JP2001159883A - Driving method for optoelectronic device, drive circuit therefor, and optoelectronic device as well as electronic apparatus - Google Patents

Driving method for optoelectronic device, drive circuit therefor, and optoelectronic device as well as electronic apparatus

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JP2001159883A
JP2001159883A JP2000232492A JP2000232492A JP2001159883A JP 2001159883 A JP2001159883 A JP 2001159883A JP 2000232492 A JP2000232492 A JP 2000232492A JP 2000232492 A JP2000232492 A JP 2000232492A JP 2001159883 A JP2001159883 A JP 2001159883A
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signal
pixel
scanning
electro
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Makoto Ishii
良 石井
Akira Inoue
明 井上
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Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To display high quality gradation by binary processing the signals impressed to data lines. SOLUTION: When respective pixels are provided with memories and are subjected to assigning of, for example, 8 intensity levels, one field(1f) is divided to seven sub-fields (Sf1, Sf2,..., Sf7) according to gray scale characteristics and data Ds instructing the on or off of the pixels is written into the memories of the corresponding pixels according to the gray scale of the pixels and the pixels are turned on or off in accordance with the written data. As a result, during one field the periods during which the pixels are turned on or off are subjected to PWM modulation, so that the assigning of the intensity levels is eventually executed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パルス幅変調によ
り階調表示を行う電気光学装置、その駆動方法および駆
動回路、ならびに電子機器に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an electro-optical device for performing gradation display by pulse width modulation, a driving method and a driving circuit thereof, and an electronic apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気光学装置、例えば、電気光学材料と
して液晶を用いた液晶表示装置は、陰極線管(CRT)
に代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機
器の表示部や壁掛けテレビなどに広く用いられている。
ここで、従来の電気光学装置は、例えば、マトリクス状
に配列した画素電極や、この画素電極に接続されたスイ
ッチング素子などが設けられた素子基板と、画素電極に
対向する対向電極が形成された対向基板と、これら両基
板との間に充填された電気光学材料たる液晶とから構成
される。そして、このような構成において、走査線を介
してスイッチング素子に走査信号を印加すると、前記ス
イッチング素子が導通状態となる。この導通状態の際
に、データ線を介して画素電極に、階調に応じた電圧の
画像信号を印加すると、前記画素電極および対向電極の
間の液晶層に画像信号の電圧に応じた電荷が蓄積され
る。電荷蓄積後、前記スイッチング素子を非導通状態と
しても、前記液晶層における電荷の蓄積は、液晶層自身
の容量性や蓄積容量などによって維持される。このよう
に、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積させる電荷量
を階調に応じて制御すると、画素毎に液晶の配向状態が
変化するので、画素毎に濃度が変化することになる。こ
のため、階調表示することが可能となるのである。
2. Description of the Related Art An electro-optical device, for example, a liquid crystal display device using liquid crystal as an electro-optical material is a cathode ray tube (CRT).
It is widely used as a display device in place of a display unit of various information processing devices and a wall-mounted television.
Here, in the conventional electro-optical device, for example, an element substrate provided with pixel electrodes arranged in a matrix or a switching element connected to the pixel electrodes, and a counter electrode facing the pixel electrodes are formed. It is composed of an opposing substrate and a liquid crystal as an electro-optical material filled between the two substrates. In such a configuration, when a scanning signal is applied to the switching element via the scanning line, the switching element is turned on. When an image signal of a voltage corresponding to the gradation is applied to the pixel electrode via the data line in the conductive state, a charge corresponding to the voltage of the image signal is applied to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the counter electrode. Stored. After the charge storage, even if the switching element is turned off, the charge storage in the liquid crystal layer is maintained by the capacitance of the liquid crystal layer itself, the storage capacitance, and the like. As described above, when the switching elements are driven and the amount of charge to be stored is controlled according to the gradation, the alignment state of the liquid crystal changes for each pixel, so that the density changes for each pixel. Therefore, it is possible to perform gradation display.

【0003】この際、各画素の液晶層に電荷を蓄積させ
るのは一部の期間で良いため、第1に、走査線駆動回路
によって、各走査線を順次選択するとともに、第2に、
走査線の選択期間において、データ線駆動回路によっ
て、データ線を順次選択し、第3に、選択されたデータ
線に、階調に応じた電圧の画像信号をサンプリングする
構成により、走査線およびデータ線を複数の画素につい
て共通化した時分割マルチプレックス駆動が可能とな
る。
At this time, since it is sufficient to accumulate charges in the liquid crystal layer of each pixel during a part of the period, first, each scanning line is sequentially selected by a scanning line driving circuit, and secondly,
In the scanning line selection period, the data lines are sequentially selected by the data line driving circuit, and thirdly, the selected data lines are sampled with an image signal of a voltage corresponding to a gray scale. Time-division multiplex driving in which a line is shared by a plurality of pixels becomes possible.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、データ
線に印加される画像信号は、階調に対応する電圧、すな
わちアナログ信号である。このため、電気光学装置の周
辺回路には、D/A変換回路やオペアンプなどが必要と
なるので、装置全体のコスト高を招致してしまう。さら
に、これらのD/A変換回路・オペアンプなどの特性
や、各種の配線抵抗などの不均一性に起因して、表示ム
ラが発生するので、高品質な表示が極めて困難であり、
特に高精細な表示を行う場合に顕著となるという問題が
ある。
However, the image signal applied to the data line is a voltage corresponding to the gradation, that is, an analog signal. For this reason, a peripheral circuit of the electro-optical device requires a D / A conversion circuit, an operational amplifier, and the like, thereby increasing the cost of the entire device. Further, display unevenness occurs due to the characteristics of the D / A conversion circuit and the operational amplifier and the non-uniformity of various wiring resistances, so that high-quality display is extremely difficult.
In particular, there is a problem that it becomes remarkable when performing high-definition display.

【0005】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、高品質・高精細
な階調表示が可能な電気光学装置、その駆動方法、その
駆動回路、さらには、この電気光学装置を用いた電子機
器を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide an electro-optical device capable of high-quality and high-definition gradation display, a driving method thereof, a driving circuit thereof, Another object of the present invention is to provide an electronic apparatus using the electro-optical device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本件第1の発明は、メモリと、前記メモリに対応し
て設けられる画素電極と、前記画素電極に対向する対向
電極とを備える複数の画素の各々を階調表示させる電気
光学装置の駆動方法であって、1フィールドを複数のサ
ブフィールドに分割し、前記サブフィールドの各々にお
いて、前記画素の階調に応じたオンまたはオフを指示す
るデータを、前記画素のメモリにそれぞれ書き込み、書
き込まれたデータに基づいて、前記複数の画素を一斉に
オンまたはオフさせることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention comprises a memory, a pixel electrode provided corresponding to the memory, and a counter electrode facing the pixel electrode. A method for driving an electro-optical device that causes each of a plurality of pixels to display a gradation, wherein one field is divided into a plurality of subfields, and in each of the subfields, ON or OFF according to the gradation of the pixel is performed. Instructed data is written in the memory of each of the pixels, and the plurality of pixels are turned on or off simultaneously based on the written data.

【0007】かかる構成によれば、1フィールドにおい
て、画素のオンまたはオフの期間が、前記画素の階調に
応じてパルス幅変調される結果、実効値制御による階調
表示が行われることになる。この際、各サブフィールド
においては、画素がオンまたはオフするだけであるの
で、画素への指示信号は、データ(すなわち、Hレベル
かLレベルかしか取り得ないディジタル信号)で済む結
果、アナログ信号の処理回路が不要となる。この結果、
第1の発明では、D/A変換回路やオペアンプなどが不
要となる上に、これらの回路特性や、各種の配線抵抗な
どの不均一性に起因する表示ムラが抑えられることにな
る。
According to this configuration, in one field, the ON or OFF period of the pixel is pulse width modulated in accordance with the gradation of the pixel, so that gradation display by effective value control is performed. . At this time, in each subfield, since the pixel is only turned on or off, the instruction signal to the pixel can be data (that is, a digital signal that can take only the H level or the L level). No processing circuit is required. As a result,
According to the first aspect, a D / A conversion circuit, an operational amplifier, and the like become unnecessary, and display unevenness caused by non-uniformity of these circuit characteristics and various wiring resistances is suppressed.

【0008】さらに、第1の発明によれば、データが各
メモリに書き込まれた後に、画素が一斉にオンまたはオ
フするので、各サブフィールドにおいて画素がオンまた
はオフとなる期間は、各画素にわたって等しくなる。こ
のため、第1の発明では、高品質かつ高精細な階調表示
が可能となる。
Further, according to the first invention, the pixels are turned on or off all at once after data is written to each memory, so that the period during which the pixels are turned on or off in each subfield extends over each pixel. Become equal. For this reason, in the first invention, high-quality and high-definition gradation display is possible.

【0009】なお、本発明において、1フィールドと
は、従来において、水平走査信号および垂直走査信号に
同期して水平走査および垂直走査することにより、1枚
のラスタ画像を形成するのに要する期間という意味合い
で用いている。従って、ノンインターレース方式などに
おける1フレームも、本発明にいう1フィールドに相当
する点に留意されたい。
In the present invention, one field is a period required to form one raster image by performing horizontal scanning and vertical scanning in synchronization with a horizontal scanning signal and a vertical scanning signal. It is used in a meaning. Therefore, it should be noted that one frame in the non-interlace system or the like also corresponds to one field in the present invention.

【0010】また、走査信号は、メモリがDRAM(Dy
namic Random Access Memory)のような破壊型読出の構
成であれば、各サブフィールドの期間において、走査線
の各々に順番に供給すれば良いし、メモリがSRAM
(Static Random Access Memory)のような非破壊読出
(自己保持型)の構成であれば、中間階調を表示する画
素を含む走査線、または、表示内容を変更する画素を含
む走査線のみに対してシーケンシャルに、もしくは、ラ
ンダムに供給する構成としても良い。
[0010] The scanning signal is transmitted from a memory to a DRAM (Dy).
In the case of a destructive readout configuration such as a dynamic random access memory, it is only necessary to supply the data sequentially to each of the scanning lines during the period of each subfield.
Non-destructive readout (self-holding) configuration such as (Static Random Access Memory) requires only scanning lines including pixels that display intermediate gradations or scanning lines that include pixels that change display contents. It may be configured to supply the data sequentially or randomly.

【0011】また、第2の発明は、メモリと、前記メモ
リに対応して設けられる画素電極と、前記画素電極に対
向する対向電極とを備える複数の画素の各々を階調表示
させる電気光学装置の駆動方法であって、1フィールド
を複数のサブフィールドに分割し、前記サブフィールド
の各々において、前記画素の階調に応じたオンまたはオ
フを指示するデータを、前記画素のメモリにそれぞれ書
き込み、前記メモリにデータが書き込まれた画素毎に、
順次前記画素をオンまたはオフさせることを特徴として
いる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an electro-optical device for gradation-displaying a plurality of pixels each including a memory, a pixel electrode provided corresponding to the memory, and a counter electrode facing the pixel electrode. The driving method of the above, one field is divided into a plurality of sub-fields, in each of the sub-fields, data for instructing on or off in accordance with the gradation of the pixel, respectively, is written to the memory of the pixel, For each pixel for which data has been written to the memory,
The pixel is sequentially turned on or off.

【0012】この第2の発明によれば、上記第1の発明
と同様の効果が得られる。さらに、本発明によれば、上
記発明のように、画素電極に印加する信号に関して、前
記メモリにデータを書き込んだ後、画素を一斉にオンま
たはオフさせるための制御を行う必要がないから、上記
第1の発明と比較して、駆動回路の構成を簡易にするこ
とができるという利点がある。
According to the second aspect, the same effect as that of the first aspect can be obtained. Furthermore, according to the present invention, there is no need to perform control for simultaneously turning on or off the pixels after writing data in the memory for the signal applied to the pixel electrode as in the above invention. As compared with the first aspect, there is an advantage that the configuration of the drive circuit can be simplified.

【0013】なお、上記第1および第2の発明におい
て、前記対向電極には、所定時間間隔毎にレベル反転を
繰り返す基準信号を印加し、前記画素電極には、前記画
素をオンさせる場合には、前記基準信号と異なるレベル
のオン信号を印加し、前記画素をオフさせる場合には、
前記基準信号と同じレベルのオフ信号を印加するように
してもよい。
In the first and second aspects of the present invention, a reference signal that repeats level inversion at predetermined time intervals is applied to the counter electrode, and a case where the pixel is turned on is applied to the pixel electrode. When applying an ON signal at a level different from the reference signal and turning off the pixel,
An off signal having the same level as the reference signal may be applied.

【0014】例えば電気光学材料として液晶を用いた場
合、上記発明のように基準信号を所定時間間隔毎にレベ
ル反転させることにより、液晶層に直流成分が印加され
る事態が回避される結果、液晶の劣化を防止することが
できる。
For example, when a liquid crystal is used as the electro-optical material, the situation in which a DC component is applied to the liquid crystal layer can be avoided by inverting the level of the reference signal at predetermined time intervals as in the above invention. Degradation can be prevented.

【0015】さらに、前記基準信号のレベル反転の周期
と、前記フィールドの時間長とは異なるようにしてもよ
い。
Further, the period of the level inversion of the reference signal may be different from the time length of the field.

【0016】こうすることにより、基準信号のレベル反
転の周期を任意に設定することができるから、例えば、
基準信号のレベル反転の周期を、フリッカが最も低減さ
れる周期に設定することもできる。
By doing so, the period of the level inversion of the reference signal can be set arbitrarily.
The cycle of the level inversion of the reference signal can be set to the cycle in which flicker is reduced most.

【0017】次に、上記目的を達成するため、本件第3
の発明は、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に
対応して配設され、前記走査線に走査信号が供給される
と、前記データ線に供給されているオンまたはオフを指
示するデータを書き込むメモリと、前記メモリに対応し
て設けられる画素電極と、前記メモリに書き込まれたオ
ンまたはオフを指示するデータに基づいて、オン信号ま
たはオフ信号のうちのいずれかを選択し、前記画素電極
に印加する第1のスイッチング素子と、前記画素電極に
対向する対向電極とを備える複数の画素を駆動する電気
光学装置の駆動回路であって、1フィールドを分割した
複数のサブフィールドの各々において、前記走査線に前
記走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記サブフィ
ールドの各々において、各画素に対応する走査線に前記
走査信号が供給される期間に、前記画素の階調に応じた
オンまたはオフを指示するデータを、前記画素に対応す
るデータ線に供給するデータ線駆動回路と、前記画素の
メモリそれぞれに書き込まれたデータに基づいて、前記
複数の画素を一斉にオンまたはオフさせるように、前記
画素電極および前記対向電極に印加する信号を制御する
制御回路とを具備することを特徴としている。
Next, in order to achieve the above object, the present third
The invention is arranged corresponding to each intersection of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, and when a scanning signal is supplied to the scanning line, indicates on or off supplied to the data line. A memory for writing data to be written, a pixel electrode provided corresponding to the memory, and based on data indicating on or off written in the memory, select one of an on signal and an off signal, A drive circuit of an electro-optical device that drives a plurality of pixels including a first switching element applied to the pixel electrode and a counter electrode facing the pixel electrode, the drive circuit including a plurality of subfields obtained by dividing one field. A scanning line driving circuit that supplies the scanning signal to the scanning line, and a scanning line that is supplied to a scanning line corresponding to each pixel in each of the subfields. A data line driving circuit that supplies data for instructing ON or OFF according to the gradation of the pixel to a data line corresponding to the pixel, and data written in a memory of the pixel. A control circuit for controlling signals applied to the pixel electrode and the counter electrode so as to turn on or off the plurality of pixels simultaneously.

【0018】この第3の発明は、上記第1の発明を電気
光学装置の駆動回路として具現したものであり、上記第
1の発明と同様の効果が得られる。
The third aspect of the present invention embodies the first aspect of the present invention as a driving circuit for an electro-optical device, and has the same advantages as the first aspect of the present invention.

【0019】また、本件第4の発明は、複数の走査線と
複数のデータ線との各交差に対応して配設され、前記走
査線に走査信号が供給されると、前記データ線に供給さ
れているオンまたはオフを指示するデータを書き込むメ
モリと、前記メモリに対応して設けられる画素電極と、
前記メモリに書き込まれたオンまたはオフを指示するデ
ータに基づいて、オン信号またはオフ信号のうちのいず
れかを選択し、前記画素電極に印加する第1のスイッチ
ング素子と、前記画素電極に対向する対向電極とを備え
る複数の画素を駆動する電気光学装置の駆動回路であっ
て、1フィールドを分割した複数のサブフィールドの各
々において、前記走査線に前記走査信号を供給する走査
線駆動回路と、前記サブフィールドの各々において、各
画素に対応する走査線に前記走査信号が供給される期間
に、前記画素の階調に応じたオンまたはオフを指示する
データを、前記画素に対応するデータ線に供給するデー
タ線駆動回路と、前記メモリにデータが書き込まれた画
素毎に、順次前記画素をオンまたはオフさせるように、
前記画素電極および対向電極に印加する信号を制御する
制御回路とを具備することを特徴としている。
Further, according to a fourth aspect of the present invention, when a scanning signal is supplied to the scanning line, the data line is supplied to the data line when the scanning signal is supplied to the scanning line. A memory for writing data for instructing on or off, a pixel electrode provided corresponding to the memory,
A first switching element for selecting one of an on signal and an off signal based on data indicating on or off written in the memory and applying the selected signal to the pixel electrode, and opposing the first switching element; A driving circuit of an electro-optical device that drives a plurality of pixels including a counter electrode, and in each of a plurality of subfields obtained by dividing one field, a scanning line driving circuit that supplies the scanning signal to the scanning line; In each of the sub-fields, during a period in which the scanning signal is supplied to a scanning line corresponding to each pixel, data for instructing ON or OFF according to the gradation of the pixel is applied to a data line corresponding to the pixel. A data line drive circuit to be supplied, and for each pixel for which data has been written to the memory, such that the pixel is sequentially turned on or off,
A control circuit for controlling signals applied to the pixel electrode and the counter electrode.

【0020】この第4の発明は、上記第2の発明を電気
光学装置の駆動回路として具現したものであり、上記第
2の発明と同様の効果が得られる。
In the fourth aspect, the second aspect is embodied as a driving circuit for an electro-optical device, and the same effects as those of the second aspect can be obtained.

【0021】なお、上記第3または第4の発明における
前記データ線駆動回路は、水平走査期間のはじめに供給
されるラッチパルス信号をクロック信号に応じて順次シ
フトして出力するシフトレジスタと、前記データを、前
記シフトレジスタによりシフトされた信号により、複数
系統に分配された前記データを同時にラッチするラッチ
回路とを備える構成とすることが望ましい。
The data line driving circuit according to the third or fourth aspect of the present invention includes: a shift register for sequentially shifting and outputting a latch pulse signal supplied at the beginning of a horizontal scanning period according to a clock signal; And a latch circuit for simultaneously latching the data distributed to a plurality of systems by a signal shifted by the shift register.

【0022】1フィールドを複数のサブフィールドに分
割しているので、各サブフィールドにおいてデータを点
順次的に供給する構成では、画素への書込時間が十分で
ない事態が予想される。そこで、この発明のように、複
数系統に分配された前記データを同時にラッチする構成
とすれば、シフトレジスタの段数が低減されるととも
に、ラッチ回路がデータをラッチするのに要する時間も
短縮することが可能となる。
Since one field is divided into a plurality of subfields, in a configuration in which data is supplied in a dot-sequential manner in each subfield, a situation in which writing time to pixels is not sufficient is expected. Therefore, if the configuration is such that the data distributed to a plurality of systems is simultaneously latched as in the present invention, the number of stages of the shift register is reduced and the time required for the latch circuit to latch the data is also reduced. Becomes possible.

【0023】さらに、前記データ線駆動回路が、水平走
査期間のはじめに供給されるラッチパルス信号をクロッ
ク信号に応じて順次シフトして出力するシフトレジスタ
と、前記データを、前記シフトレジスタによりシフトさ
れた信号により順次ラッチする第1のラッチ回路と、前
記第1のラッチ回路によりラッチされた前記データを、
前記ラッチパルス信号に基づいてラッチするとともに、
対応するデータ線に前記データ信号として一斉に出力す
る第2のラッチ回路とからなる構成とすることも望まし
い。
Further, the data line drive circuit sequentially shifts and outputs a latch pulse signal supplied at the beginning of a horizontal scanning period in accordance with a clock signal, and the data is shifted by the shift register. A first latch circuit for sequentially latching the data, and the data latched by the first latch circuit;
While latching based on the latch pulse signal,
It is also desirable to have a configuration including a second latch circuit that simultaneously outputs the data signal to a corresponding data line.

【0024】この構成のように、データをデータ線に供
給する前に、一旦、第1のラッチ回路によって、点順次
的にラッチするとともに、このラッチした信号を、第2
のラッチ回路によって、水平走査期間のはじめに供給さ
れるラッチパルス信号によって一斉にラッチして、デー
タ線に供給すると、画素の書込時間として、1水平走査
期間という比較的長い時間を確保することが可能とな
る。
As described above, before the data is supplied to the data line, the data is temporarily latched by the first latch circuit in a dot-sequential manner, and the latched signal is supplied to the second latch circuit.
Latch circuit is simultaneously latched by a latch pulse signal supplied at the beginning of the horizontal scanning period, and supplied to the data line, it is possible to secure a relatively long time of one horizontal scanning period as a pixel writing time. It becomes possible.

【0025】さて、このような構成において、前記第1
のラッチ回路は、前記シフトレジスタによりシフトされ
た信号により、複数系統に分配された前記データを同時
にラッチする構成が望ましい。
Now, in such a configuration, the first
Is desirably configured to simultaneously latch the data distributed to a plurality of systems by a signal shifted by the shift register.

【0026】この構成によれば、シフトレジスタの段数
が低減されるとともに、第1のラッチ回路がデータをラ
ッチするのに要する時間も短縮することが可能となる。
According to this configuration, the number of stages of the shift register can be reduced, and the time required for the first latch circuit to latch data can be reduced.

【0027】また、データ線駆動回路にシフトレジスタ
を備える構成では、1サブフィールドにおいて、前記走
査線駆動回路が前記走査線に対し前記走査信号を供給し
た後に、前記シフトレジスタへの前記クロック信号の供
給を停止させる一方、次のサブフィールドが開始する
と、前記クロック信号の供給を再開させるクロック信号
供給制御回路を備えることが望ましい。
In a configuration in which the data line driving circuit includes a shift register, in one subfield, after the scanning line driving circuit supplies the scanning signal to the scanning line, the clock signal is supplied to the shift register. It is preferable to provide a clock signal supply control circuit for stopping the supply and restarting the supply of the clock signal when the next subfield starts.

【0028】一般に、シフトレジスタには、クロック信
号をゲートで入力するクロックドインバータが極めて多
数備えられるので、クロック信号の供給源からみると、
シフトレジスタは容量負荷となる。一方、「1サブフィ
ールドにおいて、走査線駆動回路が走査線のすべてに対
し走査信号を供給した後」から「次のサブフィールドが
開始する」までの期間においては、データ線側のシフト
レジスタを動作させる必要はない。そこで、上記クロッ
ク信号供給制御回路によって、上記期間だけ、クロック
信号のシフトレジスタへの供給を停止させることによっ
て、シフトレジスタの容量負荷に起因して消費される電
力が抑えられることとなる。
In general, a shift register is provided with a very large number of clocked inverters for inputting a clock signal at a gate, and therefore, when viewed from a clock signal supply source,
The shift register becomes a capacitive load. On the other hand, during the period from “after the scanning line driving circuit supplies a scanning signal to all of the scanning lines in one subfield” to “the next subfield starts”, the shift register on the data line side operates. You don't have to. Therefore, by stopping the supply of the clock signal to the shift register by the clock signal supply control circuit only during the above period, the power consumed due to the capacitive load of the shift register can be reduced.

【0029】次に、上記目的を達成するために、本件第
5の発明は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査
線およびデータ線の各交差に対応して配設される複数の
画素とを有する電気光学装置であって、前記画素は、前
記交差に対応する走査線に走査信号が供給されると、前
記データ線に供給されている画素のオンまたはオフを指
示するデータを書き込むメモリと、前記メモリに対応し
て設けられる画素電極と、前記メモリに書き込まれたオ
ンまたはオフを指示するデータに基づいて、オン信号ま
たはオフ信号のうちのいずれかを選択し、前記画素電極
に印加する第1のスイッチング素子と、前記画素電極に
対向する対向電極とを具備することを特徴としている。
Next, in order to achieve the above object, a fifth aspect of the present invention is directed to a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of scanning lines and a plurality of data lines provided corresponding to respective intersections of the data lines. An electro-optical device comprising: a pixel, when a scanning signal is supplied to a scanning line corresponding to the intersection, the pixel supplies data for instructing ON or OFF of the pixel supplied to the data line. A writing memory, a pixel electrode provided corresponding to the memory, and selecting one of an on signal and an off signal based on data indicating on or off written in the memory; , And a counter electrode facing the pixel electrode.

【0030】電気光学材料として液晶を用いた場合、液
晶層に直流成分が印加される事態を回避するために、定
期的に画素電極および対向電極に印加する電圧の極性を
反転させる必要が生じるが、この発明のように、第1の
スイッチング素子によってオン信号またはオフ信号のう
ちのいずれかを選択する構成とすれば、極性反転のタイ
ミングに応じてオンまたはオフを指示するデータのレベ
ルを反転する必要がなくなるので、電気光学装置の構成
を簡易にすることができるという利点がある。
When liquid crystal is used as the electro-optical material, it is necessary to periodically invert the polarity of the voltage applied to the pixel electrode and the counter electrode in order to avoid a situation in which a DC component is applied to the liquid crystal layer. According to the present invention, if either the ON signal or the OFF signal is selected by the first switching element, the level of the data for instructing ON or OFF is inverted according to the polarity inversion timing. Since there is no need, there is an advantage that the configuration of the electro-optical device can be simplified.

【0031】この第5の発明においては、1フィールド
を分割した複数のサブフィールドの各々において、前記
走査線に前記走査信号を供給する走査線駆動回路と、前
記サブフィールドの各々において、各画素に対応する走
査線に前記走査信号が供給される期間に、前記画素の階
調に応じた前記データを、前記画素に対応するデータ線
に供給するデータ線駆動回路と、前記画素のメモリそれ
ぞれに書き込まれたデータに基づいて、前記複数の画素
を一斉にオンまたはオフさせるように、前記画素電極お
よび前記対向電極に印加する信号を制御する制御回路と
を具備するようにしてもよい。
In the fifth aspect, in each of a plurality of subfields obtained by dividing one field, a scanning line driving circuit for supplying the scanning signal to the scanning line, and a pixel in each of the subfields In a period in which the scanning signal is supplied to the corresponding scanning line, the data according to the gradation of the pixel is written to the data line driving circuit that supplies the data line corresponding to the pixel to the memory of the pixel. A control circuit for controlling signals applied to the pixel electrode and the counter electrode so as to simultaneously turn on or off the plurality of pixels based on the obtained data.

【0032】この発明は、上記第1の発明を電気光学装
置として具現したものであり、上記第1の発明と同様の
効果が得られる。
According to the present invention, the first invention is embodied as an electro-optical device, and the same effects as those of the first invention can be obtained.

【0033】さらに、上記第5の発明においては、1フ
ィールドを分割した複数のサブフィールドの各々におい
て、前記走査線に前記走査信号を供給する走査線駆動回
路と、前記サブフィールドの各々において、各画素に対
応する走査線に前記走査信号が供給される期間に、前記
画素の階調に応じた前記データを、前記画素に対応する
データ線に供給するデータ線駆動回路と、前記メモリに
データが書き込まれた画素毎に、順次前記画素をオンま
たはオフさせるように、前記画素電極および対向電極に
印加する信号を制御する制御回路とを具備するようにし
てもよい。
Further, in the fifth invention, in each of a plurality of subfields obtained by dividing one field, a scanning line driving circuit for supplying the scanning signal to the scanning line, and in each of the subfields, A data line driving circuit that supplies the data corresponding to the gray scale of the pixel to a data line corresponding to the pixel during a period in which the scanning signal is supplied to the scanning line corresponding to the pixel; A control circuit for controlling a signal applied to the pixel electrode and the counter electrode so as to turn on or off the pixel sequentially for each written pixel may be provided.

【0034】この発明は、上記第2の発明を電気光学装
置として具現したものであり、上記第2の発明と同様の
効果が得られる。
The present invention embodies the second invention as an electro-optical device, and provides the same effects as the second invention.

【0035】なお、上記各発明における前記メモリは、
前記走査信号によって導通状態となる第2のスイッチン
グ素子と、前記第2のスイッチング素子が導通状態とな
ると、対応するデータ線のデータを書き込み、前記第2
のスイッチング素子が非導通状態となると、書き込まれ
たデータを保持するキャパシタとを具備するようにして
もよい。
The memory in each of the above inventions is:
A second switching element that is turned on by the scanning signal; and, when the second switching element is turned on, writes data on a corresponding data line to the second switching element.
And a capacitor for holding the written data when the switching element is turned off.

【0036】この構成では、DRAMとなるために簡略
化が容易である。
In this configuration, since it is a DRAM, simplification is easy.

【0037】ここで、前記第2のスイッチング素子は、
Pチャネル型およびNチャネル型トランジスタを相補的
に組み合わせたものである構成が望ましい。
Here, the second switching element is
It is desirable that the P-channel type transistor and the N-channel type transistor be configured in a complementary manner.

【0038】第2のスイッチング素子を片チャネル型ト
ランジスタとした場合には、そのしきい値電圧を考慮し
てデータの電圧を設定する必要があるが、この態様によ
れば、しきい値電圧を考慮する必要がなくなる。
When the second switching element is a one-channel transistor, it is necessary to set the data voltage in consideration of the threshold voltage. No need to consider.

【0039】一方、前記メモリが、前記走査信号によっ
て導通状態となる第2のスイッチング素子と、前記第2
のスイッチング素子が導通状態となると、対応するデー
タ線のデータを書き込み、前記第2のスイッチング素子
が非導通状態となると、書き込まれたデータを保持する
互いに一方のインバータの出力が他方のインバータの入
力となっている2つのインバータからなる構成もまた望
ましい。
On the other hand, the memory includes a second switching element that is turned on by the scanning signal, and a second switching element.
When the second switching element is turned off, the output of one of the inverters holding the written data is connected to the input of the other inverter when the second switching element is turned off. Is also desirable.

【0040】この構成では、SRAMとなるためにデー
タが自己保存されるので、動作マージンを拡大すること
ができる。
In this configuration, since the data is self-stored to be an SRAM, the operation margin can be expanded.

【0041】なお、上記各発明においては、前記第1の
スイッチング素子は、前記メモリに書き込まれたデータ
に従って、前記画素電極に印加する信号のいずれか一方
を選択する第1のスイッチと、他方を選択する第2のス
イッチとからなるものであって、前記第1および第2の
スイッチは、それぞれPチャネル型およびNチャネル型
トランジスタを相補的に組み合わせたものである構成と
することが望ましい。
In each of the above inventions, the first switching element includes a first switch for selecting one of signals applied to the pixel electrodes according to data written to the memory, and a first switch for selecting the other signal. And a second switch to be selected. It is preferable that the first and second switches have a configuration in which a P-channel type transistor and an N-channel type transistor are complementarily combined, respectively.

【0042】第1および第2のスイッチを片チャネル型
トランジスタとした場合には、そのしきい値電圧を考慮
して、前記画素電極に印加する信号の電圧レベルを設定
する必要があるが、この態様によれば、しきい値電圧を
考慮する必要がなくなる。特に、第2のスイッチング素
子を相補型とすると、用いる電圧レベルをH、Lに相当
する2値で済ませることもできる。
When the first and second switches are single-channel transistors, it is necessary to set the voltage level of the signal applied to the pixel electrode in consideration of the threshold voltage. According to the aspect, it is not necessary to consider the threshold voltage. In particular, if the second switching element is of a complementary type, it is possible to use only two levels corresponding to H and L.

【0043】また、上記各発明の一態様によれば、前記
複数の画素、前記走査線駆動回路および前記データ線駆
動回路は半導体基板に形成され、前記画素電極は反射性
を有することが望ましい。
According to one aspect of the invention, it is preferable that the plurality of pixels, the scanning line driving circuit, and the data line driving circuit are formed on a semiconductor substrate, and the pixel electrode has reflectivity.

【0044】半導体基板の電子移動度は高いので、前記
基板に形成されるスイッチング素子や、駆動回路の構成
素子などについて、高速応答性とともに小サイズ化を図
ることが可能となる。
Since the electron mobility of the semiconductor substrate is high, it is possible to reduce the size of the switching elements formed on the substrate and the constituent elements of the drive circuit as well as the high-speed response.

【0045】さらに、上記目的を達成するために、本件
第6の発明に係る電子機器にあっては、上記電気光学装
置を備えているので、D/A変換回路やオペアンプなど
が不要となる上に、さらに、これらのD/A変換回路、
オペアンプなどの特性や、各種の配線抵抗などの不均一
性の影響を受けない。従って、この電子機器によれば、
コストが抑えられるとともに、高品質かつ高精細な階調
表示が可能となる。
Further, in order to achieve the above object, the electronic apparatus according to the sixth aspect of the present invention includes the above-mentioned electro-optical device, so that a D / A conversion circuit and an operational amplifier are not required. Furthermore, these D / A conversion circuits,
It is not affected by the characteristics of operational amplifiers and non-uniformities such as various wiring resistances. Therefore, according to this electronic device,
The cost can be reduced, and high-quality and high-definition gradation display can be performed.

【0046】[0046]

【発明の実施の形態】<理論的前提>まず、本発明の実
施形態に係る電気光学装置について説明する前に、本発
明による階調表示の理論的前提について簡単に説明する
こととする。一般に、電気光学材料として液晶を用いた
液晶装置において、液晶層に印加される電圧実効値と相
対透過率(または反射率)との関係は、電圧無印加状態
において黒表示を行うノーマリーブラックモードを例に
とれば、図4(a)に示されるような関係にある。すな
わち、液晶層に印加される電圧実効値が増すにつれて、
透過率が非線形に増加して飽和する。なお、ここでいう
相対透過率とは、透過光量の最低値および最高値を、そ
れぞれ0%および100%として正規化したものであ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <Theoretical Assumption> First, before describing an electro-optical device according to an embodiment of the present invention, a theoretical assumption of a gray scale display according to the present invention will be briefly described. In general, in a liquid crystal device using liquid crystal as an electro-optical material, the relationship between the effective voltage value applied to the liquid crystal layer and the relative transmittance (or reflectance) is a normally black mode in which black display is performed in the absence of a voltage. For example, the relationship is as shown in FIG. That is, as the effective voltage value applied to the liquid crystal layer increases,
The transmittance increases nonlinearly and saturates. Here, the relative transmittance is a value obtained by normalizing the minimum value and the maximum value of the transmitted light amount as 0% and 100%, respectively.

【0047】ここで、本実施形態に係る電気光学装置が
8階調表示を行うものとし、3ビットで示される階調
(濃淡)データが、それぞれ同図に示される透過率を指
示するものとする。この際、透過率0%と透過率100
%とを除いた中間透過率において液晶層に印加される電
圧実効値を、それぞれ、V1、V2、・・・、V6とす
ると、従来では、これらの電圧が、データ線を介して液
晶層に印加される構成となっていた。このため、従来の
技術で説明したように、中間階調に対応する電圧V1、
V2、・・・、V6については、D/A変換回路やオペ
アンプなどのアナログ回路の特性や、各種の配線抵抗な
どのばらつきによる影響を受けやすく、さらに、画素同
士でみて不均一となり易いので、高品質かつ高精細な階
調表示が困難であった。
Here, it is assumed that the electro-optical device according to the present embodiment performs 8-gradation display, and that gradation (shading) data represented by 3 bits indicates the transmittance shown in FIG. I do. At this time, the transmittance is 0% and the transmittance is 100
%, And the effective values of the voltages applied to the liquid crystal layer at the intermediate transmittance excluding% are V1, V2,..., And V6, respectively, conventionally, these voltages are applied to the liquid crystal layer via the data lines. The configuration was applied. For this reason, as described in the related art, the voltages V1 and
V2,..., And V6 are easily affected by the characteristics of analog circuits such as a D / A conversion circuit and an operational amplifier, and variations in various wiring resistances. It has been difficult to display high quality and high definition gradation.

【0048】そこで、本実施形態に係る電気光学装置で
は、第1に、液晶層に瞬間的に印加する電圧を、例え
ば、Lレベルに相当する電圧VL(=0)と、Hレベル
に相当する電圧VHのいずれかとする構成を採用する。
一方、この構成において、1フィールド(1f)の全期
間にわたって液晶層に電圧VLを印加すれば、前記全期
間においてオフ表示となるから、透過率は0%となる。
さらに、1フィールド期間のうち、液晶層に電圧VLを
印加する期間と、電圧VHを印加する期間との比率を制
御して、液晶層に印加される電圧実効値がV1、V2、
・・・、V6となるように構成すれば、前記電圧に対応
する階調表示が可能となる。また、液晶層に印加される
電圧実効値がV7を越えても、飽和性であるがゆえに透
過率は100%となる。
Therefore, in the electro-optical device according to the present embodiment, first, the voltage instantaneously applied to the liquid crystal layer corresponds to, for example, the voltage VL (= 0) corresponding to the L level and the H level. A configuration in which one of the voltages VH is used is adopted.
On the other hand, in this configuration, if the voltage VL is applied to the liquid crystal layer over the entire period of one field (1f), the display is turned off during the entire period, so that the transmittance becomes 0%.
Further, in one field period, the ratio of the period during which the voltage VL is applied to the liquid crystal layer to the period during which the voltage VH is applied is controlled so that the effective voltage applied to the liquid crystal layer is V1, V2,.
.., V6, gradation display corresponding to the voltage is possible. Even when the effective voltage value applied to the liquid crystal layer exceeds V7, the transmittance is 100% because of the saturation.

【0049】そこで、本実施形態に係る電気光学装置で
は、第2に、液晶層に電圧VLを印加する期間と、電圧
VHを印加する期間とを区切るために、図4(b)に示
されるように、1フィールド(1f)期間を7つの期間
に分割する。この分割した7つの期間を便宜的にサブフ
ィールドSf1、Sf2、・・・、Sf7と称すること
にする。
Therefore, in the electro-optical device according to the present embodiment, second, FIG. 4B shows the period for applying the voltage VL to the liquid crystal layer and the period for applying the voltage VH. Thus, one field (1f) period is divided into seven periods. The seven divided periods are referred to as subfields Sf1, Sf2,..., Sf7 for convenience.

【0050】一方、本実施形態に係る電気光学装置は、
例えば後述する第1の駆動方法の場合は、各画素毎にメ
モリを有する一方、サブフィールドSf1、Sf2、・
・・、Sf7の各々において、各メモリに対し、対応画
素の液晶層に電圧VL、電圧VHのいずれを印加するか
を示すデータを順番に書き込んだ後、すべての画素に対
し、書き込まれたデータに基づいて一斉にオンまたはオ
フさせる構成となっている。そこで、例えば後述する第
1の駆動方法においては、サブフィールドSf1、Sf
2、・・・、Sf7の各々においてメモリにデータを書
き込む期間を、図4(b)に示されるように、書込期間
Vaとし、そのデータにしたがった電圧を液晶層に印加
する期間を、同図に示されるように印加期間Sf1b、
Sf2b、・・・、Sf7bとする。
On the other hand, the electro-optical device according to the present embodiment
For example, in the case of a first driving method described later, a memory is provided for each pixel, while the subfields Sf1, Sf2,.
In each of Sf7, after sequentially writing data indicating which of the voltage VL and the voltage VH is to be applied to the liquid crystal layer of the corresponding pixel to each memory, the data written to all the pixels Is turned on or off all at once based on the Therefore, for example, in a first driving method described later, the sub-fields Sf1 and Sf
2,..., Sf7, a period for writing data to the memory is a writing period Va as shown in FIG. 4B, and a period for applying a voltage according to the data to the liquid crystal layer is as follows. As shown in the figure, the application period Sf1b,
Sf2b,..., Sf7b.

【0051】そして例えば、ある画素の階調データが
(001)である場合(すなわち、前記画素の透過率を
14.3%とする階調表示を行う場合)、1フィールド
(1f)期間のうち、サブフィールドSf1の印加期間
Sf1bにおいて、前記画素の液晶層に電圧VHを印加
する一方、他の期間において電圧VL(=0)を印加す
る構成とする。ここで、電圧実効値は、電圧瞬時値の2
乗を1周期(1フィールド)にわたって平均化した平方
根で求められるから、サブフィールドSf1における印
加期間Sf1bを、1フィールド(1f)に対して(V
1/VH)2の時間長に設定する。これにより、1フィ
ールド(1f)の期間において液晶層に印加される電圧
実効値が電圧V1となるので、前記画素の透過率を1
4.3%とする中間階調表示が可能となる。
For example, when the gradation data of a certain pixel is (001) (ie, when performing gradation display with the transmittance of the pixel being 14.3%), one field (1f) period During the application period Sf1b of the subfield Sf1, the voltage VH is applied to the liquid crystal layer of the pixel, and the voltage VL (= 0) is applied in other periods. Here, the effective voltage value is 2 of the instantaneous voltage value.
The application period Sf1b in the subfield Sf1 is determined by the square root obtained by averaging the power to one period (one field) with respect to one field (1f).
1 / VH) Set to 2 time length. As a result, the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer during the period of one field (1f) becomes the voltage V1, so that the transmittance of the pixel becomes 1
Intermediate gradation display of 4.3% becomes possible.

【0052】また例えば、階調データが(010)であ
る場合(すなわち、前記画素の透過率を28.6%とす
る階調表示を行う場合)、1フィールド(1f)期間の
うち、サブフィールドSf1の印加期間Sf1bと、サ
ブフィールドSf2の印加期間Sf2bとにおいて、前
記画素の液晶層に電圧VHを印加する一方、他の期間に
おいて電圧VLを印加する構成とする。ここで、印加期
間Sf1bおよびSf2bの累積期間を、1フィールド
(1f)に対して(V2/VH)2の時間長に設定す
る。これにより、1フィールド(1f)期間において液
晶層に印加される電圧実効値が電圧V2となるので、前
記画素の透過率を28.6%とする中間階調表示が可能
となる。この際、印加期間Sf1bは、1フィールド
(1f)に対して(V1/VH)2の時間長に設定され
るので、印加期間Sf2bについては、1フィールド
(1f)に対して(V2/VH)2−(V1/VH)2
時間長に設定すれば良い。
Further, for example, when the gradation data is (010) (ie, when performing gradation display with the transmittance of the pixel being 28.6%), the subfield of one field (1f) period In the application period Sf1b of Sf1 and the application period Sf2b of the subfield Sf2, the voltage VH is applied to the liquid crystal layer of the pixel, and the voltage VL is applied in other periods. Here, the accumulation period of the application periods Sf1b and Sf2b is set to a time length of (V2 / VH) 2 for one field (1f). Thus, the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer in one field (1f) period becomes the voltage V2, so that a halftone display in which the transmittance of the pixel is 28.6% becomes possible. At this time, since the application period Sf1b is set to a time length of (V1 / VH) 2 for one field (1f), the application period Sf2b is set to (V2 / VH) for one field (1f). 2 - (V1 / VH) 2 of may be set to a time length.

【0053】同様に例えば、階調データが(011)で
ある場合(すなわち、前記画素の透過率を42.9%と
する階調表示を行う場合)、1フィールド(1f)期間
のうち、サブフィールドSf1の印加期間Sf1bと、
サブフィールドSf2の印加期間Sf2bと、サブフィ
ールドSf3の印加期間Sf3bとにおいて、前記画素
の液晶層に電圧VHを印加する一方、他の期間において
電圧VLを印加する構成とする。ここで、印加期間Sf
1b、Sf2bおよびSf3bの累積期間を、1フィー
ルド(1f)に対して(V3/VH)2の時間長に設定
する。これにより、1フィールド(1f)期間において
液晶層に印加される電圧実効値が電圧V3となるので、
前記画素の透過率を42.9%とする中間階調表示が可
能となる。この際、印加期間Sf1bおよびSf2bの
累積期間は、1フィールド(1f)に対して(V2/V
H)2の時間長に設定されるので、印加期間Sf3bに
ついては、1フィールド(1f)に対して(V3/V
H)2−(V2/VH)2の時間長に設定すれば良い。
Similarly, for example, when the gradation data is (011) (that is, when performing gradation display with the transmittance of the pixel being 42.9%), the sub-field in one field (1f) period An application period Sf1b of the field Sf1,
In the application period Sf2b of the subfield Sf2 and the application period Sf3b of the subfield Sf3, the voltage VH is applied to the liquid crystal layer of the pixel, and the voltage VL is applied in other periods. Here, the application period Sf
The accumulation period of 1b, Sf2b and Sf3b is set to a time length of (V3 / VH) 2 for one field (1f). Thereby, the effective voltage value applied to the liquid crystal layer in one field (1f) period becomes the voltage V3,
Intermediate gradation display in which the transmittance of the pixel is 42.9% becomes possible. At this time, the cumulative period of the application periods Sf1b and Sf2b is (V2 / V
H) Since the time length is set to 2 , the application period Sf3b is (V3 / V
H) 2 − (V2 / VH) 2 may be set as the time length.

【0054】以下、同様にして、サブフィールドSf4
の印加期間Sf4bが1フィールド(1f)に対して
(V4/VH)2−(V3/VH)2の時間長に設定さ
れ、サブフィールドSf5の印加期間Sf5bが1フィ
ールド(1f)に対して(V5/VH)2−(V4/V
H)2の時間長に設定され、サブフィールドSf6の印
加期間Sf6bが1フィールド(1f)に対して(V6
/VH)2−(V5/VH)2の時間長に設定される。
Hereinafter, similarly, the subfield Sf4
Is set to a time length of (V4 / VH) 2- (V3 / VH) 2 for one field (1f), and the application period Sf5b of the subfield Sf5 is set to ( V5 / VH) 2- (V4 / V
H) The time length is set to 2 and the application period Sf6b of the subfield Sf6 is set to (V6
/ VH) 2 − (V5 / VH) 2 .

【0055】一方、書込期間Vaは、駆動回路の構成や
性能などを考慮すると、各サブフィールドにおいて同一
の期間とするのが望ましい。従って、1フィールド(1
f)の期間のうち、上述のようにして定められた印加期
間Sf1b、Sf2b、・・・、Sf6bと、各サブフ
ィールドの書込期間Vaとを除いた期間が、サブフィー
ルドSf7の印加期間Sf7bとして定められることと
なる。ただし、印加期間Sf1b、Sf2b、・・・、
Sf7bの累算期間が、1フィールド(1f)に対して
(V7/VH)2の時間長よりも長くなることが必要と
なる。この理由は、階調データが(111)である場
合、前記画素の液晶層には、各印加期間Sf1b、Sf
2b、・・・、Sf7bにおいて、電圧VHが印加され
る構成となるが、これらの累算期間が、1フィールド
(1f)に対して(V7/VH)2の時間長よりも長け
れば、1フィールド期間(1f)において前記画素の液
晶層に印加される電圧実効値がV7を越えて、前記画素
の透過率が100%となるからである。
On the other hand, the write period Va is desirably the same period in each subfield in consideration of the configuration and performance of the drive circuit. Therefore, one field (1
In the period f), the application period Sf7b of the subfield Sf7 is a period excluding the application periods Sf1b, Sf2b,..., Sf6b determined as described above, and the writing period Va of each subfield. It will be determined as. However, the application periods Sf1b, Sf2b,.
It is necessary that the accumulation period of Sf7b is longer than the time length of (V7 / VH) 2 for one field (1f). The reason is that, when the gradation data is (111), the liquid crystal layer of the pixel has the respective application periods Sf1b, Sf
2b,..., Sf7b, the voltage VH is applied. If the accumulation period is longer than the time length of (V7 / VH) 2 for one field (1f), 1 This is because the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer of the pixel in the field period (1f) exceeds V7 and the transmittance of the pixel becomes 100%.

【0056】このように、1フィールドを7つのサブフ
ィールドSf1、Sf2、・・・、Sf7に分割すると
ともに、印加期間Sf1b、Sf2b、・・・、Sf7
bを設定して、階調データに応じた書き込みを行う構成
とすると、前記液晶層に印加される電圧はVLおよびV
Hの2値であるにもかかわらず、各透過率に対応する階
調表示が可能となる。そこで、以下、このための構成に
ついて図面を参照して説明する。
As described above, one field is divided into seven subfields Sf1, Sf2,..., Sf7, and the application periods Sf1b, Sf2b,.
b, and writing is performed according to the gradation data, the voltages applied to the liquid crystal layer are VL and V
Despite the two values of H, gradation display corresponding to each transmittance is possible. Therefore, the configuration for this will be described below with reference to the drawings.

【0057】<実施形態>まず、本発明の実施形態に係
る電気光学装置は、電気光学材料として液晶を用いた液
晶装置であり、後述するように素子基板と対向基板と
が、互いに一定の間隙を保って貼付され、この間隙に電
気光学材料たる液晶が挟持される構成となっている。ま
た、本実施形態に係る電気光学装置では、素子基板とし
て半導体基板が用いられ、ここに、画素を駆動するトラ
ンジスタとともに、周辺駆動回路などが形成されたもの
である。
<Embodiment> First, an electro-optical device according to an embodiment of the present invention is a liquid crystal device using liquid crystal as an electro-optical material. As will be described later, an element substrate and an opposing substrate have a fixed gap therebetween. And a liquid crystal as an electro-optical material is sandwiched in the gap. Further, in the electro-optical device according to the present embodiment, a semiconductor substrate is used as an element substrate, in which a peripheral driving circuit and the like are formed together with transistors for driving pixels.

【0058】<電気的な構成>図1は、この電気光学装
置の電気的な構成を示すブロック図である。図におい
て、タイミング信号生成回路200は、図示せぬ上位装
置から供給される垂直走査信号Vs、水平走査信号Hs
およびドットクロック信号DCLKに従って、次に説明
する各種のタイミング信号やクロック信号などを生成し
て、一種の制御回路として機能するものである。まず、
第1に、交流化駆動信号FRは、例えば図6や図7に示
されるように1フィールド(1フレーム)毎にレベル反
転して、対向基板の対向電極に印加される信号である。
第2に、スタートパルスDYは、同じく図6や図7に示
されるように、1フィールドを分割した各サブフィール
ドSf1、Sf2、・・・、Sf7の最初に出力される
パルス信号である。第3に、クロック信号CLYは、図
6に示されるように走査側(Y側)の水平走査期間を規
定する信号である。第4に、ラッチパルスLPは、図6
に示されるように水平走査期間の最初に出力されるパル
ス信号であって、クロック信号CLYのレベル遷移(す
なわち、立ち上がりおよび立ち下がり)時に出力される
ものである。第5に、クロック信号CLXは、いわゆる
ドットクロックを規定する信号である。第6に、信号V
offは、例えば図6や図7に示されるように、交流化
駆動信号FRと同一の信号であり、画素をオフとすべき
場合に図2に示される画素電極118に印加される信号
である。第7に、信号Vonは、画素をオンとすべき場
合に画素電極118に印加される信号である。この信号
Vonの態様については、後の駆動方法の説明において
詳述する。
<Electrical Configuration> FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of the electro-optical device. In the figure, a timing signal generation circuit 200 includes a vertical scanning signal Vs and a horizontal scanning signal Hs supplied from a higher-level device (not shown).
In accordance with the dot clock signal DCLK, various timing signals and clock signals described below are generated to function as a kind of control circuit. First,
First, the AC drive signal FR is a signal which is applied to a counter electrode of a counter substrate with its level inverted every field (one frame) as shown in FIGS. 6 and 7, for example.
Second, the start pulse DY is a pulse signal output first at each of the subfields Sf1, Sf2,..., Sf7 obtained by dividing one field, as shown in FIGS. Third, the clock signal CLY is a signal that defines a horizontal scanning period on the scanning side (Y side) as shown in FIG. Fourth, the latch pulse LP is
As shown in (1), the pulse signal is output at the beginning of the horizontal scanning period, and is output at the time of the level transition (that is, rising and falling) of the clock signal CLY. Fifth, the clock signal CLX is a signal that defines a so-called dot clock. Sixth, the signal V
Off is the same signal as the AC drive signal FR as shown in FIGS. 6 and 7, for example, and is a signal applied to the pixel electrode 118 shown in FIG. 2 when the pixel is to be turned off. . Seventh, the signal Von is a signal applied to the pixel electrode 118 when the pixel is to be turned on. The mode of the signal Von will be described later in detail in the description of the driving method.

【0059】一方、素子基板上における表示領域101
aには、複数本の走査線112が、図においてX(行)
方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線11
4が、Y(列)方向に沿って延在して形成されている。
そして、走査線112とデータ線114との各交差に
は、画素110(後述する)が設けられて、マトリクス
状に配列している。ここで、説明の便宜上、本実施形態
では、走査線112の総本数をm本とし、データ線11
4の総本数をn本として(m、nはそれぞれ2以上の整
数)、m行×n列のマトリクス型表示装置として説明す
るが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
On the other hand, the display area 101 on the element substrate
In a, a plurality of scanning lines 112 are indicated by X (row) in the figure.
And a plurality of data lines 11
4 are formed extending along the Y (column) direction.
Pixels 110 (described later) are provided at intersections of the scanning lines 112 and the data lines 114, and are arranged in a matrix. Here, for convenience of explanation, in the present embodiment, the total number of the scanning lines 112 is m and the data lines 11
While the total number of 4 is n (m and n are each an integer of 2 or more), a matrix-type display device of m rows × n columns will be described, but the present invention is not limited thereto.

【0060】次に、走査線駆動回路130は、いわゆる
Yシフトレジスタと呼ばれるものであり、各サブフィー
ルドの最初に供給されるスタートパルスDYをクロック
信号CLYに従って転送し、走査線112の各々に走査
信号G1、G2、G3、・・・、Gmとして順次排他的
に供給するものである。
Next, the scanning line driving circuit 130 is a so-called Y shift register, which transfers a start pulse DY supplied at the beginning of each subfield in accordance with a clock signal CLY, and scans each of the scanning lines 112. The signals G1, G2, G3,..., Gm are sequentially and exclusively supplied.

【0061】データ線駆動回路140は、ある水平走査
期間において、データDsをデータ信号d1、d2、d
3、・・・、dnとして順次各データ線114に供給す
るためのものである。図3は、このデータ線駆動回路1
40の具体的な構成を示すブロック図である。同図に示
すように、このデータ線駆動回路140は、Xシフトレ
ジスタ1410と、ラッチ回路1420とから構成され
ている。Xシフトレジスタ1410は、水平走査期間の
最初に供給されるラッチパルスLPをクロック信号CL
Xに従って転送し、ラッチ信号S1、S2、S3、・・
・、Snとして順次出力するものである。ラッチ回路1
420は、データ変換回路300から出力されるデータ
Dsをラッチ信号S1、S2、S3、・・・、Snの立
下りにおいてラッチし、データ信号d1、d2、d3、
・・・dnとして順次対応するデータ線114に出力す
る。
The data line driving circuit 140 converts the data Ds into data signals d1, d2, d during a certain horizontal scanning period.
,... Dn are sequentially supplied to the respective data lines 114. FIG. 3 shows the data line driving circuit 1
It is a block diagram which shows the specific structure of 40. As shown in the figure, the data line driving circuit 140 includes an X shift register 1410 and a latch circuit 1420. The X shift register 1410 outputs the latch pulse LP supplied at the beginning of the horizontal scanning period to the clock signal CL.
X, and latch signals S1, S2, S3,.
, And Sn are sequentially output. Latch circuit 1
420 latches the data Ds output from the data conversion circuit 300 at the falling edges of the latch signals S1, S2, S3,.
.. Dn are sequentially output to the corresponding data lines 114.

【0062】説明を再び図1に戻すと、データ変換回路
300は、サブフィールドSf1、Sf2、・・・、S
f7毎に、画素の表示階調を示す階調データD0、D
1、D2を、前記画素のオンまたはオフを指示するデー
タDsに変換するものである。詳細には、データ変換回
路300は、垂直走査信号Vs、水平走査信号Hsおよ
びドットクロック信号DCLKに同期して供給され、か
つ、画素毎に対応する3ビットの階調データD0、D
1、D2を、サブフィールドSf1、Sf2、・・・、
Sf7毎にデータDsに変換する構成となっており、そ
の変換内容については、図5に示される通りである。こ
の図に従って説明すると、ある画素に対応する階調デー
タD0、D1、D2が例えば(010)であれば、デー
タ変換回路300は、サブフィールドSf1、Sf2で
は、前記画素の書込タイミングにてHレベルをデータD
sとして出力する一方、サブフィールドSf3、Sf
4、・・・、Sf7では、前記画素の書込タイミングに
てLレベルをデータDsとして出力することとなる。
Returning to the description of FIG. 1, the data conversion circuit 300 determines whether the subfields Sf1, Sf2,.
For each f7, gradation data D0, D indicating the display gradation of the pixel
1, D2 is converted into data Ds for instructing ON or OFF of the pixel. Specifically, the data conversion circuit 300 is supplied in synchronization with the vertical scanning signal Vs, the horizontal scanning signal Hs, and the dot clock signal DCLK, and furthermore, 3-bit gradation data D0, D corresponding to each pixel.
1, D2 are defined as subfields Sf1, Sf2,.
The data is converted into data Ds for each Sf7, and the details of the conversion are as shown in FIG. To explain with reference to this figure, if the gradation data D0, D1, and D2 corresponding to a certain pixel are, for example, (010), the data conversion circuit 300 sets the H at the writing timing of the pixel in the subfields Sf1 and Sf2. Level D
s, while subfields Sf3, Sf
4,..., Sf7, the L level is output as data Ds at the write timing of the pixel.

【0063】ここで、データ変換回路300では、1フ
ィールドのうち、どのサブフィールドであるかを認識す
る構成が必要となるが、この構成については、例えば、
次のような手法を用いることができる。すなわち、本実
施形態では、データ変換回路300内部において、クロ
ック信号CLYをクロックとし、スタートパルスDYを
イネーブルとし、初期値「1」をプリセットする3ビッ
トカウンタを設けた構成とすれば良い。要するに、スタ
ートパルスDYを計数する7進カウンタを設けて、その
カウント結果を参照すれば、現状のサブフィールドを認
識することができる。
Here, the data conversion circuit 300 needs to have a configuration for recognizing which subfield is one of the fields. For this configuration, for example,
The following method can be used. That is, in the present embodiment, the data conversion circuit 300 may have a configuration in which a clock signal CLY is used as a clock, a start pulse DY is enabled, and a 3-bit counter that presets an initial value “1” is provided. In short, by providing a 7-ary counter for counting the start pulse DY and referring to the count result, the current subfield can be recognized.

【0064】また、本実施形態では、交流化駆動のため
に、対向電極108の電位を交流化駆動信号FRによっ
て1フィールド毎に反転しているので、データ変換回路
300内部に、スタートパルスDYを計数するととも
に、前記カウンタ結果を交流化駆動信号FRのレベル遷
移(立ち上がりおよび立ち下がり)でリセットするカウ
ンタを設けて、前記カウント結果を参照する構成でも、
現状のサブフィールドを認識することができる。
In this embodiment, since the potential of the counter electrode 108 is inverted for each field by the AC drive signal FR for AC drive, the start pulse DY is supplied inside the data conversion circuit 300. In a configuration in which a counter for counting and resetting the counter result at the level transition (rising and falling) of the AC drive signal FR is provided, and the count result is referred to,
The current subfield can be recognized.

【0065】さて、このデータDsについては、走査線
駆動回路130およびデータ線駆動回路140における
動作に同期して出力する必要があるので、データ変換回
路300には、スタートパルスDYと、水平走査に同期
するクロック信号CLYと、水平走査期間の最初を規定
するラッチパルスLPと、ドットクロック信号に相当す
るクロック信号CLXとが供給されている。なお、現状
のサブフィールドを認識するために、カウンタ結果を交
流化駆動信号FRのレベル遷移でリセットする構成とす
るのであれば、破線で示されるように、交流化駆動信号
FRもデータ変換回路300に供給される構成となる。
Since the data Ds needs to be output in synchronization with the operations of the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 140, the data conversion circuit 300 supplies the start pulse DY and the horizontal scanning A synchronized clock signal CLY, a latch pulse LP defining the beginning of a horizontal scanning period, and a clock signal CLX corresponding to a dot clock signal are supplied. If the counter result is reset by the level transition of the AC drive signal FR in order to recognize the current subfield, the AC drive signal FR is also converted to the data conversion circuit 300 as shown by the broken line. Is supplied to the system.

【0066】なお、走査線駆動回路130や、データ線
駆動回路140、タイミング信号生成回路200、デー
タ変換回路300は、図示しない単一電源回路を電源と
するものである。従って、回路各部から出力信号のHレ
ベルおよびLレベルは、この電源回路の高位側電圧VD
Dおよび低位側電圧VSSと一致している。
The scanning line driving circuit 130, data line driving circuit 140, timing signal generation circuit 200, and data conversion circuit 300 use a single power supply circuit (not shown) as a power supply. Therefore, the H level and L level of the output signal from each section of the circuit correspond to the higher voltage VD of this power supply circuit.
D and the lower voltage VSS.

【0067】<画素の構成>ここで、画素110の詳細
な構成について説明する。図2は、この電気光学装置に
おける画素110の一例を示す図である。なお、この図
では、一般化して説明するために、図1において、上か
ら数えてi(iは、1≦i≦mを満たす整数)番目の走
査線112と、左から数えてj(jは、1≦j≦nを満
たす整数)番目のデータ線114との交差に対応する画
素110を示している。
<Configuration of Pixel> Here, a detailed configuration of the pixel 110 will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the pixel 110 in the electro-optical device. In FIG. 1, for generalization, in FIG. 1, an i-th (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m) scanning line 112 counted from the top and a j (j Indicates an pixel 110 corresponding to the intersection with the (the integer satisfying 1 ≦ j ≦ n) th data line 114.

【0068】この図に示されるように、画素110は、
トランジスタ(MOS型FET)Ta1およびキャパシ
タ117からなる一種のDRAMを備えている。すなわ
ち、トランジスタTa1のゲートが走査線112に、ソ
ースがデータ線114に、ドレインがキャパシタ117
の一端に接続されている。
As shown in this figure, the pixel 110
A kind of DRAM including a transistor (MOS type FET) Ta1 and a capacitor 117 is provided. That is, the gate of the transistor Ta1 is connected to the scanning line 112, the source is connected to the data line 114, and the drain is connected to the capacitor 117.
Is connected to one end.

【0069】次に、キャパシタ117の一端は、信号V
offおよび信号Vonが供給される信号線の間で、直
列接続されたPチャネル型トランジスタTb1およびN
チャネル型トランジスタTb2のゲートにそれぞれ接続
されている。すなわち、トランジスタTb1、Tb2
は、信号Vonまたは信号Voffを選択するアナログ
マルチプレクサとして機能する。なお、信号Vonおよ
び信号Voffが供給される信号線は、それぞれ各画素
110にわたって共通である。
Next, one end of the capacitor 117 is connected to the signal V
between the P-type transistors Tb1 and Nb connected in series between
It is connected to the gate of the channel type transistor Tb2. That is, the transistors Tb1, Tb2
Functions as an analog multiplexer that selects the signal Von or the signal Voff. Note that a signal line to which the signal Von and the signal Voff are supplied is common to each pixel 110.

【0070】一方、対向基板には、画素電極118と対
向するように対向電極108が形成されている。さら
に、画素電極118と対向電極108との間には電気光
学材料たる液晶105が挟持されて、液晶層が形成され
ている。ここで、対向電極108は、後述するように、
対向基板に一面に形成される透明電極であり、各画素1
10にわたって共通である。また、対向電極108の電
位は、通常の電気光学装置おいては、一定値に保たれる
が、本実施形態に係る電気光学装置においては、前述し
た交流化駆動信号FRが印加されて、1フィールド毎に
レベル反転する構成となっている。
On the other hand, a counter electrode 108 is formed on the counter substrate so as to face the pixel electrode 118. Further, a liquid crystal 105 serving as an electro-optical material is sandwiched between the pixel electrode 118 and the counter electrode 108 to form a liquid crystal layer. Here, as described later, the opposite electrode 108
A transparent electrode formed on the entire surface of the opposing substrate.
Common over ten. The potential of the counter electrode 108 is maintained at a constant value in a normal electro-optical device, but in the electro-optical device according to the present embodiment, the AC drive signal FR described above is applied to the potential of 1 The level is inverted for each field.

【0071】かかる構成の下、書込期間Va内におい
て、走査線112に走査信号Giが供給されてHレベル
となると、データ線114に供給されているデータ信号
dj(データDs)がキャパシタ117に書き込まれ
る。一方、各印加期間Sf1b、Sf2b、・・・、S
f7bにおいては、直前の書込期間Vaでキャパシタ1
17にHレベルのデータ信号djが書き込まれていれ
ば、トランジスタTb1、Tb2によって信号Voff
に対して反転レベルとなる信号Vonが選択されて画素
電極118に印加され、また、直前の書込期間Vaでキ
ャパシタ117にLレベルのデータ信号djが書き込ま
れていれば、トランジスタTb1、Tb2によって信号
Voffが選択されて画素電極118に印加されること
となる。
With the above configuration, when the scanning signal Gi is supplied to the scanning line 112 and becomes H level during the writing period Va, the data signal dj (data Ds) supplied to the data line 114 is supplied to the capacitor 117. Written. On the other hand, each application period Sf1b, Sf2b,.
In f7b, the capacitor 1 in the immediately preceding writing period Va
If the H-level data signal dj is written to the transistor 17, the signal Voff is generated by the transistors Tb1 and Tb2.
Is selected and applied to the pixel electrode 118, and if the L-level data signal dj has been written to the capacitor 117 in the immediately preceding writing period Va, the transistors Tb1 and Tb2 The signal Voff is selected and applied to the pixel electrode 118.

【0072】なお、従来の電気光学装置にあっては、各
画素の液晶層に印加される電圧の交流化を図るため、予
め記憶されたテーブルに従って、各データ線に供給され
るデータ信号を所定の周期でレベル反転する必要があっ
た。これに対し、画素を上記のような構成とした場合に
は、トランジスタTb1およびTb2に印加される電源
電圧のレベルを変化させることによって液晶層への印加
電圧の交流化を実現することができる。従って、上記従
来の電気光学装置において必要とされたテーブルが不要
となるという利点が得られる。
In the conventional electro-optical device, in order to convert the voltage applied to the liquid crystal layer of each pixel into AC, a data signal supplied to each data line is predetermined according to a table stored in advance. It was necessary to invert the level in the cycle of. On the other hand, in the case where the pixel is configured as described above, it is possible to realize the alternating voltage applied to the liquid crystal layer by changing the level of the power supply voltage applied to the transistors Tb1 and Tb2. Therefore, an advantage is obtained that the table required in the above-described conventional electro-optical device is not required.

【0073】<第1の駆動方法>次に、上述した実施形
態に係る電気光学装置の駆動方法の一態様である第1の
駆動方法について説明する。図6は、この電気光学装置
の動作を説明するためのタイミングチャートである。な
お、同図に示すように、本駆動方法において用いられる
信号Vonは、各サブフィールドSf1、Sf2、・・
・、Sf7における書込期間Vaにおいては交流化駆動
信号FRと同一レベルとなる一方、印加期間Sf1b、
Sf2b、・・・、Sf7bにおいては交流化駆動信号
FRに対して反転レベルとなる信号である。
<First Driving Method> Next, a first driving method which is one mode of the driving method of the electro-optical device according to the above-described embodiment will be described. FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device. Note that, as shown in the figure, the signal Von used in the present driving method includes subfields Sf1, Sf2,.
In the writing period Va in Sf7, the level is the same as the AC drive signal FR, while the application period Sf1b,
Sf2b,..., Sf7b are signals having an inversion level with respect to the AC drive signal FR.

【0074】この図に示されるように、交流化駆動信号
FRは、1フィールド(1f)毎にレベル反転して、対
向電極108に印加される。一方、スタートパルスDY
は、上述したように1フィールド(1f)を分割した各
サブフィールドの開始時に供給される。
As shown in this figure, the AC drive signal FR is applied to the counter electrode 108 after the level is inverted every field (1f). On the other hand, the start pulse DY
Is supplied at the start of each subfield obtained by dividing one field (1f) as described above.

【0075】ここで、交流化駆動信号FRがHレベルと
なる1フィールド(1f)において、サブフィールドS
f1の開始を規定するスタートパルスDYが供給される
と、走査線駆動回路130(図1参照)はこのスタート
パルスDYをクロック信号CLYに従って転送し、この
結果、書込期間Va内に走査信号G1、G2、G3、・
・・、Gmが順次出力されることとなる。なお、走査信
号G1、G2、G3、・・・、Gmは、それぞれクロッ
ク信号CLYの半周期に相当するパルス幅を有してい
る。ここでは、まず、走査信号G1が走査線駆動回路1
30から出力された場合について検討してみる。
Here, in one field (1f) in which the AC drive signal FR becomes H level, the sub-field S
When a start pulse DY defining the start of f1 is supplied, the scanning line drive circuit 130 (see FIG. 1) transfers the start pulse DY in accordance with the clock signal CLY. As a result, the scanning signal G1 is written within the writing period Va. , G2, G3,
.., Gm are sequentially output. The scanning signals G1, G2, G3,..., Gm each have a pulse width corresponding to a half cycle of the clock signal CLY. Here, first, the scanning signal G1 is applied to the scanning line driving circuit 1
Let us consider the case of output from 30.

【0076】走査信号G1が出力されると、図1におい
て上から数えて1本目の走査線112が選択される結
果、前記走査線112との交差に対応する画素110の
トランジスタTa1がすべて導通状態となる。一方、前
記クロック信号CLYの立ち下がりによってラッチパル
スLPが出力される。データ線駆動回路140内のXシ
フトレジスタ1410は、このラッチパルスLPをクロ
ック信号CLXに従って転送し、この結果、ラッチ信号
S1、S2、S3、・・・、Snが水平走査期間(1
H)に順次出力される。なお、ラッチ信号S1、S2、
S3、・・・、Snは、それぞれクロック信号CLXの
半周期に相当するパルス幅を有している。
When the scanning signal G1 is output, the first scanning line 112 counted from the top in FIG. 1 is selected. As a result, all the transistors Ta1 of the pixel 110 corresponding to the intersection with the scanning line 112 are turned on. Becomes On the other hand, a latch pulse LP is output at the falling edge of the clock signal CLY. The X shift register 1410 in the data line driving circuit 140 transfers the latch pulse LP according to the clock signal CLX. As a result, the latch signals S1, S2, S3,.
H). Note that the latch signals S1, S2,
Each of S3,..., Sn has a pulse width corresponding to a half cycle of the clock signal CLX.

【0077】そして、図3におけるラッチ回路1420
は、ラッチ信号S1の立ち下がりにおいて、上から数え
て1本目の走査線112と、左から数えて1本目のデー
タ線114との交差に対応する画素110へのデータD
sをラッチし、左から数えて1本目のデータ線114に
データ信号d1として出力する。次に、ラッチ信号S2
の立下りにおいて、上から数えて1本目の走査線112
と、左から数えて2本目のデータ線114との交差に対
応する画素110へのデータDsをラッチし、左から数
えて2本目のデータ線114にデータ信号d2として出
力する。以後同様に、上から数えて1本目の走査線11
2と、左から数えてj(jは1≦j≦nを満たす整数)
本目のデータ線114との交差に対応する画素110へ
のデータDsを順次ラッチし、前記データ線114にデ
ータ信号djとして出力する。同様の動作を、左から数
えてn本目のデータ線114に対してデータ信号dnが
供給されるまで繰り返す。なお、データ変換回路300
は、ラッチ回路1420によるラッチのタイミングに合
わせて、各画素110の階調データをデータDsに変換
して出力することは言うまでもない。
Then, the latch circuit 1420 in FIG.
Is the data D to the pixel 110 corresponding to the intersection of the first scanning line 112 counted from the top and the first data line 114 counted from the left at the falling of the latch signal S1.
s is latched and output as a data signal d1 to the first data line 114 counted from the left. Next, the latch signal S2
At the falling edge of the first scanning line 112 counted from the top
Then, the data Ds to the pixel 110 corresponding to the intersection with the second data line 114 counted from the left is latched and output as the data signal d2 to the second data line 114 counted from the left. Thereafter, similarly, the first scanning line 11 counted from the top
2 and j counted from the left (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ n)
The data Ds to the pixel 110 corresponding to the intersection with the first data line 114 is sequentially latched and output to the data line 114 as a data signal dj. The same operation is repeated until the data signal dn is supplied to the n-th data line 114 counted from the left. The data conversion circuit 300
It goes without saying that the grayscale data of each pixel 110 is converted into data Ds and output in accordance with the latch timing of the latch circuit 1420.

【0078】この結果、サブフィールドSf1の書込期
間Vaでは、すべての画素110のキャパシタ117に
は、その画素のオンまたはオフを指示するデータ信号D
sが、それぞれ書き込まれることとなる。
As a result, in the writing period Va of the sub-field Sf1, the capacitors 117 of all the pixels 110 have the data signals D instructing ON or OFF of the pixels.
s will be written respectively.

【0079】ここで、書込期間Vaにおいて各画素電極
118には、上述したように交流化駆動信号と同一レベ
ルの信号Voffに対して同一レベルである信号Von
がそれぞれ印加される一方、対向電極108には、交流
化駆動信号FRそのものが印加されるので、各液晶層に
印加される電圧実効値はゼロである。
Here, in the writing period Va, each pixel electrode 118 has a signal Von having the same level as the signal Voff having the same level as the AC drive signal as described above.
Is applied to the counter electrode 108, however, the alternating drive signal FR itself is applied to the counter electrode 108, so that the effective voltage value applied to each liquid crystal layer is zero.

【0080】次に、印加期間Sf1bに移行すると、信
号Vonは、信号Voffと反転レベルとなる。このた
め、すべての画素110では、キャパシタ117に書き
込まれたデータDsのレベルに従って、信号Voffま
たは信号Vonのいずれかが選択されて、画素電極11
8に一斉に印加されることとなる。具体的には、直前の
書込期間Vaにおいて、ある画素110のキャパシタ1
17にLレベルのデータDsが書き込まれていると、ト
ランジスタTb1、Tb2によって信号Voffが選択
されて、画素電極118に印加される一方、Hレベルの
データDsが書き込まれていると、信号Vonが選択さ
れて、画素電極118に印加されることとなる。
Next, when the operation shifts to the application period Sf1b, the signal Von has an inverted level with the signal Voff. Therefore, in all the pixels 110, either the signal Voff or the signal Von is selected according to the level of the data Ds written in the capacitor 117, and the pixel electrode 11
8 are applied simultaneously. Specifically, in the immediately preceding writing period Va, the capacitor 1 of a certain pixel 110
When the data Ds at the L level is written in the signal 17, the signal Voff is selected by the transistors Tb 1 and Tb 2 and applied to the pixel electrode 118. On the other hand, when the data Ds at the H level is written, the signal Von is output. The selected pixel is applied to the pixel electrode 118.

【0081】この際、対向電極108には、信号Vof
fと同一の交流化駆動信号FRが印加されているから、
キャパシタ117にLレベルのデータDsが書き込まれ
た画素110では、その液晶層に印加される電圧実効値
はゼロとなる一方、HレベルのデータDsが書き込まれ
た画素110では、その液晶層に印加される電圧実効値
は、信号Vonと、交流化駆動信号FRとの差電圧(の
絶対値)の2乗を1周期(1フィールド)にわたって平
均化した平方根となる。ここで、信号Von、Voff
のHレベルに相当する電圧VDD、および、Lレベルに
相当する電圧VSS(=0)を、それぞれ電圧VH、V
L(=0)に設定すると、信号Vonと信号Voffと
の差電圧は、電圧VHとなる。なお、画素電極118に
印加される電圧については、厳密に言えば、トランジス
タTa1、Tb1、Tb2のしきい値電圧を考慮しなけ
ればならないので、信号Vonと信号Voffとの差電
圧(の絶対値)は、電圧VHではないが、ここでは説明
の便宜上イコールとして説明し、トランジスタのしきい
値電圧を考慮した場合については、後述するものとす
る。
At this time, the signal Vof is applied to the opposite electrode 108.
Since the same AC drive signal FR as f is applied,
In the pixel 110 in which the L level data Ds is written to the capacitor 117, the effective voltage value applied to the liquid crystal layer is zero, whereas in the pixel 110 in which the H level data Ds is written, the voltage is applied to the liquid crystal layer. The effective voltage value is a square root obtained by averaging the square of (the absolute value of) the difference voltage between the signal Von and the AC drive signal FR over one cycle (one field). Here, signals Von, Voff
The voltage VDD corresponding to the H level and the voltage VSS (= 0) corresponding to the L level are respectively converted to voltages VH and VH.
When L (= 0) is set, the difference voltage between the signal Von and the signal Voff becomes the voltage VH. Strictly speaking, the voltage applied to the pixel electrode 118 must take into account the threshold voltages of the transistors Ta1, Tb1, and Tb2. ) Is not the voltage VH, but is described here as equal for convenience of explanation, and the case where the threshold voltage of the transistor is considered will be described later.

【0082】以下同様な動作が、サブフィールドの開始
を規定するスタートパルスDYが供給される毎に繰り返
される。すなわち、サブフィールドSf2、Sf3、・
・・、Sf7の各々にあっても、第1に、書込期間にお
いて、各画素のキャパシタ117にデータDsが書き込
まれ、第2に、印加期間において、対向電極108に印
加される交流化駆動信号FRと同一の信号Voff、ま
たは、レベル反転した信号Vonが、書き込まれたデー
タDsに従って画素電極118に印加される。この際、
データ変換回路300(図1参照)は、階調データD
0、D1、D2からデータDsへの変換については、サ
ブフィールドSf1〜Sf7のうち、対応するサブフィ
ールドの項目が参照される。さらに、1フィールド(1
f)経過後、交流化駆動信号FRがLレベルに反転した
場合においても、各サブフィールドにおいて同様な動作
が繰り返される。
The same operation is repeated every time a start pulse DY defining the start of a subfield is supplied. That is, the subfields Sf2, Sf3,.
.., Sf7, first, data Ds is written to the capacitor 117 of each pixel during the writing period, and secondly, AC driving applied to the counter electrode 108 during the application period. The same signal Voff as the signal FR or the signal Von whose level is inverted is applied to the pixel electrode 118 according to the written data Ds. On this occasion,
The data conversion circuit 300 (see FIG. 1)
Regarding the conversion from 0, D1, D2 to data Ds, the item of the corresponding subfield among the subfields Sf1 to Sf7 is referred to. Furthermore, one field (1
f) After the elapse, even when the AC drive signal FR is inverted to the L level, the same operation is repeated in each subfield.

【0083】このような動作が繰り返し行われると、画
素電極118に印加される電圧波形は、図7に示される
ように、階調データD0、D1、D2の各組合せに対応
したものとなる。
When such an operation is repeatedly performed, the voltage waveform applied to the pixel electrode 118 corresponds to each combination of the gradation data D0, D1, and D2, as shown in FIG.

【0084】例えば、交流化駆動信号FRがHレベルと
なる1フィールド(1f)の期間において、ある画素の
階調データD0、D1、D2が(000)で示されると
き、データ変換回路300により変換されるデータDs
は、サブフィールドSf1、Sf2、・・・、Sf7の
いずれにおいてもLレベルである。このため、前記画素
の画素電極118には、前記フィールドの全期間にわた
って、Hレベルの信号Voffが印加される。すなわ
ち、対向電極108と画素電極118とに印加される電
圧レベルは同一となる。従って、前記1フィールド(1
f)の期間において、前記画素の液晶層に印加される電
圧実効値はゼロとなるので、その透過率は、階調データ
(000)に対応して0%となる。
For example, when the gradation data D0, D1, and D2 of a certain pixel are indicated by (000) during one field (1f) when the AC drive signal FR is at the H level, the data conversion circuit 300 converts the data. Data Ds
Is at the L level in any of the subfields Sf1, Sf2,..., Sf7. Therefore, the H-level signal Voff is applied to the pixel electrode 118 of the pixel over the entire period of the field. That is, the voltage levels applied to the counter electrode 108 and the pixel electrode 118 are the same. Therefore, the one field (1
In the period f), the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer of the pixel becomes zero, so that the transmittance becomes 0% corresponding to the gradation data (000).

【0085】次に、交流化駆動信号FRがHレベルとな
る1フィールドの期間において、ある画素の階調データ
D0、D1、D2が(001)で示されるとき、データ
Dsは、サブフィールドSf1だけHレベルとなり、他
のサブフィールドSf2、Sf3、・・・、Sf7では
Lレベルとなる。このため、前記画素の画素電極118
には、サブフィールドSf1の印加期間Sf1bにおい
てのみLレベルの信号Vonが印加され、他の期間にお
いてはHレベルの信号Voffが印加されることとな
る。ここで、印加期間Sf1bの期間が1フィールド
(1f)において占める割合は、上述のように(V1/
VH)2に設定されているので、前記1フィールド(1
f)の期間において、前記画素の液晶層に印加される電
圧実効値はV1となる。従って、前記画素の透過率は、
階調データ(001)に対応して14.3%となる。
Next, when the grayscale data D0, D1, and D2 of a certain pixel are represented by (001) in one field period in which the AC drive signal FR is at the H level, the data Ds includes only the subfield Sf1. It becomes H level, and becomes L level in the other subfields Sf2, Sf3,..., Sf7. Therefore, the pixel electrode 118 of the pixel
, The L-level signal Von is applied only in the application period Sf1b of the subfield Sf1, and the H-level signal Voff is applied in other periods. Here, the ratio of the period of the application period Sf1b in one field (1f) is (V1 /
VH) 2 so that the one field (1
In the period f), the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer of the pixel is V1. Therefore, the transmittance of the pixel is
14.3% corresponding to the gradation data (001).

【0086】同様に、交流化駆動信号FRがHレベルと
なる1フィールドの期間において、ある画素の階調デー
タD0、D1、D2が(010)で示されるとき、変換
されるデータDsは、サブフィールドSf1、Sf2だ
けHレベルとなり、他のSf3、Sf4、・・・、Sf
7ではLレベルとなる。このため、前記画素の画素電極
118には、サブフィールドSf1、Sf2の印加期間
Sf1b、Sf2bにおいてのみLレベルの信号Von
が印加され、他の期間においてはHレベルの信号Vof
fが印加されることとなる。ここで、印加期間Sf1
b、Sf2bの累算期間が1フィールド(1f)におい
て占める割合は、上述のように(V2/VH)2に設定
されているので、前記1フィールド(1f)の期間にお
いて、前記画素の液晶層に印加される電圧実効値はV2
となる。従って、前記画素の透過率は、階調データ(0
10)に対応して28.6%となる。
Similarly, when the gradation data D0, D1, and D2 of a certain pixel are represented by (010) in one field period when the AC drive signal FR is at the H level, the converted data Ds is Only the fields Sf1 and Sf2 become H level, and the other Sf3, Sf4,.
7 is at L level. For this reason, the signal Von of the L level is applied to the pixel electrode 118 of the pixel only in the application periods Sf1b and Sf2b of the subfields Sf1 and Sf2.
Is applied, and in other periods, the H-level signal Vof is
f will be applied. Here, the application period Sf1
As described above, the ratio of the accumulation period of Sb2b and Sf2b in one field (1f) is set to (V2 / VH) 2 , so that the liquid crystal layer of the pixel in the one field (1f) period The effective value of the voltage applied to
Becomes Therefore, the transmittance of the pixel is determined by the gradation data (0
It becomes 28.6% corresponding to 10).

【0087】以下、ある画素の階調データD0、D1、
D2が(011)、(100)、(101)、(11
0)である場合においても、同様な動作によって、前記
1フィールド(1f)の期間において前記画素の液晶層
に印加される電圧実効値はV3、V4、V5、V6とな
って、各々に対応する透過率が得られる。そして、階調
データD0、D1、D2が(111)で示されるとき、
データDsは、サブフィールドSf1、Sf2、・・
・、Sf7においてHレベルとなるので、前記画素の画
素電極118には、各サブフィールドの印加期間Sf1
b、Sf2b、・・・、Sf7bにおいてLレベルの信
号Vonが印加される。ここで、印加期間Sf1b、S
f2b、・・・、Sfb7の累算期間が1フィールド
(1f)において占める割合は、上述のように(V7/
VH)2以上に設定されているので、前記1フィールド
(1f)の期間において、前記画素の液晶層に印加され
る電圧実効値はV7以上となる。従って、前記画素の透
過率は、階調データ(111)に対応して100%とな
る。
Hereinafter, the gradation data D0, D1,.
D2 is (011), (100), (101), (11
Also in the case of 0), the same operation causes the effective voltage values applied to the liquid crystal layer of the pixel to be V3, V4, V5, and V6 in the period of the one field (1f). The transmittance is obtained. When the gradation data D0, D1, and D2 are represented by (111),
The data Ds includes subfields Sf1, Sf2,.
.., Sf7, the level becomes H level, so that the application period Sf1 of each subfield is
An L-level signal Von is applied at b, Sf2b,..., Sf7b. Here, the application period Sf1b, S
The ratio of the accumulation period of f2b,..., Sfb7 in one field (1f) is (V7 /
VH) Since it is set to 2 or more, the effective voltage value applied to the liquid crystal layer of the pixel becomes V7 or more in the period of the one field (1f). Therefore, the transmittance of the pixel is 100% corresponding to the gradation data (111).

【0088】一方、交流化駆動信号FRがLレベルとな
る1フィールド(1f)の期間においては、交流化駆動
信号FRがHレベルとなるフィールドに対して信号Vo
n、Voffがともにレベル反転するので、各画素の液
晶層に印加される電圧実効値の大きさは変化せず、た
だ、その極性が反転するのみである。従って、液晶層に
直流成分が印加される事態が回避される結果、液晶10
5の劣化を防止することができる。
On the other hand, during the period of one field (1f) when the AC drive signal FR is at the L level, the signal Vo is applied to the field where the AC drive signal FR is at the H level.
Since both n and Voff are level-inverted, the magnitude of the effective voltage value applied to the liquid crystal layer of each pixel does not change, but only its polarity is inverted. Therefore, a situation in which a DC component is applied to the liquid crystal layer is avoided, and as a result, the liquid crystal 10
5 can be prevented from deteriorating.

【0089】このように、実施形態に係る電気光学装置
では、1フィールド(1f)を、サブフィールドSf1
〜Sf7に分割するとともに、第1に、各サブフィール
ドの書込期間Vaにおいて、画素のキャパシタ117に
HレベルまたはLレベルのデータDsを書き込み、第2
に、印加期間において書き込んだデータDsに従って信
号VoffまたはVonを画素電極118に各画素にわ
たって一斉に印加する構成となっている。ここで、対向
電極108には、交流化駆動信号FRが印加され、さら
に、信号Voffは、交流化駆動信号FRと同一であ
り、また、信号Vonは、印加期間では、対向電極10
8に印加される交流化駆動信号FRとはレベル反転する
関係にあるから、各画素の液晶層には、各印加期間毎
に、信号Vonと信号Voffとの差電圧、または、ゼ
ロ電圧が印加される結果、1フィールドにおける電圧実
効値が制御されて、階調表示が行われることとなる。
As described above, in the electro-optical device according to the embodiment, one field (1f) is used for the subfield Sf1.
To Sf7, and first, in the writing period Va of each subfield, H-level or L-level data Ds is written into the capacitor 117 of the pixel,
In addition, according to the data Ds written during the application period, the signal Voff or Von is simultaneously applied to the pixel electrode 118 over each pixel. Here, the AC drive signal FR is applied to the counter electrode 108, the signal Voff is the same as the AC drive signal FR, and the signal Von is applied to the counter electrode 10 during the application period.
8 is applied to the liquid crystal layer of each pixel, a difference voltage between the signal Von and the signal Voff or a zero voltage is applied to the liquid crystal layer of each pixel for each application period. As a result, the effective voltage value in one field is controlled, and gradation display is performed.

【0090】この際、データ線114にデータ信号d
1、d2、・・・、dnとして供給されるデータDs
は、本実施形態では、HレベルまたはLレベルのみの2
値で済むので、駆動回路などの周辺回路においては、高
精度のD/A変換回路やオペアンプなどのような、アナ
ログ信号を処理するための回路は不要となる。このた
め、回路構成が大幅に簡略化されるので、装置全体のコ
ストを低く抑えることが可能となる。さらに、データ線
114に供給されるデータDsは2値的であるため、素
子特性や配線抵抗などの影響を受けない。このため、不
均一性に起因する表示ムラが発生しないので、高品位か
つ高精細な階調表示が可能となる。
At this time, the data signal d is applied to the data line 114.
Data Ds supplied as 1, d2,..., Dn
In this embodiment, 2 of only H level or L level
Since a value is sufficient, peripheral circuits such as a drive circuit do not require a circuit for processing an analog signal, such as a high-precision D / A conversion circuit or an operational amplifier. Therefore, the circuit configuration is greatly simplified, and the cost of the entire device can be reduced. Furthermore, since the data Ds supplied to the data line 114 is binary, it is not affected by element characteristics, wiring resistance, and the like. Therefore, display unevenness due to non-uniformity does not occur, so that high-quality and high-definition gradation display can be performed.

【0091】さらに、本実施形態に係る電気光学装置
は、書き込まれたデータDsに従って直ちに信号Vof
fまたは信号Vonを画素電極118に印加する構成を
採用せずに、書込期間VaにおいてデータDsをすべて
の画素のキャパシタ117に一旦書き込んだ後に、書き
込んだデータDsに従って信号VoffまたはVonを
画素電極118に一斉に印加する構成となっている。こ
のため、本実施形態では、書込期間Vaにおいてデータ
Dsが書き込まれる順番とは無関係に、液晶層に電圧が
印加される期間を各画素において揃えることができる。
詳述すると、以下の通りである。
Further, the electro-optical device according to the present embodiment immediately outputs the signal Vof according to the written data Ds.
f, the data Vs is once written to the capacitors 117 of all the pixels during the writing period Va, and the signal Voff or Von is applied to the pixel electrode 118 in accordance with the written data Ds without employing the configuration of applying the signal Von to the pixel electrode 118. 118 is applied simultaneously. For this reason, in the present embodiment, the period in which the voltage is applied to the liquid crystal layer can be aligned in each pixel regardless of the order in which the data Ds is written in the writing period Va.
The details are as follows.

【0092】ここで、サブフィールド単位で画素をオン
またはオフにするための方法としては、以下の方法を採
ることも一応考えられる。すなわち、画素を図8(a)
に例示するような従来の電気光学装置に用いられる構成
とし、走査線112に対して走査信号Giが供給されて
トランジスタ116がオン状態となっている間に、デー
タ線114に印加されている電圧そのものを、書込期間
Vaの如何に関わらず、直ちに画素電極118に印加す
るのである。ここで、画素110をオフにすべきサブフ
ィールドにおいては、交流化駆動信号FRと同一レベル
の電圧をデータ信号としてデータ線に印加する一方、画
素をオフにすべきサブフィールドにおいては、交流化駆
動信号FRと反転レベルの電圧をデータ信号としてデー
タ線に印加する。このような構成とした場合、各画素の
構成を簡易にすることができるという利点はあるもの
の、以下に示す問題が生じる。
Here, as a method for turning on or off a pixel in a unit of a subfield, the following method may be used. That is, the pixel is changed to the state shown in FIG.
And a voltage applied to the data line 114 while the scanning signal Gi is supplied to the scanning line 112 and the transistor 116 is turned on. This is immediately applied to the pixel electrode 118 regardless of the writing period Va. Here, in a subfield in which the pixel 110 is to be turned off, a voltage having the same level as the AC drive signal FR is applied to the data line as a data signal, while in a subfield in which the pixel is to be turned off, the AC drive The signal FR and the voltage of the inverted level are applied to the data line as a data signal. With such a configuration, there is an advantage that the configuration of each pixel can be simplified, but the following problem occurs.

【0093】図8(b)は、画素110を図8(a)に
示した構成とした場合に、前記画素110の画素電極1
18に印加される電圧波形を例示するタイミングチャー
トである。
FIG. 8B shows a case where the pixel 110 has the configuration shown in FIG.
6 is a timing chart illustrating a voltage waveform applied to an example 18;

【0094】図1において、上から数えて1本目の走査
線に接続された画素(以下、「第1行の画素」という)
の階調データと、上から数えてm本目の走査線に接続さ
れた画素(以下、「第m行の画素」という)の階調デー
タとが、ある1フィールドの先頭において双方とも例え
ば(111)から(001)に変更された場合を想定し
てみる。この場合、図8(b)中のに示すように、第
1行の画素の画素電極118には、走査信号G1が供給
されるタイミングt1までは、前のフィールドにおいて
印加された交流化駆動信号FRと同一レベルの信号が印
加されるが、タイミングt1から、次のサブフィールド
Sf2において走査信号G1が供給されるタイミングt
1’までは、交流化駆動信号FRとは反転レベルの信号
が印加される。一方、第m行の画素の画素電極118に
は、走査信号Gmが供給されるタイミングtmまでは、
交流化駆動信号FRと同一レベルの信号が印加される
が、タイミングtmから、次のサブフィールドSf2に
おいて走査信号Gmが供給されるタイミングtm’まで
は、交流化駆動信号FRとは反転レベルの信号が印加さ
れる。このため、第1行の画素と第m行の画素とでは、
前記1フィールドの期間において液晶層に印加される電
圧実効値は結果的に同一となる。
In FIG. 1, pixels connected to the first scanning line counted from the top (hereinafter, referred to as “pixels in the first row”)
And the gradation data of a pixel connected to the m-th scanning line counted from the top (hereinafter, referred to as “m-th row pixel”) are both at the beginning of a certain field, for example (111) ) Is changed to (001). In this case, as shown in FIG. 8B, the AC drive signal applied in the previous field is applied to the pixel electrode 118 of the pixel in the first row until the timing t1 when the scanning signal G1 is supplied. A signal at the same level as FR is applied, but from timing t1, timing t1 when the scanning signal G1 is supplied in the next subfield Sf2
Until 1 ′, a signal of an inverted level from the AC drive signal FR is applied. On the other hand, until the timing tm when the scanning signal Gm is supplied to the pixel electrode 118 of the pixel in the m-th row,
A signal having the same level as the AC drive signal FR is applied. However, from the timing tm to the timing tm ′ at which the scanning signal Gm is supplied in the next subfield Sf2, a signal having an inverted level from the AC drive signal FR. Is applied. Therefore, the pixels in the first row and the pixels in the m-th row are:
As a result, the effective voltage value applied to the liquid crystal layer during the one field period is the same.

【0095】しかし、第1行の画素の階調データと、第
m行の画素の階調データとが、ある1フィールドの先頭
において双方とも例えば(000)から(001)に変
更された場合を想定してみると、次のような不都合が生
じる。すなわち、この場合、図8(b)中のに示され
るように、第1行の画素の画素電極118には、次のサ
ブフィールドSf2において走査信号G1が供給される
タイミングt1’まで、交流化駆動信号FRと反転レベ
ルの信号が印加され、第m行の画素の画素電極118に
は、タイミングtm’まで、交流化駆動信号FRと反転
レベルの信号が印加されるので、第1行の画素と第m行
の画素とでは、前記1フィールドの期間において液晶層
に印加される電圧実効値は異なってしまう。このため、
両画素は、本来同一階調であるのにもかかわらず、その
濃度に差が生じてしまうことになる。なお、この不都合
については、特に図示はしないが、第1行の画素の階調
データと、第m行の画素の階調データとが、双方とも
(000)で固定されている場合でも生じている。ただ
し、図4(a)に示されるように、ある程度の電圧実効
値が印加されなければ透過率は0%を維持するため、実
質的には濃度の差となっては現れない。
However, it is assumed that both the gradation data of the pixels in the first row and the gradation data of the pixels in the m-th row are changed from (000) to (001) at the beginning of a certain field. Assuming this, the following inconveniences occur. That is, in this case, as shown in FIG. 8B, the alternating current is applied to the pixel electrode 118 of the pixel in the first row until the timing t1 ′ when the scanning signal G1 is supplied in the next subfield Sf2. The drive signal FR and the signal of the inverted level are applied, and the AC drive signal FR and the signal of the inverted level are applied to the pixel electrode 118 of the pixel in the m-th row until timing tm ′. The effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer during the one field period differs between the pixel in the m-th row and the pixel in the m-th row. For this reason,
Although both pixels are originally of the same gradation, there is a difference in their densities. Although not shown, this inconvenience occurs even when the gradation data of the pixels in the first row and the gradation data of the pixels in the m-th row are both fixed at (000). I have. However, as shown in FIG. 4 (a), the transmittance is maintained at 0% unless a certain effective voltage value is applied, so that there is no substantial difference in density.

【0096】これに対して、本実施形態に係る電気光学
装置においては、上述したように画素電極118には、
書込期間Vaでは交流化駆動信号FRと同一の信号が印
加され、直後の印加期間では、前記書込期間にキャパシ
タ117に書き込まれたデータDsに従って交流化駆動
信号FRとは同一レベルの信号、または、反転レベルの
信号が一斉に印加される構成となっている。このため、
図9(a)、(b)に示されるように、階調データDs
が変更されたとしても、同一階調となる画素において
は、液晶層に上記差電圧が印加される期間が揃うので、
上述した不都合が解消される結果、均一な階調表示が可
能となる。
On the other hand, in the electro-optical device according to the present embodiment, as described above, the pixel electrode 118 is
In the writing period Va, the same signal as the AC driving signal FR is applied. In the immediately subsequent application period, a signal having the same level as the AC driving signal FR in accordance with the data Ds written in the capacitor 117 in the writing period. Alternatively, the configuration is such that signals of the inversion level are applied all at once. For this reason,
As shown in FIGS. 9A and 9B, the gradation data Ds
Even if is changed, in the pixels having the same gradation, the period in which the difference voltage is applied to the liquid crystal layer is uniform,
As a result of eliminating the above-mentioned inconvenience, uniform gradation display can be achieved.

【0097】なお、上述した実施形態にあっては、交流
化駆動信号FRを1フィールドの周期でレベル反転する
こととしたが、本発明は、これに限られず、例えば、2
フィールド以上の周期でレベル反転する構成としても良
い。
In the above-described embodiment, the level of the AC drive signal FR is inverted at a cycle of one field. However, the present invention is not limited to this.
The configuration may be such that the level is inverted at a cycle longer than the field.

【0098】<第2の駆動方法>次に、本実施形態に係
る電気光学装置の第2の駆動方法について説明する。本
駆動方法においても、1フィールドが複数のサブフィー
ルドSf1、Sf2、・・・、Sf7に分割され、これ
らのサブフィールドの各々において各画素の画素電極1
18に信号VonまたはVoffが印加される点は上記
第1の駆動方法と同様である。ただし、上記第1の駆動
方法においては、各サブフィールド中の書込期間Vaに
おいてすべての画素のメモリにデータDsを書き込み、
書込期間Vaの経過後に一斉にすべての画素の画素電極
に対して信号VonまたはVoffを印加するようにし
たが、本駆動方法においては、各画素のメモリに対して
データDsが書き込まれると、書込期間Vaの経過の如
何に関わらず、前記画素の画素電極118に対して信号
VonまたはVoffのうちのいずれかが直ちに印加さ
れるようになっている。具体的には、本駆動方法におい
て用いられる信号Vonは、上記第1の駆動方法におけ
る信号Vonとは異なり、書込期間であるか印加期間で
あるかに関わらず、交流化駆動信号FRのレベル変化と
は逆のレベル変化をする信号となっている(図10参
照)。すなわち、交流化駆動信号FRがHレベルとなる
フィールドにおいては、信号VonはLレベルとなる一
方、交流化駆動信号FRがLレベルとなるフィールドに
おいては、信号VonはHレベルとなる。このように、
本実施形態における信号Vonは、書込期間および印加
期間に関わらず交流化駆動信号FRの反転レベルとなる
ため、各画素110のメモリに対してHレベルのデータ
Dsが書き込まれると同時に前記画素110の画素電極
118に対して信号Vonが印加され、この結果、画素
110は直ちにオンとなるのである。
<Second Driving Method> Next, a second driving method of the electro-optical device according to the present embodiment will be described. Also in this driving method, one field is divided into a plurality of subfields Sf1, Sf2,..., Sf7, and in each of these subfields, the pixel electrode 1 of each pixel is
The point that the signal Von or Voff is applied to 18 is the same as in the first driving method. However, in the first driving method, the data Ds is written to the memories of all the pixels during the writing period Va in each subfield,
Although the signal Von or Voff is applied to the pixel electrodes of all the pixels at the same time after the elapse of the writing period Va, in the present driving method, when the data Ds is written to the memory of each pixel, Regardless of whether the writing period Va has elapsed, one of the signals Von and Voff is immediately applied to the pixel electrode 118 of the pixel. Specifically, unlike the signal Von in the first driving method, the signal Von used in the present driving method is different from the signal Von in the writing period or the application period in the level of the AC driving signal FR. It is a signal that changes in level opposite to the change (see FIG. 10). That is, in the field where the AC drive signal FR is at the H level, the signal Von is at the L level, while in the field where the AC drive signal FR is at the L level, the signal Von is at the H level. in this way,
Since the signal Von in the present embodiment has an inverted level of the AC drive signal FR regardless of the writing period and the application period, the H level data Ds is written to the memory of each pixel 110 and the pixel 110 at the same time. The signal Von is applied to the pixel electrode 118, and as a result, the pixel 110 is immediately turned on.

【0099】さらに、かかる駆動方法を採る場合、各サ
ブフィールドの時間長は以下のように設定される。すな
わち、上記第1の駆動方法においては、サブフィールド
Sf1における印加期間Sf1bを1フィールド(1
f)に対して(V1/VH)2の時間長となるようにし
たが、本駆動方法においては、サブフィールドSf1を
1フィールド(1f)に対して(V1/VH)2の時間
長となるように設定する。この結果、ある画素に対して
階調データ(001)が与えられ、1フィールド(1
f)のうちのサブフィールドSf1において前記画素の
液晶層に電圧VHを印加する一方、他の期間(サブフィ
ールドSf2〜Sf7)において電圧VL(=0)を印
加した場合、1フィールド(1f)の期間において液晶
層に印加される電圧実効値はV1となるので、前記画素
の透過率は14.3%となる。
Further, when such a driving method is employed, the time length of each subfield is set as follows. That is, in the first driving method, the application period Sf1b in the subfield Sf1 is set to one field (1
relative to f) (V1 / VH) was set to be 2 times the length, in this driving method, comprising the sub-fields Sf1 to one field (1f) and (V1 / VH) 2 time length Set as follows. As a result, gradation data (001) is given to a certain pixel, and one field (1
f) In the subfield Sf1 of the f), the voltage VH is applied to the liquid crystal layer of the pixel while the voltage VL (= 0) is applied in the other period (subfields Sf2 to Sf7). Since the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer during the period is V1, the transmittance of the pixel is 14.3%.

【0100】同様に、上記第1の駆動方法においては、
サブフィールドSf2内の印加期間Sf2bを、1フィ
ールド(1f)に対して(V2/VH)2−(V1/V
H)2の時間長となるようにしたが、本駆動方法におい
ては、サブフィールドSf2を1フィールド(1f)に
対して(V2/VH)2−(V1/VH)2の時間長とな
るように設定する。他のサブフィールドSf3、Sf
4、Sf5およびSf6においても同様である。すなわ
ち、サブフィールドSf3は1フィールド(1f)に対
して(V3/VH)2−(V2/VH)2の時間長となる
ように設定され、サブフィールドSf4は1フィールド
(1f)に対して(V4/VH)2−(V3/VH)2
時間長となるように設定され、サブフィールドSf5は
1フィールド(1f)に対して(V5/VH)2−(V
4/VH)2の時間長となるように設定され、また、サ
ブフィールドSf6は1フィールド(1f)に対して
(V6/VH)2−(V5/VH)2の時間長となるよう
に設定される。サブフィールドSf7については、最終
的に、1フィールドからサブフィールドSf1〜Sf6
を除いた期間に設定される。ただし、上述したように、
各サブフィールドSf1〜Sf7の累積期間が、1フィ
ールド(1f)に対して(V7/VH)2の時間長より
も長く確保される必要がある。もっとも、サブフィール
ドSf1〜Sf7の累積期間が、1フィールドに対して
(V7/VH)2の時間長よりも長くなったとしても、
すなわち、液晶層に印加される実効電圧値が図4(a)
におけるV7を越えたとしても、飽和性であるがゆえに
透過率は100%となる。以上が本駆動方法における各
サブフィールドの時間長である。
Similarly, in the first driving method,
The application period Sf2b in the subfield Sf2 is set to (V2 / VH) 2 − (V1 / V) for one field (1f).
Although the time length is set to H) 2 , in the present driving method, the subfield Sf2 is set to have a time length of (V2 / VH) 2 − (V1 / VH) 2 for one field (1f). Set to. Other subfields Sf3, Sf
4, Sf5 and Sf6. That is, the subfield Sf3 is set to have a time length of (V3 / VH) 2- (V2 / VH) 2 for one field (1f), and the subfield Sf4 is set to ( (V4 / VH) 2- (V3 / VH) 2 , and the subfield Sf5 is set to (V5 / VH) 2- (V
4 / VH) 2 , and the subfield Sf6 is set to have a time length of (V6 / VH) 2 − (V5 / VH) 2 for one field (1f). Is done. As for the subfield Sf7, finally, the subfields Sf1 to Sf6 from one field
Is set to the period excluding. However, as mentioned above,
The accumulation period of each of the subfields Sf1 to Sf7 needs to be secured for one field (1f) longer than the time length of (V7 / VH) 2 . However, even if the accumulation period of the subfields Sf1 to Sf7 is longer than the time length of (V7 / VH) 2 for one field,
That is, the effective voltage value applied to the liquid crystal layer is as shown in FIG.
Even when the value exceeds V7, the transmittance is 100% because of saturation. The above is the time length of each subfield in the present driving method.

【0101】さて、本駆動方法においても、図6を参照
して説明した上記第1の駆動方法と同様にして、走査線
駆動回路130からは走査信号Giが各走査線112に
順次排他的に供給される一方、データ線駆動回路140
からはデータ信号d1、d2、・・・、dnが各データ
線114に一斉に供給される。この結果、各サブフィー
ルドの最初の期間(書込期間Va)において、すべての
画素110のキャパシタ117に対して、その画素のオ
ンまたはオフを指示するデータDsが、それぞれ書き込
まれることとなる。そして、かかる動作の結果、本駆動
方法において各画素の画素電極118に印加される電圧
波形は、図10に示されるように、階調データD0、D
1、D2の各組み合わせに対応したものとなる。なお、
図10においては、図1において上から数えて1本目の
走査線112に接続された画素に対する印加電圧の波形
を例示している。
In the present driving method, similarly to the first driving method described with reference to FIG. 6, the scanning signal Gi is sequentially and exclusively transmitted from the scanning line driving circuit 130 to each scanning line 112. While being supplied, the data line driving circuit 140
, Dn are supplied to each data line 114 at the same time. As a result, in the first period (writing period Va) of each subfield, data Ds instructing ON or OFF of the pixel is written into the capacitors 117 of all the pixels 110, respectively. As a result of this operation, the voltage waveform applied to the pixel electrode 118 of each pixel in the present driving method becomes the gradation data D0, D0 as shown in FIG.
1, corresponding to each combination of D2. In addition,
FIG. 10 illustrates the waveform of the voltage applied to the pixel connected to the first scanning line 112 counted from the top in FIG.

【0102】例えば、交流化駆動信号FRがHレベルと
なる1フィールド(1f)の期間において、ある画素の
階調データD0、D1、D2が(000)で示されると
き、データ変換回路300により変換されるデータDs
は、サブフィールドSf1、Sf2、・・・、Sf7の
いずれにおいてもLレベルである。このため、前記画素
の画素電極118には、前記フィールドの全期間にわた
って、Hレベルの信号Voffが印加される。すなわ
ち、対向電極108と画素電極118とに印加される電
圧レベルは同一となる。従って、前記1フィールド(1
f)の期間において、前記画素の液晶層に印加される電
圧実効値はゼロとなるので、その透過率は、階調データ
(000)に対応して0%となる。
For example, during the period of one field (1f) when the AC drive signal FR is at the H level, when the gradation data D0, D1, D2 of a certain pixel is indicated by (000), the data is converted by the data conversion circuit 300. Data Ds
Is at the L level in any of the subfields Sf1, Sf2,..., Sf7. Therefore, the H-level signal Voff is applied to the pixel electrode 118 of the pixel over the entire period of the field. That is, the voltage levels applied to the counter electrode 108 and the pixel electrode 118 are the same. Therefore, the one field (1
In the period f), the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer of the pixel becomes zero, so that the transmittance becomes 0% corresponding to the gradation data (000).

【0103】次に、交流化駆動信号FRがHレベルとな
る1フィールド(1f)の期間において、ある画素の階
調データD0、D1、D2が(001)で示されると
き、データDsは、サブフィールドSf1だけHレベル
となり、他のサブフィールドSf2、Sf3、・・・、
Sf7ではLレベルとなる。このため、前記画素の画素
電極118には、サブフィールドSf1においてのみL
レベルの信号Vonが印加され、他の期間においてはH
レベルの信号Voffが印加されることとなる。ただ
し、本駆動方法における信号Vonは、上記第1の駆動
方法とは異なり、書込期間であるか否かに関わらず交流
化駆動信号FRの反転レベルとなる信号である。従っ
て、サブフィールドSf1において前記画素のキャパシ
タ117にHレベルのデータDsが書き込まれた場合、
前記画素の画素電極118には、書込期間Vaの経過を
待つことなく、Hレベルの交流化駆動信号FRに対して
反転レベルの信号Vonが印加されることとなる。ここ
で、本駆動方法におけるサブフィールドSf1の期間が
1フィールド(1f)において占める割合は、上述のよ
うに(V1/VH)2に設定されているので、前記1フ
ィールド(1f)の期間において、前記画素の液晶層に
印加される電圧実効値はV1となる。従って、前記画素
の透過率は、階調データ(001)に対応して14.3
%となる。
Next, in the period of one field (1f) when the AC drive signal FR is at the H level, when the gradation data D0, D1, D2 of a certain pixel is indicated by (001), the data Ds is Only the field Sf1 becomes H level, and the other subfields Sf2, Sf3,.
At Sf7, the level becomes L level. For this reason, the pixel electrode 118 of the pixel has L level only in the subfield Sf1.
Level signal Von is applied, and in other periods, H
The level signal Voff is applied. However, unlike the first driving method, the signal Von in the present driving method is a signal having an inversion level of the AC driving signal FR irrespective of whether or not it is during the writing period. Therefore, when H-level data Ds is written to the capacitor 117 of the pixel in the subfield Sf1,
The signal Von of the inverted level with respect to the H level AC drive signal FR is applied to the pixel electrode 118 of the pixel without waiting for the writing period Va to elapse. Here, the ratio of the period of the subfield Sf1 in one field (1f) in the present driving method is set to (V1 / VH) 2 as described above, so that in the period of the one field (1f), The effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer of the pixel is V1. Therefore, the transmittance of the pixel is 14.3 corresponding to the gradation data (001).
%.

【0104】同様に、交流化駆動信号FRがHレベルと
なる1フィールド(1f)の期間において、ある画素の
階調データD0、D1、D2が(010)で示されると
き、データDsは、サブフィールドSf1、Sf2だけ
Hレベルとなり、他のサブフィールドSf3、Sf4、
・・・、Sf7ではLレベルとなる。このため、前記画
素の画素電極118には、サブフィールドSf1、Sf
2においてLレベルの信号Vonが印加され、他の期間
においてはHレベルの信号Voffが印加されることと
なる。この場合においても、サブフィールドSf1およ
びSf2においては、前記画素のキャパシタ117にH
レベルのデータDsが書き込まれた直後から、前記画素
の画素電極118にはHレベルの交流化駆動信号FRに
対して反転レベルの信号Vonが印加されることとな
る。ここで、サブフィールドSf1、Sf2の累積期間
が1フィールド(1f)において占める割合は、上述の
ように(V2/VH)2に設定されているので、前記1
フィールド(1f)の期間において、前記画素の液晶層
に印加される電圧実効値はV2となる。従って、前記画
素の透過率は、階調データ(010)に対応して28.
6%となる。
Similarly, in the period of one field (1f) when the AC drive signal FR is at the H level, when the gradation data D0, D1, D2 of a certain pixel is indicated by (010), the data Ds is Only the fields Sf1 and Sf2 become H level, and the other subfields Sf3, Sf4,
.., Sf7 is at L level. For this reason, the subfields Sf1 and Sf
2, the L-level signal Von is applied, and the H-level signal Voff is applied in other periods. Also in this case, in the subfields Sf1 and Sf2, H
Immediately after the level data Ds is written, a signal Von of an inverted level with respect to the AC drive signal FR of the H level is applied to the pixel electrode 118 of the pixel. Here, the ratio of the accumulation period of the subfields Sf1 and Sf2 in one field (1f) is set to (V2 / VH) 2 as described above.
In the period of the field (1f), the effective voltage value applied to the liquid crystal layer of the pixel is V2. Therefore, the transmittance of the pixel is set at 28.degree. Corresponding to the gradation data (010).
6%.

【0105】以下、ある画素の階調データD0、D1、
D2が(011)、(100)、(101)、(11
0)である場合においても、同様の動作によって、前記
1フィールド(1f)の期間において前記画素の液晶層
に印加される電圧実効値はV3、V4、V5、V6とな
って、各々に対応した透過率が得られる。そして、階調
データD0、D1、D2が(111)で示されるとき、
データDsは、サブフィールドSf1、Sf2、・・
・、Sf7のいずれにおいてもHレベルとなるので、前
記画素の画素電極118には、1フィールドにわたって
Hレベルの信号Vonが印加される。ここで、サブフィ
ールドSf1〜Sf7の累積期間が1フィールド(1
f)において占める割合は、上述のように(V7/V
H)2以上に設定されているので、前記1フィールド
(1f)の期間において、前記画素の液晶層に印加され
る電圧実効値はV7以上となる。従って、前記画素の透
過率は、階調データ(111)に対応して100%とな
る。
Hereinafter, the gradation data D0, D1,.
D2 is (011), (100), (101), (11
0), the effective operation of the voltage applied to the liquid crystal layer of the pixel in the period of the one field (1f) is V3, V4, V5, and V6 by the same operation. The transmittance is obtained. When the gradation data D0, D1, and D2 are represented by (111),
The data Ds includes subfields Sf1, Sf2,.
, Sf7 is at H level, so that the H level signal Von is applied to the pixel electrode 118 of the pixel over one field. Here, the accumulation period of the subfields Sf1 to Sf7 is one field (1
The ratio occupied in f) is, as described above, (V7 / V
H) Since it is set to 2 or more, the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer of the pixel becomes V7 or more in the period of the one field (1f). Therefore, the transmittance of the pixel is 100% corresponding to the gradation data (111).

【0106】一方、交流化駆動信号FRがLレベルとな
る1フィールド(1f)の期間においては、交流化駆動
信号FRがHレベルとなるフィールドに対して信号Vo
nおよびVoffがレベル反転するので、各画素の液晶
層に印加される電圧実効値の大きさは変化せず、ただ、
その極性が反転するのみである。従って、液晶層に直流
成分が印加される事態を回避される結果、液晶105の
劣化を防止することができる。
On the other hand, during the period of one field (1f) when the AC drive signal FR is at the L level, the signal Vo is applied to the field where the AC drive signal FR is at the H level.
Since n and Voff are inverted in level, the magnitude of the effective voltage value applied to the liquid crystal layer of each pixel does not change.
Only its polarity is reversed. Therefore, as a result of avoiding a situation in which a DC component is applied to the liquid crystal layer, deterioration of the liquid crystal 105 can be prevented.

【0107】本駆動方法によっても、上記第1の駆動方
法を用いた場合と同様に、装置全体のコスト低減、およ
び高品位かつ高精細な階調表示を実現することができ
る。さらに、本駆動方法によれば、上記第1の駆動方法
と比較して簡易な構成により、画素の液晶層に対して印
加される電圧を各画素の位置によらず、すべての画素に
わたって均一にすることができるという利点がある。詳
述すると、以下の通りである。
According to this driving method, as in the case of using the first driving method, it is possible to reduce the cost of the entire apparatus and to realize high-quality and high-definition gradation display. Furthermore, according to the present driving method, the voltage applied to the liquid crystal layer of the pixel can be made uniform over all pixels irrespective of the position of each pixel by a simple configuration as compared with the first driving method. There is an advantage that can be. The details are as follows.

【0108】図11は、本実施形態における各画素に印
加される電圧の様子を示すタイミングチャートである。
FIG. 11 is a timing chart showing the state of the voltage applied to each pixel in the present embodiment.

【0109】以下では、図1において上から数えて1本
目の走査線に接続された画素(以下、「第1行の画素」
という)と、上から数えてm本目の走査線に接続された
画素(以下、「第m行の画素」という)とを同じ階調で
表示する場合を例に説明を進める。具体的には、図11
に示すように、フィールドf1において、階調データ
(001)が与えられた場合、すなわち、サブフィール
ドSf1においてHレベルのデータDsが前記画素のメ
モリに書き込まれる一方、サブフィールドSf2、Sf
3、・・・、Sf7においてはLレベルのデータDsが
前記画素のメモリに書き込まれる場合を例示している。
また、フィールドf2において、階調データ(010)
が与えられた場合、すなわち、サブフィールドSf1お
よびSf2においてHレベルのデータDsが前記画素の
メモリに書き込まれる一方、サブフィールドSf3、S
f4、・・・、Sf7においてはLレベルのデータDs
が各画素のメモリに書き込まれる場合を例示している。
Hereinafter, the pixels connected to the first scanning line counted from the top in FIG. 1 (hereinafter referred to as “pixels of the first row”)
The following description will be given by taking as an example a case where pixels connected to the m-th scanning line counted from the top (hereinafter, referred to as “pixels in the m-th row”) are displayed at the same gradation. Specifically, FIG.
As shown in the figure, when the gradation data (001) is given in the field f1, that is, in the subfield Sf1, the H level data Ds is written into the memory of the pixel, while the subfields Sf2 and Sf are written.
3,..., Sf7 exemplify the case where the L level data Ds is written to the memory of the pixel.
In the field f2, the gradation data (010)
Is provided, that is, in the subfields Sf1 and Sf2, the H-level data Ds is written into the memory of the pixel, while the subfields Sf3 and Sf2 are written.
f4,..., Sf7, L level data Ds
Is written in the memory of each pixel.

【0110】図11(a)に示すように、第1行の画素
のメモリには、時刻t11に至るまで、直前のフィール
ドにおいて書き込まれたLレベルのデータDsが保持さ
れている。そして、サブフィールドSf1の時刻t11
において前記画素のメモリにHレベルのデータDsが書
き込まれ、次のサブフィールドSf2の時刻t12にお
いて新たにLレベルのデータDsが書き込まれるまで保
持される。時刻t12において前記画素のメモリに書き
込まれたLレベルのデータDsは、次のフィールドf2
の時刻t21において新たにHレベルのデータDsが書
き込まれるまで保持される。
As shown in FIG. 11A, the L-level data Ds written in the immediately preceding field is held in the memory of the pixels in the first row until time t11. Then, the time t11 of the subfield Sf1
The H level data Ds is written into the memory of the pixel at and the data is held until the L level data Ds is newly written at time t12 of the next subfield Sf2. The L-level data Ds written to the memory of the pixel at time t12 is stored in the next field f2.
At time t21, the data Ds is held until the H-level data Ds is newly written.

【0111】一方、図11(b)に示すように、第m行
の画素のメモリには、上記時刻t11から書込期間Va
だけ経過した時刻t11’に至るまで、直前のフィール
ドにおいて書き込まれたLレベルのデータDsが保持さ
れている。そして、サブフィールドSf1の時刻t1
1’において前記画素のメモリにHレベルのデータDs
が書き込まれ、次のサブフィールドSf2の時刻t1
2’において新たにLレベルのデータDsが書き込まれ
るまで保持される。この時刻t12’も、時刻t12か
ら書込期間Vaだけ経過した時刻である。時刻t12’
において前記画素のメモリに書き込まれたLレベルのデ
ータDsは、次のフィールドf2の時刻t21’におい
て新たにHレベルのデータDsが書き込まれるまで保持
される。
On the other hand, as shown in FIG. 11B, the memory of the pixels in the m-th row is stored in the writing period Va from the time t11.
Until the time t11 ′, which has elapsed, L-level data Ds written in the immediately preceding field is held. Then, the time t1 of the subfield Sf1
1 ', the H level data Ds is stored in the memory of the pixel.
At the time t1 of the next subfield Sf2.
At 2 ', the data is held until L-level data Ds is newly written. The time t12 'is also a time when the writing period Va has elapsed from the time t12. Time t12 '
The L-level data Ds written in the memory of the pixel is held until the H-level data Ds is newly written at time t21 ′ of the next field f2.

【0112】次に、このようにしてデータDsが各画素
のメモリに書き込まれる結果、前記画素の画素電極11
8に印加される電圧について検討する。
Next, as a result of writing the data Ds into the memory of each pixel in this way, the pixel electrode 11
Consider the voltage applied to 8.

【0113】まずフィールドf1において、第1行の画
素のメモリには、時刻t11からt12までの期間、H
レベルのデータDsが保持されているから、この期間に
おいては、図11(c)に示すように、前記画素の画素
電極118には、対向電極108に印加される交流化駆
動信号FRに対して反転レベルとなるLレベルの信号V
onが印加される。一方、時刻t12からt21までの
期間、第1行の画素のメモリには、LレベルのデータD
sが保持されているから、前記画素の画素電極118に
は、対向電極108に印加される交流化駆動信号FRと
同一レベルとなるHレベルの信号Voffが印加され
る。結局、図11(d)に示すように、フィールドf1
内において前記画素のメモリに書き込まれたデータDs
によって、時刻t11からt12までの期間、前記画素
はオン状態となる一方、時刻t12からt21までの期
間、前記画素はオフ状態となる。
First, in the field f1, the memory of the pixel in the first row is set to H for a period from time t11 to time t12.
Since the level data Ds is held, during this period, as shown in FIG. 11C, the pixel electrode 118 of the pixel receives the AC drive signal FR applied to the counter electrode 108. L level signal V which is the inverted level
on is applied. On the other hand, during the period from time t12 to time t21, the memory of the pixels in the first row stores the L level data D
Since s is held, an H-level signal Voff having the same level as the AC drive signal FR applied to the counter electrode 108 is applied to the pixel electrode 118 of the pixel. Eventually, as shown in FIG.
Within the data Ds written in the memory of the pixel
Accordingly, the pixel is in an on state during a period from time t11 to t12, while the pixel is in an off state during a period from time t12 to t21.

【0114】一方、第m行の画素のメモリには、時刻t
11’からt12’までの期間、HレベルのデータDs
が保持されているから、この期間においては、図11
(e)および(f)に示すように、前記画素の画素電極
118に対してLレベルの信号Vonが印加され、前記
画素はオン状態となる。一方、前記画素のメモリに対し
てLレベルのデータDsが書き込まれている時刻t1
2’からt21’までの期間のうち、時刻t12’から
t21までの期間においては、画素電極118に印加さ
れる電圧はHレベルの信号Voffであり、この期間に
おいては交流化駆動信号FRもHレベルであるから、前
記画素はオフ状態となる。次に、時刻t21からt2
1’までの期間においては、交流化駆動信号FRはLレ
ベルに切り換わるが、前記画素の画素電極118に印加
される信号Voffも同様にLレベルに切り換わるた
め、結局、前記画素はオフ状態となる。
On the other hand, the memory of the pixel in the m-th row contains the time t
H level data Ds during a period from 11 ′ to t12 ′
Are held in this period, FIG.
As shown in (e) and (f), an L-level signal Von is applied to the pixel electrode 118 of the pixel, and the pixel is turned on. On the other hand, at time t1 when L-level data Ds is written to the memory of the pixel.
In the period from 2 ′ to t21 ′, during the period from time t12 ′ to t21, the voltage applied to the pixel electrode 118 is the H-level signal Voff, and in this period, the AC drive signal FR is also H Because of the level, the pixel is turned off. Next, from time t21 to t2
In the period up to 1 ′, the AC drive signal FR switches to the L level, but the signal Voff applied to the pixel electrode 118 of the pixel also switches to the L level. Becomes

【0115】このように、第1行の画素がオン状態とな
る期間と、第m行の画素がオン状態となる期間とは、書
込時間Va分だけずれた期間となるが、その時間長は等
しくなる。同様に、第1行の画素がオフ状態となる期間
と、第m行の画素がオフ状態となる期間とは、書込期間
Vaの分だけずれた期間となるが、その時間長は等しく
なる。従って、第1行の画素に印加される電圧実効値
と、第m行の画素に印加される電圧実効値とは等しくな
るのである。
As described above, the period in which the pixels in the first row are in the ON state and the period in which the pixels in the m-th row are in the ON state are shifted by the writing time Va. Are equal. Similarly, the period in which the pixels in the first row are in the off state and the period in which the pixels in the mth row are in the off state are periods shifted by the writing period Va, but have the same time length. . Therefore, the effective voltage value applied to the pixels in the first row is equal to the effective voltage value applied to the pixels in the mth row.

【0116】フィールドf2においても同様に、第1行
の画素は、時刻t21からt23までの期間オン状態と
なり、時刻t23からt31までの期間オフ状態となる
一方、第m行の画素は、時刻t21’からt23’まで
の期間オン状態となり、時刻t23’からt31’まで
の期間オフ状態となる。図11からも明らかなように、
第1行の画素がオン状態となる期間の時間長と第m行の
画素がオン状態となる期間の時間長とは等しく、第1行
の画素がオフ状態となる期間の時間長と第m行の画素が
オフ状態となる期間の時間長とは等しくなる。従って、
第1行の画素に印加される電圧実効値と、第m行の画素
に印加される電圧実効値とは等しくなるのである。
Similarly, in the field f2, the pixels in the first row are in the on state during the period from time t21 to t23, and are in the off state during the period from time t23 to t31, while the pixel in the mth row is at the time t21. It is on during the period from '23 to t23 ', and is off during the period from time t23' to t31 '. As is clear from FIG.
The time length of the period in which the pixels in the first row are in the on state is equal to the time length of the period in which the pixels in the m-th row are in the on state, and the time length of the period in which the pixels in the first row are in the off state is equal to m. The length of time during which the pixels in the row are in the off state is equal to the length of time. Therefore,
The effective voltage value applied to the pixels in the first row is equal to the effective voltage value applied to the pixels in the m-th row.

【0117】このように、本駆動方法においては、画素
のメモリに書き込まれたデータDsに基づいて、前記デ
ータDsとは無関係にレベル反転を繰り返す信号Von
およびVoffのいずれかを選択して画素電極118に
印加するようになっている。このため、メモリへのデー
タDsの書込タイミングに関わらず、画素110のメモ
リにHレベルのデータDsが書き込まれている期間にお
いては前記画素110はオン状態となる一方、画素11
0のメモリにLレベルのデータDsが書き込まれている
期間においては前記画素110はオフ状態となる。この
結果、第1行の画素と第m行の画素を同じ階調で表示す
る場合、第m行の画素がオン状態となる期間は、第1行
の画素がオン状態となる期間と比較して書込期間Vaだ
け遅れた期間となるだけであり、その期間の時間長は等
しくなる。つまり、前記画素に対して印加される電圧実
効値が、画素の位置、すなわち、データDsの書込タイ
ミングに応じて変動してしまうことはないのである。
As described above, in the present driving method, the signal Von that repeats the level inversion irrespective of the data Ds based on the data Ds written in the memory of the pixel.
And Voff are selected and applied to the pixel electrode 118. Therefore, regardless of the timing of writing the data Ds to the memory, the pixel 110 is turned on while the H level data Ds is written to the memory of the pixel 110, while the pixel 11
The pixel 110 is in an off state during a period in which the L-level data Ds is written to the 0 memory. As a result, when the pixels in the first row and the pixels in the m-th row are displayed at the same gradation, the period in which the pixels in the m-th row are in the on state is compared with the period in which the pixels in the first row are in the on state. Thus, only the writing period Va is delayed, and the lengths of the periods are equal. That is, the effective voltage value applied to the pixel does not change according to the position of the pixel, that is, the writing timing of the data Ds.

【0118】また、上記第1の駆動方法においては、信
号Vonを、書込期間Vaにおいては交流化駆動信号F
R(または信号Voff)と同一の電圧レベルとすると
ともに、印加期間においてはこれらの信号に対して反転
レベルとする必要があったが、本駆動方法においては、
信号Vonとして、書込期間であると印加期間であると
を問わず、交流化駆動信号FR(または信号Voff)
に対して反転レベルとなる信号を用いることができるか
ら、上記第1の駆動方法と比較して構成を簡易にするこ
とができるという利点がある。
In the first driving method, the signal Von is supplied during the writing period Va.
Although it is necessary to set the same voltage level as R (or the signal Voff) and to set the inverted level for these signals during the application period, in the present driving method,
Regarding the signal Von, the AC drive signal FR (or the signal Voff) regardless of the writing period or the application period.
Since a signal having an inversion level can be used, there is an advantage that the configuration can be simplified as compared with the first driving method.

【0119】ところで、上記第2の駆動方法において
は、図11に示したように、交流化駆動信号FR等の周
期を、フィールドの周期と等しくした。しかしながら、
上記からも明らかなように、交流化駆動信号FR、信号
Vonおよび信号Voffが同じタイミングでレベル遷
移するものであり、かつ、信号Vonが交流化駆動信号
FRと反転レベルであって、信号Voffが交流化駆動
信号FRと同一レベルであれば、これらの各信号の周期
は、フィールドまたはサブフィールドとは無関係な周期
であってもよい。図12は、交流化駆動信号FR等の周
期を、1フィールドよりも短くした場合を例示するタイ
ミングチャートである。なお、図12においては、交流
化駆動信号FR等の周期を、図11に示したものよりも
短くした場合を例示しており、各画素の階調は、図11
に示したものと同一となっている。
In the second driving method, as shown in FIG. 11, the cycle of the AC drive signal FR and the like are made equal to the field cycle. However,
As is clear from the above, the AC drive signal FR, the signal Von, and the signal Voff make a level transition at the same timing, and the signal Von has an inverted level with the AC drive signal FR, and the signal Voff is As long as the AC drive signal FR is at the same level, the cycle of each of these signals may be a cycle unrelated to the field or subfield. FIG. 12 is a timing chart illustrating a case where the cycle of the AC drive signal FR and the like is shorter than one field. Note that FIG. 12 illustrates a case where the cycle of the AC drive signal FR and the like is shorter than that shown in FIG.
Are the same as those shown in FIG.

【0120】図12に示すように、交流化駆動信号FR
等の周期を、1フィールドよりも短くした場合であって
も、第1行の画素がオン状態となる期間は、第1行の画
素のメモリにHレベルのデータDsが書き込まれている
期間となり、第m行の画素がオン状態となる期間は、第
m行の画素のメモリにHレベルのデータDsが書き込ま
れている期間となる。具体的には、交流化駆動信号FR
の周期を、図11に示したものよりも短くした場合であ
っても、フィールドf1において第1行の画素がオン状
態となる期間は時刻t11〜t12の期間であり、第m
行の画素がオン状態となる期間は時刻t11’〜t1
2’の期間となる。これらの期間は、書込期間Vaだけ
ずれた期間であって、その時間長は等しいから、第1行
の画素に印加される電圧実効値と、第m行の画素に印加
される電圧実効値とは均一となるのである。
As shown in FIG. 12, the AC drive signal FR
Even when the cycle of the above is shorter than one field, the period in which the pixels in the first row are in the ON state is a period in which the H-level data Ds is written in the memory of the pixels in the first row. The period in which the pixels in the m-th row are in the ON state is a period in which the H-level data Ds is written in the memory of the pixels in the m-th row. Specifically, the AC drive signal FR
Is shorter than that shown in FIG. 11, the period during which the pixels in the first row are in the ON state in the field f1 is the period from time t11 to time t12, and
The period when the pixels in the row are in the ON state is from time t11 ′ to t1.
The period is 2 '. These periods are periods shifted by the writing period Va, and since the time lengths are equal, the effective voltage value applied to the pixels in the first row and the effective voltage value applied to the pixels in the m-th row Is uniform.

【0121】このように、本実施形態によれば、交流化
駆動信号FR等の周期をフィールドやサブフィールドの
時間長とは無関係に設定することができるから、例え
ば、交流化駆動信号FR等の周期を、最もフリッカが少
なくなるような周期に設定するといったことも可能であ
る。
As described above, according to the present embodiment, the period of the AC drive signal FR or the like can be set independently of the time length of the field or subfield. It is also possible to set the cycle to a cycle that minimizes flicker.

【0122】<上記各駆動方法の応用形態> (1)第1の応用形態(ランダムな書き込み) なお、上述した各駆動方法にあっては、走査線112を
1本ずつ選択して走査信号を供給するとともに、前記走
査線に位置する画素に、対応するデータ線114を介し
てデータDsをメモリに書き込む構成、すなわちシーケ
ンシャル・ライトの構成となっていた。しかし、本発明
は、これに限られずに通常のDRAMと同様に、アドレ
スデコーダを用い、行アドレスと列アドレスとで画素を
特定してデータDsを書き込む構成、すなわちランダム
・ライトの構成としても良い。つまり、上述した実施形
態において、走査線112をワード線とし、データ線1
14をビット線として、通常のDRAMと同様な書き込
みを行っても良い。
<Applications of Each Driving Method> (1) First Application (Random Writing) In each of the above-described driving methods, the scanning signal is selected by selecting the scanning lines 112 one by one. In addition, the data Ds is written into the memory via the corresponding data line 114 to the pixel located on the scanning line via the corresponding data line 114, that is, a sequential write configuration. However, the present invention is not limited to this, and may have a configuration in which an address decoder is used to specify a pixel using a row address and a column address to write data Ds, that is, a random write configuration, similarly to a normal DRAM. . That is, in the above-described embodiment, the scanning line 112 is a word line and the data line 1 is
Using the bit line 14 as a bit line, writing similar to that of a normal DRAM may be performed.

【0123】ここで、上述した各駆動方法によれば、あ
る1つの画素において透過率が100%または0%の表
示を行う場合に、前記画素に対応するデータDsは、H
レベルまたはLレベルに固定化されるので、一旦データ
Dsを書き込んでしまえば、以後、データDsを書き換
える必要がない。また、ある1つの画素において中間階
調表示を行う場合であっても、前記画素に対応するデー
タDsは、1フィールドの最初にHレベルにリセットさ
れ、その後、中間階調に対応するサブフィールドにおい
てLレベルにセットされるだけであるので、前記データ
Dsは、1フィールドにおいて2回だけしか変更されな
い。すなわち、上述した実施形態において、1つの画素
につきデータDsを書き換える頻度は、それほど高くは
ないのである。
Here, according to each of the above-described driving methods, when a display with a transmittance of 100% or 0% is performed in one pixel, the data Ds corresponding to the pixel is H
Since the data Ds is fixed to the level or the L level, once the data Ds is written, there is no need to rewrite the data Ds thereafter. Even in the case where halftone display is performed in a certain pixel, the data Ds corresponding to the pixel is reset to the H level at the beginning of one field, and thereafter, in a subfield corresponding to the halftone. Since it is only set to L level, the data Ds is changed only twice in one field. That is, in the above-described embodiment, the frequency of rewriting the data Ds for one pixel is not so high.

【0124】そこで、アドレスデコーダを用いてランダ
ム・ライトの構成とするとともに、データDsを、必要
な画素に対してのみ書き換える構成とすれば、書き換え
時間を短縮化することができ、さらに、この短縮化に伴
って、クロック信号を低周波数化することができるの
で、消費電力を低く抑えることができる。
Therefore, if a configuration of random write using an address decoder and a configuration in which data Ds is rewritten only for necessary pixels can be used, the rewriting time can be shortened. The frequency of the clock signal can be reduced with the increase in power consumption, so that power consumption can be reduced.

【0125】一方、書き換えられない画素においては、
構成素子であるトランジスタTa1、Tb1およびTb
2がスイッチングしない。このため、書き換えに伴って
引き起こされる充放電、例えば、これら素子の容量負荷
や配線容量の負荷に伴う充放電が発生しないので、この
点においても、消費電力を低く抑えることができる。
On the other hand, in a pixel that cannot be rewritten,
Transistors Ta1, Tb1, and Tb as constituent elements
2 does not switch. For this reason, charge / discharge caused by rewriting, for example, charge / discharge due to a capacitive load of these elements or a load of wiring capacitance does not occur, so that the power consumption can be suppressed also in this regard.

【0126】ただし、データDsを長期間書き換えない
で済ませるためには、メモリを、後述する図18、図1
9、図22または図23に示されるようなSRAMで構
成する必要がある。なお、データDsが書き換わらなく
ても、信号Von、Voffおよび交流化駆動信号FR
は、1フィールド毎にレベル反転するので、液晶層に直
流成分が印加されることはない。
However, in order to avoid rewriting the data Ds for a long period of time, the memory needs to be rewritten in FIG.
9. It is necessary to configure the SRAM as shown in FIG. 22 or FIG. Note that even if the data Ds is not rewritten, the signals Von and Voff and the AC drive signal FR
Since the level is inverted every field, no DC component is applied to the liquid crystal layer.

【0127】(2)第2の応用形態 上述した第1および第2の駆動方法においては、各サブ
フィールドの書込期間Va内に、データDsをキャパシ
タ117に書き込むものであるが、1フィールドの期間
が一定である場合、書込期間Vaは、階調表示に寄与す
る電圧が液晶層に印加される印加期間を狭める方向に作
用する。このため、書込期間は短い方が良い。一方、上
述した実施形態では、8階調表示としたが、例えば、1
6階調表示、64階調表示、・・・のように階調表示度
数を高めるためには、1フィールドを、さらに多数のサ
ブフィールドに分割して、データDsの書き込みを、よ
り短期間で完了させる必要が生じる。
(2) Second Application In the first and second driving methods described above, data Ds is written to the capacitor 117 during the writing period Va of each subfield. When the period is constant, the writing period Va acts in a direction to shorten the application period in which the voltage contributing to the gradation display is applied to the liquid crystal layer. Therefore, the shorter the writing period, the better. On the other hand, in the above-described embodiment, eight gradations are displayed.
In order to increase the gray scale display frequency such as 6 gray scale display, 64 gray scale display,. It needs to be completed.

【0128】しかしながら、駆動回路、特に、データ線
駆動回路140におけるXシフトレジスタ1410は、
実際には上限付近の動作周波数で動作しているので、こ
のままでは、階調表示度数を高めることができない。そ
こで、この点に改良を施した応用形態について説明す
る。
However, the driving circuit, particularly the X shift register 1410 in the data line driving circuit 140,
Actually, since it operates at the operating frequency near the upper limit, the gradation display frequency cannot be increased without any change. Therefore, an application form in which this point is improved will be described.

【0129】図13(a)は、この応用形態に係る電気
光学装置におけるデータ線駆動回路の構成を示すブロッ
ク図である。この図において、Xシフトレジスタ141
2は、ラッチパルスLPをクロック信号CLXに従って
転送する点においては、図3に示されるXシフトレジス
タ1410と同様であるが、その段数が半分となってい
る点において、Xシフトレジスタ1410と相違してい
る。すなわち、n=2pを満たす整数pを想定すると、
Xシフトレジスタ1412は、ラッチ信号S1、S2、
・・・、Spを順次出力する構成となっている。
FIG. 13A is a block diagram showing the configuration of a data line drive circuit in an electro-optical device according to this application. In this figure, the X shift register 141
2 is similar to X shift register 1410 shown in FIG. 3 in that latch pulse LP is transferred according to clock signal CLX, but differs from X shift register 1410 in that the number of stages is half. ing. That is, assuming an integer p satisfying n = 2p,
The X shift register 1412 outputs the latch signals S1, S2,
.., Sp are sequentially output.

【0130】また、この応用形態においてデータは、左
から数えて奇数本目のデータ線114へのデータDs1
と、偶数本目のデータ線114へのデータDs2との2
系統に分けられて供給される。さらに、ラッチ回路14
22では、奇数本目のデータ線114に対応してデータ
Ds1をラッチするものと、それに続く偶数本目のデー
タ線114に対応してデータDs2をラッチするものと
が組となって、それぞれ同一のラッチ信号の立ち下がり
で同時にラッチを行う構成となっている。
In this application, the data is the data Ds1 to the odd-numbered data line 114 counted from the left.
And data Ds2 to the even-numbered data line 114
Supplied in separate systems. Further, the latch circuit 14
In No. 22, a pair of latching the data Ds1 corresponding to the odd-numbered data line 114 and a pair latching the data Ds2 corresponding to the subsequent even-numbered data line 114 form the same latch. The configuration is such that the latch is performed at the same time as the falling of the signal.

【0131】従って、このようなデータ線駆動回路14
1によれば、図14に示されるように、同一のラッチ信
号S1、S2、・・・、Spによって同時に画素2個分
のデータDs1、Ds2がラッチされるので、クロック
信号CLXの周波数を上記実施形態と同一に維持したま
ま、必要な水平走査期間を半分に短縮することができ
る。さらに、Xシフトレジスタ1412を構成する単位
回路の段数は、データ線114の総本数に対応する
「n」から、その半分である「p」に削減される。この
ため、Xシフトレジスタ1412の構成を、Xシフトレ
ジスタ1410(図3参照)と比較して簡略化すること
も可能となる。
Therefore, such a data line driving circuit 14
According to FIG. 14, data Ds1 and Ds2 for two pixels are simultaneously latched by the same latch signals S1, S2,..., Sp as shown in FIG. The required horizontal scanning period can be reduced by half while maintaining the same as the embodiment. Further, the number of stages of the unit circuits constituting the X shift register 1412 is reduced from “n” corresponding to the total number of the data lines 114 to “p” which is half thereof. Therefore, the configuration of the X shift register 1412 can be simplified as compared with the X shift register 1410 (see FIG. 3).

【0132】一方、Xシフトレジスタ1412を構成す
る単位回路の段数が半分で済むということは、必要な水
平走査期間を同じとするのであれば、クロック信号CL
Xを半分に低下させることができることを意味する。こ
のため、水平走査期間を同じとするのであれば、動作周
波数に起因して消費される電力を抑えることもできる。
On the other hand, the fact that the number of unit circuits constituting the X shift register 1412 is reduced to half means that if the required horizontal scanning period is the same, the clock signal CL is required.
This means that X can be reduced by half. Therefore, if the horizontal scanning period is the same, the power consumed due to the operating frequency can be suppressed.

【0133】なお、この応用形態にあっては、ラッチ信
号によって同時されるラッチを行う第1のラッチ回路1
422の個数を「2」としたが、「3」以上としても良
いのはもちろんである。この場合には、データは、前記
個数に応じた系統に分けれられて供給され、Xシフトレ
ジスタ1412の段数はデータ線数をその個数で除した
数に減らすことができる。
In this application, the first latch circuit 1 that performs simultaneous latching by a latch signal is used.
Although the number of 422 is “2”, it is needless to say that it may be “3” or more. In this case, the data is supplied after being divided into systems corresponding to the number, and the number of stages of the X shift register 1412 can be reduced to the number obtained by dividing the number of data lines by the number.

【0134】(3)第3の応用形態 上記実施形態においては、1水平走査期間において選択
された1行分の画素に対して、点順次的にデータ信号を
書き込む点順次駆動を採用したが、これに限らず、1水
平走査期間において1行分の画素に対して一斉にデータ
信号を書き込む線順次駆動を採用することもできる。図
13(b)は、本変形例におけるデータ線駆動回路14
2の構成を示すブロック図である。
(3) Third Application In the above embodiment, the dot sequential driving in which the data signal is written in a dot sequential manner to the pixels of one row selected in one horizontal scanning period is adopted. The invention is not limited to this, and line-sequential driving in which a data signal is simultaneously written to one row of pixels in one horizontal scanning period can be employed. FIG. 13B illustrates a data line driving circuit 14 according to the present modification.
2 is a block diagram showing a configuration of FIG.

【0135】このデータ線駆動回路142は、ある水平
走査期間においてデータDsをデータ線114の本数に
相当するn個順次ラッチした後、ラッチしたn個のデー
タDsを次の水平走査期間において、それぞれ対応する
データ線114にデータ信号d1、d2、d3、・・
・、dnとして一斉に供給するものである。具体的に
は、図13(b)に示すように、このデータ線駆動回路
142は、Xシフトレジスタ1410と、第1ラッチ回
路1430と、第2ラッチ回路1431とにより構成さ
れている。Xシフトレジスタ1410は、上記実施形態
におけるものと同様のものである。
The data line drive circuit 142 sequentially latches n data Ds corresponding to the number of the data lines 114 in a certain horizontal scanning period, and then stores the n data Ds in the next horizontal scanning period. The data signals d1, d2, d3,.
, Dn are supplied all at once. More specifically, as shown in FIG. 13B, the data line driving circuit 142 includes an X shift register 1410, a first latch circuit 1430, and a second latch circuit 1431. The X shift register 1410 is similar to that in the above embodiment.

【0136】第1ラッチ回路1430は、データDsを
ラッチ信号S1、S2、S3、・・・、Snの立ち下が
りにおいて順次ラッチするものである。第2ラッチ回路
1431は、第1ラッチ回路1430によってラッチさ
れたデータDsの各々をラッチパルスLPの立ち下がり
において一斉にラッチするとともに、データ線114の
各々にデータ信号d1、d2、d3、・・・、dnとし
て供給するようになっている。
The first latch circuit 1430 sequentially latches the data Ds at the falling edges of the latch signals S1, S2, S3,..., Sn. The second latch circuit 1431 simultaneously latches each of the data Ds latched by the first latch circuit 1430 at the falling edge of the latch pulse LP, and simultaneously supplies the data signals d1, d2, d3,. ., Dn.

【0137】ここで、ある水平走査期間におけるデータ
線駆動回路142の動作の概要について説明する。ま
ず、ある走査信号Giが出力される1水平走査期間(1
H)において、第2ラッチ回路1431は、前記走査信
号Giの立ち上がりタイミングにおいて供給されるラッ
チパルスLPに従い、n本のデータ線114の各々に対
して一斉にデータ信号d1、d2、d3、・・・、dn
を出力する。これらのデータ信号は、走査信号Giの供
給によって導通状態となっている各画素のトランジスタ
Ta1を介してキャパシタ117に書き込まれる。一
方、この書込み動作に並行して、第1ラッチ回路143
0は、上記ラッチパルスLPの転送によってXシフトレ
ジスタ1410から出力されるラッチ信号S1、S2、
S3、・・・、Snに従い、(i+1)本目の走査線1
12に対応する1行分の画素に対するデータの点順次的
なラッチを行う。
Here, an outline of the operation of the data line driving circuit 142 during a certain horizontal scanning period will be described. First, one horizontal scanning period (1) in which a certain scanning signal Gi is output.
In (H), the second latch circuit 1431 simultaneously sends the data signals d1, d2, d3,... To each of the n data lines 114 in accordance with the latch pulse LP supplied at the rising timing of the scanning signal Gi.・, Dn
Is output. These data signals are written to the capacitor 117 via the transistor Ta1 of each pixel which is turned on by the supply of the scanning signal Gi. On the other hand, in parallel with this write operation, the first latch circuit 143
0 is the latch signal S1, S2, output from the X shift register 1410 by the transfer of the latch pulse LP.
According to S3,..., Sn, the (i + 1) th scanning line 1
In this case, data is sequentially latched for pixels corresponding to one row corresponding to No. 12.

【0138】このような動作が各水平走査期間ごとに並
行して行われることにより、線順次駆動が実現される。
なお、本変形例においても、上記変形例2に示したよう
に、ラッチ信号によって同時にラッチ動作を行うラッチ
回路1422の個数を「2」以上とするようにしてもよ
いことはもちろんである。
By performing such an operation in parallel for each horizontal scanning period, line-sequential driving is realized.
In this modification, as in Modification 2, the number of latch circuits 1422 that simultaneously perform a latch operation in response to a latch signal may be set to “2” or more.

【0139】(3)第4の応用形態 また、上述した第1および第2の駆動方法において、デ
ータDsのキャパシタ117への書き込みは、各サブフ
ィールドの書込期間Vaで完了するので、前記書込期間
Vaを経過した後の各期間(例えば第1の駆動方法にお
ける印加期間Sf1b、Sf2b、・・・、Sf7b)
では、走査線駆動回路130およびデータ線駆動回路1
40を動作させる必要はない。
(3) Fourth Application In the first and second driving methods described above, the writing of the data Ds into the capacitor 117 is completed in the writing period Va of each subfield. (E.g., application periods Sf1b, Sf2b,..., Sf7b in the first driving method) after elapse of the scanning period Va.
Now, the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 1
There is no need to operate 40.

【0140】一方、上記実施形態における駆動回路、特
に、データ線駆動回路140には供給されるクロック信
号CLXの周波数は、非常に高い。一般に、シフトレジ
スタには、クロック信号をゲートで入力するクロックド
インバータ(またはトランスミッションゲート)が極め
て多数備えられるので、クロック信号CLXの供給源で
あるタイミング信号生成回路200からみると、Xシフ
トレジスタ1410は容量負荷となる。
On the other hand, the frequency of the clock signal CLX supplied to the driving circuit in the above embodiment, particularly, the data line driving circuit 140 is very high. In general, a shift register is provided with an extremely large number of clocked inverters (or transmission gates) for inputting a clock signal at a gate. Therefore, when viewed from the timing signal generation circuit 200 which is a supply source of the clock signal CLX, the X shift register 1410 Is a capacitive load.

【0141】従って、上述した書込期間Va経過後の期
間(例えば印加期間Sf1b、Sf2b、・・・、Sf
7b)においても、クロック信号CLXを供給する構成
では、容量負荷によって無駄に電力が消費される結果、
消費電力の増大を招くことになる。そこで、この点に改
良を施した応用形態について説明する。
Accordingly, the period after the above-described writing period Va has elapsed (for example, the application periods Sf1b, Sf2b,..., Sf
7b), in the configuration for supplying the clock signal CLX, power is wasted by the capacitive load,
This leads to an increase in power consumption. Therefore, an application form in which this point is improved will be described.

【0142】この応用形態においては、クロック信号C
LXがタイミング信号生成回路200からXシフトレジ
スタ1410に至るまでの途中に、図15に示されるク
ロック信号供給制御回路400が介挿される構成となっ
ている。ここで、クロック信号供給制御回路400は、
RSフリップフロップ402と、AND回路404とを
備えている。このうち、RSフリップフロップ402
は、セット入力端SにスタートパルスDYを入力すると
ともに、リセット入力端Rに走査信号Gmを入力するも
のである。また、AND回路404は、タイミング信号
生成回路200から供給されるクロック信号CLXと、
RSフリップフロップ402の出力端Qから出力される
信号Enbとの論理積信号を求めて、これをデータ線駆
動回路140におけるXシフトレジスタ1410へのク
ロック信号CLXとして供給するものである。
In this application, the clock signal C
The clock signal supply control circuit 400 shown in FIG. 15 is interposed between LX and the X shift register 1410 from the timing signal generation circuit 200. Here, the clock signal supply control circuit 400
An RS flip-flop 402 and an AND circuit 404 are provided. Among them, RS flip-flop 402
Is for inputting the start pulse DY to the set input terminal S and inputting the scanning signal Gm to the reset input terminal R. Further, the AND circuit 404 includes a clock signal CLX supplied from the timing signal generation circuit 200,
An AND signal with the signal Enb output from the output terminal Q of the RS flip-flop 402 is obtained and supplied as a clock signal CLX to the X shift register 1410 in the data line driving circuit 140.

【0143】ここで、クロック信号供給制御回路400
において、あるサブフィールドの最初においてスタート
パルスDYが供給されると、RSフリップフロップ40
2がセットされるので、その出力端Qから出力される信
号Enbは、図16に示されるようにHレベルとなる。
このため、AND回路404が開くので、Xシフトレジ
スタ1410へのクロック信号CLXの供給が開始され
る。そして、データ線駆動回路140においては、この
直後に供給されるラッチパルスLPを契機に、ラッチ回
路1420によるデータの点順次的なラッチが行われる
こととなる。
Here, the clock signal supply control circuit 400
, When the start pulse DY is supplied at the beginning of a certain subfield, the RS flip-flop 40
Since 2 is set, the signal Enb output from the output terminal Q goes high as shown in FIG.
Therefore, the AND circuit 404 is opened, and the supply of the clock signal CLX to the X shift register 1410 is started. Then, in the data line driving circuit 140, the latch circuit 1420 performs point-sequential latching of data by the latch pulse LP supplied immediately thereafter.

【0144】一方、スタートパルスDYによってクロッ
ク信号CLXの供給が開始された後、そのサブフィール
ドにおいて最後(上から数えてm本目)の走査線112
を選択する走査信号Gmが供給されると、RSフリップ
フロップ402がリセットされるので、その出力端Qか
ら出力される信号Enbは、図16に示されるようにL
レベルとなる。このため、AND回路404が閉じるの
で、Xシフトレジスタ1410へのクロック信号CLX
の供給が遮断される。ここで、走査信号Gmが供給され
る以前には、m本目の走査線112との交差に対応する
画素1行分のデータが、ラッチ回路1420によりラッ
チされているはずであるから、次のサブフィールドの開
始まで、クロック信号CLXが遮断されても問題がな
い。
On the other hand, after the supply of the clock signal CLX is started by the start pulse DY, the last (m-th scanning line 112 from the top) in the subfield is started.
Is supplied, the RS flip-flop 402 is reset, and the signal Enb output from the output terminal Q becomes L as shown in FIG.
Level. As a result, the AND circuit 404 closes, so that the clock signal CLX to the X shift register 1410 is
Supply is shut off. Here, before the scan signal Gm is supplied, the data of one row of pixels corresponding to the intersection with the m-th scan line 112 should have been latched by the latch circuit 1420. There is no problem even if the clock signal CLX is cut off until the start of the field.

【0145】このようなクロック信号供給制御回路40
0を設けると、クロック信号CLXが必要なときだけX
シフトレジスタ1410に供給されるので、容量負荷に
より消費される電力をそれだけ抑えることが可能とな
る。また、Y側のクロック信号CLYにおいても同様な
クロック信号供給制御回路を設けても良いが、クロック
信号CLYは、X側のクロック信号CLXよりも周波数
が圧倒的に低い。このため、Y側において、容量負荷に
より消費される電力は、X側と比較して、あまり問題に
はならない。
Such a clock signal supply control circuit 40
When 0 is provided, X is used only when the clock signal CLX is required.
Since the power is supplied to the shift register 1410, the power consumed by the capacitive load can be suppressed accordingly. A similar clock signal supply control circuit may be provided for the Y-side clock signal CLY, but the clock signal CLY has an overwhelmingly lower frequency than the X-side clock signal CLX. Therefore, the power consumed by the capacitive load on the Y side is less problematic than on the X side.

【0146】<他の画素の構成>上述した各実施形態で
は、画素110の構成を図2に示される構成としたが、
この構成では、厳密には電源電圧を、トランジスタTa
1、Tb1、Tb2の特性を考慮して設定しなければな
らないという問題がある。すなわち、走査線112に供
給される走査信号と、データ線114に供給されるデー
タDsと、信号Von、VoffとのHレベルおよびL
レベルを、それぞれ電源電圧の高位側電圧VDDおよび
低位側電圧VSSとする場合、画素電極118に印加さ
れるHレベルの電圧をVHとし、Lレベルの電圧をVL
とするためには、電圧VDDおよび電圧VSSを、トラ
ンジスタTa1、Tb1、Tb2のしきい値電圧を考慮
して設定しなければならない。詳細には、図25(a)
に示されるように、キャパシタ117の保持電圧は、ト
ランジスタTb1またはTb2のしきい値電圧を考慮に
入れて、電圧VHに対しオフセットして設定する必要が
あり、さらに、高位側電圧VDDは、トランジスタTa
1のしきい値電圧を考慮に入れて、保持電圧に対しオフ
セットして設定する必要がある。結局、高位側電圧VD
Dは、トランジスタTa1、Tb1、Tb2のしきい値
電圧を考慮に入れて設定しなければならない。一方、電
圧VSSは、トランジスタTb1またはTb2のしきい
値電圧を考慮に入れて、電圧VLに対しオフセットして
設定する必要がある。
<Configuration of Other Pixels> In each of the above embodiments, the configuration of the pixel 110 is the configuration shown in FIG.
In this configuration, strictly speaking, the power supply voltage is
There is a problem that the setting must be made in consideration of the characteristics of 1, Tb1, and Tb2. That is, the scanning signal supplied to the scanning line 112, the data Ds supplied to the data line 114, and the H level and L level of the signals Von and Voff
When the levels are respectively set to the higher voltage VDD and the lower voltage VSS of the power supply voltage, the H level voltage applied to the pixel electrode 118 is set to VH, and the L level voltage is set to VL
In order to achieve the above, the voltage VDD and the voltage VSS must be set in consideration of the threshold voltages of the transistors Ta1, Tb1, and Tb2. In detail, FIG.
, The holding voltage of the capacitor 117 needs to be set to be offset with respect to the voltage VH in consideration of the threshold voltage of the transistor Tb1 or Tb2. Ta
It is necessary to take the threshold voltage of 1 into consideration and set the offset with respect to the holding voltage. After all, the higher voltage VD
D must be set in consideration of the threshold voltages of the transistors Ta1, Tb1, and Tb2. On the other hand, the voltage VSS needs to be set offset from the voltage VL in consideration of the threshold voltage of the transistor Tb1 or Tb2.

【0147】そこでまず、図17に示されるように、ト
ランジスタTa1を、Pチャネル型トランジスタとNチ
ャネル型トランジスタとを相補的に組み合わせた構成と
すれば、トランジスタTa1におけるオフセット電圧に
ついてはキャンセルすることができる。このため、図2
5(b)に示されるように、電圧VH、VLについて
は、トランジスタTb1、Tb2のしきい値電圧だけを
考慮すれば済む。ただし、この構成では、走査信号とし
て互いに排他的レベルを供給する必要が生じるため、1
行の画素110に対して走査線112a、112bの2
本が必要となる。
First, as shown in FIG. 17, if the transistor Ta1 has a structure in which a P-channel transistor and an N-channel transistor are complementarily combined, the offset voltage in the transistor Ta1 can be canceled. it can. Therefore, FIG.
As shown in FIG. 5 (b), only the threshold voltages of the transistors Tb1 and Tb2 need to be considered for the voltages VH and VL. However, in this configuration, it is necessary to supply mutually exclusive levels as scanning signals, so that 1
The scanning lines 112a and 112b of the pixels 110 in the row
You need a book.

【0148】また、図2または図17においては、デー
タDsを記憶するメモリをDRAM構成としたが、図1
8に示されるように、トランジスタTa1、Ta2をト
ランスファーゲートとするとともに、トランジスタTa
3、Ta4からなるインバータと、トランジスタTa
5、Ta6からなるインバータとにおいて、互いに一方
の出力を他方の入力とするフリップフロップにデータD
sを書き込むSRAM構成としても良い。このような構
成によれば、上記フリップフロップに書き込まれるデー
タDsは、電源電圧(VDD、VSS)に固定(自己保
持)されるので、トランジスタTa1(Ta2)のしき
い値電圧を考慮しなくて済む。従って、図25(b)に
示されるように、電圧VH、VLについては、トランジ
スタTb1、Tb2のしきい値電圧だけを考慮すれば済
む。さらに、DRAM構成におけるキャパシタ117に
おけるリークを考慮しなくて済むので、動作マージンの
拡大を図ることができる。ただし、このSRAM構成で
は、データDsとして互いに排他的レベルを供給する必
要が生じるため、1列の画素110に対してデータ線1
14a、114bの2本が必要となる。
In FIG. 2 or FIG. 17, the memory for storing data Ds has a DRAM configuration.
As shown in FIG. 8, the transistors Ta1 and Ta2 are used as transfer gates, and
3, an inverter composed of Ta4 and a transistor Ta
5 and Ta6, the data D is applied to a flip-flop having one output as the other input.
An SRAM configuration for writing s may be used. According to such a configuration, the data Ds written to the flip-flop is fixed (self-held) to the power supply voltage (VDD, VSS), so that the threshold voltage of the transistor Ta1 (Ta2) need not be considered. I'm done. Therefore, as shown in FIG. 25B, only the threshold voltages of the transistors Tb1 and Tb2 need to be considered for the voltages VH and VL. Further, since it is not necessary to consider the leakage in the capacitor 117 in the DRAM configuration, the operation margin can be increased. However, in this SRAM configuration, it is necessary to supply mutually exclusive levels as data Ds.
14a and 114b are required.

【0149】さらに、1つのSRAMには、6つのトラ
ンジスタTa1〜Ta6を必要とするので、構成が複雑
化する。そこで、構成の複雑化を解消するため、図19
に示されるように、トランジスタTa3、Ta5をそれ
ぞれ負荷抵抗Ta7、Ta8に置換する構成が考えられ
る。
Further, since one SRAM requires six transistors Ta1 to Ta6, the configuration is complicated. In order to eliminate the complication of the configuration, FIG.
As shown in (1), a configuration in which the transistors Ta3 and Ta5 are replaced with load resistors Ta7 and Ta8, respectively, can be considered.

【0150】一方、トランジスタTb1、Tb2におけ
るしきい値電圧を考慮しなくて済むように、図20に示
されるような構成が考えられる。すなわち、トランジス
タTb1、Tb2を、それぞれPチャネル型トランジス
タとNチャネル型トランジスタとを相補的に組み合わせ
た構成とすれば、トランジスタTb1、Tb2における
オフセット電圧についてはキャンセルすることができ
る。従って、図25(c)に示されるように、電圧VH
については、トランジスタTa1のしきい値電圧だけを
考慮すれば済み、電圧VLについては、電源の低位側電
圧VSSをそのまま用いることができる。ただし、この
構成では、データDsとして互いに排他的レベルを供給
する必要が生じるため、1列の画素110に対してデー
タ線114a、114bの2本が必要となる上、キャパ
シタ117a、117bを設けて、排他的レベルのデー
タDsを保持する構成が必要となる。
On the other hand, a configuration as shown in FIG. 20 can be considered so as not to consider the threshold voltages of the transistors Tb1 and Tb2. That is, if the transistors Tb1 and Tb2 are configured to complementarily combine a P-channel transistor and an N-channel transistor, the offset voltage in the transistors Tb1 and Tb2 can be canceled. Therefore, as shown in FIG.
As for the voltage VL, only the threshold voltage of the transistor Ta1 needs to be considered, and the lower voltage VSS of the power supply can be used as the voltage VL. However, in this configuration, it is necessary to supply mutually exclusive levels as the data Ds. Therefore, two data lines 114a and 114b are required for one column of pixels 110, and capacitors 117a and 117b are provided. , A configuration for holding exclusive-level data Ds is required.

【0151】次に、図21に示されるように、トランジ
スタTa1、Ta2を相補型とするとともに、トランジ
スタTb1、Tb2を相補側とする構成が考えられる。
この構成によれば、各トランジスタTa1、Ta2、T
b1、Tb2におけるオフセット電圧をキャンセルする
ことができるので、図25(d)に示されるように、電
圧VH、VLとして、それぞれ電源の高位側電圧VDD
および低位側電圧VSSをそのまま用いることができ
る。
Next, as shown in FIG. 21, a configuration is conceivable in which the transistors Ta1 and Ta2 are complementary and the transistors Tb1 and Tb2 are complementary.
According to this configuration, each of the transistors Ta1, Ta2, T
Since the offset voltages at b1 and Tb2 can be canceled, as shown in FIG. 25 (d), the voltages VH and VL are respectively set to the higher voltage VDD of the power supply.
In addition, the lower voltage VSS can be used as it is.

【0152】また、図22に示されるように、メモリを
SRAM構成とするとともに、トランジスタTb1、T
b2を相補側とする構成が考えられる。この構成によれ
ば、SRAMのフリップフロップに書き込まれるデータ
Dsは、電源の高位側電圧VDDまたは低位側電圧VS
Sのいずれかに自己保持されるので、トランジスタTa
1のしきい値電圧を考慮しなくて済み、さらに、相補型
ゆえにトランジスタTb1、Tb2のしきい値電圧を考
慮しなく済むので、図25(d)に示されるように、電
圧VH、VLとして、それぞれ電源の高位側電圧VDD
および低位側電圧VSSをそのまま用いることができ
る。この際、図23に示されるように、トランジスタT
a3、Ta5をそれぞれ負荷抵抗Ta7、Ta8に置換
すれば、構成の複雑化を回避することもできる。
As shown in FIG. 22, the memory has an SRAM configuration, and transistors Tb1 and Tb1 have the same structure.
A configuration in which b2 is the complementary side is conceivable. According to this configuration, the data Ds written to the flip-flop of the SRAM is the higher voltage VDD or the lower voltage VS of the power supply.
S, the transistor Ta
1 and the threshold voltages of the transistors Tb1 and Tb2 because they are complementary, so that the voltages VH and VL are set as shown in FIG. , The higher voltage VDD of the power supply, respectively.
In addition, the lower voltage VSS can be used as it is. At this time, as shown in FIG.
By replacing a3 and Ta5 with load resistors Ta7 and Ta8, respectively, it is possible to avoid complication of the configuration.

【0153】なお、図19、図23に示される負荷抵抗
Ta7、Ta8の具体的構成としては、例えば、図24
(a)に示されるようなエンハンスメント形トランジス
タや、同図(b)に示されるようなデプレッション形ト
ランジスタ、同図(c)に示されるように、抵抗体とし
てポリ(多結晶)シリコンを用いた形などが挙げられ
る。
The specific configuration of the load resistors Ta7 and Ta8 shown in FIG. 19 and FIG.
As shown in FIG. 3A, an enhancement type transistor, a depletion type transistor as shown in FIG. 3B, and poly (polycrystalline) silicon as a resistor as shown in FIG. Shape and the like.

【0154】<液晶装置の全体構成>次に、上述した実
施形態や応用形態に係る電気光学装置の構造について、
図26および図27を参照して説明する。ここで、図2
6は、電気光学装置100の構成を示す平面図であり、
図27は、図26におけるA−A’線の断面図である。
<Overall Structure of Liquid Crystal Device> Next, with respect to the structure of the electro-optical device according to the above-described embodiments and applied embodiments,
This will be described with reference to FIGS. 26 and 27. Here, FIG.
6 is a plan view showing the configuration of the electro-optical device 100,
FIG. 27 is a sectional view taken along line AA ′ in FIG.

【0155】これらの図に示されるように、電気光学装
置100は、画素電極118などが形成された素子基板
101と、対向電極108などが形成された対向基板1
02とが、互いにシール材104によって一定の間隙を
保って貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学
材料としての液晶105が挟持された構造となってい
る。なお、実際には、シール材104には切欠部分があ
って、ここを介して液晶105が封入された後、封止材
により封止されるが、これらの図においては省略されて
いる。
As shown in these figures, the electro-optical device 100 includes an element substrate 101 on which a pixel electrode 118 and the like are formed, and a counter substrate 1 on which a counter electrode 108 and the like are formed.
02 are bonded to each other with a certain gap therebetween by a sealant 104, and a liquid crystal 105 as an electro-optical material is sandwiched in this gap. Actually, the sealing material 104 has a cutout portion, and after the liquid crystal 105 is sealed through the cutout portion, it is sealed with a sealing material, but is omitted in these drawings.

【0156】ここで、素子基板101は、半導体基板で
あるため不透明である。このため、画素電極118は、
アルミニウムなどの反射性金属から形成されて、電気光
学装置100は、反射型として用いられることになる。
これに対して、対向基板102は、ガラスなどから構成
されるので透明である。
Here, the element substrate 101 is opaque because it is a semiconductor substrate. For this reason, the pixel electrode 118
The electro-optical device 100 formed of a reflective metal such as aluminum is used as a reflective type.
On the other hand, the counter substrate 102 is transparent because it is made of glass or the like.

【0157】さて、素子基板101において、シール材
104の内側かつ表示領域101aの外側領域には、遮
光膜106が設けられている。この遮光膜106が形成
される領域内のうち、領域130aには走査線駆動回路
130が形成され、また、領域140aにはデータ線駆
動回路140が形成されている。すなわち、遮光膜10
6は、この領域に形成される駆動回路に光が入射するの
を防止している。この遮光膜106には、対向電極10
8とともに、交流化駆動信号FRが印加される構成とな
っている。このため、遮光膜106が形成された領域で
は、液晶層への印加電圧がほぼゼロとなるので、液晶層
における電圧無印加状態と同じ表示状態となる。
On the element substrate 101, a light-shielding film 106 is provided inside the sealant 104 and outside the display area 101a. In the region where the light-shielding film 106 is formed, the scanning line driving circuit 130 is formed in the region 130a, and the data line driving circuit 140 is formed in the region 140a. That is, the light shielding film 10
Numeral 6 prevents light from entering a drive circuit formed in this region. This light-shielding film 106 has a counter electrode 10
8 together with the AC drive signal FR. For this reason, in the region where the light-shielding film 106 is formed, the voltage applied to the liquid crystal layer becomes substantially zero, and the display state is the same as the state where no voltage is applied to the liquid crystal layer.

【0158】また、素子基板101において、データ線
駆動回路140が形成される領域140a外側であっ
て、シール材104を隔てた領域107には、複数の接
続端子が形成されて、外部からの制御信号や電源などを
入力する構成となっている。
In the element substrate 101, a plurality of connection terminals are formed outside the region 140a where the data line driving circuit 140 is formed and separated from the sealing material 104 by external control. It is configured to input signals and power.

【0159】一方、対向基板102の対向電極108
は、基板貼合部分における4隅のうち、少なくとも1箇
所において設けられた導通材(図示省略)によって、素
子基板101における遮光膜106および接続端子と電
気的に導通している。すなわち、交流化駆動信号FR
は、素子基板101に設けられた接続端子を介して、遮
光膜106に、さらに、導通材を介して対向電極108
に、それぞれ印加される構成となっている。
On the other hand, the opposite electrode 108 of the opposite substrate 102
Is electrically connected to the light-shielding film 106 and the connection terminals on the element substrate 101 by a conductive material (not shown) provided at least at one of four corners of the substrate bonding portion. That is, the AC drive signal FR
Are connected to the light-shielding film 106 via connection terminals provided on the element substrate 101 and further to the counter electrode 108 via a conductive material.
, Respectively.

【0160】ほかに、対向基板102には、電気光学装
置100の用途に応じて、例えば、直視型であれば、第
1に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状
等に配列したカラーフィルタが設けられ、第2に、例え
ば、金属材料や樹脂などからなる遮光膜(ブラックマト
リクス)が設けられる。なお、色光変調の用途の場合、
例えば後述するプロジェクタのライトバルブとして用い
る場合、カラーフィルタは形成されない。また、直視型
の場合、電気光学装置100に光を対向基板102側か
ら照射するフロントライトが必要に応じて設けられる。
くわえて、素子基板101および対向基板102の電極
形成面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された
配向膜(図示省略)などが設けられて、電圧無印加状態
における液晶分子の配向方向を規定する一方、対向基板
102の側には、配向方向に応じた偏光子(図示省略)
が設けられる。ただし、液晶105として、高分子中に
微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、
前述の配向膜や偏光子などが不要となる結果、光利用効
率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点にお
いて有利である。
In addition, depending on the application of the electro-optical device 100, for example, first, in the case of a direct-view type, first, color filters arranged in a stripe shape, a mosaic shape, a triangle shape, or the like are provided on the counter substrate 102. Second, a light-shielding film (black matrix) made of, for example, a metal material or a resin is provided. In the case of color light modulation,
For example, when used as a light valve of a projector described later, no color filter is formed. In the case of a direct-view type, a front light for irradiating the electro-optical device 100 with light from the counter substrate 102 side is provided as necessary.
In addition, an alignment film (not shown) rubbed in a predetermined direction or the like is provided on each of the electrode forming surfaces of the element substrate 101 and the counter substrate 102 to regulate the alignment direction of the liquid crystal molecules in the state where no voltage is applied. On the other hand, on the side of the counter substrate 102, a polarizer (not shown) corresponding to the alignment direction is provided.
Is provided. However, if a polymer-dispersed liquid crystal dispersed as fine particles in a polymer is used as the liquid crystal 105,
As a result of eliminating the need for the above-described alignment film and polarizer, the light use efficiency is increased, which is advantageous in terms of high luminance and low power consumption.

【0161】<その他>また、実施形態においては、電
気光学装置を構成する素子基板101を半導体基板と
し、ここに、画素110のトランジスタや、駆動回路の
構成素子などを、MOS型FETで形成する構成とした
が、本発明は、これに限られない。例えば、SOI(Si
licon On Insulator)の技術を適用して、サファイヤな
どの絶縁性基板からなる素子基板101にシリコン単結
晶膜を形成し、ここに各種素子を作り込んでも良い。ま
た、例えば、素子基板101を、ガラスや石英などの透
明性を有する絶縁性基板とし、ここに半導体薄膜を堆積
してTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジス
タ)を形成する構成としても良い。このように素子基板
101として透明性を有する基板を用いると、この電気
光学装置100を透過型として用いることが可能とな
る。
<Others> In the embodiment, the element substrate 101 constituting the electro-optical device is used as a semiconductor substrate, and the transistors of the pixels 110, the components of the driving circuit, and the like are formed by MOS FETs. Although the configuration is adopted, the present invention is not limited to this. For example, SOI (Si
A silicon single crystal film may be formed on an element substrate 101 made of an insulating substrate such as sapphire by applying the technique of “icon on insulator”, and various elements may be formed here. Further, for example, the element substrate 101 may be a transparent insulating substrate such as glass or quartz, and a semiconductor thin film may be deposited thereon to form a TFT (Thin Film Transistor). When a transparent substrate is used as the element substrate 101, the electro-optical device 100 can be used as a transmission type.

【0162】さらに、電気光学材料としては、液晶のほ
かに、エレクトロルミネッセンスや、蛍光などを用い
て、その電気光学効果により表示を行う装置に適用可能
である。すなわち、本発明は、上述した構成と類似の構
成を有する電気光学装置、特に、オンまたはオフの2値
的な表示を行う画素を用いて、階調表示を行う電気光学
装置のすべてに適用可能である。
Further, as an electro-optical material, in addition to liquid crystal, the present invention can be applied to a device that uses electroluminescence, fluorescence, or the like to perform display by the electro-optical effect. That is, the present invention is applicable to all electro-optical devices having a configuration similar to the above-described configuration, and particularly to all electro-optical devices that perform gradation display using pixels that perform on- or off-state binary display. It is.

【0163】<電子機器>次に、上述した液晶装置を具
体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明す
る。
<Electronic Equipment> Next, some examples in which the above-described liquid crystal device is used for specific electronic equipment will be described.

【0164】<その1:プロジェクタ>まず、実施形態
に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジ
ェクタについて説明する。図28は、このプロジェクタ
の構成を示す平面図である。この図に示されるように、
プロジェクタ1100内部には、偏光照明装置1110
がシステム光軸PLに沿って配置している。この偏光照
明装置1110において、ランプ1112からの出射光
は、リフレクタ1114による反射で略平行な光束とな
って、第1のインテグレータレンズ1120に入射す
る。これにより、ランプ1112からの出射光は、複数
の中間光束に分割される。この分割された中間光束は、
第2のインテグレータレンズを光入射側に有する偏光変
換素子1130によって、偏光方向がほぼ揃った一種類
の偏光光束(s偏光光束)に変換されて、偏光照明装置
1110から出射されることとなる。
<Part 1: Projector> First, a projector using the electro-optical device according to the embodiment as a light valve will be described. FIG. 28 is a plan view showing the configuration of this projector. As shown in this figure,
Inside the projector 1100, a polarized light illumination device 1110 is provided.
Are arranged along the system optical axis PL. In the polarized light illuminating device 1110, the light emitted from the lamp 1112 becomes a substantially parallel light beam due to reflection by the reflector 1114, and enters the first integrator lens 1120. As a result, the light emitted from the lamp 1112 is split into a plurality of intermediate light beams. This split intermediate beam is
The polarization conversion element 1130 having the second integrator lens on the light incident side converts the light into one type of polarized light beam (s-polarized light beam) having a substantially uniform polarization direction, and emits it from the polarized light illuminating device 1110.

【0165】さて、偏光照明装置1110から出射され
たs偏光光束は、偏光ビームスプリッタ1140のs偏
光光束反射面1141によって反射される。この反射光
束のうち、青色光(B)の光束がダイクロイックミラー
1151の青色光反射層にて反射され、反射型の電気光
学装置100Bによって変調される。また、ダイクロイ
ックミラー1151の青色光反射層を透過した光束のう
ち、赤色光(R)の光束は、ダイクロイックミラー11
52の赤色光反射層にて反射され、反射型の液電気光学
装置100Rによって変調される。一方、ダイクロイッ
クミラー1151の青色光反射層を透過した光束のう
ち、緑色光(G)の光束は、ダイクロイックミラー11
52の赤色光反射層を透過して、反射型の電気光学装置
100Gによって変調される。
Now, the s-polarized light beam emitted from the polarized light illuminating device 1110 is reflected by the s-polarized light beam reflecting surface 1141 of the polarizing beam splitter 1140. Of this reflected light beam, the light beam of blue light (B) is reflected by the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151, and is modulated by the reflection-type electro-optical device 100B. Further, among the light beams transmitted through the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151, the light beam of red light (R) is
The light is reflected by the red light reflection layer 52 and is modulated by the reflection type liquid electro-optical device 100R. On the other hand, among the light beams transmitted through the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151, the light beam of green light (G) is
The light passes through the 52 red light reflecting layer and is modulated by the reflection-type electro-optical device 100G.

【0166】このようにして、電気光学装置100R、
100G、100Bによってそれぞれ色光変調された赤
色、緑色、青色の光は、ダイクロイックミラー115
2、1151、偏光ビームスプリッタ1140によって
順次合成された後、投写光学系1160によって、スク
リーン1170に投写されることとなる。なお、電気光
学装置100R、100Gおよび100Bには、ダイク
ロイックミラー1151、1152によって、R、G、
Bの各原色に対応する光束が入射するので、カラーフィ
ルタは必要ない。
As described above, the electro-optical device 100R,
The red, green, and blue lights, each of which has been color-modulated by 100G and 100B, are output to a dichroic mirror 115.
2, 1151, and are sequentially synthesized by the polarizing beam splitter 1140, and then projected on the screen 1170 by the projection optical system 1160. In addition, the dichroic mirrors 1151 and 1152 attach the R, G, and
Since a light beam corresponding to each primary color of B enters, no color filter is required.

【0167】<その2:モバイル型コンピュータ>次
に、上記電気光学装置を、モバイル型のパーソナルコン
ピュータに適用した例について説明する。図29は、こ
のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図において、コンピュータ1200は、キーボード12
02を備えた本体部1204と、表示部として用いられ
る電気光学装置100とを備えている。なお、この電気
光学装置100は、上述したように原則として反射型と
して用いられ、さらに、この構成では直視型として用い
られるので、画素電極118においては、反射光が様々
な方向に散乱するように、凹凸を形成する構成が望まし
い。また、外光が少ないと、視認性が低下するので、電
気光学装置100の前面に補助ライトを設ける構成が望
ましい。
<Part 2: Mobile Computer> Next, an example in which the above-described electro-optical device is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 29 is a perspective view showing the configuration of this personal computer.
In the figure, a computer 1200 includes a keyboard 12
The main unit 1204 includes a main unit 1202 and an electro-optical device 100 used as a display unit. Note that, as described above, the electro-optical device 100 is used in principle as a reflection type, and furthermore, in this configuration, it is used as a direct-view type, so that in the pixel electrode 118, reflected light is scattered in various directions. In addition, a configuration in which unevenness is formed is desirable. In addition, if the amount of external light is small, visibility deteriorates. Therefore, a configuration in which an auxiliary light is provided on the front surface of the electro-optical device 100 is preferable.

【0168】<その3:携帯電話>さらに、上記電気光
学装置100を、携帯電話に適用した例について説明す
る。図30は、この携帯電話の構成を示す斜視図であ
る。図において、携帯電話1300は、複数の操作ボタ
ン1302のほか、受話口1304、送話口1306と
ともに、上述した電気光学装置100を備えるものであ
る。この構成においても、画素電極118に凹凸を形成
し、また、電気光学装置100の前面に補助ライトを設
ける構成が望ましい。
<Part 3: Mobile Phone> Further, an example in which the electro-optical device 100 is applied to a mobile phone will be described. FIG. 30 is a perspective view showing the configuration of the mobile phone. In the figure, a mobile phone 1300 includes the above-described electro-optical device 100 in addition to a plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1304, and a mouthpiece 1306. Also in this configuration, it is desirable that the pixel electrode 118 be formed with irregularities and that an auxiliary light be provided on the front surface of the electro-optical device 100.

【0169】さらに、この電気光学装置100では、画
素110におけるメモリを、図18、図19、図22ま
たは図23で示されるSRAMとするとともに、上述し
たようなランダム・ライトの構成を採用するのが望まし
い。この理由は、メモリをSRAMにするとデータDs
が自己保持されるので、さらに、ランダム・ライトの構
成とすると、必要のある画素に対してのみデータDsを
書き込めば済むので、低消費電力化が図られるからであ
る。例えば、待ち受け時には、表示画面のうち、最小限
領域を用いて、電界強度や数字・文字などの必要な情報
をキャラクタ表示する一方、残りの領域を非表示とすれ
ば、表示されるキャラクタに変更がない限り、ほとんど
電力が消費されないので、連続待受時間の長期化を図る
ことが可能となる。
Further, in the electro-optical device 100, the memory in the pixel 110 is the SRAM shown in FIG. 18, FIG. 19, FIG. 22, or FIG. 23, and the above-described random write configuration is employed. Is desirable. The reason is that if the memory is an SRAM, the data Ds
Is self-held, and if a random write configuration is used, the data Ds only needs to be written to the necessary pixels, and power consumption can be reduced. For example, in standby mode, necessary information such as electric field strength and numbers / characters are displayed as characters using the minimum area of the display screen, and if the remaining area is hidden, the characters are displayed. As long as there is no power, almost no power is consumed, so that the continuous standby time can be lengthened.

【0170】なお、電子機器としては、図28〜図30
を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファ
インダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワー
ドプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、PO
S端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器に対して、実施形態
や応用形態に係る電気光学装置が適用可能なのは言うま
でもない。
FIGS. 28 to 30 show examples of electronic equipment.
In addition to those described with reference to the above, a liquid crystal television, a viewfinder type, a video tape recorder of a monitor direct-view type, a car navigation device, a pager, an electronic organizer, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a PO
An S terminal, a device equipped with a touch panel, and the like are included. Needless to say, the electro-optical device according to the embodiment or the applied form can be applied to these various electronic devices.

【0171】[0171]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、デ
ータ線に印加される信号が2値化されたデータとなると
ともに、各サブフィールドにおいて各画素が一斉にオン
またはオフするので、高品位な階調表示が可能となる。
As described above, according to the present invention, the signal applied to the data line becomes binarized data and each pixel is simultaneously turned on or off in each subfield. High quality gradation display is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係る電気光学装置の電気
的な構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating an electrical configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.

【図2】 同電気光学装置の画素の一態様を示す回路図
である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing one mode of a pixel of the electro-optical device.

【図3】 同電気光学装置におけるデータ線駆動回路の
構成を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a data line driving circuit in the same electro-optical device.

【図4】 (a)は、同電気光学装置における電圧−透
過率特性を示す図であり、(b)は、同電気光学装置に
おけるサブフィールドの概念を説明するための図であ
る。
FIG. 4A is a diagram illustrating a voltage-transmittance characteristic in the same electro-optical device, and FIG. 4B is a diagram for explaining a concept of a subfield in the same electro-optical device.

【図5】 同電気光学装置におけるデータ変換回路の階
調データの変換内容を示すテーブルである。
FIG. 5 is a table showing conversion contents of gradation data of a data conversion circuit in the same electro-optical device.

【図6】 同電気光学装置における第1の駆動方法を示
すタイミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart showing a first driving method in the electro-optical device.

【図7】 同電気光学装置において、各階調データに対
応して液晶層に印加される電圧波形を示すタイミングチ
ャートである。
FIG. 7 is a timing chart showing a voltage waveform applied to a liquid crystal layer corresponding to each gradation data in the same electro-optical device.

【図8】(a)は、従来の電気光学装置に用いられる画
素の態様を示す回路図であり、(b)は、データの書き
込みと液晶層への電圧印加とを同時に行った場合に想定
される不具合を説明するためのタイミングチャートであ
る。
FIG. 8A is a circuit diagram illustrating a mode of a pixel used in a conventional electro-optical device, and FIG. 8B is a diagram assumed when data writing and voltage application to a liquid crystal layer are performed simultaneously. 5 is a timing chart for explaining a malfunction that is performed.

【図9】 同電気光学装置の優位性を説明するためのタ
イミングチャートである。
FIG. 9 is a timing chart for explaining the superiority of the electro-optical device.

【図10】 同電気光学装置における第2の駆動方法を
示すタイミングチャートである。
FIG. 10 is a timing chart showing a second driving method in the electro-optical device.

【図11】 同電気光学装置の優位性を説明するための
タイミングチャートである。
FIG. 11 is a timing chart for explaining the superiority of the electro-optical device.

【図12】 同電気光学装置における第2の駆動方法の
変形例を示すタイミングチャートである。
FIG. 12 is a timing chart showing a modification of the second driving method in the same electro-optical device.

【図13】 (a)および(b)は、それぞれ同電気光
学装置におけるデータ線駆動回路の応用形態を示すブロ
ック図である。
FIGS. 13A and 13B are block diagrams showing application forms of a data line driving circuit in the same electro-optical device.

【図14】 同応用形態に係るデータ線駆動回路の動作
を示すタイミングチャートである。
FIG. 14 is a timing chart showing the operation of the data line drive circuit according to the application.

【図15】 同電気光学装置の応用形態におけるクロッ
ク信号供給制御回路の構成を示すブロック図である。
FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of a clock signal supply control circuit in an application form of the electro-optical device.

【図16】 同クロック信号供給制御回路の動作を示す
タイミングチャートである。
FIG. 16 is a timing chart showing the operation of the clock signal supply control circuit.

【図17】 同電気光学装置における画素の別の態様を
示す回路図である。
FIG. 17 is a circuit diagram showing another mode of the pixel in the same electro-optical device.

【図18】 同電気光学装置における画素の別の態様を
示す回路図である。
FIG. 18 is a circuit diagram showing another mode of the pixel in the same electro-optical device.

【図19】 同電気光学装置における画素の別の態様を
示す回路図である。
FIG. 19 is a circuit diagram showing another mode of the pixel in the same electro-optical device.

【図20】 同電気光学装置における画素の別の態様を
示す回路図である。
FIG. 20 is a circuit diagram showing another mode of the pixel in the same electro-optical device.

【図21】 同電気光学装置における画素の別の態様を
示す回路図である。
FIG. 21 is a circuit diagram showing another mode of the pixel in the same electro-optical device.

【図22】 同電気光学装置における画素の別の態様を
示す回路図である。
FIG. 22 is a circuit diagram showing another mode of the pixel in the same electro-optical device.

【図23】 同電気光学装置における画素の別の態様を
示す回路図である。
FIG. 23 is a circuit diagram showing another mode of the pixel in the same electro-optical device.

【図24】 (a)、(b)および(c)は、それぞれ
負荷抵抗の具体的構成を示す図である。
FIGS. 24A, 24B, and 24C are diagrams each showing a specific configuration of load resistance.

【図25】 (a)、(b)、(c)および(d)は、
それぞれ各画素の態様において用いられる電圧レベルを
示す図である。
FIG. 25 (a), (b), (c) and (d)
FIG. 3 is a diagram showing voltage levels used in each pixel mode.

【図26】 同電気光学装置の構造を示す平面図であ
る。
FIG. 26 is a plan view showing the structure of the electro-optical device.

【図27】 同電気光学装置の構造を示す断面図であ
る。
FIG. 27 is a sectional view showing the structure of the electro-optical device.

【図28】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例
たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a projector as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.

【図29】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例
たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 29 is a perspective view illustrating a configuration of a personal computer as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.

【図30】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例
たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
FIG. 30 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100・・・・・・電気光学装置 101・・・・・・素子基板 101a・・・・・・表示領域 102・・・・・・対向基板 105・・・・・・液晶(電気光学材料) 108・・・・・・対向電極 112・・・・・・走査線 114・・・・・・データ線 118・・・・・・画素電極 130・・・・・・走査線駆動回路 140・・・・・・データ線駆動回路 1410・・・・・・Xシフトレジスタ 1420・・・・・・ラッチ回路 200・・・・・・タイミング信号生成回路 300・・・・・・データ変換回路 400・・・・・・クロック信号供給制御回路 Ta1〜Ta6、Tb1、Tb2・・・・・・トランジ
スタ
100 electro-optical device 101 element substrate 101a display area 102 counter substrate 105 liquid crystal (electro-optical material) 108 counter electrode 112 scanning line 114 data line 118 pixel electrode 130 scanning line driving circuit 140 ... Data line drive circuit 1410... X shift register 1420... Latch circuit 200... Timing signal generation circuit 300... Data conversion circuit 400. ..... Clock signal supply control circuit Ta1-Ta6, Tb1, Tb2 ... Transistors

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641A Fターム(参考) 2H093 NA56 NC10 NC16 NC22 NC24 NC26 NC28 NC34 NC35 ND06 ND10 ND33 ND34 ND35 ND39 ND49 NE06 NG02 5C006 AA14 AA15 AC26 AF44 AF51 BB16 BB28 BC03 BC12 BC20 BF03 BF04 BF06 BF15 BF26 BF27 EC01 EC11 FA56 5C080 AA06 AA10 BB05 DD03 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 KK07 KK47 KK52 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641A F term (Reference) 2H093 NA56 NC10 NC16 NC22 NC24 NC26 NC28 NC34 NC35 ND06 ND10 ND33 ND34 ND35 ND39 ND49 NE06 NG02 5C006 AA14 AA15 AC26 AF44 AF51 BB16 BB28 BC03 BC12 BC20 BF03 BF04 BF06 BF15 BF26 BF27 EC01 EC11 FA56 5C080 AA06 AA10 BB05 DD03 EE29 FF05 KK04 JJ04 KK05 JJ02 KK03

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 メモリと、前記メモリに対応して設けら
れる画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極とを
備える複数の画素の各々を階調表示させる電気光学装置
の駆動方法であって、 1フィールドを複数のサブフィールドに分割し、 前記サブフィールドの各々において、前記画素の階調に
応じたオンまたはオフを指示するデータを、前記画素の
メモリにそれぞれ書き込み、 書き込まれたデータに基づいて、前記複数の画素を一斉
にオンまたはオフさせることを特徴とする電気光学装置
の駆動方法。
1. A method for driving an electro-optical device, wherein a plurality of pixels each including a memory, a pixel electrode provided corresponding to the memory, and a counter electrode facing the pixel electrode are displayed in gradations. One field is divided into a plurality of sub-fields, and in each of the sub-fields, data for instructing ON or OFF according to the gradation of the pixel is written to the memory of the pixel, and based on the written data, And turning on or off the plurality of pixels at the same time.
【請求項2】 メモリと、前記メモリに対応して設けら
れる画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極とを
備える複数の画素の各々を階調表示させる電気光学装置
の駆動方法であって、 1フィールドを複数のサブフィールドに分割し、 前記サブフィールドの各々において、前記画素の階調に
応じたオンまたはオフを指示するデータを、前記画素の
メモリにそれぞれ書き込み、 前記メモリにデータが書き込まれた画素毎に、順次前記
画素をオンまたはオフさせることを特徴とする電気光学
装置の駆動方法。
2. A method for driving an electro-optical device, wherein a plurality of pixels each including a memory, a pixel electrode provided corresponding to the memory, and a counter electrode facing the pixel electrode are displayed in gradations. 1 field is divided into a plurality of subfields, and in each of the subfields, data for instructing ON or OFF according to the gradation of the pixel is written to the memory of the pixel, and data is written to the memory. A driving method for the electro-optical device, wherein the pixels are sequentially turned on or off for each of the selected pixels.
【請求項3】 前記対向電極には、所定時間間隔毎にレ
ベル反転を繰り返す基準信号を印加し、 前記画素電極には、前記画素をオンさせる場合には、前
記基準信号と異なるレベルのオン信号を印加し、前記画
素をオフさせる場合には、前記基準信号と同じレベルの
オフ信号を印加することを特徴とする請求項1乃至2に
記載の電気光学装置の駆動方法。
3. A reference signal that repeats level inversion at predetermined time intervals is applied to the counter electrode, and an on signal having a different level from the reference signal is applied to the pixel electrode when the pixel is turned on. 3. The method of driving an electro-optical device according to claim 1, wherein when the pixel is turned off, an off signal having the same level as the reference signal is applied.
【請求項4】 前記基準信号のレベル反転の周期と、前
記フィールドの時間長とは異なることを特徴とする請求
項1乃至3に記載の電気光学装置の駆動方法。
4. The method according to claim 1, wherein a period of the level inversion of the reference signal is different from a time length of the field.
【請求項5】 複数の走査線と複数のデータ線との各交
差に対応して配設され、 前記走査線に走査信号が供給されると、前記データ線に
供給されているオンまたはオフを指示するデータを書き
込むメモリと、前記メモリに対応して設けられる画素電
極と、前記メモリに書き込まれたオンまたはオフを指示
するデータに基づいて、オン信号またはオフ信号のうち
のいずれかを選択し、前記画素電極に印加する第1のス
イッチング素子と、前記画素電極に対向する対向電極と
を備える複数の画素を駆動する電気光学装置の駆動回路
であって、 1フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々に
おいて、前記走査線に前記走査信号を供給する走査線駆
動回路と、 前記サブフィールドの各々において、各画素に対応する
走査線に前記走査信号が供給される期間に、前記画素の
階調に応じたオンまたはオフを指示するデータを、前記
画素に対応するデータ線に供給するデータ線駆動回路
と、 前記画素のメモリそれぞれに書き込まれたデータに基づ
いて、前記複数の画素を一斉にオンまたはオフさせるよ
うに、前記画素電極および前記対向電極に印加する信号
を制御する制御回路とを具備することを特徴とする電気
光学装置の駆動回路。
5. A semiconductor device according to claim 1, wherein said plurality of scanning lines and said plurality of data lines are arranged corresponding to respective intersections thereof. When a scanning signal is supplied to said scanning lines, an on or off supplied to said data lines is turned on or off. A memory for writing data to be instructed, a pixel electrode provided corresponding to the memory, and selecting one of an on signal and an off signal based on data for instructing on or off written in the memory. A driving circuit of an electro-optical device that drives a plurality of pixels each including a first switching element applied to the pixel electrode and a counter electrode facing the pixel electrode, wherein a plurality of sub-fields obtained by dividing one field A scanning line driving circuit that supplies the scanning signal to the scanning line, and a scanning signal that is supplied to a scanning line corresponding to each pixel in each of the subfields. And a data line driving circuit that supplies data indicating on or off in accordance with the gradation of the pixel to a data line corresponding to the pixel, And a control circuit for controlling signals applied to the pixel electrode and the counter electrode so that the plurality of pixels are simultaneously turned on or off.
【請求項6】 複数の走査線と複数のデータ線との各交
差に対応して配設され、 前記走査線に走査信号が供給されると、前記データ線に
供給されているオンまたはオフを指示するデータを書き
込むメモリと、前記メモリに対応して設けられる画素電
極と、前記メモリに書き込まれたオンまたはオフを指示
するデータに基づいて、オン信号またはオフ信号のうち
のいずれかを選択し、前記画素電極に印加する第1のス
イッチング素子と、前記画素電極に対向する対向電極と
を備える複数の画素を駆動する電気光学装置の駆動回路
であって、 1フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々に
おいて、前記走査線に前記走査信号を供給する走査線駆
動回路と、 前記サブフィールドの各々において、各画素に対応する
走査線に前記走査信号が供給される期間に、前記画素の
階調に応じたオンまたはオフを指示するデータを、前記
画素に対応するデータ線に供給するデータ線駆動回路
と、 前記メモリにデータが書き込まれた画素毎に、順次前記
画素をオンまたはオフさせるように、前記画素電極およ
び対向電極に印加する信号を制御する制御回路とを具備
することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
6. A system according to claim 1, wherein said plurality of scanning lines and said plurality of data lines are provided corresponding to respective intersections, and when a scanning signal is supplied to said scanning line, an on or off supplied to said data line is turned on or off. A memory for writing data to be instructed, a pixel electrode provided corresponding to the memory, and selecting one of an on signal and an off signal based on data for instructing on or off written in the memory. A driving circuit of an electro-optical device that drives a plurality of pixels each including a first switching element applied to the pixel electrode and a counter electrode facing the pixel electrode, wherein a plurality of sub-fields obtained by dividing one field A scanning line driving circuit that supplies the scanning signal to the scanning line, and a scanning signal that is supplied to a scanning line corresponding to each pixel in each of the subfields. A data line driving circuit for supplying data for instructing ON or OFF according to the gradation of the pixel to a data line corresponding to the pixel during the supplied period, and for each pixel for which data has been written to the memory. A control circuit for controlling signals applied to the pixel electrode and the counter electrode so that the pixel is sequentially turned on or off.
【請求項7】 前記データ線駆動回路は、 水平走査期間のはじめに供給されるラッチパルス信号を
クロック信号に応じて順次シフトして出力するシフトレ
ジスタと、 前記データを、前記シフトレジスタによりシフトされた
信号により、複数系統に分配された前記データを同時に
ラッチするラッチ回路とを具備することを特徴とする請
求項5乃至6に記載の電気光学装置の駆動回路。
7. The data line driving circuit, comprising: a shift register that sequentially shifts and outputs a latch pulse signal supplied at the beginning of a horizontal scanning period in accordance with a clock signal; and wherein the data is shifted by the shift register. 7. The driving circuit for an electro-optical device according to claim 5, further comprising: a latch circuit for simultaneously latching the data distributed to a plurality of systems by a signal.
【請求項8】 前記データ線駆動回路は、 水平走査期間のはじめに供給されるラッチパルス信号を
クロック信号に応じて順次シフトして出力するシフトレ
ジスタと、 前記データを、前記シフトレジスタによりシフトされた
信号により順次ラッチする第1のラッチ回路と、 前記第1のラッチ回路によりラッチされた前記データ
を、前記ラッチパルス信号に基づいてラッチするととも
に、対応するデータ線に前記データ信号として一斉に出
力する第2のラッチ回路とを具備することを特徴とする
請求項5乃至6に記載の電気光学装置の駆動回路。
8. A shift register for sequentially shifting and outputting a latch pulse signal supplied at the beginning of a horizontal scanning period according to a clock signal, wherein the data line driving circuit shifts the data by the shift register. A first latch circuit that sequentially latches by a signal, latches the data latched by the first latch circuit based on the latch pulse signal, and simultaneously outputs the data signal to a corresponding data line as the data signal; 7. The driving circuit according to claim 5, further comprising a second latch circuit.
【請求項9】 前記第1のラッチ回路は、 前記シフトレジスタによりシフトされた信号により、複
数系統に分配された前記データを同時にラッチすること
を特徴とする請求項8に記載の電気光学装置の駆動回
路。
9. The electro-optical device according to claim 8, wherein the first latch circuit simultaneously latches the data distributed to a plurality of systems by a signal shifted by the shift register. Drive circuit.
【請求項10】 1サブフィールドにおいて、前記走査
線駆動回路が前記走査線に対し前記走査信号を供給した
後に、前記シフトレジスタへの前記クロック信号の供給
を停止させる一方、 次のサブフィールドが開始すると、前記クロック信号の
供給を再開させるクロック信号供給制御回路を備えるこ
とを特徴とする請求項5乃至9に記載の電気光学装置の
駆動回路。
10. In one subfield, after the scanning line driving circuit supplies the scanning signal to the scanning line, the supply of the clock signal to the shift register is stopped, and the next subfield starts. 10. The driving circuit for an electro-optical device according to claim 5, further comprising a clock signal supply control circuit that restarts the supply of the clock signal.
【請求項11】 複数の走査線と、複数のデータ線と、
走査線およびデータ線の各交差に対応して配設される複
数の画素とを有する電気光学装置であって、 前記画素は、 前記交差に対応する走査線に走査信号が供給されると、
前記データ線に供給されている画素のオンまたはオフを
指示するデータを書き込むメモリと、 前記メモリに対応して設けられる画素電極と、 前記メモリに書き込まれたオンまたはオフを指示するデ
ータに基づいて、オン信号またはオフ信号のうちのいず
れかを選択し、前記画素電極に印加する第1のスイッチ
ング素子と、 前記画素電極に対向する対向電極とを具備することを特
徴とする電気光学装置。
11. A plurality of scanning lines, a plurality of data lines,
An electro-optical device having a plurality of pixels arranged corresponding to each intersection of a scanning line and a data line, wherein the pixel is provided with a scanning signal on a scanning line corresponding to the intersection.
A memory for writing data for instructing ON or OFF of a pixel supplied to the data line; a pixel electrode provided corresponding to the memory; and a data for instructing ON or OFF written in the memory. An electro-optical device comprising: a first switching element that selects one of an on signal and an off signal and applies the selected signal to the pixel electrode; and a counter electrode facing the pixel electrode.
【請求項12】 1フィールドを分割した複数のサブフ
ィールドの各々において、前記走査線に前記走査信号を
供給する走査線駆動回路と、 前記サブフィールドの各々において、各画素に対応する
走査線に前記走査信号が供給される期間に、前記画素の
階調に応じた前記データを、前記画素に対応するデータ
線に供給するデータ線駆動回路と、 前記画素のメモリそれぞれに書き込まれたデータに基づ
いて、前記複数の画素を一斉にオンまたはオフさせるよ
うに、前記画素電極および前記対向電極に印加する信号
を制御する制御回路とを具備することを特徴とする請求
項11に記載の電気光学装置。
12. In each of a plurality of subfields obtained by dividing one field, a scanning line driving circuit that supplies the scanning signal to the scanning line, and a scanning line corresponding to each pixel in each of the subfields. A data line driving circuit for supplying the data corresponding to the gradation of the pixel to a data line corresponding to the pixel during a period in which the scanning signal is supplied; and 12. The electro-optical device according to claim 11, further comprising: a control circuit for controlling signals applied to the pixel electrode and the counter electrode so that the plurality of pixels are simultaneously turned on or off.
【請求項13】 1フィールドを分割した複数のサブフ
ィールドの各々において、前記走査線に前記走査信号を
供給する走査線駆動回路と、 前記サブフィールドの各々において、各画素に対応する
走査線に前記走査信号が供給される期間に、前記画素の
階調に応じた前記データを、前記画素に対応するデータ
線に供給するデータ線駆動回路と、 前記メモリにデータが書き込まれた画素毎に、順次前記
画素をオンまたはオフさせるように、前記画素電極およ
び対向電極に印加する信号を制御する制御回路とを具備
することを特徴とする請求項11に記載の電気光学装
置。
13. A scanning line driving circuit for supplying the scanning signal to the scanning line in each of a plurality of subfields obtained by dividing one field, and a scanning line corresponding to each pixel in each of the subfields. A data line driving circuit for supplying the data corresponding to the gradation of the pixel to a data line corresponding to the pixel during a period in which the scanning signal is supplied; and The electro-optical device according to claim 11, further comprising: a control circuit that controls a signal applied to the pixel electrode and the counter electrode so as to turn the pixel on or off.
【請求項14】 前記メモリは、 前記走査信号によって導通状態となる第2のスイッチン
グ素子と、 前記第2のスイッチング素子が導通状態となると、対応
するデータ線のデータを書き込み、前記第2のスイッチ
ング素子が非導通状態となると、書き込まれたデータを
保持するキャパシタとを具備することを特徴とする請求
項11乃至13に記載の電気光学装置。
14. The memory, further comprising: a second switching element that is turned on by the scanning signal; and, when the second switching element is turned on, writes data on a corresponding data line, and writes the second switching element. 14. The electro-optical device according to claim 11, further comprising: a capacitor for holding written data when the element is turned off.
【請求項15】 前記第2のスイッチング素子は、Pチ
ャネル型およびNチャネル型トランジスタを相補的に組
み合わせたものであることを特徴とする請求項14に記
載の電気光学装置。
15. The electro-optical device according to claim 14, wherein the second switching element is a combination of a P-channel type transistor and an N-channel type transistor in a complementary manner.
【請求項16】 前記メモリは、前記走査信号によって
導通状態となる第2のスイッチング素子と、 前記第2のスイッチング素子が導通状態となると、対応
するデータ線のデータを書き込み、前記第2のスイッチ
ング素子が非導通状態となると、書き込まれたデータを
保持する互いに一方のインバータの出力が他方のインバ
ータの入力となっている2つのインバータとを具備する
ことを特徴とする請求項11乃至13に記載の電気光学
装置。
16. The memory, wherein the second switching element that is turned on by the scanning signal is written into the memory, and when the second switching element is turned on, data is written to a corresponding data line, and the second switching element is turned on. 14. An inverter according to claim 11, further comprising two inverters each having an output of one of the inverters for holding written data and having an output of the other inverter when the element is in a non-conductive state. Electro-optical device.
【請求項17】 前記第1のスイッチング素子は、 前記メモリに書き込まれたデータに従って、前記画素電
極に印加する信号のいずれか一方を選択する第1のスイ
ッチと、他方を選択する第2のスイッチとからなるもの
であって、 前記第1および第2のスイッチは、それぞれPチャネル
型およびNチャネル型トランジスタを相補的に組み合わ
せたものであることを特徴とする請求項11乃至16の
いずれかに記載の電気光学装置。
17. The first switching element, comprising: a first switch for selecting one of signals applied to the pixel electrode according to data written to the memory; and a second switch for selecting the other signal. 17. The device according to claim 11, wherein the first switch and the second switch are each a combination of a P-channel transistor and an N-channel transistor in a complementary manner. An electro-optical device according to claim 1.
【請求項18】 前記複数の画素、前記走査線駆動回路
および前記データ線駆動回路は半導体基板に形成され、 前記画素電極は反射性を有することを特徴とする請求項
11乃至17のいずれかに記載の電気光学装置。
18. The semiconductor device according to claim 11, wherein the plurality of pixels, the scanning line driving circuit, and the data line driving circuit are formed on a semiconductor substrate, and the pixel electrode has reflectivity. An electro-optical device according to claim 1.
【請求項19】 請求項11乃至18いずれかに記載の
電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
19. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 11.
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