JP3923741B2 - 電子レンジ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加熱出力制御に改良を加えた電子レンジに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
図２５には、従来の電子レンジにおける電気回路構成、特には、マグネトロン１００の駆動制御回路を示している。交流電源１０１にはインバータ電源１０２が接続されており、このインバータ電源１０２によりマグネトロン１００が駆動されるようになっている。インバータ電源１０２は、直流電源回路１０３、インバータ回路１０４、高周波トランス１０５、マグネトロン駆動回路１０６、フィラメント回路１０７とを有して構成されている。
【０００３】
上記構成において、インバータ回路１０４は、高周波トランス１０５の一次コイル１０５ａに高周波電流を発生させ、その高周波トランス１０５の二次コイル１０５ｂに接続されたマグネトロン駆動回路１０６に倍電圧整流電力を発生させてマグネトロン１００を駆動する。このとき高周波トランス１０５の二次側のフィラメントコイル１０５ｃに誘起される電力を、電子放出のためにマグネトロン１００の陰極に供給する。
【０００４】
ところで、マグネトロン１００の出力を変更する場合には、一次コイル１０５ａへの通電時間を短くして電力量を絞ることがなされている。このため、一次コイル１０５ａの通電・断電の切換え周期が短くなり（インバータ周波数が高くなり）、その結果、一次コイル１０５ａもしくは二次コイル１０５ｂと磁気結合しているフィラメントコイル１０５ｃに発生する誘起電力の周波数も高くなる。このフィラメントコイル１０５ｃを含めたフィラメント回路１０７には、ノイズ除去などの目的でコイル１０８ａおよびコンデンサ１０８ｂで構成されるノイズフィルタ１０８を備えており、印加周波数が高くなると抵抗値Ｒ＝ωＬが大きくなり、その結果、フィラメント電流が流れにくくなる。
【０００５】
そのため、加熱出力を低下させていくと、フィラメント電流がそれと共に低下し、例えば４００Ｗ出力以下となると、条件によっては陰極（フィラメント）からの電子放出量が不足し、安定したマイクロ波発振ができなくなる。そのため、実質的に１００Ｗ出力のような低出力での連続的なマイクロ波発振ができなかった。そのため、１００Ｗ出力相当を実現するために、４００Ｗ出力を、断続的に行ない、時間軸上で平均すると１００Ｗとなるように制御していた。この場合、４００Ｗ出力時間帯では、加熱強度が強く、出力停止時間帯では、加熱がない、といった加熱制御パターンであるから、出力時間帯では、吹きこぼれや、煮過ぎ、局部的に加熱し過ぎ等を等を来し、調理仕上がりが悪くなるおそれがあった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マグネトロンの安定した低出力連続発振を実現できる電子レンジを提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、被加熱物を誘電加熱するためのマグネトロンと、
高周波トランスの一次コイルに高周波電流を発生させるインバータ回路と、
前記高周波トランスの二次コイルに接続されたマグネトロン駆動回路と、
前記高周波トランスの二次側に設けられたフィラメントコイルと、
このフィラメントコイルに誘起する電圧を前記マグネトロンの陰極に印加するフィラメント回路と、
このフィラメント回路に設けられ前記陰極に流れる電流を整流する整流手段とを備え、
前記高周波トランスは、コアを有し、該コアに対して前記一次コイル、二次コイル及びフィラメントコイルの順に配設して、前記フィラメントコイルと二次コイルとの磁気結合がフィラメントコイルと一次コイルとの磁気結合より強くなる構成としてなるものである。
【０００８】
この請求項１の発明においては、フィラメント回路に、マグネトロンの陰極に流れる電流を整流する整流手段を設けたから、フィラメント電流を交流から直流に変換することができて、インバータ周波数の影響を受けにくくなり、低出力領域でも安定した連続発振を可能とするものである。従って、大出力を断続的にオン・オフすることなく、一様に連続した低出力を実現できる。この結果、調理仕上がりが良くなる。
また該請求項１の発明によれば、前記高周波トランスは、コアを有し、該コアに対して前記一次コイル、二次コイル及びフィラメントコイルの順に配設して、前記フィラメントコイルと二次コイルとの磁気結合がフィラメントコイルと一次コイルとの磁気結合より強くなる構成としたから、一次コイルの電圧が変動しても、安定したフィラメントコイルの誘起電圧が得られ、一次電圧の影響を少なくできる。つまり、マグネトロンの動作電圧がほぼ一定（例えば４ｋＶ）であるため、二次コイルの電圧が安定化されるためである。
【０００９】
請求項２の発明によれば、請求項１の発明において、マグネトロンの出力を最高出力から最低出力まで段階的もしくは無段階に制御する出力制御手段を設けたから、マグネトロンの出力を、任意の連続した強さに設定でき、便利である。
請求項３の発明によれば、請求項２の発明において、使用者が操作する出力設定手段を備え、出力制御手段は、この出力設定手段の操作に基づいて出力を設定するようになっているから、使用者が好みに応じて、マグネトロンの出力を、任意の連続した強さに設定でき、さらに便利である。
【００１０】
請求項４の発明によれば、請求項３の発明において、マグネトロンの駆動中においても、出力制御手段は、出力設定手段の操作があればこれに基づいて出力を設定するようになっているから、調理状態をみながら、出力を変更させることができ、さらに便利である。
【００１１】
請求項５の発明によれば、請求項２の発明において、マグネトロンの出力を表示する表示手段を設けたから、使用者が、調理状況と現在の出力を認識することができ、便利である。
【００１２】
請求項６の発明によれば、請求項２の発明において、電気入力量を表示する表示手段を設けたから、この調理においてどのくらいの電気入力量、つまり、どのくらいの消費電力であるかを把握することができる。
【００１３】
請求項７の発明によれば、請求項２の発明において、被加熱物の被加熱状態を検出する状態検出手段を設け、出力制御手段が、この状態検出手段の検出結果に応じて出力を変更するようになっているから、調理の良好な仕上がりを実現できる。
【００１４】
請求項８の発明によれば、請求項２の発明において、状態検出手段が、被加熱物の表面温度を検出する非接触赤外線温度センサを備えて、被加熱物の温度分布または温度分布変化を検出するように構成され、さらに、被加熱物の温度分布または温度分布変化に応じた出力値を記憶した記憶手段を設け、出力制御手段が、前記状態検出手段により検出された温度分布または温度分布変化と前記記憶手段の記憶内容を照合して出力を設定するようになっているから、リアルタイムに最適な加熱状態に制御することができる。
【００１５】
請求項９の発明によれば、請求項２の発明において、解凍調理時に、出力制御手段による出力設定がなされるようになっているから、低出力が要求される解凍調理時を良好に行なうことができるようになる。
【００１６】
請求項１０の発明によれば、請求項２の発明において、被加熱物の重量を検出する重量検出手段を設け、被加熱物の重量に応じた最適出力値を記憶した記憶手段を設け、出力制御手段が、前記重量検出手段により検出された重量と前記記憶手段の記憶内容を照合して出力を設定するようになっているから、被加熱物重量に左右されずに良好な加熱仕上がりを実現できる。
【００１７】
請求項１１の発明は、請求項７の発明において、出力制御手段が、被加熱物における最高温度と最低温度との差に応じて出力を変更するようになっているから、被加熱物の温度差をなくす加熱制御が可能となる。
【００１８】
請求項１２の発明によれば、請求項１の発明において、フィラメント回路には、整流後の回路に平滑用キャパシタンス素子が設けられているから、フィラメント回路の脈流を平滑できて、電流量の増加を図ることが可能となる。特に半波整流の場合に効果的である。ちなみに、フィラメントコイルの巻き数は、一般的に１〜２で構成されるため、巻き数での電流調整は困難であり、非常に有効である。
【００１９】
請求項１３の発明によれば、請求項１の発明において、整流手段がショットキーバリヤダイオードから構成されているから、フィラメント回路の電圧降下をさらに防止できる。すなわち、フィラメントへの供給電源は、一般に低電圧（３Ｖ程度）であり、整流手段の電圧降下は大きな損失となる。これは、整流手段をショットキーバリアダイオードから構成することで改善できる。
【００２０】
請求項１４の発明によれば、請求項１の発明において、整流手段が、２つ以上のダイオードを備えてフィラメント電流を全波整流するようになっているから、半波整流の場合に比して高調波交流成分が少なく、すなわち、出力低下に伴うフィラメント電流の低下をより抑制することができる。
【００２１】
請求項１５の発明によれば、請求項１の発明において、整流手段が、ダイオードをフィラメントコイルに対して直列と並列とに少なくとも１つずつ設けた構成であるから、フィラメントコイルの起電力を半波整流するとともに、起電力が逆向きのときでも、フィラメントコイルと並列に接続したダイオードを通してフィラメント電流が流れ続けるため、単に半波整流した回路構成に比してフィラメント電流の整流効果をより高めることができる。
【００２３】
請求項１６の発明によれば、請求項１の発明において、整流手段が、複数のダイオードを１つのパッケージに封止した構成であるから、整流手段の設置スペースを小さくすることができる。つまり、整流手段は、マグネトロンに印加する高電圧部に配置されるため、他の低電圧部および接地部との間に十分な絶縁距離もしくあは絶縁距離もしくは対策が必要となる、よって整流手段の設置サイズを小さくすることは、絶縁スペースも含めて考えると大きなサイズ縮小を可能とする。
【００２４】
請求項１７の発明によれば、請求項１の発明において、複数のダイオードが同一個所で並列に接続されているから、電気回路的な作用は変わらないが、それぞれのダイオードに流れる電流値は減少し、ダイオード１つ当たりの発熱量が減少する。
【００２５】
請求項１８の発明によれば、請求項１の発明において、整流手段が、インバータ回路が実装されている基板に直接実装され、且つ、該基板における整流手段の周囲に切欠部が形成されているから、高電圧部を低電圧部と区別して集中配置できるとともに、その高圧部の絶縁も良好に図ることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施例につき図１ないし図７を参照しながら説明する。まず図２において、電子レンジの本体１は、外箱２と内箱３とを備えて構成されており、内箱３内部は加熱室４とされている。この加熱室４の外底部には、ターンテーブルモータ５が配設されており、これの回転軸は加熱室４内の突出し、回転網６が連結されている。この回転網６には回転皿７が着脱可能に配置されている。内箱３の右側板と外箱２の右側板との間の空間部は機械室８とされている。機械室８において、内箱３の右側板にはマグネトロンたるマグネトロン９が取付けられており、このマグネトロン９で発生したマイクロ波は、励振口９ａから、加熱室４内へ供給されるようになっている。
【００２７】
図３において、本体１前面には、取手１０ａを有する加熱室４開・閉用の扉１０が設けられているとともに、その側方に操作パネル１１が設けられている。この操作パネル１１には、出力設定手段たる設定スイッチ１２、表示切替スイッチ１３、ガイドスイッチ１４、戻りスイッチ１５、時間設定兼用のスタートスイッチ１６等が設けられている。さらに、操作パネル１１には、表示手段たる例えば液晶表示器からなる表示器１７が設けられている。
【００２８】
さて、図１には、商用電源１８に接続された駆動制御回路１９を示しており、これはマグネトロン９を駆動制御するためのものである。この駆動制御回路１９について説明する。交流電源１８の両端にはコンデンサ２０を介してダイオードブリッジからなる全波整流回路２１の入力端子が接続され、これの出力端子の一方は、チョークコイル２２を介して平滑コンデンサ２３の一端に接続され、他方はコンデンサ２３の他端に接続されている。これら、コンデンサ２０、全波整流回路２１、チョークコイル２２、平滑コンデンサ２３により直流電源回路２４が構成されている。この直流電源回路２４の直流電源ライン２４ａ、２４ｂには、インバータ回路２５が接続されている。このインバータ回路２５は次の構成である。直流電源ライン２４ａ、２４ｂ間には例えばＩＧＢＴからなるスイッチング素子２６、２７が直列に接続され、これらに逆並列にフリーホールダイオード２８、２９が接続され、さらに、直流電源ライン２４ａ、２４ｂにコンデンサ３０、３１が直列に接続されている。そして、スイッチング素子２６、２７の共通接続端子は、高周波トランス３２の一次コイル３２ａの一方の端子に接続されているとともに、下アームのスイッチング素子２７のエミッタに抵抗３３およびコンデンサ３４を介して接続されている。さらに、上記コンデンサ３０、３１の共通接続点は高周波トランス３２の一次コイル３２ａの他方の端子に接続されている。
【００２９】
上記高周波トランス３２の二次側に、二次コイル３２ｂとフィラメントコイル３２ｃとが設けられており、二次コイル３２ｂにはマグネトロン駆動回路３５が接続されている。このマグネトロン駆動回路３５は、二つのダイオード３６、３７と二つのコンデンサ３８、３９と二つの抵抗４０、４１とを図示のように接続した倍電圧回路から構成されており、マグネトロン９に高電圧を印加するようになっている。
【００３０】
フィラメントコイル３２ｃには、フィラメント回路４２が接続されている。このフィラメント回路４２は、整流手段たるショットキーバリアダイオードからなるダイオード４３および４４を備えるとともに、平滑用キャパシタンス素子たるコンデンサ４５を備え、さらに、コイル４６、４７およびコンデンサ４８ａ、４８ｂから構成されるフィルタ回路４９を備えている。詳述すると、フィラメントコイル３２ｃの一端はダイオード４３およびコイル４６を介してマグネトロン９の陰極の一方の端子に接続され、また、フィラメントコイル３２ｃの他方の端子は、コイル４７を介してマグネトロン９の陰極の他方の端子に接続されている。そして、ダイオード４４のカソードは、前記一方のダイオード４３のカソード側に接続され、ダイオード４４のアノードは、フィラメントコイル３２ｃの他端に接続されている。つまり、ダイオード４３、４４はフィラメントコイル３２ｃに対して並列と直列とに接続されている。そして、コンデンサ４５はダイオード４４と並列に接続されている。
【００３１】
前記インバータ回路２５のスイッチング素子２６、２７は、制御回路５０によって高い周波数のデューティー比でオンオフ制御されて、一次コイル３２ａに交流波電流を流し、二次コイル３２ｂおよびフィラメントコイル３２ｃに高周波電流を誘起する。フィラメント回路４２に誘起された電流はダイオード４３、４４にて整流されてマグネトロン９の陰極に供給される。これにてマグネトロン９は電子を放出しやすい状態とされる。二次コイル３２ｂに誘起された高周波電流は、マグネトロン駆動回路３５により高電圧化されてマグネトロン９に印加され、もってマグネトロン９が発振動作する。
【００３２】
なお、ターンテーブルモータ５の駆動回路５１には、前記交流電源１８が与えられるようになっている。また、前記表示器１７はこの制御回路５０により制御される。さらに、この制御回路５０には、前記各スイッチ１２〜１６を備えて構成された入力回路５２からのスイッチ入力が与えられるようになっている。
【００３３】
出力制御手段としての制御回路５０は、マイクロコンピュータを含んで構成されており、インバータ回路２５のスイッチング素子２６、２７のオン時間をリニアに変更することによりマグネトロン９の出力を最高出力から最低出力まで無段階で変更するようになっている。
【００３４】
また、上記トランス３２は、図６に示すように、コア３２ｄに対して一次コイル３２ａ、二次コイル３２ｂおよびフィラメントコイル３２ｃの順に配設して構成されており、もって、フィラメントコイル３２ｃと二次コイル３２ｂとの磁気結合がフィラメントコイル３２ｃと一次コイル３２ａとの磁気結合より強くなる構成とされている。
【００３５】
また、前記ダイオード４３、４４は、図５に示すように一つのパッケージ５３に封止した構成である、このパッケージ５３には、放熱板５４が取付けられている。上記ダイオード４３、４４であるパッケージ５３は、同図に示すように、インバータ回路２５が実装されている（その実装の様子は図示せず）基板５５に直接実装されており、また、コンデンサ４５及びトランス３２もこの基板５５に実装されている。さらに、図７に示すように、パッケージ５３及びコンデンサ４５の周囲には例えばＵ字状の切欠部５６が形成されている。
【００３６】
ここで、図４（ａ）に示した設定スイッチ１２が使用者により設定操作（押圧時間）されると、マグネトロン９の出力設定を行ない得るようになっており、例えば、３００Ｗの出力を設定すると、その設定値が表示器１７に設定されるようになっている。この場合、予測される電気入力量例えば消費電力（この場合６５０Ｗ）も表示器１７に表示されるようになっている。この表示は、表示切替スイッチ１３の操作ごとに、図４（ｂ）の残り時間表示および加熱出力表示、同図（ｃ）の残り時間表示および消費電力表示と切替えられる。
【００３７】
また、マグネトロン９の駆動中においても、制御回路５０は、設定スイッチ１２が使用者により設定操作（押圧時間）されると、マグネトロン９の出力設定を行ない得るようになっている。
【００３８】
このような本実施例によれば、次の効果を得ることができる。
フィラメント回路４２に、マグネトロン９の陰極に流れる電流を整流する整流手段たるダイオード４３、４４を設けたから、フィラメント電流を交流から直流に変換することができて、インバータ周波数の影響を受けにくくなり、低出力領域でも安定した連続発振を可能となる。この結果、大出力を断続的にオン・オフすることなく、一様に連続した低出力が実現できる。この結果、調理仕上がりが良くなる。
【００３９】
例えば、連続して弱火とかとろ火のような安定した低出力加熱を実現することができる。従って、弱火調理に好適するジャムをつくるときも、吹きこぼれや、焦げつきがなく、良好に調理できる。さらに、炊飯の場合のひたし行程での出力調整も良好となる。また、マイクロ波による卵料理についても、従来は、卵に小孔をあけても破裂することがあったが、超弱出力のマイクロ波加熱が可能であるから、破裂を防止しながら卵調理を完了できる。さらには、解凍調理を行なう場合には、連続的な低出力のマイクロ波加熱が実現できるから、加熱むらを防止しつつ良好な解凍が行なえる。
【００４０】
また、マグネトロン９の出力を最高出力から最低出力まで無段階に制御する出力制御手段たる制御回路５０を設けたから、マグネトロン９の出力を、任意の連続した強さに設定でき、便利である。この場合、段階的に制御するようにしても良い。
さらにまた、使用者が操作する出力設定手段たる設定スイッチ１２を備え、出力制御手段たる制御回路５０は、この設定スイッチ１２の操作に基づいて出力を設定するようになっているから、使用者が好みに応じて、マグネトロン９の出力を、任意の連続した強さに設定でき、さらに便利である。
【００４１】
この場合、マグネトロン９の駆動中においても、設定スイッチ１２の操作があればこれに基づいて出力を設定するようになっているから、調理状態をみながら、出力を変更させることができ、さらに便利である。
マグネトロン９の出力を表示する表示器１７を設けたから、使用者が、調理状況と現在の出力を認識することができ、便利である。
【００４２】
さらには、表示器１７に電気入力量である消費電力を表示するようにしたから、消費電力を把握することができる。
さらには、ダイオード４３、４４をショットキーバリヤダイオードから構成したから、フィラメント回路４２の電圧降下をさらに防止できる。
【００４３】
整流手段として、ダイオード４３、４４をフィラメントコイル３２ｃに対して直列と並列とに設けた構成であるから、フィラメントコイル３２ｃの起電力を半波整流するとともに、起電力が逆向きのときでも、フィラメントコイル３２ｃと並列に接続したダイオード４４、コイル４６、４７を通してフィラメント電流が流れ続けるため、単に半波整流した回路構成に比してフィラメント電流の整流効果をより高めることができる。
【００４４】
特にこの場合、フィラメント回路４２には、整流後の回路に平滑用キャパシタンス素子であるコンデンサ４５が設けられているから、フィラメント回路４２の脈流を平滑できて、電流量の増加を図ることが可能となる。特に半波整流の場合に効果的である。
【００４５】
図８には、フィラメントコイル３２ｃの起電圧とフィラメント電流の波形との関係を示している。同図（ａ）には、フィラメントコイル３２ｃの起電圧を示し、同図（ｂ）は従来におけるフィラメント電流の変化を、また、同図（ｅ）はこの第１の実施例（図１）の場合のフィラメント電流の変化を示している。この図から判るように、本第１の実施例によれば、前述したように、整流後の回路に平滑用キャパシタンス素子であるコンデンサ４５が設けられているから、フィラメント回路４２の脈流を平滑できて、電流量の増加を図るものである。
【００４６】
そして図９には、加熱出力とフィラメント電流との関係を示している。同図から判るように、従来では加熱出力が小さくなるとフィラメント電流も小さくなるが、本第１の実施例では、フィラメント電流の電流実効値が高く、その電流実効値の下がり方も緩やかである。
【００４７】
また、フィラメントコイル３２ｃと二次コイル３２ｂとの磁気結合がフィラメントコイル３２ｃと一次コイル３２ａとの磁気結合より強くなる構成としたから、一次コイル３２ａの電圧が変動しても、安定したフィラメントコイル３２ｃの誘起電圧が得られ、一次電圧の影響を少なくできる。
【００４８】
整流手段が、複数のダイオード４３、４４を１つのパッケージ５３に封止した構成であるから、整流手段の設置スペースを小さくすることができる。
整流手段であるパッケージ５３が、インバータ回路２５が実装されている基板５５に直接実装され、且つ、該基板５５におけるダイオード４３、４４の周囲に切欠部５６が形成されているから、高電圧部を低電圧部と区別して集中配置できるとともに、その高圧部の絶縁も良好に図ることができる。
なお、上述したマグネトロン９の出力の設定は、ガイドスイッチ１４によって解凍調理が設定されたときに行なうようにしても良い。
【００４９】
また、整流手段としては、本発明の第２の実施例と示す図１０のようにダイオード６１一つでも良い。この場合、フィラメント電流は図８の（ｄ）で示すようになる。また、本発明の第３の実施例として示す図１１のようにダイオード６２、６３をフィラメントコイル３２ａに対して直列と並列とに接続する構成（第１の実施例におけるコンデンサ４５をなくした構成）でも良い。
【００５０】
また第４の実施例として示す図１２のようにダイオード６４、６５を用いた全波整流構成としても良い。この場合、フィラメント電流は図９（ｃ）のようになる。また、加熱出力とフィラメント電流との関係は図１３に示すようになる。さらにまた、本発明の第５の実施例として示す図１４のようにダイオード６６をフィラメントコイル３２ａに対して直列に接続し、平滑用キャパシタンス素子たるコンデンサ６７を設けた構成（第１の実施例におけるダイオード４４をなくした構成）でも良い。
【００５１】
さらには、第６の実施例として示す図１５のように、ダイオード６８、６９が同一個所で並列に接続され、また別のダイオード７０、７１が同一個所で並列に接続されているから、電気回路的な作用は変わらないが、それぞれのダイオードに流れる電流値は減少し、ダイオード１つ当たりの発熱量が減少する。
【００５２】
図１６ないし図２１は本発明の第７の実施例を示している。この実施例においては、次の点が第１の実施例とことなる。被加熱物の被加熱状態を検出する状態検出手段として、非接触赤外線温度センサ（以下温度センサという）８１を設け、また、重量検出手段としての重量センサ８２を設けている。温度センサ８１は複数の赤外線温度検出素子を、その検出視野が回転皿７の径方向に向くように設けていて、被加熱物の表面温度を検出するように構成されている。また、重量センサ８２は、回転皿７に載せられた被加熱物の重量を検出するように構成されている。制御回路８３は、そのマイクロコンピュータのＲＯＭに被加熱物の温度分布に応じた出力値を記憶した記憶手段として温度分布・出力値記憶部を備えるとともに、被加熱物の重量に応じた最適出力値を記憶した記憶手段としての重量・出力値記憶部を備えている。
温度分布・出力値記憶部の記憶内容を図１９に示し、重量・出力値記憶部の記憶内容を図２１に示す。
【００５３】
出力制御手段としての制御回路８３は、加熱調理を次のように制御する。ガイドスイッチ１４により、解凍調理が設定されて調理が開始されると、図１８に示すように、まず、ステップＰ１で、温度センサ８１により、回転皿７が１回転する間の被加熱物の温度を検出して温度分布を検出する。この場合、その温度分布から被加熱物の平均温度Ｔａｖｅを検出する。ステップＰ２では、温度分布・出力値記憶部からこの平均温度Ｔａｖｅに該当する出力値を設定し、ステップＰ３では、この設定出力値を得るように出力制御し、調理終了条件が満足されると（ステップＰ４で判断）、この解凍調理を終了する。する。なお、図１９から理解できるように、上記平均温度Ｔａｖｅが高くなるにつれ（解凍がすすむにつれ）、出力値を低くするようになっている。ここで、特徴的なことは、出力値を２００Ｗ以下にも設定でき、そしてその２００Ｗ以下の出力を安定して連続的に提供できることである。これにより解凍が良好に行なわれる。
【００５４】
次に、ガイドスイッチ１４により、あたため調理が設定されて調理が開始されると、図２０に示すように、まず、ステップＱ１で、重量センサ８２により被加熱物の重量Ｗａを検出する。ステップＱ２では、重量・出力値記憶部からこの検出重量Ｗａに該当する出力値Ｗｓを設定する。この場合図２１から理解できるように、検出重量Ｗａが重いほど出力値Ｗｓ大きく設定されるようになっている。この後ステップＱ３では、この設定出力値を得るように出力制御し、調理終了条件が満足されると（ステップＱ４で判断）、このあたため調理を終了する。ここで、特徴的なことは、出力値を２００Ｗ以下にも設定でき、そしてその２００Ｗ以下の出力を安定して連続的に提供できることである。これにより、あたため調理を良好に行なうことができる。
【００５５】
このように、この実施例によれば、温度センサ８１を備えて、被加熱物の温度分布を検出するように構成され、さらに、被加熱物の温度分布に応じた出力値を記憶した記憶手段たる温度分布・出力値記憶部を設け、出力制御手段たる制御回路８３が、温度センサ８１により検出された温度分布と前記記憶部の記憶内容を照合して出力を設定するようになっているから、リアルタイムに最適な加熱状態に制御することができる。
【００５６】
また、解凍調理時に、制御回路８３による出力設定がなされるようになっているから、低出力が要求される解凍調理時を良好に行なうことができる。
さらに、重量センサ８２を設け、被加熱物の重量に応じた最適出力値を記憶した重量・出力値記憶部を設け、制御回路８３が、重量センサ８２により検出された重量と記憶部の記憶内容を照合して出力を設定するようになっているから、被加熱物重量に左右されずに良好な加熱仕上がりを実現できる。
【００５７】
なお、温度センサ８１を用いた解凍制御の場合、本発明の第８の実施例として示す図２２のように、被加熱物の平均温度と、被加熱物の最高温度と最低温度との差とにより出力値を設定するようにしても良い。この図２２には、温度分布・出力値記憶部の内容が示されている。例えば、上記温度差が５℃以内のときにはテーブル（１）を用い、そしてこのテーブル（１）内で、平均温度に応じて出力値を設定する。ここでも特徴的なことは、出力値を低い値に設定できることである。
【００５８】
図２３及び図２４は本発明の第９の実施例を示しており、この実施例では、次の点が第７の実施例（特には図１８）と異なる。すなわち、ステップＲ２では、被加熱物の最高温度の変化と、最低温度とを検出する。ステップＲ３では、記憶手段としての温度分布・変化・出力値記憶部（その内容を図２４に示す）から出力値を設定する。例えば被加熱物の最高温度の温度変化が１℃／１０秒以下のときにはテーブル（１）を用い、その中で、最低温度に応じて出力値を設定する。この場合、最高温度の温度変化が急なほど出力値を低くし、且つ、最低温度が高くなるほど出力値を低くするようにしている。ここでも特徴的なことは、出力値を低い値に設定できることである。
【００５９】
【発明の効果】
本発明は以上の説明から明らかなように、マグネトロンの陰極に流すフィラメント電流を交流から直流に変換することができて、インバータ周波数の影響を受けにくくなり、低出力領域でも安定した連続発振が可能となる。従って、大出力を断続的にオン・オフすることなく、一様に連続した低出力を実現でき、この結果、調理仕上がりが良くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す電気回路図
【図２】電子レンジの概略縦断正面図
【図３】電子レンジの正面図
【図４】表示器及びスイッチ部分の正面図
【図５】基板における実装状態を示す正面図
【図６】高周波トランスの正面図
【図７】基板における実装状態を示す平面図
【図８】従来と本発明各実施例との効果の差異を説明するためのフィラメント電流等の波形図
【図９】従来と本発明各実施例との効果の差異を説明するための加熱出力とフィラメント電流との波形図
【図１０】本発明の第２の実施例を示す図１相当図
【図１１】本発明の第３の実施例を示す図１相当図
【図１２】本発明の第４の実施例を示す図１相当図
【図１３】加熱出力とフィラメント電流との波形図
【図１４】本発明の第５の実施例を示す図１相当図
【図１５】本発明の第６の実施例を示す図１相当図
【図１６】電子レンジの概略縦断正面図
【図１７】本発明の第７の実施例を示す図１相当図
【図１８】解凍の制御内容を示すフローチャート
【図１９】温度分布・出力値記憶部の内容を示す図
【図２０】あたための制御内容を示すフローチャート
【図２１】重量・出力値記憶部の内容を示す図
【図２２】本発明の第８の実施例に関わる温度分布・出力値記憶部の内容を示す図
【図２３】本発明の第９の実施例を示す解凍の制御内容を示すフローチャート
【図２４】温度分布・変化・出力値記憶部の内容を示す図
【図２５】従来例を示す図１相当図
【符号の説明】
９はマグネトロン、１２は設定スイッチ（出力設定手段）、１７は表示器（表示手段）、１９は駆動制御回路、２４は直流電源回路、２５はインバータ回路、３２は高周波トランス、３２ｃはフィラメントコイル、３５はマグネトロン駆動回路、４２はフィラメント回路、４３、４４はダイオード（整流手段）、４５はコンデンサ（平滑用キャパシタンス素子）、４９はフィルタ回路、５０は制御回路（出力制御手段）、６１、６４、６５、６６はダイオード（整流手段）、６７はコンデンサ（平滑用キャパシタンス素子）、６８〜７１はダイオード（整流手段）、８１は非接触赤外線温度センサ、８２は重量センサ（重量検出手段）、８３は制御回路（出力制御手段、記憶部）を示す。

Claims (18)

1. 被加熱物を誘電加熱するためのマグネトロンと、
   高周波トランスの一次コイルに高周波電流を発生させるインバータ回路と、
   前記高周波トランスの二次コイルに接続されたマグネトロン駆動回路と、
   前記高周波トランスの二次側に設けられたフィラメントコイルと、
   このフィラメントコイルに誘起する電圧を前記マグネトロンの陰極に印加するフィラメント回路と、
   このフィラメント回路に設けられ前記陰極に流れる電流を整流する整流手段とを備え、
   前記高周波トランスは、コアを有し、該コアに対して前記一次コイル、二次コイル及びフィラメントコイルの順に配設して、前記フィラメントコイルと二次コイルとの磁気結合がフィラメントコイルと一次コイルとの磁気結合より強くなる構成としてなる電子レンジ。
2. マグネトロンの出力を最高出力から最低出力まで段階的もしくは無段階に制御する出力制御手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の電子レンジ。
3. 使用者が操作する出力設定手段を備え、出力制御手段は、この出力設定手段の操作に基づいて出力を設定するようになっていることを特徴とする請求項２記載の電子レンジ。
4. マグネトロンの駆動中においても、出力制御手段は、出力設定手段の操作があればこれに基づいて出力を設定するようになっていることを特徴とする請求項３記載の電子レンジ。
5. マグネトロンの出力を表示する表示手段を設けたことを特徴とする請求項２記載の電子レンジ。
6. 電気入力量を表示する表示手段を設けたことを特徴とする請求項２記載の電子レンジ。
7. 被加熱物の被加熱状態を検出する状態検出手段を設け、出力制御手段は、この状態検出手段の検出結果に応じて出力を変更するようになっていることを特徴とする請求項２記載の電子レンジ。
8. 状態検出手段は、被加熱物の表面温度を検出する非接触赤外線温度センサを備えて、被加熱物の温度分布または温度分布変化を検出するように構成され、
   被加熱物の温度分布または温度分布変化に応じた出力値を記憶した記憶手段を設け、
   出力制御手段は、前記状態検出手段により検出された温度分布または温度分布変化と前記記憶手段の記憶内容を照合して出力を設定するようになっていることを特徴とする請求項２記載の電子レンジ。
9. 解凍調理時に、出力制御手段による出力設定がなされるようになっていることを特徴とする請求項２記載の電子レンジ。
10. 被加熱物の重量を検出する重量検出手段を設け、
    被加熱物の重量に応じた最適出力値を記憶した記憶手段を設け、
    出力制御手段は、前記重量検出手段により検出された重量と前記記憶手段の記憶内容を照合して出力を設定するようになっていることを特徴とする請求項２記載の電子レンジ。
11. 出力制御手段は、被加熱物における最高温度と最低温度との差に応じて出力を変更するようになっていることを特徴とする請求項７記載の電子レンジ。
12. フィラメント回路には、整流後の回路に平滑用キャパシタンス素子が設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子レンジ。
13. 整流手段はショットキーバリヤダイオードからなることを特徴とする請求項１記載の電子レンジ。
14. 整流手段は、２つ以上のダイオードを備えてフィラメント電流を全波整流するようになっていることを特徴とする請求項１記載の電子レンジ。
15. 整流手段は、フィラメントコイルに対して直列と並列とに少なくとも１つずつ設けたことを特徴とする請求項１記載の電子レンジ。
16. 整流手段が、複数のダイオードを１つのパッケージに封止した構成 であることを特徴とする請求項１に記載の電子レンジ。
17. 複数のダイオードが同一個所で並列に接続されていることを特徴とする請求項１記載の電子レンジ。
18. 整流手段は、インバータ回路が実装されている基板に直接実装され、且つ、該基板における整流手段の周囲に切欠部を形成したことを特徴とする請求項１記載の電子レンジ。

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