JP3964539B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板などの各種被処理基板に対して処理ガスを供給して処理を施すための基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
たとえば、液晶表示装置の製造工程には、ガラス基板の表面に微細なパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程が含まれる。このフォトリソグラフィ工程においては、基板にフォトレジストを塗布する前に、フォトレジストと基板Sとの密着力を高めるための密着強化剤(HMDS:ヘキサメチルジシラザン)が塗布される。
【0003】
図3は、基板に密着強化剤を塗布するための基板処理装置の構成を簡略化して示す断面図である。この基板処理装置には、熱処理プレート90と、この熱処理プレート90の上面とともに処理空間を形成するためのチャンバ91とを備えている。チャンバ91は、下面が開放された箱型に形成されており、チャンバ駆動機構92によって、その下端縁が熱処理プレート90の上面に当接して、熱処理プレート90上に処理空間を形成する閉成状態と、熱処理プレート90から離間して、熱処理プレート1に対する基板Sの受渡しが可能な開成状態との間で昇降されるようになっている。
【0004】
チャンバ91の上面には、処理空間内に密着強化剤のベーパを含む処理ガスを供給するための処理ガス供給管93が接続されている。処理ガス供給管93の途中部には、処理空間内に対して処理ガスを供給/停止するためのエアオペレートバルブ94が介装されている。このエアオペレートバルブ94は、エア供給ライン95に介装された電磁弁96を開閉して、エア供給ライン95からエアを供給/停止することによって開閉される。
【0005】
また、この基板処理装置には、熱処理プレート90に関連して、熱処理プレート90の上方で基板Sを一時的に保持するための保持ピン97が設けられている。保持ピン97は、保持ピン昇降機構98によって昇降されるようになっており、処理すべき基板Sは、熱処理プレート90の上面から突出した状態の保持ピン97上に載置され、その後に保持ピン97が下降することにより、熱処理プレート90上に載置される。
【0006】
熱処理プレート90上に基板Sが載置されると、チャンバ駆動機構93が駆動されて、チャンバ91が閉成状態に変位される。そして、チャンバ91が閉成状態に変位されたことがチャンバ駆動機構93の検出器(たとえば、パルスモータのパルスカウンタまたはシリンダのマグネットセンサなど)によって検出されると、この検出手段から所定の信号が出力され、この信号の出力に応答して、電磁弁96が開成される。これにより、エアオペレートバルブ94にエアが供給されて、エアオペレートバルブ94が開成され、処理空間内に処理ガスが供給される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来装置においては、チャンバ駆動機構93の検出器が動作不良を起こした場合に、チャンバ91が閉成状態でないにもかかわらず、電磁弁96が開成され、エアオペレートバルブ94が開成されるおそれがある。チャンバ91が熱処理プレート1に当接していない状態でエアオペレートバルブ94が開成されると、処理ガス供給管93から吐出される処理ガスが周囲に拡散して、他の装置や作業者などに悪影響を与えるおそれがある。
【0008】
また、上記の従来装置においては、チャンバ91が閉成状態にあることをチャンバ駆動機構93の検出器で確認し、その後にエアオペレートバルブ94を開成させなければならないため、チャンバ91が閉成状態にされてからエアオペレートバルブ94が開成されるまでに時間がかかり、処理タクトが長くなるという問題があった。
【0009】
さらには、チャンバ91、保持ピン97およびエアオペレートバルブ94の各駆動機構を電気的制御によって同期させなければならないので、各駆動機構を制御するための構成が複雑であった。
【0010】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、処理ガスの漏洩をより確実に防止できる基板処理装置を提供することである。
【0011】
また、この発明の他の目的は、処理タクトを向上でき、かつ、制御構成を簡素化できる基板処理装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、容器の開口部を蓋体で閉塞することにより形成される処理空間に基板を収容して処理する基板処理装置であって、上記容器の開口部を上記蓋体で開閉するために、上記容器と上記蓋体とを相対的に接近または離隔させる接離手段と、上記処理空間に処理ガスを供給するためのガス供給手段と、上記接離手段の接離動作と上記ガス供給手段のガス供給動作とを機械的に連動させる連動機構とを含み、上記連動機構は、上記容器と上記蓋体とが相対的に接離されるのに追従して変位する追従変位部材を備え、上記ガス供給手段は、上記追従変位部材によって駆動され、上記処理空間に処理ガスを供給する作動状態と上記処理空間への処理ガスの供給を停止する不作動状態とを切り替えるためのアクチュエータを備え、上記連動機構は、上記接離手段によって上記容器の開口部が上記蓋体で閉塞された後に、上記ガス供給手段のガス供給動作を開始させ、上記容器の開口部から上記蓋体が離間される前に、上記ガス供給手段のガス供給動作を停止させるものであり、上記追従変位部材は、上記接離手段によって上記容器の開口部が上記蓋体で閉塞されて、上記容器と上記蓋体との相対的な接近動作が終了した後さらに、上記アクチュエータに近づく方向に変位して、上記不作動状態から上記作動状態に切り替わるように上記アクチュエータを駆動し、上記容器の開口部から上記蓋体が離間されるときには、その離間に先立って、上記アクチュエータから離れる方向に変位して、上記作動状態から上記不作動状態に切り替わるように上記アクチュエータを駆動することを特徴とする基板処理装置である。
【0013】
この構成によれば、接離手段の接離動作とガス供給手段のガス供給動作とが、連動機構によって機械的に連動されるので、接離手段およびガス供給手段をそれぞれ所定のタイミングで動作させるための制御シーケンスが不要となる。これにより、制御構成を簡素化することができる。
なお、請求項2に記載されているように、上記ガス供給手段は、上記処理空間に処理ガスを供給するための処理ガス供給管と、この処理ガス供給管の途中部に介装され、上記処理空間への処理ガスの供給を開始/停止させるために開閉されるエアオペレートバルブと、このエアオペレートバルブに対する作動用のエアの供給を開始/停止させるためのエア供給スイッチとを備え、上記アクチュエータは、上記エア供給スイッチに備えられていてもよい。
【0014】
請求項3記載の発明は、上記連動機構は、少なくとも、上記接離手段によって上記容器の開口部から上記蓋体が離間されて、上記開口部が開成されている状態のときには、上記ガス供給手段のガス供給動作を禁止させるものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置である。
【0015】
この構成によれば、請求項1記載の構成による効果に加えて、容器の開口部が開成されている状態で、ガス供給手段のガス供給動作が行われることがないから、容器からの処理ガスの漏洩を確実に防止することができ、装置の安全性をより向上させることができる。
【0016】
また、容器の開口部が閉成されているか否かをセンサで検知する必要がないから、装置の処理タクトを向上させることができる。
【0018】
請求項4記載の発明は、上記基板が上記処理空間内の所定の処理位置に配置されるように基板を変位させるための基板変位手段と、上記接離手段の接離動作と上記基板変位手段の基板変位動作とを機械的に連動させる基板変位連動機構とをさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置である。
【0019】
この構成によれば、接離手段の接離動作およびガス供給手段のガス供給動作に加えて、接離手段の接離動作を連動機構によって連動させることができるので、接離手段のための制御シーケンスが不要になり、制御構成をさらに簡素化することができる。
【0020】
たとえば、上記連動機構は、上記容器と蓋体とが相対的に近接/離間されるのに追従して変位する追従変位部材を含み、上記ガス供給手段は、上記容器と蓋体とが近接される過程において、上記追従変位部材により作動状態とされて処理ガスの供給を開始するものであってもよい。また、この場合に、上記開口部が閉成された状態から上記容器と蓋体とが離隔される過程において、上記追従変位部材によって上記ガス供給手段が不作動状態とされて処理ガスの供給が停止されることが好ましい。たとえば、上記ガス供給手段は、上記追従変化部材によって駆動され、上記作動状態と不作動状態とを切り換えるためのアクチュエータを含むものであってもよい。さらに具体的には、上記ガス供給手段は、上記アクチュエータの駆動によって、処理ガス供給路を開閉する弁機構であってもよい。
【0021】
また、上記基板変位連動機構は、たとえば、基板を支持する基板支持部材と、上記追従変化部材と上記基板支持部材とを連結する連結部材とを含むものであってもよい。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の一実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0023】
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を簡略化して示す断面図である。この基板処理装置は、液晶表示装置用ガラス基板などの基板Sにレジスト密着強化剤を塗布するための装置であり、基板Sの周囲を密着強化剤としてのHMDS(ヘキサメチルジシラザン)ベーパを含む処理ガスで充満させることにより、基板Sの表面にHMDSを付着させる構成となっている。
【0024】
この基板処理装置は、基板Sを加熱するためのホットプレート1を備えている。ホットプレート1は、たとえば面状ヒータなどの加熱手段を内蔵しており、その上面に基板Sが載置されるようになっている。ホットプレート1の上方には、ホットプレート1とともに処理空間2を形成するためのチャンバ3が備えられている。チャンバ3は、平面視における面積がホットプレート1よりも小さく形成された天板31と、この天板31の周縁から垂下した周側板32とを含んでおり、周側板32の下端がホットプレート1の上面に当接して、ホットプレート1との間に処理空間2を形成する閉成状態と、ホットプレート1の上方に大きく離間した開成状態との間で昇降されるようになっている。なお、周側板32の下端には通常、Oリングなどのシール部材(図示せず)が取付けられており、実際には、このシール部材がホットプレート1の上面に密着して当接し、処理空間2外に密着強化剤が漏洩するのを防止している。
【0025】
チャンバ3の天板31には、処理空間2内に処理ガスを供給するための処理ガス供給管41が接続されている。この処理ガス供給管41の途中部には、処理空間2内への処理ガスの供給を開始/停止するために開閉されるエアオペレートバルブ42が介装されている。このエアオペレートバルブ42は、エア供給ライン43に介装されたエア供給スイッチ44によって、エア供給ライン43からのエアの供給を開始/停止することによって開閉される。なお、エア供給スイッチ44は、アクチュエータ44Aの上下動に伴って、エア供給ライン43の途中部に介装された弁が開閉する機械式のスイッチである。
【0026】
また、チャンバ3の天板31には、処理空間2内の雰囲気を吸気するための排気管51が接続されている。この排気管51は、図外の吸気装置などに接続されており、その途中部には、たとえば電磁弁で構成することができる減圧用バルブ52が介装されている。また、排気管51には、天板31と減圧用バルブ52との間において置換ガス供給管53が分岐接続されている。置換ガス供給管53には、置換ガスとしての不活性ガス、たとえば窒素ガスが供給されるようになっており、その途中部には、たとえば電磁弁で構成することができる減圧解除バルブ54が介装されている。この構成により、チャンバ3が閉成状態で、減圧解除バルブ54を閉成して減圧用バルブ52を開成することにより、処理空間2内を減圧することができる。また、この後、減圧用バルブ52を閉成して減圧解除バルブ54を開成することにより、処理空間2内に窒素ガスを供給して、処理空間2内の圧力を大気圧に戻し、減圧状態を解除することができる。
【0027】
この基板処理装置にはさらに、ホットプレート1に関連して、ホットプレート1の上方で基板Sを一時的に保持するための複数本の保持ピン6が設けられている。これらの保持ピン6は、ホットプレート1に形成された孔11を介して、その先端がホットプレート1の上面から突出した状態とホットプレート1の下方に退避した状態との間で昇降されるようになっている。未処理の基板Sは、図示しない搬送ロボットによってホットプレート1の上方に搬送されてきて、ホットプレート1の上面から突出した状態の複数本の保持ピン6上に載置される。そして、保持ピン6が下降して、保持ピン6の先端がホットプレート1の下方に退避すると、保持ピン6上の基板Sがホットプレート1上に移載される。
【0028】
チャンバ3、エアオペレートバルブ42および複数本の保持ピン6は、連動機構7によって連動して動作されるようになっている。連動機構7は、チャンバ3および保持ピン6を昇降させるための駆動力を発生するエアシリンダ71と、このエアシリンダ71によって鉛直方向に沿って昇降される昇降部材72とを備えている。
【0029】
昇降部材72の上端には、図1の左右方向に沿って水平に延びたアーム73が連結されている。アーム73の左端部には、鉛直下方に向けて延びた連結棒74が取り付けられている。連結棒74は、チャンバ3の天板31の上面に固定された固定板75に摺動可能に挿通されており、その下端には、固定板75から抜けないように係合片76が取り付けられている。また、連結棒74には、アーム73と固定板75との間に、スプリング77が巻装されている。
【0030】
昇降部材72の下端には、水平面に沿って延びたベース板78が連結されている。ベース板78の上面には、複数本の保持ピン6が上方に向けて立設されている。上記の構成により、エアシリンダ71を動作させて、昇降部材72を昇降させると、この昇降に伴ってアーム73およびベース板78が昇降し、その結果、チャンバ3および保持ピン6を同時に昇降させることができる。
【0031】
なお、昇降部材72の長さは、昇降部材72を下降させてチャンバ3を下降させる過程において、チャンバ3の周側板32の下端がホットプレート1の上面に当接した時に、基板Sがチャンバ3の天板31の下方に位置するような長さに設定されている。
【0032】
また、エア供給スイッチ44の配置および連結棒74の長さは、チャンバ3の周側板32の下端がホットプレート1の上面に当接した時に、アーム73とエア供給スイッチ44のアクチュエータ44Aとが一定距離Dだけ離れるように設定されている(図1(b) 参照)。これにより、チャンバ3がホットプレート1に当接した後に、昇降部材72をさらに下降させて、スプリング77の弾性力に抗してアーム73を固定板75に一定距離Dだけ近接させると、アーム73がエア供給スイッチ44のアクチュエータ44Aを押下して、エア供給ライン43からエアオペレートバルブ42にエアが供給される。
【0033】
図2は、この基板処理装置の動作タイミングを示すタイミングチャートである。未処理の基板Sは、図示しない搬送ロボットによって、この基板処理装置に搬送されてくる。このとき、チャンバ3は、ホットプレート1から大きく離間した開成状態になっている。また、複数本の保持ピン6は、ホットプレート1の上面から突出した状態になっており、搬送されてくる基板Sは、保持ピン6上に載置される(図1(a) 参照)。
【0034】
保持ピン6上に基板Sが載置されると、エアシリンダ71が駆動されて昇降部材72が下降され、この昇降部材72の下降に伴って、チャンバ3および保持ピン6が下降する。そして、チャンバ3および保持ピン6が下降する過程で、保持ピン6の先端がホットプレート1の上面よりも下方に達すると、保持ピン6上の基板Sがホットプレート1上に移載される。その後、昇降部材72の下降がさらに続けられると、チャンバ3の周側板32の下端がホットプレート1の上面に当接して、チャンバ3が閉成状態となり(t1)、基板Sの周囲を取り囲む処理空間2が形成される(図1(b) 参照)。
【0035】
チャンバ3が閉成状態になった後、エアシリンダ71の駆動がさらに続けられると、昇降部材72の上端に取り付けられたアーム73は、スプリング77の弾性力に抗して下方へと移動される。その結果、固定板75に作用するスプリング77の付勢力が増して、チャンバ3がホットプレート1の上面に強く押し付けられ、処理空間2内がほぼ密閉された状態となる。
【0036】
また、チャンバ3が閉成状態になった後、エアシリンダ71の駆動がさらに続けられて、アーム73がアーム73の位置を検出するための第1位置センサ55の位置に到達すると、この第1位置センサ55からオン信号が出力される。そして、この第1位置センサ55からのオン信号の出力に応答して、減圧用バルブ52が開成される(t2)。このとき、減圧解除バルブ54は閉成されており、減圧用バルブ52が開成されることによって、処理空間2内の雰囲気が排気される。そして、処理空間2内がほぼ密閉された状態で、処理空間2内の雰囲気が排気されることにより、処理空間2内は減圧されていく。なお、第1位置センサ55は、たとえば、フォトセンサや電気式スイッチなどで構成することができる。
【0037】
その後、チャンバ3がホットプレート1に当接してからアーム73が一定距離Dだけ下降されて、昇降部材72が最下方位置に到達すると、アーム73によってエア供給スイッチ44のアクチュエータ44Aが押下される。これにより、エア供給ライン43からエアオペレートバルブ42にエアが供給され、エアオペレートバルブ42が開成されて、減圧状態の処理空間2内に処理ガス供給管41から処理ガスが供給される(t3)。こうして、処理空間2内は処理ガスによって充満された状態となり、ホットプレート1上に載置された基板Sの表面にHMDSが付着していく。
【0038】
予め設定された処理時間だけ処理ガスを処理空間2内に供給することにより基板Sに対する処理が終了すると、エアシリンダ71が駆動されて、昇降部材72が上昇される。これにより、エア供給スイッチ44のアクチュエータ44Aからアーム73が離れて、エアオペレートバルブ42へのエアの供給が停止され、処理空間2への処理ガスの供給が停止される(t4)。
【0039】
その後、アーム73がさらに上昇して、アーム73が第1位置センサ55よりも下方に設けられた第2位置センサ56の位置に到達すると、この第2位置センサ56からオン信号が出力される。この第2位置センサ56からのオン信号の出力に応答して、減圧用バルブ52が閉成されるとともに、減圧解除バルブ54が開成される(t5)。これにより、処理空間2内には、処理ガス雰囲気が排気された後に窒素ガスが供給され、処理空間2内の雰囲気が窒素ガスにより置換される。なお、第2位置センサ56は、たとえば、フォトセンサや電気式スイッチなどで構成することができる。
【0040】
こうして処理空間2内の雰囲気が窒素ガスに置換された後、アーム73がさらに上昇して、アーム73が第1位置センサ55の位置に到達し、第1位置センサからオン信号が再び出力されると、減圧解除バルブ54が閉成されて、処理空間2内への窒素ガスの供給が停止される(t6)。
【0041】
その後、アーム73がさらに上昇すると、係合片76が固定板75に係合して、アーム73の上昇に伴って固定板75が持ち上げられる。これにより、チャンバ3が、ホットプレート1から離間して開成状態にされる(t7)。また、チャンバ3の上昇に伴って、保持ピン6が上昇して、基板Sがホットプレート1上から離間される。そして、図示しない搬送ロボットによって、保持ピン6上の処理済みの基板Sが搬出される。
【0042】
以上のように本実施形態によれば、エアシリンダ71によって昇降部材72を昇降させることにより、それぞれ所定のタイミングでチャンバ3、エアオペレートバルブ42および複数本の保持ピン6が動作される。すなわち、チャンバ3、エアオペレートバルブ42および複数本の保持ピン6は、連動機構7によって機械的に連動されるようになっており、基板Sが保持ピン6上からホットプレート1上に移載され、チャンバ3が閉成されてから所定時間(t1−t3)が経過した後に、エアオペレートバルブ42が開成されて、処理空間2内への処理ガスの供給が開始される。また、エアオペレータ42が閉成されてから所定時間(t4−t7)が経過した後に、チャンバ3が開成される。これにより、チャンバ3が開成している状態で、エアオペレートバルブ42が開成されて、処理ガス供給管41から処理ガスが吐出されるといったことがないので、チャンバ3からの処理ガスの漏洩を確実に防止することができ、装置の安全性をより向上させることができる。
【0043】
また、チャンバ3、エアオペレートバルブ42および複数本の保持ピン6を動作させるための制御シーケンスが不要であるから、制御構成を簡素化することができる。さらに、チャンバ3が閉成されているか否かをセンサで検知する必要がないから、この基板処理装置の処理タクトを向上させることができる。
【0044】
この発明の一実施形態の説明は以上のとおりであるが、この発明は、上述の一実施形態に限定されるものではない。たとえば、上述の実施形態においては、蓋体としてのホットプレート1と容器としてのチャンバ3とによって処理空間2が形成されるとしているが、上面が開放された容器状の処理カップ内にホットプレートが設置され、この処理カップの上面を蓋体で閉塞することによって処理空間が形成されてもよい。
【0045】
さらに、上述の実施形態では、基板を加熱しつつ処理ガスを施すためにホットプレートが採用されているが、基板を常温下で処理する場合には、ホットプレートに代えてクールプレートが採用されてもよい。
【0046】
また、上述の実施形態においては、基板に対してレジスト密着強化剤を塗布するための装置について説明したが、この発明は、基板に対して処理ガスを供給して処理を施す装置に広く適用することができる。たとえば、イオンを含むエッチングガスを基板に供給して処理を施す装置、オゾンを含むアッシングガスを基板に供給して処理を施す装置または酸素を含む高温の熱処理ガスを基板に供給して処理を施す装置に適用することができる。
【0047】
さらに、上述の実施形態では、処理が施されるべき基板として、液晶表示装置用ガラス基板を取り上げたが、フォトマスク用ガラス基板や半導体ウエハなど他の種類の基板であってもよい。
【0048】
その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲内で、種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を簡略化して示す断面図である。
【図2】この基板処理装置の動作タイミングを示すタイミングチャートである。
【図3】従来の基板処理装置の構成を簡略化して示す断面図である。
【符号の説明】
1 ホットプレート(蓋体)
2 処理空間
3 チャンバ(容器)
41 処理ガス供給管(ガス供給手段)
42 エアオペレートバルブ(ガス供給手段)
43 エア供給ライン(ガス供給手段)
44 エア供給スイッチ(ガス供給手段)
44A アクチュエータ
6 保持ピン(基板変位手段、基板支持部材)
7 連動機構
71 エアシリンダ(接離手段)
72 昇降部材(接離手段、連結部材)
73 アーム(追従変位部材)
74 連結棒
75 固定板
76 係合片
77 スプリング
78 ベース板(基板支持部材)
Claims (4)
- 容器の開口部を蓋体で閉塞することにより形成される処理空間に基板を収容して処理する基板処理装置であって、
上記容器の開口部を上記蓋体で開閉するために、上記容器と上記蓋体とを相対的に接近または離隔させる接離手段と、
上記処理空間に処理ガスを供給するためのガス供給手段と、
上記接離手段の接離動作と上記ガス供給手段のガス供給動作とを機械的に連動させる連動機構とを含み、
上記連動機構は、上記容器と上記蓋体とが相対的に接離されるのに追従して変位する追従変位部材を備え、
上記ガス供給手段は、上記追従変位部材によって駆動され、上記処理空間に処理ガスを供給する作動状態と上記処理空間への処理ガスの供給を停止する不作動状態とを切り替えるためのアクチュエータを備え、
上記連動機構は、上記接離手段によって上記容器の開口部が上記蓋体で閉塞された後に、上記ガス供給手段のガス供給動作を開始させ、上記容器の開口部から上記蓋体が離間される前に、上記ガス供給手段のガス供給動作を停止させるものであり、
上記追従変位部材は、上記接離手段によって上記容器の開口部が上記蓋体で閉塞されて、上記容器と上記蓋体との相対的な接近動作が終了した後さらに、上記アクチュエータに近づく方向に変位して、上記不作動状態から上記作動状態に切り替わるように上記アクチュエータを駆動し、上記容器の開口部から上記蓋体が離間されるときには、その離間に先立って、上記アクチュエータから離れる方向に変位して、上記作動状態から上記不作動状態に切り替わるように上記アクチュエータを駆動することを特徴とする基板処理装置。 - 上記ガス供給手段は、上記処理空間に処理ガスを供給するための処理ガス供給管と、この処理ガス供給管の途中部に介装され、上記処理空間への処理ガスの供給を開始/停止させるために開閉されるエアオペレートバルブと、このエアオペレートバルブに対する作動用のエアの供給を開始/停止させるためのエア供給スイッチとを備え、
上記アクチュエータは、上記エア供給スイッチに備えられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 上記連動機構は、少なくとも、上記接離手段によって上記容器の開口部から上記蓋体が離間されて、上記開口部が開成されている状態のときには、上記ガス供給手段のガス供給動作を禁止させるものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 上記基板が上記処理空間内の所定の処理位置に配置されるように基板を変位させるための基板変位手段と、
上記接離手段の接離動作と上記基板変位手段の基板変位動作とを機械的に連動させる基板変位連動機構とをさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12246598A JP3964539B2 (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12246598A JP3964539B2 (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11317337A JPH11317337A (ja) | 1999-11-16 |
JP3964539B2 true JP3964539B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=14836536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12246598A Expired - Fee Related JP3964539B2 (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3964539B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128412A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Hirata Corp | 密着強化処理装置 |
KR102277542B1 (ko) * | 2014-08-01 | 2021-07-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
1998
- 1998-05-01 JP JP12246598A patent/JP3964539B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11317337A (ja) | 1999-11-16 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050415 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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