JP3997727B2 - Electro-optic panel and electronic equipment - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学パネルおよび電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
電気光学装置、例えば、電気光学材料として液晶を用いた液晶表示装置は、陰極線管(CRT)に代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機器の表示部や液晶テレビなどに広く用いられている。
【0003】
ここで、従来の電気光学装置は、例えば、次のように構成されている。すなわち、従来の電気光学装置は、マトリクス状に配列した画素電極と、この画素電極に接続されたTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)のようなスイッチング素子などが設けられた素子基板と、画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板と、これら両基板との間に充填された電気光学材料たる液晶とから構成される。そして、このような構成において、走査線を介してTFTに走査信号を印加すると、当該TFTが導通状態となる。この導通状態の際に、データ線を介して画素電極に、階調に応じた電圧の画像信号を印加すると、当該画素電極および対向電極の間の液晶層に画像信号の電圧に応じた電荷が蓄積される。電荷蓄積後、当該TFTをオフ状態としても、当該液晶層における電荷の蓄積は、液晶層自身の画素容量などによって維持される。このように、各TFTを駆動させ、蓄積させる電荷量を階調に応じて制御すると、画素毎に液晶の配向状態が変化するので、画素毎に濃度が変化することになる。このため、階調表示することが可能となるのである。
【0004】
この際、各画素の液晶層に電荷を蓄積させるのは一部の期間で良いため、第1に、走査線駆動回路によって各走査線を順次選択するとともに、第2に、走査線の選択期間において、データ線駆動回路によってデータ線を順次選択し、第3に、選択されたデータ線に階調に応じた電圧の画像信号をサンプリングする構成により、走査線およびデータ線を複数の画素について共通化した時分割マルチプレックス駆動が可能となる。
【0005】
【発明が解決しようする課題】
ところで、TFTがオン状態となる期間においては、データ線の電圧を画素容量に十分書き込むために、TFTのゲートにはデータ線の取り得る電位よりも高い電位を与える必要がある。一方、TFTがオフ状態となる期間においては、蓄積された電荷のリークを減らすために、データ線の取り得る電位よりも低い電位を与える必要がある。
【0006】
TFTのオン・オフ制御は走査信号によって行われるから、走査線駆動回路を駆動するために、データ線駆動回路とは別の電圧源を用意する必要があり、構成が複雑になるといった問題があった。くわえて、走査線駆動回路は高電圧で駆動しなければならないため、消費電力の増大を招くといった問題があった。
【0007】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、簡易な構成で、かつ、消費電力の少ない電気光学パネル、さらには、この電気光学パネルを用いた電子機器を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学パネルは、複数のデータ線と、複数の走査線とを備え、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して複数の画素が配列されたものであって、前記画素は、画素電極と対向電極との間に形成される画素容量と、
一のデータ線と前記画素電極との間に設けられ、一の走査線に供給される走査信号に基づいて、当該データ線に供給されるデータ信号を前記画素容量に書き込む書込手段と、前記画素電極の電圧を予め定められたリセット電圧にリセットするリセット手段とを備える。
【0009】
この発明によれば、各画素はリセット手段によって画素電極の電圧を所望のタイミングでリセット電圧にすることが可能である。ここで、電気光学パネルに用いる電気光学物質が液晶であるとすれば、液晶には直流電圧を印加すると焼き付きなどが発生してその特性が劣化してしまうので、いわゆる交流化駆動を行う必要がある。このため、画素電極の電圧は対向電極の電圧を中心として所定の周期で極性を反転させる必要がある。リセット電圧を対向電極の電圧と一致させて、書込手段による書き込み直前に画素電極の電圧をリセットすれば、たとえ、書き込み期間が短くても必要な電圧を画素容量に十分書き込むことが可能となる。
【0010】
ここで、電気光学パネルは、前記データ信号の書き込みを許可する行を指示するイネーブル信号に基づいて、前記走査信号を前記複数の走査線のうち一部または全部に供給する走査手段を備えるものであってもよい。この発明によれば、行単位でデータ信号の書き込みを制御することができる。
【0011】
また、電気光学パネルは、複数の容量線を備え、前記画素は、前記画素電極と一方の端子が接続され、前記容量線と他方の端子が接続される蓄積容量を備え、前記書込手段は、一の前記データ線と前記画素電極との間に設けられ、一の前記走査線に供給される走査信号に基づいて、オン・オフが制御される第1スイッチング素子を備え、前記リセット手段は、前記画素電極と前記容量線との間に設けられた第2スイッチング素子を備えるものであってもよい。この場合には、容量線にリセット電圧が給電され、第2スイッチング素子によってリセット電圧が画素電極に給電されることになる。
【0012】
ここで、前記第2スイッチング素子は、前記一の走査線と隣接する走査線に供給される走査信号に基づいて、オン・オフが制御されることが好ましい。この発明によれば、リセット信号を供給にするために特別な配線を設ける必要がないので構成を簡易にすることが可能である。
【0013】
また、電気光学パネルは、複数のリセット線を備え、前記第2スイッチング素子は、前記リセット線に供給されるリセット信号に基づいて、オン・オフが制御されるものであってもよい。
【0014】
また、電気光学パネルは、複数の容量線を備え、前記走査線は、2本で1組となって、各行の前記画素に走査信号と反転走査信号を供給し、前記画素は、前記画素電極と一方の端子が接続され、前記容量線と他方の端子が接続される蓄積容量を備え、前記書込手段は、一の前記データ線と前記画素電極との間に設けられ、ある組の走査信号に基づいて、オン・オフが制御される第1Nチャネルトランジスタと、当該組の反転走査信号に基づいて、オン・オフが制御される第1Pチャネルトランジスタとを備え、前記リセット手段は、前記画素電極と前記容量線との間に並列に設けられた第2Nチャネルトランジスタと第2Pチャネルトランジスタとを備えるものであってもよい。この発明によれば、第1Nチャネルトランジスタおよび第1Pチャネルトランジスタを相補的に動作させ、第2Nチャネルトランジスタと第2Pチャネルトランジスタを相補的に動作させることが可能となるため、走査信号および反転走査信号の振幅を低振幅にすることができる。この結果、電気光学パネルの消費電力を低減させることが可能となる。
【0015】
ここで、前記第2Nチャネルトランジスタは、当該画素を含む行を選択する直前に選択する行に供給される走査信号に基づいて、オン・オフが制御され、前記第2Pチャネルトランジスタは、当該走査信号に対応する反転走査信号に基づいてオン・オフが制御されるものであってもよい。この発明によれば、第2Nチャネルトランジスタおよび第2Pチャネルトランジスタの制御に特別な配線を設ける必要がないので構成を簡易にすることが可能である。
【0016】
また電気光学パネルは、各行の画素にリセット信号と反転リセット信号を供給するリセット線の組を複数備え、前記第2Nチャネルトランジスタは、前記リセット信号に基づいて、オン・オフが制御され、前記第2Pチャネルトランジスタは、当該リセット信号に対応する反転リセット信号に基づいてオン・オフが制御されるものであってもよい。この構成によれば、リセット信号および反転リセット信号を走査信号および反転走査信号と独立して供給することが可能である。
【0017】
また、前記リセット電圧は前記対向電極の電圧と一致することが好ましい。
【0018】
次に、本発明の走査線駆動回路は、複数のデータ線と、複数の走査線と、複数のリセット線を備え、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して複数の画素が配列された電気光学パネルに用いられ、選択すべき行を指定するアドレス信号と前記データ線に供給されるデータ信号の書き込みを許可する行を指示するイネーブル信号とが外部から供給されることを前提とし、各行に対応する単位回路を複数備え、前記単位回路は、前記アドレス信号をデコードしてデコード信号を出力するデコーダと、前記イネーブル信号と前記デコード信号とがともにアクティブとなる期間においてアクティブとなるリセット信号を生成するリセット信号生成回路と、前記リセット信号がアクティブから非アクティブに切り替わった後、ある期間だけアクティブとなる走査信号を生成する走査信号生成回路とを備えるものである。
【0019】
この発明によれば、総ての画素についてデータ信号の書き込みを行う必要がなく、ある行についてのみデータ信号の書き込みを行うことができ、しかも、走査信号をアクティブにする前にリセット信号をアクティブにすることが可能となる。これにより、走査信号のアクティブ期間が短くても確実にデータ信号を画素に書き込むことが可能となる。
【0020】
ここで、前記リセット信号生成回路は、前記デコード信号がアクティブとなるタイミングで前記イネーブル信号をラッチして第1制御信号を生成する第1フリップフロップ回路と、前記デコード信号と前記第1制御信号に基づいて前記リセット信号を生成する第1生成回路とを備え、前記走査信号生成回路は、前記デコード信号がアクティブから非アクティブに切り替わるタイミングで前記第1制御信号をラッチし、その結果をある期間が経過した後にリセットする第2フリップフロップ回路と、前記第2フリップフロップ回路の出力信号に基づいて前記走査信号を生成する第2生成回路とを備えることが望ましい。
【0021】
また、前記リセット信号生成回路は、前記リセット信号の他に前記リセット信号を反転した反転リセット信号を生成し、前記走査信号生成回路は、前記走査信号の他に前記走査信号を反転した反転走査信号を生成するものであってもよい。
【0022】
次に、本発明の電気光学パネルの駆動方法にあっては、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の画素とを有し、各画素は、画素電極と、前記画素電極に電圧を書き込む書込手段と、前記画素電極の電圧を予め定められたリセット電圧にリセットするリセット手段とを備える電気光学パネルに用いられ、前記リセット手段を用いて、前記画素電極の電圧を前記リセット電圧にリセットするリセット段階と、前記走査線に走査信号を供給することによって前記書込手段を制御して、前記データ線を介して供給されるデータ信号を前記画素電極に書き込む書込段階と
を備えることを特徴とする。この発明によれば、データ信号の書き込みは、値セット段階と書込段階によって行われることになる。
【0023】
ここで、前記書込段階は、一部の行に属する画素に対してのみ行う一方、他の行に属する画素については、前記リセット手段を用いて、前記画素電極の電圧を前記リセット電圧に常時リセットするものであってもよい。
【0024】
次に、本発明の電子機器は、上述した電気光学パネルを備えるものであって、例えば、ビデオプロジェクタ、ノートコンピュータ、携帯電話機、カーナビゲーション装置等が該当する。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
<1.第1実施形態>
<1−1:全体構成>
図1は、本発明の第1実施形態に係わる電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。電気光学装置は、液晶パネル100、タイミング信号生成回路200、データ変換回路300および電源回路400を備える。
【0026】
まず、液晶パネル100は、画像が形成される表示領域A、走査線駆動回路130Aおよびデータ線駆動回路140を備える。液晶パネル100は、素子基板と対向基板との間に電気光学物質たる液晶を挟持した構成となっている。対向基板には対向電極が形成されており、そこには共通電圧として白電圧Vwtが給電される。また、この液晶パネル100は、ノーマリーホワイトモードで動作するものであり、液晶へ電圧を印加しない状態で透過率が最大となるように構成されている。
【0027】
素子基板上における表示領域Aには、複数本の走査線112Nが、図においてX(行)方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線114が、Y(列)方向に沿って延在して形成されている。くわえて、表示領域Aには複数本の容量線SLがX(行)方向に延在して形成されている。各容量線SLは互いに接続されており、そこには白電圧Vwtが給電されるようになっている。
【0028】
そして、画素110は、走査線112Nとデータ線114との各交差に対応して配置されている。本実施形態では、走査線112Nの総本数をm+1本、データ線114の総本数をn本、容量線SLの総本数をm本として(m、nはそれぞれ2以上の整数)、m行×n列のマトリクス型表示装置を説明する。
【0029】
次に、タイミング信号生成回路200は、図示せぬ上位装置から供給される垂直走査信号Vs、水平走査信号Hsおよびドットクロック信号DCLKに従って、各種のタイミング信号やクロック信号などを生成するものである。
【0030】
次に、電源回路400は、各種の電圧を発生して、液晶パネル100やタイミング信号生成回路200に給電するものである。本実施形態の走査線駆動回路130Aは、高電位側電圧Vgddおよび低電位側電圧Vgss等で動作する一方、データ線駆動回路140は、正側黒電圧Vbk(+)、白電圧Vwt、および負側黒電圧Vbk(-)等で動作する。ここで、正側黒電圧Vbk(+)と負側黒電圧Vbk(-)とは、白電圧Vwtを中心電圧として極性を反転したものである。電源回路400は、これらの電圧を生成して液晶パネル100に給電している。
【0031】
<1−2:画素の構成>
次に、画素110の具体的な構成を説明する。図2は、画素110の詳細な構成を示す回路図であり、図1に示す表示領域Aの左端の列から数えて第j番目の列に該当する各画素110-1〜110-mの構成を示すものである。
【0032】
ここで、画素110-1は、NチャネルTFT116N、117N、画素電極118および蓄積容量CSを有する。画素電極118は、対向基板上に形成される共通電極および液晶とともに画素容量CLを構成する。図に示す蓄積容量CSは、画素電極118および容量線SLと独立した素子として記載してあるが、実際の構造は以下の様になっている。まず、素子基板上にある程度の幅をもつ容量線SLをX方向に形成し、その上に絶縁層を介して画素電極118を形成する。この場合、蓄積容量CSは、画素電極118と容量線SLが重なる領域に形成され、重複部分の画素電極118と容量線SL、および絶縁膜によって構成される。勿論、画素電極118に接続される何某かの電極と容量線SLとの間に絶縁膜を挟んで蓄積容量CSを形成しても良い。
【0033】
次に、NチャネルTFT116Nのソースはデータ線114に接続され、そのドレインは画素電極118に接続され、そのゲートには走査線112N-1が接続されている。したがって、NチャネルTFT116Nは走査信号GN1によってオン・オフが制御される。この結果、走査信号GN1がアクティブになると、NチャネルTFT116Nはオン状態になって、画素容量CLおよび蓄積容量CSにデータ線114の電圧を書き込むことになる。なお、以下の説明においては、i行j列の画素110おいて、画素電極118の電圧をPX(i,j)で表すことにする。
【0034】
ところで、液晶には直流電圧を印加すると特性が劣化するといった性質があるので、液晶の駆動は交流化駆動によるのが通常である。このため、画素電極118に印加する電圧は、ある周期で共通電圧を基準として極性を反転する必要がある。一方、画素容量CLおよび蓄積容量CSへ電圧を書き込む期間は、走査信号GNがアクティブとなる期間(走査線の選択期間)に限られるため、当該期間に書き込みを終了しなければならない。
【0035】
しかし、上述した極性反転を行う際には電圧の変化幅が大きいから、走査線の選択期間が短くなると、必要な電圧を画素容量CLおよび蓄積容量CSへ書き込むことが困難になる。
【0036】
そこで、本実施形態にあっては、走査線の選択期間の直前に、画素容量CLおよび蓄積容量CSの電圧を白電圧Vwtにリセットするようにしている。NチャネルTFT117Nはこのために設けられた素子である。
【0037】
NチャネルTFT117Nのソースは画素電極118に接続され、そのドレインは容量線SLに接続され、そのゲートには走査線112N-0が接続されている。NチャネルTFT117Nは、走査信号GN0によってオン・オフが制御される。走査信号GN0〜GNmは、GN0→GN1→GN2…→GNmの順にアクティブとなる。したがって、走査線112N-1が選択される前に、NチャネルTFT117Nがオン状態となり、画素電極電圧PX(1,j)が白電圧Vwtにリセットされることになる。これにより、走査線の選択期間が短かくてもデータ線114の電圧を画素容量CLおよび蓄積容量CSに十分書き込むことが可能となる。
【0038】
<1−3:データ変換回路>
次に、データ変換回路300について説明する。データ変換回路300は、3ビットの画像データDを変換して、1ビットの2値信号Dsを生成してデータ線駆動回路140に供給するものである。
【0039】
<1−3−1:サブフィールド>
まず、データ変換回路300について詳細に説明する前に、本実施形態に係る電気光学装置の前提となるサブフィールドなる概念について説明する。一般に、電気光学材料として液晶を用いた液晶装置において、液晶層に印加される電圧実効値(電圧を一定として、オン電圧のパルス幅を変化させた場合)と相対透過率(または反射率)との関係は、電圧無印加状態において白表示を行うノーマリーホワイトモードを例にとれば、図3に示されるような関係にある。すなわち、液晶層に印加される電圧実効値が増すにつれて、透過率が非線形に減少して飽和する。なお、ここでいう相対透過率とは、透過光量の最低値および最高値を、それぞれ0%および100%として正規化したものである。
【0040】
ここで、本実施形態に係る電気光学装置が8階調表示を行うものとし、3ビットで示される画像データDが、それぞれ同図に示される透過率を指示するものとする。この際、透過率0%と透過率100%とを除いた中間透過率において液晶層に印加される電圧実効値を、それぞれ、V1、V2、…、V6とする。
【0041】
本実施形態に係る電気光学装置では、第1に、液晶層に瞬間的に印加する電圧を、例えば、Lレベルに相当する電圧VLと、Hレベルに相当する電圧VHのいずれかとする構成を採用する。一方、この構成において、1フレーム(1f)の全期間にわたって液晶層に電圧VLを印加すれば、当該全期間においてオフ表示となるから、透過率は100%となる。
【0042】
さらに、1フレーム期間のうち、液晶層に電圧VLを印加する期間と、電圧VHを印加する期間との比率を制御して、液晶層に印加される電圧実効値がV1、V2、…、V6となるように構成すれば、当該電圧に対応する階調表示が可能となる。また、液晶層に印加される電圧実効値がV7を越えても、飽和性であるがゆえに透過率は0%となる。そこで、本実施形態に係る電気光学装置では、第2に、1フレーム期間を複数の期間に分割し、画像データに基づいて、各期間毎に液晶層に電圧VLを印加するか、電圧VHを印加するかを決定し、これにより液晶層に実効電圧Vdを印加する。以下の説明では、分割された複数の期間をサブフィールドと称することにする。
【0043】
本実施形態では、1フレームを画像データDのビット数に応じた数の期間に分割する。図4に、画像データDが3ビットである場合における1フレームの分割の態様を示す。この例では、1フレームが、サブフィールドSf1、Sf2、Sf3から構成されている。そして、サブフィールドSf1は画像データDのLSBに対応し、サブフィールドSf2は画像データDの中位ビットに対応し、サブフィールドSf3は画像データDのMSBに対応している。
【0044】
ある画素の画像データDが(001)である場合(すなわち、当該画素の透過率を85.7%とする階調表示を行う場合)、1フレーム(1f)期間のうち、サブフィールドSf1において、当該画素の液晶層に電圧VHを印加する一方、他の期間において電圧VLを印加する構成とする。この場合、サブフィールドSf1の期間は、V1といった電圧値を実効電圧として印加することができる期間として設定する。
【0045】
また、画像データDが(010)である場合(すなわち、当該画素の透過率を71.4%とする階調表示を行う場合)、1フレーム(1f)期間のうち、サブフィールドSf2において、当該画素の液晶層に電圧VHを印加する一方、他の期間において電圧VLを印加する構成とする。ここで、サブフィールドSf2の期間は、V2といった電圧値を実効電圧として印加することができる期間として設定する。
【0046】
同様に、画像データDが(100)である場合(すなわち、当該画素の透過率を42.9%とする階調表示を行う場合)、1フレーム(1f)期間のうち、サブフィールドSf3において、当該画素の液晶層に電圧VHを印加する一方、他の期間において電圧VLを印加する構成とする。
【0047】
このように、1フレームを3つのサブフィールドSf1、Sf2、Sf3に分割するとともに画像データDに応じて、各サブフィールドに電圧VHまたは電圧VLを液晶層に印加するか否かを決定するので、当該液晶層に印加される電圧はVLおよびVHの2値であるにもかかわらず、各透過率に対応する階調表示が可能となる。
【0048】
<1−3−2:データ変換回路の詳細>
サブフィールドSf1〜Sf3毎に、階調に応じてHレベルまたはLレベルを書き込むためには、画素に対応する画像データDを何らかの形で変換する必要がある。図1に示すデータ変換回路300はこのために設けられたものであり、フレームメモリを主要部とするものである。
【0049】
画像データDは、一旦、フレームメモリに格納され、予め定められた規則に従って読み出され、2値信号Dsに変換される。ここで、i行j列の画素110に対応する画像データDをD(i,j)で表すものとし、D(i,j)のLSB、中位ビット、MSBを、D0(i,j)、D1(i,j)、D2(i,j)で表すものとする。
【0050】
フレームメモリに記憶された画像データDは、次の順序で1ビットずつ読み出される。まず、サブフィールドSf1においては、D0(1,1)、D0(1,2)、…、D0(1,n)、D0(2,1)、D0(2,2)、…、D0(2,n)、…、D0(m,n)といったように画像データDのLSBについて読み出しが行われる。次に、サブフィールドSf2においては画像データDの中位ビットD1(i,j)について、さらに、サブフィールドSf3においては画像データDのMSBであるD2(i,j)について、サブフィールドSf1と同様の読み出しが行われる。
【0051】
なお、この2値信号Dsについては、走査線駆動回路130Aおよびデータ線駆動回路140における動作に同期して出力する必要があるので、データ変換回路300には、スタートパルスDY、DX、水平走査に同期するクロック信号CLY、ドットクロック信号に相当するクロック信号CLXなどが供給されている。
【0052】
<1−4:データ線駆動回路>
次に、データ線駆動回路140について説明する。図5はデータ線駆動回路140の構成を示すブロック図である。この図に示すようにデータ線駆動回路140は、シフトレジスタ141、信号供給線La,Lb、セレクタSLT1〜SLTnを備える。
【0053】
まず、シフトレジスタ141は、スタートパルスDXをクロック信号CLXに従って順次転送してHレベルでアクティブとなるシフト信号S1〜Snを生成する。
【0054】
次に、信号供給線Laには2値信号Dsが供給される一方、信号供給線Lbにはフレーム信号FRが供給される。フレーム信号FRは奇数フレームでHレベルとなり、偶数フレームでLレベルとなる。
【0055】
次に、セレクタSLT1〜SLTnは、2値信号Ds、フレーム信号FRおよびシフト信号S1〜Snに基づいて、正側黒電圧Vbk(+)、白電圧Vwt、および負側黒電圧Vbk(-)の中から一の電圧を選択して、これをデータ信号d1〜dnとしてデータ線114に供給するものである。
【0056】
セレクタSLT1を取りあげると、その選択動作は図6に示す真理値表に従って行われる。なお、他のセレクタSLT2〜SLTnも同様の選択動作を行う。この真理値表に示すように、シフト信号S1が非アクティブ(Lレベル)のときには、データ信号d1は白電圧Vwtとなる一方、シフト信号S1がアクティブ(Hレベル)のとき、セレクタSLT1は2値信号Dsおよびフレーム信号FRに基づいて選択動作を行う。
【0057】
さらに、シフト信号S1がアクティブの場合に、セレクタSLT1は、2値信号DsがLレベル(デジットが「0」を示す場合)であれば白電圧Vwtを選択する一方、2値信号DsがHレベル(デジットが「1」を示す場合)であればフレーム信号FRに基づいて、正側黒電圧Vbk(+)または負側黒電圧Vbk(-)のうち、いずれか一方の電圧を選択する。そして、データ信号d1が正側黒電圧Vbk(+)となるのは、2値信号DsがHレベル、フレーム信号FRがHレベル、かつ、シフト信号S1がHレベルの場合である。一方、データ信号d1が負側黒電圧Vbk(-)となるのは、2値信号DsがHレベル、フレーム信号FRがLレベル、かつ、シフト信号S1がHレベルの場合である。
【0058】
図7は、画像データDと、ある画素110における画素電極118への印加波形を示すタイミングチャートである。例えば、フレーム信号FRがHレベルである場合に、画像データDが(001)であるとき、当該画素の画素電極118には、図7に示されるように、サブフィールドSf1に高電位側黒電圧Vbk(+)が書き込まれる。
【0059】
このようにデータ線114に供給されるデータ信号d1〜dnは、高電位側黒電圧Vbk(+)、白電圧Vwt、低電位側黒電圧Vbk(-)のみである。このため、駆動回路などの周辺回路においては、高精度のD/A変換回路やオペアンプなどのような、アナログ信号を処理するための回路は不要となる。したがって、回路構成が大幅に簡略化されるので、装置全体のコストを低く抑えることが可能となる。さらに、素子特性や配線抵抗などの不均一性に起因する表示ムラが原理的に発生しないから、本実施形態に係る電気光学装置によれば、高品位かつ高精細な階調表示が可能となる。
【0060】
<1−5:走査線駆動回路>
図8は、走査線駆動回路130Aの構成を示すブロック図である。この図に示すように、走査線駆動回路130Aは、シフトレジスタ131とレベル変換回路LVC1〜LVCmを備える。シフトレジスタ131はサブフィールドの最初に供給されるスタートパルスDYをクロック信号CLYにしたがって転送する。また、レベル変換回路LVC1〜LVCmには、高電位側電圧Vgddと低電位側電圧Vgssとが給電されており、シフトレジスタ131の各出力信号にレベル変換を施して走査線112Nの各々に走査信号G0、G1、G2、…、Gmを供給するものである。この結果、走査信号G0〜GmのHレベルは高電位側電圧Vgddとなる一方、それらのLレベルは低電位側電圧Vgssとなる。
【0061】
<1−6:全体動作>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置の動作について説明する。図9は、この電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
まず、フレーム信号FRは、1フレーム(1f)毎にレベル反転する信号である。一方、スタートパルスDYは、各サブフィールドSf1〜Sf3の開始時に供給される。
【0062】
ここで、フレーム信号FRがLレベルとなる1フレーム(1f)において、スタートパルスDYが供給されると、走査線駆動回路130A(図1参照)におけるクロック信号CLYにしたがった転送によって、走査信号G0、G1、G2、G3、…、Gmが期間(t)に順次排他的に出力される。なお、期間(t)は、最も短いサブフィールドよりもさらに短い期間に設定されている。
【0063】
さて、走査信号G0、G1、G2、…、Gmは、それぞれクロック信号CLYの半周期に相当するパルス幅を有し、また、上から数えて1本目の走査線112N- 0に対応する走査信号G0は、スタートパルスDYが供給された後、クロック信号CLYが最初に立ち上がってから、少なくともクロック信号CLYの半周期だけ遅延して出力される構成となっている。
【0064】
一方、データ線駆動回路140にスタートパルスDXが供給されると、データ線駆動回路140はスタートパルスDXをクロック信号CLXにしたがった転送し、シフト信号S1、S2、S3、…、Snを水平走査期間(1H)に順次排他的に出力する。なお、シフト号S1、S2、S3、…、Snは、それぞれクロック信号CLXの半周期に相当するパルス幅を有している。
【0065】
<1−7:画素への書き込み動作>
図10は、画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。まず、期間T0において、走査信号GN0がアクティブになると、図2に示す画素110-1のNチャネルTFT117Nがオン状態となり、画素容量CLおよび蓄積容量CSに容量線SLを介して供給される白電圧Vwtが書き込まれる。このため、時刻t0より画素電極電圧PX(1,j)は、低電位側黒電圧Vbk(-)から上昇し、時刻t1に至る前に白電圧Vwtに達する。これにより、画素110-1へデータ信号djが書き込まれる前に、画素電極電圧PX(1,j)を白電圧Vwtにリセットすることができる。
【0066】
そして、期間T1において、走査信号GN1がアクティブになると、画素110-1のNチャネルTFT116Nがオン状態となり、画素容量CLおよび蓄積容量CSにデータ信号djが供給される。この期間T1におけるデータ信号djは、図に示すように高電位側黒電圧Vbk(+)である。このため、時刻t1より画素電極電圧PX(1,j)は、白電圧Vwtから上昇し、時刻t2に至る前に高電位側黒電圧Vbk(+)に達する。
【0067】
このように本実施形態においては、ある画素110にデータ信号djを書き込む前に、一旦、画素電極電圧PX(i,j)を白電圧Vwtにリセットするので、走査信号のアクティブ期間が短い場合でも、必要な電圧を確実に書き込むことが可能となる。また、書き込み用のNチャネルTFT116Nを走査信号GNiで制御する場合、リセット用のNチャネルTFT117Nを走査信号GNi-1で制御するから、リセット用に特別な信号線を設ける必要がないといった利点がある。
【0068】
さらに、データ信号djの振幅が低電位側黒電圧Vbk(-)から高電位側黒電圧Vbk(+)まで変化する場合に、走査信号GN0〜GNの低論理レベルは、低電位側黒電圧Vbk(-)よりさらに低い低電位電圧Vgssである一方、それらの高論理レベルは高電位側黒電圧Vbk(+)よりさらに高い高電位電圧Vgddである。したがって、データ信号djを確実に書き込むことができる。
【0069】
<2.第2実施形態>
次に、第2実施形態に係わる電気光学装置について説明する。この電気光学装置は、画素110の詳細な構成、走査線112Nの他に走査線112Pを用いる点、走査線駆動回路130Aの代わりに走査線駆動回路130Bを用いる点、電源回路400において高電位電圧Vgddおよび低電位電圧Vgssを生成しない点を除いて、第1実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。
【0070】
図11は、第2実施形態の液晶パネル100の主要部を示すブロック図である。この図に示すように、表示領域Aには、走査線112Nの他に、走査線112PがX方向に延在して形成されている。そして、各走査線112Pには、走査信号GP0〜GPmが走査線駆動回路130Bから供給される。
【0071】
図12は、走査線駆動回路130Bの構成を示す回路図である。走査線駆動回路130Bは、シフトレジスタ131とバッファ回路BF0〜BFmを備える。ここで、バッファ回路BF0は、図16に示すバッファ回路137Aと同様に構成されており、シフトレジスタ131の出力信号を正転した走査信号GN0と、反転した走査信号GP0を各々生成する。また、バッファ回路BF0は、高電位側黒電圧Vbk(+)および低電位側黒電圧Vbk(-)の給電によって動作するため、走査信号GN0およびGP0のHレベルは高電位側黒電圧Vbk(+)となる一方、Hレベルは低電位側黒電圧Vbk(-)となる。なお、他のバッファ回路BF0〜BFmについても同様である
【0072】
図13は第2実施形態にかかる画素110の詳細な構成を示す回路図であり、図11に示す表示領域Aの左端の列から数えて第j番目の列に該当する各画素110-1〜110-mの構成を示すものである。また、図14は、画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。
【0073】
ここで、画素110-1は、書き込み用のスイッチング素子として、NチャネルTFT116Nの他にPチャネルTFT116Pを備え、また、リセット用のスイッチング素子としてNチャネルTFT117Nの他にPチャネルTFT117Pを備える。NチャネルTFTとPチャネルTFTとは相補的に動作する。このため、走査信号GN0〜GNmの他にこれらを反転した走査信号GP0〜GPmが必要となる。しかしながら、走査信号GN0〜GNmおよびGP0〜GPmのの振幅をデータ信号djの振幅より大きくする必要はない。
【0074】
例えば、データ信号djの電圧が高電位側黒電圧Vbk(+)であったとすると、このときPチャネルTFT116Pのゲートに低電位側黒電圧Vbk(-)を給電すれば、PチャネルTFT116Pを介してデータ信号djを画素容量CLおよび蓄積容量CSに書き込むことができる。一方、データ信号djの電圧が低電位側黒電圧Vbk(-)であったとすると、このときNチャネルTFT116Nのゲートに高電位側黒電圧Vbk(+)を給電すれば、NチャネルTFT116Nを介してデータ信号djを画素容量CLおよび蓄積容量CSに書き込むことができる。
【0075】
まず、期間T0において、走査信号GN0およびGP0がアクティブになると、図13に示す画素110-1のNチャネルTFT117NおよびPチャネルTFT117Pがオン状態となり、画素容量CLおよび蓄積容量CSへ白電圧Vwtが書き込まれる。この場合には、NチャネルTFT117Nのオン抵抗が十分低くなるので、画素容量CLおよび蓄積容量CSに蓄積された電荷は、NチャネルTFT117Nを介して放電される。これにより、画素110-1へデータ信号djが書き込まれる前に、画素電極電圧PX(1,j)を白電圧Vwtにリセットすることができる。
【0076】
そして、期間T1において、走査信号GN1がアクティブになると、画素110-1のNチャネルTFT116NおよびPチャネルTFT116Pがオン状態となり、画素容量CLおよび蓄積容量CSにデータ信号djが供給される。この期間T1におけるデータ信号djは、図に示すように高電位側黒電圧Vbk(+)である。この場合には、PチャネルTFT116Pのオン抵抗が十分低くなるので、データ信号djがPチャネルTFT116Pを介して画素容量CLおよび蓄積容量CSに書き込まれる。
【0077】
このように本実施形態においては、リセット用のスイッチング素子としてNチャネルTFTおよびPチャネルTFTを使用するとともに、書き込み用のスイッチング素子としてNチャネルTFTおよびPチャネルTFTを使用したので、走査信号の振幅をデータ信号の振幅と一致させることができる。この結果、液晶パネル100に高電位電圧Vgddと低電位電圧Vgssする必要がなくなり、電源回路400で発生させる電圧の種類を減らすことが可能となる。さらに、各画素110を低振幅の走査信号で駆動できるので、消費電力を低減することが可能となる。
【0078】
また、一般に、書き込み用のスイッチング素子としていわゆる相補型伝送ゲートの構成を採用すると、該伝送ゲートの入出力インピーダンスはゲート電圧の中間電位近辺が最も高くなるから、白レベルVwtの信号が最も書き込みにくいことになる。しかし、上述した構成および駆動方法を用いることにより、実質的に白レベルVwtの書き込み時間がおよそ倍になり、書き込みが十分行えるようになる。白レベルと黒レベルの差(Vdp=Vbk(+)−VwtとVdn=Vwt−Vbk(-))がTFTの閾値電圧(Vtn:NチャネルTFTの閾値電圧、Vtp:同PチャネルTFT)とが近いとき(Vdp≒Vtp、Vdn≒Vtn)、本願の効果は極めて大きくなる。
【0079】
<3.第3実施形態>
次に、第3実施形態に係わる電気光学装置について説明する。第1および第2実施形態の液晶パネル100にあっては、フレーム毎にすべての画素110に対してデータ信号の書き込みを行ったが、第3実施形態に係わる電気光学装置は、電圧の書き込みを行うかあるいは直前の電圧を保持するかを、行単位で選択できるようになっている。
【0080】
この電気光学装置は、画素110の詳細な構成、走査線112Nの他に走査線112Pおよびリセット線112RNを用いる点、走査線駆動回路130Aの代わりに走査線駆動回路130Cを用いる点、電源回路300において低電位電圧Vgssを生成しない点、およびタイミング信号生成回路200が生成する制御信号が異なる点を除いて、第1実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。
【0081】
<3−1:全体構成>
図15は、第3実施形態の液晶パネル100の主要部を示すブロック図である。この図に示すように、表示領域Aには、走査線112Nの他に、走査線112Pおよびリセット線112RNがX方向に延在して形成されている。そして、各走査線112Pには走査信号GP1〜GPmが供給され、リセット線112RNにはリセット信号RN1〜RNmが走査線駆動回路130Cから供給される。
【0082】
<3−2:走査線駆動回路>
図16は、走査線駆動回路130Cの構成を示す回路図である。走査線駆動回路130Cは、m個の単位回路Uy1〜Uym、複数のアドレス線Ly、および信号線Lc、Ldを備える。アドレス線Lyにはアドレス信号ADRS、信号線Lcにはイネーブル信号EN、信号線LdにはリセットパルスRSTが供給される。
【0083】
アドレス信号ADRSは、表示領域A中のある行を特定する。例えば、表示領域Aが256行であるならば、アドレス信号ADRSは、8ビットの信号でありアドレス線Lyは8本となる。また、イネーブル信号ENは、データ信号の書き込みを許可するか否かを行毎に指定するものであり、Hレベルでアクティブとなる。このイネーブル信号ENによって、ある行に属する画素110についてデータ信号の書き込みを行う一方、他の行に属する画素110についてはデータ信号の書き込みを禁止することが可能となる。さらに、リセットパルスRSTは、1H周期のパルスであって、アドレス信号ADRSによって指定されるアドレスが変化するタイミングに同期している。これらの制御信号は図示せぬタイミング信号生成回路200によって生成される。
【0084】
次に、単位回路Uy1はデコーダDCD1、Dフリップフロップ133、134、インバータ135、ノア回路136、およびバッファ回路137A、138を備えている。このうち、バッファ回路137Aには高電位側黒電圧Vbk(+)、および低電位側黒電圧Vbk(-)が給電される一方、バッファ回路138は高電位電圧Vgddおよび低電位側黒電圧Vbk(-)が給電される。そして、バッファ回路137Aの出力信号振幅は、Vbk(+)とVbk(-)との間で振れ、バッファ回路138の出力信号振幅は、VgddとVbk(-)との間で振れる。
【0085】
デコーダDCD1は組み合わせ論理回路によって構成されている。デコーダDCD1は、アドレス信号ADRSをデコードして、Hレベルでアクティブとなるデコード信号dcd1を生成する。Dフリップフロップ133は、イネーブル信号ENをデコード信号dcd1の立ち上がりエッジでラッチして信号ENB11を生成する。ノア回路136は、デコード信号dcd1と信号ENB11を反転した信号との論理和を反転して信号RSS1を生成する。
【0086】
上述したようにイネーブル信号ENは、データ信号の書き込み許可を示す信号であるから、これをデコード信号dcd1によってラッチすることによって、第1行の画素110についてデータ信号の書き込みが許可されているかが判る。つまり、信号ENB11は、第1行について書き込みが許可されている場合にアクティブとなる。また、信号RSS1は、第1行について書き込みが許可されており、かつ、アドレス信号ADRSが第1行を指定する期間においてアクティブとなる。バッファ138は、信号RSS1を反転したものをリセット信号RN1としてリセット線112RN−1に供給する。したがって、第1行について書き込みを行う場合には、必ずリセット信号RN1がアクティブとなる。
【0087】
次に、Dフリップフロップ134は信号ENB11をデコード信号dcd1の立ち下がりエッジでラッチして信号ENB12を生成する。したがって、アドレス信号ADRSが第1行を指定する期間が終了するタイミングで信号ENB12はアクティブ(Hレベル)となり、リセットパルスRSTが供給されると非アクティブ(Lレベル)となる。上述したようにリセットパルスRSTは1H周期のパルスであるから、信号ENB12は1H期間アクティブとなる。バッファ137Aは、信号ENB12を反転したものを走査信号GP1として走査線112P−1に供給する一方、信号ENB12と同相の走査信号GN1を走査線112N−1に供給する。したがって、リセット信号RN1のアクティブ期間が終了すると、走査信号GP1、GN1がアクティブとなる。
なお、他の単位回路Uy2〜Uymも、上述した単位回路Uy1と同様に構成されている。
【0088】
ここで、走査線駆動回路130Cの動作を具体的に説明する。図17は走査線駆動回路130Cの動作例を示すタイミングチャートである。この例では、第1行、第m行、第2行の順にアドレス信号ADRSの指定があり、第1フレーム(f1)においては、第1行と第2行についてデータ信号の書き込みを行い、第2フレーム(f2)においては、第m行についてデータ信号の書き込みを行うものとする。
【0089】
まず、期間T0においてイネーブル信号ENとデコード信号dcd1がアクティブになると、デコード信号dcd1の立ち上がりエッジに同期して信号ENB11がHレベルとなる。そして、デコード信号dcd1と信号ENB11とに基づいて信号RSS1が生成される。この場合、信号RSS1は期間T0においてアクティブとなる。一方、信号ENB12はデコード信号dcd1の立ち下がりエッジで信号ENB11をラッチしたものであるから、時刻t1からHレベルとなり、その後、Hレベルを維持し、時刻t2においてリセットパルスRSTがアクティブになると、HレベルからLレベルに遷移する。したがって、第1フレームにおいて、信号ENB11(走査信号GN1)はアクティブとなる。
【0090】
また、期間T2においてイネーブル信号ENとデコード信号dcdmがアクティブとなるので、上述した信号ENB11と同様に、第1フレームにおいて信号ENB22(走査信号GN1)はアクティブとなる。一方、デコード信号dcdmがアクティブとなる期間T1においてイネーブル信号ENは非アクティブとなっている。このため、第1フレームにおいては信号ENB2m(走査信号GNm)は非アクティブとなり、第m行の画素110にはデータ信号が書き込まれまいことになる。
【0091】
<3−3:画素の構成およびデータ信号の書き込み動作>
図18は第3実施形態にかかる画素110の詳細な構成を示す回路図であり、図15に示す表示領域Aの左端の列から数えて第j番目の列に該当する各画素110-1〜110-mの構成を示すものである。また、図19は、イネーブル信号ENがアクティブであるときの画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。図20は、イネーブル信号ENが非アクティブであるときの画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。
【0092】
ここで、画素110-1は、書き込み用のスイッチング素子として、NチャネルTFT116NおよびPチャネルTFT116Pを備え、また、リセット用のスイッチング素子としてNチャネルTFT117Nを備える。
【0093】
まず、イネーブル信号ENがアクティブの場合を想定する。図19に示すように期間T0において、リセット信号RN1がアクティブになると、画素110-1のNチャネルTFT117Nがオン状態となり、画素容量CLおよび蓄積容量CSへ白電圧Vwtが書き込まれる。リセット信号RN1のHレベルは、高電位側黒電圧Vbk(+)よりも高い高電位電圧Vgddである。したがって、この例では、画素電極電圧PX(1,j)の初期値は低電位側黒電圧Vbk(-)であるが、高電位側黒電圧Vbk(+)の場合にも十分書き込むことができる。これにより、画素110-1へデータ信号djが書き込まれる前に、画素電極電圧PX(1,j)を白電圧Vwtにリセットすることができる。
【0094】
次に、期間T1において、走査信号GN1およびGP1がアクティブになると、画素110-1のNチャネルTFT116NおよびPチャネルTFT116Pがオン状態となり、画素容量CLおよび蓄積容量CSにデータ信号djが供給される。この期間T1におけるデータ信号djは、図に示すように高電位側黒電圧Vbk(+)である。この場合には、PチャネルTFT116Pのオン抵抗が十分低くなるので、データ信号djがPチャネルTFT116Pを介して画素容量CLおよび蓄積容量CSに書き込まれる。
【0095】
走査信号GN1、GP1の振幅は、高電位側黒電圧Vbk(+)と低電位側黒電圧Vbk(-)との間で振れる。一方、データ信号djは高電位側黒電圧Vbk(+)と低電位側黒電圧Vbk(-)との2値を取り得るが、NチャネルTFT116NおよびPチャネルTFT116Pは相補的に動作する。このため、走査信号GN1、GP1によって、データ信号djを画素容量CLと蓄積容量CSに書き込むことができる。
【0096】
次に、イネーブル信号ENが非アクティブの場合には、図20に示すようにリセット信号RN1が常にHレベル(アクティブ)となる。したがって、NチャネルTFT117Nが常時オン状態となって、白電圧Vwtが常時、画素容量CLと蓄積容量CSに書き込まれることになる。このため、書き込みに用いる方のスイッチング素子であるTFTのオフリーク電流が比較的大きくとも、白レベルの印加電圧が変動することは無いので、再度白レベルの信号を書き直す必要が無い。
【0097】
このように本実施形態によれば、アドレス信号ADRSによって行を指定するとともにイネーブル信号ENによってデータ信号djの書き込みを行うか否かを指定するようにしたので、書き換えが必要となる行についてのみ、書き込みを行うことが可能となる。これにより低消費電力化が図れる。
【0098】
<4.第4実施形態>
次に、第4実施形態に係わる電気光学装置について説明する。この電気光学装置は、画素110の詳細な構成、リセット線112RNの他にリセット線112RPを用いる点、走査線駆動回路130Cの代わりに走査線駆動回路130Dを用いる点、電源回路300において高電位電圧Vgddを生成しない点を除いて、第3実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。
【0099】
図21は、第4実施形態の液晶パネル100の主要部を示すブロック図である。この図に示すように、表示領域Aには、リセット線112RNの他にリセット線112RPがX方向に延在して形成されている。そして、リセット線112RPにはリセット信号RP1〜RPmが走査線駆動回路130Dから供給される。
【0100】
走査線駆動回路130Dの詳細な構成を図22に示す。走査線駆動回路130Dが図16に示す走査線駆動回路130Cと相違するのは、バッファ回路138の代わりにバッファ回路137Bを用いる点だけである。バッファ回路137Bの詳細な構成はバッファ回路137Aと同様であり、そこには、高電位側黒電圧Vbk(+)と低電位側黒電圧Vbk(-)とが給電されるようになっている。したがって、本実施形態のリセット信号RN1〜RNmおよびRP1〜RPmは、Hレベルが高電位側黒電圧Vbk(+)となる一方、Lレベルが低電位側黒電圧Vbk(-)となる。なお、走査線駆動回路130Dの動作は、図17を参照しつつ説明した走査線駆動回路130Cの動作と同様であるため、説明を省略する。
【0101】
図23は第4実施形態にかかる画素110の詳細な構成を示す回路図であり、図21に示す表示領域Aの左端の列から数えて第j番目の列に該当する各画素110-1〜110-mの構成を示すものである。また、図24にイネーブル信号ENがアクティブの場合のタイミングチャートを示す一方、図25にイネーブル信号ENが非アクティブの場合のタイミングチャートを示す。
まず、第4実施形態の画素110が図18に示す第3実施形態の画素110と相違するのは、リセット用のスイッチング素子として、NチャネルTFT117Nの他にPチャネルTFT117Pを用いる点である。すなわち、本実施形態では、NチャネルTFT117NおよびPチャネルTFT117Pの相補的な動作によって、白電圧Vwtを画素容量CLと蓄積容量CSへ書き込むことになる。
【0102】
このため、リセット信号RN1の他にリセット信号RP1が必要となるが、これらの振幅は、図24に示すように、画素電極電圧PX(1,j)の取り得る最大値である高電位側黒電圧Vbk(+)から、最小値である低電位側黒電圧Vbk(-)まで振れれば足りる。
【0103】
この結果、液晶パネル100に高電位電圧Vgddと低電位電圧Vgssする必要がなくなり、電源回路400で発生させる電圧の種類を減らすことが可能となる。さらに、各画素110を低振幅のリセット信号で駆動できるので、消費電力を低減することが可能となる。
【0104】
<5.液晶パネルの機械的構成>
次に、上述した各実施形態に用いる液晶パネルの構造について、図26および図27を参照して説明する。ここで、図26は、液晶パネル100の構成を示す平面図であり、図27は、図26におけるZ−Z’線の断面図である。
【0105】
これらの図に示されるように、液晶パネル100は、画素電極118などが形成された素子基板101と、対向電極108などが形成された対向基板102とが、互いにシール材104によって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶105が挟持された構造となっている。なお、実際には、シール材104には切欠部分があって、ここを介して液晶105が封入された後、封止材106により封止される。
【0106】
ここで、素子基板101としては、ガラス基板の他に半導体基板を用いることができる。また、上述したように各画素110は複数のTFTを備えるから、透過型のパネルとすると、開口率が低下してしまう。このため、画素電極118は、アルミニウムなどの反射性金属によって形成し、液晶パネル100を、反射型として用いることが望ましい。これに対して、対向基板102は、ガラスなどから構成されるので透明である。
【0107】
ここで、素子基板101の対向面であって、シール材104の外側一辺においては、上述したデータ線駆動回路140が形成されいる。さらに、この一辺には複数の接続電極107が形成されており、そこにはタイミング信号生成回路200からの各種信号が供給される。また、この一辺に隣接する2辺には、2個の走査線駆動回路130が形成されている。なお、走査線112に供給される走査信号の遅延が問題にならないのであれば、走査線駆動回路130を片側1個だけに形成する構成でも良い。
【0108】
一方、対向基板102の共通電極108は、素子基板101との貼合部分における4隅のうち、少なくとも1箇所において設けられた導通材によって、素子基板101との電気的導通が図られている。ほかに、対向基板102には、液晶パネル100の用途に応じて、例えば、第1に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第2に、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクスが設けられ、第3に、液晶パネル100に光を照射するバックライトが設けられる。特に色光変調の用途の場合には、カラーフィルタは形成されずにブラックマトリクスが対向基板102に設けられる。
【0109】
くわえて、素子基板101および対向基板102の対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜などが設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光板(図示省略)がそれぞれ設けられる。ただし、液晶105として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜、偏光板等が不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。
【0110】
なお、駆動回路120等の周辺回路の一部または全部を、素子基板101に形成する代わりに、例えば、TAB(Tape Automated Bonding)技術を用いてフィルムに実装された駆動用ICチップを、素子基板101の所定位置に設けられる異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良いし、駆動用ICチップ自体を、COG(Chip On Grass)技術を用いて、素子基板101の所定位置に異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良い。
【0111】
また、上述した実施形態ではアクティブマトリクス型液晶表示装置を一例として説明したが、これに限られず、STN(Super Twisted Nematic)液晶などを用いたパッシィブ型にも適用可能である。さらに、電気光学材料としては、液晶のほかに、エレクトロルミネッセンス素子などを用いて、その電気光学効果により表示を行う表示装置にも適用可能である。すなわち、本発明は、上述した液晶表示装置と類似の構成を有するすべての電気光学装置に適用可能である。
【0112】
<6.電子機器>
次に、上述した液晶装置を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
<6−1:プロジェクタ>
まず、実施形態に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図28は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ1100内部には、偏光照明装置1110がシステム光軸PLに沿って配置している。この偏光照明装置1110において、ランプ1112からの出射光は、リフレクタ1114による反射で略平行な光束となって、第1のインテグレータレンズ1120に入射する。これにより、ランプ1112からの出射光は、複数の中間光束に分割される。この分割された中間光束は、第2のインテグレータレンズを光入射側に有する偏光変換素子1130によって、偏光方向がほぼ揃った一種類の偏光光束(s偏光光束)に変換されて、偏光照明装置1110から出射されることとなる。
【0113】
さて、偏光照明装置1110から出射されたs偏光光束は、偏光ビームスプリッタ1140のs偏光光束反射面1141によって反射される。この反射光束のうち、青色光(B)の光束がダイクロイックミラー1151の青色光反射層にて反射され、反射型の電気光学装置100Bによって変調される。また、ダイクロイックミラー1151の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光(R)の光束は、ダイクロイックミラー1152の赤色光反射層にて反射され、反射型の電気光学装置100Rによって変調される。一方、ダイクロイックミラー1151の青色光反射層を透過した光束のうち、緑色光(G)の光束は、ダイクロイックミラー1152の赤色光反射層を透過して、反射型の電気光学装置100Gによって変調される。
【0114】
このようにして、電気光学装置100R、100G、100Bによってそれぞれ色光変調された赤色、緑色、青色の光は、ダイクロイックミラー1152、1151、偏光ビームスプリッタ1140によって順次合成された後、投写光学系1160によって、スクリーン1170に投写されることとなる。なお、電気光学装置100R、100Gおよび100Bには、ダイクロイックミラー1151、1152によって、R、G、Bの各原色に対応する光束が入射するので、カラーフィルタは必要ない。
【0115】
<6−2:モバイル型コンピュータ>
次に、上記電気光学装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図29は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、表示ユニット1206とから構成されている。この表示ユニット1206は、先に述べた電気光学装置100の前面にフロントライトを付加することにより構成されている。
【0116】
なお、この構成では、電気光学装置100を反射直視型として用いることになるので、画素電極118において、反射光が様々な方向に散乱するように、凹凸が形成される構成が望ましい。
【0117】
<6−3:携帯電話>
さらに、上記電気光学装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図30は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302のほか、受話口1304、送話口1306とともに、電気光学装置100を備えるものである。この電気光学装置100にも、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。また、この構成でも、電気光学装置100が反射直視型として用いられることになるので、画素電極118に凹凸が形成される構成が望ましい。
【0118】
なお、電子機器としては、図28〜図30を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対して、実施形態に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。
【0119】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、データ線に印加される信号が2値化されて、高品位な階調表示が可能となる。また、簡易な構成で各種の液晶に対応させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態に係わる電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図2】 第1実施形態に係わる電気光学パネルに用いる画素110の詳細な構成を示す回路図である。
り、(a)、(b)、および(c)は、同電気光学装置におけるVon期間、Voff期間およびサブフィールドの概念を説明するための図である。
【図3】 液晶の電圧実効値と相対透過率との関係を示す図である。
【図4】 画像データDが3ビットである場合における1フレームの分割の態様を示す図である。
【図5】 同電気光学装置におけるデータ線駆動回路140の構成を示すブロック図である。
【図6】 データ線駆動回路140のセレクタSLT1における選択動作を示す真理値表である。
【図7】 画像データDと、ある画素110における画素電極118への印加波形を示すタイミングチャートである。
【図8】 走査線駆動回路130Aの構成を示すブロック図である。
【図9】 同電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図10】 画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図11】 第2実施形態の液晶パネル100の主要部を示すブロック図である。
【図12】 同実施形態の走査線駆動回路130Bの構成を示す回路図である。
【図13】 同実施形態にかかる画素110の詳細な構成を示す回路図である。
【図14】 同画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図15】 第3実施形態の液晶パネル100の主要部を示すブロック図である。
【図16】 同実施形態の走査線駆動回路130Cの構成を示す回路図である。
【図17】 同走査線駆動回路130Cの動作例を示すタイミングチャートである。
【図18】 同実施形態にかかる画素110の詳細な構成を示す回路図である。
【図19】 イネーブル信号がアクティブの場合における画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図20】 イネーブル信号が非アクティブの場合における画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図21】 第4実施形態の液晶パネル100の主要部を示すブロック図である。
【図22】 同実施形態の走査線駆動回路130Dの構成を示す回路図である。
【図23】 同実施形態にかかる画素110の詳細な構成を示す回路図である。
【図24】 イネーブル信号がアクティブの場合における画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図25】 イネーブル信号が非アクティブの場合における画素110への書き込み動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図26】 同液晶パネル100の構造を示す平面図である。
【図27】 同液晶パネル100の構造を示す断面図である。
【図28】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
【図29】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図30】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
100……液晶パネル
110……画素
112N、112P……走査線
114……データ線
SL……容量線
118……画素電極
CS……蓄積容量
130A〜130D……走査線駆動回路
140……データ線駆動回路
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optical panel and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art]
An electro-optical device, for example, a liquid crystal display device using liquid crystal as an electro-optical material, is widely used as a display device in place of a cathode ray tube (CRT) in a display unit of various information processing devices, a liquid crystal television, and the like.
[0003]
Here, the conventional electro-optical device is configured as follows, for example. In other words, a conventional electro-optical device includes a pixel electrode arranged in a matrix, an element substrate provided with a switching element such as a TFT (Thin Film Transistor) connected to the pixel electrode, and a pixel electrode. It is composed of a counter substrate on which counter electrodes facing each other are formed, and a liquid crystal as an electro-optic material filled between the two substrates. In such a configuration, when a scanning signal is applied to the TFT through the scanning line, the TFT becomes conductive. In this conductive state, when an image signal having a voltage corresponding to the gradation is applied to the pixel electrode through the data line, a charge corresponding to the voltage of the image signal is applied to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the counter electrode. Accumulated. After the charge accumulation, even if the TFT is turned off, the charge accumulation in the liquid crystal layer is maintained by the pixel capacitance of the liquid crystal layer itself. In this way, when each TFT is driven and the amount of charge to be stored is controlled according to the gradation, the alignment state of the liquid crystal changes for each pixel, so that the density changes for each pixel. For this reason, gradation display is possible.
[0004]
At this time, since the charge may be accumulated in the liquid crystal layer of each pixel during a part of the period, first, each scanning line is sequentially selected by the scanning line driving circuit, and secondly, the scanning line selection period. In this configuration, the data lines are sequentially selected by the data line driving circuit, and thirdly, the scanning lines and the data lines are shared by a plurality of pixels by sampling an image signal having a voltage corresponding to the gradation on the selected data lines. Time-division multiplexed drive is possible.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the period in which the TFT is turned on, in order to sufficiently write the data line voltage to the pixel capacitor, it is necessary to apply a potential higher than the potential of the data line to the gate of the TFT. On the other hand, in a period in which the TFT is in an off state, it is necessary to apply a potential lower than the potential that the data line can take in order to reduce the leakage of accumulated charges.
[0006]
Since the on / off control of the TFT is performed by the scanning signal, it is necessary to prepare a voltage source different from the data line driving circuit in order to drive the scanning line driving circuit, and there is a problem that the configuration becomes complicated. It was. In addition, since the scanning line driving circuit must be driven at a high voltage, there is a problem that power consumption is increased.
[0007]
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is an electro-optical panel having a simple configuration and low power consumption, and further an electronic apparatus using the electro-optical panel. Is to provide.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The electro-optical panel of the present invention includes a plurality of data lines and a plurality of scanning lines, and a plurality of pixels are arranged corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. The pixel includes a pixel capacitor formed between the pixel electrode and the counter electrode;
A writing unit provided between one data line and the pixel electrode, and writing a data signal supplied to the data line to the pixel capacitor based on a scanning signal supplied to the one scanning line; Resetting means for resetting the voltage of the pixel electrode to a predetermined reset voltage.
[0009]
According to this invention, each pixel can set the voltage of the pixel electrode to the reset voltage at a desired timing by the reset means. Here, if the electro-optical material used for the electro-optical panel is a liquid crystal, the application of a DC voltage to the liquid crystal causes burn-in and the like, which degrades its characteristics. Therefore, it is necessary to perform so-called AC driving. is there. For this reason, it is necessary to reverse the polarity of the voltage of the pixel electrode at a predetermined cycle with the voltage of the counter electrode as the center. If the voltage of the pixel electrode is reset immediately before writing by the writing means by making the reset voltage coincide with the voltage of the counter electrode, the necessary voltage can be sufficiently written to the pixel capacitor even if the writing period is short. .
[0010]
Here, the electro-optical panel includes scanning means for supplying the scanning signal to some or all of the plurality of scanning lines based on an enable signal that indicates a row in which writing of the data signal is permitted. There may be. According to the present invention, data signal writing can be controlled in units of rows.
[0011]
The electro-optical panel includes a plurality of capacitor lines, and the pixel includes a storage capacitor in which the pixel electrode and one terminal are connected, and the capacitor line and the other terminal are connected. A first switching element provided between the one data line and the pixel electrode and controlled to be turned on / off based on a scanning signal supplied to the one scanning line, and the reset means A second switching element provided between the pixel electrode and the capacitor line may be provided. In this case, the reset voltage is supplied to the capacitor line, and the reset voltage is supplied to the pixel electrode by the second switching element.
[0012]
Here, it is preferable that on / off of the second switching element is controlled based on a scanning signal supplied to a scanning line adjacent to the one scanning line. According to the present invention, since it is not necessary to provide a special wiring for supplying the reset signal, the configuration can be simplified.
[0013]
The electro-optical panel may include a plurality of reset lines, and the second switching element may be controlled to be turned on / off based on a reset signal supplied to the reset line.
[0014]
The electro-optical panel includes a plurality of capacitance lines, and two scanning lines are used as one set to supply a scanning signal and an inverted scanning signal to the pixels in each row. And a storage capacitor to which the capacitor line and the other terminal are connected, and the writing means is provided between the one data line and the pixel electrode, and is a set of scans. A first N-channel transistor that is controlled to be turned on / off based on a signal; and a first P-channel transistor that is controlled to be turned on / off based on the set of inverted scanning signals. A second N-channel transistor and a second P-channel transistor provided in parallel between the electrode and the capacitor line may be provided. According to the present invention, the first N-channel transistor and the first P-channel transistor can be operated in a complementary manner, and the second N-channel transistor and the second P-channel transistor can be operated in a complementary manner. Can be reduced in amplitude. As a result, the power consumption of the electro-optical panel can be reduced.
[0015]
Here, the second N-channel transistor is controlled to be turned on / off based on a scanning signal supplied to a selected row immediately before selecting a row including the pixel, and the second P-channel transistor is controlled by the scanning signal. On / off may be controlled based on an inverted scanning signal corresponding to. According to the present invention, since it is not necessary to provide special wiring for controlling the second N-channel transistor and the second P-channel transistor, the configuration can be simplified.
[0016]
The electro-optical panel includes a plurality of reset line pairs that supply reset signals and inverted reset signals to the pixels in each row, and the second N-channel transistor is controlled to be turned on / off based on the reset signal. The 2P channel transistor may be turned on / off based on an inverted reset signal corresponding to the reset signal. According to this configuration, the reset signal and the inverted reset signal can be supplied independently of the scanning signal and the inverted scanning signal.
[0017]
The reset voltage preferably matches the voltage of the counter electrode.
[0018]
Next, a scanning line driving circuit of the present invention includes a plurality of data lines, a plurality of scanning lines, and a plurality of reset lines, and a plurality of scanning lines corresponding to the intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. Used for the electro-optical panel in which the pixels are arranged, an address signal designating a row to be selected and an enable signal designating a row permitting writing of the data signal supplied to the data line are supplied from the outside. A plurality of unit circuits corresponding to each row, wherein the unit circuit decodes the address signal and outputs a decode signal, and a period in which both the enable signal and the decode signal are active. A reset signal generation circuit for generating an active reset signal, and a period after the reset signal is switched from active to inactive Only those and a scanning signal generating circuit for generating a scanning signal which becomes active.
[0019]
According to the present invention, it is not necessary to write data signals for all pixels, data signals can be written only for a certain row, and the reset signal is activated before the scanning signal is activated. It becomes possible to do. Thereby, even if the active period of the scanning signal is short, the data signal can be reliably written to the pixel.
[0020]
Here, the reset signal generation circuit latches the enable signal at a timing when the decode signal becomes active, generates a first control signal, and outputs the first control signal to the decode signal and the first control signal. A first generation circuit that generates the reset signal based on the first signal, and the scanning signal generation circuit latches the first control signal at a timing when the decode signal switches from active to inactive, and the result is obtained for a certain period of time. It is desirable to include a second flip-flop circuit that resets after elapses and a second generation circuit that generates the scanning signal based on an output signal of the second flip-flop circuit.
[0021]
The reset signal generation circuit generates an inverted reset signal obtained by inverting the reset signal in addition to the reset signal, and the scanning signal generation circuit is an inverted scanning signal obtained by inverting the scanning signal in addition to the scanning signal. May be generated.
[0022]
Next, in the electro-optical panel driving method of the present invention, the plurality of data lines, the plurality of scanning lines, and the intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines are arranged. An electro-optical device having a plurality of pixels, each pixel including a pixel electrode, a writing unit that writes a voltage to the pixel electrode, and a reset unit that resets the voltage of the pixel electrode to a predetermined reset voltage A reset step of resetting the voltage of the pixel electrode to the reset voltage using the reset unit; and controlling the writing unit by supplying a scan signal to the scan line to control the data A writing step of writing a data signal supplied via a line to the pixel electrode;
It is characterized by providing. According to the present invention, the data signal is written by the value setting stage and the writing stage.
[0023]
Here, the writing step is performed only for pixels belonging to some rows, while for pixels belonging to other rows, the voltage of the pixel electrode is constantly set to the reset voltage using the reset unit. It may be reset.
[0024]
Next, an electronic apparatus of the present invention includes the above-described electro-optical panel, and corresponds to, for example, a video projector, a notebook computer, a mobile phone, a car navigation device, and the like.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
<1. First Embodiment>
<1-1: Overall configuration>
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention. The electro-optical device includes a liquid crystal panel 100, a timing signal generation circuit 200, a data conversion circuit 300, and a power supply circuit 400.
[0026]
First, the liquid crystal panel 100 includes a display area A on which an image is formed, a scanning line driving circuit 130A, and a data line driving circuit 140. The liquid crystal panel 100 has a configuration in which liquid crystal as an electro-optical material is sandwiched between an element substrate and a counter substrate. A counter electrode is formed on the counter substrate, and a white voltage Vwt is fed as a common voltage thereto. The liquid crystal panel 100 operates in a normally white mode, and is configured so that the transmittance is maximized in a state where no voltage is applied to the liquid crystal.
[0027]
In the display area A on the element substrate, a plurality of scanning lines 112N are formed extending in the X (row) direction in the figure, and a plurality of data lines 114 are arranged along the Y (column) direction. It is formed to extend. In addition, a plurality of capacitor lines SL are formed in the display area A so as to extend in the X (row) direction. The respective capacitor lines SL are connected to each other, and a white voltage Vwt is supplied thereto.
[0028]
The pixel 110 is arranged corresponding to each intersection of the scanning line 112N and the data line 114. In the present embodiment, the total number of scanning lines 112N is m + 1, the total number of data lines 114 is n, and the total number of capacitance lines SL is m (m and n are each an integer of 2 or more), m rows × An n-column matrix display device will be described.
[0029]
Next, the timing signal generation circuit 200 generates various timing signals, clock signals, and the like according to a vertical scanning signal Vs, a horizontal scanning signal Hs, and a dot clock signal DCLK supplied from a host device (not shown).
[0030]
Next, the power supply circuit 400 generates various voltages and supplies power to the liquid crystal panel 100 and the timing signal generation circuit 200. The scanning line driving circuit 130A of the present embodiment operates with the high potential side voltage Vgdd and the low potential side voltage Vgss, while the data line driving circuit 140 has the positive side black voltage Vbk (+), the white voltage Vwt, and the negative side. Operates with side black voltage Vbk (-) etc. Here, the positive side black voltage Vbk (+) and the negative side black voltage Vbk (−) are obtained by reversing the polarity with the white voltage Vwt as the center voltage. The power supply circuit 400 generates these voltages and supplies power to the liquid crystal panel 100.
[0031]
<1-2: Pixel configuration>
Next, a specific configuration of the pixel 110 will be described. FIG. 2 is a circuit diagram showing the detailed configuration of the pixel 110, and the configuration of each of the pixels 110-1 to 110-m corresponding to the jth column counted from the leftmost column of the display area A shown in FIG. Is shown.
[0032]
Here, the pixel 110-1 includes N-channel TFTs 116N and 117N, a pixel electrode 118, and a storage capacitor CS. The pixel electrode 118 constitutes a pixel capacitor CL together with a common electrode and liquid crystal formed on the counter substrate. The storage capacitor CS shown in the figure is described as an element independent of the pixel electrode 118 and the capacitor line SL, but the actual structure is as follows. First, a capacitor line SL having a certain width is formed on the element substrate in the X direction, and a pixel electrode 118 is formed thereon via an insulating layer. In this case, the storage capacitor CS is formed in a region where the pixel electrode 118 and the capacitor line SL overlap, and is configured by the overlapping pixel electrode 118, the capacitor line SL, and the insulating film. Of course, the storage capacitor CS may be formed by sandwiching an insulating film between some of the electrodes connected to the pixel electrode 118 and the capacitor line SL.
[0033]
Next, the source of the N-channel TFT 116N is connected to the data line 114, its drain is connected to the pixel electrode 118, and its gate is connected to the scanning line 112N-1. Therefore, the N-channel TFT 116N is controlled to be turned on / off by the scanning signal GN1. As a result, when the scanning signal GN1 becomes active, the N-channel TFT 116N is turned on, and the voltage of the data line 114 is written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS. In the following description, the voltage of the pixel electrode 118 is represented by PX (i, j) in the pixel 110 in i row and j column.
[0034]
By the way, since the liquid crystal has a property that its characteristics deteriorate when a DC voltage is applied, the liquid crystal is usually driven by alternating current driving. For this reason, the polarity of the voltage applied to the pixel electrode 118 needs to be reversed with a common voltage as a reference at a certain period. On the other hand, since the period during which the voltage is written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS is limited to the period during which the scanning signal GN is active (scan line selection period), the writing must be completed during the period.
[0035]
However, when the polarity inversion described above is performed, the voltage change width is large, so that it becomes difficult to write a necessary voltage to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS when the scanning line selection period is shortened.
[0036]
Therefore, in the present embodiment, the voltage of the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS is reset to the white voltage Vwt immediately before the scanning line selection period. The N-channel TFT 117N is an element provided for this purpose.
[0037]
The N-channel TFT 117N has a source connected to the pixel electrode 118, a drain connected to the capacitor line SL, and a gate connected to the scanning line 112N-0. The N-channel TFT 117N is controlled to be turned on / off by the scanning signal GN0. The scanning signals GN0 to GNm become active in the order of GN0 → GN1 → GN2... → GNm. Therefore, before the scanning line 112N-1 is selected, the N-channel TFT 117N is turned on, and the pixel electrode voltage PX (1, j) is reset to the white voltage Vwt. As a result, even when the scanning line selection period is short, the voltage of the data line 114 can be sufficiently written into the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS.
[0038]
<1-3: Data conversion circuit>
Next, the data conversion circuit 300 will be described. The data conversion circuit 300 converts the 3-bit image data D, generates a 1-bit binary signal Ds, and supplies it to the data line driving circuit 140.
[0039]
<1-3-1: Subfield>
First, before describing the data conversion circuit 300 in detail, the concept of a subfield which is a premise of the electro-optical device according to the present embodiment will be described. In general, in a liquid crystal device using liquid crystal as an electro-optic material, the effective voltage applied to the liquid crystal layer (when the voltage is constant and the on-voltage pulse width is changed) and the relative transmittance (or reflectance) This relationship is as shown in FIG. 3 in the case of a normally white mode in which white display is performed when no voltage is applied. That is, as the effective voltage value applied to the liquid crystal layer increases, the transmittance decreases nonlinearly and becomes saturated. The relative transmittance here is normalized by setting the minimum value and the maximum value of the transmitted light amount to 0% and 100%, respectively.
[0040]
Here, it is assumed that the electro-optical device according to the present embodiment performs eight gradation display, and the image data D indicated by 3 bits indicates the transmittance shown in FIG. At this time, the effective voltage values applied to the liquid crystal layer at the intermediate transmittance excluding the transmittance of 0% and the transmittance of 100% are V1, V2,..., V6, respectively.
[0041]
In the electro-optical device according to the present embodiment, first, a configuration is adopted in which the voltage instantaneously applied to the liquid crystal layer is, for example, one of a voltage VL corresponding to the L level and a voltage VH corresponding to the H level. To do. On the other hand, in this configuration, if the voltage VL is applied to the liquid crystal layer over the entire period of one frame (1f), the display is turned off during the entire period, so that the transmittance is 100%.
[0042]
Further, by controlling the ratio of the period in which the voltage VL is applied to the liquid crystal layer and the period in which the voltage VH is applied in one frame period, the effective voltage applied to the liquid crystal layer is V1, V2,. If so, gradation display corresponding to the voltage becomes possible. Even if the effective voltage applied to the liquid crystal layer exceeds V7, the transmittance is 0% because of saturation. Therefore, in the electro-optical device according to the present embodiment, secondly, one frame period is divided into a plurality of periods, and the voltage VL is applied to the liquid crystal layer for each period or the voltage VH is set based on the image data. Whether to apply the voltage is determined, and thereby the effective voltage Vd is applied to the liquid crystal layer. In the following description, a plurality of divided periods will be referred to as subfields.
[0043]
In the present embodiment, one frame is divided into a number of periods corresponding to the number of bits of the image data D. FIG. 4 shows how one frame is divided when the image data D is 3 bits. In this example, one frame is composed of subfields Sf1, Sf2, and Sf3. The subfield Sf1 corresponds to the LSB of the image data D, the subfield Sf2 corresponds to the middle bit of the image data D, and the subfield Sf3 corresponds to the MSB of the image data D.
[0044]
When the image data D of a certain pixel is (001) (that is, when gradation display is performed with the transmittance of the pixel being 85.7%), in the subfield Sf1 in one frame (1f) period, While the voltage VH is applied to the liquid crystal layer of the pixel, the voltage VL is applied in another period. In this case, the period of the subfield Sf1 is set as a period during which a voltage value such as V1 can be applied as an effective voltage.
[0045]
In addition, when the image data D is (010) (that is, when gradation display is performed with the transmittance of the pixel being 71.4%), in the subfield Sf2 during the one frame (1f) period, While the voltage VH is applied to the liquid crystal layer of the pixel, the voltage VL is applied in other periods. Here, the period of the subfield Sf2 is set as a period during which a voltage value such as V2 can be applied as an effective voltage.
[0046]
Similarly, when the image data D is (100) (that is, when gradation display is performed with the transmittance of the pixel being 42.9%), in the subfield Sf3 in one frame (1f) period, While the voltage VH is applied to the liquid crystal layer of the pixel, the voltage VL is applied in another period.
[0047]
Thus, since one frame is divided into three subfields Sf1, Sf2, and Sf3, whether to apply the voltage VH or the voltage VL to the liquid crystal layer in each subfield is determined according to the image data D. Although the voltage applied to the liquid crystal layer is binary of VL and VH, gradation display corresponding to each transmittance is possible.
[0048]
<1-3-2: Details of data conversion circuit>
In order to write the H level or the L level according to the gradation for each of the subfields Sf1 to Sf3, it is necessary to convert the image data D corresponding to the pixel in some form. The data conversion circuit 300 shown in FIG. 1 is provided for this purpose, and has a frame memory as a main part.
[0049]
The image data D is temporarily stored in the frame memory, read according to a predetermined rule, and converted into a binary signal Ds. Here, it is assumed that the image data D corresponding to the pixel 110 in the i row and the j column is represented by D (i, j), and the LSB, the middle bit, and the MSB of D (i, j) are represented by D0 (i, j). , D1 (i, j) and D2 (i, j).
[0050]
The image data D stored in the frame memory is read bit by bit in the following order. First, in the subfield Sf1, D0 (1,1), D0 (1,2),..., D0 (1, n), D0 (2,1), D0 (2,2),. , n),..., D0 (m, n), and so on, the LSB of the image data D is read out. Next, in the subfield Sf2, the middle bit D1 (i, j) of the image data D and further in the subfield Sf3, D2 (i, j) which is the MSB of the image data D are the same as in the subfield Sf1. Is read out.
[0051]
Since the binary signal Ds needs to be output in synchronization with the operations in the scanning line driving circuit 130A and the data line driving circuit 140, the data conversion circuit 300 receives the start pulses DY and DX and the horizontal scanning. A clock signal CLY to be synchronized and a clock signal CLX corresponding to a dot clock signal are supplied.
[0052]
<1-4: Data Line Drive Circuit>
Next, the data line driving circuit 140 will be described. FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of the data line driving circuit 140. As shown in this figure, the data line driving circuit 140 includes a shift register 141, signal supply lines La and Lb, and selectors SLT1 to SLTn.
[0053]
First, the shift register 141 sequentially transfers the start pulse DX according to the clock signal CLX to generate shift signals S1 to Sn that are active at the H level.
[0054]
Next, the binary signal Ds is supplied to the signal supply line La, while the frame signal FR is supplied to the signal supply line Lb. The frame signal FR becomes H level in odd frames and becomes L level in even frames.
[0055]
Next, the selectors SLT1 to SLTn select the positive-side black voltage Vbk (+), the white voltage Vwt, and the negative-side black voltage Vbk (−) based on the binary signal Ds, the frame signal FR, and the shift signals S1 to Sn. One voltage is selected from these, and supplied to the data line 114 as data signals d1 to dn.
[0056]
When the selector SLT1 is picked up, the selection operation is performed according to the truth table shown in FIG. The other selectors SLT2 to SLTn perform the same selection operation. As shown in this truth table, when the shift signal S1 is inactive (L level), the data signal d1 becomes the white voltage Vwt, while when the shift signal S1 is active (H level), the selector SLT1 is binary. A selection operation is performed based on the signal Ds and the frame signal FR.
[0057]
Further, when the shift signal S1 is active, the selector SLT1 selects the white voltage Vwt if the binary signal Ds is L level (when the digit indicates “0”), while the binary signal Ds is H level. If the digit indicates “1”, one of the positive black voltage Vbk (+) and the negative black voltage Vbk (−) is selected based on the frame signal FR. The data signal d1 becomes the positive black voltage Vbk (+) when the binary signal Ds is at the H level, the frame signal FR is at the H level, and the shift signal S1 is at the H level. On the other hand, the data signal d1 becomes the negative side black voltage Vbk (−) when the binary signal Ds is at the H level, the frame signal FR is at the L level, and the shift signal S1 is at the H level.
[0058]
FIG. 7 is a timing chart showing the image data D and the waveform applied to the pixel electrode 118 in a certain pixel 110. For example, when the frame signal FR is at the H level and the image data D is (001), the pixel electrode 118 of the pixel has a high-potential-side black voltage in the subfield Sf1, as shown in FIG. Vbk (+) is written.
[0059]
Thus, the data signals d1 to dn supplied to the data line 114 are only the high potential side black voltage Vbk (+), the white voltage Vwt, and the low potential side black voltage Vbk (-). Therefore, a peripheral circuit such as a drive circuit does not require a circuit for processing an analog signal such as a high-precision D / A conversion circuit or an operational amplifier. Therefore, the circuit configuration is greatly simplified, and the overall cost of the apparatus can be kept low. Further, since display unevenness due to non-uniformity such as element characteristics and wiring resistance does not occur in principle, the electro-optical device according to the present embodiment enables high-quality and high-definition gradation display. .
[0060]
<1-5: Scanning line driving circuit>
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of the scanning line driving circuit 130A. As shown in this figure, the scanning line driving circuit 130A includes a shift register 131 and level conversion circuits LVC1 to LVCm. The shift register 131 transfers the start pulse DY supplied at the beginning of the subfield in accordance with the clock signal CLY. Further, the level conversion circuits LVC1 to LVCm are supplied with the high potential side voltage Vgdd and the low potential side voltage Vgss. The level conversion is performed on each output signal of the shift register 131 and the scanning signal is supplied to each scanning line 112N. G0, G1, G2,..., Gm are supplied. As a result, the H level of the scanning signals G0 to Gm becomes the high potential side voltage Vgdd, while the L level thereof becomes the low potential side voltage Vgss.
[0061]
<1-6: Overall operation>
Next, the operation of the electro-optical device according to the above-described embodiment will be described. FIG. 9 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device.
First, the frame signal FR is a signal whose level is inverted every frame (1f). On the other hand, the start pulse DY is supplied at the start of each of the subfields Sf1 to Sf3.
[0062]
Here, when the start pulse DY is supplied in one frame (1f) in which the frame signal FR is at L level, the scanning signal G0 is transferred by the transfer according to the clock signal CLY in the scanning line driving circuit 130A (see FIG. 1). , G1, G2, G3,..., Gm are sequentially output exclusively in the period (t). The period (t) is set to a period shorter than the shortest subfield.
[0063]
The scanning signals G0, G1, G2,..., Gm each have a pulse width corresponding to a half cycle of the clock signal CLY, and the scanning signals corresponding to the first scanning line 112N-0 counted from above. G0 is configured to be output with a delay of at least a half cycle of the clock signal CLY after the clock signal CLY first rises after the start pulse DY is supplied.
[0064]
On the other hand, when the start pulse DX is supplied to the data line driving circuit 140, the data line driving circuit 140 transfers the start pulse DX according to the clock signal CLX, and horizontally scans the shift signals S1, S2, S3,. Output sequentially and exclusively during the period (1H). Note that the shift numbers S1, S2, S3,..., Sn each have a pulse width corresponding to a half cycle of the clock signal CLX.
[0065]
<1-7: Writing Operation to Pixel>
FIG. 10 is a timing chart for explaining the writing operation to the pixel 110. First, in the period T0, when the scanning signal GN0 becomes active, the N-channel TFT 117N of the pixel 110-1 shown in FIG. 2 is turned on, and the white voltage supplied to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS via the capacitor line SL. Vwt is written. Therefore, the pixel electrode voltage PX (1, j) increases from the low potential side black voltage Vbk (−) from time t0 and reaches the white voltage Vwt before reaching time t1. Accordingly, the pixel electrode voltage PX (1, j) can be reset to the white voltage Vwt before the data signal dj is written to the pixel 110-1.
[0066]
Then, when the scanning signal GN1 becomes active in the period T1, the N-channel TFT 116N of the pixel 110-1 is turned on, and the data signal dj is supplied to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS. The data signal dj in this period T1 is the high potential side black voltage Vbk (+) as shown in the figure. Therefore, the pixel electrode voltage PX (1, j) rises from the white voltage Vwt from time t1, and reaches the high potential side black voltage Vbk (+) before reaching time t2.
[0067]
As described above, in this embodiment, the pixel electrode voltage PX (i, j) is once reset to the white voltage Vwt before writing the data signal dj to a certain pixel 110. Therefore, even when the active period of the scanning signal is short. This makes it possible to reliably write the necessary voltage. Further, when the N-channel TFT 116N for writing is controlled by the scanning signal GNi, the N-channel TFT 117N for resetting is controlled by the scanning signal GNi-1, so that there is an advantage that it is not necessary to provide a special signal line for resetting. .
[0068]
Further, when the amplitude of the data signal dj changes from the low potential side black voltage Vbk (−) to the high potential side black voltage Vbk (+), the low logic level of the scanning signals GN0 to GN is the low potential side black voltage Vbk. While the low potential voltage Vgss is lower than (−), the high logic level is the higher potential voltage Vgdd higher than the high potential side black voltage Vbk (+). Therefore, the data signal dj can be reliably written.
[0069]
<2. Second Embodiment>
Next, an electro-optical device according to the second embodiment will be described. This electro-optical device has a detailed configuration of the pixel 110, a point that the scanning line 112P is used in addition to the scanning line 112N, a point that the scanning line driving circuit 130B is used instead of the scanning line driving circuit 130A, and a high potential voltage in the power supply circuit 400. The configuration is the same as that of the electro-optical device according to the first embodiment except that Vgdd and low potential voltage Vgss are not generated.
[0070]
FIG. 11 is a block diagram showing a main part of the liquid crystal panel 100 of the second embodiment. As shown in this figure, in the display area A, in addition to the scanning line 112N, a scanning line 112P is formed extending in the X direction. The scanning signals GP0 to GPm are supplied to the scanning lines 112P from the scanning line driving circuit 130B.
[0071]
FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of the scanning line driving circuit 130B. The scanning line driving circuit 130B includes a shift register 131 and buffer circuits BF0 to BFm. Here, the buffer circuit BF0 is configured in the same manner as the buffer circuit 137A shown in FIG. 16, and generates a scanning signal GN0 obtained by normalizing the output signal of the shift register 131 and an inverted scanning signal GP0. Further, since the buffer circuit BF0 operates by feeding the high potential side black voltage Vbk (+) and the low potential side black voltage Vbk (−), the H level of the scanning signals GN0 and GP0 is set to the high potential side black voltage Vbk (+). On the other hand, the H level becomes the low potential side black voltage Vbk (−). The same applies to the other buffer circuits BF0 to BFm.
[0072]
FIG. 13 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the pixel 110 according to the second embodiment. Each pixel 110-1 to 110-1 corresponding to the j-th column counted from the leftmost column of the display area A shown in FIG. The structure of 110-m is shown. FIG. 14 is a timing chart for explaining the writing operation to the pixel 110.
[0073]
Here, the pixel 110-1 includes a P-channel TFT 116P in addition to the N-channel TFT 116N as a write switching element, and a P-channel TFT 117P in addition to the N-channel TFT 117N as a reset switching element. The N channel TFT and the P channel TFT operate in a complementary manner. For this reason, in addition to the scanning signals GN0 to GNm, scanning signals GP0 to GPm obtained by inverting them are required. However, it is not necessary to make the amplitudes of the scanning signals GN0 to GNm and GP0 to GPm larger than the amplitude of the data signal dj.
[0074]
For example, if the voltage of the data signal dj is the high potential side black voltage Vbk (+), if the low potential side black voltage Vbk (−) is supplied to the gate of the P channel TFT 116P at this time, the P channel TFT 116P is passed through. The data signal dj can be written into the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS. On the other hand, assuming that the voltage of the data signal dj is the low potential side black voltage Vbk (−), if the high potential side black voltage Vbk (+) is supplied to the gate of the N channel TFT 116N at this time, the N channel TFT 116N is passed through. The data signal dj can be written into the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS.
[0075]
First, when the scanning signals GN0 and GP0 become active in the period T0, the N-channel TFT 117N and the P-channel TFT 117P of the pixel 110-1 shown in FIG. 13 are turned on, and the white voltage Vwt is written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS. It is. In this case, the on-resistance of the N-channel TFT 117N becomes sufficiently low, so that the charges accumulated in the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS are discharged through the N-channel TFT 117N. Accordingly, the pixel electrode voltage PX (1, j) can be reset to the white voltage Vwt before the data signal dj is written to the pixel 110-1.
[0076]
In the period T1, when the scanning signal GN1 becomes active, the N-channel TFT 116N and the P-channel TFT 116P of the pixel 110-1 are turned on, and the data signal dj is supplied to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS. The data signal dj in this period T1 is the high potential side black voltage Vbk (+) as shown in the figure. In this case, since the on-resistance of the P-channel TFT 116P is sufficiently low, the data signal dj is written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS via the P-channel TFT 116P.
[0077]
As described above, in the present embodiment, the N-channel TFT and the P-channel TFT are used as the switching elements for resetting, and the N-channel TFT and the P-channel TFT are used as the switching elements for writing. It can be matched with the amplitude of the data signal. As a result, it is not necessary to apply the high potential voltage Vgdd and the low potential voltage Vgss to the liquid crystal panel 100, and the types of voltages generated in the power supply circuit 400 can be reduced. Further, since each pixel 110 can be driven with a low-amplitude scanning signal, power consumption can be reduced.
[0078]
In general, when a so-called complementary transmission gate configuration is adopted as a switching element for writing, the input / output impedance of the transmission gate is the highest in the vicinity of the intermediate potential of the gate voltage. It will be. However, by using the above-described configuration and driving method, the writing time of the white level Vwt is substantially doubled, and writing can be performed sufficiently. The difference between the white level and the black level (Vdp = Vbk (+) − Vwt and Vdn = Vwt−Vbk (−)) is the threshold voltage of the TFT (Vtn: threshold voltage of N channel TFT, Vtp: same P channel TFT). When close (Vdp≈Vtp, Vdn≈Vtn), the effect of the present application becomes extremely large.
[0079]
<3. Third Embodiment>
Next, an electro-optical device according to the third embodiment will be described. In the liquid crystal panel 100 of the first and second embodiments, the data signal is written to all the pixels 110 for each frame, but the electro-optical device according to the third embodiment writes the voltage. Whether to perform or hold the previous voltage can be selected in units of rows.
[0080]
This electro-optical device has a detailed configuration of the pixel 110, a point that uses the scanning line 112P and the reset line 112RN in addition to the scanning line 112N, a point that uses the scanning line driving circuit 130C instead of the scanning line driving circuit 130A, and a power supply circuit 300 The configuration is the same as that of the electro-optical device according to the first embodiment except that the low potential voltage Vgss is not generated and the control signal generated by the timing signal generation circuit 200 is different.
[0081]
<3-1: Overall configuration>
FIG. 15 is a block diagram showing a main part of the liquid crystal panel 100 of the third embodiment. As shown in the figure, in the display area A, in addition to the scanning line 112N, a scanning line 112P and a reset line 112RN are formed extending in the X direction. The scanning signals GP1 to GPm are supplied to the scanning lines 112P, and the reset signals RN1 to RNm are supplied to the reset lines 112RN from the scanning line driving circuit 130C.
[0082]
<3-2: Scanning line driving circuit>
FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of the scanning line driving circuit 130C. The scanning line driving circuit 130C includes m unit circuits Uy1 to Uym, a plurality of address lines Ly, and signal lines Lc and Ld. An address signal ADRS is supplied to the address line Ly, an enable signal EN is supplied to the signal line Lc, and a reset pulse RST is supplied to the signal line Ld.
[0083]
The address signal ADRS specifies a certain row in the display area A. For example, if the display area A has 256 rows, the address signal ADRS is an 8-bit signal and the address lines Ly are eight. The enable signal EN designates whether or not writing of the data signal is permitted for each row, and becomes active at the H level. With this enable signal EN, it is possible to write data signals to the pixels 110 belonging to a certain row, while prohibiting data signals from being written to the pixels 110 belonging to other rows. Further, the reset pulse RST is a 1H cycle pulse, and is synchronized with the timing at which the address specified by the address signal ADRS changes. These control signals are generated by a timing signal generation circuit 200 (not shown).
[0084]
Next, the unit circuit Uy1 includes a decoder DCD1, D flip-flops 133 and 134, an inverter 135, a NOR circuit 136, and buffer circuits 137A and 138. Among them, the high potential side black voltage Vbk (+) and the low potential side black voltage Vbk (−) are supplied to the buffer circuit 137A, while the buffer circuit 138 is supplied with the high potential side voltage Vgdd and the low potential side black voltage Vbk ( -) Is powered. The output signal amplitude of the buffer circuit 137A swings between Vbk (+) and Vbk (−), and the output signal amplitude of the buffer circuit 138 swings between Vgdd and Vbk (−).
[0085]
The decoder DCD1 is composed of a combinational logic circuit. The decoder DCD1 decodes the address signal ADRS to generate a decode signal dcd1 that becomes active at the H level. The D flip-flop 133 latches the enable signal EN at the rising edge of the decode signal dcd1 and generates a signal ENB11. The NOR circuit 136 inverts the logical sum of the decoded signal dcd1 and the signal obtained by inverting the signal ENB11 to generate the signal RSS1.
[0086]
As described above, the enable signal EN is a signal indicating that the data signal is allowed to be written. By latching the enable signal EN based on the decode signal dcd1, it can be determined whether the data signal is allowed to be written to the pixels 110 in the first row. . That is, the signal ENB11 becomes active when writing is permitted for the first row. The signal RSS1 is active for a period in which writing is permitted for the first row and the address signal ADRS designates the first row. The buffer 138 supplies an inverted version of the signal RSS1 to the reset line 112RN-1 as the reset signal RN1. Therefore, when writing is performed for the first row, the reset signal RN1 is always active.
[0087]
Next, the D flip-flop 134 latches the signal ENB11 at the falling edge of the decode signal dcd1 to generate the signal ENB12. Therefore, the signal ENB12 becomes active (H level) at the timing when the period in which the address signal ADRS designates the first row ends, and becomes inactive (L level) when the reset pulse RST is supplied. As described above, since the reset pulse RST is a 1H cycle pulse, the signal ENB12 is active for 1H period. The buffer 137A supplies an inverted version of the signal ENB12 to the scanning line 112P-1 as the scanning signal GP1, and supplies the scanning signal GN1 in phase with the signal ENB12 to the scanning line 112N-1. Therefore, when the active period of the reset signal RN1 ends, the scanning signals GP1 and GN1 become active.
The other unit circuits Uy2 to Uym are configured in the same manner as the unit circuit Uy1 described above.
[0088]
Here, the operation of the scanning line driving circuit 130C will be specifically described. FIG. 17 is a timing chart showing an operation example of the scanning line driving circuit 130C. In this example, the address signal ADRS is specified in the order of the first row, the m-th row, and the second row. In the first frame (f1), data signals are written to the first row and the second row, In 2 frames (f2), data signals are written for the m-th row.
[0089]
First, when the enable signal EN and the decode signal dcd1 become active in the period T0, the signal ENB11 becomes H level in synchronization with the rising edge of the decode signal dcd1. Then, a signal RSS1 is generated based on the decode signal dcd1 and the signal ENB11. In this case, the signal RSS1 is active in the period T0. On the other hand, since the signal ENB12 is obtained by latching the signal ENB11 at the falling edge of the decode signal dcd1, the signal ENB12 changes to H level from time t1, and then maintains H level. When the reset pulse RST becomes active at time t2, Transition from level to L level. Therefore, in the first frame, the signal ENB11 (scanning signal GN1) becomes active.
[0090]
In addition, since the enable signal EN and the decode signal dcdm become active in the period T2, the signal ENB22 (scanning signal GN1) becomes active in the first frame, similarly to the signal ENB11 described above. On the other hand, the enable signal EN is inactive during the period T1 during which the decode signal dcdm is active. Therefore, in the first frame, the signal ENB2m (scanning signal GNm) is inactive, and the data signal is not written to the pixels 110 in the m-th row.
[0091]
<3-3: Pixel Configuration and Data Signal Writing Operation>
FIG. 18 is a circuit diagram showing the detailed configuration of the pixel 110 according to the third embodiment. Each pixel 110-1˜110 corresponding to the jth column counted from the leftmost column of the display area A shown in FIG. The structure of 110-m is shown. FIG. 19 is a timing chart for explaining the writing operation to the pixel 110 when the enable signal EN is active. FIG. 20 is a timing chart for explaining a writing operation to the pixel 110 when the enable signal EN is inactive.
[0092]
Here, the pixel 110-1 includes an N-channel TFT 116N and a P-channel TFT 116P as write switching elements, and an N-channel TFT 117N as a reset switching element.
[0093]
First, assume that the enable signal EN is active. As shown in FIG. 19, when the reset signal RN1 becomes active in the period T0, the N-channel TFT 117N of the pixel 110-1 is turned on, and the white voltage Vwt is written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS. The H level of the reset signal RN1 is a high potential voltage Vgdd higher than the high potential side black voltage Vbk (+). Therefore, in this example, the initial value of the pixel electrode voltage PX (1, j) is the low potential side black voltage Vbk (−), but sufficient writing can be performed even in the case of the high potential side black voltage Vbk (+). . Accordingly, the pixel electrode voltage PX (1, j) can be reset to the white voltage Vwt before the data signal dj is written to the pixel 110-1.
[0094]
Next, when the scanning signals GN1 and GP1 become active in the period T1, the N-channel TFT 116N and the P-channel TFT 116P of the pixel 110-1 are turned on, and the data signal dj is supplied to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS. The data signal dj in this period T1 is the high potential side black voltage Vbk (+) as shown in the figure. In this case, since the on-resistance of the P-channel TFT 116P is sufficiently low, the data signal dj is written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS via the P-channel TFT 116P.
[0095]
The amplitudes of the scanning signals GN1 and GP1 fluctuate between the high potential side black voltage Vbk (+) and the low potential side black voltage Vbk (−). On the other hand, the data signal dj can take two values of the high potential side black voltage Vbk (+) and the low potential side black voltage Vbk (−), but the N-channel TFT 116N and the P-channel TFT 116P operate in a complementary manner. Therefore, the data signal dj can be written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS by the scanning signals GN1 and GP1.
[0096]
Next, when the enable signal EN is inactive, the reset signal RN1 is always at the H level (active) as shown in FIG. Therefore, the N-channel TFT 117N is always on, and the white voltage Vwt is always written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS. For this reason, even if the off-leakage current of the TFT, which is the switching element used for writing, is relatively large, the white level applied voltage does not fluctuate, so there is no need to rewrite the white level signal again.
[0097]
As described above, according to the present embodiment, the row is designated by the address signal ADRS and the writing of the data signal dj is designated by the enable signal EN. Therefore, only for the row that needs to be rewritten, Writing can be performed. As a result, power consumption can be reduced.
[0098]
<4. Fourth Embodiment>
Next, an electro-optical device according to the fourth embodiment will be described. This electro-optical device has a detailed configuration of the pixel 110, a point that the reset line 112RP is used in addition to the reset line 112RN, a point that the scanning line driving circuit 130D is used instead of the scanning line driving circuit 130C, and a high potential voltage in the power supply circuit 300. The configuration is the same as that of the electro-optical device of the third embodiment except that Vgdd is not generated.
[0099]
FIG. 21 is a block diagram showing a main part of the liquid crystal panel 100 of the fourth embodiment. As shown in this figure, in the display area A, a reset line 112RP is formed extending in the X direction in addition to the reset line 112RN. Reset signals RP1 to RPm are supplied from the scanning line driving circuit 130D to the reset line 112RP.
[0100]
A detailed configuration of the scanning line driving circuit 130D is shown in FIG. The scanning line driving circuit 130D is different from the scanning line driving circuit 130C shown in FIG. 16 only in that a buffer circuit 137B is used instead of the buffer circuit 138. The detailed configuration of the buffer circuit 137B is the same as that of the buffer circuit 137A, and a high potential side black voltage Vbk (+) and a low potential side black voltage Vbk (-) are supplied thereto. Therefore, in the reset signals RN1 to RNm and RP1 to RPm of this embodiment, the H level becomes the high potential side black voltage Vbk (+), while the L level becomes the low potential side black voltage Vbk (−). Note that the operation of the scanning line driving circuit 130D is the same as the operation of the scanning line driving circuit 130C described with reference to FIG.
[0101]
FIG. 23 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the pixel 110 according to the fourth embodiment. Each pixel 110-1˜110 corresponding to the jth column counted from the leftmost column of the display area A shown in FIG. The structure of 110-m is shown. FIG. 24 shows a timing chart when the enable signal EN is active, and FIG. 25 shows a timing chart when the enable signal EN is inactive.
First, the pixel 110 of the fourth embodiment is different from the pixel 110 of the third embodiment shown in FIG. 18 in that a P-channel TFT 117P is used in addition to the N-channel TFT 117N as a reset switching element. That is, in this embodiment, the white voltage Vwt is written to the pixel capacitor CL and the storage capacitor CS by the complementary operation of the N-channel TFT 117N and the P-channel TFT 117P.
[0102]
For this reason, the reset signal RP1 is required in addition to the reset signal RN1, and as shown in FIG. 24, the amplitude of the high potential side black, which is the maximum value that the pixel electrode voltage PX (1, j) can take, is obtained. It is sufficient to swing from the voltage Vbk (+) to the low potential side black voltage Vbk (-) which is the minimum value.
[0103]
As a result, it is not necessary to apply the high potential voltage Vgdd and the low potential voltage Vgss to the liquid crystal panel 100, and the types of voltages generated in the power supply circuit 400 can be reduced. Furthermore, since each pixel 110 can be driven with a low-amplitude reset signal, power consumption can be reduced.
[0104]
<5. Mechanical configuration of LCD panel>
Next, the structure of the liquid crystal panel used in each embodiment described above will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 26 is a plan view showing the configuration of the liquid crystal panel 100, and FIG. 27 is a cross-sectional view taken along the line ZZ ′ in FIG.
[0105]
As shown in these drawings, in the liquid crystal panel 100, the element substrate 101 on which the pixel electrode 118 and the like are formed and the counter substrate 102 on which the counter electrode 108 and the like are formed have a certain gap by a sealant 104. The liquid crystal 105 as an electro-optic material is sandwiched between the gaps while being bonded together. Actually, the sealing material 104 has a cut-out portion, and after the liquid crystal 105 is sealed through this, the sealing material 104 is sealed with the sealing material 106.
[0106]
Here, as the element substrate 101, a semiconductor substrate can be used in addition to a glass substrate. Moreover, since each pixel 110 includes a plurality of TFTs as described above, the aperture ratio is reduced when a transmissive panel is used. Therefore, it is desirable that the pixel electrode 118 is formed of a reflective metal such as aluminum and the liquid crystal panel 100 is used as a reflective type. On the other hand, the counter substrate 102 is transparent because it is made of glass or the like.
[0107]
Here, the data line driving circuit 140 described above is formed on the opposite surface of the element substrate 101 and on the outer side of the sealing material 104. Further, a plurality of connection electrodes 107 are formed on one side, and various signals from the timing signal generation circuit 200 are supplied thereto. Two scanning line driving circuits 130 are formed on two sides adjacent to the one side. Note that if the delay of the scanning signal supplied to the scanning line 112 does not become a problem, the scanning line driving circuit 130 may be formed on only one side.
[0108]
On the other hand, the common electrode 108 of the counter substrate 102 is electrically connected to the element substrate 101 by a conductive material provided in at least one of the four corners of the bonding portion with the element substrate 101. In addition, the counter substrate 102 is provided with color filters arranged in a stripe shape, a mosaic shape, a triangle shape, or the like according to the use of the liquid crystal panel 100, and secondly, for example, chromium. A black matrix such as resin black in which carbon, titanium, or the like is dispersed in a photoresist is provided, and third, a backlight for irradiating the liquid crystal panel 100 with light is provided. Particularly in the case of color light modulation, a black matrix is provided on the counter substrate 102 without forming a color filter.
[0109]
In addition, the opposing surfaces of the element substrate 101 and the counter substrate 102 are each provided with an alignment film or the like that is rubbed in a predetermined direction, and a polarizing plate (not shown) corresponding to the alignment direction on each back side. Are provided respectively. However, if a polymer dispersion type liquid crystal dispersed as fine particles in a polymer is used as the liquid crystal 105, the above-described alignment film, polarizing plate, and the like are not required. As a result, the light utilization efficiency is increased. This is advantageous in terms of reducing power consumption.
[0110]
Instead of forming part or all of the peripheral circuits such as the drive circuit 120 on the element substrate 101, for example, a driving IC chip mounted on a film using a TAB (Tape Automated Bonding) technique is used. It is good also as a structure electrically and mechanically connected through the anisotropic conductive film provided in the predetermined position of 101, and drive IC chip itself is used for the element substrate 101 using COG (Chip On Grass) technology. It is good also as a structure electrically and mechanically connected to this predetermined position via an anisotropic conductive film.
[0111]
In the above-described embodiments, the active matrix type liquid crystal display device has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to a passive type using STN (Super Twisted Nematic) liquid crystal. Furthermore, as an electro-optical material, in addition to liquid crystal, an electroluminescence element or the like can be used for a display device that performs display by the electro-optical effect. That is, the present invention is applicable to all electro-optical devices having a configuration similar to that of the liquid crystal display device described above.
[0112]
<6. Electronic equipment>
Next, some examples in which the above-described liquid crystal device is used in a specific electronic device will be described.
<6-1: Projector>
First, a projector using the electro-optical device according to the embodiment as a light valve will be described. FIG. 28 is a plan view showing the configuration of the projector. As shown in this figure, in the projector 1100, a polarization illumination device 1110 is arranged along the system optical axis PL. In this polarization illumination device 1110, the light emitted from the lamp 1112 becomes a substantially parallel light beam as reflected by the reflector 1114, and enters the first integrator lens 1120. Thereby, the emitted light from the lamp 1112 is divided into a plurality of intermediate light beams. The divided intermediate light beam is converted into a single type of polarized light beam (s-polarized light beam) whose polarization directions are substantially uniform by a polarization conversion element 1130 having a second integrator lens on the light incident side, and the polarized illumination device 1110 It will be emitted from.
[0113]
Now, the s-polarized light beam emitted from the polarization illumination device 1110 is reflected by the s-polarized light beam reflecting surface 1141 of the polarization beam splitter 1140. Of this reflected light beam, the blue light (B) light beam is reflected by the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151 and modulated by the reflective electro-optical device 100B. Of the light beams that have passed through the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151, the red light (R) light beam is reflected by the red light reflecting layer of the dichroic mirror 1152, and is modulated by the reflective electro-optical device 100R. . On the other hand, among the light beams transmitted through the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151, the green light (G) light beam is transmitted through the red light reflecting layer of the dichroic mirror 1152 and modulated by the reflective electro-optical device 100G. .
[0114]
In this way, the red, green, and blue lights that have been color-light modulated by the electro-optical devices 100R, 100G, and 100B are sequentially combined by the dichroic mirrors 1152 and 1151 and the polarization beam splitter 1140, and then are projected by the projection optical system 1160. Is projected on the screen 1170. In addition, since the light beams corresponding to the primary colors of R, G, and B are incident on the electro-optical devices 100R, 100G, and 100B by the dichroic mirrors 1151 and 1152, a color filter is not necessary.
[0115]
<6-2: Mobile computer>
Next, an example in which the electro-optical device is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 29 is a perspective view showing the configuration of this personal computer. In the figure, a computer 1200 includes a main body 1204 having a keyboard 1202 and a display unit 1206. The display unit 1206 is configured by adding a front light to the front surface of the electro-optical device 100 described above.
[0116]
In this configuration, since the electro-optical device 100 is used as a reflection direct-view type, it is desirable that the pixel electrode 118 has irregularities so that the reflected light is scattered in various directions.
[0117]
<6-3: Mobile phone>
Further, an example in which the electro-optical device is applied to a mobile phone will be described. FIG. 30 is a perspective view showing the configuration of this mobile phone. In the figure, a mobile phone 1300 includes the electro-optical device 100 in addition to a plurality of operation buttons 1302 as well as an earpiece 1304 and a mouthpiece 1306. The electro-optical device 100 is also provided with a front light on the front surface as necessary. Also in this configuration, since the electro-optical device 100 is used as a reflection direct view type, a configuration in which the pixel electrode 118 is uneven is desirable.
[0118]
In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 28 to 30, the electronic devices include a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor. , Workstations, videophones, POS terminals, devices with touch panels, and the like. Needless to say, the electro-optical device according to the embodiment can be applied to these various electronic devices.
[0119]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the signal applied to the data line is binarized, and high-quality gradation display is possible. In addition, various liquid crystals can be handled with a simple configuration.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram illustrating an electrical configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a detailed configuration of a pixel 110 used in the electro-optical panel according to the first embodiment.
(A), (b), and (c) are diagrams for explaining the concept of a Von period, a Voff period, and a subfield in the electro-optical device.
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the effective voltage value of liquid crystal and the relative transmittance.
FIG. 4 is a diagram showing how one frame is divided when image data D is 3 bits.
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a data line driving circuit 140 in the same electro-optical device.
6 is a truth table showing a selection operation in the selector SLT1 of the data line driving circuit 140. FIG.
7 is a timing chart showing image data D and a waveform applied to a pixel electrode 118 in a certain pixel 110. FIG.
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a scanning line driving circuit 130A.
FIG. 9 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device.
FIG. 10 is a timing chart for explaining a writing operation to the pixel 110;
FIG. 11 is a block diagram showing a main part of a liquid crystal panel 100 of a second embodiment.
FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of a scanning line driving circuit 130B of the same embodiment;
FIG. 13 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a pixel 110 according to the same embodiment.
14 is a timing chart for explaining a writing operation to the pixel 110. FIG.
FIG. 15 is a block diagram showing a main part of a liquid crystal panel 100 of a third embodiment.
FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a scanning line driving circuit 130C of the same embodiment;
FIG. 17 is a timing chart showing an operation example of the scanning line driving circuit 130C.
FIG. 18 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a pixel 110 according to the embodiment.
FIG. 19 is a timing chart for explaining the writing operation to the pixel 110 when the enable signal is active.
FIG. 20 is a timing chart for explaining a writing operation to the pixel 110 when the enable signal is inactive.
FIG. 21 is a block diagram showing a main part of a liquid crystal panel 100 of a fourth embodiment.
FIG. 22 is a circuit diagram showing a configuration of a scanning line driving circuit 130D of the same embodiment;
FIG. 23 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a pixel 110 according to the same embodiment.
FIG. 24 is a timing chart for explaining a writing operation to the pixel 110 when the enable signal is active.
FIG. 25 is a timing chart for explaining a writing operation to the pixel 110 when the enable signal is inactive.
26 is a plan view showing the structure of the liquid crystal panel 100. FIG.
27 is a cross-sectional view showing a structure of the liquid crystal panel 100. FIG.
FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a projector as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.
FIG. 29 is a perspective view illustrating a configuration of a personal computer as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.
FIG. 30 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.
[Explanation of symbols]
100 …… LCD panel
110 …… Pixel
112N, 112P ... Scanning line
114 …… Data line
SL: Capacity line
118 …… Pixel electrode
CS …… Storage capacity
130A to 130D: Scanning line driving circuit
140... Data line driving circuit

Claims (5)

複数のデータ線と、複数の走査線と、前記複数の走査線の各々に対応したリセット線とを備え、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して複数の画素が配列された電気光学パネルであって、
当該データ線に供給されるデータ信号の書き込みが許可された行のリセット線へのリセット信号をアクティブとし、その後、非アクティブとするとともに、当該行の走査線への走査信号をアクティブとする走査手段を備え、
前記画素は、
画素電極と対向電極との間に形成される画素容量と、
一のデータ線と前記画素電極との間に設けられ、一の走査線に供給される走査信号がアクティブとなったとき、当該データ線に供給されるデータ信号を前記画素容量に書き込む書込手段と、
当該一の走査線に対応するリセット線に供給されるリセット信号がアクティブとなったとき、前記画素電極の電圧を予め定められたリセット電圧にリセットするリセット手段と、を備え、
前記リセット手段は、前記リセット信号に基づいてオン・オフが制御されるNチャネルトランジスタと、前記リセット信号に対応する反転リセット信号に基づいてオン・オフが制御されるPチャネルトランジスタとを備える
ことを特徴とする電気光学パネル。
A plurality of data lines, a plurality of scanning lines, and a reset line corresponding to each of the plurality of scanning lines, and a plurality of pixels corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. An electro-optic panel arranged,
A scanning unit that activates a reset signal to a reset line of a row in which writing of a data signal supplied to the data line is permitted, then inactivates, and activates a scanning signal to the scanning line of the row With
The pixel is
A pixel capacitance formed between the pixel electrode and the counter electrode;
Writing means provided between one data line and the pixel electrode, and writes a data signal supplied to the data line to the pixel capacitor when a scanning signal supplied to the one scanning line becomes active When,
Reset means for resetting the voltage of the pixel electrode to a predetermined reset voltage when a reset signal supplied to the reset line corresponding to the one scanning line becomes active, and
The reset means includes an N-channel transistor whose on / off is controlled based on the reset signal and a P-channel transistor whose on / off is controlled based on an inverted reset signal corresponding to the reset signal. Electro-optical panel featuring
前記走査手段は、書き込みが許可されていない行のリセット信号線へのリセット信号を、アクティブとする
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学パネル。
The electro-optical panel according to claim 1, wherein the scanning unit activates a reset signal to a reset signal line in a row where writing is not permitted.
複数の容量線を備え、
前記画素は、前記画素電極と一方の端子が接続され、前記容量線と他方の端子が接続される蓄積容量を備え、
前記書込手段は、一の前記データ線と前記画素電極との間に設けられ、一の前記走査線に供給される走査信号に基づいて、オン・オフが制御される第1スイッチング素子を備え、
前記リセット手段における前記NおよびPチャネルトランジスタは、前記画素電極と前記容量線との間に設けられた
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学パネル。
With multiple capacitance lines,
The pixel includes a storage capacitor in which the pixel electrode and one terminal are connected, and the capacitor line and the other terminal are connected,
The writing unit includes a first switching element that is provided between the one data line and the pixel electrode and that is turned on / off based on a scanning signal supplied to the one scanning line. ,
The electro-optical panel according to claim 1, wherein the N and P channel transistors in the reset unit are provided between the pixel electrode and the capacitor line.
前記リセット電圧は前記対向電極の電圧と一致する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載した電気光学パネル。
The electro-optical panel according to claim 1, wherein the reset voltage matches a voltage of the counter electrode.
請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載した電気光学パネルを備える
ことを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical panel according to claim 1.
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