JP3871653B2 - 導電性微粒子の製造方法 - Google Patents
導電性微粒子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3871653B2 JP3871653B2 JP2003114959A JP2003114959A JP3871653B2 JP 3871653 B2 JP3871653 B2 JP 3871653B2 JP 2003114959 A JP2003114959 A JP 2003114959A JP 2003114959 A JP2003114959 A JP 2003114959A JP 3871653 B2 JP3871653 B2 JP 3871653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- electroless plating
- conductive fine
- plating film
- producing conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1662—Use of incorporated material in the solution or dispersion, e.g. particles, whiskers, wires
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/17—Metallic particles coated with metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/18—Non-metallic particles coated with metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
- C23C18/1637—Composition of the substrate metallic substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1669—Agitation, e.g. air introduction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
- C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性微粒子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
微粒子に導電性皮膜を付与する技術は、半導体チップおよび液晶パネルなどの接合に用いられる異方導電性粒子、電磁波シールド用導電塗料、ならびに高出力型二次電池用電極材料など、さまざまな分野で注目されている。
【0003】
導電性を有しない材料および導電性の低い材料に無電解めっきを行う場合、一般的に、浸漬脱脂工程、表面調整工程、エッチング工程および触媒付与工程などの前処理工程を経てから無電解めっき工程を行うことが多い。
【0004】
このうち、触媒付与工程としては、塩化第一スズおよび塩酸を用いるセンシタイジング処理と、塩化パラジウムおよび塩酸を用いるアクチベーション処理とを、水洗を介して数回繰り返す方法や、スズおよびパラジウムのコロイド物質を用いるキャタライジング処理と、塩酸または硫酸などを用いる脱スズの活性化処理とを、水洗を介して数回繰り返す方法が一般的である(例えば特許文献1)。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−294236号公報
【0006】
これらの方法はいずれも、還元力を有する2価のスズイオンを共存させることによりパラジウムイオンを金属パラジウムに還元し、触媒活性を発現させるという機構に基づくものである。また、銅上へニッケルめっきを施す場合のように、電位的に貴な金属上に卑な金属めっき皮膜を形成する場合にも、上記のような触媒付与工程を用いる場合がある。
【0007】
導電性微粒子は、例えば上記のような無電解めっき法により製造することが可能であるが、従来の手順では前処理工程が煩雑であるのみならず、ある工程で得られる処理液の次工程への持ち込みを防ぐために、例えば水洗およびろ過などの作業を繰り返し行う必要が生じるため、多くの時間を必要としていた。
【0008】
また、導電性微粒子を構成する材料である微粒子は、0.2〜0.5m2/g程度の非常に大きな比表面積を有するため、例えば100gの微粒子の表面積は最大で5000dm2となり、一般のめっきの常識範囲を超える。このため、通常の触媒付与工程では吸着するパラジウムの量が不足し、無電解めっき皮膜を形成しにくいばかりか、浴比を考慮して大量の処理液を使用すれば、高価な触媒化処理液を一回の処理で消費するため、コスト的にも大きな負担がかかるという問題があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、上述のような問題点に鑑みてなされたものであり、無電解めっきの前処理工程を簡略化し、短時間のうちに低コストで導電性微粒子を製造する方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、有機材料または無機材料の微粒子を無電解めっき浴中で撹拌しながら、塩化パラジウムの塩酸溶液を投入することにより、前記微粒子の表面に触媒を担持させると同時に無電解めっきを行い、不連続な無電解めっき皮膜を有する導電性微粒子を得る工程を含む導電性微粒子の製造方法に関する。
【0011】
また、前記不連続な無電解めっき皮膜は、前記微粒子の大部分に直接接触する空隙部または前記無電解めっき皮膜部分を介して前記微粒子の大部分に接触する空隙部を有し、前記空隙部は三次元的に連なりかつ水分子、ヒドロキシイオン、ナトリウムイオンまたはカリウムイオンの透過および拡散を許容するものであるのが好ましい。
【0012】
前記無機材料が、Cu、Ni、Al、Fe、Ag、MoおよびWよりなる群から選択される少なくとも一種またはその合金であるのが好ましい。
また、前記無機材料は、Al2O3、SiO2、Ni(OH)2およびCa(OH)2よりなる群から選択される少なくとも一種であるのも好ましい。
さらに、前記無電解めっき皮膜が、Ni、Ni−P、Ni−B、Cu、Ni−PTFE複合皮膜およびCu−PTFE複合皮膜よりなる群から選択される少なくとも一種であるのが好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明に係る導電性微粒子の製造方法においては、有機材料または無機材料の微粒子を無電解めっき浴中で撹拌しながら、塩化パラジウムおよび塩酸を主成分とする溶液を投入することにより、前記微粒子の表面に触媒を担持させると同時に無電解めっきを行い、不連続な無電解めっき皮膜を有する導電性微粒子を得る。
【0014】
無電解めっき工程において、塩化パラジウムを主成分とする溶液は、微粒子を単分散させるために界面活性剤を添加して攪拌しているめっき浴中に投入するため、パラジウムイオンの分散を素早く進行させることができ、かつ、微粒子の表面積が大きいためパラジウムイオンの微粒子の表面への吸着も分散とほぼ同時に進行させることができる。
【0015】
ここで、本発明に係る導電性微粒子の製造方法は、2価のスズイオンが共存していないことを特徴としている。瞬時に分散および吸着されたパラジウムイオンは、無電解めっき浴中に含まれる還元剤により還元されるため、スズイオンは不要となるのである。このため、本発明においては、センシタイジング処理およびアクチベーション処理を繰り返し行う工程を省略することが可能となる。
【0016】
本発明における導電性微粒子の材料となる微粒子は、有機材料または無機材料で構成される。この微粒子の平均粒径は本発明における無電解めっきを妨げることのない範囲であれば特に制限されることはない。特に上限については、粒径が大きいほどめっきし易いため、特に制限はない。一方、下限については、数μm〜数十μm、例えば5〜20μmであってもよい。
【0017】
また、有機材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ABS樹脂、ポリアミド、ポリスルフォン、AS樹脂、ポリスチレン、塩化ビニリデン樹脂、ポリフェニレンエーテル、メチルペンテン樹脂、メタクリル酸樹脂およびベンゾグアナミン樹脂などが挙げられる。
【0018】
また、無機材料としては、例えば、カーボン、グラファイト、Cu、Ni、Al、Fe、Ag、MoおよびWなどが挙げられ、これらはそれぞれ単独で、または任意に組み合わせて用いることができる。また、Al2O3、SiO2、Ni(OH)2およびCa(OH)2などの酸化物および水酸化物も挙げられ、これらもそれぞれ単独で、または任意に組み合わせて用いることができる。
【0019】
次に、本発明において用いる無電解めっき浴について説明する。
まず、金属イオンの供給には、例えば硫酸塩、スルファミン酸塩および塩化物などの金属塩を用いることができ、その金属イオン濃度は5〜20g/Lであるのが望ましい。
また、錯化剤としては、例えばグリシン、エチレンジアミン、アンモニウム、EDTA、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、グルコン酸および金属塩など、金属イオンに対して錯化作用を有する化合物全般を用いることができ、その濃度は5〜50g/Lであるのが望ましい。
【0020】
さらに、還元剤としては、例えば次亜リン酸ナトリウム、水素化ほう素ナトリウム、水素化ほう素カリウム、ジメチルアミンボランおよびヒドラジンなどを用いることができ、その濃度は5〜100g/Lであるのが望ましい。還元剤の種類により、無電解めっき浴のpHは異なり、例えば次亜リン酸ナトリウムであればpH6〜10、水素化ほう素ナトリウムであればpH7〜13、ヒドラジンであればpH9〜12などが望ましい。
【0021】
本発明においては、上述のような有機材料または無機材料の微粒子を無電解めっき浴中で撹拌しながら、塩化パラジウムおよび塩酸を主成分とする溶液を投入する。
ここで、攪拌の条件としては、100〜700rpmの攪拌速度、および20〜180分間の攪拌時間が好ましい。なお、めっき浴の温度は、例えば常温〜90℃の範囲など、めっき浴の種類などによって異なり、当業者であれば適宜調整することができる。
【0022】
ここで投入する塩化パラジウムおよび塩酸を主成分とする溶液について説明する。この溶液は、塩化パラジウムおよび塩酸を含んでいればよく、無電解めっき浴に投入した際に、無電解めっき浴中の塩化パラジウム濃度が低くなり過ぎないように、当業者であれば適宜選択することができる。なかでも、最大で通常のアクチベーション処理液濃度の10倍以上に相当するという理由から、前記溶液における塩化パラジウムの濃度が0.3〜10g/Lであるのが好ましい。さらには、0.3〜5g/Lであるのが好ましい。
【0023】
本発明においては、微粒子を単分散させるための撹拌を行っているため、高濃度の溶液を少量投入した場合でも、パラジウムイオンの分散および吸着が可能となる。したがって、前記溶液の投入量も、通常のアクチベーション処理に用いる量よりも大幅に少なくすることができ、本発明にかかる導電性微粒子の製造方法が低コストであることがわかる。
【0024】
このような操作を行うことにより、前記微粒子の表面に触媒を担持させると同時に無電解めっきを行い、不連続な無電解めっき皮膜を有する導電性微粒子を得ることができる。
【0025】
ここで、上記のような本発明に係る製造方法によれば、前記不連続な無電解めっき皮膜は、前記微粒子の大部分に直接接触する空隙部または前記無電解めっき皮膜部分を介して前記微粒子の大部分に接触する空隙部を有し、前記空隙部は三次元的に連なりかつ水分子、ヒドロキシイオン、ナトリウムイオンまたはカリウムイオンの透過および拡散を許容する。
【0026】
上述のように、塩化パラジウムおよび塩酸を主成分とする溶液の投入は、パラジウムを瞬時に分散させて、微粒子の表面へ吸着させることが可能であるが、吸着均一性は必ずしも高くはないので、無電解めっきの核としては活性点が通常よりやや少なく、めっき皮膜の連続性が低下する。しかし、このめっき皮膜の不連続性が多孔性であるため、水分子、ヒドロキシイオン、ナトリウムイオンまたはカリウムイオンなどイオン半径の大きい物質の透過および拡散が実現される。
【0027】
前記無電解めっき皮膜としては、Ni、Ni−P、Ni−B、Cu、Ni−PTFE複合皮膜およびCu−PTFE複合皮膜よりなる群から選択される少なくとも一種であるのが好ましい。
以下に、実施例を用いて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
【0028】
【実施例】
《実施例1》
本実施例においては、無機材料の微粒子である平均粒径10μmの球状銅粉末に、ニッケルめっきを施した。無電解めっき浴としては、以下に示す組成を有するものを用いた。
【0029】
硫酸ニッケル 22.0g/L
グリシン 33.3g/L
次亜リン酸ナトリウム 23.3g/L
水酸化ナトリウム 12.3g/L
界面活性剤 10mL/L
pH 9.5
【0030】
以上の条件を満たす3Lのめっき浴を60℃で建浴し、銅粉末50gを直接投入した。すなわち、浸漬脱脂工程、表面調整工程およびエッチング工程などの前処理工程は一切行わなかった。銅粉末を投入した後、毎分500回転の速度でプロペラ撹拌を10分間行い、そこへ塩化パラジウムおよび塩酸を主成分とする溶液(アクチベーター、塩化パラジウム濃度2g/L)を20mL投入した。
【0031】
この投入とともに、瞬時に発泡が始まり、パラジウムイオンの還元およびニッケルめっきが進行し始めた。発泡が終了するまで約30分間、毎分500回転の速度でプロペラ撹拌を継続し、発泡終了後撹拌を停止した。吸引ろ過器を用いてろ過および水洗を3回繰り返した後、80℃で1時間、温風で乾燥した。このようにして本発明に係る導電性微粒子1を得た。
【0032】
[評価]
ここで、導電性微粒子例1の電子顕微鏡写真を図1に示す。図1から明らかなように、無機材料の微粒子である銅粉末粒子の表面には、不連続なニッケルめっき皮膜が形成されている。この不連続めっき皮膜は、水分子、ヒドロキシイオン、ナトリウムイオンまたはカリウムイオンの透過および拡散を許容する。
【0033】
《比較例1》
次に、実施例1と同じロットの銅粉末50gを、30g/Lの塩化第一スズおよび15mL/Lの塩酸を含むセンシタイザー300mLに、25℃で3分間浸漬した後、水洗およびろ過を行う工程、ならびに0.2g/Lの塩化パラジウムおよび4ml/Lの塩酸を含むアクチベーター1.5Lに銅粉末を25℃で3分間浸漬した後、水洗およびろ過を行う工程を行った。これらの処理工程はそれぞれ2回繰り返した。
【0034】
アクチベーターは当初濃い褐色を呈していたが、処理後には薄い褐色となり、塩化パラジウム濃度は0.30g/Lから0.13g/Lにまで低減し、大量のパラジウムイオンが消費された。通常の触媒化処理工程においてはパラジウムイオンの濃度変化は微小であるため、アクチベーターは繰り返し使用されるが、このような使用方法においては繰り返し使用の限界を超えてしまったため、本アクチベーターは廃棄せざるを得なかった。
【0035】
このようにセンシタイジング処理およびアクチベーション処理の前処理を行った銅粉末を、実施例1で示した組成のめっき浴中に毎分500回転の速度で撹拌しながら投入した。撹拌は30分間行っても発泡は見られなかったが、撹拌を終了し、実施例1と同様にろ過、水洗および乾燥を行った。このようにして比較用導電性微粒子1を得た。
【0036】
[評価]
ここで得た比較用導電性微粒子1の電子顕微鏡写真を図2に示す。図2から明らかなように、比較用導電性微粒子1の表面には、ほとんどめっき皮膜が形成されなかった。めっき皮膜が形成されていないことは、ICPによる分析結果からも確認された。
【0037】
【発明の効果】
以上のように、本発明にしたがって、有機材料または無機材料の微粒子を無電解めっき液中で撹拌しながら塩化パラジウムを主成分とする溶液を投入し、触媒付与工程と無電解めっき工程を同時に進行させて導電性微粒子を得る方法によれば、無電解めっきの前処理工程を簡略化し、短時間のうちに低コストで導電性微粒子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1で得た導電性微粒子の電子顕微鏡写真である。
【図2】本発明の比較例1で得た導電性微粒子の電子顕微鏡写真である。
Claims (5)
- 無機材料の微粒子を無電解めっき浴中で撹拌しながら、塩化パラジウムの塩酸溶液を投入することにより、前記微粒子の表面にパラジウム触媒を担持させると同時に無電解めっきを行い、不連続な無電解めっき皮膜を有する導電性微粒子を得る工程を含み、
前記無電解めっき皮膜が、Ni、Ni−P、Ni−B、Cu、Ni−PTFE複合皮膜およびCu−PTFE複合皮膜よりなる群から選択される少なくとも一種である導電性微粒子の製造方法。 - 前記溶液における塩化パラジウムの濃度が0.3〜10g/Lである請求項1記載の導電性微粒子の製造方法。
- 前記不連続な無電解めっき皮膜は、前記微粒子に直接接触する空隙部または前記無電解めっき皮膜部分を介して前記微粒子に接触する空隙部を有し、前記空隙部は三次元的に連なりかつ水分子、ヒドロキシイオン、ナトリウムイオンまたはカリウムイオンの透過および拡散を許容する請求項1記載の導電性微粒子の製造方法。
- 前記無機材料が、Cu、Ni、Al、Fe、Ag、MoおよびWよりなる群から選択される少なくとも一種またはその合金である請求項1記載の導電性微粒子の製造方法。
- 前記無機材料が、Al2O3、SiO2、Ni(OH)2およびCa(OH)2よりなる群から選択される少なくとも一種である請求項1記載の導電性微粒子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003114959A JP3871653B2 (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | 導電性微粒子の製造方法 |
US10/822,695 US7338686B2 (en) | 2003-04-18 | 2004-04-13 | Method for producing conductive particles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003114959A JP3871653B2 (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | 導電性微粒子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004315946A JP2004315946A (ja) | 2004-11-11 |
JP3871653B2 true JP3871653B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=33157071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003114959A Expired - Lifetime JP3871653B2 (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | 導電性微粒子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7338686B2 (ja) |
JP (1) | JP3871653B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4494108B2 (ja) | 2004-07-22 | 2010-06-30 | 三井金属鉱業株式会社 | ニッケルコート銅粉製造方法、ニッケルコート銅粉及び導電性ペースト |
WO2007102253A1 (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Nara Institute Of Science And Technology | 金属被覆された脂質二分子膜小胞体及びその製造方法 |
TWI332275B (en) * | 2006-07-04 | 2010-10-21 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package having electromagnetic interference shielding and fabricating method thereof |
CN100427201C (zh) * | 2007-04-03 | 2008-10-22 | 河北科技大学 | 一种改性氧化铝的生产方法 |
JP6382493B2 (ja) * | 2013-08-12 | 2018-08-29 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
CN104339752B (zh) * | 2014-09-19 | 2016-04-13 | 中南大学 | 一种带Ni-Cu-P-TiN复合镀层的防腐抗磨材料及其制备方法 |
JP6718722B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-07-08 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | 感光性導電ペースト形成用銀被覆樹脂粒子及びその製造方法並びに該粒子を含む感光性導電ペースト |
US9836095B1 (en) * | 2016-09-30 | 2017-12-05 | Intel Corporation | Microelectronic device package electromagnetic shield |
JP7290626B2 (ja) | 2018-03-20 | 2023-06-13 | 株式会社田中化学研究所 | 正極用化合物及び正極活物質の製造方法 |
CN110157363B (zh) * | 2019-06-11 | 2021-04-06 | 莱芜职业技术学院 | 一种电磁屏蔽导电胶用导电粉末的制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3754939A (en) * | 1972-05-23 | 1973-08-28 | Us Army | Electroless deposition of palladium alloys |
US3926570A (en) * | 1974-03-04 | 1975-12-16 | Universal Oil Prod Co | Electrically conductive compositions of matter |
JPS6320487A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Sanyo Shikiso Kk | ニツケル被膜雲母の製造法 |
US5525570A (en) * | 1991-03-09 | 1996-06-11 | Forschungszentrum Julich Gmbh | Process for producing a catalyst layer on a carrier and a catalyst produced therefrom |
US5453293A (en) * | 1991-07-17 | 1995-09-26 | Beane; Alan F. | Methods of manufacturing coated particles having desired values of intrinsic properties and methods of applying the coated particles to objects |
US5624479A (en) * | 1993-04-02 | 1997-04-29 | International Business Machines Corporation | Solution for providing catalytically active platinum metal layers |
JP3553816B2 (ja) | 1999-04-07 | 2004-08-11 | 清川メッキ工業株式会社 | ニッケル電極およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-04-18 JP JP2003114959A patent/JP3871653B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-04-13 US US10/822,695 patent/US7338686B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004315946A (ja) | 2004-11-11 |
US7338686B2 (en) | 2008-03-04 |
US20040208992A1 (en) | 2004-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103128308B (zh) | 一锅法制备致密银包铜粉的方法 | |
JP3871653B2 (ja) | 導電性微粒子の製造方法 | |
RU2007127811A (ru) | Способ приготовления покрытых металлом частиц палладия или сплава палладия | |
CN110724943A (zh) | 铜表面化学镀镍前无钯活化液及制备方法和镀镍方法 | |
CN101157043A (zh) | 一种核壳型纳米多孔金属催化剂及其制备方法 | |
WO2009110428A1 (ja) | シリコンを母材とする複合材料及びその製造方法 | |
JP2002322565A (ja) | 無電解メッキプロセスにおける金属ナノ粒子活性化液の利用法 | |
JP6116000B2 (ja) | 白金コアシェル触媒の製造方法及びそれを用いた燃料電池 | |
US9023751B2 (en) | Method for producing catalyst | |
CN106944044A (zh) | 钯基催化剂及其制备方法与应用 | |
CN107868947B (zh) | 一种活化液及其制备方法和无钯活化化学镀镍方法 | |
CN103871540B (zh) | 一种导电橡胶用镍包玻璃导电粉体及其制备方法 | |
CN113059155B (zh) | 一种导电硅胶用镍包石墨复合粉体材料的制备方法 | |
Luo et al. | Synthesis of carbon-based Ag-Pd bimetallic nanocomposite and the application in electroless copper deposition | |
CN105209660A (zh) | 涂覆碳纳米材料的方法 | |
CN115537788A (zh) | 一种化学镀活化剂及其制备方法与应用 | |
JPH067679A (ja) | りん酸型燃料電池用白金合金触媒の製造方法 | |
JP5446191B2 (ja) | 無電解めっき樹脂粒子の製造方法 | |
JP2004131800A (ja) | 導電性無電解めっき粉体及びその製造方法 | |
KR100446203B1 (ko) | 도전성 초미립자 제조방법 | |
CN115519133B (zh) | 一种镍包石墨粉制备方法 | |
CN117328049A (zh) | 一种用于液晶显示的聚合物导电微球化学镀膜生产工艺 | |
CN117051387A (zh) | 一种芯片互连孔金属化活化剂及其制备方法与应用 | |
CN108686677B (zh) | 具有氧化钯壳-氧化镍核结构的纳米催化材料制备方法及用途 | |
CN110029330B (zh) | 一种铜锌合金复合材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3871653 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151027 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |