JP3901450B2 - 金属表面処理装置とこれを用いた金属表面処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は金属表面処理装置に係り、特に電解槽内に陽極と陰極とを分離するように隔膜が設けられて電極への異物の電着現象を防止することが可能な金属表面処理装置とこれを用いた金属表面処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
通常、半導体リードフレームは半導体チップの高密度化、高集積化及び実装方法等によって多様な形状を有している。前記半導体リードフレームは銅や鉄系の合金から製造することになるが、原材料の表面には様々な不純物が付着されている。
【0003】
そのため、半導体リードフレームは所望の形状を得るため蝕刻(エッチング)やスタンピング工程を経た後、原材料表面における酸化物を除去して平滑性(levelling)を高める電解研磨(electro-polishing)工程が必要である。また、特定の形状を有する半導体リードフレームを半導体チップと電気的に連結するためにワイヤーボンディングを行う必要があるが、ここで、ボンディング力の向上、腐食の防止及び実装効率の向上のために電気メッキ(electro-plating)工程が必要である。
【0004】
図1は従来の金属表面処理装置のうち電解研磨装置10を示す図面である。
【0005】
図面を参照すれば、電解研磨装置10は陽極12と、陰極13と、両電極12、13間に存在する電解質(electrolyte)14とを有する電解槽(electrolytic bath)11を含む。陽極12は銅や鉄系の合金よりなる半導体リードフレームであり、陰極13はステンレススチール(SUS)や白金(Pt)網とすることができる。また、電解質14は60±5%の燐酸(H3PO4)を含む水溶液である。
【0006】
電解槽11の下部にはポンプ15を備えた回収タンク16が設けられている。この回収タンク16は供給路17及び回収路18を通じて電解槽11と連通されている。また、電解槽11の底面には回収タンク16から供給路17を経て供給される電解質14を噴射可能なノズル19が設けられている。
【0007】
このような構造を有する従来の電解研磨装置10は次のような反応メカニズムを有する。
【0008】
陽極12では銅原子が電子を失って銅イオンに溶解される酸化反応が生じ、陰極13では銅イオンが電子を得て銅原子に還元される還元反応が生じる。
【0009】
ところが、従来の金属表面処理装置には次のような問題点がある。
【0010】
第1、電解槽内にスラッジ(sludge)が形成され、形成されたスラッジが電解質14の流れによって陽極12の表面に電着される現象が発生する。このようなスラッジは陽極12から溶解された金属イオンが陰極13の表面で電解質14と反応して凝集された固形物であって、多量のH2Oを含有した不純物である。また、スラッジは陽極12として用いられた製品を洗浄する工程でも完全に除去されないために製品の不良の原因となる。
【0011】
第2、スラッジの陰極13表面への電着量が、陰極13を完全に覆ってしまうほど多くなる場合がある。これにより、電流効率が急激に低下し、その結果、電解研磨速度が遅くなる。従って、スラッジを除去するために適当な間隔で洗浄する必要があり、その際には金属表面処理装置を一時停止しなければならない。特に、半導体リードフレームのようなインライン設備の場合には設備全体を停止すべき場合も発生する。
【0012】
第3、電解質14がスラッジによって劣化され、濃度が薄くなる。そのため常に溶液を補充する必要がある。
【0013】
第4、上記装置を金属メッキに使用する場合、陽極から生成される反応副産物がメッキ層の形成される陰極の表面に電着されてメッキ層に悪影響を与えるとともに、電解質を汚染しその寿命を短縮させる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前述したような問題点を解決するために創案されたものであり、その主たる目的は、スラッジのような異物の発生反応を抑制し、電極への異物の電着を防止するべく改善された金属表面処理装置及びこれを用いた金属表面処理方法を提供することである。
【0015】
本発明の他の目的は、電解槽の濃度変化を管理することが可能な金属表面処理装置及びこれを用いた金属表面処理方法を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために本発明に係る金属表面処理装置は、電解槽と、前記電解槽内に存在する電解質と、前記電解質内に浸漬された陽極と、前記電解質内に浸漬された陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられ、電極反応時前記電解質内に溶解された特定のイオンのみを選択的に一方の電極から他方の電極へと通過させる微細孔が形成された隔膜とを含むことを特徴とする。
【0017】
前記陽極として例えばリードフレームなどの被研磨体を用い、前記陰極として例えばステンレススチールや白金グリッドのような金属板を用いることにより被研磨体の電解研磨を行うことができるが、このとき電解研磨工程によって陽極から電解質中へと溶解された金属イオンが陰極へと通過するのを隔膜が阻止するようにすると、陰極表面における金属スラッジの生成を防止して、良好な電解研磨を実現することができる。
【0018】
前記陽極として金属板を用い、前記陰極として被メッキ体を用いた構成とすると被メッキ体へのメッキを行うことができるが、このとき、電気メッキ工程によって前記陽極から金属イオンを溶解して前記陰極の表面にメッキする際に前記陽極から発生する反応副産物の陰極への通過を隔膜によって阻止するようにすると、反応副産物に影響されない良好なメッキが実現される。
【0019】
好適には、前記電解槽の一側に前記電解質から回収された金属イオンまたは反応副産物を捕集する捕集部がさらに設けられる。それにより電解槽の電解質中の金属イオン濃度を所望に制御することが可能となる。
【0020】
また本発明の別の側面に基づくと、電解質中に浸漬された陽極及び陰極と、前記両電極を相互分離し特定のイオンのみを選択的に一方の電極から他方の電極に通過させる微細孔の形成された隔膜とを具備する電解槽を用意する過程と、電極反応が起こるように前記電解槽に電流を印加しつつ、一方の電極から溶解された特定のイオンの他方の電極への移動が前記隔膜によって阻止されるようにする過程と、前記電解質の濃度を一定に保つべく前記電解槽の一側に接続されたイオン捕集部によって電極反応中に発生する特定のイオンを捕集する過程とを含むことを特徴とする金属表面処理方法が提供される。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づいて本発明を詳しく説明する。
【0022】
図2は本発明の一実施例に基づく金属表面処理装置の電解研磨装置20を示した模式図である。
【0023】
図面を参照すれば、電解研磨装置20は陽極22と、陰極23と、両電極22、23間に存在する電解質24とを有する電解槽21を含む。陽極22としては銅や鉄系の合金よりなる被研磨体の半導体リードフレームを使用し、陰極23としてはSUSまたは白金網を使用することができる。また、電解質24は高電流が印加される酸を主とした溶液であって、60±5%のH3PO4を含む水溶液が望ましい。
【0024】
電解槽21内には電解研磨工程において陽極22から溶解された銅イオンが陰極23の表面で電解質24と反応してスラッジが形成され、形成されたスラッジが陽極22に再び電着される現象を防止するために隔膜200が設けられている。
【0025】
隔膜200は陽極22と陰極23とを分離するべく、それらの間の位置に設けられている。隔膜200は濾過紙やセルロイドのような薄膜であって、膜には微細孔が数多く形成されて特定のイオンのみを選択的に通過させる働きをする。ここでは、隔膜200はH+イオンのみを選択的に通過させ、陽極22から溶解された銅イオンが陰極23に電着されるのを防止する。
【0026】
電解槽21の下部には第1ポンプ25を具備した第1回収タンク26が設けられている。第1回収タンク26は、隔膜200の設置によって陰極セル40と分離された陽極セル30に対し電解質24の供給/回収を行うため第1供給路27及び第1回収路28を通じて陽極セル30と連通されている。第1供給路27を通じて供給される電解質24は電解槽21の底面に設けられたノズル29を通じて噴射可能となっている。
【0027】
また、第1回収タンク26は第3供給路270と、第3回収路280を経て第3ポンプ260を具備したイオン捕集部(ion collecting portion)220に接続されている。イオン捕集部220は電解研磨工程において電解質24中に存在する銅イオンに電子を供給して銅に還元し、銅濃度の上昇を防止する役割をする。
【0028】
更に図示されているように、電解槽21の下部には陰極セル40に対し電解質24の供給/回収を行うべく第2供給路240及び第2回収路250によって陰極セル40と連通された第2ポンプ230を具備した第2回収タンク210が設けられている。第2回収タンク210内には陽極セル30に供給される電解質24と同一成分の電解質または伝導性研磨液が貯蔵されている。
【0029】
前述したような構造を有する本発明に係る電解研磨装置20は次のような反応メカニズムを有する。
【0030】
陽極22と陰極23とに所定の電力が印加されると、陽極22では銅原子が電子を失って銅イオンとなり溶解される酸化反応が起こる。この際、陽極22と陰極23との間には隔膜200が設けられているので、特定のイオンは陰極セル40へ移動することができない。
【0031】
即ち、陽極22から溶解された銅イオンは隔膜200を通過できず、陽極セル30内にイオン状態で存在することになり、H+イオンのみが隔膜200の微細孔を通じて陰極セル40に移動できる。これにより、陰極23の表面には陽極22からイオン化された銅イオンが移動しないために銅イオンによる異物の発生反応が抑制される。従って、電解槽21内における銅スラッジの発生及び電極表面へのスラッジの電着が防止される。
【0032】
また、銅イオンを含有した電解質24は陽極セル30から第1回収路28、第1回収タンク26及び第3回収路280を経てイオン捕集部220へと送られ、そこで銅イオンの捕集がなされる。これにより、電解質24の銅濃度の上昇を防止することができる。
【0033】
一方、陽極として適当な金属を使用し、陰極として半導体リードフレームのような被メッキ体を設定して電気メッキを行う場合にも同じことが成り立つ。即ち、電解槽内の陽極及び陰極間に隔膜を設けることによって、メッキ液を陽極及び陰極セル別に管理し、メッキ工程中に陽極で反応副産物が発生しても、陰極セルに影響を与えないようにすることができる。
【0034】
以下に、上記した電解研磨装置20を用いた本出願人による実験結果を示す。
【0035】
表1は時間の経過にともなう各セルにおける電解質の濃度変化と銅スラッジの生成有無を示したものである。
【表1】
【0036】
この実験において、陽極22は半導体リードフレームであり、陰極23はSUSまたは白金網である。また、電解質24は燐酸を含有している。電解槽21に印加される電流は60A/dm2であり、測定は研磨時間2時間毎に行った。ここで、電解槽21には陽極22と陰極23との間に特定のイオン、例えば銅イオンの通過を防止するための隔膜200が設けられている。
【0037】
実験の結果によると、表1に示したように、2時間間隔で研磨工程を行うにつれ、陽極セル30における燐酸濃度は64.2、62.3、59.7、58.7%と変化した。そして、銅濃度は0.75、1.23、1.71、2.36g/lと変化した。即ち、陽極セル30では時間の経過とともに燐酸濃度が徐々に減少し、逆に銅濃度は徐々に増加した。これは陽極22から溶解された銅イオンが隔膜200を通過できず、陽極セル30内に残留するためと考えられる。
【0038】
一方、陰極セル40では燐酸濃度は64.3、64.3、64.6、62.9%とほとんど変化せず、銅イオンは検出されなかった。これにより、隔膜200の存在によって銅イオンが陽極セル30から陰極セル40に移動できなくなったことが分かる。その結果、陰極23の表面への銅スラッジの電着は生じなかった。
【0039】
図3は銅濃度の経時的変化を示すグラフである。グラフのX軸は時間を、Y軸は濃度を示す。そして、Aのプロットは陽極セル30における銅濃度の変化であり、Bのプロットは陰極セル40における銅濃度の変化を示す。
【0040】
グラフを参照すれば、時間の経過とともに陽極セル30では銅濃度が表1のように徐々に増加する傾向を見せた。一方、陰極セル40では銅濃度の変化が無かった。即ち、隔膜200の設置によって陽極22から溶解された銅イオンは陰極23側に移動できないため、陰極23の表面では銅イオンと電解質の反応による銅スラッジが形成されなかった。
【0041】
図4は燐酸濃度の経時的変化を示すグラフである。グラフのX軸は時間を、Y軸は濃度を示す。そして、Aのプロットは陽極セル30の燐酸濃度の変化であり、Bのプロットは陰極セル40の燐酸濃度の変化を示す。
【0042】
グラフを参照すれば、時間の経過とともに陽極セル30では燐酸濃度が徐々に減少する傾向を示したが、陰極セル40では燐酸濃度の変化はほとんど無かったことがわかる。即ち、陽極セル30では銅イオン濃度の増加にともない燐酸濃度が減少した。
【0043】
図5は陽極セル30と回収タンク26における銅濃度の経時的変化を示すグラフである。グラフのX軸は時間を、Y軸は濃度を示す。そして、Cのプロットは陽極セル30内における銅濃度の変化であり、Dのプロットは回収タンク26における銅濃度の変化である。
【0044】
グラフを参照すれば、時間の経過とともに陽極セル30内では銅濃度が徐々に増加するのに対し、回収タンク26内では銅濃度が徐々に減少する傾向を示している。回収タンク26内で銅濃度が減少するのは、これと連通されるイオン捕集部220に銅イオンが捕集されるからである。
【0045】
図6は回収タンク26における経時的な汚染値を示すグラフである。グラフのX軸は時間を、Y軸は汚染値を示す。そして、Eのプロットは経時的な汚染値の変化である。このとき、印加した電流密度は3A/dm2であった。
【0046】
グラフを参照すれば、回収タンク26では時間の経過とともに汚染値が減少する傾向を示した。これは陽極21から溶解された銅イオンに対するイオン捕集部220における捕集率(collection ratio)が相対的に増加されるからである。
【0047】
【発明の効果】
前述したように本発明の金属表面処理装置及びこれを用いた金属表面処理方法では、陽極及び陰極間に隔膜が設けられるとともに、特定のイオンを捕集するようにしたことによって次のような効果が得られる。
【0048】
第1、陽極で溶解されたイオンが陰極に移動できなくなるため、そのようなイオンが陰極表面において電解質と反応してスラッジを形成するのを防止することができる。これにより、スラッジが陽極に再び電着される現象を未然に防止でき、製品の不良率を著しく減らすことができる。
【0049】
第2、陰極はその表面にスラッジが電着されないため、時間の経過にともなって電流効率が低下するのを防止し、研磨速度を一定に保つことが可能となる。また、陰極の周期的な洗浄工程が不要となるため生産性を向上させることができる。
【0050】
第3、電解質のスラッジによる劣化を防止して電解質の入替え周期を延ばすことができる。
【0051】
第4、電気メッキ時、陽極から発生する陽極反応副産物の陰極への移動を阻止することによって、メッキ液を効率よく管理することができる。
【0052】
図面に示した一実施例に基づいて本発明を説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば本明細書に記載した実施例に基づき多様な変形及び均等な他実施例が可能であることは明らかである。従って、本発明の真の技術的な保護範囲は特許請求の範囲によってのみ決まるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の金属表面処理装置を示す概略的な構成図である。
【図2】本発明の一例に係る金属表面処理装置を示す概略的な構成図である。
【図3】図2の金属表面処理装置において銅濃度の経時的変化を測定したグラフである。
【図4】図2の金属表面処理装置において燐酸濃度の経時的変化を測定したグラフである。
【図5】図2の金属表面処理装置において電解槽と回収タンク内における銅濃度の経時的変化を測定したグラフである。
【図6】図2の金属表面処理装置において汚染値の経時的変化を測定したグラフである。
【符号の説明】
20 電解研磨装置
21 電解槽
22 陽極
23 陰極
24 電解質
200 隔壁
Claims (3)
- 電解槽と、
前記電解槽内に存在する電解質と、
前記電解質内に浸漬された陽極と、
前記電解質内に浸漬された陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられ、電極反応時前記電解質内に溶解された特定のイオンのみを選択的に一方の電極から他方の電極へと通過させる微細孔が形成された隔膜とを含み、
前記隔膜によって前記陽極側に分離された前記電解質から回収された金属イオンまたは反応副産物を捕集する捕集部がさらに設けられており、
前記陽極が被研磨体を含んでおり、前記陰極が金属板を含んでおり、前記陽極の表面を平滑化するべく電解研磨工程によって前記陽極から金属イオンが溶解され、前記隔膜は前記金属イオンが前記陰極へと通過するのを阻止し、陰極表面において金属スラッジが生成されるのを防止することを特徴とする金属表面処理装置。 - 前記陽極は半導体リードフレームであることを特徴とする請求項1に記載の金属表面処理装置。
- 前記電解質は燐酸を主成分とする水溶液であることを特徴とする請求項1に記載の金属表面処理装置。
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