CN106298585B - 腔室及半导体加工设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种腔室及半导体加工设备。该腔室包括片盒承载装置、加热装置和真空大气切换装置，其中，片盒承载装置用于承载片盒；加热装置用于加热位于片盒内的基片，以对基片实现去气工艺；真空大气切换装置用于在向其内的片盒承载装置装卸载片盒时和在对基片进行去气工艺时实现腔室的环境在真空和大气之间切换。本发明提供的腔室，不仅可以省去机械手在片盒腔和去气腔室之间传输基片的过程，从而可以提高生产效率；而且应用该腔室的半导体加工设备还可以省去一个腔室设置，从而可以降低成本和减小占地面积。

Description

腔室及半导体加工设备
技术领域
本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种腔室及半导体加工设备。
背景技术
图1为现有的半导体加工设备的结构示意图，请参阅图1，该半导体加工设备包括传输腔室10、两个片盒腔11、去气腔室12、预清洗腔室13和工艺腔室14，其中，两个片盒腔11、去气腔室12、预清洗腔室13和工艺腔室14沿传输腔室10的周向设置，且均与传输腔室10相连通，片盒腔11用于作为基片在真空环境和大气环境的转换腔室，去气腔室12、预清洗腔室13和工艺腔室14分别用于对基片进行相应的工艺，传输腔室10内设置有真空机械手101，真空机械手101用于实现基片在两个片盒腔11、去气腔室12、预清洗腔室13和工艺腔室14之间的传输。
采用上述半导体加工设备的具体工作流程为：首先，将承载有待加工的基片的片盒放置在大气环境中的片盒腔11中；接着，将片盒腔11抽成真空；接着，通过真空机械手101取片盒腔11中的基片依次放入去气腔室12、预清洗腔室13和工艺腔室14，以依次进行相应的工艺。
然而，在实际应用中，采用上述半导体加工设备在实际应用中发现：整个工艺流程耗费的时间仍然较长，造成半导体加工设备的效率较低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种腔室及半导体加工设备，不仅可以省去机械手在真空腔和去气腔室 之间传输基片的过程，从而可以提高生产效率；而且应用该腔室的半导体加工设备还可以省去一个腔室设置，从而可以降低成本和减小占地面积。
为解决上述问题之一，本发明提供了一种腔室，用于装卸载基片和对所述基片进行去气工艺，所述腔室，包括片盒承载装置、加热装置和真空大气切换装置，其中，所述片盒承载装置，用于承载基片；所述加热装置，用于加热位于片盒内的基片，以对所述基片实现去气工艺；所述真空大气切换装置，用于在向所述片盒承载装置装卸载基片时和在对所述基片进行去气工艺时实现所述腔室的环境在真空和大气之间切换。
具体地，所述真空大气切换装置为抽真空装置。
优选地，所述片盒上沿竖直方向设置有多个用于承载所述基片的承载位；所述腔室还包括升降装置，所述升降装置用于驱动所述片盒承载装置升降来带动所述片盒升降，以使各个所述承载位分别位于所述腔室的传片口。
优选地，还包括计数传感器，所述计数传感器用于在所述升降装置驱动所述片盒升降过程中对所述基片进行计数。
优选地，所述腔室的侧壁上设置有第一窗口，所述第一窗口处设置有石英密封玻璃，所述计数传感器位于所述第一窗口中并位于所述石英密封玻璃外侧。
优选地，所述加热装置为设置在所述腔室顶壁上的环形加热筒，所述升降装置还用于驱动所述片盒升降至所述环形加热筒内，以对所述片盒内的所述基片进行加热。
优选地，还包括片盒检测传感器，用于检测所述片盒是否位于所述腔室内。
优选地，还包括滑片传感器，用于检测所述基片是否发生滑片。
作为另外一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，其包括本发明另一技术方案提供的腔室。
优选地，该半导体加工设备还包括传输腔室、预清洗腔室和工艺腔室，所述腔室、预清洗腔室和工艺腔室沿所述传输腔室的周向设置， 且均与所述传输腔室相连通；所述传输腔室内设置有真空机械手，所述真空机械手用于实现所述基片在所述腔室、预清洗腔室和工艺腔室之间的传输。
优选地，所述腔室的数量为两个。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的腔室，其借助真空大气切换装置在对片盒承载装置装卸载片盒(即，装卸载基片)时将腔室的环境自真空切换为大气，可以实现直接向该腔室装卸载片盒，也就是实现现有的片盒腔的功能；并且，其借助真空大气切换装置在对基片进行去气工艺时将腔室的环境自大气状态切换为真空状态，以及借助加热装置对直接装载的片盒内的基片进行加热，可以实现对基片进行去气工艺，也就实现现有的去气腔室的功能。因此，该腔室可以共同实现在流程上紧密相连的片盒腔和去气腔的功能，这与现有技术相比，不仅可以省去机械手在片盒腔和去气腔室之间传输基片的过程，从而可以提高生产效率；而且应用该腔室的半导体加工设备还可以省去一个腔室设置，从而可以降低成本和减小占地面积。
本发明提供的半导体加工设备，其采用本发明另一技术方案提供的腔室，不仅可以提高生产效率，而且可以降低成本和减小占地面积。
附图说明
图1为现有的半导体加工设备的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的腔室的结构示意图；
图3为图2所示的腔室的分解图；以及
图4为本发明实施例提供的半导体加工设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的腔室及半导体加工设备进行详细描述。
图2为本发明实施例提供的腔室的结构示意图；图3为图2所示的腔室的分解图。请一并参阅图2和图3，本实施例提供的腔室20包 括片盒承载装置、加热装置23和真空大气切换装置(图中未示出)。其中，片盒承载装置，用于承载片盒22，片盒22用于承载基片，也就是说，片盒承载装置用于承载基片；加热装置23，用于加热位于片盒22内的基片，以对基片实现去气工艺；真空大气切换装置，用于在对其内的片盒承载装置装卸载片盒22(即，装卸载基片)时和在对基片进行去气工艺时实现腔室20的环境在真空和大气之间切换，具体地，在对其内的片盒承载装置装卸载片盒22时，将腔室20的环境自真空状态切换为大气状态；在对基片进行去气工艺时，将腔室20的环境自大气状态切换为真空状态。具体地，真空大气切换装置为抽真空装置。
可以理解，本实施例提供的腔室，其借助真空大气切换装置在对片盒承载装置装卸载片盒22时将腔室20的环境自真空状态切换为大气状态，可以实现直接向该腔室20装卸载片盒22，也就实现现有的片盒腔的功能；并且，其借助真空大气切换装置在对基片进行去气工艺时将腔室20的环境自大气状态切换为真空状态，以及借助加热装置23对直接装载的片盒22进行加热，可以实现对基片进行去气工艺，也就实现现有的去气腔室的功能。因此，该腔室20可以共同实现在流程上紧密相连的片盒腔和去气腔的功能，这与现有技术相比，不仅可以省去机械手在片盒腔和去气腔室之间传输基片的过程，从而可以提高生产效率；而且应用该腔室的半导体加工设备还可以省去一个腔室设置，从而可以降低成本和减小占地面积。
下面通过试验验证应用本实施例提供的腔室的半导体加工设备的生产效率提高。具体地，片盒22沿竖直方向设置有多个用于承载基片的承载位。
现有的半导体加工设备包括以下步骤：1，向片盒腔内装载片盒，所需时间为120s；2，机械手取片和Aligner校正，准备进行去气工艺，所需时间为375s；3，机械手向去气腔室进行传片，所需时间为250s；4，进行去气工艺，所需时间为240s；5，机械手取片，准备进行下一步工艺，所需时间为250s。上述1～5步骤总共所需时间为1235s，完成基片的数量为25片，因此，平均每个基片完成去气工艺的时间为49.4s。
采用本实施例提供的腔室的半导体加工设备的执行至上述步骤5的状态，需要以下步骤：1，向腔室20内装载片盒22，所需时间为120s；2，进行去气工艺，所需时间为240s；3，机械手取片和Aligner校正，准备进行下一步工艺，所需时间为375s。上述1～3步骤总共所需时间为735s，完成基片的数量为25片，因此，平均每个基片完成去气工艺的时间为29.4s，这相对现有技术的平均每个基片完成去气工艺的时间为49.4s，效率可提高68％。
对比二者可知，采用本实施例提供的腔室20，可以减少机械手取片和机械手自片盒腔向去气腔室传片的步骤，因此，可以提高生产效率。
可以理解，若采用两个或者多个上述腔室20，生产效率还可以进一步提高；若单次去气工艺的基片数量越多或者去气工艺的时间越短，效率提升的越明显。
在本实施例中，腔室20还包括升降装置24、计数传感器25、片盒检测传感器26和滑片传感器27。其中，升降装置24用于驱动片盒承载装置升降来带动片盒22升降，以使各个承载位分别位于腔室20的传片口，从而便于机械手对各个基片取片。
加热装置23为设置在腔室20顶壁上的环形加热筒，升降装置24还用于驱动片盒22升降至环形加热筒内，以对片盒22内的基片进行加热。
计数传感器25用于在升降装置24驱动片盒22升降过程中对基片进行计数，具体地，腔室20的侧壁上设置有第一窗口，第一窗口处设置有石英密封玻璃，计数传感器25位于第一窗口中并位于石英密封玻璃外侧。
片盒检测传感器26用于检测片盒22是否位于腔室内，从而提高工艺的稳定性和可靠性，具体地，腔室20的侧壁上设置有第二窗口，第二窗口处设置有石英密封玻璃，片盒检测传感器26位于第二窗口中并位于石英密封玻璃外侧，并且，片盒检测传感器26的数量为两个，二者之间的竖直距离不大于片盒22的竖直高度。
滑片传感器27用于检测基片是否发生滑片，从而提高工艺的稳定 性和可靠性，具体地，腔室20的顶壁上且在环形加热筒的外侧设置有第三窗口，第三窗口处设置有石英密封玻璃，滑片传感器27位于第三窗口中并位于石英密封玻璃外侧。
在上述情况下，腔室20的装载片盒流程具体为：打开腔室20的腔室门28，将装有基片的片盒22放置在位于升降装置24的片盒承载装置上，关闭该腔室门28，借助真空大气切换装置将腔室环境切换为真空环境，升降装置24进行原点搜索后上升，在上升的过程中使各个基片依次经过计数传感器25，以通过计数传感器25对基片进行计数。
腔室20进行去气工艺流程具体为：计数完成后升降装置24继续上升，以使片盒22位于环形加热筒内，进行去气工艺。
腔室20的卸载片盒流程具体为：借助真空大气切换装置将腔室环境切换为大气环境，打开腔室门28，将片盒22自腔室门28取出。
作为另外一个技术方案，图4为本发明实施例提供的半导体加工设备的结构示意图。请参阅图4，本实施例还提供一种半导体加工设备，其包括腔室20、传输腔室30、预清洗腔室40和工艺腔室50。其中，腔室20、预清洗腔室40和工艺腔室50沿传输腔室30的周向设置，且均与传输腔室30相连通；传输腔室30内设置有真空机械手301，真空机械手301用于实现基片在腔室20、预清洗腔室40和工艺腔室50之间的传输。
并且，腔室20的数量为两个，以解决去气工艺时间长而造成其他工艺过程等待的问题。
工艺腔室50为磁控溅射腔室或化学气相沉积腔室等。
本实施例提供的半导体加工设备，其采用上述实施例提供的腔室，不仅可以提高生产效率，而且可以降低成本和减小占地面积。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种腔室，其特征在于，用于装卸载基片和对所述基片进行去气工艺，所述腔室，包括片盒承载装置、加热装置和真空大气切换装置，其中
所述片盒承载装置，用于承载基片；
所述加热装置，用于加热位于片盒内的基片，以对所述基片实现去气工艺；
所述真空大气切换装置，用于在向所述片盒承载装置装卸载基片时和在对所述基片进行去气工艺时实现所述腔室的环境在真空和大气之间切换；
所述片盒上沿竖直方向设置有多个用于承载所述基片的承载位；
所述腔室还包括升降装置，所述升降装置用于驱动所述片盒承载装置升降来带动所述片盒升降，以使各个所述承载位分别位于所述腔室的传片口；
所述加热装置为设置在所述腔室顶壁上的环形加热筒，所述升降装置还用于驱动所述片盒升降至所述环形加热筒内，以对所述片盒内的所述基片进行加热。
2.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述真空大气切换装置为抽真空装置。
3.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，还包括计数传感器，所述计数传感器用于在所述升降装置驱动所述片盒升降过程中对所述基片进行计数。
4.根据权利要求3所述的腔室，其特征在于，所述腔室的侧壁上设置有第一窗口，所述第一窗口处设置有石英密封玻璃，所述计数传感器位于所述第一窗口中并位于所述石英密封玻璃外侧。
5.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，还包括片盒检测传感器，用于检测所述片盒是否位于所述腔室内。
6.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，还包括滑片传感器，用于检测所述基片是否发生滑片。
7.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的腔室。
8.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，还包括传输腔室、预清洗腔室和工艺腔室，
所述腔室、预清洗腔室和工艺腔室沿所述传输腔室的周向设置，且均与所述传输腔室相连通；
所述传输腔室内设置有真空机械手，所述真空机械手用于实现所述基片在所述腔室、预清洗腔室和工艺腔室之间的传输。
9.根据权利要求8所述的半导体加工设备，其特征在于，所述腔室的数量为两个。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113871331A (zh) * 2021-09-24 2021-12-31 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于立式氧化炉的片盒进出传送装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1420978A (zh) * 1999-08-12 2003-05-28 Asml美国公司 热壁式快速热处理器
US20040092101A1 (en) * 2001-06-12 2004-05-13 Hynix Semiconductor Inc. Cu film deposition equipment of semiconductor device
CN102560406A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Pvd设备及采用该pvd设备进行晶片处理的方法
US20130284087A1 (en) * 2005-12-05 2013-10-31 Novellus Systems, Inc. Method and apparatuses for reducing porogen accumulation from a uv-cure chamber
CN104584188A (zh) * 2012-08-08 2015-04-29 应用材料公司 连结型真空处理工具和使用该工具的方法
CN104603914A (zh) * 2012-09-07 2015-05-06 应用材料公司 多腔室真空系统确认中的多孔电介质、聚合物涂布基板和环氧化物的集成处理
CN104616955A (zh) * 2013-11-04 2015-05-13 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子体加工设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555159A (ja) * 1991-08-27 1993-03-05 Nec Corp イオン注入装置
US5989633A (en) * 1996-04-29 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Process for overcoming CVD aluminum selectivity loss with warm PVD aluminum
US6228173B1 (en) * 1998-10-12 2001-05-08 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-treating apparatus for semiconductor process system
US6562141B2 (en) * 2000-07-03 2003-05-13 Andrew Peter Clarke Dual degas/cool loadlock cluster tool
US6579730B2 (en) * 2001-07-18 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Monitoring process for oxide removal
US7294241B2 (en) * 2003-01-03 2007-11-13 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to form alpha phase Ta and its application to IC manufacturing
KR20140081232A (ko) * 2012-12-21 2014-07-01 삼성전기주식회사 균일한 온도 분포를 가지는 진공 디가스 챔버 및 카세트

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1420978A (zh) * 1999-08-12 2003-05-28 Asml美国公司 热壁式快速热处理器
US20040092101A1 (en) * 2001-06-12 2004-05-13 Hynix Semiconductor Inc. Cu film deposition equipment of semiconductor device
US20130284087A1 (en) * 2005-12-05 2013-10-31 Novellus Systems, Inc. Method and apparatuses for reducing porogen accumulation from a uv-cure chamber
CN102560406A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Pvd设备及采用该pvd设备进行晶片处理的方法
CN104584188A (zh) * 2012-08-08 2015-04-29 应用材料公司 连结型真空处理工具和使用该工具的方法
CN104603914A (zh) * 2012-09-07 2015-05-06 应用材料公司 多腔室真空系统确认中的多孔电介质、聚合物涂布基板和环氧化物的集成处理
CN104616955A (zh) * 2013-11-04 2015-05-13 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子体加工设备

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