JP3884070B2 - 炭化ケイ素表面に電気接触部を形成する方法 - Google Patents
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 88
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 73
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 45
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- 238000003887 surface segregation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/045—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide passivating silicon carbide surfaces
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/0495—Schottky electrodes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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Description
この発明は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の表面に電気接触部を形成する方法に関する。
炭化ケイ素（ＳｉＣ）の上の電気接触部は、一般に、例えば白金、タングステン、チタン、ニッケル或いはクロムのような金属をＳｉＣ表面に直接設けることにより作られる。ＳｉＣ上のオーム接触部もショットキー接触部も公知である。
「応用物理誌(Appl. Phys. Lett.)」第６５巻、第１６号、１９９４年１０月１７日、第２０７５〜２０６６頁にはｎ導電形の立方晶系β−ＳｉＣの表面に、１５０ｎｍの厚さの炭化チタン（ＴｉＣ）からなる膜を化学蒸着（ＣＶＤ）法によりβ−ＳｉＣの（１１１）表面にエピタキシャル成長させてオーム接触部を作ることが公知である。このＣＶＤプロセスに使用されたプロセスガスはＴｉＣｌ4及びＣ2Ｈ4である。
ＳｉＣ表面に電気接触部を形成する公知の製造方法の問題は、酸素雰囲気において露出されているＳｉＣ表面に自然に酸化膜が形成されることである。オーム接触部の場合この自然の酸化膜により接触抵抗が高くなる。ショットキー接触部の場合にはこの酸化膜は接触障壁の低下、従って阻止電圧を印加したとき漏れ電流が大きくなる。自然の酸化膜はそれ故一般に金属或いはＴｉＣを施す前にスパッタにより或いはフッ化水素酸（ＨＦ）で除去しなければならない。
この発明の課題は、ＳｉＣの表面に電気接触部を作る特別な方法を提示することにある。
この課題は、この発明によれば、請求項１の特徴事項によって解決される。即ち、第一の製造工程においてＳｉＣ表面に炭素膜が形成される。これに続く第二の工程において炭素膜は炭化物を形成する少なくとも１つの金属とで少なくとも殆どがその金属炭化物に変換される。
この発明は、炭素膜には、露出されたＳｉＣ表面とは異なり、接触特性を劣化させる酸化膜が形成されないという考え方に基づいている。炭素（Ｃ）と金属との化学反応により、電気接触部に対して殆ど酸素のない金属炭化物−炭化ケイ素−境界面が作られる。
この発明による方法のその他の有利な実施態様及び改良は請求項１の従属請求項に記載されている。
この発明による方法は、ＳｉＣ単結晶の表面に、特に立方晶系ポリタイプ（β−ＳｉＣ）或いは非立方晶系ポリタイプ（α−ＳｉＣ）の表面に電気接触部を形成するのに特に有利である。その場合ＳｉＣ表面としては、特にＳｉＣ単結晶のケイ素面或いは炭素面（底面）が使用される。ケイ素面はα−ＳｉＣにおいては（0 0 0 1）結晶面に、β−ＳｉＣにおいては（1 1 1）結晶面に相当する。炭素面は、これに対して、α−ＳｉＣにおいては（0 0 0 -1）結晶面に、β−ＳｉＣにおいては（-1-1-1）結晶面に相当する。ＳｉＣ単結晶は、好ましくは、化学蒸着（ＣＶＤ）法により基板上に作られるが、また分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法或いは昇華プロセスによっても作られる。ＳｉＣ単結晶の製造方法の特別な変形例は、ＣＶＤ或いはＭＢＥプロセス工程を順次行い、ケイ素原子の層及び炭素原子の層を交互に作り、ＳｉＣ結晶格子構造に形成する原子層エピタキシー（ＡＬＥ）法である。
炭素膜は、特に有利な実施態様においては、ＳｉＣ表面及び／又はその下にあるＳｉＣからケイ素原子を気化させることにより作られる。好ましくは、ＳｉＣ表面はこのために真空或いは不活性ガス雰囲気中において少なくとも約１０００℃の温度に加熱される。炭素膜はしかしまた化学蒸着（ＣＶＤ）法により或いは分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法によっても作られる。好ましくは、炭素膜は少なくともグラファイトに類似の結晶構造に作られる。炭素膜の厚さは特に好ましい実施態様においては、１ｎｍより薄く設定される。その場合、炭素膜は炭素原子の少数層しか或いは１層しか含まない。
炭化物を形成する金属は特にスパッタプロセス或いは蒸発プロセスにより炭素膜に形成される。スパッタの場合には好ましい実施態様では加速された金属イオン或いは金属原子の運動エネルギーが、少なくとも金属炭化物を形成するために必要なエネルギーの程度の大きさに設定される。金属炭化物はその場合金属粒子が衝突する際に既に形成される。しかしまた、先ず炭化物を形成する金属を、例えば金属炭化物を形成するエネルギーより低い運動エネルギーの蒸着或いはスパッタにより、炭素膜に金属膜として形成し、次にこの金属を炭素と熱処理により化学的に反応させることもできる。炭化物を形成する金属としては、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）或いはスカンジウム（Ｓｃ）が使用される。
さらに異なる実施態様においてはＳｉＣ表面は炭素膜を形成する前に少なくとも５００℃の温度で水素雰囲気にさらされる。このようにして実質的に酸素のないＳｉＣ表面を得ることができる。
この発明をさらに説明するために図面を参照する。図面において、
図１及び２はＳｉＣ表面に炭素膜を形成する第一の実施例を、
図３及び４はＳｉＣ表面に炭素膜を形成する第二の実施例を、
図５乃至７は炭素膜をＳｉＣ表面で金属炭化物の膜に変換して電気接触部を形成する２つの実施例を概略的に示す。なお、図において互いに対応する部分は同一の符号で示す。
全ての図示の実施例においてＳｉＣ単結晶は２で、このＳｉＣ単結晶２のＳｉＣ表面は３で表されている。
図１においてＳｉＣ表面３に炭素ＣXが元素Ｃの形で例えばスパッタにより、或いは炭素化合物の形で例えばＣＶＤ或いはＭＢＥ法により供給される。
供給された炭素ＣXから、図２に示されるように、ＳｉＣ表面３には炭素膜４が析出される。ＣＶＤプロセス或いはＭＢＥプロセスにおいては、一般に、例えばＣ2Ｈ2のような炭化水素ガスが使用され、このガスから適当に設定されたプロセス条件、例えば特に圧力及び温度条件で、化学反応によりＳｉＣ表面３に炭素膜４が形成される。代表的なプロセス温度は、この場合、５００℃から１５００℃の間である。
これに対して、図３に示される他の実施例においては、ＳｉＣ結晶格子に結合されているケイ素原子がＳｉＣ表面３から除去、特に気化される。ケイ素原子の気化（昇華）のためにＳｉＣ表面３は特に少なくとも１０００℃の温度で、好適には真空或いは不活性ガス雰囲気中で熱処理される。この場合、不活性ガスとは、使用された温度においてＳｉＣと実際上反応しないガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を意味する。ＳｉＣにおけるケイ素（Ｓｉ）の蒸気圧は炭素（Ｃ）の蒸気圧より高いので、ケイ素原子の気化の際にＳｉＣ表面３には余剰の炭素原子が残る。
この余剰の炭素原子は、図４に示される炭素膜４に整列される。炭素膜４に接してやや後退して新たなＳｉＣ表面３’が生ずる。ケイ素原子を気化される前の炭素膜表面３は図４において破線で示されている。
図１及び２のように炭素の供給によっても、また図３及び４のようにケイ素の気化によっても、既ちＳｉＣ表面３もしくは３’には炭素膜４が形成される。この炭素膜４は例えば実質的にアモルファス構造に、特にグラファイト構造或いは少なくともグラファイトに類似の構造に作られる。有利な実施例においては１ｎｍ以下の厚さの炭素膜４が形成される。
この発明による方法の特に有利な実施態様においては、ＳｉＣ表面３としてＳｉＣ単結晶２の極側（底面）の１つ、即ちケイ素面或いは炭素面が使用される。ケイ素面は立方晶系ポリタイプ３Ｃ（β−ＳｉＣ）のＳｉＣ単結晶２の場合には有極結晶格子における（1 1 1）結晶面に相当し、そして例えば４Ｈ、６Ｈ或いは１５Ｒのような非立方晶系ポリタイプのＳｉＣ単結晶（α−ＳｉＣ）の場合には有極結晶格子における（0 0 0 1）結晶面に相当する。これに対して、炭素面は立方晶系ポリタイプ３Ｃ（β−ＳｉＣ）のＳｉＣ結晶２の場合には有極結晶格子における（-1 -1 -1）結晶面に相当し、そして例えば４Ｈ、６Ｈ或いは１５Ｒのような非立方晶系ポリタイプのＳｉＣ結晶（α−ＳｉＣ）の有極結晶格子における（0 0 0 -1）結晶面である。
この実施例においては炭素膜４は特にＳｉＣ表面３からのケイ素原子の気化により作られる。ＳｉＣ単結晶２のケイ素面或いは炭素面はこのために既に説明した熱処理を受ける。熱処理の時間経過及び使用される温度によりどれだけの個々の（1 1 1）もしくは（0 0 0 1）ケイ素原子層がＳｉＣ結晶格子から取り除かれるかが極めて正確に設定される。特にまた最上面のケイ素原子層だけを取り除くこともできる。その場合、ケイ素面には炭素原子の単層だけからなる炭素膜４が、炭素面には炭素原子の２層からなる炭素膜４が得られる。表面に残った炭素は、一般に、開いている結合の飽和によってグラファイト構造に再構成される（グラファイト化）。種々異なった熱処理におけるＳｉＣ単結晶のケイ素面から或いは炭素面からのケイ素原子の気化及びこれにより生じた炭素膜の電子分光による研究はミュールホフ氏他の論文「ＳｉＣ（0 0 0 1）及びＳｉＣ（0 0 0 -1）に関する表面偏析の電子分光による比較研究（Comperative electron spectroscopic studies of surface segregation on SiC(0001) and SiC(000-1)）」応用物理ジャーナル（Journal of Applied Physics）、第６０巻、第８号、１９８６年１０月１５日、第２８４２頁乃至２８５３頁に記載されている。その内容もこの出願の開示に含まれるものとする。
図５乃至７においてはＳｉＣ表面３に形成された炭素膜４を金属炭化物の膜７に変換することによりＳｉＣ表面３に電気接触部を作る２つの実施例が図示されている。この両実施例は、ＳｉＣ表面３に形成された、図２、図４或いは図５による炭素膜４の構造を基にしている。炭素膜４には、図５に示されるように、炭化物を形成する少なくとも１つの金属Ｍｅが供給される。好ましくはこの金属Ｍｅはスパッタプロセスにより或いは蒸着により炭素膜４に施される。
第一の実施例においては炭素膜４に衝突する金属原子或いはイオンのエネルギーが金属Ｍｅと炭素膜４の炭素Ｃとの間に金属炭化物ＭｅXＣを形成する化学結合エネルギーよりも小さく設定される。その場合には、図６に示すように、先ず炭素膜４の上に金属Ｍｅからなる分離された金属膜５が析出される。この金属膜５は次いで、好ましくは、熱処理によって炭素膜４とで化学的に金属炭化物の膜７に変換される。熱処理における温度、従って熱エネルギーは、その場合、金属炭化物ＭｅXＣを形成することを可能にするために、充分な大きさに選ばれる。
これに対して、第二の実施例においては、炭素膜４に到達する金属原子或いはイオンのエネルギーはこれに属する金属炭化物ＭｅXＣの化学結合エネルギーと同じ程度に、例えばスパッタプロセスにおける加速圧を充分に大きくすることにより設定される。この場合少なくとも１つの金属Ｍｅを金属膜５に形成する際に、第一の実施例の場合のように金属膜５を形成することなく、図７による金属炭化物の膜７が直接形成される。
好ましくは、金属Ｍｅと炭素膜４の炭素Ｃとの化学量論的関係は、炭素膜４の少なくともほぼ全体の炭素Ｃが金属Ｍｅと反応して金属炭化物ＭｅXＣを形成するように設定される。勿論、炭素Ｃの一部だけを変換することもできる。
炭化物を形成する金属としては例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）或いはスカンジウム（Ｓｃ）が使用される。これにより作られる金属炭化物ＭｅXＣはそれぞれＷ2Ｃ、ＴｉＣ、ＴａＣ又はＴａ2Ｃ、Ｂ4Ｃ、Ａｌ4Ｃ3、Ｎｉ3Ｃ及びＳｃ2Ｃである。
好ましいことに、この発明による方法によれば、特にＳｉＣをベースとするショットキー・ダイオードに使用されるショットキー接触部が作られる。この方法により作られる炭化ケイ素−金属炭化物−境界面は殆ど理想的な接触障壁を示し、従ってＳｉＣ単結晶２と金属炭化物７との間に高い電圧が加わったときでも比較的洩れ電流が小さい。
ＳｉＣ単結晶２は、図５の実施例においては基板６の上に層の形で配置され、好ましくは、それ自体公知の方法でＣＶＤプロセス或いはＭＢＥプロセスにより、特に原子層エピタキシー法により、約１０００℃と約１８００℃の間の温度で或いはまた昇華により一般に約２０００℃及び約２３００℃の間の温度で基板６の上に成長する。基板６は、好ましくは同様にＳｉＣからなる。しかしまた、昇華プロセスにより成長したＳｉＣ単結晶２を使用することもできる。
ＳｉＣ単結晶２がＣＶＤ或いはＭＢＥ法により作られるときには、炭素膜４はＳｉＣ表面３に、ＣＶＤプロセスもしくはＭＢＥプロセスの間に成長するＳｉＣ単結晶へのケイ素の供給が中断され、炭素だけが供給されることにより成長させることができる。さらに炭素膜４は、ＳｉＣ単結晶２がＣＶＤプロセス或いはＭＢＥプロセスの直後に真空或いは不活性ガス雰囲気において一般に室温まで所定の温度経過に従って冷却されることにより形成することができる。
今まで説明してきたこの発明の実施例においてはＳｉＣ単結晶の表面が使用されたけれども、この方法は、また特に焼結により作られる単結晶でないＳｉＣ、例えば多結晶のＳｉＣの表面に電気接触部を形成する方法にも同様に適用可能である。
炭化ケイ素（ＳｉＣ）の上の電気接触部は、一般に、例えば白金、タングステン、チタン、ニッケル或いはクロムのような金属をＳｉＣ表面に直接設けることにより作られる。ＳｉＣ上のオーム接触部もショットキー接触部も公知である。
「応用物理誌(Appl. Phys. Lett.)」第６５巻、第１６号、１９９４年１０月１７日、第２０７５〜２０６６頁にはｎ導電形の立方晶系β−ＳｉＣの表面に、１５０ｎｍの厚さの炭化チタン（ＴｉＣ）からなる膜を化学蒸着（ＣＶＤ）法によりβ−ＳｉＣの（１１１）表面にエピタキシャル成長させてオーム接触部を作ることが公知である。このＣＶＤプロセスに使用されたプロセスガスはＴｉＣｌ4及びＣ2Ｈ4である。
ＳｉＣ表面に電気接触部を形成する公知の製造方法の問題は、酸素雰囲気において露出されているＳｉＣ表面に自然に酸化膜が形成されることである。オーム接触部の場合この自然の酸化膜により接触抵抗が高くなる。ショットキー接触部の場合にはこの酸化膜は接触障壁の低下、従って阻止電圧を印加したとき漏れ電流が大きくなる。自然の酸化膜はそれ故一般に金属或いはＴｉＣを施す前にスパッタにより或いはフッ化水素酸（ＨＦ）で除去しなければならない。
この発明の課題は、ＳｉＣの表面に電気接触部を作る特別な方法を提示することにある。
この課題は、この発明によれば、請求項１の特徴事項によって解決される。即ち、第一の製造工程においてＳｉＣ表面に炭素膜が形成される。これに続く第二の工程において炭素膜は炭化物を形成する少なくとも１つの金属とで少なくとも殆どがその金属炭化物に変換される。
この発明は、炭素膜には、露出されたＳｉＣ表面とは異なり、接触特性を劣化させる酸化膜が形成されないという考え方に基づいている。炭素（Ｃ）と金属との化学反応により、電気接触部に対して殆ど酸素のない金属炭化物−炭化ケイ素−境界面が作られる。
この発明による方法のその他の有利な実施態様及び改良は請求項１の従属請求項に記載されている。
この発明による方法は、ＳｉＣ単結晶の表面に、特に立方晶系ポリタイプ（β−ＳｉＣ）或いは非立方晶系ポリタイプ（α−ＳｉＣ）の表面に電気接触部を形成するのに特に有利である。その場合ＳｉＣ表面としては、特にＳｉＣ単結晶のケイ素面或いは炭素面（底面）が使用される。ケイ素面はα−ＳｉＣにおいては（0 0 0 1）結晶面に、β−ＳｉＣにおいては（1 1 1）結晶面に相当する。炭素面は、これに対して、α−ＳｉＣにおいては（0 0 0 -1）結晶面に、β−ＳｉＣにおいては（-1-1-1）結晶面に相当する。ＳｉＣ単結晶は、好ましくは、化学蒸着（ＣＶＤ）法により基板上に作られるが、また分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法或いは昇華プロセスによっても作られる。ＳｉＣ単結晶の製造方法の特別な変形例は、ＣＶＤ或いはＭＢＥプロセス工程を順次行い、ケイ素原子の層及び炭素原子の層を交互に作り、ＳｉＣ結晶格子構造に形成する原子層エピタキシー（ＡＬＥ）法である。
炭素膜は、特に有利な実施態様においては、ＳｉＣ表面及び／又はその下にあるＳｉＣからケイ素原子を気化させることにより作られる。好ましくは、ＳｉＣ表面はこのために真空或いは不活性ガス雰囲気中において少なくとも約１０００℃の温度に加熱される。炭素膜はしかしまた化学蒸着（ＣＶＤ）法により或いは分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法によっても作られる。好ましくは、炭素膜は少なくともグラファイトに類似の結晶構造に作られる。炭素膜の厚さは特に好ましい実施態様においては、１ｎｍより薄く設定される。その場合、炭素膜は炭素原子の少数層しか或いは１層しか含まない。
炭化物を形成する金属は特にスパッタプロセス或いは蒸発プロセスにより炭素膜に形成される。スパッタの場合には好ましい実施態様では加速された金属イオン或いは金属原子の運動エネルギーが、少なくとも金属炭化物を形成するために必要なエネルギーの程度の大きさに設定される。金属炭化物はその場合金属粒子が衝突する際に既に形成される。しかしまた、先ず炭化物を形成する金属を、例えば金属炭化物を形成するエネルギーより低い運動エネルギーの蒸着或いはスパッタにより、炭素膜に金属膜として形成し、次にこの金属を炭素と熱処理により化学的に反応させることもできる。炭化物を形成する金属としては、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）或いはスカンジウム（Ｓｃ）が使用される。
さらに異なる実施態様においてはＳｉＣ表面は炭素膜を形成する前に少なくとも５００℃の温度で水素雰囲気にさらされる。このようにして実質的に酸素のないＳｉＣ表面を得ることができる。
この発明をさらに説明するために図面を参照する。図面において、
図１及び２はＳｉＣ表面に炭素膜を形成する第一の実施例を、
図３及び４はＳｉＣ表面に炭素膜を形成する第二の実施例を、
図５乃至７は炭素膜をＳｉＣ表面で金属炭化物の膜に変換して電気接触部を形成する２つの実施例を概略的に示す。なお、図において互いに対応する部分は同一の符号で示す。
全ての図示の実施例においてＳｉＣ単結晶は２で、このＳｉＣ単結晶２のＳｉＣ表面は３で表されている。
図１においてＳｉＣ表面３に炭素ＣXが元素Ｃの形で例えばスパッタにより、或いは炭素化合物の形で例えばＣＶＤ或いはＭＢＥ法により供給される。
供給された炭素ＣXから、図２に示されるように、ＳｉＣ表面３には炭素膜４が析出される。ＣＶＤプロセス或いはＭＢＥプロセスにおいては、一般に、例えばＣ2Ｈ2のような炭化水素ガスが使用され、このガスから適当に設定されたプロセス条件、例えば特に圧力及び温度条件で、化学反応によりＳｉＣ表面３に炭素膜４が形成される。代表的なプロセス温度は、この場合、５００℃から１５００℃の間である。
これに対して、図３に示される他の実施例においては、ＳｉＣ結晶格子に結合されているケイ素原子がＳｉＣ表面３から除去、特に気化される。ケイ素原子の気化（昇華）のためにＳｉＣ表面３は特に少なくとも１０００℃の温度で、好適には真空或いは不活性ガス雰囲気中で熱処理される。この場合、不活性ガスとは、使用された温度においてＳｉＣと実際上反応しないガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を意味する。ＳｉＣにおけるケイ素（Ｓｉ）の蒸気圧は炭素（Ｃ）の蒸気圧より高いので、ケイ素原子の気化の際にＳｉＣ表面３には余剰の炭素原子が残る。
この余剰の炭素原子は、図４に示される炭素膜４に整列される。炭素膜４に接してやや後退して新たなＳｉＣ表面３’が生ずる。ケイ素原子を気化される前の炭素膜表面３は図４において破線で示されている。
図１及び２のように炭素の供給によっても、また図３及び４のようにケイ素の気化によっても、既ちＳｉＣ表面３もしくは３’には炭素膜４が形成される。この炭素膜４は例えば実質的にアモルファス構造に、特にグラファイト構造或いは少なくともグラファイトに類似の構造に作られる。有利な実施例においては１ｎｍ以下の厚さの炭素膜４が形成される。
この発明による方法の特に有利な実施態様においては、ＳｉＣ表面３としてＳｉＣ単結晶２の極側（底面）の１つ、即ちケイ素面或いは炭素面が使用される。ケイ素面は立方晶系ポリタイプ３Ｃ（β−ＳｉＣ）のＳｉＣ単結晶２の場合には有極結晶格子における（1 1 1）結晶面に相当し、そして例えば４Ｈ、６Ｈ或いは１５Ｒのような非立方晶系ポリタイプのＳｉＣ単結晶（α−ＳｉＣ）の場合には有極結晶格子における（0 0 0 1）結晶面に相当する。これに対して、炭素面は立方晶系ポリタイプ３Ｃ（β−ＳｉＣ）のＳｉＣ結晶２の場合には有極結晶格子における（-1 -1 -1）結晶面に相当し、そして例えば４Ｈ、６Ｈ或いは１５Ｒのような非立方晶系ポリタイプのＳｉＣ結晶（α−ＳｉＣ）の有極結晶格子における（0 0 0 -1）結晶面である。
この実施例においては炭素膜４は特にＳｉＣ表面３からのケイ素原子の気化により作られる。ＳｉＣ単結晶２のケイ素面或いは炭素面はこのために既に説明した熱処理を受ける。熱処理の時間経過及び使用される温度によりどれだけの個々の（1 1 1）もしくは（0 0 0 1）ケイ素原子層がＳｉＣ結晶格子から取り除かれるかが極めて正確に設定される。特にまた最上面のケイ素原子層だけを取り除くこともできる。その場合、ケイ素面には炭素原子の単層だけからなる炭素膜４が、炭素面には炭素原子の２層からなる炭素膜４が得られる。表面に残った炭素は、一般に、開いている結合の飽和によってグラファイト構造に再構成される（グラファイト化）。種々異なった熱処理におけるＳｉＣ単結晶のケイ素面から或いは炭素面からのケイ素原子の気化及びこれにより生じた炭素膜の電子分光による研究はミュールホフ氏他の論文「ＳｉＣ（0 0 0 1）及びＳｉＣ（0 0 0 -1）に関する表面偏析の電子分光による比較研究（Comperative electron spectroscopic studies of surface segregation on SiC(0001) and SiC(000-1)）」応用物理ジャーナル（Journal of Applied Physics）、第６０巻、第８号、１９８６年１０月１５日、第２８４２頁乃至２８５３頁に記載されている。その内容もこの出願の開示に含まれるものとする。
図５乃至７においてはＳｉＣ表面３に形成された炭素膜４を金属炭化物の膜７に変換することによりＳｉＣ表面３に電気接触部を作る２つの実施例が図示されている。この両実施例は、ＳｉＣ表面３に形成された、図２、図４或いは図５による炭素膜４の構造を基にしている。炭素膜４には、図５に示されるように、炭化物を形成する少なくとも１つの金属Ｍｅが供給される。好ましくはこの金属Ｍｅはスパッタプロセスにより或いは蒸着により炭素膜４に施される。
第一の実施例においては炭素膜４に衝突する金属原子或いはイオンのエネルギーが金属Ｍｅと炭素膜４の炭素Ｃとの間に金属炭化物ＭｅXＣを形成する化学結合エネルギーよりも小さく設定される。その場合には、図６に示すように、先ず炭素膜４の上に金属Ｍｅからなる分離された金属膜５が析出される。この金属膜５は次いで、好ましくは、熱処理によって炭素膜４とで化学的に金属炭化物の膜７に変換される。熱処理における温度、従って熱エネルギーは、その場合、金属炭化物ＭｅXＣを形成することを可能にするために、充分な大きさに選ばれる。
これに対して、第二の実施例においては、炭素膜４に到達する金属原子或いはイオンのエネルギーはこれに属する金属炭化物ＭｅXＣの化学結合エネルギーと同じ程度に、例えばスパッタプロセスにおける加速圧を充分に大きくすることにより設定される。この場合少なくとも１つの金属Ｍｅを金属膜５に形成する際に、第一の実施例の場合のように金属膜５を形成することなく、図７による金属炭化物の膜７が直接形成される。
好ましくは、金属Ｍｅと炭素膜４の炭素Ｃとの化学量論的関係は、炭素膜４の少なくともほぼ全体の炭素Ｃが金属Ｍｅと反応して金属炭化物ＭｅXＣを形成するように設定される。勿論、炭素Ｃの一部だけを変換することもできる。
炭化物を形成する金属としては例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）或いはスカンジウム（Ｓｃ）が使用される。これにより作られる金属炭化物ＭｅXＣはそれぞれＷ2Ｃ、ＴｉＣ、ＴａＣ又はＴａ2Ｃ、Ｂ4Ｃ、Ａｌ4Ｃ3、Ｎｉ3Ｃ及びＳｃ2Ｃである。
好ましいことに、この発明による方法によれば、特にＳｉＣをベースとするショットキー・ダイオードに使用されるショットキー接触部が作られる。この方法により作られる炭化ケイ素−金属炭化物−境界面は殆ど理想的な接触障壁を示し、従ってＳｉＣ単結晶２と金属炭化物７との間に高い電圧が加わったときでも比較的洩れ電流が小さい。
ＳｉＣ単結晶２は、図５の実施例においては基板６の上に層の形で配置され、好ましくは、それ自体公知の方法でＣＶＤプロセス或いはＭＢＥプロセスにより、特に原子層エピタキシー法により、約１０００℃と約１８００℃の間の温度で或いはまた昇華により一般に約２０００℃及び約２３００℃の間の温度で基板６の上に成長する。基板６は、好ましくは同様にＳｉＣからなる。しかしまた、昇華プロセスにより成長したＳｉＣ単結晶２を使用することもできる。
ＳｉＣ単結晶２がＣＶＤ或いはＭＢＥ法により作られるときには、炭素膜４はＳｉＣ表面３に、ＣＶＤプロセスもしくはＭＢＥプロセスの間に成長するＳｉＣ単結晶へのケイ素の供給が中断され、炭素だけが供給されることにより成長させることができる。さらに炭素膜４は、ＳｉＣ単結晶２がＣＶＤプロセス或いはＭＢＥプロセスの直後に真空或いは不活性ガス雰囲気において一般に室温まで所定の温度経過に従って冷却されることにより形成することができる。
今まで説明してきたこの発明の実施例においてはＳｉＣ単結晶の表面が使用されたけれども、この方法は、また特に焼結により作られる単結晶でないＳｉＣ、例えば多結晶のＳｉＣの表面に電気接触部を形成する方法にも同様に適用可能である。
Claims (16)
- ａ）炭化ケイ素（ＳｉＣ）の表面（３）に炭素膜（４）を形成し、
ｂ）この炭素膜（４）を、次いで炭化物を形成する少なくとも１つの金属とで完全に又は部分的に金属炭化物に変換することにより炭化ケイ素表面（３）に電気接触部を形成する方法において、
前記炭素膜（４）を１ｎｍ以下の厚さに形成することを特徴とする方法。 - ＳｉＣ単結晶（２）の表面を炭化ケイ素表面（３）として使用する請求項１記載の方法。
- ＳｉＣ単結晶（２）を、ガス相からのエピタキシャル成長（ＣＶＤ）により基板（１）上に形成する請求項２記載の方法。
- 炭化ケイ素の表面（３）を、ＳｉＣが立方晶系ポリタイプ（β−ＳｉＣ）の場合には（1 1 1）結晶面に、非立方晶系ポリタイプ（α−ＳｉＣ）の場合には（0 0 0 1）結晶面にそれぞれ相当するＳｉＣ単結晶（２）のケイ素面で形成する請求項２記載の方法。
- 炭化ケイ素表面（３）を、ＳｉＣが立方晶系ポリタイプ（β−ＳｉＣ）の場合には（-1 -1 -1）結晶面に、非立方晶系ポリタイプ（α−ＳｉＣ）の場合には（0 0 0 -1）結晶面にそれぞれ相当するＳｉＣ単結晶（２）の炭素面で形成する請求項２記載の方法。
- 炭素膜（４）がグラファイト構造を備えている請求項１ないし５の１つに記載の方法。
- 炭素膜（４）を、炭化ケイ素表面（３）からケイ素原子を気化させることによって形成する請求項１ないし６の１つに記載の方法。
- ケイ素原子を、炭化ケイ素表面（３）を少なくとも１０００℃の温度で真空に或いは不活性ガス雰囲気にさらすことにより気化させる請求項７記載の方法。
- 炭素膜（４）をＣＶＤプロセスにより形成する請求項１ないし６の１つに記載の方法。
- 炭素膜（４）を分子線エピタキシー法により形成する請求項１ないし６の１つに記載の方法。
- 炭化物を形成する金属として、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）及びスカンジウム（Ｓｃ）を含むグループから選んだ元素を使用する請求項１ないし１０の１つに記載の方法。
- 炭化物を形成する少なくとも１つの金属を、スパッタにより炭素膜（４）上に形成する請求項１ないし１０の１つに記載の方法。
- 金属原子或いはイオンの運動エネルギーを、それに属する金属炭化物の化学的形成エネルギーと少なくとも同じ大きさに設定する請求項１２記載の方法。
- 炭化物を形成する金属を、先ず炭素膜（４）の上に形成し、次に熱処理により炭素と化学反応させる請求項１ないし１３の１つに記載の方法。
- 炭化物を形成する金属を、炭化ケイ素表面（３）に蒸着する請求項１４記載の方法。
- 炭化ケイ素表面（３）を、炭素膜（４）を形成する前に少なくとも５００℃の温度で水素雰囲気にさらす請求項１ないし１５の１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19514081.8 | 1995-04-13 | ||
| DE19514081A DE19514081A1 (de) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts auf einer SiC-Oberfläche |
| PCT/DE1996/000555 WO1996032739A1 (de) | 1995-04-13 | 1996-03-29 | VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRISCHEN KONTAKTS AUF EINER SiC-OBERFLÄCHE |
Publications (2)
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| JPH11503568A JPH11503568A (ja) | 1999-03-26 |
| JP3884070B2 true JP3884070B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=7759673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53062996A Expired - Fee Related JP3884070B2 (ja) | 1995-04-13 | 1996-03-29 | 炭化ケイ素表面に電気接触部を形成する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6139624A (ja) |
| EP (1) | EP0820638B1 (ja) |
| JP (1) | JP3884070B2 (ja) |
| DE (2) | DE19514081A1 (ja) |
| WO (1) | WO1996032739A1 (ja) |
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| DE102008047159A1 (de) | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung |
| US8377811B2 (en) | 2007-10-11 | 2013-02-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1996032739A1 (de) | 1996-10-17 |
| DE19514081A1 (de) | 1996-10-17 |
| US6139624A (en) | 2000-10-31 |
| JPH11503568A (ja) | 1999-03-26 |
| EP0820638B1 (de) | 2001-10-31 |
| EP0820638A1 (de) | 1998-01-28 |
| DE59608074D1 (de) | 2001-12-06 |
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