JP3912840B2 - 流体加熱冷却装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、流体を加熱および冷却する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハを洗浄するいわゆるRCA洗浄工程においては、アンモニア過水による洗浄によって有機物およびパーティクルが除去され、また、塩酸過水による洗浄によって金属イオンが除去される。
【0003】
上記洗浄処理においては、洗浄用薬液である上記アンモニア過水および塩酸過水を80℃前後程度まで加熱する必要がある。そこで、加熱源である管状のランプヒータを一端を閉止したヒータ挿入管に着脱自在に挿入し、このヒータ管の周囲に形成した流通空間において上記洗浄薬液を流通させるようにした流体加熱装置が実用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記ランプヒータは、両端部をシールした管状の耐熱ガラス管内にフィラメントを配設した構造を有する。
【0005】
上記ランプヒータのシール部には、一定以上の高温下で変質する金属製部材が封入されているので、該ヒータの寿命を延ばすには、上記シール部を冷却することが望ましい。
【0006】
特に、上記ヒータ挿入管の閉止端側に位置したシール部は、その周辺が該挿入管の内面に包囲されているので高温になり易く、したがって、上記閉止端側に位置したシール部を冷却することは、ランプヒータの寿命を延ばす上で極めて重要となる。
【0007】
本発明の目的は、かかる状況に鑑み、加熱源であるランプヒータの端部を冷却することができる流体加熱冷却装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一端が閉止されたヒータ挿入管と、前記ヒータ挿入管が内部を貫通し、該ヒータ挿入管の外周面との間に被加熱冷却流体の流通空間を画成する外管と、前記外管の外周囲に配設され、該外管の外面との間に少なくとも前記ヒータ挿入管の閉止端が内部に露呈する態様で冷却媒体の流通空間を画成するジャケットと、シングルエンド構造を有し、加熱源として前記ヒータ挿入管に挿入される管状のランプヒータと、を備え、前記外管に前記被加熱冷却流体の流入口および流出口を設けると共に、前記ジャケットに前記冷却媒体の流入口および流出口を設けたことを特徴としている。
【0009】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に係る流体加熱冷却装置10の一実施形態を示した縦断面図であり、また、第2図および第3図は、それぞれ第1図のA矢視図およびB矢視図である。
【0010】
各図に示すように、この流体加熱冷却装置10は、ケーシング20の内方に、一対のヒータ挿入管30、外管40およびジャケット50を配設した構成を有する。
【0011】
上記各ヒータ挿入管30は、透明石英ガラスで形成されており、外管40の内部を前後方向に貫通している。
【0012】
外管40は、石英ガラスからなり、前端および後端にそれぞれ壁41および42を備えている。この外管40は、ヒータ挿入管30の外周面との間に被加熱冷却流体の流通空間43を画成し、かつ、壁41の上部および下部に被加熱冷却流体の流入口44および流出口45をそれぞれ設けてある。
【0013】
図4に示すように、外管40は、円筒状に形成され、その内部に隔壁46を設けてある。図1に示した流通空間43は、この隔壁46によって空間部43aと空間部43bに二分されており、上記各ヒータ挿入管30の一方は空間部43aに、他方は空間部43bにそれぞれ位置している。なお、図1および後述の図5においては、上記隔壁46が省略されている。
【0014】
上記空間部43aおよび43bは、それぞれ上記流入口44および流出口45に連通し、かつ、上記隔壁46の後端部に設けた穴46aを介して相互に連通している。
【0015】
上記ジャケット50は、SUS等の耐腐蝕性金属で形成されており、図5に示すように、後端に壁51を備えた円筒形状を有する。
【0016】
このジャケット50は、前記外管40の外周囲に位置し、該外管40の外面との間に冷却媒体である冷却水の流通空間52を画成している。そして、壁51の中央部に冷却液の導入口53を設けるとともに、前端部に位置した周壁に冷却水の流出口54を設けてある。
【0017】
図6および同図のC−C断面図である図7に示すように、上記ヒータ挿入管30内にはランプヒータの1つであるハロゲンランプ60が加熱源として挿入されている。
【0018】
上記ハロゲンランプ60は、隣接させた一対の透明石英ガラス管61と、これらのガラス管61内にそれぞれ配したフィラメント62、各ガラス管61の一端部相互を連結するセラミックべース63と、各ガラス管61の他端部相互を連結するセラミックべース64とを備えている。
【0019】
セラミックべース63においては、上記各フィラメント62の端部相互が接続され、また、セラミックべース64からは、上記各フィラメント62の他端にそれぞれ接続されたリード線65が導出されている。つまり、このハロゲンランプ60は、一端側から給電するシングルエンド構造を有する。
【0020】
上記石英ガラス管61内には、ハロゲンガスが封入されている。したがって、上記各リード線65間に所定の電圧を印加すれば、いわゆるハロゲンサイクル作用によって長期間、安定に各フィラメント62が発光および発熱する。
【0021】
ヒータ挿入管30は、前端が開口するとともに、後端が外管40の壁42によって閉止されている。したがって、ハロゲンランプ60はヒータ挿入管30の前端から挿入され、そのセラミックべース63が管30の閉止端に当接した段階でその挿入が終了する。このハロゲンランプ60には、例えば、3KWのものが使用される。
【0022】
図1に示すように、ジャケット50は、その前端に設けた外フランジ部50aがOリング70を介して上記壁41の周縁部41aに当接している。また、外管40の壁41の前面には、断熱材80およびSUS製のプレート81が重合配設されている
図1に示すように、外管40の流入口44と流出口45間には、ポンプ90、薬液の貯槽91およびフィルタ92が介在され、また、ジャケット50の流入口53は、電磁弁93を介して図示していない冷却水の供給源(例えば、水道)に接続され、流出口54は図示していない排水設備に接続されている。
【0023】
貯槽91内の薬液は、ポンプ90の運転に伴って、外管40の流入口44、図4の空間部43a、前記隔壁46の穴46aおよび空間部43bを通って外管40の流出口45から流出し、その後、フィルタ92を通過して貯槽91に戻される。
【0024】
一方、冷却水供給源から供給される冷却水は、電磁弁93、前記流入口53および空間52を通って流出口54から排出される。そして、上記空間52を流通する間に、外管40内を流通する薬液を冷却する。
【0025】
貯槽91には、温度センサ94が設けられているが、この温度センサ94は、該貯槽91内の薬液の実際の温度を検出して、その検出信号をコントローラ95に加える。
【0026】
そこで、コントローラ95は、予設定された目標温度と上記薬液の実際の温度との偏差に基づき、この偏差がなくなるように、つまり、貯槽91内の薬液の温度が上記目標温度が維持されるように、ハロゲンランプ60への供給電力を制御する。
【0027】
すなわち、例えば、上記目標温度が40℃で、貯槽91内の薬液が入れ替え等のために20℃程度まで低下したとすると、この場合、ハロゲンランプ60に加熱用の電力が供給されるので、前記加熱冷却装置10の流通空間43を通過する薬液が加熱され、その結果、貯槽91内の薬液の温度が上記目標温度に向かって速やかに上昇する。
【0028】
上記供給電力は、薬液の温度が何等かの要因で上記目標温度よりも上昇した場合に減少されるが、もし、上記冷却水による薬液の冷却を行わない場合には、薬液の温度が目標温度まで降下するのにかなりの時間を要することになる。
【0029】
なぜなら、上記薬液の温度が室温に近い40℃程度の場合、該薬液の自然な熱放散が少ないことから、ハロゲンランプ60への供給電力を減少させても、薬液の温度が速やかに低下しないからである。
【0030】
しかし、薬液の冷却機能も有した上記加熱冷却装置10によれば、上記供給電力の減少に伴って薬液の温度が目標温度まで速やかに降下される。つまり、上記加熱冷却装置10によれば、温度制御の応答性を高めることができる。
【0031】
なお、上記薬液が半導体製造プロセスで使用される洗浄液である場合、サブミクロンのパーティクルを除去するために、この洗浄液にメガソニック帯域の超音波を併用することがあるが、この場合、超音波エネルギーが薬液中で消費されるので、この超音波の照射前における薬液の温度が40℃であるとすると、この薬液の温度が40℃よりも上昇することになる。つまり、上記超音波の使用は、薬液の温度を上昇させる要因の1つになる。
【0032】
ところで、上記冷却水の流通空間52には、図6に示すように、ヒータ挿入管30の閉止端が露呈しており、したがって、この閉止端側に位置したハロゲンランプ60の端部は、上記流通空間52を通過する冷却水によって冷却される。
【0033】
周知のように、ハロゲンランプ60の寿命を決定する要因には、フィラメントの溶断の他に、シール部66の故障がある。シール部には、モリブデン箔が封入されているが、このモリブデン箔は高温下で酸化し易いという性質を持つので、その温度を350℃以下にすることが望ましい。
【0034】
上記のように薬液を冷却するための冷却水を利用してハロゲンランプ60の端部を冷却する上記装置10によれば、この端部に位置したシール部66が冷却されるので、専用の冷却手段を設けることなく上記モリブデン箔の酸化を可及的に抑制すること、つまり、ハロゲンランプ60の寿命を延ばすことができる。
【0035】
なお、リード線65が導出された側のハロゲンランプ60の端部にもシール部66が存在するが、このシール部66は、セラミックベース64およびリード線65を介して放熱されるので、実用上、強制冷却しなくても良い。
【0036】
しかし、ハロゲンランプ60の寿命をより延ばすためには、リード線65が導出された側のシール部66を冷却することも有利であり、その場合、前記冷却水の流通空間52を該シール部66の近傍まで延長すれば良い。
【0037】
図8は、内周面に螺旋状のガイド板55を突設したジャケット50を示している。このガイド板55を備えたジャケット50によって図1に示した外管40を覆えば、上記流通空間52において外管40の外周面をガイド板55が周回することになる。したがって、前記冷却水の流入口53から流入した冷却水は、ガイド板55で形成された螺旋状通路を通過し、その結果、外管40の外周囲に満遍なく冷却水が流通して冷却効率が向上する。
【0038】
図1に示す実施形態においては、外管40の壁41の周縁部41aとジャケット50のフランジ部50a間をOリング70によってシールしているが、図9に示す実施形態では、上記周縁部41aとフランジ部50a間に管用シール材71を介在させ、かつ、フランジ部50aとプレート80間にスペーサ72を介在させてある。
【0039】
上記のような態様で外管40とジャケット50を接合すれば、外管40の熱膨張の影響を受けない。また、互いに機械的強度の異なる上記周縁部41aとフランジ部50aが直接接触しないので、両者の締着時に上記周縁部41aが破損する虞れもなくなる。
【0040】
なお、半導体製造プロセスで使用される上記薬液としては、前記RCA洗浄に用いられるアンモニア過水、塩酸過水、窒化膜除去液であるリン酸、レジスト剥離液である硫酸過水等がある。しかし、上記装置は、メッキ処理液等の他の分野での処理液の加熱冷却にも適用可能である。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、流体を加熱および冷却することができるので、流体の温度を室温に近い温度に設定する場合に適用して好適である。また、被加熱冷却流体を冷却するための冷却媒体を利用して加熱源である管状のランプヒータの端部を冷却しているので、専用の冷却手段を用いることなく、上記端部の温度上昇を抑制してランプヒータの寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示した縦断面図。
【図2】図1のA矢視図。
【図3】図1のB矢視図。
【図4】外管の構造を示す部分破断斜視図。
【図5】ジャケット、外管およびヒータ挿入管の位置関係を示す破断斜視図。
【図6】ハロゲンランプの構造の一例を示す断面図。
【図7】図6のC−C断面図。
【図8】ジャケットの他の構成例を示す斜視図。
【図9】ジャケットと外管の他の接合構造を示す縦断面図。
【符号の説明】
10 加熱冷却装置
20 ケーシング
30 ヒータ挿入管
40 外管
44 流入口
45 流出口
46 隔壁
50 ジャケット
53 流入口
54 流出口
55 ガイド板
60 ハロゲンランプ
Claims (3)
- 一端が閉止されたヒータ挿入管と、
前記ヒータ挿入管が内部を貫通し、該ヒータ挿入管の外周面との間に被加熱冷却流体の流通空間を画成する外管と、
前記外管の外周囲に配設され、該外管の外面との間に少なくとも前記ヒータ挿入管の閉止端が内部に露呈する態様で冷却媒体の流通空間を画成するジャケットと、
シングルエンド構造を有し、加熱源として前記ヒータ挿入管に挿入される管状のランプヒータと、
を備え、前記外管に前記被加熱冷却流体の流入口および流出口を設けると共に、前記ジャケットに前記冷却媒体の流入口および流出口を設けたことを特徴とする流体加熱冷却装置。 - 前記ジャケットは、前記冷却媒体の流通空間において前記外管の外周面を周回する螺旋状のガイド板を備え、このガイド板によって前記冷却媒体をガイドするようにした請求項1に記載の流体加熱冷却装置。
- 前記ランプヒータはハロゲンランプであり、前記ヒータ挿入管は透明の石英ガラスからなる請求項1に記載の流体加熱冷却装置。
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