KR100413895B1 - 탄성표면파로동작하는전자소자의제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 기판(1)상에 배치된 도전성 구조물(2) 및 기판(1)상에서 상기 구조물을 폐쇄하는 커버(4)를 포함하는 전자 소자, 특히 OFW-소자에 관한 것으로서, 상기 전자 소자에서 도전성 구조물(2)은 가스 확산을 제지하는 또는 불활성 보호층(3)에 의해 커버된다.

Description

탄성 표면파로 동작하는 전자 소자의 제조 방법{ELECTRONIC COMPONENT, ESPECIALLY ONE OPERATING WITH ACOUSTIC SURFACE WAVES(SW COMPONENT)}

국제 출원서 WO 95/30276호에는, 소자 구조물의 영역에 상기 구조물을 수용하는 리세스를 포함하는 캡에 의해 기판상에 제공된 소자 구조물이 폐쇄되도록 구성된 전자 소자, 특히 SAW-소자용 커버가 기술되어 있다. 상기 방식의 캡에 의해, SAW-소자에서 실제로 압전 기판상에 있는 도전성 구조물로 이루어진 소자 구조물이 주변 영향에 대해서 최대로 광범위하게 보호된다. 이것은 특히 전술한 특허 출원서에 기술된 커버 재료에 적용된다. 그러나 상기 보호 작용은 가스 확산, 특히 수증기의 확산 및 임의의 화학 물질의 공격에 대해서는 더 이상 효과가 없다. 몇몇 재료에서 수증기 확산과 관련한 커버는 실제로 커버가 존재하지 않는 것 같은 반응을 나타냈다. 따라서, 수증기 확산 및 화학 물질에 의해서는 소자의 주파수 안전성이 더 이상 보장될 수 없다.

US-A-4,617,487호에는, 밀봉 및 공격 저항의 목적으로 SAW-소자용 기판 상에 밀폐 방식으로 배치된, 예컨대 Ni-코팅된 캡을 갖는 SAW-소자가 공지되어 있다.쪼개지는 소자에 의해 야기되는, 예컨대 경우에 따라 발생되는 니켈 코팅의 단락을 방지하기 위해, 전체 활성 소자 구조물은 폐쇄된 TA-오산화물층 또는 실리콘 질화물층에 의해 커버된다.

본 발명은 청구항 1의 서문에 따른 탄성 표면파로 동작하는 전자 소자(SAW-소자)를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 방법에 의해 가스 확산에 대해서 보호된 SAW-소자의 개략도이고,

도 2는 가스 확산에 대해서 보호하기 위해 본 발명에 따른 또다른 조치를 적용한 도 1에 상응하는 개략도이며,

도 3은 본 발명에 따라 처리된 SAW-소자의 세부 사항을 도 2에 따라 개략적으로 도시한 평면도이다.

본 발명의 목적은, 가스 확산, 특히 수증기 확산 및 다른 화학 물질과 같은 주변 영향에 대해 소자를 효과적으로 보호해줄 수 있는, 전술한 특허 출원서의 원리에 따라 커버된 전자 소자를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적은 서문에 언급된 방식의 전자 소자에서 본 발명에 따른 청구항 1의 특징부의 특징에 따른 방법에 의해 달성된다.

본 발명의 개선예는 종속항의 대상이다.

본 발명에 따른 방법은 도면에 도시된 실시예를 참조하여 하기에 자세히 기술된다.

본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 도 1 내지 도 3의 SAW-소자는 원칙적으로는 압전 기판(1)으로 형성되고, 상기 기판상에는 예를 들어 인터디지털 변환기, 공명기 또는 리플렉터의 전극 핑거와 같은 도전성 구조물(2)이 제공된다. 이 경우 도전성 구조물(2)은 Al, Al+Si 또는 Al+Ta를 함유할 수 있다. 서문에 언급된 독일 특허 출원서에 이미 기술된 바와 같이, 기판(1)상에 있는 도전성 구조물(2)은 커버(4)에 의해 폐쇄된다. 상기 구조물(2)을 가스 확산, 특히 수증기 확산에 대해서 또는 다른 화학 물질에 대해서 보호하기 위해서, 상기 구조물은 가스 확산을 제지하는 보호층(3)으로 커버되는데, 상기 보호층은 본 발명에 따라 전기 화학적으로 (양극 산화) 또는 이온 충격에 의해 도전성 구조물(2)상에 형성된다.

본 발명의 개선예에서는 예를 들어 산화물, 질화물, 탄화물 또는 산화질화물그룹(oxynitride group)로부터 얻어지는 무기 물질로 형성되는 층이 보호층(3)으로서 고려된다.

전기 화학적으로 형성된 산화물에서는 플라즈마 처리 및/또는 UV-방사에 의한 안정성이 이루어질 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 다른 실시예에서는, 보호층(3) 및 기판(1)을 커버하는 또다른 하나의 보호층(5)이 추가로 제공될 수 있다. 추가 보호층(5)을 위해서는 특히 이미 전술한 재료들이 적합하다. 상기 보호층은 도 3에 도시된 바와 같이, 접속면(7), 즉 소위 패드를 제외한, 상기 보호층(3)에 의해 커버된 도전성 구조물(2) 및 기판(1)을 커버한다. 개관을 명확히 하기 위해서 도 3에는 보호층(3)을 도시하지 않았다.

전술한 보호층(3 및 5)에 부가하여, 가스 확산을 더욱 제한하는, 도 2에 파선으로 도시된 보호층(6)이 커버(4)상에 제공될 수 있다.

상기 보호층(6)을 위해서도 이미 언급된 재료들이 적합하다. 보호층(5 및 6)에 동일하게 적합한 재료는 유기 중합체이다.

보호층(3, 5 경우에 따라서는 6)을 또한 흡수를 제지하도록 만들기 위해, 상기 층은 예컨대 실란과 같은 유기 금속 화합물로 포화될 수 있다.

마지막으로, 보호층(3 및 5)의 층두께 및 그에 의한 필터 특성의 정밀 조정은 보다 넓은 층구성 또는 층제거에 의해서 실시될 수 있다.

Claims (9)

1. 기판(1)의 표면상에 제공된 도전성 구조물(2)을 포함하는 탄성 표면파로 동작하는 전자 소자(SAW-소자)를 제조하기 위한 방법으로서,

   가스 확산을 제지하는 보호층(3)이 적어도 상기 도전성 구조물상에 전기 화학적으로 또는 이온 충격에 의해 형성되며,

   추가의 보호층(5)이 상기 기판(1) 및 도전성 구조물(2)을 위한 외부 표면(7)-패드-을 제외하고 상기 도전성 구조물(2)을 덮는 상기 보호층(3)에 제공되며;

   상기 도전성 구조물(2)을 밀폐하는 커버(4)가 상기 기판(1)에 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 커버(4)상에 주변 영향에 대해서 보호해주는 추가의 보호층(6)을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   산화물, 질화물, 탄화물 또는 산화질화물(oxynitride) 그룹으로부터 얻어지는 무기 물질로 이루어진 층을 기체 확산을 제지하는 보호층(3)으로서 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 도전성 구조물(2)을 커버하는 보호층(3) 및/또는 상기 커버(4)상에 유기 중합체로 이루어진 보호층(5, 6)을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제 1항에 있어서,

   도전성 구조물(2)로서 Al, Al+Si 또는 Al+Ta를 함유하는 구조물을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제 1항에 있어서,

   전기 화학적으로 형성된 산화물을 플라즈마 처리 및/또는 UV-방사에 의해 안정화하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제 1항, 제 2항, 제 5항 또는 제 6항에 있어서,

   상기 보호층(3, 5)내의 활성기(reactive group)를 유기 금속 화합물로 포화시키는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제 7항에 있어서,

   유기 금속 화합물로서 실란을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 보호층(3, 5)의 두께를 정밀하게 조정하기 위해서 추가의 층 형성 또는 층 제거를 실시하는 것을 특징으로 하는 방법.