JPH03201388A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH03201388A JPH03201388A JP33656489A JP33656489A JPH03201388A JP H03201388 A JPH03201388 A JP H03201388A JP 33656489 A JP33656489 A JP 33656489A JP 33656489 A JP33656489 A JP 33656489A JP H03201388 A JPH03201388 A JP H03201388A
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- heating device
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 4
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- 238000004804 winding Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、マグネトロンを作動し、該マグネトロンから
発生するマイクロ波の高周波エネルギによって被加熱物
を加熱する高周波加熱装置に関する。
発生するマイクロ波の高周波エネルギによって被加熱物
を加熱する高周波加熱装置に関する。
(従来の技術)
高周波加熱装置は、マグネトロンから発生するマイクロ
波を導波管を介して被加熱物を収容した加熱室に導き、
これにより被加熱物をマイクロ波によって高周波加熱す
るが、この場合、導波管から加熱室を見たインピーダン
スは被加熱物のマイクロ波の吸収状態によって変化する
。理想的な負荷でインピーダンス整合が取られている場
合、マグネトロンから出力されるマイクロ波は被加熱物
にほとんど吸収されるが、被加熱物の大きさや種類によ
ってインピーダンス整合が取られていない場合、マイク
ロ波が反射され、導波管からマグネトロンの方に戻って
くる場合が多い。
波を導波管を介して被加熱物を収容した加熱室に導き、
これにより被加熱物をマイクロ波によって高周波加熱す
るが、この場合、導波管から加熱室を見たインピーダン
スは被加熱物のマイクロ波の吸収状態によって変化する
。理想的な負荷でインピーダンス整合が取られている場
合、マグネトロンから出力されるマイクロ波は被加熱物
にほとんど吸収されるが、被加熱物の大きさや種類によ
ってインピーダンス整合が取られていない場合、マイク
ロ波が反射され、導波管からマグネトロンの方に戻って
くる場合が多い。
(発明が解決しようとする課題)
従来の高周波加熱装置は、上述したような反射波に対す
る対策を特に行わず、インピーダンス不整合状態にも関
わらず、装置の最大出力で動作させて加熱動作を行って
いるため、マグネトロンの発振が不安定になったり、異
常な温度上昇や電界集中を起こし、マグネトロンが破壊
する危険性がある。また、破壊に至らないまでもこの反
射波のエネルギは被加熱物の加熱に寄与しない損失工ネ
ルギであり、被加熱物によってインピーダンス整合が取
られていない時の加熱効率は悪いものであり、無駄なエ
ネルギを浪費し、ひいては異常な温度上昇によりマグネ
トロンの寿命を低下させる等の問題がある。
る対策を特に行わず、インピーダンス不整合状態にも関
わらず、装置の最大出力で動作させて加熱動作を行って
いるため、マグネトロンの発振が不安定になったり、異
常な温度上昇や電界集中を起こし、マグネトロンが破壊
する危険性がある。また、破壊に至らないまでもこの反
射波のエネルギは被加熱物の加熱に寄与しない損失工ネ
ルギであり、被加熱物によってインピーダンス整合が取
られていない時の加熱効率は悪いものであり、無駄なエ
ネルギを浪費し、ひいては異常な温度上昇によりマグネ
トロンの寿命を低下させる等の問題がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、そのl」的と
するところは、負荷に応じてマグネトロンの出力を制御
することにより、異常な温度上昇、エネルギ浪費、寿命
の低下を防止し、効率的かつ適確に動作する高周波加熱
装置を提供することにある。
するところは、負荷に応じてマグネトロンの出力を制御
することにより、異常な温度上昇、エネルギ浪費、寿命
の低下を防止し、効率的かつ適確に動作する高周波加熱
装置を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明の高周波加熱装置は、
マグネトロンを作動し、該マグネトロンから発生するマ
イクロ波の高周波エネルギによって被加熱物を加熱する
高周波加熱装置であって、前記被加熱物の重量を検出す
る検出手段と、該検出手段で検出した被加熱物の重量に
応じて前記マグネトロンから発生するマイクロ波出力を
制御する制御手段とを有することを要旨とする。
マグネトロンを作動し、該マグネトロンから発生するマ
イクロ波の高周波エネルギによって被加熱物を加熱する
高周波加熱装置であって、前記被加熱物の重量を検出す
る検出手段と、該検出手段で検出した被加熱物の重量に
応じて前記マグネトロンから発生するマイクロ波出力を
制御する制御手段とを有することを要旨とする。
(作用)
本発明の高周波加熱装置では、被加熱物の重量を検出し
、該重量に応じてマグネトロンから発生するマイクロ波
出力を制御している。
、該重量に応じてマグネトロンから発生するマイクロ波
出力を制御している。
(実施例)
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第(図は本発明の一実施例に係わる高周波加熱装置の構
成を示すブロック図である。同図に示す高周波加熱装置
は、商用電源1から交流電圧を供給され、該商用電源1
からの交流電圧を整流回路21で直流電圧に整流してい
る。この整流回路21からの直流電圧はインバータ電源
部23に供給され、該インバータ電源部23によって高
周波電流に変換される。この高周波電流は昇圧トランス
55の一次巻線に供給され、該昇圧トランス55の二次
巻線から昇圧された高周波電圧が発生する。
成を示すブロック図である。同図に示す高周波加熱装置
は、商用電源1から交流電圧を供給され、該商用電源1
からの交流電圧を整流回路21で直流電圧に整流してい
る。この整流回路21からの直流電圧はインバータ電源
部23に供給され、該インバータ電源部23によって高
周波電流に変換される。この高周波電流は昇圧トランス
55の一次巻線に供給され、該昇圧トランス55の二次
巻線から昇圧された高周波電圧が発生する。
この高周波電圧は倍電圧整流回路11. Aで倍電圧整
流され、例えば4000V程度の直流電圧に変換され、
マグネトロン12を駆動し、これによりマグネトロン1
2から被加熱物を加熱するマイクロ波が出力されるよう
になっている。
流され、例えば4000V程度の直流電圧に変換され、
マグネトロン12を駆動し、これによりマグネトロン1
2から被加熱物を加熱するマイクロ波が出力されるよう
になっている。
また、前記インバータ電源部23には電力制御回路9を
介して重量検知装置13が接続されている。該重量検知
装置13は、本高周波加熱装置で加熱されるべく加熱室
に入れられる被加熱物の重量を検知し、この検知した重
量に関連する信号を電力制御回路9に供給する。電力制
御回路9は、重量検知装置13から供給される被加熱物
の重量に応じてインバータ電源部23を制御し、これに
より最終的にマグネトロン12からの出力を制御してい
る。具体的には、インバータ電源部23は、例えばPW
M制御しており、電力制御回路9を介して供給される被
加熱物の重量に応じて昇圧トランス55に供給するパル
ス幅を制御し、これにより昇圧トランス55の二次側に
誘起される高周波電圧のレベルを制御し、これによりマ
グネトロン12から出力されるマイクロ波の高周波エネ
ルギの最大出力を被加熱物の重量が小さい時に小さく、
重量が大きい時には大きくなるように制御している。
介して重量検知装置13が接続されている。該重量検知
装置13は、本高周波加熱装置で加熱されるべく加熱室
に入れられる被加熱物の重量を検知し、この検知した重
量に関連する信号を電力制御回路9に供給する。電力制
御回路9は、重量検知装置13から供給される被加熱物
の重量に応じてインバータ電源部23を制御し、これに
より最終的にマグネトロン12からの出力を制御してい
る。具体的には、インバータ電源部23は、例えばPW
M制御しており、電力制御回路9を介して供給される被
加熱物の重量に応じて昇圧トランス55に供給するパル
ス幅を制御し、これにより昇圧トランス55の二次側に
誘起される高周波電圧のレベルを制御し、これによりマ
グネトロン12から出力されるマイクロ波の高周波エネ
ルギの最大出力を被加熱物の重量が小さい時に小さく、
重量が大きい時には大きくなるように制御している。
第2図は第1図の高周波加熱装置の詳細な回路図である
。同図に示すように、前記整流回路21はダイオードブ
リッジ等からなる整流スタック2と、チョークコイル3
および平滑コンデンサ4からなる平滑回路4Aとから構
成され、該平滑回路4Aの出力端であるチョークコイル
3と平滑コンデンサ4との接続点が前記昇圧トランス5
5の一次巻線55aの一端に接続されている。
。同図に示すように、前記整流回路21はダイオードブ
リッジ等からなる整流スタック2と、チョークコイル3
および平滑コンデンサ4からなる平滑回路4Aとから構
成され、該平滑回路4Aの出力端であるチョークコイル
3と平滑コンデンサ4との接続点が前記昇圧トランス5
5の一次巻線55aの一端に接続されている。
また、前記インバータ電源部23は前記電力制御回路9
でスイッチング制御、すなわちPWM制御されるトラン
ジスタ8と、該トランジスタ8に並列に接続されたフリ
ーホイリングダイオード7と、共振コンデンサ6とから
構成され、前記整流回路21の出力には昇圧トランス5
5の一次巻線55aと、トランジスタ8、フリーホイリ
ングダイオード7および共振コンデンサ6の並列接続回
路からなるインバータ電源部23とが直列接続され、こ
れによりトランジスタ8が電力制御回路9によってオン
−オフ・スイッチされると、整流回路21の直流出力電
圧は該トランジスタ8のオンオフによって断続して昇圧
トランス55の一次巻線55aに供給され、−次巻線5
5aにトランジスタ8のオン−オフに応した高周波電流
が流れ、高周波磁界が一次巻線55aに発生する。この
結果、該高周波磁界によって昇圧トランス55の二次巻
線55bには高周波起電圧が誘起され、この高周波電圧
は倍電圧整流回路11Aで倍電圧整流される。倍電圧整
流回路11Aは二次巻線55bの両端に直列接続された
充放電制御用ダイオード10とコンデンサ11とから構
成されている。そして、該充放電制御用ダイ″オード1
oに並列にマグネトロン12が接続されている。マグネ
トロン12のアノードADは充放電制御用ダイオード1
0のアノードに接続され、フィラメントFが充放電制御
用ダイオード1oのカソードに接続されている。また、
マグネトロン12のフィラメントFには昇圧トランス5
5のヒータ巻線55cから例えば4Vのフィラメント加
熱電圧が供給されている。
でスイッチング制御、すなわちPWM制御されるトラン
ジスタ8と、該トランジスタ8に並列に接続されたフリ
ーホイリングダイオード7と、共振コンデンサ6とから
構成され、前記整流回路21の出力には昇圧トランス5
5の一次巻線55aと、トランジスタ8、フリーホイリ
ングダイオード7および共振コンデンサ6の並列接続回
路からなるインバータ電源部23とが直列接続され、こ
れによりトランジスタ8が電力制御回路9によってオン
−オフ・スイッチされると、整流回路21の直流出力電
圧は該トランジスタ8のオンオフによって断続して昇圧
トランス55の一次巻線55aに供給され、−次巻線5
5aにトランジスタ8のオン−オフに応した高周波電流
が流れ、高周波磁界が一次巻線55aに発生する。この
結果、該高周波磁界によって昇圧トランス55の二次巻
線55bには高周波起電圧が誘起され、この高周波電圧
は倍電圧整流回路11Aで倍電圧整流される。倍電圧整
流回路11Aは二次巻線55bの両端に直列接続された
充放電制御用ダイオード10とコンデンサ11とから構
成されている。そして、該充放電制御用ダイ″オード1
oに並列にマグネトロン12が接続されている。マグネ
トロン12のアノードADは充放電制御用ダイオード1
0のアノードに接続され、フィラメントFが充放電制御
用ダイオード1oのカソードに接続されている。また、
マグネトロン12のフィラメントFには昇圧トランス5
5のヒータ巻線55cから例えば4Vのフィラメント加
熱電圧が供給されている。
第3図は第1図に示す高周波加熱装置の断面構成を示し
ているが、同図に示すように、本高周波加熱装置の中央
には加熱室5oが設けられ、この加熱室50の下方に被
加熱物受皿53が設けられ、この被加熱物受皿53の上
に点線で示すように被加熱物51が載せられるようにな
っている。そして、この被加熱物受皿53の下側は支柱
等を介して前記重量検知装置13を構成する歪センサ1
4に連結され、これにより被加熱物受皿53の上に被加
熱物51が載せられた場合、該被加熱物51の重量を該
歪センサ14を介して重量検知装置13で検知し得るよ
うになっている。なお、第3図において、加熱室50の
上部に隣接してマグネトロン12が設けられている。
ているが、同図に示すように、本高周波加熱装置の中央
には加熱室5oが設けられ、この加熱室50の下方に被
加熱物受皿53が設けられ、この被加熱物受皿53の上
に点線で示すように被加熱物51が載せられるようにな
っている。そして、この被加熱物受皿53の下側は支柱
等を介して前記重量検知装置13を構成する歪センサ1
4に連結され、これにより被加熱物受皿53の上に被加
熱物51が載せられた場合、該被加熱物51の重量を該
歪センサ14を介して重量検知装置13で検知し得るよ
うになっている。なお、第3図において、加熱室50の
上部に隣接してマグネトロン12が設けられている。
第4図は前記重量検知装置13の回路構成を示している
が、同図に示す重量検知装置13はインバータ61.6
3.65を複数の抵抗を介してループ状に接続して、発
振回路を構成するとともに、インバータ65に抵抗を介
して並列に歪センサ14を接続し、これにより被加熱物
の重量に応じて変化する歪センサ14の静電容量によっ
て本重量検知装置13の発振周波数を変化させている。
が、同図に示す重量検知装置13はインバータ61.6
3.65を複数の抵抗を介してループ状に接続して、発
振回路を構成するとともに、インバータ65に抵抗を介
して並列に歪センサ14を接続し、これにより被加熱物
の重量に応じて変化する歪センサ14の静電容量によっ
て本重量検知装置13の発振周波数を変化させている。
そして、この周波数の変化する信号を前記電力制御回路
9に供給し、これにより電力制御回路9を介してインバ
ータ電源部23を制御し、マグネトロン12から出力さ
れる高周波エネルギの最大出力を被加熱物の重量が小さ
い場合には小さく、重量が大きい場合には大きいように
被加熱物の重量に応じて制御している。
9に供給し、これにより電力制御回路9を介してインバ
ータ電源部23を制御し、マグネトロン12から出力さ
れる高周波エネルギの最大出力を被加熱物の重量が小さ
い場合には小さく、重量が大きい場合には大きいように
被加熱物の重量に応じて制御している。
次に、以上のように構成される高周波加熱装置の作用を
説明する。
説明する。
まず、商用電源1から交流電圧が供給されると、該交流
電圧は整流回路21の整流スタック2によって全波整流
され、更に平滑回路4Aによって平滑化され、所定の直
流電圧に変換されて昇圧トランス55の一次巻線55a
に供給される。
電圧は整流回路21の整流スタック2によって全波整流
され、更に平滑回路4Aによって平滑化され、所定の直
流電圧に変換されて昇圧トランス55の一次巻線55a
に供給される。
一方、高周波加熱装置の加熱室50には被加熱物51が
入れられ、被加熱物受皿53の上に載せられると、該被
加熱物51の重量が歪センサ14を介して重量検知装置
13で検知され、被加熱物51の重量に応した周波数の
信号が重量検知装置13から電力制御回路9に供給され
、該電力制御回路9を介してインバータ電源部23のト
ランジスタ8がスイッチング制御される。該トランジス
タ8がオン−オフ・スイッチングすると、これにより昇
圧トランス55の一次巻線55aに高周波電流が流れ、
−次巻線55aに高周波磁界が発生する。そして、この
高周波磁界によって二次巻線55bに高周波起電力が誘
起され、これは倍電圧整流回路11. Aによって例え
ば4000Vの直流電圧に昇圧される。この昇圧された
直流電圧はマグネトロン12のアノードADに印加され
、マグネトロン12からマイクロ波が出力される。この
ようにマグネトロン12から出力されるマイクロ波を被
加熱物51に照射することにより被加熱物51は加熱さ
れる。
入れられ、被加熱物受皿53の上に載せられると、該被
加熱物51の重量が歪センサ14を介して重量検知装置
13で検知され、被加熱物51の重量に応した周波数の
信号が重量検知装置13から電力制御回路9に供給され
、該電力制御回路9を介してインバータ電源部23のト
ランジスタ8がスイッチング制御される。該トランジス
タ8がオン−オフ・スイッチングすると、これにより昇
圧トランス55の一次巻線55aに高周波電流が流れ、
−次巻線55aに高周波磁界が発生する。そして、この
高周波磁界によって二次巻線55bに高周波起電力が誘
起され、これは倍電圧整流回路11. Aによって例え
ば4000Vの直流電圧に昇圧される。この昇圧された
直流電圧はマグネトロン12のアノードADに印加され
、マグネトロン12からマイクロ波が出力される。この
ようにマグネトロン12から出力されるマイクロ波を被
加熱物51に照射することにより被加熱物51は加熱さ
れる。
マグネトロン12から出力されるマイクロ波の高周波出
力エネルギは電力制御回路9内のPWM制御回路によっ
てトランジスタ8のベースに供給される出力パルスのオ
ン時間を調整することにより行われるが、このオン時間
は電力制御回路9に供給される電力制御回路9からの出
力信号によって制御され、更に具体的には、被加熱物の
重量が小さい場合には、トランジスタ8に供給される出
力パルスのオン時間は短く、重量が大きい場合には、オ
ン時間が長くなるように制御される。
力エネルギは電力制御回路9内のPWM制御回路によっ
てトランジスタ8のベースに供給される出力パルスのオ
ン時間を調整することにより行われるが、このオン時間
は電力制御回路9に供給される電力制御回路9からの出
力信号によって制御され、更に具体的には、被加熱物の
重量が小さい場合には、トランジスタ8に供給される出
力パルスのオン時間は短く、重量が大きい場合には、オ
ン時間が長くなるように制御される。
この結果、マグネトロン12からのマイクロ波の高周波
出力エネルギは、第5図に示すように、マイクロ波出力
が被加熱物の重量が小さい時には小さく、重量が大きい
時には大きくなるように重量に比例して発生する。従っ
て、重量が小さく、マイクロ波エネルギの吸収が悪い被
加熱物を加熱する時には、必要以上のエネルギがマグネ
トロン12から出力されないので、エネルギの浪費が妨
げられる上、安定なマグネトロンの発振を持続させるこ
とが可能となる。また、マグネトロンの温度上昇による
破壊も回避することができるとともに、ファンの冷却能
力も従来必要なものよりも低いもので足りるようになる
。
出力エネルギは、第5図に示すように、マイクロ波出力
が被加熱物の重量が小さい時には小さく、重量が大きい
時には大きくなるように重量に比例して発生する。従っ
て、重量が小さく、マイクロ波エネルギの吸収が悪い被
加熱物を加熱する時には、必要以上のエネルギがマグネ
トロン12から出力されないので、エネルギの浪費が妨
げられる上、安定なマグネトロンの発振を持続させるこ
とが可能となる。また、マグネトロンの温度上昇による
破壊も回避することができるとともに、ファンの冷却能
力も従来必要なものよりも低いもので足りるようになる
。
上記実施例では、第5図に示すように、被加熱物の重量
に比例して連続的にマイクロ波の出力エネルギを調整し
ているが、このような連続的な制御に限るものでなく、
例えば第6図に示すように、被加熱物の重量に対してマ
イクロ波の出力エネルギを階段状に制御してもよいこと
は勿論である。
に比例して連続的にマイクロ波の出力エネルギを調整し
ているが、このような連続的な制御に限るものでなく、
例えば第6図に示すように、被加熱物の重量に対してマ
イクロ波の出力エネルギを階段状に制御してもよいこと
は勿論である。
また、重量検知装置13からの検知手段を電力制御回路
内に含まれる図示しないマイクロコンピュータ等を用い
て制御してもよい。
内に含まれる図示しないマイクロコンピュータ等を用い
て制御してもよい。
また、上記実施例では、マグネトロン12からのマイク
ロ波の出力エネルギを被加熱物の重量に基づいて制御し
ているが、これに限定されるものでなく、例えば被加熱
物の大きさ、材質、形状等によって制御することも可能
である。
ロ波の出力エネルギを被加熱物の重量に基づいて制御し
ているが、これに限定されるものでなく、例えば被加熱
物の大きさ、材質、形状等によって制御することも可能
である。
以上説明したように、本発明によれば、被加熱物の重量
を検出し、該重量に応じてマグネトロンから発生する高
周波エネルギの最大出力を制御しているので、被加熱物
に応じて最適な加熱を行い、マグネトロンを安定に動作
させることができるため、エネルギの浪費、マグネトロ
ンの異常な温度上昇、マグネトロンの破壊や寿命の低下
を防止できる。
を検出し、該重量に応じてマグネトロンから発生する高
周波エネルギの最大出力を制御しているので、被加熱物
に応じて最適な加熱を行い、マグネトロンを安定に動作
させることができるため、エネルギの浪費、マグネトロ
ンの異常な温度上昇、マグネトロンの破壊や寿命の低下
を防止できる。
第1図は本発明の一実施例に係わる高周波加熱装置の構
成を示すブロック図、第2図は第1図の高周波加熱装置
の詳細な回路図、第3図は第1図の高周波加熱装置の構
造を示す断面図、第4図は第1図の高周波加熱装置に使
用される重量検知装置の回路図、第5図は第1図の高周
波加熱装置の特性を示すグラフ、第6図は高周波加熱装
置の他の特性を示すグラフである。 9・ ・電力制御回路、 11A・ ・倍電圧整流回路、 12・ ・マグネトロン、 13・ ・重量検知装置、 21・ ・整流回路、 23・ ・インバータ電源部、 55・ ・昇圧トランス。 第1図
成を示すブロック図、第2図は第1図の高周波加熱装置
の詳細な回路図、第3図は第1図の高周波加熱装置の構
造を示す断面図、第4図は第1図の高周波加熱装置に使
用される重量検知装置の回路図、第5図は第1図の高周
波加熱装置の特性を示すグラフ、第6図は高周波加熱装
置の他の特性を示すグラフである。 9・ ・電力制御回路、 11A・ ・倍電圧整流回路、 12・ ・マグネトロン、 13・ ・重量検知装置、 21・ ・整流回路、 23・ ・インバータ電源部、 55・ ・昇圧トランス。 第1図
Claims (1)
- マグネトロンを作動し、該マグネトロンから発生するマ
イクロ波の高周波エネルギによって被加熱物を加熱する
高周波加熱装置であって、前記被加熱物の重量を検出す
る検出手段と、該検出手段で検出した被加熱物の重量に
応じて前記マグネトロンから発生するマイクロ波出力を
制御する制御手段とを有することを特徴とする高周波加
熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33656489A JPH03201388A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33656489A JPH03201388A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03201388A true JPH03201388A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18300447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33656489A Pending JPH03201388A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03201388A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217668A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-08-27 | Tiger Vacuum Bottle Co Ltd | 高周波加熱装置 |
JPH0645062A (ja) * | 1992-04-27 | 1994-02-18 | Tiger Vacuum Bottle Co Ltd | 高周波加熱装置 |
JP2009529646A (ja) * | 2006-03-08 | 2009-08-20 | プレマーク エフイージー リミティド ライアビリティー カンパニー | 調理用オーブンおよび複数の調理技術を利用した関連方法 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP33656489A patent/JPH03201388A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217668A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-08-27 | Tiger Vacuum Bottle Co Ltd | 高周波加熱装置 |
JPH0645062A (ja) * | 1992-04-27 | 1994-02-18 | Tiger Vacuum Bottle Co Ltd | 高周波加熱装置 |
JP2009529646A (ja) * | 2006-03-08 | 2009-08-20 | プレマーク エフイージー リミティド ライアビリティー カンパニー | 調理用オーブンおよび複数の調理技術を利用した関連方法 |
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