JP3912439B2

JP3912439B2 - 半導体製造装置及びウェーハの表面の処理方法

Info

Publication number: JP3912439B2
Application number: JP6181497A
Authority: JP
Inventors: 光浩平野
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 1997-02-28
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 2007-05-09
Anticipated expiration: 2017-02-28
Also published as: JPH10242242A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置、特にロードロック室を有する半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置は反応炉、ウェーハを多数保持するボート、前記反応炉にボートを挿脱するボートエレベータ、ウェーハが装填されたウェーハカセットを収納するカセット棚、該ボートとカセット棚間でウェーハの移載を行うウェーハ移載機、半導体製造装置外部に対してウェーハカセットを授受するカセットステージ、該カセットステージと前記カセット棚間でカセットの移載を行うカセット移載機等を具備している。
【０００３】
前記反応室内ではウェーハ表面に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の処理が行われるが、ウェーハ処理は減圧下高清浄雰囲気で行われる。又、ウェーハの処理は高温下で行われる。この為、反応炉へのボートの挿脱時に自然酸化膜の生成を防止する為、或はパーティクルの浸入を防止する為、前記反応炉に前記ボートエレベータを収納するロードロック室を連設し、ボートの挿脱を真空下、或は不活性ガス雰囲気で行う様にしたものがある。
【０００４】
従来のロードロック室を具備する半導体製造装置について図１５、図１６により説明する。
【０００５】
筐体１の前面にはヒンジ（図示せず）を介してフロントパネル４４が開閉可能に設けられ、該フロントパネル４４にはスライド扉（図示せず）が設けられた搬入出口２が設けられ、該搬入出口２に臨接してカセットステージ３が設けられている。該カセットステージ３に対峙してカセット棚４が設けられ、該カセット棚４と前記カセットステージ３間にカセット移載機５が設けられる。前記筐体１内後部上方には反応炉６が設けられ、該反応炉６の下側には縦長の直方体形状のロードロック室７が気密に連設され、前記ロードロック室７の前面側には前記カセット棚４と対向する位置にロードロックドア８が設けられ、前記ロードロック室７内にはボート９を前記反応炉６に挿脱するボートエレベータ１０が内設されている。
【０００６】
前記カセット棚４とロードロック室７間には、ウェーハ移載機１１が設けられ、該ウェーハ移載機１１により前記ロードロック室７と前記カセット棚４内のウェーハカセット１３間でウェーハ１２の移載が行われる。
【０００７】
外部搬送装置（図示せず）よりウェーハ１２が装填されたウェーハカセット１３が搬入され、前記カセットステージ３に載置される様になっている。該カセットステージ３は２個のウェーハカセット１３を並列に受載可能であり、受載したウェーハカセット１３をそれぞれ９０°回転して筐体１内部に取込む様になっている。
【０００８】
前記カセット移載機５はエレベータ機構１５を有し、該エレベータ機構１５は筐体１の底面より立設されたスクリューロッド１４、ガイドロッド１６と、該スクリューロッド１４に螺合すると共にガイドロッド１６に摺動自在に嵌合する中継ステージ１７とを具備し、図示しないモータにより前記スクリューロッド１４が回転され、前記中継ステージ１７がガイドロッド１６に沿って昇降する。又、前記中継ステージ１７には前記ウェーハカセット１３を前記カセットステージ３及び前記カセット棚４に向かって進退可能とする進退機構１８が設けられている。
【０００９】
前記カセット棚４は下段棚１９及び上段棚２０から成り、前記下段棚１９は２列複数段のウェーハカセット収納枠を有し、前記上段棚２０も２列複数段のウェーハカセット収納枠を有する。前記下段棚１９は水平駆動機構２１により前記進退機構１８の進退方向に対して直交する方向に移動可能となっており、前記カセット移載機５或は前記ウェーハ移載機１１と正対可能となっている。
【００１０】
前記ウェーハ移載機１１は、立設されたスクリューロッド２４、ガイドロッド２５、前記スクリューロッド２４を回転するモータ（図示せず）、前記スクリューロッド２４、ガイドロッド２５に嵌合する昇降ブロック２６から成るエレベータ機構２７及び前記昇降ブロック２６に固着されたアーム２８に鉛直軸を中心に回転可能に設けられたウェーハハンドラ３０を有している。該ウェーハハンドラ３０は前記アーム２８に回転可能に設けられた昇降ステージ３１、該昇降ステージ３１に水平方向に移動可能に設けられたウェーハチャック３２から成り、該ウェーハチャック３２は更に水平方向に延出するウェーハ保持プレート３３を複数段有している。
【００１１】
前記ボートエレベータ１０は前記ロードロック室７内に設けられ、昇降機構３５を有し、該昇降機構３５は前記したエレベータ機構２７と同様スクリューロッド３６、ガイドロッド３７等から成り、前記昇降機構３５により昇降される昇降台３８に前記ボート９が立設される。前記ボートエレベータ１０は前記ボート９を前記反応炉６内に装入、抜脱し、ボート９降下状態では前記反応炉６の炉口は炉口蓋３９により閉塞される。
【００１２】
前記ロードロック室７は水平断面が略矩形形状で気密構造であり、前記ウェーハハンドラ３０と対峙する位置にはドアゲートバルブ４０がスライド可能に設けられ、更に前記ロードロック室７の前記ドアゲートバルブ４０と反対側にはメインテナンス用の背面保守扉４１がヒンジ４２を介して回転可能に設けられている。前記背面保守扉４１に対峙する筐体１のリアパネル４９は特に図示していないが筐体１に対して容易に着脱可能となっている。前記カセット移載機５の側方の側面パネル５０はヒンジ５１を介して回転可能に設けられている。
【００１３】
前記ロードロック室７内部は真空引、又大気圧復帰が繰返されるが、大気圧復帰は前記ロードロック室７の隅部に壁面に沿って立設されたガスパージノズル４５から不活性ガス、例えば窒素ガスが導入されて復圧される。パーティクルの巻上げはウェーハのパーティクル汚染の原因となるので、復圧時のガス導入はパーティクルを巻上げない様に行われる。
【００１４】
前記カセット棚４の側面前記ウェーハ移載機１１に対向する部分に、側面保守扉４７が設けられる。該側面保守扉４７にはヒンジレバー４８の一端が枢着されており、該ヒンジレバー４８の他端は前記筐体１に枢支されている。
【００１５】
以下、半導体製造装置に於ける一連の作動を説明する。図示しない外部搬送装置から搬送されたウェーハカセット１３は前記カセットステージ３に載置され、該カセットステージ３で前記ウェーハカセット１３の姿勢を９０°変換して前記カセット棚４に移載する。
【００１６】
前記ウェーハ移載機１１によるボート９へのウェーハ１２の移載は前記下段棚１９に対して行われる。ウェーハ１２を移載する準備として、前記ボート９が前記ボートエレベータ１０により降下され、前記炉口蓋３９により反応炉の炉口が閉塞され、更に前記ロードロック室７の内部に前記ガスパージノズル４５から窒素ガス等のパージガスが導入される。前記ロードロック室７内部が大気圧に復圧された後、前記ドアゲートバルブ４０が開かれる。
【００１７】
前記水平駆動機構２１は前記下段棚１９を水平移動させ、移載の対象となるウェーハカセット１３を前記ウェーハハンドラ３０に対峙する様に位置決めする。前記ウェーハ移載機１１はウェーハチャック３２の進退、昇降ステージ３１の昇降、回転の協働によりウェーハ１２をウェーハカセット１３よりボート９へと移載する。ウェーハ１２の移載は幾つかのウェーハカセット１３に対して行われ、前記ボート９へ所定枚数ウェーハの移載が完了した後、前記ドアゲートバルブ４０が閉じられ、前記ロードロック室７内部が真空引きされる。
【００１８】
真空引きが完了又は、真空引き後前記ガスパージノズル４５よりガスが導入され、ロードロック室７内部が大気圧に復圧されると前記炉口蓋３９が開かれ、ボートエレベータ１０によりボート９が反応炉６内に装入される。該反応炉６内でウェーハ１２に薄膜の生成等所要の処理が為された後、前記炉口蓋３９が開かれ、ボートエレベータ１０によりボート９が引出される。前記ロードロック室７内部が大気圧の状態で前記ドアゲートバルブ４０が開かれる。
【００１９】
処理後のウェーハ１２は上記した作動の逆の手順によりボート９からカセット棚４のウェーハカセット１３に、ウェーハカセット１３は前記カセット移載機５により前記カセット棚４からカセットステージ３に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
【００２０】
半導体製造装置が所定時間稼働した後、或は所定期間毎に内部装置のメインテナンスが行われるが、前記ボート９の交換は前記背面保守扉４１を開いて後方から行われ、前記ウェーハ移載機１１に対する保守は、前記側面保守扉４７を開いて側方から行われ、前記カセット移載機５に対しては前記側面パネル５０が開かれて側方から行われ、更にカセットステージ３に対しては前記フロントパネル４４が開かれて前方より行われる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
上記した様に半導体製造装置では作動の過程でロードロック室７内は真空状態になる。前記従来のロードロック室７は略直方体形状であり、平板の側壁には真空状態で外圧による大きな曲げ荷重が発生する。この為、図１６に図示される如くロードロック室７の側壁は外力に耐え得る強度とする為大きな板厚になると共に隅部には補強の肉盛りが為されていた。従って、ロードロック室７が大型化、重量化すると共に製作費が高くなっていた。
【００２２】
更に、ロードロック室７は復圧時にガスパージノズル４５よりガスの導入が為されるが、平面形状が略矩形である為、ガスパージノズル４５と４５との間、或は隅部にガス滞留域５５，５６が発生する。ガス滞留域５５，５６に発生する渦、ガスの滞留はパーティクルの巻上げ、或は滞留を招き、ウェーハがパーティクルにより汚染される可能性を増大させる。ウェーハのパーティクルによる汚染は処理品質、歩留まりの低下を招くこととなる。
【００２３】
又、上記従来の半導体製造装置ではメインテナンス作業を行う場合、前面、側面、後面の３方向から行う様になっており、半導体製造装置を設置する場合、周囲に保守用の空間を確保しておかなければならないという問題があった。
【００２４】
本発明は斯かる実情に鑑み、特にロードロック室の形状を改良してコンパクト、軽量にすると共にロードロック室内へのガスパージに於いてガス滞留域の発生を防止してウェーハのパーティクルによる汚染を防止しようとするものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、反応炉に連設されるロードロック室の壁面の少なくとも一部が曲面である半導体製造装置に係り、又反応炉に連設されるロードロック室の壁面の少なくとも一部が短平面により曲面に近似される半導体製造装置に係り、ロードロック室の壁面が円筒曲面と平坦面により構成される略半円筒形状である半導体製造装置に係り、又ロードロック室の壁面が近似曲面を含む曲面と平坦面により構成される略半円筒形状である半導体製造装置に係り、更に又近似曲面を含む曲面と平坦面とが成す隅部に少なくとも１本のガスパージノズルを設け、該ガスパージノズルよりパージ用のガスを壁面に沿って流入する様にした半導体製造装置に係るものであり、ロードロック室の壁面の少なくとも一部を近似曲面を含む曲面で構成したことから壁面に作用する外圧により生ずる曲げ力が大幅に減少し、近似曲面を含む曲面の壁部の板厚が小さくて良く、ロードロック室の軽量化が図れ、更にパージガスを壁面に沿って流入させることでガス滞留域の発生を防止でき、パーティクルの巻上げを抑止できロードロック室内の清浄度を高く維持することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【００２７】
先ず図１、図２に於いて本実施の形態の全体構成を説明する。
【００２８】
筐体６０前面に設けられるフロントパネル６１はヒンジ６２を介して筐体６０に開閉可能に設けられ、前記フロントパネル６１には搬入出口６３が設けられ、該搬入出口６３はフロントシャッタ６４により開閉可能となっている。前記搬入出口６３に臨接してカセットステージ６５が設けられ、該カセットステージ６５の後方にカセット移載機６６、更に後方に向かって順次カセット棚６７、ウェーハ移載機６８、ロードロック室６９、反応炉７０が配設される。
【００２９】
尚、カセットステージ６５、カセット移載機６６、カセット棚６７、ウェーハ移載機６８、ロードロック室６９、反応炉７０の位置関係については、図１５、図１６に於いて説明したカセットステージ３、カセット移載機５、カセット棚４、ウェーハ移載機１１、ロードロック室７、反応炉６の位置関係と略同様であるので詳細な説明は省略し、又同一の構成要素には同符号を付しその説明を省略し、半導体製造装置内でのウェーハカセットの移載、ウェーハの移載、ウェーハの処理についても略同様であるので共通するものについては説明を省略する。
【００３０】
次に、本実施の形態のロードロック室６９について説明する。
【００３１】
ロードロック室６９の気密容器本体７１は平坦板７１ａ、円筒曲板７１ｂにより半円筒形状をしており、前記平坦板７１ａが前記ウェーハ移載機６８に対向しており、前記平坦板７１ａにウェーハ移載口７２が穿設されている。該ウェーハ移載口７２はドアゲートバルブ７３により開閉可能となっている。前記ロードロック室６９内部にはボート９、ボートエレベータ１０が内設され、ロードロック室６９の上側には反応炉７０が設けられている。
【００３２】
前記ロードロック室６９の平坦板７１ａと円筒曲板７１ｂとが成す隅部には所要本数の（本実施の態様では２本）のガスパージノズル７６が立設されている。該ガスパージノズル７６には図１２（Ａ）に見られる様にガス導入孔７７が千鳥状に母線に沿って２列に穿設され、各列に属するガス導入孔７７が相互に成す角は図１２（Ｂ）に見られる様に４５°となっている。
【００３３】
前記円筒曲板７１ｂには背面孔７８が穿設され、該背面孔７８の周りには背面フランジ７９が設けられ、該背面フランジ７９にはヒンジシャフト８１を介して背面保守扉８２が回転可能に設けられ、該背面保守扉８２は前記背面孔７８を気密に閉塞可能である。
【００３４】
前記した様にフロントパネル６１はヒンジ６２を中心に図２中反時計方向に回転可能である。前記フロントパネル６１に対峙するカセットステージ６５について図３、図４に於いて説明する。
【００３５】
受載板８４はフレーム８５の上面に設けられ、該受載板８４は前記搬入出口６３を通してウェーハカセット１３を受載可能となっている。前記筐体６０の側部には支柱８６ａが立設され、該支柱８６ａにはヒンジ８７を介して前記フレーム８５が図２中反時計方向に回転可能に設けられている。該フレーム８５の反ヒンジ８７側（自由端側）側面には把手８８が固着され、該把手８８の下方にはカセットステージ６５の位置決め部８９が設けられる。
【００３６】
該位置決め部８９を図５〜図７を参照して説明する。
【００３７】
筐体６０には前記支柱８６ａと対向して支柱８６ｂが立設され、該支柱８６ｂにコ字状の支持金具９２を固着し、該支持金具９２に水平に延びる棚座９３を固着し、該棚座９３に前後２本のレベル調整螺子９４を螺通し、該レベル調整螺子９４に台座ブロック９５を設け、前記棚座９３の下面側より直立部を有するＬ字形のストッパ９７を前記台座ブロック９５とは先端側に位置をずらせて固着する。前記台座ブロック９５の前端部上面が前方に向かって下り傾斜のテーパ面となっており、台座ブロック９５の上面には後述するローラ９６が転動可能となっている。
【００３８】
前記フレーム８５の自由端下面にはローラホルダ９８が固着され、該ローラホルダ９８に前記ローラ９６が回転自在に取付けられ、前記ローラホルダ９８の反支持金具９２側の面には調整ボルト支持片９９が固着される。該調整ボルト支持片９９は前記ストッパ９７の直立部と平行となる対向部を有し、該対向部にはストッパボルト１０１が螺通され、該ストッパボルト１０１はロックナット１０２により固定されている。又前記ストッパボルト１０１は中空であり、ストッパボルト１０１の基端部内筒面には一部に螺子が刻設されている。前記ストッパボルト１０１には先端部に螺子が刻設された固定ボルト１０３が貫通しており、該固定ボルト１０３の貫通した先端部が前記ストッパ９７に螺着する様になっている。
【００３９】
而して、前記固定ボルト１０３をストッパ９７より離脱させると前記フレーム８５は前記ヒンジ８７を中心に前方（図２に於いて反時計方向、図３に於いて紙面に対して垂直手前）に回転する。前記フレーム８５を固定する場合は前記ヒンジ８７を中心に後方に回転させる。前記ローラ９６が前記台座ブロック９５に乗上げ、ローラ９６が台座ブロック９５を転動して前記ストッパボルト１０１の先端が前記ストッパ９７に当接する。
【００４０】
前記フレーム８５のレベルは前記台座ブロック９５の上面の位置で決定され、前記フレーム８５の自由端の水平方向の位置は前記ストッパ９７と前記調整ボルト支持片９９との位置関係で決定される。前記台座ブロック９５の上面のレベルは前記レベル調整螺子９４を回転することで調整され、前記フレーム８５の自由端の水平方向の位置は前記ロックナット１０２を緩め前記ストッパボルト１０１を回転させて先端の突出量を変化させることで調整でき、調整後は前記ロックナット１０２を締込むこと確定できる。
【００４１】
前記ストッパボルト１０１をストッパ９７に当接させた状態で前記固定ボルト１０３を前記ストッパ９７に螺着し、前記フレーム８５の最終的な固定が完了する。尚、前記固定ボルト１０３が前記ストッパ９７より離脱した状態でもストッパボルト１０１の内筒面の一部に螺子が刻設されていることから前記固定ボルト１０３が前記ストッパボルト１０１より脱落することはない。
【００４２】
前記カセット移載機６６を図２に於いて説明する。
【００４３】
筐体６０の底板９１に前面パネルと平行な１対のガイドシャフト１０４が取付けられ、該ガイドシャフト１０４と平行に螺子ロッド１０５が回転自在に設けられ、該螺子ロッド１０５に水平移動モータ１０６が連結される。前記ガイドシャフト１０４に水平スライダ１０７が摺動自在に嵌合すると共に図示しないナットブロックを介して前記水平スライダ１０７と前記螺子ロッド１０５とは螺合している。前記水平スライダ１０７には垂直ガイドシャフト１０８が立設されると共に垂直螺子ロッド１０９が回転自在に立設され、該垂直螺子ロッド１０９は図示しない昇降モータに連結されている。昇降ブロック１１１が前記垂直ガイドシャフト１０８に摺動自在に嵌合されると共に図示しないナットブロックを介して前記垂直螺子ロッド１０９に螺合される。
【００４４】
前記昇降ブロック１１１にはカセット移載機構１１２が取付けられ、該カセット移載機構１１２には１組の移載ステージ１１３が取付けられている。該移載ステージ１１３はウェーハカセット１３を受載可能であると共にウェーハカセット１３を前記ガイドシャフト１０４と平行な軸心を中心に回転可能であると共にウェーハカセット１３を前記カセットステージ６５及びカセット移載機６６に対して進退可能である様に支持し、前記カセット移載機構１１２により前記ウェーハカセット１３の回転、進退が行われる様に構成されている。
【００４５】
図８〜図１０に於いてカセット棚６７について説明する。
【００４６】
前記カセット移載機６６に対向すると共に前記ウェーハ移載機６８を介在して前記ロードロック室６９に対向してカセット棚６７が設けられている。
【００４７】
該カセット棚６７は下段棚１１４と上段棚１１５から構成され、前記下段棚１１４は４段１列のカセット収納枠１１６が形成され、前記上段棚１１５は４段３列のカセット収納枠１１６が形成されている。前記下段棚１１４の下側には下段枠移動機構１１７が設けられている。該下段枠移動機構１１７は半導体製造装置の稼働時には前記下段棚１１４を固定し、後述する様に保守時のみ移動可能となっており、下段枠移動機構１１７により前記下段棚１１４は水平方向に移動可能となっている。
【００４８】
前記底板９１に枠体１１８を固着し、該枠体１１８に前記ガイドシャフト１０４と平行にスライドガイド１１９を固着し、該スライドガイド１１９にスライダ１２１を摺動自在に設け、該スライダ１２１にスライドベース１２２を介して前記下段棚１１４を固着し、該下段棚１１４を前記スライダ１２１に沿って移動可能としてある。
【００４９】
上記した様に下段棚１１４は稼働時には固定であり、且前記ウェーハ移載機６８によりボート９と下段棚１１４に収納されたウェーハカセット１３間でウェーハ１２の移載を行う場合は位置関係が正確でなければならない。従って、下段棚１１４と前記下段枠移動機構１１７間に位置決め機構１２３が設けられている。該位置決め機構１２３を図１１を参照して説明する。
【００５０】
前記スライドベース１２２は前記下段棚１１４に対してスライド方向に突出しており、該スライドベース１２２の突出した部分に前記スライダ１２１より幅端側に寄った位置にストッパガイド１２４が螺着される。該ストッパガイド１２４は中空であり、前記スライドベース１２２を貫通すると共に上端には直径に沿ってＵ溝１２５が刻設されている。前記ストッパガイド１２４にはストッパ１２６が摺動自在に嵌合する。該ストッパ１２６は摘み部１２６ａと軸部１２６ｂから成り、該摘み部１２６ａの下面には前記Ｕ溝１２５に嵌合可能な突部１２７が形成されている。前記軸部１２６ｂは前記ストッパガイド１２４を貫通して下面より突出し、後述する位置決めブロック１２８に嵌合可能である。
【００５１】
前記下段棚１１４の半導体製造装置稼働時の位置、保守時に於ける前記下段棚１１４を移動させた状態での位置にそれぞれ対応させ前記位置決めブロック１２８が設けられる。該位置決めブロック１２８には下面側より欠切部１２９が形成され、該欠切部１２９にはマイクロスイッチ１３０が設けられる。前記位置決めブロック１２８の上面より位置決め孔１３１が穿設され、該位置決め孔１３１は前記マイクロスイッチ１３０の作用点と合致している。而して、前記軸部１２６ｂは前記位置決め孔１３１に嵌合すると共に前記マイクロスイッチ１３０を作動させる様になっている。
【００５２】
前記ウェーハ移載機６８の主たる構成は前述した従来のウェーハ移載機１１と同様であるので説明は省略する。
【００５３】
前記筐体６０の反応炉７０部分の後面にヒータ移動機構１３２が設けられており、反応炉７０のヒータの交換、或は内部の反応管の清掃、交換等の場合に反応炉７０を筐体６０外部に移動させることができる。
【００５４】
以下、作動を説明する。
【００５５】
前記ロードロック室６９の内部はボート９を反応炉７０内に装入する場合は大気圧又は真空に、又ボート９と前記下段棚１１４間でウェーハ１２の授受を行う場合は大気圧に復圧する。真空状態では気密容器本体７１の平坦板７１ａ、円筒曲板７１ｂには内外間の差圧により大きな外圧が作用する。前記平坦板７１ａには外圧による曲げ力が作用するので大きな板厚としなければならないが、前記円筒曲板７１ｂに外力が作用した場合には曲げ力は作用せず、部材には圧縮力等が作用するので、発生する内部応力は大幅に小さく、平坦板７１ａに対して円筒曲板７１ｂの板厚は大幅に小さくてよい。従って、気密容器本体７１を直方体形状にすることに比べ大幅な軽量化が図れる。
【００５６】
次に、ロードロック室６９内部を復圧する場合は前記ガスパージノズル７６よりパージガスを流出させるが、２本あるガスパージノズル７６の内平坦板７１ａ近傍のもののガス導入孔７７の向きを平坦板７１ａに沿った様にし、又他方のガスパージノズル７６のガス導入孔７７の向きを円筒曲板７１ｂに沿った様にする。
【００５７】
ガスパージノズル７６により導入されたパージガスはガス導入孔７７から流出する際略３０°の角度で拡散する。而して、前記２本のガスパージノズル７６から流入したパージガスは図１３中の矢印で示される様に、気密容器本体７１の断面形状の如く漸次広がり、更に絞られて排気口７１ｃに収束されて排気される。従って、ガス滞留域は発生せず、パーティクルの巻上げも抑制できロードロック室６９内の清浄度が維持される。
【００５８】
前記ロードロック室６９内が復圧され、前記ボート９が降下し、前記ドアゲートバルブ７３が開放されて、ウェーハ１２の移載待機が完了する。
【００５９】
図示しない外部搬送装置から搬送されたウェーハカセット１３は前記カセットステージ６５に載置される。前記水平移動モータ１０６により水平スライダ１０７が水平移動され、昇降ブロック１１１が昇降されて前記移載ステージ１１３が移載の対象である受載板８４に対向する。移載ステージ１１３がウェーハカセット１３を受載し、反転動作、進退動作の協動でウェーハカセット１３を前記下段棚１１４に移載する。又、同様に受載板８４から上段棚１１５への移載、更に下段棚１１４と上段棚１１５間でのウェーハカセット１３の移載も行われる。
【００６０】
前記ウェーハ移載機６８によるボート９へのウェーハ１２の移載は前記下段棚１１４に対して行われる。
【００６１】
前記下段棚１１４の半導体製造装置稼働時の位置は前記ウェーハ移載機６８に正対する位置であり、前記位置決め機構１２３により固定位置決めされている。前記ウェーハ移載機６８はウェーハチャック３２の進退、昇降ステージ３１の昇降、回転の協動によりウェーハ１２をウェーハカセット１３よりボート９へと移載する。ウェーハ１２の移載は幾つかのウェーハカセット１３に対して行われ、前記ボート９へ所定枚数ウェーハ１２の移載が完了した後、前記ドアゲートバルブ７３が閉じられ、前記ロードロック室６９内部が真空引きされる。
【００６２】
真空引きが完了又は真空引き後、前記ガスパージノズル７６によりガスが導入されロードロック室６９内部が大気圧に復圧されると前記炉口蓋３９が開かれ、ボートエレベータ１０によりボート９が反応炉７０内に装入される。該反応炉７０内でウェーハ１２に薄膜の生成等所要の処理が為された後、前記炉口蓋３９が開かれ、ボートエレベータ１０によりボート９が引出される。前記ロードロック室６９内部が大気圧の状態で、前記ドアゲートバルブ７３が開かれる。
【００６３】
処理後のウェーハ１２は上記した作動の逆の手順によりボート９からカセット棚６７のウェーハカセット１３に、ウェーハカセット１３は前記カセット移載機６６により前記カセット棚６７からカセットステージ６５に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
【００６４】
半導体製造装置が所定時間稼働した後、或は所定期間毎に内部装置のメインテナンスが行われるが、前記ボート９の交換は前記背面保守扉８２を開いて後方から行われ、前記ウェーハ移載機６８に対する保守、前記カセット移載機６６に対する保守については前記フロントパネル６１が開かれて前方より行われる。
【００６５】
図１４を参照して保守時の作動について説明する。
【００６６】
前記フロントパネル６１をヒンジ６２を中心に回転し、筐体６０前面を開放する。前面側よりカセットステージ６５に対して保守作業が可能となる。
【００６７】
更に、前記カセットステージ６５の前記位置決め部８９の固定ボルト１０３をストッパ９７より外し、カセットステージ６５を前面側に回転させ、筐体６０の前部を開放する。前面側よりカセット移載機６６に対して保守作業が可能となる。
【００６８】
更に、前記水平移動モータ１０６を駆動して水平スライダ１０７を図中右ストロークエンド迄移動させると共に移載ステージ１１３を上端位置迄上昇させる。前記移載ステージ１１３は１組設けられているだけであり、右端上方に移動させることで、保守に必要な空間が移載ステージ１１３の左方に確保され、前面側よりカセット棚６７に対する保守作業が可能となる。
【００６９】
更に又、前記カセット棚６７の位置決め機構１２３を解放する。前記ストッパ１２６を引上げ９０°回転させる。前記軸部１２６ｂが位置決め孔１３１より外れ、位置決め機構１２３が解放状態になると共に前記マイクロスイッチ１３０は非作動状態となる。又摘み部１２６ａを回転させることで前記突部１２７がストッパガイド１２４の上端面に乗上げ位置決め機構１２３の解放状態が保持される。下段棚１１４をスライドガイド１１９に沿って右端に移動させる。前記下段棚１１４のカセット収納枠１１６は一列だけであるので、ウェーハ移載機６８に対して保守作業を行うに十分な空間が確保され、前面側よりウェーハ移載機６８に対して保守作業が可能となる。
【００７０】
而して、ロードロック室６９に対しては背面側より、前記カセットステージ６５、カセット移載機６６、カセット棚６７、ウェーハ移載機６８に対しては前面側から保守作業が行われる。
【００７１】
装置を稼働状態に戻すには前記保守時の逆の手順を行えばよい、前記マイクロスイッチ１３０は確実に稼働状態にセットされたかどうか或は確実に保守作業状態にセットされたかどうかを電気的に確認するものであり、前記カセット移載機６６、カセットステージ６５についても同様に設けられていることは勿論であり、各ユニットは機械的に位置決めされると共に位置決めの確認は電気的に行われる様になっている。該電気信号は、作業者の安全確保にも用いることができる。例えばメインテナンスの際下段棚１１４がメインテナンスの位置にある場合（即ち該棚が側方へ移動している状態）は、作業者の背後にあるカセット移載機６６を必ず停止させる様に制御する信号として使用することで作業者の安全を確保することができる。
【００７２】
尚、前記ロードロック室の形状は半円筒形状に限らず半楕円筒形状、或は円筒形状、楕円筒形状、或は一部が曲面で形成された形状、或は短平面を接続して曲面に近似させた壁面、更に平断面が多角形である等、気密容器本体の壁面に作用する外圧により壁面に曲げ力が作用しない若しくは軽減される形状であれば良い。
【００７３】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、ロードロック室の壁面の少なくとも一部を近似曲面を含む曲面で構成したことから壁面に作用する外圧により生ずる曲げ力が大幅に減少し、近似曲面を含む曲面の壁部の板厚が小さくて良く、ロードロック室の軽量化が図れ、製作コストが削減できると共にロードロック室のコンパクト化が図れ、壁面の少なくとも一部を近似曲面を含む曲面で構成したことで平面と平面を接続した場合に形成される隅部が無くなり、パージガスを壁面に沿って流入させることでガス滞留域の発生を防止でき、パーティクルの巻上げを抑止できロードロック室内の清浄度を高く維持することができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す概略斜視図である。
【図２】同前実施の形態の平面図である。
【図３】同前実施の形態に於けるカセットステージの正面図であり、図２のＡ矢視図である。
【図４】同前カセットステージの平面図である。
【図５】同前カセットステージの側面図である。
【図６】同前カセットステージに於ける位置決め部を示し、図４のＢ矢視拡大図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ矢視図である。
【図８】本実施の形態に於けるカセット棚の下段棚の正面図である。
【図９】同前平面図である。
【図１０】同前側面下部の部分拡大図である。
【図１１】同前下段棚の位置決め機構の拡大図である。
【図１２】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は図２に示されるガスパージノズルの部分拡大図である。
【図１３】本発明の実施の形態に於けるガスパージ時のガスの流れを示す説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態の保守時の作動を示す平面図である。
【図１５】従来例の概略斜視図である。
【図１６】同前従来例の平面図である。
【符号の説明】
６０筐体
６１フロントパネル
６５カセットステージ
６６カセット移載機
６７カセット棚
６８ウェーハ移載機
６９ロードロック室
７０反応炉
７１気密容器本体
７３ドアゲートバルブ
７６ガスパージノズル
８５フレーム
８７ヒンジ
８９位置決め部
１０７水平スライダ
１１１昇降ブロック
１１２カセット移載機構
１１３移載ステージ
１１４下段棚
１１７下段枠移動機構
１２３位置決め機構

Claims

反応炉の下方に連設されるロードロック室の側壁面が、近似曲面を含む曲面と平坦面で構成され、前記曲面の板厚は前記平坦面の板厚より小さく、該平坦面にはウェーハ移載口が設けられ、該ウェーハ移載口はゲートバルブにより開閉可能に構成されたことを特徴とする半導体製造装置。
前記ロードロック室の側壁面は、前記曲面からなる円筒曲板と前記平坦面からなる平坦板により形成される略半円筒形状である請求項１の半導体製造装置。
前記ロードロック室内部に設けられ、ウェーハを保持するボートに対し、ウェーハを搬送可能なウェーハ移載機が前記平坦面に対向して設けられている請求項１の半導体製造装置。
請求項１乃至請求項３のいずれか１つの半導体製造装置を用いて処理するウェーハ表面の処理方法であって、前記ロードロック室から前記反応炉にウェーハを装入する工程と、前記反応炉内でウェーハ表面に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング処理を行う工程と、前記反応炉から前記ロードロック室へ引出す工程とを有することを特徴とするウェーハ表面の処理方法。