JP2000502236A - 電子部品、特に弾性表面波により作動する部品―ｓａｗ部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電子部品、特に基板（１）上にある導電構造（２）及びこれを封止する基板（１）上のカプセル（４）を有するＳＡＷ部品における少なくとも導電構造（２）を気体拡散を防止するか又は不活性化する保護層（３）で覆う。

Description

【発明の詳細な説明】 電子部品、特に弾性表面波により 作動する部品−ＳＡＷ部品 この発明は、請求項１の上位概念による電子部品、特に弾性表面波により作動 する部品（ＳＡＷ部品）に関する。 先のドイツ連邦共和国特許出願第Ｐ４４１５４１１．９号明細書には電子部品 、特に基板上の部品構造を封止するキャップを有する弾性表面波により作動する 部品（ＳＡＷ部品）のための密封構造が記載されており、その際このキャップは 基板上に設けられたカバーにより形成され、このカバーは部品構造の範囲内に構 造を収容する空所を有している。ＳＡＷ部品の場合主として圧電基板上にある導 電構造により形成されている部品構造はこの種のキャップにより周囲の影響から 十分に保護されている。このことは先のドイツ連邦共和国特許出願明細書に記載 されている密封構造にもほぼ該当する。しかし気体の拡散に対して、特に水蒸気 の拡散に対して、また特定の化学物質の攻撃に対しては有効に保護されない。い くつかの材料の場合密封構造は水蒸気に対して実際にまるで存在していないかの ように挙動する。特に周波数安定度は水蒸気ばかりでなく化学物質によっても保 証されなくなる。 この発明の課題は、上記の先のドイツ連邦共和国特許出願明細書の思想に基づ き密封された電子部品を気体の拡散、特に水蒸気並びに他の化学物質の拡散のよ うな周囲の影響に対して有効な保護を保証する措置を提供することにある。 この課題は冒頭に記載した種類の電子部品ではこの発明の請求項１及び２に記 載の特徴部により解決される。 この発明の更なる具体例は請求項２以下の対象である。 この発明を図面に示した実施例に基づき以下に詳述する。その際 図１は第１の実施例による気体の拡散から保護するＳＡＷ部品の概略図、 図２はこの発明の別の措置により気体の拡散から保護する図１に相応する部品の 概略図、 図３は図２の実施例の概略部分平面図を示している。 図１によれば上述の種類のＳＡＷ部品は原則として圧電基板により形成されて おり、その上に導電構造２が設けられている。この種の導電構造は例えばインタ デジタル変換器、共振器又は反射器の電極フィンガーであってもよい。冒頭に記 載した先のドイツ連邦共和国特許出願明細書に既に詳細に記載されているように 、基板１上の導電構造２は基板上の導電構造２を封止するカプセル４により封鎖 されている。 導電構造２を気体の拡散に対しても、特に水蒸気の拡散に対し又は他の化学物 質に対しても保護するために導電構造はこの発明によれば気体の拡散の阻止又は 不活性保護層３で覆われている。この種の保護層３としてはこの発明の実施態様 において一連の物質が考慮の対象とされている。 一実施例によれば保護層３は導電構造２の金属の酸化物から成る層であっても よい。導電構造は一般にアルミニウムにより形成されているので、酸化物は絶縁 性の酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）が有利である。 その他に導電構造２の金属の酸化物とは異なる例えば二酸化シリコンのような 酸化物も保護層３として考慮の対象とされる。更に保護層３を窒化物、例えば窒 化シリコンにより形成してもよい。一般に保護層３には酸化物、窒化物、炭化物 、窒化酸化物、硫化物、セレン化物又はテルル化物の群からの無機の不活性物質 が考慮の対象とされる。 この発明の他の実施態様によれば導電構造２を覆う保護層３に付加的に基板１ 及び保護層３で覆われた導電構造２を覆う図２に示されているような別の保護層 ５を設けることもできる。この保護層５には上述と同じ材料が考えられる。この 別の保護層は図３に概略的に示されているような接続面７（パッド）を除いて基 板１及び保護層３で覆われている導電構造２を覆う。見やすくするために図３に は導電構造２を選択的に覆う図１及び図２による保護層３は示されていない。 この発明の別の実施態様では既に記載した保護層３及び５に対して付加的にカ プセル上に気体の拡散を更に十分に抑制する保護層６を設けることもできる。 この保護層６には既に上述した同じ物質が考慮の対象とされる。しかしこれら の物質の他に一般に図示及び記載の全ての保護層３、５及び６に有効な有機性ポ リマーも考慮される。 上記の種類の保護層の有利な製造方法には電気化学的形成法があり、その際電 気化学的に形成された酸化物の場合安定化はプラズマ処理及び／又はＵＶ照射に より行われ、またイオンの打込みによる形成も可能である。保護層がＡｌ₂Ｏ₃又 はＡｌＮから成る場合Ｏ^--又はＮ^--イオンの打込みが行われる。 付加的に保護層の吸収を阻止するためにそれらを有機金属化合物、例えばシロ ン（商品名）で飽和してもよい。 層厚及びフィルタ特性の微調整は他の層の形成又は切除によって行うことがで きる。 導電構造２はＡｌ、Ａｌ＋Ｓｉ又はＡｌ＋Ｔａを含んでいてもよい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シュテルツル、アロイス ドイツ連邦共和国 デー―81549 ミュン ヘン トラウンシュタインシュトラーセ 33 (72)発明者 クリューガー、ハンス ドイツ連邦共和国 デー―81737 ミュン ヘン ペラローシュトラーセ 13 (72)発明者 マーフイ、ユルゲン ドイツ連邦共和国 デー―80809 ミュン ヘン シュトラスベルガー シュトラーセ 103

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 電子部品、特に基板（１）の表面に設けられた導電構造（２）及び基板（ １）上に設けられた導電構造（２）を封止するカプセル（４）を有する弾性表面 波により作動する部品（ＳＡＷ部品）において、導電構造（２）が気体の拡散を 抑制する保護層（３）で覆われていることを特徴とする電子部品。 ２． 電子部品、特に基板（１）の表面に設けられた導電構造（２）及び基板（ １）上に設けられた導電構造（２）を封止するカプセル（４）を有する弾性表面 波により作動する部品（ＳＡＷ部品）において、少なくとも導電構造（２）が不 活性保護層（３）で覆われていることを特徴とする電子部品。 ３． 保護層（３）として酸化物、窒化物、炭化物、窒化酸化物、硫化物、セレ ン化物又はテルル化物の群からの有機性の不活性材料から成る層が設けられてい ることを特徴とする請求項１又は２記載の部品。 ４． 保護層（３）として導電構造（２）の金属の酸化物から成る層が設けられ ていることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の部品。 ５． 保護層（３）として導電構造（２）の金属の酸化物とは異なる酸化物から 成る層が設けられていることを特徴とする請求項乃至３の１つに記載の部品。 ６． 保護層（３）として導電構造（２）の金属の酸化物とは異なる酸化物、二 酸化シリコンが設けられていることを特徴とする請求項５記載の部品。 ７． 保護層（３）として窒化物層が設けられていることを特徴とする請求項１ 乃至３の１つに記載の部品。 ８． 窒化物として窒化シリコンが設けられていることを特徴とする請求項７記 載の部品。 ９． 基板（１）及び保護層（３）で覆われている導電構造（２）が導電構造（ ２）用の接続面（７）（パッド）を除いて補助保護層（５）で覆われていること を特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の部品。 １０． カプセル（４）上に周囲の影響に対して保護する層（６）が設けられて いることを特徴とする請求項１乃至９の１つに記載の部品。 １１． カプセル（４）上の保護層（６）が請求項２乃至８の材料により形成さ れていることを特徴とする請求項１０記載の部品。 １２． 層（３、５、６）の少なくとも１つが有機性ポリマーにより形成されて いることを特徴とする請求項１、９及び１０の１つに記載の部品。 １３． 導電構造（２）がＡｌ、Ａｌ＋Ｓｉ又はＡｌ＋Ｔａを含んでいることを 特徴とする請求項１乃至１２の１つに記載の部品。 １４． 保護層（３、５、６）の少なくとも１つを電気化学的に形成することを 特徴とする請求項１乃至１３の１つに記載の部品の製造方法。 １５． 電気化学的に形成された酸化物をプラズマ処理及び／又はＵＶ照射によ り安定化することを特徴とする請求項１４記載の方法。 １６． 保護層（３、５、６）の少なくとも１つをイオンの打込みにより形成す ることを特徴とする請求項１乃至１３の１つに記載の部品の製造方法。 １７． Ａｌ₂Ｏ₃又はＡｌＮから成る保護層（３、５、６）の１つを形成するた めにＯ^--又はＮ^--イオンの打込みを行うことを特徴とする請求項１６記載の方法 。 １８． 有機金属化合物で反応基を飽和することを特徴とする請求項１４乃至１ ７の１つに記載の方法。 １９． 有機金属化合物としてセレンを使用することを特徴とする請求項１８記 載の方法。 ２０． 保護層（３、５、６）の厚さを微調整するために更に層を形成するか又 は層の切除を行うことを特徴とする請求項１４乃至１９の１つに記載の方法。