JP3945233B2 - 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、接合型電界効果トランジスタ(JFET:Junction Field Effect Transistor)およびその製造方法に関し、より具体的には、チャネル領域の形成が容易なJFETおよびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図6は、従来のSiCを用いて形成したJFETを示す断面図である。図6において、SiC基板101の上にp導電型SiC膜102が成膜され、その上にチャネル領域105を含むn導電型SiC膜103が形成されている。チャネル領域105の両側には、平面的に見てそのチャネル領域を挟むように溝109によって隔てられてソース、ドレイン領域106が配置されている。ソース、ドレイン領域のそれぞれにソース電極Sとドレイン電極Dが設けられている。また、ゲート電極GはSiC基板101の上に設けられている。しかし、p導電型SiC膜2を、平面的に見てソース、ドレインの両側に延長して、そのp導電型SiC膜の上にゲート電極を配置してもよい。
【0003】
上記のJFETを用いることにより、耐圧性能に優れた高速作動のJFETを得ることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図6の従来のJFETでは、n導電型SiC層103およびn+導電型SiC層106をRIE(Reactive Ion Etching)法によりエッチングして溝109を設ける。この溝109の底面とp導電型SiC膜102との間の厚さtが、チャネル領域の厚さとなる。このチャネル厚さは高精度を要し、精度よくRIEを行うことは容易ではない。RIEエッチングのばらつきが大きい場合には、チャネル厚さのばらつきは設計の許容範囲を超える場合がある。このため、オン抵抗に大きなばらつきを生じたり、チャネル領域の厚さを非常に薄くするノーマリーオフ型のJFETを製造できない場合を生じる。この結果、製造歩留りが低下して、製造コストが上昇してしまう。
【0005】
本発明は、RIEエッチングを行い溝深さ寸法にばらつきを生じても、オン抵抗に大きな変動を生じず、また、ノーマリーオフ型のJFETの製造が容易なJFETおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明のJFETは、平面的に見てソース、ドレイン領域の間に位置する溝を有し、その溝の底部に接して位置する第1導電型のチャネル領域と、その下に接して位置する第2導電型半導体層を備えるJFETである。このJFETでは、チャネル領域が、下側の層のチャネル下部層と、チャネル下部層の上に接して位置し、チャネル下部層の第1導電型不純物濃度よりも低濃度の第1導電型不純物を含むチャネル上部層とを備え、溝はその底部がチャネル上部層内に位置するように設けられている。
【0007】
この構成によれば、溝は不純物濃度が低いチャネル上部層内にとどまる。チャネル領域は、高不純物濃度のチャネル下部層と低不純物濃度のチャネル上部層とで構成される。高不純物濃度のチャネル下部層の電気抵抗R1は小さく、低不純物濃度のチャネル上部層の電気抵抗R2は大きい。これらチャネル上部層およびチャネル下部層は、電気的に並列に配置されているとみることができる。
【0008】
この並列回路の合成抵抗Rとするとき、R=(R1・R2)/(R1+R2)とできる。今、R2≫R1であるから、分母の(R1+R2)≒R2とすることができる。
これを合成抵抗の式に代入すると、合成抵抗R≒R1と求めることができる。すなわち、合成抵抗は、高抵抗値(低濃度不純物層の抵抗)の値に依存しない。これは、合成抵抗は、溝底部がチャネル上部層内にとどまる限りまたはチャネル上部層を貫通してもチャネル下部層内に入らない限り、その溝底部の位置によらずほぼ一定の抵抗値を示すことを意味する。換言すれば、オン電流は低抵抗の部分、すなわちチャネル下部層のみを主に流れる。この結果、加工精度に依存することなく、一定のオン抵抗を得ることが可能となる。上記の近似計算は非常に粗い近似であるが、チャネル時のオン抵抗の評価として適切なものである。
【0009】
この結果、たとえばRIE(Reactive Ion Etching)によりチャネル形成の溝を形成する場合、溝底部がチャネル上部層にとどまるかぎり(チャネル上部層を貫通してチャネル下部層に入らない場合も含む)溝深さにばらつきがあっても、チャネル抵抗(オン抵抗)をほとんど同一に揃えることができる。この効果は、従来の構成ではチャネル厚さを微小に管理する必要があるノーマリーオフ型のJFETを形成する場合にとくに有効である。すなわち、低不純物濃度のチャネル上部層では不純物濃度に逆比例して空乏層が成長しやすいので、多少のチャネル厚さのばらつきがあっても、ノーマリーオフ型JFETを容易に実現することが可能となる。
【0010】
また、空乏層が低不純物濃度のチャネル上部層内で容易に成長するので、上記の溝深さのばらつきがあっても、オフ電圧をほぼ一定にすることができる。
【0011】
なお、「溝の底部がチャネル上部層内に位置する」とは、溝がチャネル上部層を貫通して、チャネル下部層に入らない場合を含むことを意味する。以後の説明においても同様である。
【0012】
本発明の第2の局面のJFETは、SiC基板の上に形成された第2導電型SiC層と、第2導電型SiC層の上に形成された第1導電型SiC層(チャネル下部層)と、第1導電型SiC層の上に形成され、第1導電型SiC層の濃度よりも低濃度の第1導電型不純物を含む低濃度第1導電型SiC層(チャネル上部層)とを備える。このJFETは、さらに、低濃度第1導電型SiC層(チャネル上部層)の上に形成され、低濃度第1導電型SiC層の濃度より高濃度の第1導電型不純物を含む高濃度第1導電型SiC層と、高濃度第1導電型SiC層の上に形成され、低濃度第1導電型SiC層より高濃度の第1導電型不純物を含み、その上にソース電極またはドレイン電極が配置されるソース・ドレイン領域とを備え、低濃度第1導電型SiC層中に届く溝が、高濃度第1導電型SiC層およびソース・ドレイン領域を貫通して設けられている(請求項1)。
【0013】
この構成によれば、溝を挟んでソース、ドレイン領域が形成され、溝の下にチャネル領域が形成される。このJFETでは、たとえばRIEによる溝のエッチングにおける加工精度の許容範囲を拡大することができる。この結果、製造歩留りや製造能率を向上させることができる。また、チャネル厚さのばらつき許容範囲が拡大するので、ノーマリーオフ型JFETを製造しやすくなる。さらに、オン抵抗をほぼ揃えることができる。なお、低濃度第1導電型SiC層(チャネル上部層)中に届く溝とは、チャネル上部層内にその底面を有する溝をいい、最も深くてもチャネル上部層を貫通しチャネル下部層には入らない。
【0014】
さらに、この構成によれば、ソース領域からチャネル領域を経てドレイン領域にいたる経路をn-導電型の低濃度領域で構成せず、それより高濃度の領域を含むようにできる。
この結果、オン抵抗を減らすことができる。なお、上記の高濃度第1導電型SiC層は、たとえばソース、ドレイン領域の下に配置することができる。
【0015】
上記第2の局面のJFETでは、高濃度第1導電型SiC層の第1導電型不純物濃度が、第1導電型SiC層の第1導電型不純物濃度よりも高いようにできる(請求項2)。
【0016】
この構成によれば、ソース領域からチャネル領域を経てドレイン領域にいたる経路をn-導電型の低濃度領域のみで構成せずに、それより高濃度の領域も含むようにできる。この結果、オン抵抗を低下させることが可能になる。さらに、チャネル溝端面の電界を緩和することができるので、JFETの耐圧性能を向上させることができる。
【0017】
上記JFETでは、溝の底部と第2導電型SiC層の上面との厚さを、第1導電型SiC層および低濃度第1導電型SiC層の第1導電型不純物濃度、第2導電型SiC層の第2導電型不純物濃度、および第1導電型SiC層と第2導電型SiC層との接合部の拡散電位で決まる空乏層の厚さよりも薄くできる(請求項3)。
【0018】
この構成によれば、チャネル領域の主要部分は低濃度不純物層で構成される。
このため、ノーマリーオフ型JFETをオン抵抗を揃えて安定して容易に形成することができる。
【0020】
半導体を実質的にSiCとする構成により、大電力のスイッチング素子に適した高耐圧で、高速作動のJFETを得ることができる。
【0021】
本発明のJFETの製造方法は、平面的に見てソース、ドレイン領域の間に位置する溝を有し、その溝の底部に接して位置する第1導電型のチャネル領域と、その下に接して位置する第2導電型SiC層を備えるJFETの製造方法である。この製造方法は、SiC基板の上またはSiC基板表層に第2導電型SiC層を形成する工程と、第2導電型SiC層の上にチャネル領域の下部層となる第1導電型SiC層を形成する工程と、第1導電型SiC層の上に、第1導電型SiC層の濃度よりも低濃度の第1導電型不純物を含み、チャネル領域の上部層となる低濃度第1導電型SiC層を形成する工程と、低濃度第1導電型SiC層の上に、低濃度第1導電型SiC層の濃度より高濃度の第1導電型不純物を含む高濃度第1導電型SiC層を配置する工程と、高濃度第1導電型SiC層の上に、低濃度第1導電型SiC層の濃度より高濃度の第1導電型不純物を含み、その上にソース電極またはドレイン電極が配置されるソース・ドレイン領域を形成する工程と、高濃度第1導電型SiC層およびソース・ドレイン領域を貫通して、低濃度第1導電型SiC層中に届く溝を設ける工程とを備える(請求項4)。
【0022】
上記製造方法により、RIEなどのエッチングにより上記溝を設ける際に、少々溝深さがばらついても、溝底部がチャネル領域の下部層に入らない限り、チャネル抵抗およびオフ電圧をほぼ一定に保つことができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【0024】
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるJFETを示す断面図である。図1において、SiC基板1の上にp+導電型SiC膜が設けられ、その上にゲート電極Gが設けられている。2つのゲート電極に挟まれるように、n導電型SiC層(チャネル下部層)3aが形成され、その上に溝9の底部がとどまっている低濃度のn導電型不純物を含むチャネル上部層3bが形成されている。チャネル領域5は、チャネル上部層3bとチャネル下部層3aに含まれる。チャネル上部層3bの上にはそれらより高濃度のn導電型不純物を含むソース、ドレイン領域4が設けられ、その上にソース電極Sおよびドレイン電極Dが配置される。本実施の形態では、オン抵抗を低下させる高濃度n導電型層をソース、ドレイン領域の下に配置していない。しかし、オン抵抗低減のために、ソース、ドレイン領域4と、チャネル上部層3bとの間に、チャネル上部層のn導電型不純物濃度よりも高濃度の不純物を含む高濃度n導電型層を配置してもよい。
【0025】
このJFETでは、p+導電型SiC層2はSiCにイオン注入法によってSiC基板に形成したものであってもよい。また、SiC基板上に形成されたn導電型半導体層にp導電型不純物をイオン注入法によって不純物を導入してp+導電型半導体層としてもよい。また、上記p+導電型SiC層2は、SiC基板にエピタキシャルSiC膜を成長させながらp導電型不純物を導入することにより形成してもよい。
【0026】
図1のJFETの製造は、まず、p+導電型SiC層2をSiC基板上に形成する。次いで、順次、n導電型SiC3aとn-導電型SiC層3bを形成する。その上に、溝を作製する部分を挟むようにn+導電型ソース、ドレイン層を形成する。次いで、ソース、ドレイン電極を作製する前に、ソース、ドレイン領域を分けるように溝9を形成し、その底部を低濃度不純物のチャネル上部層にとどめるようにする。
【0027】
上記の構成によれば、溝エッチングの際に溝深さにばらつきがあっても、ほぼ一定のオン抵抗を得ることができる。また、ノーマリーオフ型JFETを容易に得ることが可能になる。
【0028】
図2は、本発明の実施の形態1におけるJFETの変形例を示す断面図である。図2においては、ゲート電極GはSiC基板の上に設けられている。SiC基板1の導電型によっては、SiC基板1とp+導電型SiC層との間に空乏層を生じ、所定電圧をp+導電型SiC層2とチャネル下部層3aとの接合部に印加するのに、より大きい電圧をゲート電極に印加する場合もあるが、良好な制御性のゲート電極を得ることができる。
【0029】
また、図3は、本発明の実施の形態1におけるJFETのさらに別の変形例を示す断面図である。このJFETでは、バックゲート電極を用いている。このバックゲート電極を用いると、SiC基板1とp+導電型SiC層との間に空乏層を生じ、所定電圧をp+導電型SiC層2とチャネル下部層3aとの接合部に印加するのに、より大きい電圧をゲート電極に印加する必要がある場合もある。しかし、2次元的に小型化するのに有効である。
【0030】
また、上記図1〜図3のいずれの場合でも、溝底部と第2導電型半導体層の上面との間の厚さを、第1導電型半導体層と第2導電型半導体層との接合部の拡散電位で決まる空乏層の厚さよりも薄くすることによりノーマリオフ型のJFETを構成することができる。第1導電型半導体層の第1導電型不純物濃度が、第2導電型半導体層の第2導電型不純物濃度よりも低いほど空乏層は第1導電型半導体層の側に延びる。本実施の形態におけるチャネル領域の主要部分は低濃度不純物層で構成されるので、チャネル領域の厚さをそれほど薄くしなくても拡散電位による空乏層でその厚さを遮断することができる。この結果、ノーマリーオフ型JFETをオン抵抗を揃えて安定して容易に形成することができる。
【0031】
(実施の形態2)
図4は、本発明の実施の形態2におけるJFETを示す断面図である。このJFETでは、低不純物濃度のチャネル上部層3bの上に、それより高濃度のn導電型不純物を含む高濃度n導電型層7が配置されている。チャネル上部層3b内には、溝9の底面がとどまり、上述の理由によりRIEにおけるエッチング精度の許容度を拡大することができる。また、高濃度n導電型層7では、上述のように、チャネル上部層3bの不純物濃度より高濃度の不純物を含むが、チャネル下部層3aの不純物濃度と同程度かまたはそれより高濃度の不純物を含んでもよい。
【0032】
このため、ソース領域4からチャネル領域5を経て、ドレイン領域にいたる経路の電気抵抗を低下させることができる。この結果、オン抵抗を低下することができる。
【0033】
(実施例)
図5(b)に示す本発明例のJFETと、図5(a)に示す従来のJFETの比較例とについて、チャネル抵抗(オン抵抗)とオフ電圧を測定した。設計通りにエッチングした場合、本発明例では溝の底はチャネル上部層3bの下まで伸びている。すなわち、チャネル上部層3bを貫通し、チャネル下部層3aに到達している。また、+20%厚では、溝底部は、0.3μmの20%、すなわち0.06μmだけチャネル上部層3bの側に位置する。本発明例および比較例ともに、チャネル長さは10μmであり、奥行きは500μmである。結果は、次に示す通りである。
【0034】
【表1】
【0035】
【表2】
【0036】
上記の結果は、チャネル抵抗およびオフ電圧ともに、本発明例のJFETでは、エッチング深さが20%程度ばらついても、ほぼ一定に維持できることが分かる。
【0037】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【0038】
【発明の効果】
本発明のJFETを用いることにより、たとえばRIEエッチングを行ってチャネル領域の上の溝の形成に際して溝深さ寸法にばらつきを生じても、オン抵抗に大きな変動を生じず、また、ノーマリーオフ型のJFETの製造が容易なJFETを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1におけるJFETの断面図である。
【図2】 本発明の実施の形態1におけるJFETの変形例の断面図である。
【図3】 本発明の実施の形態1におけるJFETのさらに別の変形例の断面図である。
【図4】 本発明の実施の形態2におけるJFETの断面図である。
【図5】 本発明の実施例および比較例のJFETの部分図である。(a)は比較例を、また(b)は本発明例を示す。
【図6】 従来のJFETを示す断面図である。
【符号の説明】
1 SiC基板、2 p+導電型SiC層、3a チャネル下部層(n導電型SiC層)、3b チャネル上部層(n-導電型SiC層)、7 高濃度n導電型層(n導電型SiC層)、4 ソース、ドレイン領域、5 チャネル領域(溝下部)、9 溝、S ソース電極、D ドレイン電極、G ゲート電極。
Claims (4)
- SiC基板の上に形成された第2導電型SiC層と、
前記第2導電型SiC層の上に形成された第1導電型SiC層と、
前記第1導電型SiC層の上に形成され、前記第1導電型SiC層の濃度よりも低濃度の第1導電型不純物を含む低濃度第1導電型SiC層と、
前記低濃度第1導電型SiC層の上に形成され、前記低濃度第1導電型SiC層の濃度より高濃度の第1導電型不純物を含む高濃度第1導電型SiC層と、
前記高濃度第1導電型SiC層の上に形成され、前記低濃度第1導電型SiC層より高濃度の第1導電型不純物を含み、その上にソース電極またはドレイン電極が配置されるソース・ドレイン領域とを備え、
前記低濃度第1導電型SiC層中に届く溝が、前記高濃度第1導電型SiC層および前記ソース・ドレイン領域を貫通して設けられている、接合型電界効果トランジスタ。 - 前記高濃度第1導電型SiC層の第1導電型不純物濃度が、前記第1導電型SiC層の第1導電型不純物濃度よりも高い、請求項1に記載の接合型電界効果トランジスタ。
- 前記溝の底部と前記第2導電型SiC層の上面との厚さが、前記第1導電型SiC層および前記低濃度第1導電型SiC層の第1導電型不純物濃度、前記第2導電型SiC層の第2導電型不純物濃度、および前記第1導電型SiC層と前記第2導電型SiC層との接合部の拡散電位で決まる空乏層の厚さよりも薄い、請求項1または2に記載の接合型電界効果トランジスタ。
- 平面的に見てソース、ドレイン領域の間に位置する溝を有し、その溝の底部に接して位置する第1導電型のチャネル領域と、その下に接して位置する第2導電型SiC層を備える接合型電界効果トランジスタの製造方法であって、
SiC基板の上またはSiC基板表層に第2導電型SiC層を形成する工程と、
前記第2導電型SiC層の上に前記チャネル領域の下部層となる第1導電型SiC層を形成する工程と、
前記第1導電型SiC層の上に、前記第1導電型SiC層の濃度よりも低濃度の第1導電型不純物を含み、前記チャネル領域の上部層となる低濃度第1導電型SiC層を形成する工程と、
前記低濃度第1導電型SiC層の上に、前記低濃度第1導電型SiC層の濃度よりも高濃度の第1導電型不純物を含む高濃度第1導電型SiC層を配置する工程と、
前記高濃度第1導電型SiC層の上に、前記低濃度第1導電型SiC層の濃度より高濃度の第1導電型不純物を含み、その上にソース電極またはドレイン電極が配置されるソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記高濃度第1導電型SiC層および前記ソース・ドレイン領域を貫通して、前記低濃度第1導電型SiC層中に届く溝を設ける工程とを備える、接合型電界効果トランジスタの製造方法。
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