JP3996804B2 - 半導体素子の銅薄膜堆積装置 - Google Patents
半導体素子の銅薄膜堆積装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3996804B2 JP3996804B2 JP2002155274A JP2002155274A JP3996804B2 JP 3996804 B2 JP3996804 B2 JP 3996804B2 JP 2002155274 A JP2002155274 A JP 2002155274A JP 2002155274 A JP2002155274 A JP 2002155274A JP 3996804 B2 JP3996804 B2 JP 3996804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- wafer
- copper
- thin film
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
- H01L21/76861—Post-treatment or after-treatment not introducing additional chemical elements into the layer
- H01L21/76862—Bombardment with particles, e.g. treatment in noble gas plasmas; UV irradiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
- H01L21/76861—Post-treatment or after-treatment not introducing additional chemical elements into the layer
- H01L21/76864—Thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76876—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for deposition from the gas phase, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
- H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
- H01L2221/1073—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L2221/1084—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L2221/1089—Stacks of seed layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子の堆積装置に関するもので、特に、化学的強化剤(Chemical Enhancer:以下CEとする)処理による触媒堆積と均一なスーパーフィリングのためのプラズマ処理できるようにした半導体素子の銅薄膜堆積装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体素子の高性能化の傾向に伴って半導体素子の速度向上及び信頼性に関心が集まっている。素子の速度向上及び信頼性を高めるために銅配線が用いられているが、現在その銅配線は電気メッキ法を用いて堆積する方法が主に用いている。
【0003】
しかしながら、電気メッキ法は、安定で、かつきれいな銅シード層の薄膜を堆積させる工程が必要であり、シード層への依存度が強く、0.1μmTech級ではその限界に至ると予想される。
従って、半導体素子の急激な高性能化の傾向によってコンタクトサイズの減少と激しいアスペクト比(asepect ratio)の増加が予想される次世代半導体素子の銅配線には金属有機気相成長(MOCVD)法が有利である。
【0004】
しかしながら、MOCVD法を用いた金属薄膜の堆積は銅薄膜の場合、堆積速度が遅く実用化に対しては問題があった。
また、MOCVD法による金属薄膜の堆積の場合、接合特性及び表面特性がよくないという問題もあり、堆積速度が非常に遅いという問題と組み合わされて現在広く適用されている電気メッキ法より劣っており、またコスト的にも不利である。
【0005】
なお、MOCVD法によって金属薄膜を堆積させるとき、触媒などのケミカル添加材を均一に添加して堆積速度を速め及び金属薄膜基本特性を向上させることが可能であるが、バリア堆積した後in−situでアニーリングを行い、プラズマ処理ができる触媒を用いなければならないという問題があり、開発が遅れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、CE処理とプラズマ処理を可能にするとともに銅薄膜堆積後表面に発生した残留物をプラズマ処理によって銅薄膜を除去することで、堆積速度を改善しコストを低下させるようにした半導体素子の銅薄膜堆積装置を提供することが目的である。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、ウェハを装置へ導入し、かつ装置から取り出すロードロック室と、ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナと、ウェハの表面からガスなどの異物を除去する脱ガスチャンバと、ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボットが装着された移送チャンバと、移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバと、プリクリーニングされたウェハ上にバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバと、バリア金属上に銅薄膜堆積前に銅薄膜の接着性を改善するためにフラッシュ銅を堆積するAGLフラッシュ銅堆積チャンバと、フラッシュ銅が堆積されたウェハ上に均一なCE処理を行い、及びCVD銅薄膜を堆積するCECVD銅堆積チャンバと、ウェハ上にCE処理した後均質なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理し、及びCVD銅薄膜堆積後銅薄膜の表面に浮かんでいる異物を除去するためにプラズマ処理するプラズマ処理チャンバとからなることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明を更に詳細に説明する。
【0009】
図1は本発明の第1実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
図1に示すように、本実施形態による装置は、ウェハ(図示せず)の工程前にウェハを装置に導入し、工程終了後ウェハを取り出すロードロック室11と、ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナ12と、ウェハの表面に生成されたガスなどの異物を除去する脱ガスチャンバ13と、ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの移送チャンバ14と、移送チャンバ14によって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバ15と、プリクリーニングされたウェハ上にバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバ16と、バリア金属上に銅薄膜堆積前に銅薄膜の接着性を改善するために接着剤層(AGL)としてフラッシュ銅を堆積するAGLフラッシュ銅堆積チャンバ17と、フラッシュ銅が堆積されたウェハを均一にCE処理し及びウェハ上にCVD銅薄膜を堆積するCECVD銅堆積チャンバ18と、ウェハ上に均一なスーパーフィリングを実現するためにCE処理後プラズマ処理し、かつCVD銅薄膜堆積後銅薄膜の表面に浮かんでいるヨード(I)などの異物を除去するためにプラズマ処理するプラズマ処理チャンバ19とからなる。
【0010】
前記のように構成された本発明の第1実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置の動作を以下説明する。
まず、ロードロック室11を介してウェハがチャンバ内に入ってくるとアライナ12はウェハを所望の位置にアラインさせる。アラインされたウェハの表面に発生した異物を脱ガスチャンバ13内で除去する。
【0011】
次にウェハを移送チャンバ14を介してプリクリーニングチャンバ15内へ移動させてウェハの全面をAr、Heなどを用いたDFE(Dual Frequency Etch)又はハロゲンを含むガスを用いたリアクティブクリーニングでプリクリーニング工程を行う。
次に、プリクリーニングされたウェハを更に移送チャンバ14を用いてバリア金属堆積チャンバ16内に移動させてウェハの全面にPVD方法、イオン化PVD方法、CVD方法、ALD方法などを用いてバリア金属を堆積する。
【0012】
ここで、バリア金属としてはTa、TaN、WNx、TiN、TiAlN、TaSIN、TiSiNなどを堆積する。
さらに、バリア金属が堆積されたウェハを移送チャンバ14を用いてAGLフラッシュ銅堆積チャンバ17に移動させて銅薄膜の接着性を改善するためにフラッシュ銅を堆積する。
また、フラッシュ銅が堆積されたウェハをCECVD銅堆積チャンバ18に移送させてウェハの全面に均一なCE処理を行い、更にそのCE処理されたウェハをプラズマ処理チャンバ19に移送させて均一なスーパーフィリングを実現するために全面にプラズマ処理を行う。
【0013】
次に、プラズマ処理されたウェハを更にCECVD銅堆積チャンバ18に移送させてウェハの全面に銅薄膜を堆積し、銅薄膜が堆積されたウェハを更にプラズマ処理チャンバ19に移送させて銅薄膜の表面に残るCE及びヨードなどの異物を除去するために全面にプラズマ処理を行う。
【0014】
ここで、AGLフラッシュ銅堆積チャンバ17は10〜500Å厚さに堆積することが可能であり、1〜500kwのパワーを有するチャンバであってロングスロー、PVD、イオン化PVD方式で堆積するチャンバならどのようなものでも用いることができる。
なお、CECVD銅堆積チャンバ18は50〜300℃の温度範囲で堆積を行うことができる。
【0015】
「第2実施形態」
図2は本発明の第2実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
図2のように、本第2実施形態の装置は、ロードロック室21と、ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナ22と、ウェハの表面からガスなどの異物を除去及び堆積された銅薄膜の接着性向上と組織を制御するためにin−situでアニーリング工程を行う脱ガス及びin−situアニーリング23と、ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの移送チャンバ14と、移送チャンバ24によって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバ25と、プリクリーニングされたウェハ上にPVD、CVD、ALD方法を用いて、バリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバ26と、バリア金属上に銅薄膜堆積前に銅薄膜の接着性を改善するためにAGLとしてフラッシュ銅を堆積するAGLフラッシュ銅堆積チャンバ27と、フラッシュ銅が堆積されたウェハ上に均一なCE処理及びCVD銅薄膜を堆積するCECVD銅堆積チャンバ28とウェハ上にCE処理後均一なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理及びCVD銅薄膜堆積後銅薄膜の表面に浮かんでいるヨードなどの異物をプラズマ処理するプラズマ処理チャンバ29とからなる。
【0016】
前記のように、構成された本発明の第2実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置の動作を説明する。
先ず、ロードロック室21を介してウェハが入ってくるとアライナ22はウェハを所望の位置にアラインさせ、アラインされたウェハの表面に発生した異物を脱ガス及びin−situアニーリングチャンバ23内で除去する。
次に、ウェハを移送チャンバ24を介してプリクリーニング25に移送させてウェハの全面をAr、Heなどを用いたDFE又はハロゲンガスを用いたリアクティブクリーニングでプリクリーニング工程を行う。プリクリーニングされたウェハを更に移送チャンバ24を用いてバリア金属堆積チャンバ26に移動させてウェハの全面にPVD方法、イオン化PVD方法、CVD方法、ALD方法を用いてバリア金属膜を堆積する。
【0017】
ここで、バリア金属膜としてはTa、TaN、WNx、TiN、TiAlN、TaSIN、TiSiNなどを堆積する。
【0018】
また、バリア金属膜が堆積されたウェハを移送チャンバ24を用いてAGLフラッシュ銅堆積チャンバ27に移動させ、その後の銅薄膜の接着性を改善するためにフラッシュ銅薄膜を堆積する。
次に、フラッシュ銅薄膜が堆積されたウェハをCECVD銅堆積チャンバ28に移送させてウェハの全面に均一なCE処理を行い、CE処理されたウェハをプラズマ処理チャンバ29に移送させて均一なスーパーフィリングを実現するために全面にプラズマ処理を行う。
【0019】
また、プラズマ処理されたウェハを更にCECVD銅堆積チャンバ28に移送させてウェハの全面に銅薄膜を堆積し、その銅薄膜が堆積されたウェハを更にプラズマ処理チャンバ29に移送させて銅膜の表面に残るCE及びヨードなどの異物を除去するために全面にプラズマ処理を行う。
また、前記プラズマ処理されたウェハを脱ガス及びin−situアニーリング23に移送させてCECVD銅堆積チャンバ28で堆積された銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織制御のためにin−situでアニーリング工程を行う。
【0020】
ここで、AGLフラッシュ銅堆積チャンバ27は10〜500Å厚さで堆積が可能であり、1〜500kWのパワーを有するチャンバであってロングスロー(long throw)、PVD、イオン化PVD方式の堆積方法を実施できる任意のチャンバを用いることができる。
CECVD銅堆積チャンバ28は50〜300℃の温度範囲で堆積が可能である。
【0021】
「第3実施形態」
図3は本発明の第3実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
図3に示すように、本第3実施形態の装置は、ロードロック室31と、ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナ32と、ウェハの表面からガスなどの異物の除去及び堆積された銅薄膜の接着性向上と組織を制御するためにin−situでアニーリング工程を行う脱ガス及びin−situアニーリングチャンバ33と、ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの移送チャンバ34と、移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバ35と、プリクリーニングされたウェハ上にPVD、CVD、ALD方法などを用いてバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバ36と、バリア金属上に銅薄膜堆積前に均一にCE吸着処理を行うCE処理チャンバ37と、CE処理されたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバ38と、CE処理後均一なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理及びCVD銅薄膜堆積後銅薄膜の表面に浮かんでいるヨードなどの異物を除去するためにプラズマ処理するプラズマ処理チャンバ39とからなる。
【0022】
前記のように構成された本発明の第3実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置の動作を説明する。
まず、ロードロック室31を介してウェハが入ってくるとアライナ32はウェハを所望の位置にアラインさせ、アニーリングチャンバ33でアラインされたウェハの表面に発生した異物を脱ガス及びin−situで除去する。
また、ウェハを移送チャンバ34を介してプリクリーニングチャンバ35に移送させてウェハの全面をAr、Heなどを用いたDFE又はハロゲンガスを用いたリアクティブクリーニングでプリクリーニング工程を行う。
【0023】
また、プリクリーニングされたウェハを更に移送チャンバ34を用いてバリア金属堆積チャンバ36に移動させて、ウェハの全面にPVD方法、イオン化PVD方法、CVD方法、ALD方法などを用いてバリア金属膜を堆積する。
【0024】
ここで、バリア金属膜としてはTa、TaN、WNx、TiN、TiAlN、TaSIN、TiSiNなどを堆積する。
【0025】
また、バリア金属膜が堆積されたウェハを移送チャンバ34を用いてCE処理チャンバ37に移送させてウェハの全面に均一にCEを吸着させ、そのCEが吸着されたウェハをプラズマ処理チャンバ39に移送させて、均一なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理を行う。
次に、プラズマ処理されたウェハをCVD銅堆積チャンバ38に移送させてウェハの全面に銅薄膜を堆積し、銅薄膜が堆積されたウェハを更にプラズマ処理チャンバ39に移送させて銅薄膜堆積後銅薄膜の表面に浮かんでいるヨードなどの異物をプラズマ処理によって除去する。
【0026】
「第4実施形態」
図4は本発明の第4実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
図4に示すように、本第4実施形態装置は、ロードロック室41と、ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナ42と、ウェハの表面からガスなどの異物を除去する脱ガスチャンバ43と、ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの第一移送チャンバ44と、第一移送チャンバ44によって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバ45と、プリクリーニングされたウェハ上にPVD、CVD、ALD方法などを用いてバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバ46と、バリア金属上にCVD銅の接着性を改善するためにAGLとしてフラッシュ銅を堆積するPVD銅堆積チャンバ47と、フラッシュ銅が堆積されたウェハを移送する第二移送チャンバ48と、第二移送チャンバ48を介して移送されたウェハを各チャンバに出し入れする第三移送チャンバ49と、第三移送チャンバ49を介して挿入されたウェハの全面に均一なCE処理を行うCE処理チャンバ50と、CE処理されたウェハの全面に均一なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理を行うプラズマ処理チャンバ51と、プラズマ処理されたウェハの全面にパーティクルフィリングステップを行うCECVD銅堆積チャンバ52と、パーティクルフィリング処理されたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバ53と、銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織を制御するin−situアニーリングチャンバ54とからなる。
【0027】
ここで、プラズマ処理チャンバ51はCECVD銅堆積チャンバ52で銅薄膜を堆積した後表面に浮かんでいるヨードなどのCEを除去する。
【0028】
前記のように構成された本発明の第4実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置の動作を説明する。
【0029】
まず、ロードロック室41を介してウェハが入ってくるとアライナ42はウェハを所望の位置にアラインさせ、アラインされたウェハの表面に発生した異物を脱ガスチャンバ43で除去する。
次に、ウェハを第一移送チャンバ44を介してプリクリーニングチャンバ45に移動させてウェハの全面に亘Ar、Heなどを用いたDFE又はハロゲンガスを用いたリアクティブクリーニングを行ってプリクリーニング工程を行う。
【0030】
次に、プリクリーニングされたウェハを更に第一移送チャンバ44を用いてバリア金属堆積チャンバ46に移動させてウェハの全面にPVD方法、イオン化PVD方法、CVD方法、ALD方法などを用いてバリア金属を堆積する。
【0031】
ここで、バリア金属膜としてはTa、TaN、WNx、TiN、TiAlN、TaSIN、TiSiNなどを堆積する。
また、バリア金属膜が堆積されたウェハを第一移送チャンバ44を用いてPVD銅堆積チャンバ47に移送させ、その後のCVD銅堆積チャンバ53で堆積される銅薄膜の接着性を改善するためにAGLとしてフラッシュ銅を堆積する。
【0032】
次に、プラズマ処理されたウェハは第一移送チャンバ44及び第二移送チャンバ48と第三移送チャンバ49を経てCE処理チャンバ50に移送されてウェハの全面に均一なCE処理を行い、そのCE処理されたウェハを第3移送チャンバ49を介してプラズマ処理チャンバ51に移送させてウェハの全面にその後に堆積される銅薄膜の均一なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理を行う。
【0033】
また、プラズマ処理されたウェハは更に第三移送チャンバ49を介してCECVD銅堆積チャンバ52に移送されて、そこでパーティクルフィリングステップを行い、引き続きCVD銅堆積チャンバ53に移動されてウェハの全面に銅薄膜を堆積する。
また、銅薄膜が堆積されたウェハを第三移送チャンバ49を介してin−situアニーリングチャンバ54内に移動させて銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織制御のためにin−situでアニーリング工程を行う。
【0034】
なお、PVD銅堆積チャンバ47は10〜500Å厚さで堆積可能であり、1〜500kWのパワーを有するチャンバであり、ロングスロー、PVD、イオン化PVD方式の堆積方法を実施できるチャンバならどのようなものでもよい。in−situアニーリングチャンバ54は、Ar雰囲気及び水素還元雰囲気で可能であり、H2+He、H2+Ar雰囲気でも可能であり、アニーリング温度は50〜450℃まで実施可能ならば任意のチャンバでよい。
【0035】
「第5実施形態」
図5は本発明の第5実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
図5に示すように、本第5実施形態装置は、第4実施形態のCE処理チャンバに代えてCECVD銅堆積チャンバを構成させて、一つのチャンバでCE処理とCVD銅薄膜堆積を同時に行うことによってスループットを改善し、チャンバの汚染問題を最小化する。
【0036】
即ち、本第5実施形態装置は、ロードロック室61と、ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナ62と、ウェハの表面のガスなどの異物を除去する脱ガスチャンバ63と、ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボットが装着された第一移送チャンバ64と、第一移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバ65と、プリクリーニングされたウェハ上にPVD、CVD、ALD方法などを用いてバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバ66と、バリア金属上にCVD銅の接着性を改善するためにAGLとしてフラッシュ銅を堆積するPVD銅堆積チャンバ67と、フラッシュ銅が堆積されたウェハを移送する第2移送チャンバ68と、第2移送チャンバ68を介して移送されたウェハを各チャンバに出し入れする第三移送チャンバ69と、第三移送チャンバ69を介して挿入されたウェハの全面に1次パーティクルフィリングステップを行う第一CECVD銅堆積チャンバ70、1次パーティクルフィリングステップを行ったウェハの全面に均一なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理を行うプラズマ処理チャンバ71と、プラズマ処理されたウェハの全面に2次パーティクルフィリングステップを行う第2CECVD銅堆積チャンバ72と、1、2次とパーティクルフィリング処理されたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバ73と、前記銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織を制御するin−situアニーリングチャンバ74とからなる。
【0037】
ここで、プラズマ処理チャンバ71は第1、第2CECVD銅堆積チャンバ70,72から銅薄膜を堆積した後膜表面に浮かんでいるヨードなどのCEを除去する。
【0038】
「第6実施形態」
図6は本発明の第6実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
図6に示すように、第6実施形態は第4実施形態におけるPVD銅堆積チャンバに代えて別のプラズマ処理チャンバを設けている。
即ち、本第6実施形態装置は、ロードロック室81と、ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナ82と、ウェハの表面からガスなどの異物を除去する脱ガスチャンバ83と、ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボットが装着された第一移送チャンバ84と、第一移送チャンバ84によって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンの内外部をクリーニングするプリクリーニングチャンバ85と、プリクリーニングされたウェハ上にPVD、CVD、ALD方法などを用いてバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバ86と、バリア金属が形成されたウェハの全面にプラズマ処理する第一プラズマ処理チャンバ87と、プラズマ処理されたウェハを移送する第2移送チャンバ88と、第2移送チャンバを介して移送されたウェハを各チャンバに出し入れする第3移送チャンバ89と、第3移送チャンバ89を介して挿入されたウェハの全面に均一なCE処理を行うCE処理チャンバ90と、CE処理されたウェハの全面に均一なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理を行う第2プラズマ処理チャンバ91と、プラズマ処理されたウェハの全面にパーティクルフィリングステップを行うCECVD銅堆積チャンバ92と、パーティクルフィリングされたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバ93と、銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織を制御するin−situアニーリングチャンバ94とからなる。
【0039】
ここで、第2プラズマ処理チャンバ91はCECVD銅堆積チャンバ92から銅薄膜を堆積した後、膜表面に浮かんでいるヨードなどのCEを除去する。
【0040】
「第7実施形態」
図7は本発明の第7実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
図7に示すように、第7実施形態は、第5実施形態におけるPVD銅堆積チャンバに代えて別のプラズマ処理チャンバを設けている。
【0041】
即ち、本第7実施形態装置は、ロードロック室101と、ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナ102と、ウェハの表面からガスなどの異物を除去する脱ガスチャンバ103と、ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの第一移送チャンバ104と、第一移送チャンバ104によって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバ105と、プリクリーニングされたウェハ上にPVD、CVD、ALD方法などを用いてバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバ106と、バリア金属が形成されたウェハの全面にプラズマ処理する第一プラズマ処理チャンバ107と、プラズマ処理されたウェハを移送する第2移送チャンバ108と、第2移送チャンバを介して移送されたウェハを各チャンバに出し入れする第3移送チャンバ109と、第3移送チャンバ109を介して挿入されたウェハの全面に1次パーティクルフィリングステップを行う第一CECVD銅堆積チャンバ110、1次パーティクルフィリングステップを行ったウェハの全面に均一なスーパーフィリングを実現するためにプラズマ処理を行う第2プラズマ処理チャンバ111と、プラズマ処理されたウェハの全面に2次パーティクルフィリングステップを行う第2CECVD銅堆積チャンバ112と、1、2次にわたってパーティクルフィリング処理されたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバ113と、銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織を制御するin−situアニーリングチャンバ114とからなる。
【0042】
ここで、第2プラズマ処理チャンバ111は第1、第2CECVD銅堆積チャンバ110,112から銅薄膜を堆積した後、膜表面に浮かんでいるヨードなどのCEを除去する。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体素子の銅薄膜堆積装置は、次のような効果がある。
即ち、CECVD銅、CVD銅、PVD銅のプラズマ処理を用いて、電気メッキ工程を経ることなく、超高細半導体素子の銅配線を行うことができるので、全銅薄膜堆積工程をin−situプロセスで進行できる。また、本発明は、電気メッキ工程で存在していた真空ブレーキステップを除去することができるので配線の信頼線が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第1実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
【図2】本発明第2実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
【図3】本発明第3実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
【図4】本発明第4実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
【図5】本発明第5実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
【図6】本発明第6実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
【図7】本発明第7実施形態による半導体素子の銅薄膜堆積装置を示す構成図である。
【符号の説明】
11 ロードロック室
12 アライナ
13 脱ガス
14 移送チャンバ
15 プリクリーニング
16 バリア金属堆積チャンバ
17 AGL フラッシュ銅堆積チャンバ
18 CECVD 銅堆積チャンバ
19 プラズマ処理チャンバ
Claims (17)
- ウェハを装置へ導入し、かつ装置から取り出すロードロック室と、
前記ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナと、
前記ウェハの表面からガスを含む異物を除去する脱ガスチャンバと、
前記ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボットが装着された移送チャンバと、
前記移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバと、
前記プリクリーニングされたウェハ上にバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバと、
前記バリア金属上に銅薄膜堆積前に銅薄膜の接着性を改善するフラッシュ銅を堆積するAGLフラッシュ銅堆積チャンバと、
前記フラッシュ銅が堆積されたウェハ上に均一な化学的強化剤処理を行い、及びCVD銅薄膜を堆積するCECVD銅堆積チャンバと、
前記ウェハ上に化学的強化剤処理した後均質な堆積を実現してCVD銅薄膜堆積後銅薄膜の表面に浮かんでいる異物を除去するプラズマ処理チャンバとからなることを特徴とする半導体素子の銅薄膜堆積装置。 - 前記プリクリーニングチャンバはDFEのためのAr、Heのガスが注入されるか、またはアクティブクリーニングのためのハロゲンガスが注入されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記バリア金属堆積チャンバはプリクリーニングされたウェハ上にPVD、イオン化PVD、CVD、ALD方法を用いてバリア金属を堆積するチャンバであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記バリア金属はTa、TaN、WNx、TiN、TiAlN、TaSiN、TiSiNのうち、いずれかの一つを用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記AGLフラッシュ銅堆積チャンバは10〜500Å厚さのフラッシュ銅が堆積でき、1〜500kWのパワーを有するチャンバであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記AGLフラッシュ銅堆積チャンバはロングスロー、PVD、イオン化PVD方式の堆積方法を用いるチャンバであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記CECVD銅堆積チャンバは化学的強化剤処理ステップ及びCVD銅堆積ステップが別のラインで分離されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記CECVD銅堆積チャンバは50〜300℃までの堆積が可能な温度範囲を有するチャンバであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記脱ガスチャンバはウェハの表面のガスを含む異物を除去し、及び堆積された銅薄膜の接着性の向上を図り、かつ組織を制御するin−situでアニーリング工程を行う脱ガス及びin−situアニーリングチャンバとからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記脱ガス及びin−situアニーリングチャンバに注入されるガスは、ArまたはH2を含むガスであることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記脱ガス及びin−situアニーリングチャンバは50〜450℃までアニーリングが可能なチャンバであることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- 前記脱ガス及びin−situアニーリングチャンバに注入されるガスは、H2ガスにHeまたはArガスを混合した混合ガスであることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の銅薄膜堆積装置。
- ウェハを装置へ導入し、かつ装置から取り出すロードロック室と、
前記ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナと、
前記ウェハの表面のガスを含む異物を除去し、及び堆積された銅薄膜の接着性の向上を図り、かつ組織を制御するin−situでアニーリング工程を行う脱ガス及びin−situアニーリングチャンバと、
前記ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの移送チャンバと、
前記移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバと、
前記プリクリーニングされたウェハ上にバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバと、
前記バリア金属上に銅薄膜堆積前に均一に化学的強化剤吸着処理を行う化学的強化剤処理チャンバと、
前記化学的強化剤処理されたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバと、
前記化学的強化剤処理後均一な堆積を実現してCVD銅薄膜堆積後銅薄膜の表面に浮かんでいるヨード(I)を含む異物を除去するプラズマ処理するプラズマ処理チャンバとからなることを特徴とする半導体素子の銅薄膜堆積装置。 - ウェハを装置へ導入し、かつ装置から取り出すロードロック室と、
前記ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナと、
前記ウェハの表面からガスを含む異物を除去する脱ガスチャンバと、
前記ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの第一移送チャンバと、
前記第一移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバと、
前記プリクリーニングされたウェハ上にバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバと、
前記バリア金属上にCVD銅の接着性を改善するフラッシュ銅を堆積するPVD銅堆積チャンバと、
前記フラッシュ銅が堆積されたウェハを移送する第2移送チャンバと
前記第2移送チャンバを介して移送されたウェハを各チャンバに出し入れする第3移送チャンバと、
前記第3移送チャンバを介して挿入されたウェハの全面に均一な化学的強化剤処理を行う化学的強化剤処理チャンバと、
前記化学的強化剤処理されたウェハの全面に均一な堆積を実現するためにプラズマ処理を行うプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理されたウェハの全面にパーティクルフィリングステップを行うCECVD銅堆積チャンバと、
前記パーティクルフィリングされたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバと、
前記銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織を制御するin−situアニーリングチャンバとからなることを特徴とする半導体素子の銅薄膜堆積装置。 - ウェハを装置へ導入し、かつ装置から取り出すロードロック室と、
前記ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナと、
前記ウェハの表面からガスを含む異物を除去する脱ガスチャンバと、
前記ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの第一移送チャンバと、
前記第一移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバと、
前記プリクリーニングされたウェハ上にバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバと、
前記バリア金属上にCVD銅の接着性を改善するフラッシュ銅を堆積するPVD銅堆積チャンバと、
前記フラッシュ銅が堆積されたウェハを移送する第2移送チャンバと
前記第2移送チャンバを介して移送されたウェハを各チャンバに出し入れする第3移送チャンバと、
前記第3移送チャンバを介して挿入されたウェハの全面に化学的強化剤処理及び一次パーティクルフィリングステップを行う第一CECVD銅堆積チャンバと、
前記1次パーティクルフィリングステップを行ったウェハの全面に均一な堆積を実現するためにプラズマ処理を行うプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理されたウェハの全面に2次パーティクルフィリングステップを行う第2CECVD銅堆積チャンバと、
前記1、2次でパーティクルフィリング処理されたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバと、
前記銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織を制御するin−situアニーリングチャンバとからなることを特徴とする半導体素子の銅薄膜堆積装置。 - ウェハを装置へ導入し、かつ装置から取り出すロードロック室と、
前記ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナと、
前記ウェハの表面からガスを含む異物を除去する脱ガスチャンバと、
前記ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの第一移送チャンバと、
前記第一移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてウェハパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバと、
前記プリクリーニングされたウェハ上にバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバと、
前記バリア金属が形成されたウェハの全面にプラズマ処理する第一プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理されたウェハを移送する第2移送チャンバと、
前記第2移送チャンバを介して移送されたウェハを各チャンバに出し入れする第3移送チャンバと、
前記第3移送チャンバを介して挿入されたウェハの全面に均一な化学的強化剤処理を行う化学的強化剤処理チャンバと、
前記化学的強化剤処理されたウェハの全面に均一な堆積を実現するためにプラズマ処理を行う第2プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理されたウェハの全面にパーティクルフィリングステップを行うCECVD銅堆積チャンバと、
前記パーティクルフィリング処理されたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバと、
前記銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織を制御するin−situアニーリングチャンバとからなることを特徴とする半導体素子の銅薄膜堆積装置。 - ウェハを装置へ導入し、かつ装置から取り出すロードロック室と、
前記ウェハを所望の位置にアラインさせるアライナと、
前記ウェハの表面からガスを含む異物を除去する脱ガスチャンバと、
前記ウェハを各チャンバに入れたり出したりするロボット付きの第一移送チャンバと、
前記第一移送チャンバによって移送されたウェハにプラズマを用いてパターンをクリーニングするプリクリーニングチャンバと、
前記プリクリーニングされたウェハ上にバリア金属を堆積するバリア金属堆積チャンバと、
前記バリア金属が堆積されたウェハの全面にプラズマ処理する第一プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理されたウェハを移送する第2移送チャンバと
前記第2移送チャンバを介して移送されたウェハを各チャンバに出し入れする第3移送チャンバと、
前記第3移送チャンバを介して挿入されたウェハの全面に一次パーティクルフィリングステップを行う第一CECVD銅堆積チャンバと、
前記1次パーティクルフィリングステップを行ったウェハの全面に均一な堆積を実現するためにプラズマ処理を行うプラズマ処理を行う第2プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理されたウェハの全面に2次パーティクルフィリングステップを行う第2CECVD銅堆積チャンバと、
前記1、2次にわたってパーティクルフィリングされたウェハの全面に銅薄膜を堆積するCVD銅堆積チャンバと、
前記銅薄膜の接着性の向上を図り及び組織を制御するin−situアニーリングチャンバとからなることを特徴とする半導体素子の銅薄膜堆積装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0032907A KR100413481B1 (ko) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 반도체 소자의 구리 박막 증착 장비 |
KR2001-32907 | 2001-06-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003051460A JP2003051460A (ja) | 2003-02-21 |
JP3996804B2 true JP3996804B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=19710714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002155274A Expired - Fee Related JP3996804B2 (ja) | 2001-06-12 | 2002-05-29 | 半導体素子の銅薄膜堆積装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6664636B2 (ja) |
JP (1) | JP3996804B2 (ja) |
KR (1) | KR100413481B1 (ja) |
TW (1) | TW504757B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100413482B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2003-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화제(ce) 처리 챔버 |
US6790777B2 (en) * | 2002-11-06 | 2004-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Method for reducing contamination, copper reduction, and depositing a dielectric layer on a semiconductor device |
US7735451B2 (en) * | 2002-11-15 | 2010-06-15 | Ebara Corporation | Substrate processing method and apparatus |
US6790778B1 (en) * | 2003-09-10 | 2004-09-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for capping over a copper layer |
US7344983B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-03-18 | International Business Machines Corporation | Clustered surface preparation for silicide and metal contacts |
JP4889227B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および成膜方法 |
KR20070111165A (ko) * | 2006-05-17 | 2007-11-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 구리 확산 방지막 제거 방법 |
US10658161B2 (en) * | 2010-10-15 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers |
KR101713799B1 (ko) * | 2011-04-15 | 2017-03-09 | 주식회사 원익아이피에스 | 반도체 제조장치 및 제조방법 |
CN102851733B (zh) * | 2012-09-04 | 2016-08-17 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 氮化镓基材料及器件的制备系统和制备方法 |
CN106298585B (zh) * | 2015-06-03 | 2020-10-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室及半导体加工设备 |
US10867843B2 (en) * | 2016-12-05 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for fabrication semiconductor device |
US10529602B1 (en) * | 2018-11-13 | 2020-01-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate fabrication |
US10903112B2 (en) | 2018-10-18 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for smoothing dynamic random access memory bit line metal |
US11631680B2 (en) | 2018-10-18 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for smoothing dynamic random access memory bit line metal |
US11205589B2 (en) * | 2019-10-06 | 2021-12-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatuses for forming interconnection structures |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5744192A (en) * | 1996-11-08 | 1998-04-28 | Sharp Microelectronics Technology, Inc. | Method of using water vapor to increase the conductivity of cooper desposited with cu(hfac)TMVS |
JP2000164532A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Anelva Corp | Cu配線膜形成方法とCu配線膜形成装置 |
US6451181B1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-09-17 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor device barrier layer |
US6362099B1 (en) * | 1999-03-09 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Method for enhancing the adhesion of copper deposited by chemical vapor deposition |
KR100460746B1 (ko) * | 1999-04-13 | 2004-12-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법 |
JP2000331957A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Anelva Corp | Cu配線膜形成方法 |
KR100358045B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법 |
KR100338112B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-05-24 | 박종섭 | 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법 |
US6495449B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-12-17 | Simplus Systems Corporation | Multilayered diffusion barrier structure for improving adhesion property |
KR100413482B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2003-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화제(ce) 처리 챔버 |
-
2001
- 2001-06-12 KR KR10-2001-0032907A patent/KR100413481B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-21 TW TW090123315A patent/TW504757B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-05-29 JP JP2002155274A patent/JP3996804B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-30 US US10/156,839 patent/US6664636B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-31 US US10/697,320 patent/US6855632B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003051460A (ja) | 2003-02-21 |
KR100413481B1 (ko) | 2003-12-31 |
US6855632B2 (en) | 2005-02-15 |
KR20020094599A (ko) | 2002-12-18 |
US20040092101A1 (en) | 2004-05-13 |
TW504757B (en) | 2002-10-01 |
US6664636B2 (en) | 2003-12-16 |
US20020187635A1 (en) | 2002-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3996804B2 (ja) | 半導体素子の銅薄膜堆積装置 | |
KR102565626B1 (ko) | 루테늄 도핑에 의한 증진된 코발트 내응집성 및 갭 충전 성능 | |
US6949450B2 (en) | Method for integrated in-situ cleaning and subsequent atomic layer deposition within a single processing chamber | |
JP5207615B2 (ja) | 成膜方法および基板処理装置 | |
US10395916B2 (en) | In-situ pre-clean for selectivity improvement for selective deposition | |
IL152376A (en) | Method for applying a metal layer and a group device for application that includes a component for drying / cleaning | |
US7592259B2 (en) | Methods and systems for barrier layer surface passivation | |
KR101739613B1 (ko) | Cu 배선의 형성 방법 | |
US20180144973A1 (en) | Electromigration Improvement Using Tungsten For Selective Cobalt Deposition On Copper Surfaces | |
JP2004207281A (ja) | 多層配線構造およびその形成方法、半導体装置 | |
JPH09190986A (ja) | 窒化チタンバリア層の形成のための連続プロセス | |
KR100807066B1 (ko) | 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
US20100240214A1 (en) | Method of forming multi metal layers thin film on wafer | |
KR20170026165A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기억 매체 | |
JP2012212899A (ja) | Cu膜の形成方法 | |
KR20180003447A (ko) | 듀얼 다마신 충진 | |
JP2002329682A (ja) | Cu薄膜作製方法 | |
US11189479B2 (en) | Diffusion barrier layer | |
KR100351237B1 (ko) | 반도체소자의구리금속배선형성장치및이를이용한구리금속배선형성방법 | |
US10643889B2 (en) | Pre-treatment method to improve selectivity in a selective deposition process | |
KR101789841B1 (ko) | 통합된 무전해 성막 프로세스를 포함하는 프로세스들을 통해 기판을 핸들링하는 방법 및 시스템 | |
JP2001053023A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
JPH05291177A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20240014523A (ko) | 금속 실리사이드들을 준비하기 위한 방법 | |
TW201741484A (zh) | Cu膜之形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070724 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070803 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |