JP3887990B2 - 液晶セル - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示素子に用いる液晶セルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示素子に用いる液晶セルは、所定個所に液晶注入口を有する枠状のシール材を介して接合された前面側および背面側の一対の基板のうちの一方の基板の内面に、複数の第1の電極と配向膜が設けられ、他方の基板の内面に、前記複数の第1の電極と対向し複数の画素領域を形成する少なくとも1つの第2の電極と配向膜が設けられた構成となっている。
【0003】
なお、液晶表示素子としては、一般に、薄膜トランジスタ(以下、TFTと記す)をアクティブ素子とするアクティブマトリックス方式のものが利用されており、このアクティブマトリックス液晶表示素子に用いる液晶セルは、一方の基板(一般には背面側の基板)の内面に、マトリックス状に配列する複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数のTFTと、これらのTFTにゲート信号およびデータ信号を供給する複数のゲート配線およびデータ配線とを設け、他方の基板(一般には前面側の基板)の内面に、前記複数の画素電極と対向する一枚膜状の対向電極を設けた構成となっている。
【0004】
前記アクティブマトリックス液晶表示素子には、白黒画像を表示するものと、フルカラー画像等の多色カラー画像を表示するものとがあり、多色カラー画像を表示するアクティブマトリックス液晶表示素子に用いる液晶セルは、その前面側の基板の内面に、前記複数の画素電極と前記対向電極とが互いに対向する複数の画素電極にそれぞれ対応する複数の色、例えば赤、緑、青のカラーフィルタと、前記複数の画素領域の間の領域に対応するブラックマスク(遮光膜)とを設けた構成となっている。
【0005】
そして、液晶表示素子は、前記液晶セルの一対の基板間の前記シール材により囲まれた液晶封入領域に、前記シール材の所定個所に設けられた液晶注入口から真空注入法により液晶を注入し、その後に前記液晶注入口を封止することにより製造されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の液晶セルを用いた液晶表示素子は、前記液晶注入口の付近に液晶分子の配向不良が生じ、また、各画素領域の縁部付近に広範囲にわたってディスクリネーションが発生する問題をもっている。
【0007】
これは、液晶に含まれている不純物イオンの影響によるものであり、前記液晶分子の配向不良は、液晶セルにその液晶注入口から液晶を注入する際に、液晶中の不純物イオンが配向膜に付着することにより生じている。
【0008】
この配向膜への不純物イオンの付着は、主に、前記液晶注入口の付近において生じており、そのため、従来の液晶セルを用いた液晶表示素子は、前記液晶注入口の付近に、前記配向膜への不純物イオンの付着による液晶分子の配向不良が生じ、その領域に表示むらが発生している。
【0009】
また、前記ディスクリネーションは、例えば上述したアクティブマトリックス液晶表示素子の場合、画素電極の縁部とゲート配線またはデータ配線との間に生じる横電界の影響によるものであり、前記各画素領域の縁部のうち、前記配向膜により規制される配向方向に対して逆方向に液晶分子を配向させる向きの横電界が作用する領域にディスクリネーションが発生する。
【0010】
そして、従来の液晶セルを用いた液晶表示素子は、前記液晶セルに封入された液晶が不純物イオンを含んでいるため、液晶が前記横電界の影響を受けやすく、そのためにディスクリネーションが広範囲にわたって発生し、画素領域内にディスクリネーションによる光漏れが生じて、表示品質を低下させている。
【0011】
この発明は、液晶が含んでいる不純物イオンの影響による液晶注入口付近の液晶分子の配向不良を無くし、また、各画素領域の縁部付近に発生するディスクリネーションの発生範囲を小さくすることがきる液晶セルを提供することを目的としたものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この発明の液晶セルは、所定個所に液晶注入口を有する枠状のシール材を介して接合された前面側および背面側の一対の基板のうちの一方の基板の内面に、複数の第1の電極と配向膜が設けられ、他方の基板の内面に、前記複数の第1の電極と対向し複数の画素領域を形成する少なくとも1つの第2の電極と配向膜が設けられた液晶セルにおいて、
前記一対の基板のうちの前面側の基板の内面の、前記複数の画素領域が配列された表示エリアに、前記複数の画素領域の間の領域に対応させて設けられ、その基板面に形成された遮光性金属膜とその上に形成された第2の金属膜とからなるブラックマスクと、
前記前面側の基板の内面の前記表示エリアの外側の領域の少なくとも液晶注入口に対応する部分に、前記基板内面に露出する状態で設けられ、前記遮光性金属膜とその上に形成された前記第2の金属膜を陽極酸化により多孔質化した多孔質層とからなる多孔質膜とを備えることを特徴とするものである。
【0013】
この発明の液晶セルは、少なくともいずれかの基板の内面の表示エリアの外側の領域の、少なくとも液晶注入口に対応する部分に、遮光性金属膜とその上に形成された前記第2の金属膜を陽極酸化により多孔質化した多孔質層とからなる多孔質膜を基板内面に露出する状態で設けたものであるため、前記液晶注入口から液晶を注入する際に、その液晶中の不純物イオンが前記多孔質膜により吸着され、不純物イオンをほとんど含まない液晶が液晶セルに流入する。
【0014】
そのため、この液晶セルによれば、液晶の注入に際して液晶中の不純物イオンが配向膜に付着することはほとんどなく、したがって、液晶が含んでいる不純物イオンの影響による液晶注入口付近の液晶分子の配向不良を無くすことができる。
【0015】
また、各画素領域の縁部付近に発生するディスクリネーションは、上述したように横電界の影響によるが、この発明の液晶セルによれば、不純物イオンをほとんど含まない液晶が封入されるため、液晶が前記横電界の影響を受け難く、したがって、前記ディスクリネーションの発生範囲を小さくすることがきる。
【0016】
【発明の実施の形態】
この発明の液晶セルは、上記のように、液晶注入口を有する枠状のシール材を介して接合された一対の基板の少なくともいずれかの一方の内面の表示エリアの外側の領域の、少なくとも前記液晶注入口に対応する部分に、遮光性金属膜とその上に形成された前記第2の金属膜を陽極酸化により多孔質化した多孔質層とからなる多孔質膜を基板内面に露出する状態で設けることにより、液晶が含んでいる不純物イオンの影響による液晶注入口付近の液晶分子の配向不良を無くし、また、各画素領域の縁部付近に発生するディスクリネーションの発生範囲を小さくし、さらに前記多孔質膜を前記ブラックマスクの形成工程を利用して形成することができ、液晶セルの製造コストを低く抑えることができる。
【0017】
この発明の液晶セルにおいて、一対の基板の背面側の基板の前記表示エリアの外側の領域の少なくとも液晶注入口に対応する部分に前記基板内面に露出する状態で、導電膜とその上に形成された多孔質層とからなる多孔質膜をさらに設け、前記一対の基板の両方に設けられた両方の多孔質膜の前記記導電膜をそれぞれ、少なくともいずれかの基板の前記シール材による基板接合部の外側に設けられた端子電極に電気的に接続しておくのが好ましい。
【0018】
このような構成によれば、前記液晶注入口からの液晶の注入時に、前記端子電極を介して前記両方の多孔質膜の導電膜間に電圧を印加することにより、液晶中の不純物イオンをさらに効果的に前記多孔質膜に吸着させることができる。
【0019】
また、前記多孔質膜は、前記シール材による基板接合部の内側にそのほぼ全周にわたって設けるのが好ましく、このように多孔質膜を設けることにより、前記液晶注入口から液晶を注入する際に、その液晶中の不純物イオンを前記多孔質膜により吸着し、不純物イオンをほとんど含まない液晶をセル内に流入させるとともに、前記シール材から染み出してセル内の液晶中に溶け込む不純物イオンを前記多孔質膜により吸着し、セル内の液晶を長期にわたって低不純物濃度の状態に保つことができる。
【0020】
また、前記多孔質膜は、前記シール材による基板接合部にそのほぼ全周にわたって設けてもよく、このように多孔質膜を設けることにより、前記液晶注入口から液晶を注入する際に、その液晶中の不純物イオンを前記多孔質膜により吸着し、不純物イオンをほとんど含まない液晶をセル内に流入させるとともに、前記シール材から染み出す不純物イオンを前記多孔質膜により吸着し、前記シール材から液晶中への不純物イオンの溶け込みを少なくして、セル内の液晶を長期にわたって低不純物濃度の状態に保つことができ、また、前記シール材による基板接合部の強度を高くすることができる。
【0022】
また、前記一方の基板の内面に設けられた前記第1の電極が、マトリックス状に配列する複数の画素電極、前記他方の基板の内面に設けられた前記第2の電極が、前記複数の画素電極と対向する対向電極であり、前記一方の基板の内面に、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数のTFT(薄膜トランジスタ)と、これらのTFTにゲート信号およびデータ信号を供給する複数のゲート配線およびデータ配線が設けられたアクティブマトリックス液晶表示素子用の液晶セルにおいて、前記一方の基板の内面に前記多孔質膜を設ける場合は、前記多孔質膜を、前記ゲート配線と同材質の金属膜の少なくとも表面を陽極酸化により多孔質化して形成するのが好ましく、このようにすることにより、前記多孔質膜を前記ゲート配線の形成工程を利用して形成し、液晶セルの製造コストを低く抑えることができる。
【0023】
【実施例】
図1および図2はこの発明の第1の実施例を示しており、図1は液晶セルの一部切開正面図、図2は図1のII−II線に沿う拡大断面図である。
【0024】
この液晶セルは、前面側および背面側の一対の透明基板1,2を液晶封入領域を囲む枠状のシール材3を介して接合して構成されており、前記シール材3の一端縁の所定個所には液晶注入口3aが設けられている。
【0025】
なお、前記シール材3は、例えばエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなっており、前記液晶注入口3aは、前記シール材3を部分的に欠落させて形成されている。
【0026】
この実施例の液晶セルは、アクティブマトリックス液晶表示素子に用いるものであり、一方の基板、例えば背面側基板2の内面には、行方向(画面の左右方向)および列方向(画面の上下方向)にマトリックス状に配列する複数の透明な画素電極4と、前記複数の画素電極4にそれぞれ接続されたTFT(薄膜トランジスタ)5と、各画素電極行ごとにその一側に沿わせて形成され、各行のTFT5にそれぞれゲート信号を供給する複数のゲート配線11と、各画素電極列ごとにその一側に沿わせて形成され、各列のTFT5にそれぞれデータ信号を供給するデータ配線12とが設けられている。
【0027】
なお、この背面側基板2は、前記液晶注入口3aが設けられた側とは反対側の端縁と一側縁とに、他方の基板である前面側基板1の縁部よりも外方に突出する端子配列部を有しており、その一方の端子配列部に、前記複数のゲート配線11の端子電極11aが配列形成され、他方の端子配列部に、前記複数のデータ配線12の端子電極12aが配列形成されている。
【0028】
前記TFT5は、基板2上に形成されたゲート電極6と、このゲート電極6を覆って設けられたゲート絶縁膜7と、このゲート絶縁膜7の上に前記ゲート電極6に対応させて設けられたi型半導体膜8と、このi型半導体膜8の両側部の上に図示しないn型半導体膜を介して形成されたソース電極9およびドレイン電極10とからなっている。
【0029】
前記ゲート配線11は、前記基板2上に設けられており、前記TFT5のゲート電極6は、前記ゲート配線11に一体に形成されている。なお、前記ゲート配線11の端子電極11aを除く配線部は、前記データ配線12との間の絶縁耐圧を高くするために、前記ゲート電極6部を含んで、その表面を陽極酸化処理されている。図2において6aは、前記ゲート電極6の表面の陽極酸化膜である。
【0030】
また、前記TFT5のゲート絶縁膜(透明膜)7は、前記複数のゲート配線11の配線部を覆って、画素電極4およびTFT5の配列領域全体にわたって設けられている。
【0031】
そして、前記複数の画素電極4は、前記ゲート絶縁膜7の上に設けられており、これらの画素電極4の一端側の縁部にそれぞれ、その画素電極4に対応するTFT5のソース電極9が接続されている。
【0032】
また、前記データ配線12は、前記ゲート絶縁膜7の上に形成されており、前記TFT5のドレイン電極10は、前記データ配線12に一体に形成されている。なお、前記データ配線12は、前記TFT5を層間絶縁膜で覆ってその上に形成し、前記層間絶縁膜に設けたコンタクト孔において前記TFT5のドレイン電極10に接続してもよい。
【0033】
さらに、前記背面側基板2の内面には、前記TFT5およびデータ配線12と画素電極4の周縁部を覆う透明なオーバーコート絶縁膜13が設けられており、その上に配向膜14が設けられている。
【0034】
また、他方の基板である前面側基板1の内面には、前記複数の画素電極4の全てに対向する一枚膜状の透明な対向電極15と、前記複数の画素電極4と前記対向電極15とが互いに対向する複数の画素領域にそれぞれ対応する複数の色のカラーフィルタ、例えば赤、緑、青の3色のカラーフィルタ16と、前記複数の画素領域の間の領域にそれぞれ対応させて形成されたブラックマスク17とが設けられており、その上に配向膜20が設けられている。なお、前記カラーフィルタ16とブラックマスク17は、基板1上に形成されており、その上に前記対向電極が15が形成されている。
【0035】
前記ブラックマスク17は、基板1上に形成されたクロム等の遮光性金属膜18と、その上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム系合金等の陽極酸化の可能な第2の金属膜19とからなる二層構造とされており、前記対向電極15は、前記ブラックマスク17の第2の金属膜19の上に直接接している。
【0036】
また、前記対向電極15の端子電極15aは、前記背面側基板2の端子配列部に設けられており、この端子電極15aは、前記シール材3による基板接合部の外側の所定個所に形成されたクロス電極15bにつながっている。
【0037】
そして、前記対向電極15は、この対向電極15の側縁から前記基板接合部の外側に導出されて前記クロス電極15bと対向するリード部(図示せず)と前記クロス電極15bとを図示しないクロス材により接続することにより、前記端子電極15aに接続されている。
【0038】
さらに、前記前面側および背面側の一対の基板1,2の内面にはそれぞれ、前記複数の画素領域が配列する表示エリアAの外側の領域に、前記液晶注入口3aに対応する多孔質膜21,22が設けられている。これらの多孔質膜21,22はそれぞれ、前記シール材3の液晶注入口3a部分よりも充分に大きい面積を有している。
【0039】
前記多孔質膜21,22のうち、前面側基板1の内面に設けられた多孔質膜21は、前記ブラックマスク17の遮光性金属膜18と、その上に形成された前記第2の金属膜19を陽極酸化により多孔質化した多孔質層19aとからなる二層構造を有しており、前記ブラックマスク17に一体に形成されている。
【0040】
すなわち、前記ブラックマスク17は、基板1の全面にわたって、前記カラーフィルタ16の形成領域に開口を有する形状に形成されており、多孔質膜21は、前記ブラックマスク17の遮光性金属膜18と第2の金属膜19とのうち、前記第2の金属膜19の前記液晶注入口3aに対応する領域を陽極酸化により多孔質化することにより形成されている。
【0041】
なお、前記第2の金属膜19の多孔質膜21となる領域の陽極酸化は、基板1上に前記ブラックマスク17を形成した後、このブラックマスク17をその被酸化領域(多孔質膜21となる領域)を除いてレジストによりマスクし、前記ブラックマスク17を電解液中に浸漬して前記電解液中に配置された陰極板に対向させ、その状態で前記ブラックマスク17に+電圧を印加することにより行なうことができ、その陽極酸化条件(電解液質および電圧値と電圧印加時間等)を選ぶことにより、所望の粗さの多孔質層19aを得ることができる。
【0042】
また、前記前面側基板1の内面に設けられた前記カラーフィルタ16と対向電極15およびその上の配向膜26は、前記シール材3により囲まれた液晶封入領域のうちの前記複数の画素領域が配列する表示エリアAに形成されており、したがって、前記多孔質膜21は、前面側基板1の内面に露出している。
【0043】
一方、背面側基板2の内面に設けられた多孔質膜22は、前記ゲート配線11と同材質の金属膜23の表面を陽極酸化により多孔質化することにより形成されている。図2において23aは、前記金属膜23の表面の多孔質層である。
【0044】
すなわち、前記ゲート配線11は、アルミニウム等の低抵抗で陽極酸化の可能な金属膜により形成されており、前記多孔質膜22とされる金属膜23は、基板2上に金属膜を成膜し、その金属膜をパターニングしてゲート配線11を形成する際に同時に形成され、その後に表面を陽極酸化により多孔質化されている。
【0045】
この背面側基板2に設けられた多孔質膜22は、前記ゲート配線11とは切り離された独立膜であり、この多孔質膜22は、前記シール材3により囲まれた液晶封入領域内の表示エリアAの外側の領域を通して背面側基板2の端子配列部に導出されたリード部22aを有しており、そのリード部22aの導出端に、多孔質膜用端子電極22bが形成されている。
【0046】
このリード部22aおよび端子電極22bは、前記金属膜23により前記多孔質膜22と一体に形成されており、そのうちのリード部22aは、その表面を陽極酸化により多孔質化されている。
【0047】
前記金属膜23の多孔質膜22およびそのリード部22aとなる部分の陽極酸化は、基板2上にゲート配線11と前記金属膜23とを形成した後、前記ゲート配線11をレジストによりマスクし、前記金属膜23の被酸化領域を電解液中に浸漬して前記電解液中に配置された陰極板に対向させ、その状態で前記多孔質膜用端子電極22bに+電圧を印加することにより行なうことができ、その陽極酸化条件を選ぶことにより、所望の粗さの多孔質層23aを得ることができる。
【0048】
なお、前記ゲート配線11の配線部およびゲート電極6部の表面の陽極酸化は、前記多孔質膜22となる金属膜23の陽極酸化とは別に、前記金属膜23をレジストによりマスクし、前記ゲート配線11の被酸化領域を電解液中に浸漬して前記電解液中に配置された陰極板に対向させ、その状態で前記多孔質膜用端子電極22bに+電圧を印加することにより行なえばよく、その陽極酸化条件を選ぶことにより、前記ゲート配線11の配線部およびゲート電極6部の表面に緻密な膜質の陽極酸化膜6aを生成させることができる。
【0049】
また、前記背面側基板2の内面に設けられたゲート絶縁膜7とオーバーコート絶縁膜13と配向膜14は、前記シール材3により囲まれた液晶封入領域のうちの前記複数の画素領域が配列する表示エリアAに形成されており、したがって、前記多孔質膜22は、背面側基板2の内面に露出している。
【0050】
この液晶セルは、その一対の基板1,2の内面の表示エリアAの外側の領域にそれぞれ、液晶注入口3aに対応する多孔質膜21,22を基板内面に露出する状態で設けたものであるため、前記液晶注入口3aから液晶を注入する際に、その液晶中の不純物イオンが前記多孔質膜21,22により吸着され、不純物イオンをほとんど含まない液晶が液晶セルに流入する。
【0051】
なお、図2では一対の基板1,2の間隔(セルギャップ)を大きく誇張して示しているが、この基板間隔は40〜70μm程度と極く小さく、したがって、前記液晶注入口3aから注入される液晶のほとんどが前記多孔質膜21,22に接して、液晶中の不純物イオンを前記多孔質膜21,22により吸着される。
【0052】
また、この実施例では、両方の多孔質膜21,22をそれぞれ、導電膜(前面側基板1の多孔質膜21ではブラックマスク17の遮光性金属膜18、背面側基板の多孔質膜22ではゲート配線11と同材質の金属膜23)と、この導電膜18,23の上に形成された多孔質層19a,23aとにより形成するとともに、前面側基板1の多孔質膜21の導電層(遮光性金属膜)18を、前記ブラックマスク17およびそれに直接接する対向電極15と前記クロス電極15bとを介して、背面側基板2のシール材3による基板接合部の外側の端子配列部に設けられた端子電極15aに電気的に接続し、背面側基板2の多孔質膜22の導電層(金属膜)23を、リード部22aを介して、前記背面側基板2の端子配列部に設けられた端子電極22bに電気的に接続している。
【0053】
そのため、この実施例の液晶セルによれば、前記液晶注入口3aからの液晶の注入時に、前記端子電極15a,22bを介して前記両方の多孔質膜21,22の導電膜18,23間に電圧を印加することにより、液晶中の不純物イオンをさらに効果的に前記多孔質膜21,22に吸着させることができる。
【0054】
そのため、この液晶セルによれば、液晶の注入に際して液晶中の不純物イオンが配向膜14,26に付着することはほとんどなく、したがって、液晶が含んでいる不純物イオンの影響による液晶注入口3a付近の液晶分子の配向不良を無くすことができる。
【0055】
また、各画素領域の縁部付近に発生するディスクリネーションは、上述したように横電界の影響によるが、この液晶セルによれば、不純物イオンをほとんど含まない液晶が封入されるため、液晶が前記横電界の影響を受け難く、したがって、前記ディスクリネーションの発生範囲を小さくすることがきる。
【0056】
なお、前記多孔質膜21,22の多孔質層19a,23aは、できるだけ厚く形成するのが好ましく、この多孔質層19a,23aが充分な厚さを有していれば、多孔質膜21,22の面積が小さくても、注入される液晶中の不純物イオンを充分に吸着することができる。
【0057】
そして、多孔質膜21,22の面積を小さくできれば、前記シール材3の内周と前記表示エリアAとの間の間隔を小さくすることができるため、その分、表示エリアAを広くすることができる。
【0058】
また、この実施例では、前面側基板1の内面に設けるブラックマスク17を、基板1上に形成された遮光性金属膜18と、その上に形成された第2の金属膜19とからなる二層構造とし、この前面側基板1の内面に設ける多孔質膜21を、前記遮光性金属膜18と、その上に形成された前記第2の金属膜19を陽極酸化してなる多孔質層19aとからなる二層構造としているため、前記多孔質膜21を前記ブラックマスク17の形成工程を利用して形成することができる。
【0059】
さらに、この実施例では、背面側基板2の内面に設ける多孔質膜22を、この背面側基板2の内面に設けられたゲート配線11と同材質の金属膜23の表面を陽極酸化により多孔質化して形成しているため、前記多孔質膜22を前記ゲート配線11の形成工程を利用して形成することができる。
【0060】
すなわち、この液晶セルは、その一対の基板1,2の内面に前記多孔質膜21,22を設けたものであるが、これらの多孔質膜21,22をそれぞれ、前記ブラックマスク17の形成工程および前記ゲート配線11の形成工程を利用して形成することができるため、その製造コストを低く抑えることができる。
【0061】
また、上記実施例では、前記両方の多孔質膜21,22の導電膜18,23間に電圧を印加することができるようにしているが、この電圧印加を行なわなくても、液晶中の不純物イオンを充分前記多孔質膜21,22に吸着させることができる。
【0062】
このように両方の多孔質膜21,22の導電膜18,23間に電圧を印加せずに液晶の注入を行なう場合、前記背面側基板2の多孔質膜22は、前記金属膜23をその全厚にわたって陽極酸化により多孔質化させてもよい。
【0063】
図3および図4はこの発明の第2の実施例を示しており、図3は液晶セルの一部切開正面図、図4は図3のIV−IV線に沿う拡大断面図である。
【0064】
この実施例の液晶セルは、前記多孔質膜21,22を、シール材3による基板接合部の内側にそのほぼ全周にわたって設けたものであり、前面側基板1の多孔質膜21は、ブラックマスク17の第2の金属膜19の前記基板接合部の内側の領域をその全周にわたって陽極酸化により多孔質層19aとすることにより形成されている。
【0065】
また、背面側基板2の多孔質膜22は、前記基板接合部の内側の領域のうちのゲート配線11の端子電極11aが配列された端子配列部に沿う辺を除く3辺に沿わせて形成された連続膜と、前記端子配列部に沿わせて間欠的に形成された非連続膜とからなっており、前記連続膜は、ゲート配線11と同じ材質の金属膜23の表面を陽極酸化により多孔質層23aとすることにより形成され、前記非連続膜は、複数のゲート配線11の前記基板接合部の内側に対応する部分を幅広に形成し、その部分の表面を陽極酸化により多孔質層23aとすることにより形成されている。
【0066】
なお、この実施例の液晶セルは、両方の多孔質膜21,22の導電膜18,23間に電圧を印加せずに液晶の注入を行なうようにしたものであり、前記多孔質膜21,22が前記基板接合部の内側にそのほぼ全周にわたって設けられているが、その他の構成は上述した第1の実施例と同じであるから、重複する説明は図に同符号を付して省略する。
【0067】
この実施例の液晶セルによれば、前記多孔質膜21,22を、シール材3による基板接合部の内側にそのほぼ全周にわたって設けているため、液晶注入口3aから液晶を注入する際に、その液晶中の不純物イオンを前記多孔質膜により吸着し、不純物イオンをほとんど含まない液晶をセル内に流入させるとともに、前記シール材3から染み出してセル内の液晶中に溶け込む不純物イオンを前記多孔質膜21,22により吸着し、セル内の液晶を長期にわたって低不純物濃度の状態に保つことができる。
【0068】
図5および図6はこの発明の第3の実施例を示しており、図5は液晶セルの一部切開正面図、図6は図5のVI−VI線に沿う拡大断面図である。
【0069】
この実施例の液晶セルは、前記多孔質膜21,22を、シール材3による基板接合部にそのほぼ全周にわたって設けたものであり、前面側基板1の多孔質膜21は、ブラックマスク17の第2の金属膜19の前記基板接合部に対応する領域をその全周にわたって陽極酸化により多孔質層19aとすることにより形成されている。
【0070】
また、背面側基板2の多孔質膜22は、前記基板接合部に対応する領域のうちのゲート配線11の端子電極11aが配列された端子配列部に沿う辺を除く3辺に沿わせて形成された連続膜と、前記端子配列部に沿わせて間欠的に形成された非連続膜とからなっており、前記連続膜は、ゲート配線11と同じ材質の金属膜23の表面を陽極酸化により多孔質層23aとすることにより形成され、前記非連続膜は、複数のゲート配線11の前記基板接合部に対応する部分を幅広に形成し、その部分の表面を陽極酸化により多孔質層23aとすることにより形成されている。
【0071】
なお、前記両方の多孔質膜21,22はそれぞれ、前記基板接合部よりもある程度幅広に形成しており、これらの多孔質膜21,22の外周縁は前記基板接合部の外周縁とほぼ一致し、内周縁は前記基板接合部の内周縁よりも内側に若干張り出している。
【0072】
この実施例の液晶セルは、両方の多孔質膜21,22の導電膜18,23間に電圧を印加せずに液晶の注入を行なうようにしたものであり、前記多孔質膜21,22が前記基板接合部にそのほぼ全周にわたって設けられているが、その他の構成は上述した第1の実施例と同じであるから、重複する説明は図に同符号を付して省略する。
【0073】
この実施例の液晶セルによれば、前記多孔質膜21,22を、シール材3による基板接合部にそのほぼ全周にわたって設けているため、液晶注入口3aから液晶を注入する際に、その液晶中の不純物イオンを前記多孔質膜21,22により吸着し、不純物イオンをほとんど含まない液晶をセル内に流入させるとともに、前記シール材3から染み出す不純物イオンを前記多孔質膜21,22により吸着し、前記シール材3から液晶中への不純物イオンの溶け込みを少なくして、セル内の液晶を長期にわたって低不純物濃度の状態に保つことができる。
【0074】
また、この液晶セルによれば、前記シール材3が基板1,2の内面に設けられた前記多孔質膜21,22に対して高い強度で接着するため、前記シール材3による基板接合部の強度を高くすることができる。
【0075】
なお、上記第2および第3の実施例では、背面側基板2の多孔質膜22を、金属膜23の表面を陽極酸化により多孔質層23aとすることにより形成しているが、この多孔質膜22は、前記金属膜23の全厚を陽極酸化により多孔質化して形成してもよい。
【0076】
また、上記第1〜第3の実施例では、前面側基板1の多孔質膜21をブラックマスク17の第2の金属膜19を部分的に陽極酸化により多孔質層19aとすることにより形成し、背面側基板2の多孔質膜22を、ゲート配線11と同じ材質の金属膜23の表面を陽極酸化により多孔質層23aとすることにより形成しているが、前面側基板1の多孔質膜21は、ブラックマスク17とは別に形成してもよく、また背面側基板2の多孔質膜22も、ゲート配線11とは別の材質により形成してもよい。
【0077】
さらに上記第1〜第3の実施例では、一対の基板1,2の両方に多孔質膜21,22を設けているが、前記多孔質膜21,22のいずれか一方を省略し、一方の基板1または2の多孔質膜21または22により液晶中の不純物イオンを吸着するようにしてもよい。
【0078】
また、上記実施例の液晶セルは、アクティブマトリックス液晶表示素子に用いるものであるが、この発明は、一方の基板の内面に設けられた第1の電極が、行方向に沿って互いに平行に設けられた複数の走査電極であり、他方の基板の内面に設けられた第2の電極が、列方向に沿って互いに平行に設けられた複数の信号電極である、単純マトリックス液晶表示素子に用いる液晶セルにも適用することができる。
【0079】
【発明の効果】
この発明の液晶セルは、液晶注入口を有する枠状のシール材を介して接合された一対の基板のうちの前面側の基板の内面の、前記複数の画素領域が配列された表示エリアに、前記複数の画素領域の間の領域に対応させて設けられ、その基板面に形成された遮光性金属膜とその上に形成された第2の金属膜とからなるブラックマスクと、前記前面側の基板の内面の前記表示エリアの外側の領域の少なくとも液晶注入口に対応する部分に、前記基板内面に露出する状態で設けられ、前記遮光性金属膜とその上に形成された前記第2の金属膜を陽極酸化により多孔質化した多孔質層とからなる多孔質膜とを備えたものであるから、液晶が含んでいる不純物イオンの影響による液晶注入口付近の液晶分子の配向不良を無くし、また、各画素領域の縁部付近に発生するディスクリネーションの発生範囲を小さくし、さらに前記多孔質膜を前記ブラックマスクの形成工程を利用して形成することができ、液晶セルの製造コストを低く抑えることができる。
【0080】
この発明の液晶セルにおいて、一対の基板の背面側の基板の前記表示エリアの外側の領域の少なくとも液晶注入口に対応する部分に前記基板内面に露出する状態で、導電膜とその上に形成された多孔質層とからなる多孔質膜をさらに設けるのが望ましく、さらに、一対の基板の両方に設けられた両方の多孔質膜をそれぞれ、導電膜と、この導電膜の上に形成された多孔質層とにより形成し、前記両方の多孔質膜の前記導電膜をそれぞれ、少なくともいずれかの基板のシール材による基板接合部の外側に設けられた端子電極に電気的に接続しておくのが好ましく、このような構成によれば、前記液晶注入口からの液晶の注入時に、前記端子電極を介して前記両方の多孔質膜の導電膜間に電圧を印加することにより、液晶中の不純物イオンをさらに効果的に前記多孔質膜に吸着させることができる。
【0081】
また、前記多孔質膜は、前記シール材による基板接合部の内側にそのほぼ全周にわたって設けるのが好ましく、このように多孔質膜を設けることにより、前記シール材から染み出してセル内の液晶中溶け込む不純物イオンを前記多孔質膜により吸着し、セル内の液晶を長期にわたって低不純物濃度の状態に保つことができる。
【0082】
また、前記多孔質膜は、前記シール材による基板接合部にそのほぼ全周にわたって設けてもよく、このように多孔質膜を設けることにより、前記シール材から染み出す不純物イオンを前記多孔質膜により吸着し、前記シール材からセル内の液晶中への不純物イオンの溶け込みを少なくして、セル内の液晶を長期にわたって低不純物濃度の状態に保つことができるとともに、前記シール材による基板接合部の強度を高くすることができる。
【0083】
また、前記一方の基板の内面に設けられた前記第1の電極が、マトリックス状に配列する複数の画素電極、前記他方の基板の内面に設けられた前記第2の電極が、前記複数の画素電極と対向する対向電極であり、前記一方の基板の内面に、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数のTFTと、これらのTFTにゲート信号およびデータ信号を供給する複数のゲート配線およびデータ配線が設けられたアクティブマトリックス液晶表示素子用の液晶セルにおいて、前記一方の基板の内面に前記多孔質膜を設ける場合は、前記多孔質膜を、前記ゲート配線と同材質の金属膜の少なくとも表面を陽極酸化により多孔質化して形成するのが好ましく、このようにすることにより、前記多孔質膜を前記ゲート配線の形成工程を利用して形成し、液晶セルの製造コストを低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例を示す液晶セルの一部切開正面図。
【図2】図1のII−II線に沿う拡大断面図。
【図3】この発明の第2の実施例を示す液晶セルの一部切開正面図。
【図4】図3のIV−IV線に沿う拡大断面図。
【図5】この発明の第3の実施例を示す液晶セルの一部切開正面図。
【図6】図5のVI−VI線に沿う拡大断面図。
【符号の説明】
1,2…基板
3…シール材
3a…液晶注入口
4…画素電極
5…TFT
11…ゲート配線
12…データ配線
14…配向膜
15…対向電極
16…カラーフィルタ
17…ブラックマスク
18…遮光性金属膜
19…第2の金属膜
19a…多孔質層
20,21…多孔質膜
23…ゲート配線と同材質の金属膜
23a…多孔質層
Claims (5)
- 所定個所に液晶注入口を有する枠状のシール材を介して接合された前面側および背面側の一対の基板のうちの一方の基板の内面に、複数の第1の電極と配向膜が設けられ、他方の基板の内面に、前記複数の第1の電極と対向し複数の画素領域を形成する少なくとも1つの第2の電極と配向膜が設けられた液晶セルにおいて、
前記一対の基板のうちの前面側の基板の内面の、前記複数の画素領域が配列された表示エリアに、前記複数の画素領域の間の領域に対応させて設けられ、その基板面に形成された遮光性金属膜とその上に形成された第2の金属膜とからなるブラックマスクと、
前記前面側の基板の内面の前記表示エリアの外側の領域の少なくとも液晶注入口に対応する部分に、前記基板内面に露出する状態で設けられ、前記遮光性金属膜とその上に形成された前記第2の金属膜を陽極酸化により多孔質化した多孔質層とからなる多孔質膜とを備えることを特徴とする液晶セル。 - 一対の基板の背面側の基板の前記表示エリアの外側の領域の少なくとも液晶注入口に対応する部分に前記基板内面に露出する状態で、導電膜とその上に形成された多孔質層とからなる多孔質膜がさらに設けられ、前記前面側の基板と前記背面側の基板の多孔質膜の前記導電膜がそれぞれ、少なくともいずれかの基板の前記シール材による基板接合部の外側に設けられた端子電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶セル。
- 前記多孔質膜が、前記シール材による基板接合部の内側にそのほぼ全周にわたって設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶セル。
- 前記多孔質膜が、前記シール材による基板接合部にそのほぼ全周にわたって設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶セル。
- 一対の基板の一方の基板の内面に設けられた第1の電極は、マトリックス状に配列された複数の画素電極からなり、他方の基板の内面に設けられた前記第2の電極は、前記複数の画素電極と対向する対向電極からなり、前記一方の基板の内面には、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、これらの薄膜トランジスタにゲート信号およびデータ信号を供給する複数のゲート配線およびデータ配線と、表示エリアの外側の領域の少なくとも液晶注入口に対応する部分に前記ゲート配線と同材質の金属膜の少なくとも表面を陽極酸化により多孔質化して形成された多孔質膜がさらに設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶セル。
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