、半導体集積回路装置やジヨセフ
ソン集積回路装置の製造歩留りの改善と性能向上
に大きく寄与することができる。また、基板ホル
ダにRF電力を印加する必要がないから、装置が
簡単であり、装置を安価に製造することができ
る。このように、この発明の効果は顕著である。
第１図はこの発明に係るリフトオフ加工用真空
蒸着装置を示す概略図、第２図は紫外線照射時間
とレジスト除去量との関係を示すグラフ、第３図
は基板表面の状態をESCAを用いて分析した場合
のESCAスペクトルを示すグラフである。 １……真空槽、２……真空排気孔、３……酸素
ガス導入機構、４……基板回転機構、５……基板
ホルダ、６……基板、７……紫外線光源、８……
蒸発源。
蒸着装置を示す概略図、第２図は紫外線照射時間
とレジスト除去量との関係を示すグラフ、第３図
は基板表面の状態をESCAを用いて分析した場合
のESCAスペクトルを示すグラフである。 １……真空槽、２……真空排気孔、３……酸素
ガス導入機構、４……基板回転機構、５……基板
ホルダ、６……基板、７……紫外線光源、８……
蒸発源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空槽内の基板ホルダの近傍に、少なくとも
195nｍ以下および250ないし260nｍの波長の紫外
線を放射する紫外線光源を装備し、かつ酸素ガス
導入機構を有することを特徴とするリフトオフ加
工用真空蒸着装置。 ２ 真空槽内の基板ホルダの近傍に、少なくとも
195nｍ以下および250ないし260nｍの波長の紫外
線を放射する紫外線光源を装備し、かつ酸素ガス
導入機構を有するリフトオフ加工用真空蒸着装置
を使用する方法において、上記真空槽内をいつた
ん真空に排気したのち、上記真空槽内に酸素ガス
を導入し、上記基板ホルダに装着され、かつリフ
トオフ加工用ステンシルで被覆されている基板の
表面に上記紫外線を照射し、つぎに上記真空槽内
を再び高真空にして、蒸着膜を真空蒸着すること
を特徴とするリフトオフ加工用真空蒸着装置の使
用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100585A JPS58218126A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | リフトオフ加工用真空蒸着装置およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100585A JPS58218126A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | リフトオフ加工用真空蒸着装置およびその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58218126A JPS58218126A (ja) | 1983-12-19 |
| JPS649727B2 true JPS649727B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=14277956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100585A Granted JPS58218126A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | リフトオフ加工用真空蒸着装置およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58218126A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232332A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63232331A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63232330A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63234527A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63234529A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPH0751746B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1995-06-05 | 松下電器産業株式会社 | 酸化物薄膜製造法 |
| JPH02275618A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4162756B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2008-10-08 | 富士通株式会社 | 膜のパターニング方法 |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57100585A patent/JPS58218126A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58218126A (ja) | 1983-12-19 |
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