JP3920863B2 - メモリの製造方法 - Google Patents
メモリの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3920863B2 JP3920863B2 JP2004076952A JP2004076952A JP3920863B2 JP 3920863 B2 JP3920863 B2 JP 3920863B2 JP 2004076952 A JP2004076952 A JP 2004076952A JP 2004076952 A JP2004076952 A JP 2004076952A JP 3920863 B2 JP3920863 B2 JP 3920863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- memory
- ferroelectric
- thin film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
図1は、本発明の第1実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリを示した断面図である。
図14は、本発明の第2実施形態によるクロスポイント型の巨大磁気抵抗材料を用いた不揮発性メモリを示した断面図である。図14を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、本発明を、記憶材料膜として巨大磁気抵抗材料を用いた不揮発性メモリに適用した例について説明する。
(第3実施形態)
図15は、本発明の第3実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリを示した断面図である。図15を参照して、この第3実施形態では、上記第1実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリの構造を、下部電極が直接タングステンプラグに接続されるとともに、強誘電体膜が下部電極の上面および側面を覆う構造に変更した例について説明する。
14、74 Pt膜(第1電極膜)
15、75 強誘電体膜(記憶材料膜)
15a 記憶部
15b 薄膜部
16、76 上部電極(第2電極膜)
17、77 シリコン窒化膜(絶縁膜)
19、79 TiN膜(接続配線)
20、80 Al膜(接続配線)
18b ビアホール(接続領域)
25 巨大磁気抵抗材料膜(記憶材料膜)
25a、75a 記憶部
25b、75b 薄膜部
Claims (7)
- 第1電極膜上に記憶材料膜を形成する工程と、
前記記憶材料膜上に第2電極膜を形成し、前記第2電極膜を塩素系のエッチングガスを用いたエッチングによりパターニングする工程と、
パターニングされた前記第2電極膜から露出する前記記憶材料膜を塩素系のエッチングガスを用いないエッチングにより所定の厚み分エッチングすることにより、前記第2電極膜下の記憶部と、エッチングされた薄膜部とを形成する工程とを備えた、メモリの製造方法。 - 前記第2電極膜および前記記憶材料膜の薄膜部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上の所定領域にエッチングマスクを形成した後、前記エッチングマスクをマスクとして、前記絶縁膜および前記記憶材料膜の薄膜部をエッチングすることによって、前記記憶材料膜の薄膜部をパターニングする工程とをさらに備えた、請求項1に記載のメモリの製造方法。 - 前記記憶部と薄膜部とを形成する工程は、
前記薄膜部が平均値で前記記憶材料膜の15%以上の厚みになるように前記記憶材料膜の露出部をエッチングする工程を含む、請求項1または2に記載のメモリの製造方法。 - 前記記憶部と薄膜部とを形成する工程は、
前記薄膜部が平均値で前記記憶材料膜の95%以下の厚みになるように前記記憶材料膜の露出部をエッチングする工程を含む、請求項3に記載のメモリの製造方法。 - 前記記憶材料膜が形成されるメモリセルアレイ領域と、周辺回路領域と、前記メモリセルアレイ領域と前記周辺回路領域とを接続するための接続配線とをさらに備えるメモリの製造方法であって、
前記絶縁膜および前記記憶材料膜の薄膜部をパターニングする工程は、
少なくとも前記メモリセルアレイ領域の前記第1電極膜の上面と前記接続配線との接続領域近傍には、前記記憶材料膜の薄膜部が存在しないように、前記絶縁膜および前記記憶材料膜の薄膜部をパターニングする工程を含む、請求項2に記載のメモリの製造方法。 - 前記絶縁膜を形成する工程は、水素の拡散を抑制する機能を有する絶縁膜を形成する工程を含む、請求項2または5に記載のメモリの製造方法。
- 前記第1電極膜は、第1下部電極膜と、前記第1下部電極膜上に形成された第2下部電極膜とを含み、
前記第1下部電極膜は、酸素の拡散を抑制する機能を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載のメモリの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004076952A JP3920863B2 (ja) | 2003-03-25 | 2004-03-17 | メモリの製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003081671 | 2003-03-25 | ||
JP2004076952A JP3920863B2 (ja) | 2003-03-25 | 2004-03-17 | メモリの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007008638A Division JP4452726B2 (ja) | 2003-03-25 | 2007-01-18 | メモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004311974A JP2004311974A (ja) | 2004-11-04 |
JP3920863B2 true JP3920863B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=33478153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004076952A Expired - Fee Related JP3920863B2 (ja) | 2003-03-25 | 2004-03-17 | メモリの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3920863B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4766924B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-09-07 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP5061469B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-10-31 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
JP5107252B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2012-12-26 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-03-17 JP JP2004076952A patent/JP3920863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004311974A (ja) | 2004-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100747403B1 (ko) | 메모리 | |
US6548343B1 (en) | Method of fabricating a ferroelectric memory cell | |
US6876021B2 (en) | Use of amorphous aluminum oxide on a capacitor sidewall for use as a hydrogen barrier | |
US6534809B2 (en) | Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks | |
US6645779B2 (en) | FeRAM (ferroelectric random access memory) and method for forming the same | |
JP2007043166A (ja) | 多層下部電極及び多層上部電極を含む強誘電体構造物及びそれの製造方法 | |
US7085150B2 (en) | Methods for enhancing performance of ferroelectic memory with polarization treatment | |
US6281536B1 (en) | Ferroelectric memory device with improved ferroelectric capacity characteristic | |
JP2004186517A (ja) | 強誘電体型不揮発性半導体メモリ及びその製造方法 | |
US7820456B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2012151292A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7728370B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
US7052951B2 (en) | Ferroelectric memory devices with enhanced ferroelectric properties and methods for fabricating such memory devices | |
JP4452726B2 (ja) | メモリ | |
JP3920863B2 (ja) | メモリの製造方法 | |
US6946340B2 (en) | Method of fabricating ferroelectric memory device with photoresist and capping layer | |
US20020160542A1 (en) | FeRAM having BLT ferroelectric layer and method for forming the same | |
KR100465832B1 (ko) | 강유전체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
US9224592B2 (en) | Method of etching ferroelectric capacitor stack | |
KR100846365B1 (ko) | 노블계 하드마스크를 이용한 강유전체 메모리소자의캐패시터 제조 방법 | |
KR100688054B1 (ko) | 강유전체 소자의 콘케이브 커패시터 제작 방법 | |
JP5338150B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20020055105A (ko) | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 | |
WO2003103027A1 (en) | Process for forming a contact for a capacitor | |
KR20040001869A (ko) | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050208 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20061102 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20061116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070215 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 3920863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100223 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140223 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |