JP3945002B2

JP3945002B2 - 積層材料の製造方法

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Publication number: JP3945002B2
Application number: JP07159198A
Authority: JP
Inventors: 秀克関根; 荘太郎土岐; 健人塚本; 清智中村; 英夫本間
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1998-03-20
Filing date: 1998-03-20
Publication date: 2007-07-18
Anticipated expiration: 2018-03-20
Also published as: JPH11274371A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層材料に関し、特に半導体装置を搭載し、その半導体装置を外部回路に接続するため等に用いるチップキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、黒化処理済み銅基板上に設けられたエポキシ樹脂からなる絶縁層上に、無電解銅メッキ層が形成され、更にその上に電解銅メッキ層が形成されている構造を有する積層材料がチップキャリアとして広く用いられている。ここで、チップキャリアとは、ＬＳＩなどの半導体装置を搭載して外部回路に接続するために用いられるプリント配線板、リードフレーム、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）等の総称である。
【０００３】
このようなチップキャリアは、エポキシ樹脂と無電解銅メッキ層との間の密着性が良好であるという利点を有するが、エポキシ樹脂は誘電率が高く、高周波特性が不十分であるという欠点を有している。
【０００４】
そこで、絶縁層のエポキシ樹脂に代えて、低い誘電率、低い吸水性、高耐熱性等の特性を有するベンゾシクロブテン樹脂（ＢＣＢ樹脂）を使用することが試みられている。この場合、ＢＣＢ樹脂からなる絶縁層とその上に形成される導体層との間の密着性が十分ではないために、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層の表面を予め粗面化処理することが試みられている。
【０００５】
ところで、このような粗面化処理としては、過マンガン酸塩処理、次亜塩素酸塩処理、及びクロム酸塩処理が知られている。これらの中で、次亜塩素酸塩処理の場合には有毒な塩素ガスの発生を避けることができないという問題がある。また、クロム酸塩処理の場合には既に形成されている銅などの導体層が侵されてしまうという問題だけでなく、有害なクロムイオンを含有する排水の処理の負担が大きいという問題がある。従って、それらの問題を持たない過マンガン酸塩処理で粗面化することが望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＢＣＢ樹脂はエポキシ樹脂よりも耐薬品性に優れているために、過マンガン酸塩処理では十分に粗面化することができず、絶縁層と無電解メッキ法及び電解メッキ法により形成された導体層との間の密着性が不十分であるという問題がある。
【０００７】
このように、ＢＣＢ樹脂からなる絶縁層を有するチップキャリアの当該絶縁層の表面を、過マンガン酸塩処理により粗面化できるようにすることが、強く望まれているのが現状である。
【０００８】
なお、そのような粗面化処理の際に、絶縁層の粗面化が過度に進行して下層の導体層が露出した場合には電解メッキ時にショートが生じることが予想される。従って、過マンガン酸塩処理によるＢＣＢ樹脂層の粗面化を有効に行うための研究開発においては、絶縁層の下層の導体層を露出させることなく、有効に粗面化できることが求められている。
【０００９】
本発明は、上述した従来の技術の課題を解決しようとするものであり、下層導体層、その上の絶縁層及びその上に形成された上層導体層を含む積層材料、並びにそれからなるチップキャリアの当該絶縁層をＢＣＢ樹脂から形成した場合に、絶縁層と上層導体層との密着性を向上させるために、過マンガン酸塩処理により、下層導体層を露出させることなく絶縁層の表面を容易に粗面化できるようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ＳｉＯ₂フィラを分散させたＢＣＢ樹脂層の表面が過マンガン酸塩処理により容易に粗面化できることを見出した。また、それと同時に、ＳｉＯ₂フィラが比較的大きな塊に凝集した部分では、下層の導体層に至るまでＢＣＢ樹脂層が浸食されてしまう場合があることも見出した。これらの知見に基づき本発明者らは、更に、ＳｉＯ₂フィラを分散させたＢＣＢ樹脂層と下層導体層との間に、ＳｉＯ₂フィラを含まないＢＣＢ樹脂層を形成し、そのＢＣＢ樹脂層で過マンガン酸塩処理による過度の浸食を防止できることを見出した。そしてこれらの知見に基づき本発明が完成されるに至った。
【００１１】
即ち、本発明は、下層導体層上に、ベンゾシクロブテン樹脂からなる第１の樹脂層とＳｉＯ ₂ フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散されている第２の樹脂層とからなる絶縁層及び更にその上に上層導体層が積層された構造を有する積層材料の製造方法において、下層導体層上に第１の樹脂層を形成し、該第１の樹脂層上に第２の樹脂層を形成し、該第２の樹脂層の表面を過マンガン酸塩処理してその表面の粗面化を行い、その粗面化された第２の樹脂層上に上層導体層を形成することを特徴とする製造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、チップキャリアに特に適した本発明の積層材料を詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の積層材料の概略断面図である。この積層包装材料は、下層導体層１、その上に絶縁層２、更に上層導体層３が形成された構造を有する。ここで、絶縁層２は、下層導体層１側から、ＢＣＢ樹脂からなる第１の樹脂層２ａとＳｉＯ₂フィラＦがＢＣＢ樹脂Ｒに分散されている第２の樹脂層２ｂとから構成されており、その第２の樹脂層２ｂの上層導電層３側の表面は、過マンガン酸塩処理により粗面化されている。
【００１４】
ここで、ＢＣＢ樹脂は、チップキャリアの絶縁層材料として好ましい特性、即ち、低誘電率、低吸湿性、高耐熱性、高平坦化性、高接着性、高耐薬品性等を有する。従って、絶縁層材料としてＢＣＢ樹脂を使用することによりチップキャリアの信頼性を向上させることが可能となる。
【００１５】
ところで、ＢＣＢ樹脂自体は、耐薬品性が高いために過マンガン酸塩処置により粗面化することが非常に困難な樹脂である。そこで、本発明においては、過マンガン酸塩処理により粗面化できるようにするために、ＢＣＢ樹脂中に無機フィラの中では比較的低誘電率のＳｉＯ₂フィラを分散させることにより第２の樹脂層２ｂを構成している。
【００１６】
ＢＣＢ樹脂にＳｉＯ₂フィラを分散させることにより過マンガン酸塩処理で粗面化できる理由は明確ではないが、以下のように考えられる。
【００１７】
即ち、ＳｉＯ₂フィラを分散する際に、ＢＣＢ樹脂がＳｉＯ₂フィラに吸着され固定され、その結果、固定されたＢＣＢ樹脂の熱運動が抑制される。従って、熱硬化工程においてＳｉＯ₂フィラ近傍のＢＣＢ樹脂の熱硬化が十分に進行せず、そのためＳｉＯ₂フィラ近傍のＢＣＢ樹脂が過マンガン酸塩処理で浸食可能となり、粗面化が達成されるものと考えられる。
【００１８】
従って、十分に粗面化された第２の樹脂層２ｂと上層導体層３との間の密着性は良好なものとなる。しかも、第２の樹脂層２ｂが過度に過マンガン酸塩処理により粗面化された場合でも、ＳｉＯ₂フィラを含有しない第１の樹脂層２ａが過マンガン酸塩による浸食のストッパとなり得る。よって、絶縁層２上に電解メッキにより上層導体層３を形成する際に、上層導体層３と下層導体層１との間でショートが生じない。
【００１９】
第２の樹脂層２ｂにおけるＳｉＯ₂フィラの含有率は、ＳｉＯ₂フィラが少なすぎると十分に粗面化することができず、多すぎると絶縁層の誘電率が上昇して、高周波特性が低下するので、ＢＣＢ樹脂１００重量部に対して好ましくは１〜１５重量部である。
【００２０】
また、ＳｉＯ₂フィラの粒径は、大きすぎると第２の樹脂層２ｂの表面の凹凸が大きすぎてパターニングできなくなるので、５μｍ以下が好ましい。
【００２１】
第２の樹脂層２ｂには、上述のＢＣＢ樹脂ＲとＳｉＯ₂フィラＦとの他に、ＢＣＢ樹脂に相溶する樹脂を必要に応じて配合することができる。
【００２２】
第２の樹脂層２ｂの厚みは、薄すぎると第１の樹脂層２ａの露出面積が大きくなりすぎて上層導体層３の密着性が低下し、厚すぎると粗さが深さ方向に大きくなりすぎて上層導体層３のパターンの微細化が困難となるので、好ましくは３〜１０μｍである。
【００２３】
また、第１の樹脂層２ａにも、本発明の効果を損なわない限り、ＢＣＢ樹脂以外の樹脂を配合することもできる。
【００２４】
第１の樹脂層２ａの厚みは、薄すぎると絶縁効果が小さくなり、厚すぎるとビアの微細化が困難となるので、好ましくは５〜２０μｍである。
【００２５】
本発明において、第２の樹脂層２ｂの表面を粗面化する過マンガン酸塩処理としては、従来のチップキャリアにおいて、エポキシ樹脂からなる絶縁層の粗面化処理の際に利用されている過マンガン酸塩処理を使用することができる。例えば、過マンガン酸カリウム１０〜２００ｇ／ｌと５規定未満のアルカリ（水酸化ナトリウムなど）とを含有する処理水溶液を、好ましくは４０〜９０℃に加熱し、その処理液に第２の樹脂層２ｂの表面を浸漬法あるいは噴霧法等により接触させる処理を挙げることができる。
【００２６】
本発明の積層材料の上層導体層３としては、従来のチップキャリアのチップ搭載側の導体層と同じ構成とすることができ、好ましくは無電解銅メッキ層を挙げることができる。ここで、無電解銅メッキ層の形成の際に使用するメッキ浴等のメッキ条件に特に制限はなく、従来のチップキャリアの無電解銅メッキ層の場合と同様とすることができる。
【００２７】
また、本発明の積層材料においては、上層導体層３の導通信頼性等を向上させるために、無電解銅メッキ層上に更に電解銅メッキ層を常法により形成することが好ましい。この場合の電解メッキ条件は、従来のチップキャリアの電解銅メッキ層の場合と同様とすることができる。
【００２８】
本発明の積層材料の下層導体層１としては、従来のチップキャリアのチップ非搭載側の導体層と同じ構成とすることができ、黒色化銅板やアルミニウム板、ポリイミドシート上の銅箔等が挙げられる。
【００２９】
以上説明したように、図１の態様の積層材料においては、下層導体層１側からＢＣＢ樹脂からなる第１の樹脂層２ａとＢＣＢ樹脂ＲにＳｉＯ₂フィラＦが分散した第２の樹脂層２ｂとから絶縁層２が構成されているが、図２に示すように、絶縁層２が、第１の樹脂層２ａと下層導体層１との間に更にＢＣＢ樹脂ＲにＳｉＯ₂フィラＦが分散した第３の樹脂層２ｃを有するようにしてもよい。このような構造とすることにより、絶縁層２にカールやねじれ等が生じ難くなり、結果的に積層材料の良好な形状安定性を確保できる。
【００３０】
第３の樹脂層２ｃにおけるＳｉＯ₂フィラＦの含有率、使用するＳｉＯ₂フィラＦの粒径、また、第３の樹脂２ｃの厚み等は、第２の樹脂層２ｂと同様とすることができる。
【００３１】
なお、図１及び図２においては、第２の樹脂層２ｂの一部の領域が第１の樹脂層２ａにまで浸食されている例を示したが、これは第２の樹脂層２ｂが仮に第１の樹脂層２ａにまで浸食されたとしても下層導体層１が露出しないことを示す例であり、従って、粗面化が第２の樹脂層２ｂの表面だけに止まっている場合も本発明の範囲である。
【００３２】
以上説明した図１に示す態様の積層材料は、例えば、次のようにして作製することができる。
【００３３】
即ち、下層導体層１となる銅シートなどの金属基板上に、ＢＣＢ樹脂をメシチレン等の有機溶媒に溶解し、その溶液をスクリーンコート法やロールコート法等により塗布し、乾燥して加熱（例えば１００℃程度）して硬化させることにより第１の樹脂層２ａを形成する。
【００３４】
次に、ＢＣＢ樹脂とＳｉＯ₂フィラとを、メシチレン等の有機溶剤中で三本ロールミルやビーズミル等の分散装置を用いて分散し、その分散物をスクリーンコート法やロールコート法等により第１の樹脂層２ａ上に成膜して乾燥させ加熱して第２の樹脂層２ｂを形成し、これにより絶縁層２が形成される。この絶縁層２に対しては、必要に応じて露光、現像、バフ研磨の各処理を施してもよい。
【００３５】
次に、絶縁層２の表面に対して過マンガン酸塩処理を施し、表面の粗面化を行う。
【００３６】
その後に絶縁層２の粗面化処理面上に、常法により無電解金属メッキ法、更に必要に応じて電解金属メッキ法により上層導体層３を形成する。これにより、図１の積層材料を作製することができる。
【００３７】
また、図２の積層材料は、第１の樹脂層２ａを設ける前に、金属基板上に第２の樹脂層２ｂを形成するために使用する分散液と同様の分散液を使用して第３の樹脂層２ｃを形成しておき、その後は図１の積層材料と同様な操作を繰り返すことにより作製することができる。
【００３８】
その後に絶縁層２の粗面化処理面上に、常法により無電解金属メッキ法、更に必要に応じて電解金属メッキ法により上層導体層３を形成する。これにより、図２の積層材料を作製することができる。
【００３９】
なお、図１及び図２の積層材料を作製するに際し、図３（ａ）又は図３（ｂ）に示すように、絶縁層２の表面に対して過マンガン酸塩処理を施して表面が粗面化されていない状態の積層材料、並びに図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、絶縁層２の表面に対して過マンガン酸塩処理を施して表面が粗面化された状態の積層材料が使用される。これらの積層材料は、図１又は図２の積層材料の前駆材料として市場取引性があり有用なものである。従って、これらの積層材料も本発明の一部と見なすことができる。
【００４０】
即ち、図３（ａ）の積層材料は、導体層１上に絶縁層２が形成された構造を有しており、その絶縁層２が、導体層１側からＢＣＢ樹脂からなる第１の樹脂層２ａと、その上に形成された、ＳｉＯ₂フィラＦがＢＣＢ樹脂Ｒに分散されている第２の樹脂層２ｂとから構成されている。この場合、図３（ｂ）に示すように、第１の樹脂層２ａの導体層１側の表面上に、更に、ＳｉＯ₂フィラＦがＢＣＢ樹脂Ｒに分散されている第３の樹脂層２ｃが形成されていてもよい。
【００４１】
また、図４（ａ）の積層材料は、導体層１上に絶縁層２が形成された構造を有しており、その絶縁層２が、導体層１側から、ＢＣＢ樹脂からなる第１の樹脂層２ａと、その上に形成された、ＳｉＯ₂フィラＦがＢＣＢ樹脂Ｒに分散されている第２の樹脂層２ｂとから構成されており、且つ導体層１と反対側の第２の樹脂層２ｂを構成するＳｉＯ ₂ フィラ近傍のＢＣＢ樹脂が過マンガン酸塩処理により浸食され粗面化されている構造を有する。この場合、図４（ｂ）に示すように、第１の樹脂層２ａの導体層１側の表面上に、更に、ＳｉＯ₂フィラＦがＢＣＢ樹脂Ｒに分散されている第３の樹脂層２ｃが形成されていてもよい。
【００４２】
以上説明した本発明の積層材料は、低誘電率、低吸湿性、高耐熱性、高平坦化性、高接着性、高耐薬品性等を有するＢＣＢ樹脂を絶縁層の材料として使用し、しかもその表面が過マンガン酸塩処理により容易に粗面化することができる。従って、その上に形成される導体層との密着性が向上する。よって、本発明の積層材料は、半導体装置を搭載するための信頼性の高いチップキャリアとなる。また、一度、半導体装置を搭載すれば、信頼性の高いチップモジュールとなる。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
【００４４】
実施例１
ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部とメシチレン２０重量部とを混合し、その混合物を黒化処理済みの銅基板の表面上にロールコート法により２０μｍ厚で成膜し、１００℃のオーブン中で約３０分間キュアリングし、ＢＣＢ樹脂層を形成した。
【００４５】
次に、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部と平均粒径１００オングストロームのシリカ粉末（ＡＥＲＯＳＩＬＲＭＯＸ１７０、日本アエロジル社製）４重量部とを三本ロール法により分散させ、更にメシチレン７０重量部を加えて分散させた。得られた分散液をロールコート法により、ＢＣＢ樹脂層上に５μｍ厚で成膜し、窒素雰囲気下のオーブン中でキュアリング（７５℃−２０分，１００℃−１５分、１５０℃−１５分、２００℃−３０分）し、第２の樹脂層を形成した。これにより銅基板上に、ＢＣＢ樹脂層とシリカ粉末含有ＢＣＢ樹脂層とからなる二重構造の絶縁層を形成した。
【００４６】
得られた絶縁層を４２０ｎｍの光（１００〜２００ｍＪ／ｃｍ²）でパターニング露光し、アルカリ水溶液系現像液（炭酸ナトリウム：水酸化ナトリウム＝７３：２７の１％水溶液）で現像し、水洗した後に、１００℃で３０分間ポストベークした。
【００４７】
得られた絶縁層の表面を、バフロール（ＨＤ５Ｓ−ＳＦ、３Ｍ社製）を備えたバフ研磨装置（石井表記社製）で研磨した（バフロール回転数１５００ｒｐｍ、オシレーション５Ｈｚ（間隔５ｍｍ）、送り速度２ｍ／分、２回通し、流水冷却、研磨量５〜６μｍ）。
【００４８】
この研磨した絶縁層を、過マンガン酸カリウム３％と水酸化ナトリウム２％とを含有する過マンガン酸塩処理液に６５℃で１０分間接触させることにより粗面化した。
【００４９】
この粗面化した絶縁層の表面に対し、奥野製薬製のＯＰＣプロセスに従って、キャラクタライジングし、アクセラレーティングし、硫酸銅浴（ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ０．０３Ｍ；ＥＤＴＡ・４Ｈ０．２４Ｍ；２，２′−Ｂｉｐｙｒｉｄｉｎｅ１０ｐｐｍ；ＰＥＧ−１０００１００ｐｐｍ；ｐ−ＨＣＨＯ０．２０Ｍ；ｐＨ＝１２．５；温度６０℃；大気雰囲気下）で無電解銅メッキを行い、更に硫酸銅浴で電解銅メッキすることによりチップキャリアを得た。この電解メッキの際、下層導体層である黒化処理済み銅基板と電解メッキ層との間にショートは生じなかった。
【００５０】
得られたチップキャリアを一昼夜放置した後に、その絶縁層と無電解銅メッキ層との間の密着性を調べるために、ＪＩＳＣ５０１２に従って、テープ剥離試験を行った。その結果、剥離強度は６００ｇ／ｃｍ²であった。
【００５１】
実施例２
ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部と平均粒径１００オングストロームのシリカ粉末（ＡＥＲＯＳＩＬＲＭＯＸ１７０、日本アエロジル社製）４重量部とを三本ロール法により分散させ、更にメシチレン３０重量部を加えて分散させた。得られた分散液をロールコート法により、黒化処理済み銅基板上に１５μｍ厚で成膜し、１００℃のオーブン中で約３０分間キュアリングしてシリカ粉末含有ＢＣＢ層を形成した。
【００５２】
次に、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部とメシチレン５０重量部とを混合し、その混合物をシリカ粉末含有ＢＣＢ層の表面上にロールコート法により５μｍ厚で成膜し、１００℃のオーブン中で約３０分間キュアリングし、シリカ粉末を含有しないＢＣＢ樹脂層を形成した。
【００５３】
次に、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部と平均粒径１００オングストロームのシリカ粉末（ＡＥＲＯＳＩＬＲＭＯＸ１７０、日本アエロジル社製）４重量部とを三本ロール法により分散させ、更にメシチレン７０重量部を加えて分散させた。得られた分散液をロールコート法により、シリカ粉末を含有しないＢＣＢ樹脂層上に５μｍ厚で成膜し、窒素雰囲気下のオーブン中でキュアリング（７５℃−２０分，１００℃−１５分、１５０℃−１５分、２００℃−３０分）し、第２の樹脂層を形成した。これにより下層導電層上に、ＢＣＢ樹脂からなる樹脂層とＢＣＢ樹脂にシリカ粉末が分散した絶縁層とからなる三重構造の絶縁層を形成した。
【００５４】
得られた絶縁層を、実施例１と同様の条件でパターニング露光し、アルカリ水溶液系現像液で現像し、水洗した後に、１００℃で３０分間ポストベークした。
【００５５】
得られた絶縁層の表面を、実施例１と同様の条件でバフ研磨した。
【００５６】
この研磨した絶縁層を、過マンガン酸カリウム３％と水酸化ナトリウム２％とを含有する過マンガン酸塩処理液に６５℃で１０分間接触させることにより粗面化した。
【００５７】
この粗面化した絶縁層の表面に対し、実施例１と同様に奥野製薬製のＯＰＣプロセスに従って、キャラクタライジングし、アクセラレーティングし、硫酸銅浴で無電解銅メッキを行い、更に硫酸銅浴で電解銅メッキすることによりチップキャリアを得た。この電解メッキの際、下層導体層である黒化処理済み銅基板と電解メッキ層との間にショートは生じなかった。しかも、得られたチップキャリアは、実施例１のチップキャリアに比べてカールやそりのなく、形状安定性に優れていた。
【００５８】
得られたチップキャリアを一昼夜放置した後に、その絶縁層と無電解銅メッキ層との間の密着性を調べるために、ＪＩＳＣ５０１２に従って、テープ剥離試験を行った。その結果、剥離強度は６００ｇ／ｃｍ²であった。
【００５９】
比較例１
過マンガン酸塩処理液による粗面化を行わない以外は、実施例１と同様にして比較のためのチップキャリアを得た。得られたチップキャリアについて、実施例１と同様にテープ剥離試験を行った。その結果、試験中に剥離してしまい、測定できなかった。
【００６０】
比較例２
ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部と平均粒径１００オングストロームのシリカ粉末（ＡＥＲＯＳＩＬＲＭＯＸ１７０、日本アエロジル社製）４重量部とを三本ロール法により分散させ、更にメシチレン７０重量部を加えて分散させた。得られた分散液をロールコート法により、黒化処理済み銅基板上に２０μｍ厚で成膜し、窒素雰囲気下のオーブン中でキュアリング（７５℃−３０分，１００℃−１５分、１５０℃−１５分、２００℃−３０分）した。これにより、シリカ粉末入りのＢＣＢ樹脂層からなる単層構造の絶縁層を形成した。
【００６１】
得られた絶縁層を、実施例１と同様の条件でパターニング露光し、アルカリ水溶液系現像液で現像し、水洗した後に、１００℃で３０分間ポストベークした。
【００６２】
得られた絶縁層の表面を、実施例１と同様の条件でバフ研磨した。
【００６３】
この研磨した絶縁層を、過マンガン酸カリウム３％と水酸化ナトリウム２％とを含有する過マンガン酸塩処理液に６５℃で１０分間接触させることにより粗面化した。
【００６４】
この粗面化した絶縁層の表面に対し、実施例１と同様に奥野製薬製のＯＰＣプロセスに従って、キャラクタライジングし、アクセラレーティングし、硫酸銅浴で無電解銅メッキを行い、更に硫酸銅浴で電解銅メッキしようとしたところ、銅基板と電解銅メッキ層との間でショートが生じた。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、下層導体層、その上の絶縁層及びその上に形成された上層導体層を含む積層材料、並びにそれからなるチップキャリアの当該絶縁層をＢＣＢ樹脂から形成した場合に、過マンガン酸塩処理により、下層導体層を露出させることなく絶縁層の表面を容易に粗面化できるようにすることができる。従って、絶縁層と上層導体層との密着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層材料の概略断面図である。
【図２】本発明の積層材料の概略断面図である。
【図３】本発明の別の態様の積層材料の概略断面図（同図（ａ）及び（ｂ））である。
【図４】本発明の別の態様の積層材料の概略断面図（同図（ａ）及び（ｂ））である。
【符号の説明】
１下層導体層（導体層）
２絶縁層
２ａ第１の樹脂層
２ｂ第２の樹脂層
２ｃ第３の樹脂層
３上層導体層

Claims

下層導体層上に、ベンゾシクロブテン樹脂からなる第１の樹脂層とＳｉＯ _２フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散されている第２の樹脂層とからなる絶縁層及び更にその上に上層導体層が積層された構造を有する積層材料の製造方法において、下層導体層上に第１の樹脂層を形成し、該第１の樹脂層上に第２の樹脂層を形成し、該第２の樹脂層の表面を過マンガン酸塩処理してその表面の粗面化を行い、その粗面化された第２の樹脂層上に上層導体層を形成することを特徴とする製造方法。
第１の樹脂層の厚みが３〜１０μｍであり、第２の樹脂層の厚みが５〜２０μｍである請求項１記載の製造方法。
第２の樹脂層におけるＳｉＯ₂フィラの含有割合が、ベンゾシクロブテン樹脂１００重量部に対して１〜１５重量部である請求項１又は２記載の製造方法。
ＳｉＯ₂フィラの粒径が５μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
第１の樹脂層と下層導体層との間に、更に、ＳｉＯ₂フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散されている第３の樹脂層を形成する請求項１記載の製造方法。
上層導体層が、無電解銅メッキ層である請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
無電解銅メッキ層上に、更に電解銅メッキ層を形成する請求項６記載の製造方法。
導体層上に、ベンゾシクロブテン樹脂からなる第１の樹脂層と、ＳｉＯ ₂ フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散されている第２の樹脂層とから絶縁層が積層された構造を有する積層材料の製造方法において、導体層上に第１の樹脂層を形成し、該第１の樹脂層上にに第２の樹脂層を形成し、該第２の樹脂層の表面を過マンガン酸塩処理してその表面の粗面化を行うことを特徴とする製造方法。
第１の樹脂層と導体層との間に、更に、ＳｉＯ₂フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散されている第３の樹脂層を形成する請求項８記載の製造方法。
積層材料がチップキャリアである請求項１〜９のいずれかに記載の製造方法。
請求項１０の製造方法で得られたチップキャリアである積層材料上に更に半導体装置を搭載するチップモジュールの製造方法。