JP3916127B2 - 記憶回路ブロックのアクセス方法及び記憶回路ブロック - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速なデータの読み出しが可能な記憶回路ブロック及びこの記憶回路ブロックのアクセス方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、DRAM(Dynamic RAM)におけるロウ・アクセスは、選択されたロウ・アドレスに属する全てのメモリセルのトランジスタをオンにする。全てのメモリセルの記憶データは電荷である。このメモリセルの電荷とビット・ラインの電荷がメモリセルのトランジスタがオンになることによって共有される。共有されたことによって、電荷によるメモリセルの記憶データは破壊される。記憶データを復元するために、DRAMはビット・ライン対ごとにセンス・アンプを設け、データの再書き込みを行う必要がある。従って、DRAMはロウ・アクセスの度にセンス・アンプを起動させなければならない。
【0003】
DRAMのアクセスの一種であるページ・モードは、起動されたセンス・アンプに保持されたデータに次々とアクセスするため、非常に高速なスピードでアクセスすることができる。SDRAM(Synchronous DRAM)やラムバス(Rambus)のような、より高度な動作が可能なメモリーのアクセスの一種であるバースト・モードでも、ページ・モードを利用することを基本としており、メモリー・チップの内部でカラム・アドレスを変えることにより、サイクル・タイムを短縮することができる。
【0004】
しかし、ページ・モードなどの高速アクセス・モードは、選択されたワード・ラインのカラム・アドレスを次々と変更する方式に限定される。図3(A)にDRAMの基本動作を示すが、ロウ・アドレスが変わると、DRAMは(i)それまで選択されていたワード・ラインの全てのデータを再書き込みし、(ii)ビット・ラインをプリチャージし、(iii)新しいワード・ラインを起動させ、(iv)読み出し信号がビット・ライン対に供給されるのを待ち、(v)センス・アンプの動作を開始させる、という一連の操作を実行しなければならないので、アクセス時間とサイクル・タイムが非常に長くなる。
【0005】
図3(B)に示すように、一般的なSDRAM DDR(Synchronous DRAM Double Data Rate)のアクセス・モードは、(a)バースト・モードによるカラム・アクセスは高速である。しかし、(b)ロウ・アドレス間のサイクル・タイム(Row-to-Row Cycle time)は、ワード・ラインの起動開始からビット・ラインのプリチャージ完了までの時間間隔であるアレー時定数(Array Time Constant)が長いので、非常に低速である。バースト・データレートが高くても、ロウ・アドレス間のアクセスのネット・データレートは非常に低い。ネット・データレートは、12クロック・エッジ中、4クロック・エッジでデータのバーストが行われているため、ピークデータレートの4/12=33%しかない。このランダム・ロウ・アクセスを改善するため、DRAMは複数のバンクを有している。
【0006】
一般的にバンクの数は実用設計上、1つのメモリー・チップ当たりにわずか2乃至4個に限定され、高速なランダム・ロウ・アクセスの利用も非常に限定されている。このように、一般的なDRAMにおいては、カラム・アクセス(水平アクセス)が高速であるけれども、ロウ・アクセス(垂直アクセス)は非常に低速である。
【0007】
SRAM(Static RAM)やDRAMのようなデータを電荷として記憶する従来のメモリーは、いずれのメモリ・アレーも複数のワード・ラインとビット・ラインがマトリクス状に構成されている。アクセスは、ワード・ラインまたはビット・ラインのどちらか一方がアクティブである限り、妨げられることはない。従って、図3(A)に示すように、メモリーのサイクル・タイムは、理論的には、ワード・ラインの起動開始からビット・ラインのプリチャージ完了までの時間間隔であるアレー時定数で定義される。
【0008】
通常のSRAMやDRAMにおける読み出し操作及び書き込み操作は、どちらも同じノード(ワード・ライン及びビット・ライン)を起動させることにより実施される。また、記憶されたデータは電荷であるので、タイミング信号の重複があると、読み出しアクセスにおいても、誤った書き込みがされたり、あるいはデータが破壊されたりすることになる。例えば、1番目にアクセスされたワード・ラインの動作中に2番目にアクセスされたワード・ラインが動作した場合、これら2本のワード・ラインに連結された全てのデータが共通のビット・ラインを通して互いに衝突する。ビット・スイッチにおける重複も、データ・ラインを通して2本のビット・ラインにつながったメモリセル間の電荷が共有されて記憶されたデータの破壊をまねく。このようなワード・ラインの動作のタイミング制約から十分な余裕を持つために、アレー時定数を長くし、データにとって安全設計にすることにより、サイクル・タイムは理論上のアレー時定数よりもはるかに長くなってしまい、メモリーの動作速度を低下させてしまう。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の目的は、高速動作が可能な記憶回路ブロック及びこの記憶回路ブロックのアクセス方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の記憶回路ブロックのアクセス方法の要旨は、読み出しワード・ライン及び書き込みワード・ラインによるワード・ラインを有し、複数のワード・ラインが複数のビット・ラインとでマトリックス状に配置され、その交叉部に少なくともビット・ラインに流れる電流によって生成される磁界の向きに応じて磁化の方向が決定される強磁性体の層を含む記憶素子を配置したメモリ・アレーと、読み出しワード・ラインに読み出し信号を供給する読み出しワード・ライン・ドライバーとを含む記憶回路ブロックのアクセス方法であって、第1の読み出しワード・ラインに第1の読み出し信号を供給して、第1の読み出しワード・ラインをアクティブにするステップと、第1のビット・ラインにビット・ライン用の読み出し信号を供給するステップと、第1の読み出し信号が立ち下がる途中で、第2の読み出しワード・ラインに第2の読み出し信号を供給するステップとを含むことにある。このように、ワード・ラインの重複を許すことにより高速動作を可能としている。
【0011】
また、本発明の記憶回路ブロックの要旨は、読み出しワード・ライン及び書き込みワード・ラインによるワード・ラインを有し、複数のワード・ラインが複数のビット・ラインとでマトリックス状に配置され、その交叉部に少なくともビット・ラインに流れる電流によって生成される磁界の向きに応じて磁化の方向が決定される強磁性体の層を含む記憶素子を配置したメモリ・アレーと、メモリ・アレーに接続され、複数の読み出しワード・ラインの中から所望の読み出しワード・ラインに読み出し信号を供給する読み出しワード・ライン・ドライバーとを含む記憶回路ブロックであって、読み出しワード・ライン・ドライバーが、第1の読み出しワード・ラインがアクティブになった後、第1の読み出しワード・ラインが立ち下がる途中で、第2の読み出しワード・ラインを立ち上げるための手段を含むことにある。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の記憶回路ブロック及びアクセス方法の実施の形態を図面を基に説明する。
【0013】
図1に示す本発明の記憶回路ブロック10は、データを記憶する記憶素子、ワード・ライン(読み出しワード・ライン24と書き込みワード・ライン26)、及びビット・ライン・ペア28を含んだメモリ・アレーと、読み出しワード・ライン24に読み出し信号を供給するための読み出しワード・ライン・ドライバー14と、ビット・ライン・ペア28に読み出しビット・ライン用の読み出し信号を供給するための読み出し回路21を含む。記憶回路ブロック10は、MRAM(Magnetic Random Access Memory)のメモリ・チップなどに使用される。
【0014】
読み出しワード・ライン・ドライバー(Read Word Line Driver)14は、第1の読み出しワード・ライン24に読み出し信号を供給する手段と、第1の読み出しワード・ライン24がアクティブになった後、その第1の読み出しワード・ライン24が立ち下がる途中で、第2の読み出しワード・ライン24に読み出し信号を供給するための手段を含んでいる。
【0015】
データを記憶するためのメモリ・アレー12は、複数のワード・ライン(読み出しワード・ライン24及び書き込みワード・ライン26)と複数のビット・ライン・ペア28とがマトリックス状に配置され、その交叉部に不揮発性の記憶素子を配置している。ワード・ラインはロウ・アドレスで特定され、ビット・ライン・ペア28はカラム・アドレスで特定される。記憶素子は、ロウ・アドレスとカラム・アドレスが特定されることによって、特定されたロウ・アドレスのワード・ラインと特定されたカラム・アドレスのビット・ライン・ペア28の交叉部に配置された記憶素子として特定される。記憶素子は、MTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子である。MTJ素子は、少なくとも磁化の方向が固定された強磁性体の層である固定層、トンネル電流を流す絶縁体であるトンネルバリアー及び磁界の方向によって磁化方向が変化する強磁性体の層である自由層を含む。また、記憶素子としてGMR(giant magnetoresistive)素子を用いることもできる。
【0016】
また、書き込みワード・ライン26に書き込み電流を供給する書き込みワード・ライン・ドライバー(Write Word Line Driver)16、読み出しワード・ライン・ドライバー14及び書き込みワード・ライン・ドライバー16を操作するロウ・デコーダー(Row Decoder)18を含む。更に、ビット・ライン・ペア28を選択し、書き込み電流を流すビット・ライン・カレント・ドライバー(Bit Line Current Driver)20a,20bがビット・ライン・ペア28の両端に設けられ、ビット・ライン・カレント・ドライバー20a,20bを操作するカラム・デコーダー(Column Decoder)22を含む。各ドライバーは、読み出し信号や書き込み信号としてパルス信号を発生し、各ラインにこのパルスを供給して、各ラインをアクティブにする。
【0017】
また、ビット・ライン・ペア28に読み出し信号を供給し、記憶素子のデータを読み出すために、センス・アンプなどの読み出し回路21が設けられる。ビット・ライン・ペア28は、ビット・スイッチ(図示していない)でビット・ライン・カレント・ドライバー20a,20bまたは読み出し回路21への接続を選択される。読み出し回路21は、複数の読み出しワード・ライン24が順に読み出し信号が供給されている間、所定のビット・ライン・ペア28にビット・ライン用の読み出し信号を供給し続ける手段を含む。従って、ビット・ライン・ペア28がアクティブになっている間、次々と読み出しワード・ライン24をかえて、次々と記憶素子のデータを読み出すことができる。言い換えると、本発明の記憶回路ブロック10は、カラム・アドレスを固定して、次々とロウ・アドレスを変更してデータを読み出すことができる。
【0018】
また、記憶回路ブロック10はツイン・セル(Twin Cell)と呼ばれるT/C(True/Complement)の2セル構造であり、ビット・ラインはペア(ビット・ライン・ペア28)になっている。従って、どちらのビット・ラインの電位が高いか、低いかを判別することによって、「0」または「1」のデータを判別することができる。ツイン・セルでない場合でも「0」または「1」のデータを判別する基準となるビット・ライン電位が必要であり、基準となるビット・ラインとデータの読み出しに選択されたビット・ラインとがペアになる。
【0019】
記憶回路ブロック10は、読み出しワード・ライン24と書き込みワード・ライン26という異なるワード・ラインがあり、データの読み出し時には、読み出しワード・ライン24が使用され、データの書き込み時には、書き込みワード・ライン26が使用される。2本のワード・ラインがあるため、データの読み出し操作により誤ってデータの書き込みが行われる可能性はない。
【0020】
データは電荷ではなくMTJ素子の磁化の方向で記憶される。SRAM及びDRAMのようにタイミング信号が重複しても、データ破壊を引き起こすことはない。例えば、データ読み出し時に第1にアクセスされた第1の読み出しワード・ライン24の読み出し信号の立ち下がり端が、第2にアクセスされた第2の読み出しワード・ライン24の読み出し信号の立ち上がり端に重複したとしても、MTJ素子は不揮発性の記憶素子であり、記憶されたデータは破壊されない。すなわち、第1の読み出しワード・ライン24に供給された第1の読み出し信号が立ち下がる途中で、第2の読み出しワード・ライン24に第2の読み出し信号を供給することができる。
【0021】
また、第1の読み出しワード・ライン24がアクティブになっている間に、第1のビット・ライン・ペア28に読み出し信号を供給することによって、第1の読み出しワード・ライン24と第1のビット・ライン・ペア28との交叉部にある記憶素子のデータを読み出すことができる。第1の読み出しワード・ライン24に供給された第1の読み出し信号が立ち下がると同時に、第2のビット・ライン・ペア28にビット・ライン用の読み出し信号を供給して、第2の読み出しワード・ライン24と第2のビット・ライン・ペア28の交叉部の記憶素子のデータを読み出すことができる。
【0022】
以上より、記憶回路ブロック10の回路設計上の全ての読み出しワード・ライン24などを動作させるタイミング制約が緩和され、高速スピードを引き出すのがより容易になっている。
【0023】
記憶回路ブロック10の読み出し操作では、SRAM及びDRAMと比較すると、いくつかの異なった特徴がある。記憶回路ブロック10のデータの読み出しは非破壊的であるので、図3(A)の(i)データを再書き込みする操作は必要ない。また、MTJ素子に直流電流を流してデータを読み出すため、図3(A)の(ii)ビット・ラインをプリチャージするという操作も必要がない。これら2つのタイミング工程を行う必要がないので、アレー時定数が大幅に短縮される。
【0024】
記憶回路ブロック10の読み出し操作においては、読み出しワード・ライン24を活性化し、ビット・ライン・ペア28及びMTJ素子に直流電流を流す。この直流電流及びMTJ素子の抵抗で求められる電圧が、読み出し回路(センス・アンプ)21で検知され、増幅される。
【0025】
MTJ素子の抵抗(2〜3kΩ)、メモリセルのトランジスタ(MOSFET)のオン時のドレイン・ソース間の抵抗(1〜2kΩ)及びビット・ライン容量(0.3〜0.4pF)で決定されるセンス・ラインのRC時定数(または時定数)の合計は、非常に短く、例えば3nsec以下である。このようにRC時定数が短くなるということは、ロウ及びカラムの両方のアドレスへのアクセスにおいて、アクセスの変化があった場合でも読み出し信号がすばやく発生するので、ロウ・アクセスにおいて高速な読み出しが可能になるということを意味する。
【0026】
記憶回路ブロック10の読み出し操作では、読み出しのタイミング信号が重複してもよく、従来のメモリ・アレーの時間のかかる2つの工程、すなわちデータの再書き込みとプリチャージを必要としない。また、従来のメモリーの読み出し信号の発生と検知時間も、センス・ラインのRC時定数に短縮することができる。
【0027】
このように、記憶回路ブロック10の読み出し操作のアレー時定数は、図2(A)で示すようなセンス・ラインのRC時定数と同じ長さに減少させることができる。本発明のアクセス方法は以上のような事実に基づいており、カラム・アドレスへのアクセスが次々と変わる(水平アクセス)DRAMのページ・モードと類似して、ロウ・アドレスへのアクセスが次々と変わるアクセス(垂直アクセス)であるので、「垂直ページ・モード」と呼ぶ。以下に、本発明のアクセス方法である垂直ページ・モードについて説明する。
【0028】
垂直ページ・モードはカラム・アドレスを固定して、ロウ・アドレスへのアクセスを次々に変えてデータを読み出す。固定したカラム・アドレスと次々に変えられるロウ・アドレスの交叉部の記憶素子が記憶するデータを次々に読み出す。図2(A)は、第1の読み出しアクセスとそれに続く第2の読み出しアクセスの、2回の読み出し動作を例示している。すなわち、図2(A)の実線は、第1の読み出しアクセスでアクセスする第1の読み出しワード・ライン24に供給される第1の読み出し信号、及び第2の読み出しアクセスでアクセスする第2の読み出しワード・ライン24に供給される第2の読み出し信号の時間的変化を例示したものであり、点線は、固定しているカラム・アドレスのビット・ライン・ペア28の読み出し時の電圧の時間的変化を例示したものである。図中、例えば上方の電圧が真(true)のビット・ラインの電圧で、下方が偽(complement)のビット・ラインの電圧を示している。第1の読み出しアクセスでは、センス・ラインのRC時定数が上記のように短いので、即座に次の読み出し信号が発生する。第1の読み出しワード・ライン24に供給された第1の読み出し信号が立ち下がる途中で、図中(i)で第2の読み出しワード・ライン24に第2の読み出し信号が供給され、立ち上がる。2本の読み出しワード・ライン24の読み出し信号は、図2(A)の(i)から(ii)で重複が起こる時に衝突するが、記憶されたデータを破壊することはない。
【0029】
第1の読み出しワード・ライン24の読み出し信号が立ち下がるのと同時に、センス・ラインの短いRC時定数によって、ビット・ライン・ペア28をプリチャージすることなしに、即座にビット・ライン・ペア28には次のビット・ライン用の読み出し信号を流す。
【0030】
読み出しワード・ライン24において読み出し信号の重複が起きたとしても、この方式ではエラーのない高速読み出しアクセスが可能となる。この方式では、アレー時定数は、センス・ラインのRC時定数と同じで、また、垂直ページ・モードのサイクル・タイムである。RC時定数が短いことにより、ロウ・アクセスは、高速な読み出しスピードを実現することができる。
【0031】
本発明の記憶回路ブロック10は、SDRAMのバースト・モードと同様に、記憶回路ブロック10のチップ上にロウ・アドレス増加回路を設ける。ロウ・アクセスでは、第1のロウ・アドレスがメモリー制御器から供給され、メモリー・チップがそれをラッチする。図2(B)に示すようにアドレス増加回路により、後続の3つのロウ・アドレスが内部で生成され、4ビットのバースト読み出しモードが実現する。
【0032】
図2(B)の“読み出しR1 (Read R1)”又は“読み出しR2(Read R2)”の時間幅は、図2(A)で示したアレー時定数の4倍の時間幅である。データI/O (Data I/O)におけるデータ30のバーストは、図示するようにデータ30が連続しており、ロウ・アクセスの最高速度と同じデータ転送速度を必ず得る。センス・ラインのRC時定数は非常に短いので、ワード・ラインが同じカラム・アドレスを維持しながら変わると、即座に読みだしデータが有効となる。即ち、カラム方向に、従来のページ・モードが提供されるということである。この記憶回路ブロック10のアクセス方法は、どのカラム・アドレス及びロウ・アドレスでも、同じ高速読み出しモードを有する。
【0033】
本発明には、いくつかのオプションがある。まず、本発明の記憶回路ブロック10は、SDRAMでのバースト・モードの読み出し動作と同様の動作を想定しているが、メモリ・チップ内部で連続的にカウントアップするアドレスは、通常のSDRAMとは異なり、ロウ・アドレスを4ビットでカウントアップしている。しかし、カラム・アドレスを固定してロウ・アドレスをカウントアップしなければならない理由はなく、各アレー時定数に、ロウおよびカラム・アクセスともを変えることができる。この動作は、本来のランダム・ロウ・アクセスそのものである。
【0034】
もう1つのオプションは、通常のカラム方向の2、4あるいはそれ以上の多ビットのバーストを基本動作として、これをロウ・アドレスの異なる複数の任意アドレスに渡って繰り返すモードである。このモードでは、図2(B)の各ロウ・アクセス内には1アレー時定数が入っており、クロックが高速で、そのサイクル時間がRC時定数よりも短いときに使用可能なモードである。
【0035】
以上、本発明の記憶回路ブロック及びアクセス方法について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々なる改良,修正,変形を加えた態様で実施できるものである。
【0036】
【発明の効果】
本発明によると、記憶回路ブロックのデータ記憶が不揮発性である性質を利用して、任意の連続したロウ・アクセスが、従来のページ・モードと同じ高速スピードでアクセスすることが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の記憶回路ブロックの構成を示す図である。
【図2】本発明の記憶回路ブロックのアクセス方法を示す図であり、(A)はメモリ・アレーの動作状態を示し、(B)はロウ・アクセス・モードを示す図である。
【図3】従来の記憶回路ブロックにおけるロウ−ロウ間のアクセス方法を示す図であり、(A)はメモリ・アレーの動作状態を示し、(B)はロウ・アクセス・モードを示す図である。
【符号の説明】
10:記憶回路ブロック
12:メモリセル
14:読み出しワード・ライン・ドライバー
16:書き込みワード・ライン・ドライバー
18:ロウ・デコーダー
20a,20b:ビット・ライン・カレント・ドライバー
21:読み出し回路
22:カラム・デコーダー
24:読み出しワード・ライン
26:書き込みワード・ライン
28:ビット・ライン・ペア
30:データ
Claims (8)
- 読み出しワード・ライン及び書き込みワード・ラインによるワード・ラインを有し、複数のワード・ラインと複数のビット・ラインとがマトリックス状に配置され、その交叉部に少なくとも該ビット・ラインに流れる電流によって生成される磁界の向きに応じて磁化の方向が決定される強磁性体の層を含む記憶素子を配置したメモリ・アレーと、
前記読み出しワード・ラインに読み出し信号を供給する読み出しワード・ライン・ドライバーと、
前記ビット・ラインにビット・ライン用の読み出し信号を供給する読み出し回路と、
を含む記憶回路ブロックのアクセス方法であって、
第1の読み出しワード・ラインに第1の読み出し信号を供給して、該第1の読み出しワード・ラインをアクティブにするステップと、
第1のビット・ラインに前記ビット・ライン用の読み出し信号を供給するステップと、
前記第1の読み出し信号が立ち下がる途中で、第2の読み出しワード・ラインに第2の読み出し信号を供給するステップと、
を含み、
読み出しをおこなうカラム・アドレスの前記ビット・ラインへの前記ビット・ライン用の読み出し信号を供給しながらアクティブとなる前記読み出しワード・ラインを次々変更する記憶回路ブロックのアクセス方法。 - 前記第1のビット・ラインにビット・ライン用の読み出し信号を供給するステップが、少なくとも前記第2の読み出しワード・ラインに第2の読み出し信号を供給し、該第2の読み出しワード・ラインがアクティブになるまで行う請求項1に記載の記憶回路ブロックのアクセス方法。
- 前記第1のビット・ラインと前記第1の読み出しワード・ラインとの交叉部にある第1の記憶素子のデータを読み出すステップと、前記第1のビット・ラインと前記第2の読み出しワード・ラインとの交叉部にある第2の記憶素子のデータを読み出すステップと、を含む請求項2に記載の記憶回路ブロックのアクセス方法。
- 固定する前記カラム・アドレスが複数である請求項1乃至3に記載の記憶回路ブロックのアクセス方法。
- 読み出しワード・ライン及び書き込みワード・ラインによるワード・ラインを有し、複数のワード・ラインと複数のビット・ラインとがマトリックス状に配置され、その交叉部に少なくとも該ビット・ラインに流れる電流によって生成される磁界の向きに応じて磁化の方向が決定される強磁性体の層を含む記憶素子を配置したメモリ・アレーと、
第1の読み出しワード・ラインに読み出し信号を供給する手段、及び該第1の読み出しワード・ラインがアクティブになった後、該第1の読み出しワード・ラインが立ち下がる途中で、第2の読み出しワード・ラインに読み出し信号を供給する手段を含んだ読み出しワード・ライン・ドライバーと、
前記第1および第2の読み出しワード・ラインに、順に前記読み出し信号が供給される間、前記ビット・ラインにビット・ライン用の読み出し信号を供給する読み出し回路と、
読み出しをおこなうカラム・アドレスに対して、前記第1の読み出し信号が供給される前記第1の読み出しワード・ラインの第1のロウ・アドレスをラッチし、バースト読み出しをおこなうために該第1のロウ・アドレスに続くロウ・アドレスを生成するロウ・アドレス増加回路と、
を含む記憶回路ブロック。 - 前記読み出し回路が、複数の読み出しワード・ラインが順に読み出し信号を供給される間、所定のビット・ラインのみに前記ビット・ライン用の読み出し信号を供給する手段を含む請求項5に記載の記憶回路ブロック。
- 前記記憶素子がMTJ(Magnetic
Tunnel Junction)素子又はGMR(giant
magnetoresistive)素子を含む請求項7または8に記載の記憶回路ブロック。 - 前記読み出しをおこなうカラム・アドレスが複数である請求項5乃至7に記載の記憶回路ブロックのアクセス方法。
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