JP3891015B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、インバータなどの電力変換装置に用いる電力半導体スイッチング素子モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
バイポーラトランジスタ,絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、あるいはゲートターンオフサイリスタ(GTO)などはモータ等の負荷を駆動する半導体スイッチング素子、あるいは送変電設備などにおける変換用の半導体スイッチング素子として用いられている。
【0003】
これら、半導体スイッチング素子は、順方向素子耐圧に比べて、逆方向の素子耐圧が低いので、逆方向の過電圧印加を防止するために、フリーホイールダイオードと呼ばれる整流素子を半導体スイッチング素子の主端子に並列接続し、半導体スイッチング素子の破壊を防止している。
【0004】
図2に従来技術のIGBTモジュールの一例を示す。図2において、1はIGBTチップ、2はコレクタ、3はエミッタ、4はゲート、5はダイオードチップ、6はカソード、7はアノードを示す。IGBTモジュールの内部には、1つのIGBTチップ1と、2並列のダイオードチップ5が同一パッケージにマウントされている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
半導体スイッチング素子の主端子に並列接続した前記整流素子は、定常的な導通状態においては、その電圧降下が、半導体スイッチング素子の逆方向電圧よりも低く設定される。しかし、整流素子が、オフ状態から、高い電流上昇率(di/dt)でオン状態に移行すると、過渡的に半導体スイッチング素子の逆方向耐電圧を超える電圧が整流素子に生じ、半導体スイッチング素子が過電圧状態になり、しいては破壊に至らしめる。
【0006】
本発明の目的は、高い電流上昇率(di/dt)で整流素子に電流が流れ込んでもIGBTやGTO等の半導体スイッチング素子の破壊を防止できる電力半導体装置の提供である。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の電力半導体モジュールでは、IGBTやGTO,パワーMOSFETといった半導体スイッチング素子の順方向素子電圧をVsw、その直列接続数をNswとし、これに並列接続するダイオードの逆素子電圧をVdid、直列数をNdidとすると、それらは(数1)式の関係になる。
【0008】
Vsw>Vdid かつ、Nsw<Ndid …(数1)
高耐圧のダイオードと低耐圧のダイオードとを比較した場合、以下の違いがある。整流素子であるダイオードの抵抗率は耐圧にほぼ比例して上昇する。また、ダイオードのアノード電極とカソード電極との間の距離は耐圧にほぼ比例して増す。このため、高耐圧素子の耐電圧をVHVに同等の耐圧を得るために必要となる、低耐圧整流素子の耐電圧VLVと直列数NLVとの関係は、(数2)式で表現できる。
【0009】
VLV・NLV=HV …(数2)
ダイオードに順方向電流が流れ始めた直後のダイオードの抵抗はダイオードを構成する、半導体の抵抗に一致する。その後ダイオードに流れる電流が増加し、さらにほぼ一定値となり、ダイオードが定常状態になる。この定常状態になるまでの時間は、ダイオードのアノード電極とカソード電極との間の距離に比例する。従って、耐圧の低いダイオードでは、定常状態に達する時間が耐圧が高いダイオードより短い。
【0010】
本発明のIGBTモジュールでは、耐圧が高いダイオードを1つ接続するのではなく、同じ電圧に耐える様に耐圧が低いダイオードを直列に複数段接続し、短い時間で導通状態に移行する。ここで、直列に接続するダイオードの数はIGBTチップのコレクタ端子とエミッタ端子の間の耐圧に同じかそれより大きくなるように選んで決める。また、本発明のIGBTモジュールでは、順回復電圧を低減することで、逆耐圧の低いスイッチング素子を破壊に至らしめることなく、スイッチング動作できる。
【0011】
なお、IGBTモジュールがIGBTチップを2個以上直列に接続している場合には、直列接続したIGBTチップのIGBTチップ1個の順方向耐圧より低い耐圧のダイオード,複数個直列接続し、上記と同様にこの直列接続したダイオードの耐圧が、直列接続したIGBTチップの順方向耐圧より大きいかあるいは等しくなるようにする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳しく説明する。
【0013】
図1に本発明の半導体素子の一例としてIGBTモジュールの構成を示す。図1において、1はIGBTチップ、2はコレクタ、3はエミッタ、4はゲート、5はダイオードチップ、6はカソード、7はアノードを示す。図1に示すように、IGBTモジュールには、コレクタ2,エミッタ3,ゲート4が外部端子として備わっている。IGBTモジュールの内部には、1直列のIGBTチップ1,2直列のダイオードチップ5が同一パッケージにマウントされており、IGBTチップ1とダイオードチップ5のそれぞれの電極が、半田付けや、ワイヤボンディングで接続している。
【0014】
ここで、直列接続するダイオードチップ5の個数NLVは、2個以上であれば特に制限はないが、好ましくは2〜8個、より好ましくは2〜4個である。接続するダイオードチップ5の個数NLVを多くすると、ダイオードが定常電流に到達する時間が短いダイオードをモジュールに使える。また、ダイオードチップ5の個数NLVを少なくするとモジュールパッケージ内のボンディング数を減らすことができ、モジュールを小型にできる。
【0015】
なお、IGBTではコレクタ2を第一の電極とし、エミッタ3を第二の電極とし、コレクタから、エミッタへの主電流を制御するゲート4が第三の電極とする。また、GTOでは、同様に、第一,第二,第三の電極がそれぞれ、アノード,カソード,ゲートに相当し、パワーMOSFETでは第一,第二,第三の電極がそれぞれ、ドレイン,ソース,ゲートに相当する。第一の電極と、第二の電極との間には整流素子であるダイオードが接続され、第一の電極が整流素子のカソードに、第二の電極が整流素子のアノードにそれぞれ接続する。
【0016】
本実施例のIGBTモジュールでは、IGBTチップ1が、順方向の耐圧6.5kV,定格電流100Aであり、ダイオードチップ5が、耐圧3.3kV ,定格電流100Aである。また、図2に示す従来技術のIGBTモジュールでは、
IGBTチップ1の定格が図1と同じであり、定格電流50A,耐圧6.5kV のダイオードチップが2個並列に接続している。なお、何れのIGBTチップ1も逆方向の耐圧は300Vである。
【0017】
図3は、図1あるいは図2のIGBTモジュールを用いた、同期電動機駆動用3相インバータ回路の説明図である。図3中、符号8で示す四角(U,V,W及びX,Y,Z)の部分が、図1あるいは図2に示したIGBTモジュールである。図3において、9は電圧源、10は電動機であり、IGBTモジュール8の
PWMスイッチング制御回路やモータの回転子位置検出回路,インバータの出力電流検出器や電圧源の電流検出回路などは記載を省略してある。なお、図1で
IGBTチップ1に代え、GTOや、パワーMOSFETなどの半導体スイッチング素子にしたモジュールを図3に用いても良い。
【0018】
図4は、図3のインバータ回路のIGBTモジュールUとして、図2に示す従来技術のモジュールを用いた場合の電圧波形(a)と、電流波形(b)とを示す。また、図5は、図3のインバータ回路のIGBTモジュールUとして、図1に記載の本実施例のモジュールを用いた場合の電圧波形(a)と、電流波形(b)とである。
【0019】
図3で、IGBTモジュールXが実線の矢印の電流で示すオン状態からゲート制御によってターンオフ状態に移行すると、IGBTモジュールXの電流の減少に伴って、高い電流上昇率(di/dt)で、IGBTモジュールUのダイオードに、図3中の点線の矢印で示すように電流が流れようとする。この、電流により、IGBTモジュール中のダイオードの電圧は、図5(b)に示すように本実施例の場合には、200Vであり、図4に示す従来技術では300Vであった。IGBTモジュール内に耐圧が低い2つのダイオードを直列に接続した本実施例では、耐圧が高い1つのダイオードをモジュールに備えている従来技術のものの2/3のダイオード電圧に低減できた。一方、IGBTの逆方向耐圧は順方向耐圧が6.5kV であるのに対し、300Vと低い。そのために、従来技術のIGBTモジュールでは、IGBTの逆耐圧を越えてしまう。
【0020】
このように本実施例のIGBTモジュールでは、順回復電圧が200VとIGBTの逆耐圧に対して十分な余裕があり、さらには、本発明のIGBTモジュールを組み込んだ、図3に示すインバータシステムでは早いスイッチングスピードの条件でも安定した電力制御が達成できる。
【0021】
【発明の効果】
高い電流上昇率(di/dt)で整流素子であるダイオードに電流が流れ込んでもIGBTやGTO等の半導体スイッチング素子の破壊を防止できる。さらには、本発明の半導体素子を組み込んだインバータシステムでは、広い動作条件で安定した動作ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例IGBTモジュールの説明図である。
【図2】従来技術のIGBTモジュールの説明図である。
【図3】IGBTモジュールを用いたモータ駆動用インバータシステムの説明図である。
【図4】従来技術のIGBTモジュールを図3のインバータシステムに適用した場合の電流電圧波形の説明図である。
【図5】本発明のIGBTモジュールを図3のインバータシステムに適用した場合の電流電圧波形の説明図である。
【符号の説明】
1…IGBTチップ、2…コレクタ、3…エミッタ、4…ゲート、5…ダイオードチップ、6…カソード、7…アノード、8…IGBTモジュール、9…電圧源、10…電動機。
Claims (5)
- 半導体スイッチング素子と、複数の整流素子とを備えた半導体装置において、
前記半導体スイッチングが、主電流を流す第一の電極と第二の電極及び前記主電流を制御する第三の電極を具備していると共に、前記複数の整流素子が直列に接続していて、該直列に接続している整流素子のカソードが前記半導体スイッチング素子の第一の電極に接続し、前記直列に接続している整流素子のアノードが前記半導体スイッチング素子の第二の電極に接続し、かつ、前記複数の整流素子の直列数が、前記半導体スイッチング素子の直列数より多く、前記直列接続した整流素子の耐電圧の合計が、前記半導体スイッチング素子の順方向の耐電圧より大きいか等しいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体スイッチング素子が絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、前記整流素子がダイオードであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体スイッチング素子がパワーMOSFETであって、前記整流素子がダイオードであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体スイッチング素子がゲートターンオフサイリスタであって、前記整流素子がダイオードであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2乃至4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ダイオードが2〜8個直列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
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