JP3918279B2 - 多段電子冷却装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、多段冷却装置及びその製造方法に関し、特に、各冷却装置において熱電半導体チップと電極との間が半田付けされている多段冷却装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば特開平2−10781号公報には、この形式の多段式冷却装置が開示されている。この多段式冷却装置は6段に積層された冷却ユニットを備えており、各冷却ユニット間、第1段目の冷却ユニットの下側及び第6段目の冷却ユニットの上側には、夫々、基板が装架されている。
【0003】
しかして、各冷却ユニットは熱電半導体チップを備えており、この熱電半導体チップの一端部及び他端部が、夫々、上側及び下側に位置する基板の内面に装架された電極と半田付けにより電気的に接続されており、熱電半導体チップの一端部と上側の電極との間及び熱電半導体チップの他端部と下側電極との間には、夫々、ペルチェ効果により、吸熱及び発熱が生成されるようになっている。そして、かような構成により、第6段目冷却ユニットの上に装架された基板が最も良く冷却されるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
かような多段式冷却装置を製造する場合、第2段目の冷却ユニットの組み付けの際、完成した第1段目の冷却ユニット上の基板の上面に形成された電極及び第2段目冷却ユニットの上側の基板の下面に形成された電極を、夫々、第2段目の冷却ユニットの熱電半導体チップの一端及び他端部を半田付けを行うが、その際に発生する熱が第1段目の冷却ユニットに伝達され、第1段面の熱電半導体チップと電極との間の半田を再度溶解させ、熱電半導体チップが電極からずれて隣の熱電半導体チップと接触し、製品の信頼性の低下を惹起させる危惧があった。
【0005】
それ故に、本発明は、一の冷却ユニットを他の冷却ユニットに半田付けにより重畳的に装架させる際に、当該半田付けの際に発生する熱により後者側の既になされた半田付けが影響を受けないようにすることを技術的課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記技術的課題を解決するため、請求項1において講じた技術的手段は、放熱電極が形成された外表面を備える第1基板;放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板;吸熱電極が形成された内表面を備える第3基板;第1熱電半導体チップを備え、前記第1熱電半導体チップの一端部及び他端部が第1半田により夫々前記第1基板の放熱電極及び前記第2基板の吸熱電極に接続されることにより、前記第1基板と前記第2基板との間に介装される第1冷却ユニット;並びに第2熱電半導体チップを備え、前記第2熱電半導体チップの一端部及び他端部が前記第1半田より融点が低い第2半田により夫々前記第2基板の放熱電極及び前記第3基板の吸熱電極に接続されることにより、前記第2基板と前記第3基板との間に介装される第2冷却ユニット;からなる、多段電子冷却装置構成したことである。
【0007】
請求項2において講じた技術的手段は、請求項1記載の多段電子冷却装置に、前記第3基板の外表面に形成された発熱電極;吸熱電極が形成された内表面を備えた第4基板;及び第3熱電半導体チップを備え、前記第3熱電半導体チップの一端部及び他端部が前記第2半田より融点が高い第3半田により夫々前記第3基板の放熱電極及び前記第4基板の吸熱電極に接続されることにより、前記第3基板と前記第4基板との間に介装される第3冷却ユニット;を更に設けたことである。
【0008】
請求項3において講じた技術的手段は、請求項2記載の多段電子冷却装置において、前記第3半田の融点を前記第1半田の融点と同じくしたことである。
【0009】
請求項4において講じた技術的手段は、放熱電極が形成された外表面を備える第1基板、放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板及び放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第3基板を準備する第1工程;第1熱電半導体チップの一端部及び他端部を第1半田により夫々前記第1基板の放熱電極及び前記第2基板の吸熱電極に接続することにより、前記第1基板と前記第2基板との間に介装される第1冷却ユニットを構成する第2工程;並びに第2熱電半導体チップの一端部及び他端部を前記第1半田より融点が低い第2半田により夫々前記第2基板の放熱電極及び前記第3基板の吸熱電極に接続することにより、前記第2基板と前記第3基板との間に介装される第2冷却ユニットを構成する第3工程;からなる、多段電子冷却装置の製造方法を構成したことである。
【0010】
請求項5において講じた技術的手段は、放熱電極が形成された外表面を備える第1基板、放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板、放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第3基板及び吸熱電極が形成された内表面を備える第4基板を準備する第1工程;第1熱電半導体チップの一端部及び他端部を第1半田により夫々前記第1基板の放熱電極及び前記第2基板の吸熱電極に接続することにより、前記第1基板と前記第2基板との間に介装される第1冷却ユニットを構成する第2工程;第3熱電半導体チップの一端部及び他端部を前記第1半田により夫々前記第3基板の放熱電極及び前記第4基板の吸熱電極に接続することにより、前記第3基板と前記第4基板との間に介装される第4冷却ユニットを構成する第3工程;並びに第2熱電半導体チップの一端部及び他端部を前記第1半田により低い融点の第2半田により夫々前記第2基板の放熱電極及び前記第3基板の吸熱電極に接続することにより、前記第2基板と前記第3基板との間に介装される第3冷却ユニットを構成する第4工程;からなる、多段電子冷却装置の製造方法を構成したことである。
【0011】
請求項5において講じた技術的手段は、放熱電極が形成された外表面を備える第1基板、放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板及び放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第3基板を準備する第1工程;一端部及び他端部を備えた第1熱電半導体チップ並びに一端部及び他端部を備えた第2熱電半導体チップを準備する第2工程;前記第1熱電半導体チップの一端部及び前記第2熱電半導体チップの他端部を第1半田により夫々前記第1基板の放熱電極及び吸熱電極に接続する第3工程;並びに前記第1半田よりも融点が低い第2半田を用いて、前記第1熱電半導体の他端部及び前記第2熱電半導体チップの一端部を、夫々、前記第1基板の放熱電極及び前記第3基板の放熱電極に接続する第4工程;からなる、多段電子冷却装置の製造方法を構成したことである。
【0012】
請求項7において講じた技術的手段は、放熱電極が形成された外表面を備える第1基板を準備する第1工程;放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板を準備する第2工程;第1熱電半導体チップ及び第2熱電半導体チップを準備し、前記第1熱電半導体チップの他端部及び前記第2熱電半導体チップの一端が第1半田により夫々前記第2基板の吸熱電極及び放熱電極に接続する第3工程;吸熱電極及び放熱電極が夫々形成された内表面及び外表面を備える第3基板を準備する第4工程;内表面に吸熱電極が形成された第4基板を準備する第5工程;第3熱電半導体チップを準備し、前記第3熱電半導体チップの他端部を第2半田を用いて前記第4基板の吸熱電極に接続する第6工程; 前記第1熱電半導体チップの他端部、前記第2熱電半導体チップの一端部及び前記第3熱電半導体チップの一端部を、前記第1半田及び前記第2半田より低い融点の第3半田を用いて、夫々、前記第1基板の放熱電極、前記第3基板の吸熱電極及び前記第3基板の放熱電極に同時接続する第7工程;からなる、多段電子冷却装置の製造方法を構成したことである。
【0013】
【作用及び効果】
請求項1において講じた技術的手段においては、第1冷却ユニット側の半田付けの後に第2冷却ユニット側の半田付けを行う場合、後者は前者に比べて融点が低い半田が用いられるので、既になされた前者に影響を与えることはない。
【0014】
請求項2において講じた技術的手段においては、第1冷却ユニット側の半田付け及び第3冷却ユニット側の半田付けの後に第2冷却ユニット側の半田付けを行う場合、後者は前2者に比べて融点が低い半田が用いられるので、既になされた前2者に影響を与えることはない。
【0015】
請求項3において講じた技術的手段においては、1冷却ユニット側の半田付け及び第3冷却ユニット側の半田付けを共通の半田を用いるので、温度管理が簡易となる。
【0016】
請求項4乃至請求項7において講じた技術的手段においては、後になされる半田付けに使用する半田の融点が先になされた半田付けに使用された半田の融点よりも低いので、後になされる半田付けの際の熱が先になされた半田付けの半田を溶解するようなことがない。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の望ましい実施の形態を図面を参照して説明する。
【0018】
(第1実施形態)
図1において、本発明の第1の実施形態に係る多段電子冷却装置10は、第1基板11と第2基板12との間に介装された第1冷却ユニット20及び第2基板12と第3基板13との間に介装された第2冷却ユニット50を備える。しかして、後で詳細に説明するところから明らかなように、第1冷却ユニット20及び第2冷却ユニット50はペルチェ効果により夫々第2基板12及び第3基板13を冷却し、第3基板13が最も低い温度に冷却されるようになっている。
【0019】
上記した多段電子冷却装置10は、次のような過程を経て製作される。まず、図2に示されるように、アルミナセラミックスを素材とする第1基板11の外表面(図の上側表面)上に銅の電極21が周知のパターニングにより形成される。そして、この電極21上にクリーム半田22がスクリーン印刷により塗布されるようになっている。しかして、クリーム半田22は融点が摂氏220度で、その組成は錫97重量%・銀3重量%となっている。
【0020】
次に、図3に示されるように、交互に配列されたP型熱電半導体チップ25及びN型熱電半導体チップ26の下端部が電極21上の半田22上に位置される。
【0021】
一方、アルミナセラミックスを素材とする第2基板12の内表面(図の下側表面)及び外表面(図の上側表面)には、夫々、図4に示されるように、電極28及び電極51がパターンニイングにより形成されている。しかして、電極28上には、クリーム半田22と対応するように、クリーム半田29がスクリーン印刷により塗布されている。なお、クリーム半田29は、クリーム半田22と同じ定格つまり同じ組成及び融点を備え、また、右側の電極28と右側の電極51とは電気的に接続されている。
【0022】
かように構成された第2基板12は、半田22が対応する熱電半導体チップの上端部上に位置するように、第1冷却ユニット20中核をなす熱電半導体25・26上に位置される。そして、図5に示されるように、ヒータ90間に第1基板11及び第2基板12が挟持されることにより、クリーム半田22(29)が溶解し、電極21(51)と各熱電半導体チップの下端部(上端部)が半田付けにより接続される。
【0023】
図5に示した半田付けの工程が完了した後にヒータ90が除去されると、図6に示されるようなアセンブリが得られる。次いで、図7に示されるように、電極51上にはクリーム半田52がスクリーン印刷で塗布され、各半田52上には、交互に配列されたP型熱電半導体チップ55及びN型熱電半導体チップ56の下端部が位置されるようになっている。しかして、クリーム半田52は、融点が摂氏183度で、その組成は錫63重量%・鉛37重量%の錫鉛共晶系である。
【0024】
一方、アルミナセラミックスを素材とする第3基板12の内表面(図の下側表面)には、図8に示されるように、電極58がパターンニングにより形成されている。しかして、電極58上には、半田52と対応するように、クリーム半田59がスクリーン印刷により塗布されている。しかして、クリーム半田59は、クリーム半田52と同じ融点・組成を備える。
【0025】
かように構成された第3基板13は、クリーム半田52が対応する熱電半導体チップの上端部上に位置するように、第2冷却ユニット20中核をなす熱電半導体55・56上に位置される。そして、図8に示されるように、ヒータ90間に第1基板11、第2基板12及び第3基板13が挟持されることにより、クリーム半田52(59)が溶解し、電極21(51)と各熱電半導体チップの下端部(上端部)が半田付けにより接続される。しかして、クリーム半田52・59の融点はクリーム半田22・29よりも低いので、前者の溶解に用いられる熱が後者に伝播して再度溶解させるようなことはない。
【0026】
かくして、ヒータ90を除去すると、図1に示される多段電子冷却装置10が形成される。
【0027】
しかして、第1冷却ユニット10の熱電半導体チップ25・26は、平面的にはマトリックス状に配置されており、第2冷却ユニットの熱電半導体チップ55・56も同様に、平面的には、マトリックス状に配設されている。そして、全ての熱電半導体チップは直列に連結されており、図示されない電源から電流が供給されると、熱電半導体チップ25・26と電極28との間及び熱電半導体チップ25・26と電極21との間にはペルチェ効果により夫々吸熱及び放熱が生成される。同様に、熱電半導体チップ55・56のと電極58との間及び熱電半導体チップ55・56と電極51との間にはペルチェ効果により夫々吸熱及び放熱が生成される。全体としてみれば、被冷却物(図示略)が載置される第3基板13が最も良く冷却されることになる。
【0028】
(第2実施形態)
図10において、本発明の第2の実施形態に係る多段電子冷却装置10は、第1基板11と第2基板12との間に介装された第1冷却ユニット20、第2基板12と第3基板13との間に介装された第2冷却ユニット50及び第3基板13と第4基板14との間に介装された第3冷却ユニット80を備える。しかして、後で詳細に説明するところから明らかなように、第1冷却ユニット20、第2冷却ユニット50及び第3ユニット80はペルチェ効果により夫々第2基板12、第3基板13及び第4基板14を冷却し、第4基板14が最も低い温度に冷却されるようになっている。なお、第1基板11、第2基板12、第3基板13及び第4基板14は、アルミナセラミックスを素材として形成されている。
【0029】
上記した多段電子冷却装置10は、次のような過程を経て製作される。まず、図11に示されるように、第1基板11と第2基板12との間に第1冷却ユニット20が介装されたアッセンブリ及び第3基板13と第4基板14との間第3冷却ユニット80が介装されたアッセンブリとが、準備される。しかして前者のアッセンブリは、図2−図6に示した手順と同一の手順を経て得られるものであるが、クリーム半田22・29の融点は摂氏240度で、その組成は錫100%である。また、後者のアッセンブリも、同様の手順を経て得ら、クリーム半田82・89の融点は摂氏240度で、その組成は錫100%である。
【0030】
後者のアッセンブリにおいては、第3冷却ユニット80のP型熱電半導体チップ85及びN型熱電半導体チップの上端部にはクリーム半田89を介して第4基板14の内周面に形成された電極88が位置している。また、 P型熱電半導体チップ85及びN型熱電半導体チップの下端部はクリーム半田82を介して第3基板13の外周面に形成された電極81上に位置している。
【0031】
次いで、図12に示されるように、電極51上にスクリーン印刷で塗布された各クリーム半田52上には、交互に配列されたP型熱電半導体チップ55及びN型熱電半導体チップ56の下端部が位置されるようになっている。
【0032】
そして、図13に示されるように、クリーム半田59が電極58上にスクリーン印刷により塗布されている状態の第3基板13第3基板13は、クリーム半田52が対応する熱電半導体チップの上端部上に位置するように、第2冷却ユニット20中核をなす熱電半導体55・56上に位置される。しかして、クリーム半田52・59の融点は摂氏183度で、その組成は錫63重量%・鉛37重量%からなる錫鉛共晶物質である。
【0033】
しかる後、図14に示されるように、ヒータ90間に第1基板11及び第4基板14が挟持されることにより、クリーム半田52・59が溶解し、電極21(51)と各熱電半導体チップの下端部(上端部)が半田付けにより接続される。しかして、クリーム半田52・59の融点より高い融点を持つクリーム半田82・89は、この間、再度、溶解するようなことはない。
【0034】
かくして、ヒータ90を除去すると、図10に示される多段電子冷却装置10が形成される。
【0035】
しかして、第1冷却ユニット10の熱電半導体チップ25・26は、平面的にはマトリックス状に配置されており、第2冷却ユニットの熱電半導体チップ55・56及び第3冷却ユニット80の熱電半導体チップ85・86も同様に、平面的には、マトリックス状に配設されている。そして、全ての熱電半導体チップは直列に連結されており、図示されない電源から電流が供給されると、熱電半導体チップ25・26のと電極28との間及び熱電半導体チップ25・26と電極21との間にはペルチェ効果により夫々吸熱及び放熱が生成される。同様に、熱電半導体チップ55・56(85・86)と電極58との間及び熱電半導体チップ55・56(85・86)と電極51との間にはペルチェ効果により夫々吸熱及び放熱が生成される。全体としてみれば、被冷却物(図示略)が載置される第4基板14が最も良く冷却されることになる。
【0036】
(第3実施形態)
図1に示した多段冷却装置10は、図2−図9に示した手順とは異なった手順でも製造することができる。すなわち、図15に示すように、第2基板12の内表面及び外表面に夫々電極28及び電極51を形成した後、電極28及び電極51上に、夫々、クリーム半田29及びクリーム半田52が、スクリーン印刷にて塗布される。
【0037】
しかして、図16に示されるように、治具95に下端部が保持された熱電半導体チップ25・26上に、対応する電極28が載置され、しかる後に、図17に示されるように、電極51上に載置された熱電半導体チップ55・56及び治具95がヒータ90に挟み、クリーム半田29・52を溶解することにより、第2基板12の電極28(51)上に熱電半導体チップ25・26(55・56)が装架されたアッセンブリが得られる。なお、クリーム半田29・52は融点が摂氏240度で、その組成は錫100%である。
【0038】
一方、図18に示されるように、外表面に形成された電極28上にクリーム半田22がスクリーン印刷にて塗布された第1基板11及び内表面に形成された電極58上にクリーム半田59がスクリーン印刷にて塗布された第3基板13が準備されている。しかして、クリーム半田22(59)の融点は摂氏183度で、その組成は錫63重量%・鉛37重量%の錫鉛共晶系である。
【0039】
かような第1基板11と第3基板13は、その間に図17で得られたアッセンブリが装架された後、図19に示されるように、ヒータ90に挟まれ、加熱がなされる。かくして、電極21(58)と熱電半導体チップ25・26の下端部(熱電半導体チップ55・56の下端部)とが半田付けがなされる。この半田付けのために必要な熱は、クリーム半田22(59)の融点より高い融点を持つクリーム半田29(52)を再度溶解することはない。そして、この半田付けがなされてヒータ90が除去されると、図1に示す多段冷却装置10が得られる。
【0040】
(第4実施形態)
図10に示した多段冷却装置10は、図11−図14に示した手順とは異なった手順でも製造することができる。
【0041】
図20に示されるように、クリーム半田29にて熱電半導体チップ25・26の上端部が固定された電極21及びクリーム半田52て熱電半導体チップ55・56の下端部が固定された電極51を備えた第2基板12が準備される。この基板12は、図15−図17に示した手順と同じ手順で形成される。
【0042】
また、図21に示されるように、クリーム半田89により熱電半導体チップ85・86の上端部が固定された電極88を備える第4基板14が準備される。しかして、クリーム半田29、クリーム半田52及びクリーム半田89は融点が摂氏220度で、その組成は錫97%・銀3%である。
【0043】
次いで、図22に示されるように、図20に示される第2基板12を第1基板11と第3基板13との間に位置せしめ、図21に示される第4基板14を第3基板13上に位置せしめた後、図23に示されるように、ヒータ90にて第1基板11乃至第4基板14を挟んで加熱すると、クリーム半田22により電極21と熱電半導体チップ25・26の下端部とが、クリーム半田59により電極58と熱電半導体チップ55・56の上端部が、クリーム半田82により電極82と熱伝半導体チップ85・86の下端部が、夫々、連結される。
【0044】
しかして、クリーム半田22、クリーム半田59及びクリーム半田82は、融点が摂氏183度で、その組成は錫63%・鉛37%の錫鉛共晶物質であるので、この加熱の際、クリーム半田29、52及び89が再度溶解するようなことはない。
【0045】
(総括)
上記した4つの製造過程を経て製造された多段冷却装置を、夫々、10個準備し、次の2点において、検査を行った。
【0046】
(1)熱電半導体チップが電極からずれて隣の熱電半導体チップと接触し
ているかいるか否かを調べ、接触がないものを合格とした。
【0047】
(2)通電試験の前後での内部抵抗の変化率が10パーセント以下のものを合格とした。ここにいう通電試験は、1アンペアの電流の1分間通電及びこれに続く1分間の通電停止を2000回繰り返す断続通電試験である。
【0048】
上記した各方法により製造した10個の多段冷却装置は全て上記検査に合格したが、比較例として、図1のもの同じ構成を持つが、クリーム半田22・29・52・59の融点及び組成が夫々摂氏183度及び錫63%・鉛37%である多段冷却装置を比較例として10個製造したところ、検査(1)については10個中3個、検査(2)については10個中5個不合格が確認された。この比較例に鑑みれば、本発明に係る製造方法で得られた多段冷却装置の信頼性の高さが検証されたといえる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多段冷却装置の第1実施形態例の概略構成図である。
【図2】図1の装置の第1基板の製造過程を示す図である。
【図3】図2の第1基板に熱電半導体チップを装架する過程を示す図である。
【図4】図3の第1基板に第2基板を重ね合わせる過程を説明する図である。
【図5】重ね合わされた第1基板と第2基板と加熱する過程を示す図である。
【図6】図5の過程を経た第2基板上の電極にクリーム半田をスクリーン印刷で塗布する過程を示す図である。
【図7】第2基板上の電極上に熱電半導体チップを装架する過程を示す図である。
【図8】図7の第2基板に第3基板を重ね合わせる過程を説明する図である。
【図9】重畳された第1基板、第2基板及び第3基板を加熱する過程を説明する図である。
【図10】本発明の多段冷却装置の第2実施形態例の概略構成図である。
【図11】第1基板と第2基板との間に介装された第1冷却ユニット並びに第3基板と第4基板との間に介装された第2冷却ユニットを併置した状態を示す図である。
【図12】図11の第2基板上に熱電半導体チップを装架する過程を示す図である。
【図13】図14の第2基板に第3基板を重ね合わせる過程を示す図である。
【図14】重ね合わされた第1基板、第1冷却ユニット、第2基板、第2冷却ユニット、第3基板、第3冷却ユニット及び第4基板を加熱する過程を示す図である。
【図15】本発明の第3実施形態例における第2基板の準備過程を示す図である。
【図16】図15の第2基板を第1冷却ユニットの熱電半導体チップに重ね合わせる過程を示す図である。
【図17】図16の第2基板と第1冷却ユニットの熱電半導体チップとを加熱する過程を示す図である。
【図18】本発明の第3実施形態例における第1基板及び第3基板を示す図である。
【図19】図16の第2基板及び第1冷却ユニットの熱電半導体チップを図18の第1基板と第3基板との間に装架して加熱する過程を示す図である。
【図20】本発明の第4実施形態における第2基板を示すである。
【図21】本発明の第4実施形態における第4基板を示すである。
【図22】本発明の第4実施形態において、第1基板、第1冷却ユニット、第2基板、第2冷却ユニット、第3基板、第3冷却ユニット及び第4基板を重畳する過程を示す図である。
【図23】図22のように重畳された第1基板、第1冷却ユニット、第2基板、第2冷却ユニット、第3基板、第3冷却ユニット及び第4基板を加熱する過程を示す図である。
【符号の説明】
11: 第1基板
12: 第2基板
13: 第3基板
14: 第4基板
20: 第1冷却ユニット
21: 電極(放熱電極)
22: クリーム半田(第1クリーム半田)
25: P型熱電半導体チップ(熱電半導体チップ)
26: N型熱電半導体チップ(熱電半導体チップ)
28: 電極(吸熱電極)
29: クリーム半田(第1クリーム半田)
50: 第2冷却ユニット
51: 電極(放熱電極)
52: クリーム半田(第2クリーム半田)
55: P型熱電半導体チップ(熱電半導体チップ)
56: N型熱電半導体チップ(熱電半導体チップ)
58: 電極(吸熱電極)
59: クリーム半田(第2クリーム半田)
80: 第3冷却ユニット
81: 電極(放熱電極)
82: クリーム半田(第3クリーム半田)
85: P型熱電半導体チップ(熱電半導体チップ)
86: N型熱電半導体チップ(熱電半導体チップ)
88: 電極(吸熱電極)
89: クリーム半田(第3クリーム半田)
Claims (7)
- 放熱電極が形成された外表面を備える第1基板;放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板;吸熱電極が形成された内表面を備える第3基板;第1熱電半導体チップを備え、前記第1熱電半導体チップの一端部及び他端部が第1半田により夫々前記第1基板の放熱電極及び前記第2基板の吸熱電極に接続されることにより、前記第1基板と前記第2基板との間に介装される第1冷却ユニット;並びに第2熱電半導体チップを備え、前記第2熱電半導体チップの一端部及び他端部が前記第1半田より融点が低い第2半田により夫々前記第2基板の放熱電極及び前記第3基板の吸熱電極に接続されることにより、前記第2基板と前記第3基板との間に介装される第2冷却ユニット;からなる、多段電子冷却装置。
- 前記第3基板の外表面に形成された発熱電極;吸熱電極が形成された内表面を備えた第4基板;及び第3熱電半導体チップを備え、前記第3熱電半導体チップの一端部及び他端部が前記第2半田より融点が高い第3半田により夫々前記第3基板の放熱電極及び前記第4基板の吸熱電極に接続されることにより、前記第3基板と前記第4基板との間に介装される第3冷却ユニット;を更に設けた、請求項1記載の多段電子冷却装置。
- 前記第3半田の融点は前記第1半田の融点と同じである、請求項2記載の多段冷却装置。
- 放熱電極が形成された外表面を備える第1基板、放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板及び放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第3基板を準備する第1工程;第1熱電半導体チップの一端部及び他端部を第1半田により夫々前記第1基板の放熱電極及び前記第2基板の吸熱電極に接続することにより、前記第1基板と前記第2基板との間に介装される第1冷却ユニットを構成する第2工程;並びに第2熱電半導体チップの一端部及び他端部を前記第1半田より融点が低い第2半田により夫々前記第2基板の放熱電極及び前記第3基板の吸熱電極に接続することにより、前記第2基板と前記第3基板との間に介装される第2冷却ユニットを構成する第3工程;からなる、多段電子冷却装置の製造方法。
- 放熱電極が形成された外表面を備える第1基板、放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板、放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第3基板及び吸熱電極が形成された内表面を備える第4基板を準備する第1工程;第1熱電半導体チップの一端部及び他端部を第1半田により夫々前記第1基板の放熱電極及び前記第2基板の吸熱電極に接続することにより、前記第1基板と前記第2基板との間に介装される第1冷却ユニットを構成する第2工程;第3熱電半導体チップの一端部及び他端部を前記第1半田により夫々前記第3基板の放熱電極及び前記第4基板の吸熱電極に接続することにより、前記第3基板と前記第4基板との間に介装される第4冷却ユニットを構成する第3工程;並びに第2熱電半導体チップの一端部及び他端部を前記第1半田により低い融点の第2半田により夫々前記第2基板の放熱電極及び前記第3基板の吸熱電極に接続することにより、前記第2基板と前記第3基板との間に介装される第3冷却ユニットを構成する第4工程;からなる、多段電子冷却装置の製造方法。
- 放熱電極が形成された外表面を備える第1基板、放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板及び放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第3基板を準備する第1工程;一端部及び他端部を備えた第1熱電半導体チップ並びに一端部及び他端部を備えた第2熱電半導体チップを準備する第2工程;前記第1熱電半導体チップの一端部及び前記第2熱電半導体チップの他端部を第1半田により夫々前記第2基板の放熱電極及び吸熱電極に接続する第3工程;並びに前記第1半田よりも融点が低い第2半田を用いて、前記第1熱電半導体の他端部及び前記第2熱電半導体チップの一端部を、夫々、前記第1基板の放熱電極及び前記第3基板の放熱電極に接続する第4工程;からなる、多段電子冷却装置の製造方法。
- 放熱電極が形成された外表面を備える第1基板を準備する第1工程;放熱電極が形成された外表面及び吸熱電極が形成された内表面を備える第2基板を準備する第2工程;第1熱電半導体チップ及び第2熱電半導体チップを準備し、前記第1熱電半導体チップの他端部及び前記第2熱電半導体チップの一端が第1半田により夫々前記第2基板の吸熱電極及び放熱電極に接続する第3工程;吸熱電極及び放熱電極が夫々形成された内表面及び外表面を備える第3基板を準備する第4工程;内表面に吸熱電極が形成された第4基板を準備する第5工程;第3熱電半導体チップを準備し、前記第3熱電半導体チップの他端部を第2半田を用いて前記第4基板の吸熱電極に接続する第6工程; 前記第1熱電半導体チップの他端部、前記第2熱電半導体チップの一端部及び前記第3熱電半導体チップの一端部を、前記第1半田及び前記第2半田より低い融点の第3半田を用いて、夫々、前記第1基板の放熱電極、前記第3基板の吸熱電極及び前記第3基板の放熱電極に同時接続する第7工程;からなる、多段電子冷却装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04344198A JP3918279B2 (ja) | 1997-02-28 | 1998-02-25 | 多段電子冷却装置及びその製造方法 |
US09/033,517 US5966939A (en) | 1997-02-28 | 1998-03-02 | Multistage thermoelectric cooling device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4565397 | 1997-02-28 | ||
JP9-45653 | 1997-02-28 | ||
JP04344198A JP3918279B2 (ja) | 1997-02-28 | 1998-02-25 | 多段電子冷却装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10303473A JPH10303473A (ja) | 1998-11-13 |
JP3918279B2 true JP3918279B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=26383199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04344198A Expired - Fee Related JP3918279B2 (ja) | 1997-02-28 | 1998-02-25 | 多段電子冷却装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5966939A (ja) |
JP (1) | JP3918279B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3982080B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2007-09-26 | 松下電工株式会社 | 熱電モジュールの製造法と熱電モジュール |
KR100317829B1 (ko) * | 1999-03-05 | 2001-12-22 | 윤종용 | 반도체 제조 공정설비용 열전냉각 온도조절장치 |
US6164076A (en) * | 1999-08-05 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Thermoelectric cooling assembly with thermal space transformer interposed between cascaded thermoelectric stages for improved thermal performance |
US6282907B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-09-04 | International Business Machines Corporation | Thermoelectric cooling apparatus and method for maximizing energy transport |
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JP4669395B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2011-04-13 | 株式会社ダ・ビンチ | ペルチェ素子及びその製造方法 |
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TWI353673B (en) * | 2007-06-04 | 2011-12-01 | Ind Tech Res Inst | Integrated package having solar cell and thermoele |
CN100583478C (zh) * | 2007-10-16 | 2010-01-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种π型CoSb3基热电转换器件及制备方法 |
CN101533847A (zh) * | 2008-03-13 | 2009-09-16 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 具有热电致冷散热功能的整合型芯片 |
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TWI443882B (zh) | 2010-11-15 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 熱電轉換組件及其製造方法 |
US9082928B2 (en) | 2010-12-09 | 2015-07-14 | Brian Isaac Ashkenazi | Next generation thermoelectric device designs and methods of using same |
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US20190089126A1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-21 | Phononic, Inc. | Transistor outline (to) can package with integrated thermoelectric cooler |
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Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2558505B2 (ja) * | 1988-06-29 | 1996-11-27 | 株式会社小松製作所 | 多段電子クーラー |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP04344198A patent/JP3918279B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-02 US US09/033,517 patent/US5966939A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10303473A (ja) | 1998-11-13 |
US5966939A (en) | 1999-10-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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