JP3992768B2 - 誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置 - Google Patents

誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電力を用いて浮上体、特にガラスやセラミックスのような誘電体や絶縁体からなる浮上体を、周囲環境から完全に非接触で浮上させる静電浮上装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、文献「8インチシリコンウエハの静電浮上」、静電気学会講演論文集、pp.141−144、1995に開示されるものがあった。
【0003】
図7はかかる従来の静電浮上装置の固定子の電極面の平面図である。
【0004】
この図において、910は固定子、911〜914は電極、991〜994は変位センサ用穴を示している。
【0005】
固定子910は絶縁基板からなり、その上に、4つの導電体の電極911〜914が均等に形成され、1つのリングを形成している。このリングの外径は、固定子910と対向する浮上体(シリコンウエハ)の外径と等しくなっている。また、浮上体の位置及び姿勢を検出するため、電極911〜914には、変位センサ用穴991〜994が設けられ、この変位センサ用穴991〜994には各々変位センサが配置される。
【0006】
このような従来の静電浮上システムでは、変位センサを用いて検出した浮上体(シリコンウエハ)の位置及び姿勢に基づいて、電極911〜914への印加電圧を能動的に制御することにより、浮上体を安定浮上させる。また、従来は、浮上体の電位をゼロボルトに保つため、電極911と電極913は正の電圧で、電極912と電極914は負の電圧で制御している。
【0007】
なお、本発明に係る固定子電極構造の概念を説明する前に、まず、従来の静電浮上装置での電極構造を用いて導体やシリコンウエハのような半導体を浮上させる場合と、ガラスやセラミックスのような誘電体や絶縁体を浮上させる場合に形成される電界や浮上体表面の電荷の挙動、またその電荷により発生する静電浮上力について、図8を参考にしながら、簡単に説明する。
【0008】
また、誘電体や絶縁体の浮上体が電極の真下の位置から水平方向にずれたとき、その水平方向に作用する復元力について、図9を参考にしながら説明する。
【0009】
次に、本発明に係る誘電体や絶縁体の静電浮上に適した固定子電極構造の概念について、図10を参考にしながら説明する。
【0010】
図8〜図10において、911、912、915〜918は電極を示す。その内、電極911と912は前述したように従来の静電浮上装置での電極を示す。図8と図10における電極と浮上体間に作用する静電力は、浮上体の垂直方向成分のみを示している。また、図9において、浮上体の水平方向における復元力は、電極と浮上体間に作用する静電力の水平方向成分である。
【0011】
まず、従来の静電浮上装置を用いて導体やシリコンウエハのような半導体を浮上させる場合について説明する。
【0012】
浮上ギャップが電極と浮上体の重なっている部分の面積に比べて十分小さい場合、電極への印加電圧の制御を開始すると、電極911には電圧+Vが、電極912には電圧−Vが印加され、図8(a)に示すような電界と電荷分布が形成される。つまり、導体や半導体の中では電荷が自由に移動できるので、電極911と電極912に電圧が印加された直後、電極911には正の電荷が、その電極911と対向する浮上体A面には負の電荷が(電極912には負の電荷が、その電極912と対向する浮上体A面には正の電荷が)各々電極と浮上体Aの表面の全面に渡って、瞬時に現れる。
【0013】
これにより、電極と浮上体A間のギャップには満遍なく強い電界が形成され、浮上体はその表面の全体に渡って単位面積当たりほぼ同じ大きさの浮上力を受け、電極に電圧が印加されると同時に浮上することになる。
【0014】
次に、従来の電極構造でガラスやセラミックスのような誘電体や絶縁体からなる浮上体Bを浮上させる場合は、電極に電圧が印加されると、誘電体や絶縁体は導体ではないので、分極することになり、図8(b)に示すような電界や電荷分布が形成される。このとき、浮上体Bの界面には上向きと下向きの力が作用し、その内、上向きの力から下向きの力を引いた力が浮上力となる。
【0015】
なお、浮上体Bが誘電体や絶縁体の場合に、電極に電圧を印加するとにより形成される電界は、電極911と電極912の境界付近では強いが、境界から遠くなるにつれ段々弱くなる。それゆえ、境界付近では多くの分極が起こり、浮上力も強くなるが、境界から遠い所では電界が弱いので分極発生が少なくなり、浮上力も弱くなる。
【0016】
また、境界の付近では浮上体Bの上面から入り込み、浮上体Bの上面から出る電気力線が存在し、この部分では浮上体Bに上向きの力のみが働き、強い浮上力が得られることになる。更に、境界付近では電界が強いので誘電体や絶縁体は早く分極するが、遠い所では分極遅れが大きくなる。それにより、境界から遠い所では境界付近より長時間に渡って浮上力が徐々に増加することになる。また、境界付近では強い電界が形成されるので、浮上体Bにダイポールが誘起され、それと電極上で作られるダイポールとの間に強い静電吸引力が発生する。
【0017】
なお、板ガラスのように微弱な導電性を有する高抵抗体の場合について説明すると次のようである。
【0018】
高抵抗体の場合、電極間の境界付近での電界は強いので、この境界付近に対向する浮上体Bの部分には電荷が早く集まるが、境界から遠いところでは電界の強さが小さいため、電荷が集まるで相当な時間を要する。つまり、電極911と電極912に電圧を印加したとき、境界付近では浮上力が素早く増加するが、境界から遠い所では長時間に渡って浮上力が徐々に増加することになる。
【0019】
次に、浮上体の水平方向における復元力について説明する。
【0020】
浮上体Aが導体や半導体の場合、浮上体Aに作用する復元力はエッジ効果をその原理としている。しかし、浮上体Bが誘電体や絶縁体の場合はそのエッジ効果による復元力は非常に小さく、次のように説明できる。
【0021】
誘電体や絶縁体の浮上体Cが、図9に示すように、電極の真下の位置から水平方向にずれたとき、浮上体Cの誘電緩和現象または浮上体の高い抵抗率のため、浮上体Cが電極の真下の位置に浮上したとき誘導された電荷分布状態は、浮上体Cが水平方向にずれても直ちには変わらない。これにより、境界付近では、図9に示すように、復元力が作用する。この境界付近での復元力は、その境界付近で誘導された電荷量が浮上体Cの縁付近に誘導された電荷量より遙に多いので、浮上体Cの縁付近に作用する復元力より、遙かに大きい。
【0022】
このように、浮上体Cの全面に渡って強い浮上力を得、また素早く浮上力を増加させるためには、異なる電圧が印加される電極間の境界を沢山作ればよいことが分かる。つまり、図10に示すように、固定子の上に多数の電極を形成し、その電極に正と負(または、正とゼロ、負とゼロ)の電圧を交互に印加することにより、浮上体Dの全面に渡って強い電界を発生させ、浮上体Dを素早く浮上させることができる。また、これにより、浮上体Dの水平方向における復元力や剛性を増加させることができることは言うまでもない。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来の静電浮上装置は、図7に示すように、4つの電極で構成される電極構造を有するので電極間の境界は4つしかなく、ガラスやセラミックスのような誘電体や絶縁体を浮上させる場合、浮上時間(制御開始から浮上体が浮上するまでの時間を浮上時間と称する)が長くなる問題点があった。
【0024】
実験によると、温度20℃、湿度45%RHの環境下で、最初電極に、電圧±1.5kVを印加し、直径100mm、厚み0.7mmのガラス板を初期ギャップ0.35mmから目標ギャップ0.3mmに浮上させるのに、約2分程度の時間を要した。
【0025】
また、電極への印加電圧の変化に対する浮上体の表面に現れる電荷の時間遅れが大きく、そのため浮上系が不安定になりやすく、浮上剛性が低くなる問題点があった。
【0026】
更に、浮上体が電極の真下の位置から水平方向にずれた場合、浮上体に作用する水平方向の復元力も小さいので、この静電浮上装置をロボットなどの搬送装置に取り付け、浮上体を浮上した状態で搬送するとき、搬送速度を上げることができず、搬送効率や搬送システムの信頼性を高めることができなかった。
【0027】
そこで、本発明は、上記問題点を除去し、浮上体を素早く浮上させ、浮上時間を短縮するとともに、浮上剛性や浮上系の安定性を高めることができ、しかも、浮上体の水平方向に作用する復元力や、その剛性を向上させることができる誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置を提供することを目的とする。
【0028】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
(1)誘電体や絶縁体からなる浮上体を静電力を用いて浮上させる静電浮上装置において、絶縁基板上に複数の電極グループが形成され、その各電極グループは交互に分離されて配置されている複数の電極から形成されている固定子と、この固定子に対向する浮上体と、前記固定子と前記浮上体とのギャップを検出する変位センサと、前記浮上体を安定浮上させるための制御電圧を発生する制御器とを備え、前記変位センサを用いて検出した前記浮上体の浮上位置に基づいて前記制御器から作り出した制御電圧と一定直流電圧とを前記各電極グループの交互に分離されて配置されている複数の電極に交互に印加するようにしたものである。
【0029】
(2)上記(1)記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記各電極グループを形成する複数の電極は、その面積が互いに異なるようにしたものである。
【0030】
(3)上記(1)記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記各電極グループを形成する複数の電極は、その面積が互いに同じであるようにしたものである。
【0031】
(4)上記(1)記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記各電極グループを形成する複数の電極には、前記浮上体の浮上位置に基づいて作り出した制御電圧とゼロボルトとを交互に印加するようにしたものである。
【0032】
(5)上記(1)記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記浮上体の浮上位置に基づいて作り出す制御電圧の極性を、前記浮上体の電位がゼロボルトとなるように選ぶようにしたものである。
【0033】
(6)上記(3)記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記各電極グループを形成するその面積が互いに同じである複数の電極には、前記浮上体の浮上位置に基づいて作り出した制御電圧と、その制御電圧と反対極性の同じ絶対値を有する電圧とが交互に印加され、前記浮上体の電位がゼロボルトとなるようにしたものである。
【0034】
(7)上記(1)記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記浮上体は誘電体や絶縁体の板状体である。
【0035】
(8)上記(7)記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記浮上体はガラス板である。
【0036】
(9)上記(7)記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記浮上体はセラミックス板である。
【0037】
このように、本発明によれば、固定子の上に多数の電極を形成し、その電極に制御電圧と一定直流電圧(ゼロボルトを含む)、または制御電圧とその制御電圧と反対極性の同じ絶対値を有する電圧とを交互に印加することにより、異なる値の電圧が印加される電極間の境界を数多く作り、浮上体(誘電体や絶縁体)の全面に渡って強い電界を発生させ、浮上体を素早く浮上させ、浮上時間を短縮すると同時に、浮上剛性や浮上系の安定性を高めることができる。また、浮上体の水平方向に作用する復元力やその剛性を向上させることができる。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0039】
図1は本発明の第1実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の概略構成図であり、図2はその静電浮上装置における固定子の電極構造及び配線を示す。
【0040】
図1において、10は固定子、20はこの固定子10と対向する誘電体や絶縁体からなる浮上体、31〜34は変位センサ、40は制御器を示している。
【0041】
図1及び図2で示すように、固定子10は絶縁基板からなり、その上に誘電体や絶縁体からなる浮上体20に浮上力を与えるための電極11a〜11d、12a〜12d、13a〜13d、14a〜14dが形成されている。
【0042】
これらの電極は同じ形状を有する4つのグループに分かれて固定子10の上に均等に配置されている。つまり、電極11a〜11dが1つの電極グループ(これを電極グループ1とする)を形成しており、電極12a〜12dが1つの電極グループ(これを電極グループ2とする)を、電極13a〜13dが1つの電極グループ(これを電極グループ3とする)を、電極14a〜14dが1つの電極グループ(これを電極グループ4とする)を形成している。
【0043】
この各電極グループは4つの電極で構成され、その電極の内、一番内側の電極は長方形状を、残りの3つの電極は長方形状の中空を有する長方形状をしており、その4つの電極は面積が互いに等しくなっている。また、各電極グループ内の一番外側に配置されている電極11a、12a、13a、14aにより形成される長方形状の電極の長辺と短辺の長さは、浮上体20の長辺と短辺の長さと等しくなっている。
【0044】
なお、各電極グループを形成する電極は1個置きに互いに接続されており(図2の点線参照)、2つの組の電極を形成している。つまり、電極グループ1を例にとると、電極11aと電極11cは裏面で互いに接続されており、1つの組の電極(これを電極グループ1の1組電極とする)を形成しており、また、電極11bと電極11dは裏面で互いに接続されており、1つの組の電極(これを電極グループ1の2組電極とする)を形成している。電極グループ2,3,4についても同様である。
【0045】
各電極グループを形成する2つの組の電極の内、1つの組の電極には制御器40からの制御電圧が印加され、もう1つの組の電極には常にゼロボルトが印加される。つまり、電極グループ1の1組電極(電極11aと11c)には制御電圧V1が、電極グループ2の1組電極(電極12aと12c)には制御電圧V2が、電極グループ3の1組電極(電極13aと13c)には制御電圧V3が、電極グループ4の1組電極(電極14aと14c)には制御電圧V4が印加される。
【0046】
そして、電極グループ1の2組電極(電極11bと11d)と電極グループ2の2組電極(電極12bと12d)と電極グループ3の2組電極(電極13bと13d)と電極グループ4の2組電極(電極14bと14d)には、常にゼロボルトの電圧が印加されるようになっている。
【0047】
なお、各電極グループの一番内側に配置されている11d、12d、13d、14dには、浮上体20の浮上位置を検出するための変位センサ用穴91〜94がいている。
【0048】
また、上記した電極への電圧は、スルーホール(図示なし)を通して、裏面から供給するようになっている。これ以降の全ての実施例において、電極への電圧はこの第1実施例と同じように、スルーホールを通して裏面から供給するようになっている。
【0049】
次に、浮上体20を安定浮上させるには、電極への印加電圧V1、V2、V3、V4を能動的に制御すればよい。つまり、変位センサ31〜34を用いて、浮上体20の位置及び姿勢を検出し、この検出された信号に基づいて制御器40で浮上体20を安定浮上させるための制御電圧V1、V2、V3、V4を作り出し、電極グループ1の1組電極(11aと11c)と、電極グループ2の1組電極(電極12aと12c)、電極グループ3の1組電極(13aと13c)と、電極グループ4の1組電極(電極14aと14c)に印加することにより、浮上体20を安定浮上させることができる。
【0050】
このように第1実施例では、制御電圧が印加される電極とゼロボルトが印加される電極を交互に配置し、電極間の境界を数多く形成することにより、長方形状のガラスやセラミックスなどの誘電体や絶縁体を浮上させるとき、制御開始から浮上するまでの時間を短縮することができる。
【0051】
また、浮上系の安定性や浮上剛性、浮上体の水平方向における復元力や、その剛性を向上させることができる。
【0052】
実験により、上記した固定子10を用い、温度20℃、湿度45%RHの境界下で、横×縦×厚さ(100mm×100mm×0.7mm)のガラス板の浮上実験を行い、制御開始から僅か約1秒で初期ギャップ0.35mmから目標ギャップ0.3mmに浮上することを確認した。この実験において、各電極グループの1組電極への最初の印加電圧は3kVで、各電極グループの2組電極にはゼロボルトを印加した。
【0053】
次に、本発明の第2実施例について説明する。
【0054】
図3は本発明の第2実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の固定子の電極構造及び配線を示す。
【0055】
この図において、110は固定子、111a〜111j、112a〜112f、113a〜113j、114a〜114fは電極、191〜194は変位センサ用穴を示している。
【0056】
ストリップ状の電極111a〜111j、112〜112f、113a〜113j、114a〜114fは、第1実施例のように、4つのグループに分かれており、絶縁基板からなる固定子110の上に形成されている。つまり、電極111a〜111jが電極グループ1を形成しており、電極112a〜112fが電極グループ2を、電極113a〜113jが電極グループ3を、電極114a〜114fが電極グループ4を形成している。電極グループ1は電極グループ3と同じ形状をしており、電極グループ2は電極グループ4と同じ形状をしている。
【0057】
この4つの電極グループにより形成される長方形状の電極の長辺と短辺の長さは、浮上体の長辺と短辺の長さと各々等しくなっている。なお、同じ電極グループを形成する多数の電極は、互いに、その面積が等しくなっており、かつ、1個おきに互いに接続されており(図3の点線参照)、2つの組の電極を形成している。
【0058】
つまり、電極グループ1を例にとると、電極111a、111c、111e、111g、111iは裏面で互いに接続されており、電極グループ1の1組電極を形成しており、また、電極111b、111d、111f、111h、111jは裏面で互いに接続されており、電極グループ1の2組電極を形成している。電極グループ2、3、4についても同様である。
【0059】
なお、第1実施例と同様に、各電極グループを形成する2つの組の電極の内、1つの組の電極には制御器からの制御電圧が印加され、もう1つの組の電極には常にゼロボルトが印加される。つまり、電極グループ1の1組電極(電極111a、111c、111e、111g、111i)には制御電圧V1が、電極グループ2の1組電極(電極112b、112d、112f)には制御電圧V2が、電極グループ3の1組電極(電極113b、113d、113f、113h、113j)には制御電圧V3が、電極グループ4の1組電極(電極114a、113c、113e)には制御電圧V4が印加される。
【0060】
そして、電極グループ1の2組電極(電極111b、111d、111f、111h、111j)と、電極グループ2の2組電極(電極112a、112c、112e)と、電極グループ3の2組電極(電極113a、113c、113e、113g、113i)と、電極グループ4の2組電極(電極114b、114d、114f)には、常にゼロボルトの電圧が印加される。
【0061】
このように第2実施例では、単純な形状であるストリップ状の電極を一列に並べ、その電極に制御電圧とゼロボルトを交互に印加することにより、電極間の境界を数多く形成させ、長方形状の誘電体や絶縁体からなる浮上体を短時間で安定性高く浮上させる。また、電極グループ1と電極グループ3を形成する電極を横方向に並べることにより、横方向(図3における左右方向)における復元力やその剛性を、電極グループ2と電極グループ4を形成する電極は縦方向に並べることにより、縦方向(図3における上下方向)における復元力やその剛性を向上させるようにしている。
【0062】
次に、本発明の第3実施例について説明する。
【0063】
図4は本発明の第3実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の固定子の電極構造を示す図である。
【0064】
図4において、210は固定子、211〜214、211aa〜211ae、211ba〜211be、211ca〜211ce、212aa〜212ae、212ba〜212be、212ca〜212ce、213aa〜213ae、213ba〜213be、213ca〜213ce、214aa〜214ae、214ba〜214be、214ca〜214ceは電極、291〜294は変位センサ用穴を示している。
【0065】
電極211aa〜211ae、211ba〜211be、211ca〜211ceは裏面で互いに接続されており、制御電圧V1(図示なし)が供給される。電極212aa〜212ae、212ba〜212be、212ca〜212ceは裏面で互いに接続され、制御電圧V2(図示なし)が供給される。電極213aa〜213ae、213ba〜213be、213ca〜213ceは裏面で互いに接続され、制御電圧V3(図示なし)が供給される。電極214aa〜214ae、214ba〜214be、214ca〜214ceは裏面で互いに接続され、制御電圧V4(図示なし)が供給される。
【0066】
更に、格子状の電極211〜214には、常にゼロボルトが供給されるようになっている。なお、各電極グループにおける同一制御電圧が印加される電極の総面積は、ゼロボルトが印加される電極の面積と等しくなっている。
【0067】
この固定子210を用い、制御電圧V1、V2、V3、V4を能動的に制御することにより、長方形の誘電体や絶縁体を短時間で安定性よく浮上させる。
【0068】
次に本発明の第4実施例について説明する。
【0069】
図5は本発明の第4実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の固定子の電極構造及び配線を示す図である。
【0070】
この図において、310は固定子、311a〜311d、312a〜312d、313a〜313d、314a〜314dは電極、391〜394は変位センサ用穴を示している。
【0071】
この第4実施例では、浮上体として円形状のガラスやセラミックスのような誘電体や絶縁体のディスクを用いる。そこで、固定子310の上に形成されている電極の構造を、浮上体の円形状に対応した形にしたことを除けば、その構造の基本的な概念は第1実施例の固定子10(図2参照)と同様である。つまり、電極は、4つのグループに分けられ、その各グループを形成する電極は、図5に示すように配線され、2つの組の電極を形成している。
【0072】
この2つの組の電極の内、1つの組の電極には常にゼロボルトが印加され、残りの1つの組の電極には制御電圧が印加されるようになっている。なお、各グループを形成する電極は扇状で、その面積は等しくなっている。また、各電極グループの一番外側に配置されている電極311a、312a、313a、314aによって形成される円の外径は浮上体の外径と等しくなっている。
【0073】
なお、上記した第1実施例から第4実施例では、板状体を空間上で安定浮上させるため、浮上体の上の4箇所で浮上体に与えられる静電力を制御したが、これは冗長性を持たせた場合であり、浮上体を安定浮上させるには最低の3箇所で静電力を制御するだけで十分である。
【0074】
図6は本発明の第5実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の固定子の電極構造及び配線を示す図である。
【0075】
図6において、410は固定子、411a〜411d、412a〜412d、413a〜413dは電極、491〜493は変位センサ用穴を示している。
【0076】
この第5実施例では、浮上体を安定浮上させるためには、浮上体に最低の3箇所で浮上力を制御すればよいので、電極を第4実施例(図5参照)の4つのグループから3つのグループにしたことを除けば、その構造や配線の基本的な概念は第4実施例と同様である。
【0077】
この固定子410を用い、固定子の電極に印加される制御電圧を能動的に制御することにより、円形状の誘電体や絶縁体のディスクを短時間で安定性よく浮上させることができる。
【0078】
なお、上記した第4実施例及び第5実施例において、固定子の上に形成されている電極の形状を、第2実施例と第3実施例の趣旨に基づいた形状にすることができることは言うまでもない。
【0079】
また、上記の第1実施例〜第5実施例では、浮上体として円形状や長方形状の誘電体や絶縁体からなる浮上体を用いたが、それ以外の形状を有するものでも、本発明の趣旨に基づいて、電極構造を工夫することにより浮上体を短時間で浮上させ、かつ水平方向における復元力を増加させることができることは言うまでもない。
【0080】
更に、上記の第1実施例〜第5実施例では、浮上体が誘電体や絶縁体である場合を例示したが、浮上体として導体や半導体など種々なものが用いられる場合にも本発明は適用できる。
【0081】
なお、上記の第1実施例〜第5実施例において、常にゼロボルトが印加される電極に、ゼロボルトではない一定の電圧を印加することができることは言うまでもない。
【0082】
また、上記の第1実施例〜第4実施例において、浮上体(特に、導体や半導体)の電位をゼロボルトに維持したい場合には、電極に印加される制御電圧V1、V2、V3、V4の内、2つの制御電圧の極性として、同じ極性を有する残りの2つの制御電圧の極性と反対極性を用いればよい。例えば、制御電圧V1とV3の極性として正を、制御電圧V2とV4の極性として負をとることができる。この場合、浮上体が固定子の真下に一定のギャップで浮上した時、浮上体の電位をゼロボルトに保つことができるようになる。
【0083】
更に、上記の第1実施例〜第5実施例において、常にゼロボルトが印加される電極に、制御電圧と反対極性の電圧を印加することができる。つまり、本発明の第1実施例(図2)を参考にして説明すると、電極グループ1の2組電極(電極11bと11d)には制御電圧−V1を、電極グループ2の2組電極(電極12bと12d)には制御電圧−V2を、電極グループ3の2組電極(電極13bと13d)には制御電圧−V3を、電極グループ4の2組電極(電極14bと14d)には制御電圧−V4を印加することができる。これにより、浮上体の電位はゼロボルトを保つことになる。本発明の第2実施例〜第5実施例についても同様である。
【0084】
なお、上記の第1実施例〜第5実施例において、各グループを形成する電極の形を本発明の趣旨に基づいて変えたり、また電極の数を増減できることは言うまでもない。
【0085】
また、上記の第1、2、4、5実施例では、各グループを形成する電極の面積が互いに等しい場合を例示したが、異なる面積にするようにしてもよい。
【0086】
更に、上記第3実施例では、各グループにおいて制御電圧が印加される電極と常にゼロボルトが印加される電極の面積が等しい場合を例示したが、異なる面積にすることができることは言うまでもない。
【0087】
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0088】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【0089】
固定子の上に多数の電極を形成し、その電極に制御電圧とゼロボルトを交互に印加することにより、異なる電圧が印加される電極間の境界を数多く形成し、浮上体(特に、ガラスやセラミックスのような誘電体や絶縁体)の全面に渡って強い電界を発生させることができる。
【0090】
これにより、浮上体を短時間で浮上させることが可能であると同時に、浮上剛性や浮上系の安定性を高めることができる。
【0091】
また、このように、電極間の境界を数多く作ることにより、浮上体がその水平方向にずれた場合、浮上体に作用する復元力やその剛性を増加させることができる。
【0092】
これにより、より的確に、制御性よく静電力による浮上体の非接触支持を行うことができる。また、ロボットなどの搬送装置を用いてガラス板などを静電力で浮上させた状態で搬送する場合、短時間で浮上させることが可能であり、更に、水平方向における復元力やその剛性を向上させることができるので、搬送速度を上げることができ、搬送システムの効率や信頼度を高めることができる。
【0093】
このように、本発明は光学機器や、液晶ディスプレイ製造工程、半導体製造工業、精密機械工業などの分野において、導体や半導体は言うまでもなく、誘電体や絶縁体の静電浮上装置、また搬送装置などに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の概略構成図である。
【図2】 本発明の第1実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置における固定子の電極構造及び配線を示す図である。
【図3】 本発明の第2実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の固定子の電極構造及び配線を示す図である。
【図4】 本発明の第3実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の固定子の電極構造及び配線を示す図である。
【図5】 本発明の第4実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の固定子の電極構造及び配線を示す図である。
【図6】 本発明の第5実施例を示す誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置の固定子の電極構造及び配線を示す図である。
【図7】 従来の静電浮上装置の固定子の電極面の平面図である。
【図8】 従来の静電浮上装置での電極構造を用いて導体やシリコンウエハのような半導体を浮上させる場合と、ガラスやセラミックスのような誘電体や絶縁体を浮上させる場合に形成される電界や浮上体表面の電荷の挙動、またその電荷により発生する静電浮上力についての説明図である。
【図9】 従来の静電浮上装置における誘電体や絶縁体の浮上体が電極の真下の位置から水平方向にずれた場合のその水平方向に作用する復元力についての説明図である。
【図10】 本発明に係る誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上に適した固定子電極構造の概念についての説明図である。
【符号の説明】
10,110,210,310,410 固定子
20 浮上体
31,32,33,34 変位センサ
40 制御器
11a〜11d,12a〜12d,13a〜13d,14a〜14d,111a〜111j,112a〜112f,113a〜113j,114a〜114f,211〜214,211aa〜211ae,211ba〜211be,211ca〜211ce,212aa〜212ae,212ba〜212be,212ca〜212ce,213aa〜213ae,213ba〜213be,213ca〜213ce,214aa〜214ae,214ba〜214be,214ca〜214ce,311a〜311d,312a〜312d,313a〜313d,314a〜314d,411a〜411d,412a〜412d,413a〜413d 電極
91〜94,191〜194,291〜294,391〜394,491〜493 変位センサ用穴

Claims (9)

  1. 誘電体や絶縁体からなる浮上体を静電力を用いて浮上させる静電浮上装置において、
    (a)絶縁基板上に複数の電極グループが形成され、該各電極グループは交互に分離されて配置されている複数の電極から形成されている固定子と、
    (b)該固定子に対向する浮上体と、
    (c)前記固定子と前記浮上体とのギャップを検出する変位センサと、
    (d)前記浮上体を安定浮上させるための制御電圧を発生する制御器とを備え、
    (e)前記変位センサを用いて検出した前記浮上体の浮上位置に基づいて前記制御器から作り出した制御電圧と一定直流電圧とを前記各電極グループの交互に分離されて配置されている複数の電極に交互に印加することを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
  2. 請求項1記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記各電極グループを形成する複数の電極は、その面積が互いに異なることを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
  3. 請求項1記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記各電極グループを形成する複数の電極は、その面積が互いに同じであることを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
  4. 請求項1記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記各電極グループを形成する複数の電極には前記浮上体の浮上位置に基づいて作り出した制御電圧とゼロボルトとを交互に印加することを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
  5. 請求項1記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記浮上体の浮上位置に基づいて作り出す制御電圧の極性を、前記浮上体の電位がゼロボルトとなるように選ぶことを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
  6. 請求項3記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記各電極グループを形成するその面積が互いに同じである複数の電極には、前記浮上体の浮上位置に基づいて作り出した制御電圧と、該制御電圧と反対極性の同じ絶対値を有する電圧とが交互に印加され、前記浮上体の電位がゼロボルトとなることを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
  7. 請求項1記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記浮上体は誘電体や絶縁体の板状体であることを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
  8. 請求項7記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記浮上体はガラス板であることを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
  9. 請求項7記載の誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置において、前記浮上体はセラミックス板であることを特徴とする誘電体や絶縁体からなる浮上体の静電浮上装置。
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